JP2019012826A - ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法 - Google Patents

ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法 Download PDF

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019009405A (ja) * 2017-06-28 2019-01-17 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP2019067907A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP2022130165A (ja) * 2021-02-25 2022-09-06 株式会社デンソー スイッチングデバイスとその製造方法
JPWO2023021814A1 (enExample) * 2021-08-20 2023-02-23
JPWO2023026633A1 (enExample) * 2021-08-27 2023-03-02
WO2023182312A1 (ja) * 2022-03-25 2023-09-28 国立大学法人東海国立大学機構 β型酸化ガリウム膜付き基板及びその製造方法
CN117276336A (zh) * 2023-11-22 2023-12-22 江西兆驰半导体有限公司 一种hemt的外延结构及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007524983A (ja) * 2003-04-15 2007-08-30 ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア 非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸
WO2010098201A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
JP2010534612A (ja) * 2007-07-26 2010-11-11 エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ エピタキシャル方法およびこの方法によって成長させられたテンプレート
WO2012111616A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 住友電気工業株式会社 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法
JP2017007871A (ja) * 2015-06-16 2017-01-12 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007524983A (ja) * 2003-04-15 2007-08-30 ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア 非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸
JP2010534612A (ja) * 2007-07-26 2010-11-11 エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ エピタキシャル方法およびこの方法によって成長させられたテンプレート
WO2010098201A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
WO2012111616A1 (ja) * 2011-02-15 2012-08-23 住友電気工業株式会社 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法
JP2017007871A (ja) * 2015-06-16 2017-01-12 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YUICHI OSHIMA: "Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 118, JPN7022000567, 24 August 2015 (2015-08-24), US, pages 1 - 085301, ISSN: 0004866622 *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7014355B2 (ja) 2017-06-28 2022-02-01 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP2019009405A (ja) * 2017-06-28 2019-01-17 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP2019067907A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP7011219B2 (ja) 2017-09-29 2022-01-26 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP7606190B2 (ja) 2021-02-25 2024-12-25 株式会社デンソー スイッチングデバイスとその製造方法
JP2022130165A (ja) * 2021-02-25 2022-09-06 株式会社デンソー スイッチングデバイスとその製造方法
US12191150B2 (en) 2021-02-25 2025-01-07 Denso Corporation Switching device and method for manufacturing the same
WO2023021814A1 (ja) * 2021-08-20 2023-02-23 日本碍子株式会社 積層体
JPWO2023021814A1 (enExample) * 2021-08-20 2023-02-23
WO2023026633A1 (ja) * 2021-08-27 2023-03-02 日本碍子株式会社 半導体膜及び複合基板
JPWO2023026633A1 (enExample) * 2021-08-27 2023-03-02
JP7620719B2 (ja) 2021-08-27 2025-01-23 日本碍子株式会社 半導体膜及び複合基板
WO2023182312A1 (ja) * 2022-03-25 2023-09-28 国立大学法人東海国立大学機構 β型酸化ガリウム膜付き基板及びその製造方法
CN117276336A (zh) * 2023-11-22 2023-12-22 江西兆驰半导体有限公司 一种hemt的外延结构及其制备方法
CN117276336B (zh) * 2023-11-22 2024-02-20 江西兆驰半导体有限公司 一种hemt的外延结构及其制备方法

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