JP2019005865A - Workpiece processing method - Google Patents

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酒井 敏行
Toshiyuki Sakai
敏行 酒井
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Abstract

To provide a processing method capable of locally executing flattening work on a workpiece.SOLUTION: Provided is a processing method for processing a workpiece 11 with a processing device comprising a chuck table 10 having a holding surface 11b for holding the workpiece 11, processing means having an annular ring-shaped processing tool 54 installed on one end of a spindle 52, and moving means for moving the processing means in a direction orthogonal to the direction of the spindle rotary shaft 52a and in a height direction toward and away from the chuck table 10. The method includes a holding step of holding the workpiece 11 with the chuck table 10, a detection step of detecting an area on the workpiece 11 that requires processing after executing the holding step, and a processing step of applying processing to the area of the workpiece held by the chuck table 10 detected by the detection step after executing the detection step, while rotating the processing tool 54.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、チャックテーブルに保持された被加工物を研削又は研磨する被加工物の加工方法に関する。   The present invention relates to a workpiece processing method for grinding or polishing a workpiece held on a chuck table.

半導体ウェーハ等のウェーハの研削には、ウェーハをチャックテーブルで吸引保持し、チャックテーブルを回転させることによりウェーハを自転させると共に、研削ホイールの研削砥石をウェーハの被研削面に押し当てて研削ホイールを回転させて研削を実施するインフィード研削を行う研削装置が一般的に用いられている。   When grinding a wafer such as a semiconductor wafer, the wafer is sucked and held by a chuck table, and the wafer is rotated by rotating the chuck table. A grinding apparatus that performs in-feed grinding that rotates and performs grinding is generally used.

このような研削装置によって表面に複数のデバイスが形成されたウェーハの裏面研削を行う場合には、ウェーハの表面に保護テープを貼着し、チャックテーブルの保持面にウェーハの表面が直接接触することを防止している。   When performing backside grinding of a wafer with multiple devices formed on the surface using such a grinding machine, a protective tape should be applied to the surface of the wafer, and the surface of the wafer should be in direct contact with the holding surface of the chuck table. Is preventing.

ところで、インフィード研削では、ウェーハの回転中心付近と外周部とでは、周速の違いによって単位時間当たりの仕事量に差が生じ、内周部分に比べて外周部分の研削量が多くなり、断面形状が中心部分が高い緩やかな山型形状に研削される。   By the way, in the in-feed grinding, the work amount per unit time differs due to the difference in peripheral speed between the vicinity of the rotation center of the wafer and the outer peripheral part, and the grinding amount of the outer peripheral part is larger than that of the inner peripheral part. The shape is ground into a gentle chevron shape with a high central portion.

この問題に対処するため、研削後のウェーハの平坦度を検出し、検出された平坦度に応じてチャックテーブルの傾きを変更しうる研削装置が特開2008−264913号広報で提案されている。   In order to cope with this problem, a grinding apparatus capable of detecting the flatness of a wafer after grinding and changing the inclination of the chuck table in accordance with the detected flatness is proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-264913.

この研削装置によると、1枚目に研削加工したウェーハの加工結果に基づいてチャックテーブルの傾きを調整することで、2枚目以降のウェーハの研削において所望の平坦度を実現できる。   According to this grinding apparatus, desired flatness can be realized in grinding of the second and subsequent wafers by adjusting the tilt of the chuck table based on the processing result of the wafer ground by the first sheet.

特開2008−264913号公報JP 2008-264913 A

しかし、1枚目に研削加工し、研削加工が終了したウェーハを平坦化すべく再度研削装置に投入して一連の研削動作を実施するのは非常に効率が悪く生産性が落ちるという課題がある。   However, there is a problem that it is very inefficient and productivity is lowered when a first wafer is ground and the wafer after grinding is again put into the grinding apparatus to flatten and a series of grinding operations are performed.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被加工物に対して局所的に平坦加工を実施可能な加工方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of such a point, The place made into the objective is to provide the processing method which can implement flat processing locally with respect to a to-be-processed object.

