JP2019036671A

JP2019036671A - Semiconductor lead frame, manufacturing method of semiconductor lead frame, and semiconductor lead frame manufacturing apparatus

Info

Publication number: JP2019036671A
Application number: JP2017158377A
Authority: JP
Inventors: 恵一郎林; Keiichiro Hayashi; 直哉本多; Naoya Honda
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 2017-08-21
Filing date: 2017-08-21
Publication date: 2019-03-07
Anticipated expiration: 2037-08-21
Also published as: JP7181680B2

Abstract

To reduce a thickness of a semiconductor sealing body, and the size.SOLUTION: A semiconductor lead frame 1 is set to an object to which a semiconductor element is boned by a FCB method, and a plurality of lead parts 40 extended to a center direction from an outer frame part 30 is formed. A lead support member 50 is adhered to a surface on the side of the lead part 40 where the semiconductor element is bonded. Thus, the lead support member 50 is adhered to the surface on the side to which the semiconductor element is bonded, and thereby a package to which the semiconductor element 100 is bonded can be thinned and reduced in size. A form of the lead support member 50 is set to an annular form of a rectangle form surrounding an outer periphery of the semiconductor element, and all of the lead parts 40 can be supported to the object. Also, it can be functioned as a guide hole for distributing the semiconductor element, and an electrode of the semiconductor element and an inner lead electrode can be easily positioned.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体素子が配設される、半導体リードフレーム、半導体リードフレームの製造方法、及び半導体リードフレーム製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor lead frame, a semiconductor lead frame manufacturing method, and a semiconductor lead frame manufacturing apparatus in which semiconductor elements are disposed.

近年、半導体素子の高集積化が進み、素子が大型化している。その一方で、例えばメモリ系ＩＣの場合、高密度実装のためにパッケージはできる限り小型化することが望まれている。
そこで、大きな素子を効率良く収納できるパッケージ構造が特許文献１で提案されている。 In recent years, higher integration of semiconductor elements has progressed, and the elements have become larger. On the other hand, for example, in the case of a memory IC, it is desired to make the package as small as possible for high-density mounting.
Therefore, Patent Document 1 proposes a package structure that can efficiently accommodate a large element.

特許文献１記載技術では、リードフレームの半導体素子が装着される側の面と反対側の面に、樹脂製の素子保持体を固定することで、この素子保持体に半導体素子を接着することが記載されている。また、素子保持体の一部は半導体素子の周辺に配置された内部リードを固定する機能を備えることで、半導体素子を乗せるアイランドやこれを保持する吊りピンなどの金属製の部材が不要になるという効果もある。 In the technique described in Patent Document 1, a resin element holding body is fixed to the surface of the lead frame opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted, so that the semiconductor element can be bonded to the element holding body. Have been described. In addition, a part of the element holding body has a function of fixing internal leads arranged around the semiconductor element, so that an island for placing the semiconductor element and a metal member such as a suspension pin for holding the semiconductor element are not necessary. There is also an effect.

しかし、素子保持体を半導体素子が装着される側の面と反対側の面に接着するため、半導体素子を樹脂封止した後の半導体封止体は、素子保持体の厚み分だけ厚くなってしまい、小型化、薄型化に反するという課題があった。
また、樹脂製の素子保持体は吸湿する性質をもっているため、半導体素子をＦＣＢ（ＦｌｉｐＣｈｉｐＢｏｎｄｉｎｇ）工法で接合する場合、はんだ付けする温度は２３５℃の高温に達し、このとき樹脂に吸湿された水分が気化し、半導体封止体（パッケージ）の内部の圧力を上げる場合があり、パッケージクラックに至った場合には歩留まりが低下していた。 However, since the element holding body is bonded to the surface opposite to the surface on which the semiconductor element is mounted, the semiconductor sealing body after the resin sealing of the semiconductor element is thickened by the thickness of the element holding body. Therefore, there is a problem that it is contrary to downsizing and thinning.
In addition, since the resin element holding body has a property of absorbing moisture, when the semiconductor element is bonded by the FCB (Flip Chip Bonding) method, the soldering temperature reaches a high temperature of 235 ° C., and the resin is absorbed by the resin at this time. In some cases, moisture is vaporized to increase the pressure inside the sealed semiconductor package (package), and when package cracks occur, the yield decreases.

特開平４−１０６９４１号公報JP-A-4-106941

本発明は、半導体封止体の薄型化、小型化が可能な半導体リードフレーム技術の提供を目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor lead frame technology capable of reducing the thickness and size of a sealed semiconductor body.

