JP2019027803A - 物理量センサ - Google Patents

Abstract

【課題】設計自由度の低下を抑制しつつ、センサ素子にノイズ電流が到達するのを抑制できる物理量センサを提供すること。【解決手段】センサ素子３１は、被測定媒体の圧力を電気信号に変換する。センサ素子３１は、樹脂製のハウジング２０に保持されるとともにハウジングの一端から露出されている。コネクタ端子は、ハウジングの他端から外部に突出している。ハウジングに保持されたターミナル２５及びリードフレーム３３により、センサ素子３１とコネクタ端子とが電気的に接続されている。筒状をなす金属製のケース４０が、ハウジングの一部及びセンサ素子を収容するようにハウジングに組み付けられている。ハウジングに保持された金属体５０の一端である平行部５１は、所定の間隙を有してリードフレーム３３に対向配置されている。金属体の他端である接続部５２は、ハウジングから露出されてケースに接続されている。【選択図】図３

Description

この明細書における開示は、被測定媒体の物理量を電気信号に変換する物理量センサに関するものである。

特許文献１には、被測定媒体の物理量を電気信号に変換する物理量センサが開示されている。この物理量センサでは、樹脂製のコネクタハウジング（ハウジング）の一端側に凹部が形成され、凹部に圧力検出素子（センサ素子）が配置されている。また、コネクタピンの一部（コネクタ端子）が、ハウジングの他端から外部に突出しており、これによりコネクタが構成されている。コネクタピンの残りの部分（リードフレーム）は、コネクタ端子とセンサ素子とを電気的に中継している。また、ハウジングには、筒状をなす金属製の本体ハウジング（ケース）が組み付けられている。ハウジングの一部及びセンサ素子は、ケースの筒内に収容されている。

特開２００４−２８６６４４号公報

上記した物理量センサのコネクタには、ハーネスを介してたとえば電子制御装置（ＥＣＵ）が接続される。たとえば長さ１ｍのハーネスで接続すると、約３０ＭＨｚで共振が起こる。この共振周波数では、絶縁状態でもインピーダンスが非常に小さくなるため、コネクタから入ってきたノイズ電流がリードフレームを通じてセンサ素子に到達し、物理量センサの誤動作を引き起こす虞がある。

これに対し、特許文献１では、ノイズ対策用のチップコンデンサを設けている。しかしながら、チップコンデンサを用いると体格の小型化が困難となる。また、回路構造によっては、チップコンデンサを後付けで設置することができない。すなわち、設計自由度が低い。

また、センサ素子が導電性のケースとの間に寄生容量を作り、これによりコモンモードのノイズ経路が形成されるため、ノイズ電流がリードフレームを通じてセンサ素子に到達する。このようなケースとの寄生容量に起因したコモンモードノイズに対して、チップコンデンサでは効果が十分ではない。チップコンデンサの場合、コモンモードノイズに対して、回路上の端子間（たとえばチップコンデンサを設けたグランド端子と電源端子との間）しか効果を期待できない。

本開示はこのような課題に鑑みてなされたものであり、設計自由度の低下を抑制しつつ、センサ素子にノイズ電流が到達するのを抑制できる物理量センサを提供することを目的とする。

本開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。

本開示のひとつである物理量センサは、
電気絶縁性のハウジング（２０）と、
ハウジングに保持されるとともにハウジングの一端から露出され、被測定媒体の物理量を電気信号に変換するセンサ素子（３１）と、
ハウジングの他端から突出し、外部機器と接続されるコネクタ端子（２４）と、
ハウジングに保持され、コネクタ端子とセンサ素子とを電気的に中継するリードフレーム（２５，３３）と、
筒状をなし、ハウジングの一部及びセンサ素子を収容するようにハウジングに組み付けられた導電性のケース（４０）と、
ハウジングに保持されており、一端側がリードフレームとの間に所定の間隙を有して対向配置されるとともに、他端側がハウジングにおけるコネクタ端子とは別の部分から外部に露出されてグランド電位に接続される金属体（５０）と、
を備える。

