JP2019002051A - めっき装置 - Google Patents

Abstract

【課題】今後要求されることが想定される高いめっき品質の少なくとも一部を実現しながら、さらに、複数の基板をめっきするめっき装置を提供する。【解決手段】めっき装置は、複数の基板Ｓ１が保持可能な基板ホルダ１１と、複数のアノード６２を保持可能なアノードホルダ６０を有する。複数のアノード６２の各々は、対応する基板Ｓ１と対向して配置される。レギュレーションプレート５０が、アノードホルダ６０と、当該アノードホルダ６０に対応する基板ホルダ１１の間に設けられる。レギュレーションプレート５０は、アノード６２と基板Ｓ１との間に流れる電流が通過できる筒状の貫通部５１を有する。ダミー基板６８に対しては、アノードホルダ６２と、当該アノードホルダに対応する基板ホルダ１１の間に閉鎖部８２が設けられる。閉鎖部８２では、保持可能なアノードと保持可能な基板との間に流れ得る電流が通過できない。【選択図】図５

Description

本発明は、めっき装置に関するものである。

従来、半導体ウェハやプリント基板等の基板の表面に配線やバンプ（突起状電極）等を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプ等を形成する方法として、電解めっき法が知られている。

電解めっき法に用いるめっき装置では、一般的には例えば３００ｍｍの直径を有するウェハ等の円形基板にめっき処理を行っている。しかしながら、近年では、このような円形基板に限らず、費用対効果の観点から、半導体市場において角形基板の需要が増加しており、角形基板に洗浄、研磨、又はめっき等をすることが求められている。

めっき装置は、めっき槽を有し、このめっき槽内には、例えば、基板を保持した基板ホルダ、アノードを保持したアノードホルダ、レギュレーションプレート（遮蔽板）等が収容される。特開２０１６−１６０５２１号に記載の従来の半導体基板用のめっき装置では、基板サイズが比較的大きく、複数の基板に対して同時に処理することは想定していなかった。しかし、近年、基板に形成されるチップのサイズが微細化し、３次元実装技術といったチップの多層構造化の技術開発が進展している。また、Ｆan-out技術（チップ面積を超える広い領域に再配線層を形成する技術）が登場し、またIoT技術がさらに進展することによって、多様な構造をもったチップといった高度なパッケージング技術がさらに要求されてくると想定される。多種・多様な基板に設けられたビア、トレンチ、スルーホール等をめっき・成膜するニーズも高まってきている。特に、アスペクト比の高いビアへの埋め込み性能やめっき速度については、電解めっき技術が、無電解めっき技術等と比べると優位性を有するものと考えられている。

このような技術の流れを踏まえると、今後は、スループットを落とすことなく、また、それぞれ異なる特徴を有する比較的サイズが小さい多様な基板を同時に電解めっきする技術が今後重要になる。しかしながら、めっきの膜厚管理といった高い品質管理が要求される半導体基板へのめっき技術において、今後要求されることが想定される上記の高い品質を実現しながら、かつ、同時に複数の基板をめっきする技術はこれまでなかった。

特開２０１６−１６０５２１号公報

本発明の一形態は、上記の問題点の１つを解消すべくなされたもので、その目的は、今後要求されることが想定される上記の高いめっき品質の少なくとも一部を実現しながら、さらに、複数の基板をめっきするめっき装置を提供することである。

上記課題を解決するために、第１の形態では、１個の基板を各々が保持可能なように構成された複数の基板ホルダと、１個のアノードを各々が保持可能なように構成された複数のアノードホルダであって、前記複数のアノードと前記複数の基板は、１対１に対応しており、前記複数のアノードの各々は、対応する前記基板と対向して配置されるように構成
されたアノードホルダと、対応する前記アノードと前記基板との間に１個ずつ設けられる複数の第１の遮蔽部であって、前記第１の遮蔽部の各々は、前記対応するアノードと前記対応する基板との間に形成される電気力線が通過できる筒状の貫通部を有し、前記貫通部が前記対応するアノードと前記対応する基板との間の電場を調整するように構成された第１の遮蔽部とを有する、めっき装置という構成を採っている。

本実施形態では、筒状の貫通部が、対応するアノードと対応する基板との間の電場を調整するように構成される。従来は、複数の基板を１つのめっき槽内でめっきする場合、処理枚数が変化すると、一様な電流電気力線の形成が達成できない。本実施形態では、電場を調整するように構成された第１の遮蔽部を設けたため、処理枚数が変化しても、同時に処理される複数の基板に対応する複数の貫通部において、電流電気力線の分布が一様になる。従って、処理枚数が変化した場合であっても、めっきすべきすべての基板に対して、従来よりも一様な物理・化学的性質の金属膜を施すめっき装置を提供することができる。今後要求されることが想定される上記の高いめっき品質の少なくとも一部を実現しながら、さらに、複数の基板をめっきするめっき装置を提供できる。なお、物理・化学的性質とは、基板の金属膜の膜厚・化学物質組成・表面形態・密度を意味する。物理・化学的性質が一様であるとは、１つの基板内の箇所ごとにおける物理・化学的性質の基板内分布が、すべての処理する基板間で同一であることを意味する。

第２の形態では、前記複数の第１の遮蔽部のうちの少なくとも１つは、前記貫通部を閉鎖するための第２の遮蔽部を有し、前記第２の遮蔽部により、保持可能な前記アノードと保持可能な前記基板との間に形成される前記電気力線が通過できないように構成された閉鎖部であり、前記複数の第１の遮蔽部のうちの他の少なくとも１つは、前記第２の遮蔽部を有しない、請求項１記載のめっき装置という構成を採っている。

本実施形態では、めっきすべき基板が配置されない基板ホルダおよびアノードホルダに対しては、閉鎖部を設ける。閉鎖部により、電気力線が通過できなくなる。めっきすべき基板が配置されている基板ホルダおよびアノードホルダとの間に形成される電気力線は、閉鎖部があるため、電気力線が閉鎖部を通る、すなわち閉鎖部へ漏れることが減る。

従来技術の場合、基板とアノードとの間には、閉鎖部がなく、貫通部のみであった。貫通部を通過する電気力線は、基板のある貫通部と、当該貫通部以外を通過する電気力線の影響を受ける。従って、仮に、複数の基板を１つのめっき槽内でめっきする場合、基板のある貫通部を通過する電気力線は、他の貫通部を通過する電気力線の影響を受ける。すなわち、貫通部を通過する電気力線は、基板のある貫通部が、他の貫通部とどのような位置関係にあるかによって、変化する。また、複数の基板を１つのめっき槽内でめっきする場合、処理枚数が変化すると、一様な電気力線の形成が達成できない。本実施形態では、閉鎖部を設けたため、処理枚数が変化しても、同時に処理される複数の基板に対応する複数の貫通部において、電気力線の分布が一様になる。従って、処理枚数が変化した場合であっても、めっきすべきすべての基板に対して、従来よりも一様な物理・化学的性質の金属膜を施すめっき装置を提供することができる。

また、本実施形態では、閉鎖部を有することに加えて、筒状の貫通部を用いている。このため、貫通部の各々は互いに電気力線の影響が少なく、独立性が高い。単一電解槽内において，複数基板に対し，同時にめっきを行い，基板ごとに膜厚分布を制御可能なめっき装置を提供できる。