（１）請求項１に記載の発明では、外枠部と、前記外枠部から中心方向に向かって延設された、一端が前記外枠部と接続するアウターリードと一端が前記アウターリードの他端と接続するインナーリードとを有する複数のリード部と、前記リード部における半導体素子が配設される側の面に、配設される半導体素子の投影領域よりも外側に接着されたリード支持部材と、を具備したことを特徴とする半導体リードフレームを提供する。
（２）請求項２に記載の発明では、前記リード支持部材は、配設される半導体素子の外側を囲う、方形の環状形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレームを提供する。
（３）請求項３に記載の発明では、前記方形の環状形状であるリード支持部材は、内周面における各辺の長さが、配設される半導体素子の対応する各辺の長さよりも０．０５ｍｍから１ｍｍ大きく形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の半導体リードフレームを提供する。
（４）請求項４に記載の発明では、前記リード支持部材は、Ｌ字形状又はコ字形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレームを提供する。
（５）請求項５に記載の発明では、前記リード支持部材は、その厚さｓが、配設された後の半導体素子の高さｈ以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体リードフレームを提供する。
（６）請求項６に記載の発明では、前記リード支持部材は、樹脂フィルムで形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームを提供する。
（７）請求項７に記載の発明では、前記外枠部と前記リード部と前記リード支持部材を有する単位リードが、連続して所定方向に複数形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームを提供する。
（８）請求項８に記載の発明では、前記単位リードは、所定幅の金属箔リールの長尺方向に複数形成されている、ことを特徴とする請求項７に記載の半導体リードフレームを提供する。
（９）請求項９に記載の発明では、前記複数の単位リードが形成された金属箔リールは、その幅方向の両側にスプロケット受部が所定間隔で形成されている、ことを特徴とする請求項１から請求項８のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームを提供する。
（１０）請求項１０に記載の発明では、前記単位リードは、幅方向に複数状並んで形成されている、ことを特徴とする請求項７から請求項９のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームを提供する。
（１１）請求項１１に記載の発明では、請求項１から請求項１０のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームの製造方法であって、長尺の金属箔の幅方向の両端側に、長手方向に沿って所定間隔でスプロケット受部を形成する工程と、前記スプロケット受け部が形成された長尺の金属箔に、前記単位リードを複数形成する工程と、前記形成された前記各単位リードの、半導体素子が配設される側の面に、前記配設される半導体素子の投影領域よりも外側の領域に前記リード支持部材を接着する工程と、を具備したことを特徴とする半導体リードフレームの製造方法を提供する。
（１２）請求項１２に記載の発明では、請求項１から請求項１０のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体リードフレームの製造装置であって、前記長尺の金属箔の幅方向の両端側に、長手方向に沿って所定間隔でスプロケット孔をプレス形成する第１プレス部と、前記スプロケット孔が形成された前記長尺の金属箔に、前記単位リードをプレス形成する第２プレス部と、前記形成された前記単位リードの、半導体素子が配設される側の面に、前記配設される半導体素子の投影領域よりも外側の領域に前記リード支持部材を接着する支持部材接着部と、を具備したことを特徴とする半導体リードフレーム製造装置を提供する。
（１３）請求項１３に記載の発明では、前記形成されたスプロケット孔と係合するスプロケットを有し、前記長尺の金属箔をその長手方向に、前記金属箔を所定間隔で、前記第１プレス部から前記第２プレス部に移送する移送部と、を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の半導体リードフレーム製造装置を提供する。 (1) In the first aspect of the invention, the outer frame portion, the outer lead extending from the outer frame portion toward the center direction, one end connected to the outer frame portion, and one end of the outer lead A plurality of lead portions each having an inner lead connected to the other end, and a lead support adhered to the surface of the lead portion on the side where the semiconductor element is disposed, outside the projected region of the disposed semiconductor element And a semiconductor lead frame.
(2) In the invention described in claim 2, the lead support member has a rectangular annular shape surrounding the outside of the semiconductor element to be disposed. I will provide a.
(3) In the invention according to claim 3, in the lead support member having the rectangular annular shape, the length of each side on the inner peripheral surface is longer than the length of each corresponding side of the semiconductor element disposed. The semiconductor lead frame according to claim 2, wherein the semiconductor lead frame is formed to be 0.05 mm to 1 mm larger.
(4) In the invention described in claim 4, there is provided the semiconductor lead frame according to claim 1, wherein the lead supporting member is L-shaped or U-shaped.
(5) In the invention described in claim 5, the lead supporting member has a thickness s which is not more than a height h of the semiconductor element after being disposed. A semiconductor lead frame is provided.
(6) In the invention according to claim 6, the lead support member is formed of a resin film, according to any one of claims 1 to 5. A semiconductor lead frame is provided.
(7) In the invention according to claim 7, a plurality of unit leads having the outer frame portion, the lead portion, and the lead support member are continuously formed in a predetermined direction. A semiconductor lead frame according to any one of claims 1 to 6 is provided.
(8) In the invention according to claim 8, there is provided the semiconductor lead frame according to claim 7, wherein a plurality of the unit leads are formed in the longitudinal direction of a metal foil reel having a predetermined width. To do.
(9) In the invention described in claim 9, the metal foil reel formed with the plurality of unit leads has sprocket receiving portions formed at predetermined intervals on both sides in the width direction. A semiconductor lead frame according to any one of claims 1 to 8 is provided.
(10) In the invention according to claim 10, the unit lead is formed in a plurality of rows in the width direction. The invention according to any one of claims 7 to 9, The semiconductor lead frame described in 1. is provided.
(11) The invention according to claim 11 is the method of manufacturing a semiconductor lead frame according to any one of claims 1 to 10, wherein the long metal foil is in the width direction. A step of forming sprocket receiving portions at predetermined intervals along the longitudinal direction on both ends, a step of forming a plurality of the unit leads on a long metal foil on which the sprocket receiving portions are formed, and the formed Adhering the lead support member to a region outside the projected region of the semiconductor element disposed on the surface of each unit lead on the side where the semiconductor element is disposed. A method for manufacturing a semiconductor lead frame is provided.
(12) In the invention according to claim 12, in the semiconductor lead frame manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 10, the width direction of the long metal foil A first press part that press-forms sprocket holes at predetermined intervals along the longitudinal direction, and a second press that press-forms the unit leads on the long metal foil in which the sprocket holes are formed. A support member for bonding the lead support member to a region outside the projected region of the semiconductor element disposed on the surface of the unit lead and the unit lead formed on the side where the semiconductor element is disposed And a semiconductor lead frame manufacturing apparatus.
(13) In the invention according to claim 13, the sprocket has a sprocket that engages with the formed sprocket hole, the long metal foil in the longitudinal direction, and the metal foil at a predetermined interval, the first metal foil. The semiconductor lead frame manufacturing apparatus according to claim 12, further comprising: a transfer unit that transfers the press unit to the second press unit.

本発明によれば、リード部における半導体素子が配設される側の面に、配設される半導体素子の投影領域よりも外側にリード支持部材が接着されることで、半導体封止体の薄型化、小型化が可能になる。 According to the present invention, the lead supporting member is bonded to the surface of the lead portion on the side where the semiconductor element is disposed, so that the thinned semiconductor encapsulant is bonded to the outside of the projected region of the disposed semiconductor element. And miniaturization are possible.

本実施形態における半導体リードフレームの構成を表した平面図と斜視図である。2A and 2B are a plan view and a perspective view illustrating a configuration of a semiconductor lead frame in the present embodiment. 半導体リードフレームの製造装置の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing apparatus of a semiconductor lead frame. 半導体リードフレームの製造工程における状態を表した説明図である。It is explanatory drawing showing the state in the manufacturing process of a semiconductor lead frame. 半導体フレームに半導体素子を配設した状態を表した説明図である。It is explanatory drawing showing the state which has arrange | positioned the semiconductor element in the semiconductor frame. 半導体リードフレームにおけるリード支持部材の変形例を表した説明図である。It is explanatory drawing showing the modification of the lead support member in a semiconductor lead frame. 半導体リードフレームにおけるスプロケット受部の変形例を表した説明図である。It is explanatory drawing showing the modification of the sprocket receiving part in a semiconductor lead frame.

