JP2019012826A - ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法 - Google Patents
ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019012826A JP2019012826A JP2018120352A JP2018120352A JP2019012826A JP 2019012826 A JP2019012826 A JP 2019012826A JP 2018120352 A JP2018120352 A JP 2018120352A JP 2018120352 A JP2018120352 A JP 2018120352A JP 2019012826 A JP2019012826 A JP 2019012826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- volume
- gallium oxide
- crystal
- oxide crystal
- gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017128960 | 2017-06-30 | ||
| JP2017128960 | 2017-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019012826A true JP2019012826A (ja) | 2019-01-24 |
| JP2019012826A5 JP2019012826A5 (enExample) | 2021-05-13 |
Family
ID=65226411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018120352A Pending JP2019012826A (ja) | 2017-06-30 | 2018-06-26 | ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019012826A (enExample) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019009405A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP2019067907A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP2022130165A (ja) * | 2021-02-25 | 2022-09-06 | 株式会社デンソー | スイッチングデバイスとその製造方法 |
| JPWO2023021814A1 (enExample) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | ||
| JPWO2023026633A1 (enExample) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | ||
| WO2023182312A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 国立大学法人東海国立大学機構 | β型酸化ガリウム膜付き基板及びその製造方法 |
| CN117276336A (zh) * | 2023-11-22 | 2023-12-22 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种hemt的外延结构及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007524983A (ja) * | 2003-04-15 | 2007-08-30 | ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | 非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸 |
| WO2010098201A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| JP2010534612A (ja) * | 2007-07-26 | 2010-11-11 | エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | エピタキシャル方法およびこの方法によって成長させられたテンプレート |
| WO2012111616A1 (ja) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法 |
| JP2017007871A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
-
2018
- 2018-06-26 JP JP2018120352A patent/JP2019012826A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007524983A (ja) * | 2003-04-15 | 2007-08-30 | ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア | 非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸 |
| JP2010534612A (ja) * | 2007-07-26 | 2010-11-11 | エス. オー. アイ. テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | エピタキシャル方法およびこの方法によって成長させられたテンプレート |
| WO2010098201A1 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| WO2012111616A1 (ja) * | 2011-02-15 | 2012-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法 |
| JP2017007871A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| YUICHI OSHIMA: "Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 118, JPN7022000567, 24 August 2015 (2015-08-24), US, pages 1 - 085301, ISSN: 0004866622 * |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7014355B2 (ja) | 2017-06-28 | 2022-02-01 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP2019009405A (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-17 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP2019067907A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP7011219B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-01-26 | 株式会社Flosfia | 積層構造体および半導体装置 |
| JP7606190B2 (ja) | 2021-02-25 | 2024-12-25 | 株式会社デンソー | スイッチングデバイスとその製造方法 |
| JP2022130165A (ja) * | 2021-02-25 | 2022-09-06 | 株式会社デンソー | スイッチングデバイスとその製造方法 |
| US12191150B2 (en) | 2021-02-25 | 2025-01-07 | Denso Corporation | Switching device and method for manufacturing the same |
| WO2023021814A1 (ja) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | 日本碍子株式会社 | 積層体 |
| JPWO2023021814A1 (enExample) * | 2021-08-20 | 2023-02-23 | ||
| WO2023026633A1 (ja) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜及び複合基板 |
| JPWO2023026633A1 (enExample) * | 2021-08-27 | 2023-03-02 | ||
| JP7620719B2 (ja) | 2021-08-27 | 2025-01-23 | 日本碍子株式会社 | 半導体膜及び複合基板 |
| WO2023182312A1 (ja) * | 2022-03-25 | 2023-09-28 | 国立大学法人東海国立大学機構 | β型酸化ガリウム膜付き基板及びその製造方法 |
| CN117276336A (zh) * | 2023-11-22 | 2023-12-22 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种hemt的外延结构及其制备方法 |
| CN117276336B (zh) * | 2023-11-22 | 2024-02-20 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种hemt的外延结构及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019012826A (ja) | ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法 | |
| JP7067702B2 (ja) | 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法 | |
| TWI811394B (zh) | 高電子遷移率電晶體及其製作方法 | |
| JP7160318B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP5204105B2 (ja) | 基板上への単結晶GeNの成長 | |
| JP5599089B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法 | |
| JP7191322B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| CN105190914B (zh) | 用于在Ⅲ族氮化物基发光二极管上沉积外延ZnO的工艺及包括外延ZnO的发光二极管 | |
| US20120211723A1 (en) | Graphene-containing semiconductor structures and devices on a silicon carbide substrate having a defined miscut angle | |
| JP7162833B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI641133B (zh) | 半導體單元 | |
| TW392367B (en) | GaN related compound semiconductor devices and manufacturing method therefor | |
| US11189724B2 (en) | Method of forming a top epitaxy source/drain structure for a vertical transistor | |
| TWI569439B (zh) | 半導體單元 | |
| TW201234491A (en) | A method for fabricating a semiconductor device | |
| TW201001698A (en) | Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate and semiconductor device | |
| US9991345B2 (en) | Semiconductor device | |
| CN106024632B (zh) | 带隙改性Ge PMOS器件及其制备方法 | |
| JP2023548938A (ja) | 引張歪みフィン部分と圧縮歪みフィン部分とを備えているフィンスタック | |
| WO2025015754A1 (zh) | 半导体器件及其制备方法、半导体晶圆 | |
| CN112038418A (zh) | 高波长选择性的紫外探测器件及其制作方法 | |
| TWI652820B (zh) | 半導體結構的製造方法及半導體裝置 | |
| JP2022121193A (ja) | 紫外線受光素子及び紫外線受光素子の製造方法 | |
| CN114628233A (zh) | 一种半导体器件制备方法 | |
| US20200212037A1 (en) | Minimum width device for power saving |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210330 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210330 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220414 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220906 |