第３の形態では、前記第２の遮蔽部は、前記貫通部の、前記基板ホルダ側と前記アノードホルダ側に、それぞれ配置された第３の遮蔽部を有する、めっき装置という構成を採っている。

第４の形態では、前記第２の遮蔽部は、前記閉鎖部に対して脱着可能である、めっき装置という構成を採っている。

第５の形態では、前記第２の遮蔽部は、前記第２の遮蔽部に開口部を形成できる開口形成機構を有し、前記貫通部を閉鎖するときは、前記開口形成機構により前記開口部を閉鎖する、めっき装置という構成を採っている。

第６の形態では、前記第１の遮蔽部は、前記貫通部の開口面積を調整する調整機構を有し、前記調整機構は、前記貫通部を閉鎖することが可能である、めっき装置という構成を採っている。

第７の形態では、前記閉鎖部が設けられている前記アノードホルダは、当該アノードホルダが保持可能な前記アノードと当該閉鎖部との間に設けられた第４の遮蔽部を有し、前記第４の遮蔽部は、当該アノードと前記基板との間に形成される前記電気力線が通過できないように構成され、および／または前記閉鎖部が設けられている前記基板ホルダは、当該基板ホルダが保持可能な当該基板と当該閉鎖部との間に設けられた第５の遮蔽部を有し、前記第５の遮蔽部は、前記アノードと前記基板との間に形成される前記電気力線が通過できないように構成される、めっき装置という構成を採っている。

第８の形態では、１個の基板を各々が保持するように構成された複数の基板ホルダと、１個のアノードを各々が保持するように構成された複数のアノードホルダであって、前記複数のアノードと前記複数の基板は、１対１に対応しており、前記複数のアノードの各々は、対応する１つの前記基板と対向して配置されるように構成されたアノードホルダと、前記アノードホルダの各々に対して１個設けられる複数の遮蔽部であって、前記遮蔽部の各々は、対応する当該アノードホルダと前記基板ホルダの間に設けられ、前記アノードと前記基板との間に形成される電気力線が通過できる筒状の貫通部を有するように構成された複数の遮蔽部と、を有し、前記貫通部の各々を形成する前記遮蔽部の壁部の前記アノードホルダ側は、対応する前記アノードの外周の近傍において前記アノードホルダ上に配置され、前記貫通部の各々によって形成される貫通空間が互いに別箇独立である、めっき装置という構成を採っている。

本実施形態では、筒状の貫通空間が互いに別箇独立であり、各基板は、遮蔽部によって個々に包囲されている。このため、貫通部の各々は互いに電気力線の影響が少なく、独立性が高い。単一電解槽内において，複数基板に対し，同時にめっきを行い，各基板ごとに膜厚分布を制御可能なめっき装置を提供できる。独立性が高いため、処理枚数が変化しても、同時に処理される複数の基板において、電気力線の分布が一様になる。処理枚数が変化した場合であっても、めっきすべきすべての基板対して一様な物理・化学的性質の金属膜を施すめっき装置を提供することができる。

第９の形態では、前記壁部は、前記貫通部内の気体を、前記貫通部から除去するための第１の貫通孔を有する、めっき装置という構成を採っている。

第１０の形態では、前記壁部は、めっき液の添加剤を前記貫通部内に供給するための第２の貫通孔を有する、めっき装置という構成を採っている。

第１１の形態では、前記添加剤の供給量を調整する供給量調整機構を有する、めっき装置という構成を採っている。

第１２の形態では、前記複数の基板ホルダは一体化しており、および／または前記複数
のアノードホルダは一体化しており、および／または前記複数の第１の遮蔽部は一体化している、めっき装置という構成を採っている。

第１３の形態では、前記複数の基板ホルダは一体化しており、および／または前記複数のアノードホルダは一体化しており、および／または前記複数の遮蔽部は一体化している、めっき装置という構成を採っている。

第１４の形態では、前記複数の基板の各々は、第１の直流電源から分岐した複数の第１の配線から別箇独立に第１の電流を供給され、および／または前記複数のアノードの各々は、第２の直流電源から分岐した複数の第２の配線から別箇独立に第２の電流を供給される、めっき装置という構成を採っている。

第１５の形態では、前記複数の第１の配線の各々を流れる前記第１の電流は、別箇独立に制御可能である、および／または前記複数の第２の配線の各々を流れる前記第２の電流は、別箇独立に制御可能である、めっき装置という構成を採っている。

第１６の形態では、第１４の形態または第１５の形態のめっき装置を制御するためのコンピュータを、前記複数の第１の電流および／または前記複数の第２の電流のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御手段、として機能させるためのプログラムが記録された非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体という構成を採っている。

本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。 図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダの概略平面図である。 図２に示す基板ホルダに保持される角形基板の概略平面図である。 図１に示した処理部のめっき槽及びオーバーフロー槽を示す概略縦断正面図である。 図４に示しためっき槽の断面図である。 図６は、基板ホルダに設けられたガイドを示す正面図である。 図７は、ガイドの周辺における基板ホルダの構造の詳細を示す図である。 図８は、遮蔽板の正面図である。 図９は、開口形成機構の正面図である。 図１０は、開口形成機構の動作を示す図である。 本発明の別の実施形態に係わるめっき槽及びオーバーフロー槽を示す概略縦断正面図である。 図１１に示しためっき槽の断面図である。 図１３は、めっき液を供給するための構造を設けた図１１に対応する図である。 図１４は、添加剤を供給するための構造を設けた図１２に対応する図である。 図１５は、供給量調整機構の構成を示すブロック図である。 図１６は、めっき回路の構成を示す説明図である。 図１７は、４枚の角形基板の同時めっきを行った例を示す。 図１８は、３枚の角形基板Ｓ１のみをめっきした例を示す。 図１９は、本発明のさらに別の実施形態に係わる基板ホルダに保持された角形基板と、ダミー基板をアノード側から見た図である。 図２０は、図１９に示す実施形態に係わる基板ホルダとアノードとの間に配置されるレギュレーションプレートを示す。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同一または相当する部材には同一符号を付して重複した説明を省略する。図１は、本実施形態に係るめっき装置の全体配置図である。図１に示すように、このめっき装置１００は、基板ホルダに角形基板をロードし、又は基板ホルダから角形基板をアンロードするロード／アンロード部１１０と、角形基板を処理する処理部１２０と、洗浄部２０とに大きく分けられる。処理部１２０は、さらに、角形基板の前処理及び後処理を行う前処理・後処理部１２０Ａと、角形基板にめっき処理を行うめっき処理部１２０Ｂとを含む。めっき装置１００のロード／アンロード部１１０と、処理部１２０と、洗浄部２０とは、それぞれ別々のフレーム（筐体）で囲まれている。なお、本発明は、角形基板に限らず、円形基板等の任意の形状の基板に適用することができる。

ロード／アンロード部１１０は、２台のカセットテーブル２５と、基板脱着機構２９とを有する。カセットテーブル２５は、角形基板を収納したカセット２５ａを搭載する。基板脱着機構２９は、角形基板を図示しない基板ホルダに着脱するように構成される。また、基板脱着機構２９の近傍（例えば下方）には基板ホルダを収容するためのストッカ３０が設けられる。これらのユニット２５，２９，３０の中央には、これらのユニット間で角形基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置２７が配置されている。基板搬送装置２７は、走行機構２８により走行可能に構成される。