以下、本発明の半導体リードフレームとその製造方法、及び製造装置の好適な実施形態について説明する。
（１）実施形態の概要
本実施形態は、ＦＣＢ工法により半導体素子が接合される半導体リードフレーム１を対象とし、外枠部３０から中心方向に延設する複数のリード部４０が形成されている。そして、リード部４０の、半導体素子がボンディングされる側の面に、リード支持部材５０が接着されている。
このように、リード支持部材５０を半導体素子が接合される側の面に接着することで、半導体素子１００をボンディングしたパッケージを薄型化、小型化することができる。 Hereinafter, preferred embodiments of a semiconductor lead frame, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus of the present invention will be described.
(1) Outline of Embodiment The present embodiment is directed to the semiconductor lead frame 1 to which semiconductor elements are bonded by the FCB method, and a plurality of lead portions 40 extending from the outer frame portion 30 in the center direction are formed. . A lead support member 50 is bonded to the surface of the lead portion 40 on the side where the semiconductor element is bonded.
Thus, by bonding the lead support member 50 to the surface to which the semiconductor element is bonded, the package to which the semiconductor element 100 is bonded can be made thinner and smaller.

また、リード支持部材５０の形状を、半導体素子の外周を囲う方形の環状形状とすることで、全てのリード部４０を対象に支持することができる。また、半導体素子を配設する際のガイド穴として機能することができ、半導体素子の電極とインナーリード電極の位置を合わせることが容易になる。
但し、リード支持部材５０は、全てのリード部４０を保持対象とする必要はなく、方形の環状形状のうちの一部分からなる形状、例えば、少なくとも互いに直行する２辺（連続、不連続を問わない）を有する形状とすることも可能である。 Further, the lead support member 50 can be supported on all the lead portions 40 by making the shape of the lead support member 50 a square annular shape surrounding the outer periphery of the semiconductor element. Further, it can function as a guide hole when the semiconductor element is disposed, and it becomes easy to align the position of the electrode of the semiconductor element and the inner lead electrode.
However, it is not necessary for the lead support member 50 to hold all the lead portions 40, and the lead support member 50 is formed of a part of a square annular shape, for example, at least two sides perpendicular to each other (regardless of continuous or discontinuous). ).

更に、本実施形態の半導体リードフレームでは、リード支持部材５０の厚さｓを、半導体素子を配置した場合の高さｈ以下の厚さ、好ましくはｈ／２以下の樹脂フィルムを使用する。これにより、リード支持部材５０全体の体積を少なくすることができ、半導体封止体のクラックを抑制することができる。 Further, in the semiconductor lead frame of the present embodiment, a resin film having a thickness s of the lead support member 50 equal to or less than the height h when the semiconductor element is disposed, preferably h / 2 or less is used. Thereby, the volume of the whole lead support member 50 can be reduced, and the crack of a semiconductor sealing body can be suppressed.

（２）実施形態の詳細
図１は本実施形態における半導体リードフレーム１の平面図（ａ）と斜視図（ｂ）を表したものである。
図１に示すように、半導体リードフレーム１は、長尺の金属箔１０に、その長手方向に沿って複数の単位リード２０が形成されている。
金属箔１０は、例えば、約φ２０〜４０ｃｍのリールに巻き取られることを前提とした長尺サイズに形成されている。金属箔１０の幅Ｗは、図１（ａ）に示すように、例えば写真撮影用３５ｍｍフィルムと同一規格で、全幅Ｗ＝３４．９７５ｍｍの長尺形状に形成されている。また、対象となる製品に応じた幅として４８ｍｍや７０ｍｍ等の各種サイズに形成される。
本実施形態の金属箔１０は銅箔で構成されるが、他の金属として基板材料に通常使用されているものであれば特にその種類を限定するものではない。例えば、金属箔１０として、銅（Ｃｕ）以外に、Ｃｕ合金、及びＦｅ合金等の通常のリードフレーム材として用いられるものであればよい。
金属箔１０の厚みは、５〜４００μｍの範囲である。好ましくは、２０〜３００μｍの範囲であり、特に好ましくは、３０〜２５０μｍの範囲である。 (2) Details of Embodiment FIG. 1 shows a plan view (a) and a perspective view (b) of a semiconductor lead frame 1 in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the semiconductor lead frame 1 has a long metal foil 10 formed with a plurality of unit leads 20 along the longitudinal direction thereof.
For example, the metal foil 10 is formed in a long size on the premise that the metal foil 10 is wound around a reel of about φ20 to 40 cm. The width W of the metal foil 10 is, for example, the same standard as a 35 mm film for photography, and is formed in a long shape with a total width W = 34.975 mm, as shown in FIG. Moreover, it forms in various sizes, such as 48 mm and 70 mm, as a width | variety according to the product used as object.
Although the metal foil 10 of this embodiment is comprised with copper foil, the kind in particular will not be limited if it is normally used for substrate material as another metal. For example, the metal foil 10 may be any metal that can be used as a normal lead frame material such as a Cu alloy and an Fe alloy in addition to copper (Cu).
The thickness of the metal foil 10 is in the range of 5 to 400 μm. Preferably, it is the range of 20-300 micrometers, Most preferably, it is the range of 30-250 micrometers.

