JP2019012826A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 22
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 2
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017128960 | 2017-06-30 | ||
| JP2017128960 | 2017-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019012826A JP2019012826A (ja) | 2019-01-24 |
| JP2019012826A5 true JP2019012826A5 (enExample) | 2021-05-13 |
Family
ID=65226411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018120352A Pending JP2019012826A (ja) | 2017-06-30 | 2018-06-26 | ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019012826A (enExample) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7014355B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2022-02-01 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP7011219B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-01-26 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP7606190B2 (ja) * | 2021-02-25 | 2024-12-25 | 株式会社デンソー | スイッチングデバイスとその製造方法 |
| JP7612029B2 (ja) * | 2021-08-20 | 2025-01-10 | 日本碍子株式会社 | 積層体 |
| JP7620719B2 (ja) * | 2021-08-27 | 2025-01-23 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜及び複合基板 |
| WO2023182312A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 国立大学法人東海国立大学機構 | β型酸化ガリウム膜付き基板及びその製造方法 |
| CN117276336B (zh) * | 2023-11-22 | 2024-02-20 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种hemt的外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1894771B (zh) * | 2003-04-15 | 2012-07-04 | 加利福尼亚大学董事会 | 非极性(Al,B,In,Ga)N量子阱 |
| KR101374090B1 (ko) * | 2007-07-26 | 2014-03-17 | 아리조나 보드 오브 리젠츠 퍼 앤 온 비하프 오브 아리조나 스테이트 유니버시티 | 에피택시 방법들과 그 방법들에 의하여 성장된 템플릿들 |
| JP5185206B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| KR20130141465A (ko) * | 2011-02-15 | 2013-12-26 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 보호막 부착 복합 기판 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6436538B2 (ja) * | 2015-06-16 | 2018-12-12 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
-
2018
- 2018-06-26 JP JP2018120352A patent/JP2019012826A/ja active Pending
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