この物理量センサによれば、金属体とリードフレームとの間に容量が形成され、金属体がグランド（ＧＮＤ）へのバイパス経路として機能する。このように、コネクタ端子とセンサ素子との間、すなわちセンサ素子の手前にバイパス経路が形成される。金属体を設ければよいので、設計自由度の低下を抑制しつつ、センサ素子にノイズ電流が到達するのを抑制することができる。特にコモンモードノイズについても、センサ素子にノイズ電流が到達するのを抑制することができる。

第１実施形態に係る圧力センサの概略構成を示す部分断面図である。 モールドＩＣの概略構成を示す平面図である。 図１のIII-III線に沿う断面図である。 被測定媒体が流れる配管に対して、圧力センサを取り付けた状態を示す部分断面図である。 比較例を示す断面図であり、図３に対応している。 第２実施形態に係る圧力センサの概略構成を示す部分断面図であり、図１に対応している。 第３実施形態に係る圧力センサの概略構成を示す断面図であり、図３に対応している。

図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的に及び／又は構造的に対応する部分には同一の参照符号を付与する。

（第１実施形態）
先ず、図１〜図３に基づき、本実施形態に係る圧力センサの概略構成について説明する。

図１〜図３に示すように、圧力センサ１０は、ハウジング２０、センサ素子３１を含むモールドＩＣ３０、及びケース４０を備えている。

ハウジング２０は、電気絶縁性を有している。ハウジング２０は、たとえばＰＰＳやＰＢＴなどの樹脂材料を用いて成形されている。ハウジング２０は、柱状をなしている。ハウジング２０におけるケース４０側の一端部には、凹部２１が形成されている。凹部２１は、ハウジング２０における先端面２０ａに形成されている。凹部２１は、その周囲に位置する先端面２０ａに対して凹んでいる。

凹部２１内には、モールドＩＣ３０の一部が配置されている。凹部２１の壁面とモールドＩＣ３０との隙間には、シール材２２が充填されている。シール材２２は、モールドＩＣ３０とハウジング２０との間を液密に封止している。シール材２２としては、たとえばシリコーン樹脂系の室温硬化型接着材を採用することができる。モールドＩＣ３０は、シール材２２によってハウジング２０に固定されている。ハウジング２０は、センサ素子３１を保持している。

ハウジング２０における凹部２１と反対の端部には、コネクタ用の開口部２３が設けられている。そして、コネクタ端子２４が、ハウジング２０における開口部２３の底面から開口部２３内に突出している。開口部２３及びコネクタ端子２４により、外部の回路等との接続のためのコネクタが構成されている。このコネクタには、たとえばワイヤハーネスが接続される。

ハウジング２０は、コネクタ端子２４とセンサ素子３１とを電気的に接続するための複数本のターミナル２５を保持している。ターミナル２５が、第１リードフレームに相当する。本実施形態において、コネクタ端子２４とターミナル２５は、同一の材料を用いて一体的に形成されている。コネクタ端子２４は、接合なしに、ターミナル２５に連なっている。コネクタ端子２４は、ターミナル２５から延設されている。ターミナル２５は、たとえば銅系材料にＮｉめっきを施してなる。ターミナル２５は、ハウジング２０と一体的にインサート成形されている。

本実施形態の圧力センサ１０は、４本のターミナル２５を備えている。各ターミナル２５における後述するリードフレーム３３との接合部は、互いの板厚方向を同じ方向としつつ、板幅方向に並んで配置されている。図３に示すように、各ターミナル２５における接合部の一部は、リードフレーム３３との接合のために、凹部２１内に露出している。各ターミナル２５は上記した接合部とは異なる位置に屈曲部を有しており、これにより、コネクタ端子２４は２本ずつ板厚方向にずれて設けられている。このため、図１では、ターミナル２５の一部分が示されている。