洗浄部２０は、めっき処理後の角形基板を洗浄して乾燥させる洗浄装置２０ａを有する。基板搬送装置２７は、めっき処理後の角形基板を洗浄装置２０ａに搬送し、洗浄及び乾燥された角形基板を洗浄装置２０ａから取り出すように構成される。

前処理・後処理部１２０Ａは、プリウェット槽３２と、プリソーク槽３３と、プリリンス槽３４と、ブロー槽３５と、リンス槽３６と、を有する。プリウェット槽３２では、角形基板が純水に浸漬される。プリソーク槽３３では、角形基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。プリリンス槽３４では、プリソーク後の角形基板が基板ホルダと共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽３５では、洗浄後の角形基板の液切りが行われる。リンス槽３６では、めっき後の角形基板が基板ホルダと共に洗浄液で洗浄される。プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４、ブロー槽３５、リンス槽３６は、この順に配置されている。

めっき処理部１２０Ｂは、オーバーフロー槽３８を備えた複数のめっき槽３９を有する。各めっき槽３９は、内部に複数の角形基板を収納し、内部に保持しためっき液中に角形基板を浸漬させて角形基板の表面に銅めっき等のめっきを行う。ここで、めっき液の種類は、特に限られることはなく、用途に応じて様々なめっき液が用いられる。

めっき装置１００は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダを角形基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置３７を有する。この基板ホルダ搬送装置３７は、基板脱着機構２９、プリウェット槽３２、プリソーク槽３３、プリリンス槽３４、ブロー槽３５、リンス槽３６、及びめっき槽３９との間で基板ホルダを搬送するように構成される。

図２は、図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダの概略平面図である。本実施形態では、１つの基板ホルダで、最大、４枚の基板を保持して、一度にめっきすることができる。３枚以下の基板をめっきするときは、基板が配置されないところには、ダミーの基板または絶縁板を配置する。本実施形態では、１枚の基板を保持する複数（４個）の基板ホルダが一体化していると考えることができる。これに対応して、複数のアノードホルダが一体化しており、かつ、後述するように第１の遮蔽部と第２の遮蔽部が一体化している。

図３は、図２に示す基板ホルダに保持される角形基板の内の１枚の角形基板の概略平面図である。本実施形態では、同一形状、同一サイズの４枚の基板を１つの基板ホルダに保持できるが、本発明では、異なる形状、異なるサイズの任意の枚数の基板を１つの基板ホルダに保持してもよい。また、１つの基板ホルダに１枚以上の基板を保持することとして、そのような基板ホルダを別箇独立に複数個、１つのめっき槽３９に入れて、同時にめっきすることとしてもよい。

図２に示すように、基板ホルダ１１は、例えば塩化ビニル製で平板状の基板ホルダ本体１２と、基板ホルダ本体１２に連結されたアーム部１３とを有する。アーム部１３は、一対の台座１４を有し、図１に示した各処理槽の周壁上面に台座１４を設置することで、基板ホルダ１１が垂直に吊下げ支持される。また、アーム部１３には、めっき槽３９の周壁上面に台座１４を設置したときに、めっき槽３９に設けられた電気接点と接触するように構成されたコネクタ部１５が設けられる。これにより、基板ホルダ１１は外部電源と電気的に接続され、基板ホルダ１１に保持された角形基板に電圧・電流が印加される。

基板ホルダ１１は、図３に示す角形基板Ｓ１の被めっき面が露出するように保持する。基板ホルダ１１は、角形基板Ｓ１の表面に接触する図示しない電気接点を有する。角形基板Ｓ１を基板ホルダ１１が保持したとき、この電気接点は、角形基板Ｓ１の対向する二辺、あるいは外周４辺に沿って設けられる、図３に示す接点位置ＣＰ１に接触するように構成される。なお、角形基板の形状は、本実施形態では、正方形または長方形である。長方形の角形基板の場合、電気接点は長方形の角型基板の長辺または短辺のいずれかの対向する二辺、あるいは外周４辺に接触するように構成される。

基板ホルダ１１に角形基板Ｓ１またはダミー基板６８を保持させる工程は以下のとおりである。
(1) ストッカ３０から基板ホルダ１１を基板脱着機構２９に持ってくる。
(2) カセットテーブル２５から角形基板Ｓ１を持ってくる。４枚の場合は４枚の基板を持ってきて、基板ホルダ１１の下側部材の上にそれぞれ置く。３枚の場合は３枚だけ持ってくる。
(3) たとえば３枚の場合は、ダミー基板６８をカセットテーブル２５から持ってきて、基板ホルダ１１の下側部材の上の残り１枚の領域に置く。なお、本発明は、基板ホルダへ同時に保持できる基板の数は４枚の場合だけに限定されない
(4) 次いで、基板ホルダ１１の上側部材を上からかぶせて、それぞれの基板を挟持する。上側部材には、後述する所定の遮蔽板７６をあらかじめ設置しておく。
(5) 基板を保持した基板ホルダ１１を基板ホルダ搬送装置３７で、前処理・後処理部１２０Ａ、めっき槽３９の順に運んで、めっき液に浸漬させ、電解めっきする。
(6) めっき完了後、リンス槽３６，ブロー槽３５で順次洗浄する。次いで基板脱着機構２９で角形基板Ｓ１を順次取り外し、それぞれの角形基板Ｓ１をカセットテーブル２５に戻していく。ダミー基板６８がある場合は、ダミー基板６８をカセットテーブル２５に戻していく。最後の基板がホルダから取り外された後に、基板ホルダをストッカ３０に戻す。

図４は、図１に示した処理部１２０Ｂのめっき槽３９及びオーバーフロー槽３８を示す概略縦断正面図である。図４に示すように、めっき槽３９は、内部にめっき液Ｑを保持する。オーバーフロー槽３８は、めっき槽３９の縁から溢れ出ためっき液Ｑを受け止めるようにめっき槽３９の外周に備えられている。めっき槽３９の底部４３には、ポンプＰを備えためっき液供給路であるライン１３８が接続される。

めっき槽３９には、角形基板Ｓ１を保持した基板ホルダ１１が収納される。基板ホルダ
１１は、角形基板Ｓ１が鉛直状態でめっき液Ｑに浸漬されるように、めっき槽３９内に配置される。めっき槽３９内の角形基板Ｓ１に対向する位置には、アノードホルダ６０に保持されたアノード６２が配置される。アノード６２としては、例えば、含リン銅が使用され得る。角形基板Ｓ１とアノード６２は、めっき電源（後述する第１の直流電源１６８）を介して電気的に接続され、角形基板Ｓ１とアノード６２との間に電流を流すことにより角形基板Ｓ１の表面にめっき膜（銅膜）が形成される。