金属箔１０には、その幅方向の両側に、後述する製造装置のスプロケットと係合して、金属箔１０を移送させるためのスプロケット孔（スプロケット受部として機能）１１が所定間隔Ｐ毎に複数形成されている。なお、スプロケット孔１１の形状は円形の貫通孔であるが、方形の貫通孔により形成するようにしてもよい。
本実施形態では、所定間隔Ｐ（パーフォレーションピッチ）＝４．７５ｍｍの寸法規格に従って形成されているが、この所定間隔Ｐは、製造装置における金属箔１０の移動機構で使用されるスプロケット等の規格に合わせたものであるため、この値に限られず製造装置等に応じて変更可能である。
本実施形態におけるスプロケット孔１１は、金属箔１０の幅方向の両端面に、打ち抜きにより形成している。 The metal foil 10 has a plurality of sprocket holes (functioning as a sprocket receiving portion) 11 at predetermined intervals P for engaging the sprocket of the manufacturing apparatus described later and transferring the metal foil 10 on both sides in the width direction. Is formed. The sprocket hole 11 is a circular through hole, but may be formed by a square through hole.
In this embodiment, the predetermined interval P (perforation pitch) is formed according to a dimensional standard of 4.75 mm. However, the predetermined interval P corresponds to a standard for sprockets used in the moving mechanism of the metal foil 10 in the manufacturing apparatus. Since these are combined, the value is not limited to this value and can be changed according to the manufacturing apparatus.
The sprocket holes 11 in the present embodiment are formed by punching on both end faces in the width direction of the metal foil 10.

金属箔１０には、スプロケット孔１１のピッチに従って順次長手方向に移送されながら、各単位リード２０が形成されている。
各単位リード２０は、金属箔１０に形成された外枠部３０とリード部４０、及び、リード部４０に接着されたリード支持部材５０を備えている。単位リード２０の外枠部３０とリード部４０は、金属箔１０を打ち抜くことで形成している。なお、本実施形態では打ち抜き形成によるが、エッチング等の各種公知の方法に外枠部３０とリード部４０を形成することも可能である。 Each unit lead 20 is formed on the metal foil 10 while being sequentially transferred in the longitudinal direction according to the pitch of the sprocket holes 11.
Each unit lead 20 includes an outer frame portion 30 and a lead portion 40 formed on the metal foil 10, and a lead support member 50 bonded to the lead portion 40. The outer frame portion 30 and the lead portion 40 of the unit lead 20 are formed by punching the metal foil 10. In this embodiment, the outer frame portion 30 and the lead portion 40 can be formed by various known methods such as etching, although it is formed by punching.

外枠部３０は、方形に形成されている。
リード部４０は、外枠部３０の各辺から中心方向に向かって延設されている。すなわち、配設される半導体素子に応じた本数のリード部４０が、半導体素子の電極の配設位置に対応する位置に向かって延設されている。本実施形態では、一例として方形の外枠部３０における各辺から中心方向に５本ずつリード部４０が形成されている。 The outer frame portion 30 is formed in a square shape.
The lead part 40 extends from each side of the outer frame part 30 toward the center direction. That is, the number of lead portions 40 corresponding to the disposed semiconductor elements is extended toward a position corresponding to the position where the electrodes of the semiconductor element are disposed. In the present embodiment, as an example, five lead portions 40 are formed in the center direction from each side of the rectangular outer frame portion 30.

リード部４０は、一端が外枠部３０と接続するアウターリード４１と、一端がアウターリード４１の他端と接続し他端が開放端となっているインナーリード４２とを有している。ここでリード部４０のうち、後に半導体素子を配設し樹脂封止した後の半導体封止体の外部に出ている部分をアウターリード４１といい、半導体封止体の中に埋もれている部分をインナーリード４２という。
なお、図１ではリード部４０の形状として全て直線形状であるが、その途中で直角方向に曲がっている形状であってもよい。例えば、図面左右側に形成された（長手方向に延びる）リード部４０を、開放端側をそのままとし、途中から９０度曲げ、外枠部３０の長手方向に延びる辺（図面上下に位置する辺）に接続する形状にすることも可能である。この場合、アウターリード４１とインナーリード４２の境目、またはアウターリード４１部分、インナーリード４２部分のいずれの位置で曲げてもよい。 The lead part 40 has an outer lead 41 having one end connected to the outer frame part 30 and an inner lead 42 having one end connected to the other end of the outer lead 41 and the other end being an open end. Here, in the lead portion 40, a portion that is exposed to the outside of the semiconductor sealing body after the semiconductor element is disposed and resin-sealed later is referred to as an outer lead 41, and a portion that is buried in the semiconductor sealing body. Is referred to as an inner lead 42.
In FIG. 1, the lead portions 40 are all linear in shape, but may be bent in a right angle direction in the middle thereof. For example, the lead part 40 formed on the left and right sides of the drawing (extending in the longitudinal direction) is bent 90 degrees from the middle with the open end side as it is, and the side extending in the longitudinal direction of the outer frame part 30 (side located on the top and bottom of the drawing) It is also possible to make it a shape connected to (). In this case, it may be bent at the boundary between the outer lead 41 and the inner lead 42 or at any position of the outer lead 41 part or the inner lead 42 part.

リード支持部材５０は、ＰＩ（ポリイミド）フィルム等の樹脂フィルムが使用され、図１に示すように方形の環状に形成される。
このリード支持部材５０は、接着材によりリード部４０に接着されている。接着材としては、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系の熱硬化型を半硬化状態で用いるか、またはポリエーテルアミドイミド等の熱可塑型を用いることができる。
リード支持部材５０の厚さｓは、半導体素子を配置した場合の高さｈ以下とし、好ましくはｈ／２以下の樹脂フィルムを使用する。
これにより、リード支持部材５０全体の体積を少なくすることができる。その結果、リード支持部材５０（樹脂フィルム）に吸収される水分を少なくすることができ、半導体素子を配置する際の半田リフロー工程において、半導体封止体（パッケージ）の圧力上昇を抑え、クラックを抑制することができる。
一方、リード支持部材５０の厚さをｈとする場合、半導体素子をＦＣＢした後に半導体素子を樹脂封止する際の封止枠としてリード支持部材５０を使用することができる。 The lead support member 50 is made of a resin film such as a PI (polyimide) film, and is formed in a square ring shape as shown in FIG.
The lead support member 50 is bonded to the lead portion 40 with an adhesive. As the adhesive, an acrylic, epoxy, or polyimide thermosetting type can be used in a semi-cured state, or a thermoplastic type such as polyetheramide imide can be used.
The thickness s of the lead support member 50 is a height h or less when the semiconductor element is disposed, and preferably a resin film of h / 2 or less is used.
Thereby, the volume of the entire lead support member 50 can be reduced. As a result, the moisture absorbed by the lead support member 50 (resin film) can be reduced, and in the solder reflow process when placing the semiconductor element, the increase in the pressure of the semiconductor encapsulant (package) is suppressed and cracks are prevented. Can be suppressed.
On the other hand, when the thickness of the lead support member 50 is h, the lead support member 50 can be used as a sealing frame when the semiconductor element is resin-sealed after FCB of the semiconductor element.