本発明によると、被加工物を保持する保持面と該保持面の中心を通るテーブル回転軸とを有するチャックテーブルと、該テーブル回転軸に直交するスピンドル回転軸を有するスピンドルと、該スピンドルの一端に装着され外周に研削砥石又は研磨部材が形成された円環状の加工工具を有する加工手段と、該スピンドル回転軸方向と、該保持面に並行で且つ該スピンドル回転軸方向に直交する方向と、該スピンドル回転軸方向に直交し該チャックテーブルに対して接近及び離反する高さ方向と、において該加工手段をそれぞれ移動させる移動手段と、を備えた加工装置で被加工物を加工する加工方法であって、被加工物を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後に、被加工物上で加工を要する領域を検出する検出ステップと、該検出ステップを実施した後、該チャックテーブルで保持された被加工物の該検出ステップで検出された該領域に対して該加工工具を回転させつつ加工を施す加工ステップと、を備えたことを特徴とする被加工物の加工方法が提供される。   According to the present invention, a chuck table having a holding surface for holding a workpiece and a table rotation axis passing through the center of the holding surface, a spindle having a spindle rotation axis orthogonal to the table rotation axis, and one end of the spindle A processing means having an annular processing tool mounted on the outer periphery with a grinding wheel or polishing member formed on the outer periphery, the spindle rotation axis direction, a direction parallel to the holding surface and perpendicular to the spindle rotation axis direction, A machining method for machining a workpiece with a machining apparatus comprising: a moving means for moving the machining means in a height direction perpendicular to the spindle rotation axis direction and approaching and moving away from the chuck table. A holding step for holding the workpiece on the chuck table, and detecting a region on the workpiece that needs to be processed after the holding step is performed. A detection step, and a processing step of performing processing while rotating the processing tool with respect to the region detected in the detection step of the workpiece held by the chuck table after performing the detection step. Provided is a method of processing a workpiece characterized in that it is provided.

本発明によると、被加工物をチャックテーブルで保持しながら被加工物上で加工を要する領域を検出する検出ステップを実施するので、同一加工装置内で検出ステップで検出された領域を加工することにより局所的な平坦加工が可能となる。   According to the present invention, the detection step for detecting the region that needs to be processed on the workpiece is performed while holding the workpiece on the chuck table, so that the region detected in the detection step is processed in the same processing apparatus. Thus, local flat processing is possible.

本発明実施携帯にかかる研削装置の斜視図である。It is a perspective view of the grinding device concerning the present invention carrying. 図2(A)は研削又は研磨加工を実施する前のウェーハの正面図、図2(B)は研削又は研磨加工実施後のウェーハの正面図である。FIG. 2A is a front view of the wafer before performing grinding or polishing, and FIG. 2B is a front view of the wafer after performing grinding or polishing. 保持ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a holding | maintenance step. 検出ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a detection step. 研削加工ステップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a grinding process step.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態の研削加工方法を実施するのに適した研削装置2の斜視図が示されている。研削装置2の基台4上にはX軸方向に伸長する一対のガイドレール6が固定されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, there is shown a perspective view of a grinding apparatus 2 suitable for carrying out the grinding method of the embodiment of the present invention. A pair of guide rails 6 extending in the X-axis direction are fixed on the base 4 of the grinding apparatus 2.

ガイドレール6上にはテーブルベース8が搭載されており、テーブルベース8に取り付けられたナット部がボールねじ22に螺合している。ボールねじ22の一端にはパルスモータ24が連結されており、ボールねじ22とパルスモータ24とでX軸移動機構26を構成する。X軸移動機構26のパルスモータ24を駆動してボールねじ22を回転すると、テーブルベース8がガイドレール6に案内されてX軸方向に移動する。   A table base 8 is mounted on the guide rail 6, and a nut portion attached to the table base 8 is screwed into the ball screw 22. A pulse motor 24 is connected to one end of the ball screw 22, and the ball screw 22 and the pulse motor 24 constitute an X-axis moving mechanism 26. When the ball screw 22 is rotated by driving the pulse motor 24 of the X-axis moving mechanism 26, the table base 8 is guided by the guide rail 6 and moves in the X-axis direction.