角形基板Ｓ１とアノード６２との間には、角形基板Ｓ１の表面と平行に往復移動してめっき液Ｑを攪拌するパドル４５（後述する図１４に示す。）が配置される。めっき液Ｑをパドル４５で攪拌することで、十分な銅イオンを角形基板Ｓ１の表面に均一に供給することができる。また、パドル４５とアノード６２との間には、角形基板Ｓ１の全面に亘る電位分布をより均一にするための誘電体からなるレギュレーションプレート５０が配置される。レギュレーションプレート５０は、本体部５２と、電気力線を通過させるための貫通部５１と、を有する。基板ホルダ１１に対向する槽３９の全面にわたってレギュレーションプレート５０は、基板ホルダ１１に対向している。すなわち、基板ホルダ１１からレギュレーションプレート５０向かう方向に見たときに、レギュレーションプレート５０の左端、右端、底部は、それぞれ、槽３９の左端、右端、底部に接触している。角形基板Ｓ１に対向する貫通部５１のみにおいて、めっき液Ｑは、レギュレーションプレート５０を通過できる。

図４，５の場合、図２に示す基板を配置可能な４カ所のうち、右上、左下、右下の３ヶ所に基板が保持され、左上の１ヶ所には、基板は配置されない。基板が配置されない１ヶ所（以下では「非めっき電極」と呼ぶ。）には、ダミー基板６８（または絶縁板）が配置される。角形基板Ｓ１が配置される３ヶ所は、以下では「めっき電極」と呼ぶ。

図５は、図４に示しためっき槽３９のＡＡ断面図である。図４は、図５のＡＡ断面図である。図５中、パドル４５は省略されている。図４、図５に示すように、めっき電極に対応する位置のレギュレーションプレート５０と、非めっき電極に対応する位置のレギュレーションプレート５０はいずれも貫通部５１を有する。めっき電極に対応する位置のレギュレーションプレート５０（第１の遮蔽部）は、アノードホルダ６０と、アノードホルダ６０に対応する基板ホルダ１１の間に設けられ、アノード６２と角形基板Ｓ１との間に形成される電気力線が通過できる筒状の貫通部５１を有する。貫通部５１は、対応するアノードと対応する基板との間の電場を、調整するように構成される。調整は、例えば、後述するように、貫通部５１の開口面積を調整することにより行われる。調整方法は、開口面積を調整する方法に限られない。例えば、貫通部５１の開口形状を、円、楕円、多角形等に変えることにより調整を行うことができる。

非めっき電極に対応する位置のレギュレーションプレート５０（閉鎖部）は、アノードホルダ６０と、アノードホルダ６０に対応する基板ホルダ１１の間に設けられ、保持可能なアノードと保持可能な基板との間に形成される電気力線が通過できない閉鎖部８２を有する。閉鎖部８２は、筒状の貫通形状を有する貫通部５１と、貫通部５１を閉鎖するためのシャッター式の遮蔽板７０（第３の遮蔽部）を有する。遮蔽板７０は、貫通部５１の、基板ホルダ側とアノードホルダ側に、それぞれ配置されている。２枚の遮蔽板７０により、貫通部を閉鎖する。

遮蔽板７０は、レギュレーションプレート５０に設けられたガイド７２及びガイド８０に対して脱着可能である。すなわち、遮蔽板７０は、レギュレーションプレート５０に対して脱着可能である。図５において、非めっき電極に対応する位置の遮蔽板７０と、めっき電極に対応する位置の遮蔽板７０は、開口部があるかないかという点で異なり、別々の形状を有するように見える。しかし、同一形状の遮蔽板７０を用いることもできる。この
点を含めて、遮蔽板７０の構造については、後述する。

閉鎖部８２において、アノードホルダ６０の前面側（角形基板Ｓ１と対向する側）には、アノード６２を遮蔽する遮蔽板７４（第４の遮蔽部）が設けられる。遮蔽板７４を設置することによって、アノード６２とダミー基板６８との間に形成される電気力線が通過できない。さらに、閉鎖部８２において、基板ホルダ１１の前面側（アノード６２と対向する側）には、ダミー基板６８を遮蔽する遮蔽板７６（第５の遮蔽部）が設けられる。遮蔽板７６を設置することによって、アノード６２と角形基板Ｓ１との間に形成される電気力線が通過できない。遮蔽板７４，遮蔽板７６は、それぞれ、アノードホルダ６０と基板ホルダ１１に設けられたガイド７８に対して脱着可能である。すなわち、遮蔽板７４，遮蔽板７６は、それぞれ、アノードホルダ６０と基板ホルダ１１に対して脱着可能である。

ガイド７２、ガイド８０の厚みは任意に変更することができる。厚みを変更することにより、レギュレーションプレート５０の貫通部５１の長さＢ１を調整することができる。ガイド７２、ガイド８０の厚みを変更するときは、ガイド７２、ガイド８０の厚み全体を変更する必要はなく、貫通部５１に面する部分のみの厚みを変更するだけでよい。

めっき電極においては、アノードホルダ６０の前面側（角形基板Ｓ１と対向する側）には、アノード６２の一部を遮蔽するアノードマスク６４が設けられる。アノードマスク６４は、アノード６２と角形基板Ｓ１との間の電気力線を通過させる開口を有する。アノードマスク６４は、ガイド７８に対して脱着可能である。アノードマスク６４と、遮蔽板７４は、開口部があるかないかという点で異なり、別々の形状を有するように見える。しかし、同一形状の遮蔽板７４を用いることもできる。この点で、遮蔽板７４は、遮蔽板７０と類似の構造を有することができる。

めっき電極においては、基板ホルダ１１の前面側（アノード６２と対向する側）には、遮蔽板７６が設けられる。めっき電極にある遮蔽板７６と、非めっき電極にある遮蔽板７６は、開口部があるかないかという点で異なり、別々の形状を有するように見える。しかし、同一形状の遮蔽板７６を用いることもできる。この点で、遮蔽板７４は、遮蔽板７０と類似の構造を有することができる。

基板ホルダ１１に設けられたガイド７８について、次に、図６により説明する。なお、アノードホルダ６０のガイド７８やレギュレーションプレート５０のガイド７２も同様の構造である。図６は、基板ホルダ１１に設けられたガイド７８を示す正面図である。シャッター式の遮蔽板７６を差し込めるガイド７８が、基板ホルダ１１の外面に設置される。ガイド７８は、角形基板Ｓ１の左右に配置される。図６では、ガイド７８を個別に識別するために、ガイド７８に対して個々に、７８１〜７８８までの参照符号を付してある。本実施形態では、ガイド７８１，７８２，７８３，７８４により、１枚の遮蔽板７６がガイドされ、ガイド７８５，７８６，７８７，７８８により、別の１枚の遮蔽板７６がガイドされる。すなわち、シャッター式の遮蔽板７６は、角形基板Ｓ１の列ごとに一枚ずつ挿入される。基板ホルダ１１の外面の最下部には、遮蔽板７６が落下することを防止するためのストッパ８４を設置してある。１枚の遮蔽板７６に対して、２個のストッパ８４を設けてある。

図７に、ガイド７８の周辺における基板ホルダ１１の構造の詳細を示す。図７（ａ）は、めっき電極における基板ホルダ１１の構造の詳細を示し、図５のＢ部の拡大図である。図７（ｂ）は、非めっき電極における基板ホルダ１１の構造の詳細を示し、図５のＣ部の拡大図である。基板ホルダ１１は、角形基板Ｓ１の表面に接触する電気接点８６を有する。角形基板Ｓ１を基板ホルダ１１が保持したとき、この電気接点８６は、角形基板Ｓ１の対向する二辺、あるいは外周４辺に沿って設けられる、図３に示す接点位置ＣＰ１に接触
するように構成される。