本実施形態では、リード支持部材５０の体積をより小さくするために、配設される半導体素子の各辺より０．０５〜０．１ｍｍほど大きい方形の環状（額縁形状）に形成される。
リード支持部材５０の環状部分の幅は、体積を小さくするために０．１ｍｍ〜２ｍｍの範囲で選択されるが、本実施形態では約１ｍｍとしている。環状部分の幅が０．１ｍｍ以下だと、インナーリード４２を支持する支持部としての機能を十分に発揮できなくなるためである。また、リード支持部材５０をインナーリード４２に固着するための接着材を塗布することが難しくなるためである。 In the present embodiment, in order to reduce the volume of the lead support member 50, the lead support member 50 is formed in a rectangular ring shape (frame shape) that is 0.05 to 0.1 mm larger than each side of the semiconductor element to be disposed.
The width of the annular portion of the lead support member 50 is selected in the range of 0.1 mm to 2 mm in order to reduce the volume, but is set to about 1 mm in this embodiment. This is because if the width of the annular portion is 0.1 mm or less, the function as a support portion for supporting the inner lead 42 cannot be sufficiently exhibited. In addition, it is difficult to apply an adhesive for fixing the lead support member 50 to the inner lead 42.

次に、以上のように構成された半導体リードフレーム１の製造装置、及び製造方法について説明する。
図２は半導体リードフレーム製造装置５００の構成を表したものである。
図２に示すように、半導体リードフレーム製造装置５００は、所定幅Ｗで長尺の金属箔１０（プレス前）が巻かれた送りリール５１０、ゴムロール５２０、金属箔１０の両側にスプロケット孔１１を形成する第１プレス装置５３０、金属箔１０に外枠部３０とリード部４０をプレス形成する第２プレス装置５４０と、リード部４０にリード支持部材５０を接着する接着装置５６０と、単位リード２０が形成された金属箔１０を巻き取る巻き取りリール５８０を備えている。 Next, a manufacturing apparatus and a manufacturing method of the semiconductor lead frame 1 configured as described above will be described.
FIG. 2 shows the configuration of the semiconductor lead frame manufacturing apparatus 500.
As shown in FIG. 2, the semiconductor lead frame manufacturing apparatus 500 has sprocket holes 11 on both sides of a feed reel 510, a rubber roll 520, and a metal foil 10 wound with a long metal foil 10 (before pressing) with a predetermined width W. The first press device 530 to be formed, the second press device 540 for press-forming the outer frame portion 30 and the lead portion 40 on the metal foil 10, the bonding device 560 for bonding the lead support member 50 to the lead portion 40, and the unit lead 20 A take-up reel 580 for taking up the metal foil 10 on which is formed is provided.

この半導体リードフレーム製造装置５００による、半導体リードフレームの製造工程は次の通りである。
図３は、半導体リードフレーム１の製造工程を表したものである。
最初に、図２に示すように、所定幅で長尺の金属箔１０が巻かれた送りリール５１０をセットし、金属箔１０を長手方向に順次第１プレス装置５３０に供給する。すなわち、金属箔１０の両面から挟むゴムロール５２０を回転させることで、送りリール５１０から金属箔１０を引出して第１プレス装置５３０に供給する。供給される金属箔１０は、図３（ａ）に示すように、幅Ｗの長尺状態である。 The semiconductor lead frame manufacturing process by the semiconductor lead frame manufacturing apparatus 500 is as follows.
FIG. 3 shows a manufacturing process of the semiconductor lead frame 1.
First, as shown in FIG. 2, a feed reel 510 around which a long metal foil 10 having a predetermined width is wound is set, and the metal foil 10 is sequentially supplied to the first press device 530 in the longitudinal direction. That is, by rotating the rubber roll 520 sandwiched from both surfaces of the metal foil 10, the metal foil 10 is drawn from the feed reel 510 and supplied to the first press device 530. The metal foil 10 to be supplied is in a long state with a width W as shown in FIG.

次に、第１プレス装置５３０において、図３（ｂ）に示すように、金属箔１０の両側面にスプロケット孔１１を所定間隔で打ち抜くことで、プレス形成する。
金属箔１０に形成されたスプロケット孔１１は、図示しないスプロケットに係合することで、金属箔１０をその長手方向に所定間隔で、第１プレス装置５３０から第２プレス装置５４０に移送される。なお、図示しないスプロケットは、移送部として機能し、第１プレス装置５３０と第２プレス装置５４０との間、第２プレス装置５４０と接着装置５６０との間、及び、接着装置５６０と巻き取りリール５８０との間の少なくとも１箇所以上に配置される。 Next, in the 1st press apparatus 530, as shown in FIG.3 (b), it press-forms by punching the sprocket hole 11 in the both sides | surfaces of the metal foil 10 at predetermined intervals.
The sprocket holes 11 formed in the metal foil 10 are engaged with a sprocket (not shown) to transfer the metal foil 10 from the first press device 530 to the second press device 540 at a predetermined interval in the longitudinal direction. A sprocket (not shown) functions as a transfer unit, and is between the first press device 530 and the second press device 540, between the second press device 540 and the bonding device 560, and between the bonding device 560 and the take-up reel. It is arranged at least at one place between 580.

第２プレス装置５４０では、スプロケット孔１１の間の金属箔部分を打ち抜くことで、リード部４０をプレス形成する。本実施形態における第２プレス装置５４０では、単位リード２０毎にプレス形成を行うが、複数の単位リード２０を纏めてプレス形成することも可能である。この場合、図３（ｃ）に示すように幅方向は１つで長手方向に複数の単位リード２０を同時にプレス形成する場合だけでなく、金属箔１０の幅Ｗを複数個並べて形成できる幅とし、幅方向に複数同時にプレス形成してもよく、長さ方向、幅方向ともに複数（４個）以上の単位リード２０を同時にプレス形成するようにしてもよい。 In the second press device 540, the lead portion 40 is press-formed by punching out the metal foil portion between the sprocket holes 11. In the second press device 540 in the present embodiment, press formation is performed for each unit lead 20, but a plurality of unit leads 20 can be collectively formed by press formation. In this case, as shown in FIG. 3 (c), not only the case where a plurality of unit leads 20 are press-formed at the same time in the longitudinal direction, but also a plurality of widths W of the metal foil 10 can be formed side by side. A plurality of (4) or more unit leads 20 may be pressed simultaneously in the length direction and the width direction.