テーブルベース8上にはチャックテーブル10が回転可能に搭載されており、テーブルベース8内に収容されたモータによりチャックテーブル10は反時計回り方向又は時計回り方向に回転される。   A chuck table 10 is rotatably mounted on the table base 8, and the chuck table 10 is rotated counterclockwise or clockwise by a motor accommodated in the table base 8.

チャックテーブル10は、図3に示すように、ポーラスセラミックス等から形成された吸引保持部12と、吸引保持部12を囲繞する金属製の枠体14から構成されており、吸引保持部12は枠体14内に形成された吸引路16及び電磁切換え弁18を介して吸引源20に選択的に接続されている。   As shown in FIG. 3, the chuck table 10 includes a suction holding portion 12 made of porous ceramics and the like, and a metal frame 14 surrounding the suction holding portion 12. The suction holding portion 12 is a frame. A suction source 16 is selectively connected to the suction source 20 via a suction path 16 and an electromagnetic switching valve 18 formed in the body 14.

図4及び図5に示されるように、チャックテーブル10の吸引保持部12は被加工物を保持する保持面12aを有しており、チャックテーブル10は保持面12aの中心を通り保持面12aに垂直なテーブル回転軸10aを有している。   As shown in FIGS. 4 and 5, the suction holding portion 12 of the chuck table 10 has a holding surface 12a for holding the workpiece, and the chuck table 10 passes through the center of the holding surface 12a to the holding surface 12a. It has a vertical table rotation shaft 10a.

テーブルベース8には支持部材29が立設されており、この支持部材29にチャックテーブル10に保持されたウェーハ11の上面高さを検出する高さ検出センサー28が揺動可能に取り付けられている。高さ検出センサー28としては、公知のレーザー式又は静電容量式等のセンサーを使用可能である。   A support member 29 is erected on the table base 8, and a height detection sensor 28 that detects the upper surface height of the wafer 11 held on the chuck table 10 is swingably attached to the support member 29. . As the height detection sensor 28, a known laser type or electrostatic capacitance type sensor can be used.

基台4上にはX軸に直交するY軸方向に伸長する一対のガイドレール30が固定されている。Y軸移動部材32の水平部分32aにはナット部が固定されており、このナット部がY軸方向に伸長するボールねじ34に螺合している。   A pair of guide rails 30 extending in the Y-axis direction orthogonal to the X-axis are fixed on the base 4. A nut portion is fixed to the horizontal portion 32a of the Y-axis moving member 32, and this nut portion is screwed into a ball screw 34 that extends in the Y-axis direction.

ボールねじ34の一端にはパルスモータ36が連結されており、ボールねじ34とパルスモータ36とでY軸移動機構38を構成する。Y軸移動機構38のパルスモータ36を駆動すると、ボールねじ34が回転し、Y軸移動部材32が一対のガイドレール30に案内されてY軸方向に移動する。   A pulse motor 36 is connected to one end of the ball screw 34, and the ball screw 34 and the pulse motor 36 constitute a Y-axis moving mechanism 38. When the pulse motor 36 of the Y-axis moving mechanism 38 is driven, the ball screw 34 rotates and the Y-axis moving member 32 is guided by the pair of guide rails 30 and moves in the Y-axis direction.

Y軸移動部材32は、水平部分32aに直交する垂直部分32bを有している。Y軸移動部材32の垂直部分32bには、一対のガイドレール40が固定されている。研削ユニット48のスピンドルハウジング50にはナット部が固定されており、このナット部がZ軸方向に伸長するボールねじ42に螺合している。   The Y-axis moving member 32 has a vertical portion 32b orthogonal to the horizontal portion 32a. A pair of guide rails 40 are fixed to the vertical portion 32 b of the Y-axis moving member 32. A nut portion is fixed to the spindle housing 50 of the grinding unit 48, and this nut portion is screwed into a ball screw 42 extending in the Z-axis direction.