電気接点８６及び接点位置ＣＰ１をめっき液Ｑから絶縁するために、シール８８が、基板ホルダ１１の土手部９０に設置されている。土手部９０は、基板ホルダ１１に取り付けられている。シール８８により、電気接点８６及び接点位置ＣＰ１は、基板ホルダ１１の内部に密閉される。ガイド７８と土手部９０との間には、差込口９８が設けられている。差込口９８は空間を有し、この空間に、遮蔽板７６が差し込まれて、遮蔽板７６が保持される。

なお、めっき電極においては、角形基板Ｓ１への電流を制御するスイッチ９４はＯＮであり、非めっき電極においては、角形基板Ｓ１への電流を制御するスイッチ９４はＯＦＦである。電流の流れる向きを示す矢印９６は、電子の流れる向きを示す。

次に、シャッター式遮蔽板である遮蔽板７６（基板用）、遮蔽板７４（アノード用），遮蔽板７０（レギュレーションプレート５０用）の構造について、図８により説明する。図８は、遮蔽板の正面図である。遮蔽板７６（基板用）、遮蔽板７４（アノード用），遮蔽板７０（レギュレーションプレート５０用）は、形状、開口の有無について同様の構造を有する。図８（ａ）は、開口なしの例である。例えば、図６の列方向の位置１０２、位置１０４に角形基板Ｓ１が配置されず、位置１０２、位置１０４にダミー基板６８が配置されるときに用いられる遮蔽板７６、遮蔽板７４，遮蔽板７０の形状である。

図８（ｂ）は、一部に開口１０６ありの例である。図６の位置１０２に角形基板Ｓ１が配置され、位置１０４にダミー基板６８が配置されるときに用いられる遮蔽板７６、遮蔽板７４，遮蔽板７０の形状である。図８（ｃ）は、全てが開口１０６である例を示す。図６の位置１０２、位置１０４にダミー基板６８が配置されず、位置１０２、位置１０４に角形基板Ｓ１が配置されるときに用いられる遮蔽板７６、遮蔽板７４，遮蔽板７０の形状である。

開口１０６のサイズは、例えば、以下のように設定される。角形基板Ｓ１の前面に配置される遮蔽板７６の場合、開口１０６のサイズは、角形基板Ｓ１と同じサイズである。アノード６２の前面に配置される遮蔽板７４の場合、開口１０６のサイズは、任意に設定することができ、アノードマスクの外径と同じサイズである。貫通部５１の両側に配置される遮蔽板７０の場合、開口１０６のサイズは、任意に設定することができる。例えば、角形基板Ｓ１側の遮蔽板７０の場合、開口１０６のサイズは、角形基板Ｓ１に、どのようなめっき厚さの分布を作成したいか等に依存する。

次に、図９、図１０により、開口１０６のサイズが調整できる実施例を示す。遮蔽板７６、遮蔽板７４，遮蔽板７０のいずれに対しても、開口１０６のサイズが調整できる実施例を適用できる。遮蔽板７０を例に説明する。めっき電極に対応する位置のレギュレーションプレート５０（第１の遮蔽部）にある遮蔽板７０は、閉鎖部８２に、開口１０６（開口部）を形成できる開口形成機構１０８を有する。貫通部を閉鎖するときは、開口形成機構１０８により開口１０６を閉鎖する。

非めっき電極に対応する位置のレギュレーションプレート５０（第２の遮蔽部）は、遮蔽板７０を有し、この遮蔽板７０は、貫通部５１の開口面積を調整する調整機構を有し、調整機構は、貫通部５１を閉鎖することが可能である。開口形成機構１０８と調整機構は、本実施形態では、同一の機構である。図９は、開口形成機構１０８の正面図であり、図１０は、開口形成機構１０８の動作を示す図である。図９に示すように、開口形成機構１０８は、ｘ軸方向に開閉する扉１１２と、ｙ軸方向に開閉する扉１１４とを有する。扉１１２と扉１１４は、互いに独立に開閉することができる。図９において、扉１１２の後方
に扉１１４が位置する。扉１１２と扉１１４は、遮蔽板７０に内蔵された２重の開き扉である。

図１０に示すように、開口形成機構１０８は、扉１１２を開閉するためのレバー１１６と、扉１１４を開閉するためのレバー１１８とをさらに有する。図１０（ａ）は、開口形成機構１０８の正面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡＡ断面図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のＢＢ断面図である。

レバー１１６はｘ軸方向に移動可能であり、ｘ軸方向の下端にレバー１１６があるときに、扉１１２は全閉する。ｘ軸方向の上端にレバー１１６があるときに、扉１１２は全開する。レバー１１８はｙ軸方向に移動可能であり、ｙ軸方向の左端にレバー１１８があるときに、扉１１４は全閉する。ｙ軸方向の右端にレバー１１８があるときに、扉１１４は全開する。２重の開き扉の開き幅が、レバーを動かすことで可変であり、開口サイズの調節が可能である。レバーを駆動するレバー駆動機構をめっき装置は有してもよい。レバー駆動機構をコントローラ１７５により制御することにより、開口サイズの自動調節が可能である。

扉１１２を構成する上下２枚の扉は、全開状態から全閉状態になることができる。上下２枚の扉は、矢印１２２の方向に、開口１０６の中心１２６に向かって、もしくは、矢印１２２とは反対の方向に、同じ移動量だけ、移動する。同様に、扉１１４を構成する上下２枚の扉は、全開状態から全閉状態になることができる。上下２枚の扉は、矢印１２４の方向に、開口１０６の中心１２６に向かって、もしくは、矢印１２４とは反対の方向に、同じ移動量だけ、移動する。なお、異なる量だけ移動するように設定してもよい。

なお、貫通部５１の長さには、好ましい長さがある。この点について以下説明する。図５に示すように、角形基板Ｓ１は、アノード６２と距離Ｄ１を有して互いに対向して配置されている。即ち、めっき槽３９は、極間距離Ｄ１を有する。レギュレーションプレート５０の貫通部５１は、長さＢ１を有する。レギュレーションプレート５０の貫通部５１の一端面は、角形基板Ｓ１と距離Ａ１だけ離間する。図３に示すように、基板ホルダ１１の電気接点１６は、角形基板Ｓ１の中心から距離Ｌ１だけ離間した箇所に接触する。めっき槽３９において角形基板Ｓ１にめっきをする際、極間距離Ｄ１は、角形基板Ｓ１に形成される膜厚の均一性に影響を与える。同様に、貫通部５１と角形基板Ｓ１との適切な距離Ａ１、及び貫通部５１の長さＢ１も、角形基板Ｓ１に形成される膜厚の均一性に影響を与える。図３に示すように角形基板Ｓ１の対向する二辺に給電する場合において、角形基板Ｓ１の中心から電気接点１６までの距離Ｌ１と適切な極間距離Ｄ１との間に好ましい関係性がある。同様に、角形基板Ｓ１の中心から電気接点１６までの距離Ｌ１と貫通部５１と角形基板Ｓ１との適切な距離Ａ１との間、及び角形基板Ｓ１の中心から電気接点１６までの距離Ｌ１と貫通部５１の長さＢ１との間に、好ましい関係性がある。