次に、接着装置５６０において、図３（ｄ）に示すように、プレス形成されたリード部４０にリード支持部材５０を接着する。
接着装置５６０は、図示しない接着材塗布部と配設部とを備えている。
接着材塗布部では、リード部４０におけるリード支持部材５０の接着領域に接着材を塗布し、リード支持部材５０を接着する。接着材の塗布領域は、半導体素子が配設される投影領域の各辺よりもインナーリード４２から０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍだけ外側の位置から外側に、リード支持部材５０の幅に応じた１ｍｍ〜２ｍｍの幅の領域で塗布する。
ここで、塗布する接着材としては、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系の熱硬化型を半硬化状態で用いるか、またはポリエーテルアミドイミド等の熱可塑型を用いることができる。 Next, in the bonding device 560, as shown in FIG. 3D, the lead support member 50 is bonded to the press-formed lead portion 40.
The bonding apparatus 560 includes an adhesive application unit and an arrangement unit (not shown).
In the adhesive application part, an adhesive is applied to the adhesion region of the lead support member 50 in the lead part 40 to adhere the lead support member 50. The application area of the adhesive is 1 mm according to the width of the lead support member 50 from the position outside the inner lead 42 to the outside by 0.05 mm to 0.1 mm from each side of the projection area where the semiconductor element is disposed. Apply in an area of ~ 2mm wide.
Here, as the adhesive to be applied, an acrylic, epoxy, or polyimide thermosetting type can be used in a semi-cured state, or a thermoplastic type such as polyetheramide imide can be used.

接着装置５６０の配設部では、方形の環状形状に形成されたリード支持部材５０を吸引により把持し、リード部４０の接着材が塗布された領域上に配置及び押圧することで接着する。
なお、接着装置５６０は、接着材をリード部４０に塗布するのではなく、予め接着材が塗布されたリード支持部材５０を吸引により把持、移動してリード部４０の所定領域に接着するようにしてもよい。 In the arrangement portion of the bonding apparatus 560, the lead support member 50 formed in a square annular shape is gripped by suction, and is adhered by placing and pressing on the area where the adhesive material of the lead portion 40 is applied.
Note that the bonding apparatus 560 does not apply the adhesive to the lead part 40, but grips and moves the lead support member 50 to which the adhesive has been applied in advance by suction to adhere to the predetermined region of the lead part 40. May be.

以上の各工程により、長尺の金属箔１０に対し単位リード２０が順次形成される。
形成された単位リード２０は順次巻き取りリール５８０に巻き取られることで、半導体リードフレーム１が形成される。 Through the above steps, unit leads 20 are sequentially formed on the long metal foil 10.
The formed unit leads 20 are sequentially wound on a take-up reel 580, whereby the semiconductor lead frame 1 is formed.

図４は、本実施形態の半導体リードフレーム１に半導体素子１００を配設した状態を表した説明図である。
この図に示すように、本実施形態の半導体リードフレーム１の各単位リード２０に半導体素子１００をＦＣＢによりはんだ付けする。
この際、半導体素子１００を配設する側の面にリード支持部材５０が接着されているので、半導体素子１００をフェイスダウン実装できるため、画像認識付きの高精度なマウンタを必要とせずに、ＦＣＢを確実に行うことができる。
また、リード支持部材５０の内周面がガイドとなると共に、各インナーリード４２がリード支持部材５０によって指示されているので、各インナーリード４２と半導体素子１００の対応する各電極とを、位置ずれを生じることなく合わせることができる。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which the semiconductor element 100 is disposed on the semiconductor lead frame 1 of the present embodiment.
As shown in this figure, the semiconductor element 100 is soldered to each unit lead 20 of the semiconductor lead frame 1 of this embodiment by FCB.
At this time, since the lead support member 50 is bonded to the surface on which the semiconductor element 100 is disposed, the semiconductor element 100 can be face-down mounted. Therefore, an FCB without a high-precision mounter with image recognition is required. Can be performed reliably.
Further, since the inner peripheral surface of the lead support member 50 serves as a guide and each inner lead 42 is instructed by the lead support member 50, the inner lead 42 and each corresponding electrode of the semiconductor element 100 are displaced from each other. Can be combined without producing.

次に、半導体リードフレーム１の各種変形例について説明する。
図５は、各単位リード２０に接着するリード支持部材５０についての変形例を表した説明図である。
図１で説明したリード支持部材５０では、その形状が方形の環状形状であったのに対し、図５の各変形例に示すように、方形の環状形状のリード支持部材５０のうち一部分からなる形状である。
例えば図５（ａ）に示すリード支持部材５１は、リード支持部材５０の対角線に沿って２分したＬ字状の形状で、外枠部３０における一方の長辺に形成された全てのリード部４０と、一方の短辺に形成された全てのリード部４０とに接着される。 Next, various modifications of the semiconductor lead frame 1 will be described.
FIG. 5 is an explanatory view showing a modification of the lead support member 50 bonded to each unit lead 20.
In the lead support member 50 described in FIG. 1, the shape thereof is a square annular shape, whereas, as shown in each modification of FIG. 5, the lead support member 50 is composed of a part of the square annular shape lead support member 50. Shape.
For example, the lead support member 51 shown in FIG. 5A has an L-shaped shape divided into two along the diagonal line of the lead support member 50, and all the lead portions formed on one long side of the outer frame portion 30. 40 and all the lead portions 40 formed on one short side.