ボールねじ42の一端にはパルスモータ44が連結されており、ボールねじ42とパルスモータ44とでZ軸移動機構を構成する。Z軸移動機構46のパルスモータ44を駆動するとボールねじ42が回転し、研削ユニット48が上下方向(Z軸方向)に移動される。   A pulse motor 44 is connected to one end of the ball screw 42, and the ball screw 42 and the pulse motor 44 constitute a Z-axis moving mechanism. When the pulse motor 44 of the Z-axis moving mechanism 46 is driven, the ball screw 42 rotates and the grinding unit 48 is moved in the vertical direction (Z-axis direction).

研削ユニット48のスピンドルハウジング50内にはスピンドル52が回転可能に収容されている。図5に最もよく示されるように、スピンドル52の回転軸52aは、チャックテーブル10のテーブル回転軸10aに直交し、Y軸に並行に配設されている。スピンドル52の一端には円環状の研削砥石54が装着されている。   A spindle 52 is rotatably accommodated in the spindle housing 50 of the grinding unit 48. As best shown in FIG. 5, the rotation shaft 52 a of the spindle 52 is orthogonal to the table rotation shaft 10 a of the chuck table 10 and is disposed in parallel to the Y axis. An annular grinding wheel 54 is attached to one end of the spindle 52.

次に、図2を参照して、本発明の加工方法に対象となる被加工物について説明する。図2(A)は研削加工を実施する前のシリコンウェーハ等のウェーハ11の正面図を示しており、ウェーハ11の表面11a及び裏面11bは平坦面となっている。ウェーハ11が半導体ウェーハの場合には、ウェーハ11の表面11aに複数のデバイスが互いに直交する複数の分割予定ライン(ストリート)に区画されて形成されている。   Next, a workpiece to be processed by the processing method of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows a front view of a wafer 11 such as a silicon wafer before grinding, and the front surface 11a and the back surface 11b of the wafer 11 are flat surfaces. When the wafer 11 is a semiconductor wafer, a plurality of devices are formed on the surface 11a of the wafer 11 so as to be partitioned into a plurality of scheduled division lines (streets) orthogonal to each other.

このようなウェーハ11の裏面11bの研削を実施する場合には、ウェーハ11の表面11aに形成されたデバイスを保護するために、ウェーハ11の表面11aに保護テープが貼着され、通常のインフィード研削装置のチャックテーブルで保護テープ側を吸引保持し、ウェーハ11の裏面11bを研削する。   When grinding such a back surface 11b of the wafer 11, in order to protect a device formed on the front surface 11a of the wafer 11, a protective tape is attached to the front surface 11a of the wafer 11, and a normal infeed is performed. The protective tape side is sucked and held by the chuck table of the grinding device, and the back surface 11b of the wafer 11 is ground.

通常のインフィード研削では、ウェーハ11の外周側の回転速度が内周側に比べて速いため、ウェーハ11の外周側の研削量が内周側に比べて多くなり、研削終了後には、図2(B)に示すように、ウェーハ11は内周側が外周側に比べて僅かに高い中凸形状に研削され易い。   In normal in-feed grinding, the rotation speed on the outer peripheral side of the wafer 11 is faster than that on the inner peripheral side, so the amount of grinding on the outer peripheral side of the wafer 11 is larger than that on the inner peripheral side. As shown to (B), the wafer 11 is easy to be ground by the convex shape in which the inner peripheral side is slightly higher than the outer peripheral side.

図1に示した研削装置2でウェーハ11の裏面11bを研削加工する場合には、ウェーハ11の表面11aに同様に保護テープを貼着し、ウェーハ11の保護テープ側をチャックテーブル10で吸引保持する。   When grinding the back surface 11b of the wafer 11 with the grinding apparatus 2 shown in FIG. 1, a protective tape is similarly applied to the front surface 11a of the wafer 11, and the protective tape side of the wafer 11 is sucked and held by the chuck table 10. To do.