角形基板の基板中心と電気接点との間の距離をＬ１とし、角形基板とアノードとの間の距離をＤ１とした場合、
０．５９×Ｌ１−４３．５ｍｍ≦Ｄ１≦０．５８×Ｌ１−１９．８ｍｍ
の関係を満たすように角形基板及びアノードが前記めっき槽内に配置されることが好ましい。貫通部は、貫通部の長さをＢ１とした場合、
Ｂ１＝０．３３×Ｌ１−４３．３ｍｍ
の関係を満たすような長さを有することが好ましい。めっき装置に収納された角形基板の表面と貫通部との距離をＡ１としたとき、 Ａ１＝２０．８ｍｍ の関係を満たすことが好ましい。

次に、本発明の別の実施形態を説明する。本実施形態のめっき装置は、非めっき電極に
おけるレギュレーションプレート５０が、図５に示す遮蔽板７０を有しない。さらに、非めっき電極において、遮蔽板７４，遮蔽板７６を用いない。図５においては、これらの遮蔽板７０、７４，７６を用いて、めっき電極と非めっき電極におけるめっき液の濃度分布を、互いに独立に制御することができる。遮蔽板７０、７４，７６を用いて、めっき電極と、他のめっき電極におけるめっき液の濃度分布を、互いに独立に制御することもできる。

本発明の別の実施形態では、後述するように、めっき電極と非めっき電極におけるめっき液の存在する空間を互いに分離する。また、めっき電極と別のめっき電極におけるめっき液の存在する空間を互いに分離する。空間を互いに分離することにより、めっき電極と非めっき電極におけるめっき液の濃度分布を、互いに独立に制御することができる。同様に、めっき電極と、他のめっき電極におけるめっき液の濃度分布を、互いに独立に制御することもできる。

別の実施形態を図１１〜１５により説明する。図１１は、図１に示した処理部１２０Ｂのめっき槽３９及びオーバーフロー槽３８を示す概略縦断正面図である。基板ホルダ１１は、１個の基板を各々が保持するように構成された４個の基板ホルダ１１が、一体となって、１個の基板ホルダ１１を構成している。これに対応して、アノードホルダ６０は、１個のアノード６２を各々が保持するように構成された４個のアノードホルダ６０が、一体となって、１個のアノードホルダ６０を構成している。複数のアノード６２と複数の基板Ｓ１は、１対１に対応しており、複数のアノード６２の各々は、対応する１つの基板Ｓ１と対向して配置される。

レギュレーションプレート５０は、４個のアノードホルダの各々に対して１個設けられる４個のレギュレーションプレート５０（遮蔽部）が、一体となって、１個のレギュレーションプレート５０を構成している。遮蔽部の各々は、対応するアノードホルダ６０と基板ホルダ１１の間に設けられ、アノード６２と基板Ｓ１との間に形成される電気力線が通過できる筒状の貫通部５１を有する。図１１においては、貫通部５１は、全体で４個設けてある。

レギュレーションプレート５０は、図１１に示すように、基板ホルダ１１側の部材１３０と、アノードホルダ６０側の部材１３２を一体とした構成とすることとしてもよい。基板ホルダ１１に対向する槽３９の全面にわたって部材１３０は、基板ホルダ１１に対向している。すなわち、基板ホルダ１１側から部材１３０を見たときに、部材１３０の左端、右端、底部は、槽３９の左端、右端、底部に接触している。一方、部材１３２は、貫通空間５１を覆うために必要な厚みのみを有する。すなわち、部材１３２の左端、右端、底部は、槽３９の左端、右端、底部に接触していない。

貫通部５１の各々を形成する遮蔽部の壁部１２８のアノードホルダ側は、対応するアノード６２の外周の近傍においてアノードホルダ６０上に配置される。４個の貫通部５１の各々によって形成される４個の貫通空間５１は、互いに別箇独立である。図５に示す遮蔽板７０を、レギュレーションプレート５０の基板ホルダ１１側に設けてもよい。また、図５に示す遮蔽板７４を、レギュレーションプレート５０のアノードホルダ６０側に設けてもよい。遮蔽板７０，遮蔽板７４は、図８〜１０に示すようなものとすることができる。

図１２は、図１１に示しためっき槽３９のＡＡ断面図である。図１１は、図１２のＡＡ断面図である。複数枚の角形基板Ｓ１がめっき槽３９内にある。アノード６２も電極対として同枚数あり，角形基板Ｓ１とアノード６２は、対向する位置に配置される。

次に、図１１のめっき槽３９に、めっき液Ｑを供給するための構造について、図１３に
より説明する。図１３（ａ）は、めっき液Ｑを供給するための構造を設けた図１１に対応する図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＡ部の拡大図である。図１３（ａ）に示すように、めっき槽３９内にめっき液Ｑを供給及び循環させるために、めっき槽３９の底部にライン１３８が設置されている。めっき液Ｑは、底部から矢印１４０のように流入する。めっき槽３９内にめっき液Ｑを供給及び循環させると、部材１３２の上部に空気１３４がたまることがある。壁部１２８は、貫通部５１内の気体である例えば空気１３４を、貫通部５１から除去するための第１の貫通孔１３６を有する。オートバルブ１４２を第１の貫通孔１３６に設けもよい。そして、電場もれを防ぐため，めっき液Ｑの供給後に(すなわち、めっき中)オートバルブ１４２を閉じてもよい。

次に、図１２のめっき槽３９に、めっき液の添加剤を供給するための構造について、図１４により説明する。図１４は、添加剤を供給するための構造を設けた図１２に対応する図である。図１４に示すように、めっき槽３９の側面、及び貫通部５１の壁部１２８に、添加剤を供給するためのライン１４４が設置されている。添加剤は、側面から矢印１４０のように流入する。壁部１２８は、めっき液の添加剤を貫通部５１内に供給するための第２の貫通孔１４８を有する。

添加剤の供給は、添加剤のめっき液中の濃度調整時に行われる。これにより、めっき槽内の添加剤の濃度が不均一化することを防ぐことができる。なお、めっき電極近傍の添加剤の濃度均一化は、角形基板Ｓ１の近傍に設けたパドル４５を用いた添加剤の撹拌により行われる。パドル４５は、矢印１５０のように、図１４において左右方向に往復運動する。オートバルブ１５２を第２の貫通孔１５２に設ける。そして、電場もれを防ぐため，添加剤の供給後(すなわち循環時)にオートバルブ１５２を閉じる。

めっき装置１００は、めっき液Ｑ及び添加剤の供給量を調整する供給量調整機構１５４を有する。供給量調整機構１５４について、図１５により説明する。図１５は、供給量調整機構１５４の構成を示すブロック図である。供給量調整機構１５４は、めっき液供給ユニット１６４と、めっき槽３９に接続されたライン１３８、１４４と、ライン１３８、１４４にめっき液Ｑ及び添加剤を供給するバルブ付きのポンプ１６２とを有する。

液供給ユニット１６４は、添加剤の入っていないめっき液Ｑ、例えば硫酸銅液（VMS：Vergin Make up Solution)を収納しているＶＭＳタンク１５６と、例えば３種類の添加剤を収納している３個のタンク１５８を有する。タンク１５６は、添加剤の入っていないめっき液Ｑを収納しているユーティリティ１６０からめっき液Ｑを供給される。ユーティリティ１６０は、供給量調整機構１５４の外部に設けられている。ユーティリティ１６０とタンク１５６は、バルブ付きのポンプ１６２により接続されている。