図２及び図３に示すように、モールドＩＣ３０は、センサ素子３１、回路チップ３２、リードフレーム３３、及び樹脂成形体３４を有している。

センサ素子３１は、半導体基板にダイアフラムが形成され、ダイアフラムの表面にゲージ抵抗が形成されてなる。そして、ゲージ抵抗により、ダイアフラムが受けた圧力を電気信号に変換し、センサ信号として出力する。

本実施形態では、ダイアフラム及びゲージ抵抗が形成されたセンサ基板と、センサ基板との間に圧力基準室を形成するためのキャップ基板とを貼り合わせることで、センサ素子３１が構成されている。また、センサ素子３１には、被測定媒体の圧力を検出する圧力検出部に加えて、被測定媒体の温度を検出する温度検出部も形成されている。センサ素子３１は平面略長方形をなしており、圧力検出部は、センサ素子３１の長手方向における一端側に形成されている。

回路チップ３２は、センサ素子３１と電気的に接続されている。本実施形態では、ボンディングワイヤ３５を介して、センサ素子３１と電気的に接続されている。回路チップ３２には、センサ素子３１により検出される圧力の信号処理を行う回路が形成されている。回路チップ３２には、処理回路として、たとえばセンサ信号を増幅する増幅回路、センサ信号に基づいて所定の演算処理をする演算回路が形成されている。また、回路チップ３２を介して、センサ素子３１に電源が供給される。

リードフレーム３３は、センサ素子３１とコネクタ端子２４とを電気的に接続するために、モールドＩＣ３０に設けられた外部接続用の端子である。リードフレーム３３が、第２リードフレームに相当する。また、ターミナル２５及びリードフレーム３３が、コネクタ端子とセンサ素子とを電気的に中継するリードフレームに相当する。リードフレーム３３は、たとえば銅系材料にＮｉめっきを施してなる。

リードフレーム３３は、ターミナル２５に対応して設けられた４本の端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ及びアイランド３３ｅを有している。４本の端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄは、互いの板厚方向を同じ方向としつつ、板幅方向に並んで配置されている。端子３３ａは圧力用の出力端子であり、端子３３ｂはグランド（ＧＮＤ）端子である。端子３３ｃは電源（Ｖｃｃ）端子であり、端子３３ｄは温度用の出力端子である。

各端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄは、対応するターミナル２５と溶接等によって接合されている。モールドＩＣ３０が凹部２１に挿入された状態で、端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄは、凹部２１内に露出するターミナル２５の接合部に溶接されている。モールドＩＣ３０は、端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄによって、ターミナル２５、ひいてはハウジング２０に固定されている。なお、ハウジング２０には、外面と凹部２１とを繋ぐ溶接用の孔（図示略）が設けられている。この孔は、溶接後に図示しないシール材等によって埋められている。端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄは、ボンディングワイヤ３６を介して、回路チップ３２と電気的に接続されている。

アイランド３３ｅは、センサ素子３１及び回路チップ３２を支持している。センサ素子３１のうち、圧力検出部が形成された一端とは反対の端部、すなわちボンディングワイヤ３５が接続される側の端部が、アイランド３３ｅによって支持されている。回路チップ３２はその全体がアイランド３３ｅによって支持されている。センサ素子３１及び回路チップ３２は、たとえば接着により、アイランド３３ｅに固定されている。アイランド３３ｅは、端子３３ｂに連なっている。端子３３ｂとアイランド３３ｅは、同一の材料を用いて一体的に形成されている。

樹脂成形体３４は、センサ素子３１の一部、回路チップ３２の全体、及びリードフレーム３３を一体的に封止している。樹脂成形体３４は、ボンディングワイヤ３５を含むセンサ素子３１と回路チップ３２との電気的な接続部分、及び、ボンディングワイヤ３６を含む回路チップ３２と端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄとの電気的な接続部分を封止している。本実施形態の樹脂成形体３４は、エポキシ系樹脂を用いてトランスファモールド法により成形されている。