そして、図5に示すように、チャックテーブル10を矢印a方向に例えば300rpmの回転速度で回転し、環状の研削砥石54を矢印b方向に高速で回転しながらウェーハ11の裏面11bに押し当て、矢印Y1方向に環状の研削砥石54を移動することにより、ウェーハ11の裏面11bの研削を実施する。研削完了後、高さ検出センサー28を揺動してウェーハ11の裏面11bの高さ位置を検出し、裏面11bの平坦度を検出する。   Then, as shown in FIG. 5, the chuck table 10 is rotated in the direction of arrow a at a rotational speed of, for example, 300 rpm, and the annular grinding wheel 54 is pressed against the back surface 11b of the wafer 11 while rotating at high speed in the direction of arrow b. The back surface 11b of the wafer 11 is ground by moving the annular grinding wheel 54 in the arrow Y1 direction. After completion of grinding, the height detection sensor 28 is swung to detect the height position of the back surface 11b of the wafer 11, and the flatness of the back surface 11b is detected.

一般的なインフィードタイプの研削装置でウェーハ11の裏面11bの研削を実施して、図2(B)に示すような中凸形状のウェーハ11になった場合には、ウェーハ11の表面11aに保護テープ13を貼着した後、図1に示す研削装置2に投入し、図3に示すように、チャックテーブル10の保持面12aで保護テープ13を介してウェーハ11を吸引保持し、ウェーハ11の裏面11bを露出させる(保持ステップ)。   When the back surface 11b of the wafer 11 is ground by a general in-feed type grinding apparatus, and the wafer 11 has a middle convex shape as shown in FIG. 2B, the surface 11a of the wafer 11 is formed. After the protective tape 13 is adhered, the wafer 11 is put into the grinding apparatus 2 shown in FIG. 1, and the wafer 11 is sucked and held by the holding surface 12a of the chuck table 10 through the protective tape 13 as shown in FIG. The back surface 11b is exposed (holding step).

次いで、図4に示すように、高さ検出センサー28を矢印R1方向に揺動させて、ウェーハ11の裏面11bの高さ位置を検出し、裏面11bを平坦にするための加工を要する領域を検出する。この検出ステップでは、チャックテーブル10を矢印a方向に低速で回転させながら実施するのが好ましい。   Next, as shown in FIG. 4, the height detection sensor 28 is swung in the direction of the arrow R1, the height position of the back surface 11b of the wafer 11 is detected, and an area that requires processing for flattening the back surface 11b is formed. To detect. This detection step is preferably performed while rotating the chuck table 10 in the direction of arrow a at a low speed.

このように、チャックテーブル10を矢印a方向に低速で回転させながら高さ検出センサー28を矢印R1方向に揺動させてウェーハ11の裏面11bの高さを検出すると、図4に示す中凸形状のみでなく、ウェーハ11の裏面11bを平坦にするために加工を要する領域を局所的に検出することができる。   As described above, when the height of the back surface 11b of the wafer 11 is detected by swinging the height detection sensor 28 in the direction of the arrow R1 while rotating the chuck table 10 in the direction of the arrow a at a low speed, the middle convex shape shown in FIG. In addition, it is possible to locally detect a region that needs to be processed in order to flatten the back surface 11b of the wafer 11.

検出ステップを実施した後、検出ステップで検出された加工を要する領域を研削加工する研削加工ステップを実施する。この研削加工ステップでは、図5に示すように、ウェーハ11を保持したチャックテーブル10を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、矢印b方向に高速回転する環状の研削砥石54をウェーハ11の裏面11bに押し当て、矢印Y1方向に研削ユニット48を加工送りすることにより、ウェーハ11の裏面11bを研削する。   After performing the detection step, a grinding step is performed for grinding the region that requires the processing detected in the detection step. In this grinding step, as shown in FIG. 5, while rotating the chuck table 10 holding the wafer 11 in the direction of arrow a at 300 rpm, for example, an annular grinding wheel 54 that rotates at high speed in the direction of arrow b is used. The back surface 11b of the wafer 11 is ground by pressing against 11b and processing and feeding the grinding unit 48 in the direction of the arrow Y1.

この研削加工ステップでは、加工を要する領域が局所的である場合には、ウェーハ11を保持したチャックテーブル10を回転させずに高速回転する環状の研削砥石54を加工を要する領域に押し当てて局所的に研削加工を実施するようにしてもよい。   In this grinding step, if the region requiring processing is local, an annular grinding wheel 54 that rotates at high speed without rotating the chuck table 10 holding the wafer 11 is pressed against the region requiring processing to locally Alternatively, grinding may be performed.