図５（ｂ）に示すリード支持部材５２はコ字形状の例で、外枠部３０における一方の短辺に形成されたリード部４０をコ字の縦棒部分が接着され、上下の横棒部分で外枠部３０における長辺に形成されたリード部４０の一部が接着される。このリード支持部材５２では、コ字形状の上下横棒部分がそれぞれ１本のリード部４０と接着する場合について表示しているが、上下横棒部分をより長く形成することで複数本のリード部４０と接着する形状であってもよい。 The lead support member 52 shown in FIG. 5B is an example of a U-shape, and a U-shaped vertical bar portion is bonded to a lead portion 40 formed on one short side of the outer frame portion 30, and upper and lower horizontal bars. Part of the lead part 40 formed on the long side of the outer frame part 30 is bonded to the part. In this lead support member 52, a case where the U-shaped upper and lower horizontal bar portions are bonded to one lead portion 40 is shown, but a plurality of lead portions can be formed by forming the upper and lower horizontal bar portions longer. The shape which adhere | attaches 40 may be sufficient.

図５（ｃ）に示すリード支持部材５３は、Ｌ字形状に形成され、各単位リード２０に対して対角線上に２つ配置したものである。このリード支持部材５３は、図５（ａ）のリード支持部材５１よりも縦棒、横棒部分が共に短く形成されていて、外枠部３０の長辺と短辺のそれぞれに形成されているリード部４０の一部と接着する。接着するリード部４０の本数は任意であり、接着する本数に応じてＬ字形状の縦棒、横棒の長さが設定される。 The lead support members 53 shown in FIG. 5C are formed in an L shape, and two lead support members 53 are arranged diagonally with respect to each unit lead 20. The lead support member 53 is formed such that the vertical bar and the horizontal bar are shorter than the lead support member 51 of FIG. 5A, and is formed on each of the long side and the short side of the outer frame portion 30. Adhere to a part of the lead part 40. The number of lead portions 40 to be bonded is arbitrary, and the lengths of L-shaped vertical bars and horizontal bars are set in accordance with the number of bonded lead portions 40.

この図５に示した各変形例によれば、方形の環状形状に形成されたリード支持部材５０に比べて、支持対象となるリード部４０の本数が少なくなるが、変形しにくいリード部４０である場合（例えば、長さが短い場合や、幅が広い場合）には有効である。
そして、各変形例のリード支持部材５１〜５３の形状であっても、少なくとも互いに直行する２辺（連続、不連続を問わない）を有する形状とすることで、半導体素子１００のガイドとして機能することができる。 According to each modification shown in FIG. 5, the number of lead portions 40 to be supported is smaller than that of the lead support member 50 formed in a square annular shape, but the lead portions 40 that are difficult to deform are used. It is effective in some cases (for example, when the length is short or when the width is wide).
And even if it is the shape of the lead support members 51-53 of each modification, it functions as a guide of the semiconductor element 100 by setting it as the shape which has at least 2 sides (regardless of continuous and discontinuous) mutually orthogonally. be able to.

図６は、金属箔１０の両側辺に形成するスプロケット受部の変形例を表した説明図である。
なお、図６では、スプロケット受部の形状を説明するものであるため、金属箔１０に形成する各単位リード２０については表示を省略している。
図１で説明した実施形態では、スプロケット受部として、スプロケット孔１１を形成する場合について説明した。
これに対し、図６（ａ）に示す変形例では、金属箔１０の端部を残さない切欠き形状のスプロケット受部１１ｂとしている。このスプロケット受部１１ｂによれば、金属箔１０の幅Ｗを狭くすることが可能になり、又は、同一の幅Ｗに対しては、両側のスプロケット受部１１ｂの間隔が広がることで、リードパターンの形成領域を広くすることができる。なお、図６（ａ）に示すようにスプロケット受部１１ｂの切欠き形状は、方形に形成されているが、これに限らず、製造装置の搬送手段に合わせて、円形や楕円形等の各種他の形状とすることが可能である。 FIG. 6 is an explanatory view showing a modification of the sprocket receiving portion formed on both sides of the metal foil 10.
In addition, in FIG. 6, since the shape of a sprocket receiving part is demonstrated, the display about each unit lead 20 formed in the metal foil 10 is abbreviate | omitted.
In the embodiment described with reference to FIG. 1, the case where the sprocket hole 11 is formed as the sprocket receiving portion has been described.
On the other hand, in the modification shown in FIG. 6A, a notched sprocket receiving portion 11b that does not leave the end of the metal foil 10 is used. According to the sprocket receiving portion 11b, the width W of the metal foil 10 can be reduced, or, for the same width W, the distance between the sprocket receiving portions 11b on both sides is increased, so that the lead pattern The formation region of can be widened. As shown in FIG. 6A, the cutout shape of the sprocket receiving portion 11b is formed in a square shape. However, the shape is not limited to this, and various shapes such as a circle and an ellipse are used in accordance with the conveying means of the manufacturing apparatus. Other shapes are possible.

図６（ｂ）に示す変形例では、金属箔１０の幅方向の両側側に突起状のスプロケット受部１１ｃが形成されている。このスプロケット受部１１ｃは、金属箔１０の裏側（半導体素子１００が配設される側の反対側）に形成される場合について示しているが、表側に配設することも可能である。また、スプロケット受部１１ｃの形状は円柱形状の突起であるが、角柱形状の突起であってもよい。
図６（ａ）、（ｂ）に示したスプロケット受部の両変形例は、半導体リードフレーム製造装置５００の移送部の形状に合わせた形状、及び、間隔で形成される。 In the modification shown in FIG. 6B, protruding sprocket receiving portions 11 c are formed on both sides in the width direction of the metal foil 10. Although the sprocket receiving portion 11c is shown as being formed on the back side of the metal foil 10 (opposite the side where the semiconductor element 100 is provided), it can also be provided on the front side. The sprocket receiving portion 11c has a cylindrical projection, but may have a prismatic projection.
Both modified examples of the sprocket receiving portion shown in FIGS. 6A and 6B are formed in a shape and an interval in accordance with the shape of the transfer portion of the semiconductor lead frame manufacturing apparatus 500.