端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄのそれぞれの一部は、樹脂成形体３４から突出している。そして、端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの突出部分に、ターミナル２５に接続されている。樹脂成形体３４には、開口部３４ａが形成されている。センサ素子３１における圧力検出部が形成された一端側は、開口部３４ａ内に配置されている。これにより、センサ素子３１の圧力検出部は、樹脂成形体３４から露出されている。センサ素子３１の一端側は、図示しない接着材等によって開口部３４ａの底面、すなわち樹脂成形体３４に固定されている。センサ素子３１の圧力検出部は、開口部３４ａ内に導入された被測定媒体の圧力を検出することができる。センサ素子３１は、樹脂成形体３４の開口部３４ａの底面及びアイランド３３ｅに固定されている。

このように構成されるモールドＩＣ３０は、上記したようにハウジング２０の凹部２１に配置されている。モールドＩＣ３０のうち、各端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ、アイランド３３ｅの一部、回路チップ３２の一部が、凹部２１内に収容されている。センサ素子３１は凹部２１の外に配置されている。

ケース４０は、導電性を有している。ケース４０は、たとえばアルミニウムを主成分とする金属材料を用いて形成されている。ケース４０は、筒状をなしている。ケース４０の一端側には収容凹部４０ａが形成されている。収容凹部４０ａは、ケース４０の中空の一部をなしている。そして、収容凹部４０ａにハウジング２０の一端側が挿入された状態で、ハウジング２０にケース４０が組み付けられている。

ケース４０は、被測定媒体が導入される圧力導入孔４１を有している。圧力導入孔４１は、ケース４０において収容凹部４０ａとは反対の他端側に開口している。圧力導入孔４１も、ケース４０の中空の一部をなしている。圧力導入孔４１は、収容凹部４０ａよりも小径となっている。センサ素子３１の少なくとも圧力検出部は、圧力導入孔４１内に配置されている。

ケース４０の他端側の外周面には、たとえばねじ部が形成されており、被測定媒体が流れる部材に対して、圧力センサ１０を固定することができる。圧力センサ１０は、車両に搭載されて、たとえば図４に示すように、被測定媒体であるガソリン等の燃料の配管１００に取り付けられる。そして、圧力センサ１０は、燃料圧を電気信号に変換する。配管１００の電位は、ボディグランド（グランド電位）とされている。金属製のケース４０は、配管１００への取り付けにより、配管１００と電気的に接続される。なお、測定対象としては燃料に限定されない。エンジンに吸引される空気の圧力（吸気圧）の検出などにも適用することができる。

上記した圧力センサ１０は、バイパス経路を形成するための金属体５０をさらに備えている。次に、図１〜図３に基づき、金属体３０について説明する。図２では、金属体５０の平行部５１の位置を示すために、二点鎖線で示している。

金属体５０は、ハウジング２０に保持されている。金属体５０は、その延設方向における一端側に平行部５１を有し、他端側に接続部５２を有している。平行部５１は、ターミナル２５及びリードフレーム３３の少なくとも一方との間に所定の間隙を有して対向配置されている。平行部５１は、ターミナル２５及びリードフレーム３３の少なくとも一方との間に容量を形成する。接続部５２は、ハウジング２０におけるコネクタ端子２４とは別の部分から外部に露出され、グランド電位に接続される。

本実施形態の金属体５０は、平板状の金属板を加工してなる。金属体５０は２つの屈曲部を有し、略矩形状をなしている。金属体５０は、ハウジング２０と一体的にインサート成形されている。平行部５１の板厚方向は、リードフレーム３３の板厚方向とほぼ同じとされている。平行部５１は、板厚方向の投影視において、図１及び図２に示すように、リードフレーム３３の端子３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの大部分と重なるように配置されている。これにより、対向面積を大きくし、ひいては容量を大きくすることができる。