タンク１５６とタンク１５８からのめっき液Ｑ及び添加剤は、タンク１６６に供給されて、混合される。混合されためっき液Ｑがタンク１６６から、ライン１３８を介して、めっき槽３９の底部へポンプ１６２により供給される。添加剤は、めっき時に、めっき槽３９の側面からポンプ１６２により、ライン１４４を介して、めっき槽３９に供給される。ポンプ１６２は、コントローラ１７５により自動制御してもよい。

次に、めっき回路の構成を図１６により説明する。図１６は、めっき回路の構成を示す説明図である。複数の基板の各々は、第１の直流電源から分岐した複数の第１の配線から別箇独立に第１の電流を供給され、および／または複数のアノードの各々は、第２の直流電源から分岐した複数の第２の配線から別箇独立に第２の電流を供給されることができる。さらに、複数の第１の配線の各々を流れる第１の電流は、別箇独立に制御可能である、および／または複数の第２の配線の各々を流れる第２の電流は、別箇独立に制御可能である。

図１６においては、複数の基板Ｓ１の各々は、第１の直流電源１６８から整流器１７０を介して、分岐した複数の第１の配線１７２から別箇独立に第１の電流を供給される。このことは、図５等にも示される。図５等に示すように、複数のアノード６２の各々は、第１の直流電源１６８から分岐した複数の第２の配線１７４から別箇独立に第２の電流を供給されることができる。

さらに、図１６に示すように、複数の第１の配線１７２の各々を流れる第１の電流は、スイッチ１７６により別箇独立に制御可能である。複数の第２の配線１７４の各々を流れる第２の電流は、スイッチ１７８により別箇独立に制御可能である。図１６では、３枚の角形基板Ｓ１と、１枚のダミー基板６８が、基板ホルダ１１に配置されている。３枚の角形基板Ｓ１に対応するスイッチ１７６はＯＮである。１枚のダミー基板６８に対応するスイッチ１７６はＯＦＦである。３枚の角形基板Ｓ１に対応する配線を、図１６では、ＣＨ１，ＣＨ３，ＣＨ４で示す。１枚のダミー基板６８に対応する配線を、ＣＨ２で示す。

スイッチ１７６は、プログラム制御によるＯＮ／ＯＦＦが可能である。ダミー基板６８とその対になるアノード６２の電流回路はプログラム制御でＯＦＦになる。図１６では、例として基板１，基板３，基板４にめっきを施し、ダミー基板６８にはめっきしない。このとき，ＣＨ１：ＯＮ， ＣＨ２：ＯＦＦ、ＣＨ３：ＯＮ，ＣＨ４：ＯＮである。図１６では、ＣＨ３，４に関する基板ホルダ１１上の回路は図示しない。

角形基板Ｓ１の各々に対し，左右に給電部を基板ホルダ１１は有する。アノードホルダについては、図５等に示すように、給電はアノードの中心に対してのみ行われる。角形基板Ｓ１及びアノード周辺の配線、コンタクトは、任意のものが使用できる。

図４〜６のめっき装置１００に関して、４枚の角形基板Ｓ１の同時めっきを行った例（図１７）と、３枚の角形基板Ｓ１のみをめっきした例（図１８）について、めっき膜厚の均一性を確認した。その結果、４枚めっき時（図１７）と３枚めっき時（図１８）で、膜厚の均一性がほぼ同じであることが確認できた。図１８において、ダミー基板６８とその対となるアノード６２間では電流はＯＦＦである。また、長さ１８０は、めっきが行われた領域の長さである。長さ１８２は、角形基板Ｓ１の長さである。

さらに、図１８に関して、（１）ダミー基板６８へ給電するスイッチ１７６と、その対となるアノード６２へ給電するスイッチ１７８をＯＦＦとした場合と、（２）ダミー基板６８へ給電するスイッチ１７６はＯＦＦとし、その対となるアノード６２へ給電するスイッチ１７８をＯＮとした場合について、めっき膜厚の均一性を確認した。その結果、（１）の場合は、３枚の角形基板Ｓ１の膜厚の均一性は良好であったが、（２）の場合は、３枚の角形基板Ｓ１の膜厚の均一性は、著しく低下した。従って、ダミー基板６８に関しては、ダミー基板６８への給電およびアノード６２への給電を行わないことが好ましい。

本発明の実施形態の例によれば、単一電解槽内において，複数の角形基板Ｓ１に対し，同時にめっきを行うことができる。同時にめっきを行う角形基板Ｓ１の枚数が、変化しても，処理対象のすべての角形基板Ｓ１で、一様な物理・化学的性質の金属膜を得ることができる。

開口１０６のサイズを、図９，１０に示すように調整することにより、以下のことが可能である。アノードマスク６４の開口幅を狭くすると、角形基板Ｓ１の中央部から周辺部に向かって、膜厚が薄くなる。すなわち、中央部を山の頂上とする山形の膜厚分布になる。アノードマスク６４の開口幅を広くすると、角形基板Ｓ１の中央部から周辺部に向かって、膜厚が厚くなる。すなわち、中央部を谷底とする谷形の膜厚分布になる。

遮蔽板７０の開口幅を狭くすると、角形基板Ｓ１の端部においてのみ、局所的に膜厚が他の部分より薄くなる。遮蔽板７０の開口幅を広くすると、角形基板Ｓ１の端部においてのみ、局所的に膜厚が他の部分より厚くなる。従って、単一の角形基板Ｓ１上の各領域ごとに膜厚分布を制御することができる。膜厚が基板内で変化することにより，得られた金属膜により角形基板Ｓ１自体の応力を制御することができる。これは、円形等の基板でも可能である。

実施形態では、片面にめっきする例について説明してきたが、両面にめっきすることも可能である。接点位置ＣＰ１は、角形基板Ｓ１の左右の２辺にあるとしたが、角形基板Ｓ１の１辺から４辺の間で、接点位置ＣＰ１を設けることができる。

実施形態で、めっきされる基板の表面は、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、及びこれらの任意の組み合わせから選択された材料を含み得る。これらの金属上に、めっきされる金属は、銅、ＳｎＡｇ合金、Ａｕだけでなく、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｇｅ、及びこれらの任意の組み合わせから選択された材料を含み得る。

めっき装置は、図１に示すように、上述した各部を制御するように構成されたコントローラ１７５を有する。コントローラ１７５は、所定のプログラムを格納したメモリ１７５Ｂと、メモリ１７５Ｂのプログラムを実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１７５Ａと、ＣＰＵ１７５Ａがプログラムを実行することで実現される制御部１７５Ｃとを有する。制御部１７５Ｃは、例えば、基板搬送装置２７の搬送制御、基板脱着機構２９における基板の基板ホルダへの着脱制御、基板ホルダ搬送装置３７の搬送制御、各めっき槽３９におけるめっき電流及びめっき時間の制御、並びに、各めっき槽３９に配置される遮蔽板７０，遮蔽板７４，遮蔽板７６の開口サイズの制御等を行うことができる。また、コントローラ１７５は、めっき装置及びその他の関連装置を統括制御する図示しない上位コントローラと通信可能に構成され、上位コントローラが有するデータベースとデータのやり取りをすることができる。