以上説明したように本実施形態の半導体リードフレーム、その製造方法、製造装置によれば、次の効果を得ることができる。
（１）半導体リードフレーム１では、各単位リード２０におけるリード部４０の、半導体素子が配置される側の面にリード支持部材５０を接着しているので、半導体素子を配置、封止した後の半導体封止体を薄型化、小型化することができる。
（２）各単位リード２０に接着するリード支持部材５０の形状を方形の環状形状としたので、リード支持部材５０が半導体素子１００の配設の際のガイドとして機能し、インナーリード４２と半導体素子の電極との位置を一致させることができる。
（３）各単位リード２０に接着するリード支持部材５０〜５３の体積が小さいため、吸湿量を少なくすることができるので、本実施形態の半導体リードフレーム１を用いることにより半導体封止体のクラック発生を抑制することができる。
（４）ＦＣＢされる半導体素子の全面ではなく、リード支持部材５０の形状を、半導体素子を囲う方形の環状形状としているので、樹脂フィルムの使用量が削減できるためコストの低減が図れる。
（５）リード支持部材５０の内側面をガイドとして半導体素子をフェイスダウン実装できるため、画像認識付きの高精度なマウンタを必要とせずに、ＦＣＢを確実に行うことができる。
（６）リード支持部材５０によりリード部４０と半導体素子を支持するので、金属製のダイパッドや吊りピンが不要になるため、計量化が実現される。 As described above, according to the semiconductor lead frame, the manufacturing method, and the manufacturing apparatus of the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) In the semiconductor lead frame 1, since the lead support member 50 is bonded to the surface of the lead portion 40 of each unit lead 20 on the side where the semiconductor element is disposed, the semiconductor element after the semiconductor element is disposed and sealed The semiconductor sealing body can be reduced in thickness and size.
(2) Since the shape of the lead support member 50 bonded to each unit lead 20 is a square annular shape, the lead support member 50 functions as a guide when the semiconductor element 100 is disposed, and the inner lead 42 and the semiconductor element The position of the electrode can be matched.
(3) Since the volume of the lead support members 50 to 53 to be bonded to the unit leads 20 is small, the amount of moisture absorption can be reduced. Occurrence can be suppressed.
(4) Since the shape of the lead support member 50 is not a whole surface of the semiconductor element subjected to FCB, but a rectangular annular shape surrounding the semiconductor element, the amount of the resin film used can be reduced, so that the cost can be reduced.
(5) Since the semiconductor element can be face-down mounted using the inner surface of the lead support member 50 as a guide, FCB can be performed reliably without the need for a high-precision mounter with image recognition.
(6) Since the lead portion 40 and the semiconductor element are supported by the lead support member 50, a metal die pad and a hanging pin are not required, and thus the measurement is realized.

１半導体リードフレーム
１０金属箔
１１スプロケット孔
１１ｂ、１１ｃスプロケット受部
２０単位リード
３０外枠部
４０リード部
４１アウターリード
４２インナーリード
５０〜５３リード支持部材
１００半導体素子
５００半導体リードフレーム製造装置
５１０送りリール
５２０ゴムロール
５３０第１プレス装置
５４０第２プレス装置
５６０接着装置
５８０巻き取りリール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor lead frame 10 Metal foil 11 Sprocket hole 11b, 11c Sprocket receiving part 20 Unit lead 30 Outer frame part 40 Lead part 41 Outer lead 42 Inner lead 50-53 Lead support member 100 Semiconductor element 500 Semiconductor lead frame manufacturing apparatus 510 Feed reel 520 Rubber roll 530 First press device 540 Second press device 560 Adhesive device 580 Take-up reel

Claims

An outer frame,
A plurality of lead portions extending from the outer frame portion toward the center direction, each having an outer lead having one end connected to the outer frame portion and an inner lead having one end connected to the other end of the outer lead;
A lead support member bonded to the outside of the projected region of the semiconductor element disposed on the surface of the lead portion on which the semiconductor element is disposed;
A semiconductor lead frame comprising:

The lead support member has a rectangular annular shape surrounding the outside of the semiconductor element to be disposed.
The semiconductor lead frame according to claim 1.

The lead support member having a rectangular annular shape is formed such that the length of each side on the inner peripheral surface is 0.05 mm to 1 mm larger than the length of each corresponding side of the semiconductor element to be disposed.
The semiconductor lead frame according to claim 2.

The lead support member is L-shaped or U-shaped,
The semiconductor lead frame according to claim 1.

The lead support member has a thickness s equal to or less than a height h of the semiconductor element after being disposed.
The semiconductor lead frame according to claim 1.

The lead support member is formed of a resin film,
The semiconductor lead frame according to any one of claims 1 to 5, wherein the semiconductor lead frame is any one of claims 1 to 5.

A plurality of unit leads having the outer frame part, the lead part, and the lead support member are continuously formed in a predetermined direction.
The semiconductor lead frame according to any one of claims 1 to 6, wherein the semiconductor lead frame is any one of claims 1 to 6.

A plurality of the unit leads are formed in the longitudinal direction of the metal foil reel having a predetermined width.
The semiconductor lead frame according to claim 7.

The metal foil reel on which the plurality of unit leads are formed has sprocket receiving portions formed at predetermined intervals on both sides in the width direction.
The semiconductor lead frame according to any one of claims 1 to 8, wherein the semiconductor lead frame is characterized in that:

The unit leads are formed side by side in the width direction.
The semiconductor lead frame according to any one of claims 7 to 9, wherein the semiconductor lead frame is any one of claims 7 to 9.

A method for manufacturing a semiconductor lead frame according to any one of claims 1 to 10,
Forming sprocket receiving portions at predetermined intervals along the longitudinal direction on both ends in the width direction of the long metal foil; and
Forming a plurality of the unit leads on the long metal foil in which the sprocket receiving portion is formed;
Bonding the lead support member to a region outside the projected region of the semiconductor element disposed on the surface of the unit lead formed on the side where the semiconductor element is disposed;
A method of manufacturing a semiconductor lead frame, comprising:

A semiconductor lead frame manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 10, comprising:
A first press portion that press-forms sprocket holes at predetermined intervals along the longitudinal direction on both ends in the width direction of the long metal foil;
A second press part for press-forming the unit lead on the long metal foil in which the sprocket hole is formed;
A support member bonding portion for bonding the lead support member to a region outside the projected region of the semiconductor element disposed on the surface of the unit lead formed on the side where the semiconductor element is disposed;
A semiconductor lead frame manufacturing apparatus comprising:

Transfer having sprockets engaged with the formed sprocket holes, and transferring the long metal foil in the longitudinal direction and the metal foil from the first press part to the second press part at a predetermined interval. And
The semiconductor lead frame manufacturing apparatus according to claim 12, comprising: