JP2019019042A - 単結晶AlNの製造方法、及び、単結晶AlN - Google Patents
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Abstract
Description
窒素ガス注入用バルブ24、不活性ガス注入用バルブ25、及び真空排気用バルブ30は、手動で操作して開度を調整する構成であってもよいし、制御装置等が状況(例えば圧力計31が測定した圧力)及び設定等に応じて開度を自動的に調整する構成であってもよい。
3SiC+2N2→Si3N4+3C
Si3N4+3C→3SiC+2N2
50 収容容器
41 種基板
42 第1成長層
43 第2成長層
44 単結晶AlN
46 AlN原料
Claims (17)
- AlN原料及び種基板を配置し、少なくともN原子を含む気体である窒素系ガス下で加熱を行うことで、AlN原料を昇華させて前記種基板上に単結晶AlNを少なくとも2段階に分けて成長させる単結晶AlNの製造方法において、
結晶のc軸方向の成長よりもa軸方向の成長が優先的に行われることで長手方向がa軸方向に沿う形状の隙間であるボイド層が形成された単結晶AlNを含む第1成長層を形成する第1成長層形成工程と、
前記第1成長層形成工程の処理条件から、少なくともN原子を含む気体である窒素系ガスの分圧を下げるか、温度を上げるかの少なくとも何れかの処理を行うことで、a軸方向の成長よりもc軸方向の成長が優先的に行われるようにして成長させられた単結晶AlNを含む第2成長層を前記第1成長層上に形成する第2成長層形成工程と、
を含むことを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第1成長層形成工程では、複数の前記ボイド層がc軸方向に並べて形成されることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1又は2に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第1成長層形成工程では、AlNが単結晶性を維持した状態で前記ボイド層が形成されることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項3に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第1成長層形成工程では、複数の針状の結晶から構成される針状結晶の成長がa軸方向の成長よりも優先的となる前に処理を終了することを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1から4までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第1成長層形成工程では、前記第1成長層の厚みが3μm以下となるように処理を行うことを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1から5までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第1成長層形成工程では、
c軸方向の成長よりもa軸方向の成長が優先的に行われるようにして前記ボイド層を含む単結晶AlNを成長させた後に、
a軸方向の成長よりもc軸方向の成長が優先的に行われるようにして単結晶AlNを成長させ、
その後に、c軸方向の成長よりもa軸方向の成長が優先的に行われるようにして再び前記ボイド層を含む単結晶AlNを成長させる処理を含むことを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1から6までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
a軸方向の成長よりもc軸方向の成長が優先的に行われるようにして単結晶AlNを成長させる成長方法には、
単結晶AlNに多数のピットが含まれるピット有成長モードと、
単結晶AlNにピットが形成されないピット無成長モードと、
が存在し、
前記第2成長層形成工程では、前記ピット無成長モードが実行されることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1から7までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第2成長層形成工程では、窒素系ガスの分圧が20kPa以上であることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1から8までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記種基板がAlNとは異なる組成で構成されることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項9に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第2成長層形成工程の後に、前記種基板から、単結晶AlNの少なくとも一部を分離する分離工程を行うことを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項9又は10に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記種基板に単結晶AlNを成長させ始める段階において、前記AlN原料から前記種基板までの空間の温度勾配、全圧、及び、窒素系ガスの分圧の少なくとも何れかを調整することで、単結晶AlNが成長し始める前の前記種基板の表面形状を維持した状態で当該種基板に単結晶AlNを形成することを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項9から11までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記種基板に単結晶AlNを成長させ始める段階において、前記温度勾配が6.7℃/mm以上であることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項9から12までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記種基板に単結晶AlNを成長させ始める段階において、窒素系ガスの分圧と全圧の和が55kPa以下となるように圧力条件を設定することを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項9から13までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
温度を常温に戻すことなく、前記第1成長層形成工程から前記第2成長層形成工程へ移行させることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項1から14までの何れか一項に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第1成長層形成工程及び前記第2成長層形成工程では、加熱炉に形成された処理空間に前記種基板を配置して処理が行われ、
前記処理空間を構成する構成部材が全て金属製であることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 請求項15に記載の単結晶AlNの製造方法であって、
前記第1成長層形成工程及び前記第2成長層形成工程では、加熱炉に形成された処理空間に配置された収容容器の内部に前記種基板を配置して処理が行われ、
前記収容容器が全て金属製であることを特徴とする単結晶AlNの製造方法。 - 長手方向が結晶のa軸方向に沿う形状の隙間であるボイド層が形成された単結晶AlNを含んでいる第1成長層と、
前記第1成長層上に形成されており、前記ボイド層が形成されていない単結晶AlNを含んでいる第2成長層と、
を備え、
前記第1成長層のうち前記第2成長層が形成される側とは反対側の端部の転位密度が、前記第2成長層の転位密度よりも高いことを特徴とする単結晶AlN。
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WO2020203517A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 学校法人関西学院 | 大口径半導体基板に適用可能な半導体基板の製造装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009274945A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlN結晶の成長方法およびAlN積層体 |
JP2010150109A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Fujikura Ltd | 窒化物単結晶およびその製造方法 |
JP2010195632A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Meijo Univ | 単結晶窒化アルミニウム板状体の製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009274945A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlN結晶の成長方法およびAlN積層体 |
JP2010150109A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Fujikura Ltd | 窒化物単結晶およびその製造方法 |
JP2010195632A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Meijo Univ | 単結晶窒化アルミニウム板状体の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020203517A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 学校法人関西学院 | 大口径半導体基板に適用可能な半導体基板の製造装置 |
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