接続部５２は、金属製のケース４０に接続されてグランド電位になっている。このため、金属体５０とリードフレーム３３との間に形成される容量は、筐体容量とも称される。図３に示すように、接続部５２は、ケース４０とともにハウジング４２に対してかしめられている。接続部５２は、ハウジング２０の外周面に沿ってかしめられている。このかしめにより、金属体５０はケース４０に接続されている。なお、図３に示す符号４３は、ケース４０のかしめ部を示している。

次に、本実施形態の圧力センサ１０の効果について説明する。

図５は、比較例の断面図を示している。図５の比較例では、本実施形態の要素と同一又は関連する要素について、本実施形態の符号の末尾にｒを付け加えて示している。比較例の圧力センサ１０ｒは、上記した金属体５０を備えていない。それ以外の構成は、圧力センサ１０と同じである。

圧力センサ１０ｒのコネクタに、たとえば長さ１ｍのハーネスが接続されると、約３０ＭＨｚで共振が起こる。この共振周波数では、絶縁状態でもインピーダンスが非常に小さくなるため、コネクタから入ってきたノイズ電流が、一点鎖線の矢印で示すように、ターミナル２５ｒ及びリードフレーム３３ｒを通じてセンサ素子３１ｒに到達し、圧力センサ１０ｒの誤動作を引き起こす虞がある。たとえばリードフレーム３３ｒの出力端子とＧＮＤ端子との間などに図示しないチップコンデンサを設けることで、上記ノイズ電流を抑制することも可能である。しかしながら、チップコンデンサを用いると体格の小型化が困難となる。また、回路構造によっては、チップコンデンサを後付けで設置することができない。すなわち、設計自由度が低い。

さらには、センサ素子３１ｒが筒状をなす金属製のケース４０ｒ内、より詳しくは圧力導入孔４１内に配置されており、センサ素子３１ｒとケース４０ｒとの間に寄生容量が形成される。すなわち、寄生容量を介したコモンモードのノイズ経路が形成される。コモンモードノイズは高周波になるほど顕著となる。したがって、ノイズ電流が、ターミナル２５ｒ及びリードフレーム３３ｒを介してセンサ素子３１に到達してしまう。チップコンデンサを設けたとしても、コモンモードノイズについては、効果が十分ではない。

これに対し、本実施形態の圧力センサ１０では、上記したように金属体５０がハウジング２０に保持されている。金属体５０の一端側である平行部５１はリードフレーム３３との間に平行平板の容量を形成し、他端側である接続部５２はグランド電位に接続される。したがって、金属体５０が、グランド（ＧＮＤ）へのバイパス経路として機能する。このように、コネクタ端子２４とセンサ素子３１との間、すなわちセンサ素子３１の手前にバイパス経路が形成されるため、センサ素子３１にノイズ電流が到達するのを抑制することができる。特にコモンモードノイズについても、センサ素子３１にノイズ電流が到達するのを抑制することができる。

また、樹脂製のハウジング２０に金属体５０を保持させればよいため、体格の小型化の支障となりにくい。設計変更により、後から金属体５０を追加することも容易である。以上により、設計自由度の低下を抑制しつつ、センサ素子３１にノイズ電流が到達するのを抑制することができる。

また、本実施形態では、金属体５０がケース４０に接続されてグランド電位になっている。これにより、図３に一点鎖線の矢印で示すように、ノイズ電流を、センサ素子３１の手前で、金属体５０を介してケース４０に逃がすことができる。したがって、センサ素子３１にノイズ電流が到達するのを抑制し、ひいては、センサ素子３１の誤動作を抑制することができる。

特に本実施形態では、ケース４０が金属体５０の接続部５２ごと、ハウジング２０にかしめられている。また、接続部５２のかしめ位置（かしめ部４３）とは別の位置で、ケース４０がハウジング２０にかしめられている。ケース４０をハウジング２０にかしめる装置を用いて、金属体５０もかしめることができる。また、ケース４０とハウジング２０とを固定する工程において、金属体５０をケース４０に固定することができる。したがって、構成を簡素化することができる。