メモリ１７５Ｂのプログラムには、めっき装置を制御するためのコンピュータ（ＣＰＵ１７５Ａ）を、複数の第１の電流および／または複数の第２の電流のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御手段、として機能させるためのプログラムが記録されている。このプログラムは、非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えば、磁気記録媒体、フラッシュメモリ等に記録されている。ここで、メモリ１７５Ｂを構成する記憶媒体は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体としては、コンピュータで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。

本発明は、カップ型のめっき槽内にめっき液を連続的に供給して、めっき液とウェハとを接触させるカップ式めっき装置にも適用できる。この実施形態について図１９，２０により説明する。図１９は、基板ホルダ１８４に保持された角形基板Ｓ１と、ダミー基板６８をアノード側から見た図である。図２０は、基板ホルダ１８４とアノードとの間に配置されるレギュレーションプレート５０を示す。カップ型のめっき槽では、基板ホルダ１８４は、例えば４枚の基板を保持可能な構成である。４枚の基板のそれぞれに対して独立に給電可能である。４枚の基板それぞれに対向するめっき槽の４つの領域は、レギュレーションプレート５０で分割されて、区画されている。レギュレーションプレート５０は、貫通部５１を有するが、ダミー基板６８に対向する位置にある貫通部５１は、遮蔽板７０により閉鎖されている。

本発明の既述の実施形態によれば、今後要求されることが想定される既述の高いめっき品質の少なくとも一部を実現・達成しながら、さらに、複数の基板をめっきするめっき装置を提供できる。また、単一電解槽内において，複数基板に対し，同時にめっきを行い，同時に処理される処理枚数が変化した場合であっても、めっきすべきすべての基板対して一様な物理的（膜厚等）・化学的性質の金属膜を施すめっき装置を提供できる。また、単一電解槽内において，複数基板に対し，同時にめっきを行い，各基板ごとに独立に膜厚分布を制御可能なめっき装置を提供できる。

以上、本発明の実施形態の例について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

１１…基板ホルダ
５１…貫通部
６０…アノードホルダ
６８…ダミー基板
７０…遮蔽板
７４…遮蔽板
７６…遮蔽板
８２…閉鎖部
１３６…第１の貫通孔
１４８…第２の貫通孔

Claims (16)

1. １個の基板を各々が保持可能なように構成された複数の基板ホルダと、
   １個のアノードを各々が保持可能なように構成された複数のアノードホルダであって、前記複数のアノードと前記複数の基板は、１対１に対応しており、前記複数のアノードの各々は、対応する前記基板と対向して配置されるように構成されたアノードホルダと、
   対応する前記アノードと前記基板との間に１個ずつ設けられる複数の第１の遮蔽部であって、前記第１の遮蔽部の各々は、前記対応するアノードと前記対応する基板との間に形成される電気力線が通過できる筒状の貫通部を有し、前記貫通部が前記対応するアノードと前記対応する基板との間の電場を調整するように構成された第１の遮蔽部とを有する、めっき装置。
2. 前記複数の第１の遮蔽部のうちの少なくとも１つは、前記貫通部を閉鎖するための第２の遮蔽部を有し、前記第２の遮蔽部により、保持可能な前記アノードと保持可能な前記基板との間に形成される前記電気力線が通過できないように構成された閉鎖部であり、
   前記複数の第１の遮蔽部のうちの他の少なくとも１つは、前記第２の遮蔽部を有しない、請求項１記載のめっき装置。
3. 前記第２の遮蔽部は、前記貫通部の、前記基板ホルダ側と前記アノードホルダ側に、それぞれ配置された第３の遮蔽部を有する、請求項２記載のめっき装置。
4. 前記第２の遮蔽部は、前記閉鎖部に対して脱着可能である、請求項２または３記載のめっき装置。
5. 前記第２の遮蔽部は、前記第２の遮蔽部に開口部を形成できる開口形成機構を有し、前記貫通部を閉鎖するときは、前記開口形成機構により前記開口部を閉鎖する、請求項２ないし４のいずれか１項に記載のめっき装置。
6. 前記第１の遮蔽部は、前記貫通部の開口面積を調整する調整機構を有し、前記調整機構は、前記貫通部を閉鎖することが可能である、請求項１記載のめっき装置。
7. 前記閉鎖部が設けられている前記アノードホルダは、当該アノードホルダが保持可能な前記アノードと当該閉鎖部との間に設けられた第４の遮蔽部を有し、前記第４の遮蔽部は、当該アノードと前記基板との間に形成される前記電気力線が通過できないように構成され、および／または前記閉鎖部が設けられている前記基板ホルダは、当該基板ホルダが保持可能な当該基板と当該閉鎖部との間に設けられた第４５の遮蔽部を有し、前記第５の遮蔽部は、前記アノードと前記基板との間に流れ得る前記電流が通過できないように構成される、請求項２ないし５のいずれか１項に記載のめっき装置。
8. １個の基板を各々が保持するように構成された複数の基板ホルダと、
   １個のアノードを各々が保持するように構成された複数のアノードホルダであって、前記複数のアノードと前記複数の基板は、１対１に対応しており、前記複数のアノードの各々は、対応する１つの前記基板と対向して配置されるように構成されたアノードホルダと、
   前記アノードホルダの各々に対して１個設けられる複数の遮蔽部であって、前記遮蔽部の各々は、対応する当該アノードホルダと前記基板ホルダの間に設けられ、前記アノードと前記基板との間に形成される電気力線が通過できる筒状の貫通部を有するように構成された複数の遮蔽部と、を有し、
   前記貫通部の各々を形成する前記遮蔽部の壁部の前記アノードホルダ側は、対応する前記アノードの外周の近傍において前記アノードホルダ上に配置され、前記貫通部の各々に
   よって形成される貫通空間が互いに別箇独立である、めっき装置。
9. 前記壁部は、前記貫通部内の気体を、前記貫通部から除去するための第１の貫通孔を有する、請求項８記載のめっき装置。
10. 前記壁部は、めっき液の添加剤を前記貫通部内に供給するための第２の貫通孔を有する、請求項８または９記載のめっき装置。
11. 前記添加剤の供給量を調整する供給量調整機構を有する、請求項１０記載のめっき装置。
12. 前記複数の基板ホルダは一体化しており、および／または前記複数のアノードホルダは一体化しており、および／または前記複数の第１の遮蔽部は一体化している、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のめっき装置。
13. 前記複数の基板ホルダは一体化しており、および／または前記複数のアノードホルダは一体化しており、および／または前記複数の遮蔽部は一体化している、請求項８ないし１１のいずれか１項に記載のめっき装置。
14. 前記複数の基板の各々は、第１の直流電源から分岐した複数の第１の配線から別箇独立に第１の電流を供給され、および／または前記複数のアノードの各々は、第２の直流電源から分岐した複数の第２の配線から別箇独立に第２の電流を供給される、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のめっき装置。
15. 前記複数の第１の配線の各々を流れる前記第１の電流は、別箇独立に制御可能である、および／または前記複数の第２の配線の各々を流れる前記第２の電流は、別箇独立に制御可能である、請求項１４記載のめっき装置。
16. 請求項１４または１５に記載のめっき装置を制御するためのコンピュータを、前記複数の第１の電流および／または前記複数の第２の電流のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御手段、として機能させるためのプログラムが記録された非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

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