上述した実施形態では、スピンドル52の先端に装着した加工工具を環状の研削砥石54とした実施形態について説明したが、環状の研削砥石54に替えて環状の研磨部材をスピンドル52の先端に装着するようにしてもよい。この場合には、ウェーハ11の裏面11bを局所的に研磨加工することができる。   In the above-described embodiment, the embodiment in which the processing tool mounted on the tip of the spindle 52 is the annular grinding wheel 54 has been described. You may do it. In this case, the back surface 11b of the wafer 11 can be locally polished.

また、上述した実施形態では、被加工物として半導体ウェーハ等のウェーハを研削加工する例について説明したが、被加工物はウェーハに限定されるものではなく、セラミックス基板、樹脂基板等の他の被加工物も局所的に研削又は研磨加工することができる。   In the above-described embodiment, an example in which a wafer such as a semiconductor wafer is ground as the workpiece has been described. However, the workpiece is not limited to the wafer, and other workpieces such as a ceramic substrate and a resin substrate may be used. The workpiece can also be locally ground or polished.

2 研削装置
10 チャックテーブル
11 ウェーハ
12a 保持面
13 保護テープ
28 高さ検出センサー
48 研削ユニット
54 環状の研削砥石
2 Grinding device 10 Chuck table 11 Wafer 12a Holding surface 13 Protective tape 28 Height detection sensor 48 Grinding unit 54 Annular grinding wheel

Claims (1)

被加工物を保持する保持面と該保持面の中心を通るテーブル回転軸とを有するチャックテーブルと、該テーブル回転軸に直交するスピンドル回転軸を有するスピンドルと、該スピンドルの一端に装着され外周に研削砥石又は研磨部材が形成された円環状の加工工具を有する加工手段と、該スピンドル回転軸方向と、該保持面に並行で且つ該スピンドル回転軸方向に直交する方向と、該スピンドル回転軸方向に直交し該チャックテーブルに対して接近及び離反する高さ方向と、において該加工手段をそれぞれ移動させる移動手段と、を備えた加工装置で被加工物を加工する加工方法であって、
被加工物を該チャックテーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後に、被加工物上で加工を要する領域を検出する検出ステップと、
該検出ステップを実施した後、該チャックテーブルで保持された被加工物の該検出ステップで検出された該領域に対して該加工工具を回転させつつ加工を施す加工ステップと、
を備えたことを特徴とする被加工物の加工方法。
A chuck table having a holding surface for holding a workpiece and a table rotation axis passing through the center of the holding surface, a spindle having a spindle rotation axis orthogonal to the table rotation axis, and mounted on one end of the spindle on the outer periphery A processing means having an annular processing tool on which a grinding wheel or a polishing member is formed, the spindle rotation axis direction, a direction parallel to the holding surface and perpendicular to the spindle rotation axis direction, and the spindle rotation axis direction And a moving means for moving each of the processing means in a height direction that is perpendicular to and close to and away from the chuck table, and a processing method for processing a workpiece with a processing apparatus comprising:
A holding step for holding a workpiece on the chuck table;
A detection step for detecting a region that needs to be processed on the workpiece after performing the holding step;
A processing step of performing processing while rotating the processing tool with respect to the region detected in the detection step of the workpiece held by the chuck table after performing the detection step;
A method for processing a workpiece, comprising:
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164773A (en) * 1985-01-18 1986-07-25 Hitachi Ltd Method and device for grinding wafer
JP2002192460A (en) * 2000-12-25 2002-07-10 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device
JP2008264913A (en) * 2007-04-18 2008-11-06 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device
US20170095902A1 (en) * 2015-10-06 2017-04-06 Disco Corporation Grinding method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61164773A (en) * 1985-01-18 1986-07-25 Hitachi Ltd Method and device for grinding wafer
JP2002192460A (en) * 2000-12-25 2002-07-10 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device
JP2008264913A (en) * 2007-04-18 2008-11-06 Disco Abrasive Syst Ltd Grinding device
US20170095902A1 (en) * 2015-10-06 2017-04-06 Disco Corporation Grinding method

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