また、本実施形態では、金属体５０の平行部５１の板厚方向とリードフレーム３３の板厚方向が略一致した状態で、平行部５１とリードフレーム３３とが互いに対向している。これにより、金属体５０とリードフレーム３３との間に形成される平行平板の容量を大きくし、ノイズ電流をケース４０側に逃がしやすくすることができる。

なお、金属体５０及びリードフレーム３３との配置は上記した例に限定されない。板厚方向の投影視において、金属体５０がリードフレーム３３の少なくとも一部と重なるように配置すればよい。重なる面積が大きいほど、容量を大きくすることができる。

（第２実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した圧力センサ１０及びその製造方法と共通する部分についての説明は省略する。

図６に示すように、本実施形態の圧力センサ１０では、金属体５０の平行部５１が、ターミナル２５に対向配置されている。平行部５１は、ターミナル２５のうち、リードフレーム３３が接合される接合部の大部分と重なるように配置されている。それ以外の構成については、先行実施形態と同じである。

これによれば、金属体５０の一端側である平行部５１がターミナル２５との間に容量を形成する。したがって、金属体５０が、グランド（ＧＮＤ）へのバイパス経路として機能し、センサ素子３１にノイズ電流が到達するのを抑制することができる。

また、金属体５０の平行部５１の板厚方向とターミナル２５の板厚方向が略一致した状態で、平行部５１とターミナル２５とが互いに対向している。これにより、金属体５０とターミナル２５との間に形成される容量を大きくし、ノイズ電流をケース４０側に逃がしやすくすることができる。

なお、金属体５０及びターミナル２５との配置は上記した例に限定されない。板厚方向の投影視において、金属体５０がターミナル２５の少なくとも一部と重なるように配置すればよい。重なる面積が大きいほど、容量を大きくすることができる。

（第３実施形態）
本実施形態は、先行実施形態を参照できる。このため、先行実施形態に示した圧力センサ１０及びその製造方法と共通する部分についての説明は省略する。

図７に示すように、本実施形態の圧力センサ１０では、金属体５０の平行部５１とリードフレーム３３との間に、空気よりも誘電率の高い誘電体６０が介在している。図７では、誘電体６０が、平行部５１におけるリードフレーム３３との対向面上に配置されている。誘電体６０の材料としては、樹脂、ガラス、セラミックスなどを採用できる。より好ましくは、ハウジング２０を構成する樹脂材料やモールドＩＣ３０の樹脂成形体３４を構成する樹脂材料よりも、誘電率が高い材料を用いるよい。

これによれば、金属体５０の平行部５１とリードフレーム３３との間に形成される平行平板の容量を大きくし、ノイズ電流をケース４０側に逃がしやすくすることができる。すなわち、センサ素子３１の誤動作を効果的に抑制することができる。

なお、ハウジング２０及び樹脂成形体３４の少なくとも一方を、誘電体としてもよい。平行部５１とリードフレーム３３との間にハウジング２０及び樹脂成形体３４の少なくとも一方を介在することで、間に空気のみを介在する構成に較べて、容量を大きくすることができる。

また、金属体５０の平行部５１とターミナル２５とが対向配置される構成において、誘電体６０が介在するようにしてもよい。また、平行部５１とターミナル２５との間にハウジング２０が介在するようにしてもよい。これによっても、平行部５１とターミナル２５との間に形成される容量を大きくすることができる。

誘電体６０を金属体５０上に設ける例を示したがこれに限定されない。たとえばリードフレーム３３における平行部５１との対向部分に、誘電体６０を設けてもよい。

この明細書の開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。たとえば、開示は、実施形態において示された要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むものと解されるべきである。

圧力センサ１０の構成は上記例に限定されるものではない。モールドＩＣ３０を備える例に限定されない。

圧力センサ１０が回路チップ３２を有する例を示したが、これに限定されない。処理回路がセンサ素子３１に集積された構成としてもよい。

センサ素子３１に温度検出部も形成される例を示したが、圧力検出部のみが形成されたこうせいとしてもよい。

物理量センサとして圧力センサ１０の例を示したが、これに限定されない。たとえば、センサ素子３１に、被測定媒体の温度を検出する温度検出部が形成されてなる温度センサにも適用できる。

金属体５０の平行部５１は、ターミナル２５及びリードフレーム３３の少なくとも一方との間に所定の間隙を有して対向配置されればよい。板厚方向において対向配置される例を示したが、板幅方向において横並びで配置され、これにより対向配置されてもよい。ただし、板厚方向において対向配置としたほうが、面積を稼いで容量を大きくすることができる。

また、ターミナル２５及びリードフレーム３３の両方と対向するように、金属体５０を配置してもよい。

１０…圧力センサ、２０…ハウジング、２０ａ…先端面、２１…凹部、２２…シール材、２３…開口部、２４…コネクタ端子、２５…ターミナル、３０…モールドＩＣ、３１…センサ素子、３２…回路チップ、３３…リードフレーム、３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ…端子、３３ｅ…アイランド、３４…樹脂成形体、３４ａ…開口部、３５，３６…ボンディングワイヤ、４０…ケース、４０ａ…収容凹部、４１…圧力導入孔、４２，４３…かしめ部、５０…金属体、５１…平行部、５２…接続部、６０…誘電体、１００…配管

Claims (9)

1. 電気絶縁性のハウジング（２０）と、
   前記ハウジングに保持されるとともに前記ハウジングの一端から露出され、被測定媒体の物理量を電気信号に変換するセンサ素子（３１）と、
   前記ハウジングの他端から突出し、外部機器と接続されるコネクタ端子（２４）と、
   前記ハウジングに保持され、前記コネクタ端子と前記センサ素子とを電気的に中継するリードフレーム（２５，３３）と、
   筒状をなし、前記ハウジングの一部及び前記センサ素子を収容するように前記ハウジングに組み付けられた導電性のケース（４０）と、
   前記ハウジングに保持されており、一端側が前記リードフレームとの間に所定の間隙を有して対向配置されるとともに、他端側が前記ハウジングにおける前記コネクタ端子とは別の部分から外部に露出されてグランド電位に接続される金属体（５０）と、
   を備える物理量センサ。
2. 前記金属体は、前記ケースとの接続により、前記グランド電位に接続されている請求項１に記載の物理量センサ。
3. 前記ケースは、前記ハウジングに対してかしめられ、
   前記金属体は、かしめによって前記ケースに接続されている請求項２に記載の物理量センサ。
4. 前記金属体の厚み方向と前記リードフレームの板厚方向とが一致しており、
   前記金属体は、前記板厚方向において、前記間隙を有するように前記リードフレームに対向配置されている請求項１〜３いずれか１項に記載の物理量センサ。
5. 前記リードフレームは、前記コネクタ端子側の第１リードフレーム（２５）と、前記センサ素子側の第２リードフレーム（３３）と、を有し、
   前記センサ素子の一部及び前記第２リードフレームの一部が樹脂成形体（３４）によって一体的に封止されて、モールドＩＣ（３０）が構成されており、
   前記モールドＩＣは、前記センサ素子が露出されるように、前記ハウジングの一端側に開口する凹部（２１）に配置されている請求項１〜４いずれか１項に記載の物理量センサ。
6. 前記金属体は、前記第１リードフレームに対向配置されている請求項５に記載の物理量センサ。
7. 前記金属体は、前記第２リードフレームに対向配置されている請求項５又は請求項６いずれか１項に記載の物理量センサ。
8. 前記リードフレームと前記金属体との間に、空気よりも誘電率の高い誘電体（２０，３４，６０）が介在する請求項１〜７いずれか１項に記載の物理量センサ。
9. 前記センサ素子は、前記被測定媒体である流体の圧力を電気信号に変換することを特徴とする請求項１〜８いずれか１項に記載の物理量センサ。

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