TW201905248A - 鍍覆裝置及非暫時性電腦可讀存儲介質 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種鍍覆裝置及非暫時性電腦可讀存儲介質，鍍覆裝置實現設想今後將需求的高鍍覆品質的至少一部分，並且進而對多個基板進行鍍覆。 鍍覆裝置具有可保持多個基板的基板固持器、及可保持多個陽極的陽極固持器。多個陽極各自是與對應的基板相向地配置。將調節板設於陽極固持器、與和此陽極固持器對應的基板固持器之間。調節板具有在陽極與基板之間流動的電流能穿過的筒狀的貫穿部。針對虛設基板，在陽極固持器、與和此陽極固持器對應的基板固持器之間設有封閉部。封閉部中，可在可保持的陽極與可保持的基板之間流動的電流無法穿過。

Description

鍍覆裝置及非暫時性電腦可讀存儲介質

本發明是關於一種鍍覆裝置。

以前，一直進行在半導體晶片或印刷基板等基板的表面形成配線或凸塊（突起狀電極）等的操作。關於形成此配線及凸塊等的方法，電解電鍍法已為人所知。

電解電鍍法鍍覆裝置中，通常對例如具有300 mm的直徑的晶片等圓形基板進行鍍覆處理。然而，近年來不限於此種圓形基板，從效費比（cost-effective）的觀點來看，半導體市場上方形基板的需求增加，要求對方形基板進行清洗、研磨或鍍覆等。

鍍覆裝置具有鍍覆槽，在此鍍覆槽內例如收容有保持基板的基板固持器、保持陽極的陽極固持器、及調節板（regulation plate，遮蔽板）等。日本專利特開2016-160521號所記載的現有的半導體基板用鍍覆裝置中，基板尺寸相對較大，並未設想對多個基板同時進行處理。但是，近年來形成在基板上的晶片（chip）的尺寸微細化，正推進三維封裝技術等晶片的多層構造化的技術開發。另外，擴散型（Fan-out）技術（在超過晶片面積的廣泛區域中形成再配線層的技術）出現，另外物聯網（The Internet of things，IoT）技術進一步進展，由此設想進一步需求具有多樣構造的晶片等高度的封裝技術。對設於多種、多樣的基板上的通道（via）、淺槽（trench）、通孔（through hole）等進行鍍覆、成膜的需求也不斷高漲。尤其關於對縱橫比高的通道的填埋性能或鍍覆速度，可認為電解電鍍技術與無電解電鍍技術等相比具有優越性。

跟隨此種技術的潮流，往後以下技術在今後將變得重要：不使產率（through-put）降低，另外，對具有各不相同的特徵的尺寸相對較小的多樣基板同時進行電解電鍍。然而，在需求鍍覆的膜厚管理等高品質管理的對半導體基板的鍍覆技術中，迄今為止以下技術尚不存在：實現設想今後將需求的所述高品質，並且同時對多個基板進行鍍覆。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2016-160521號公報

[發明所要解決的問題] 本發明的一形態是為了消除所述問題點中的一個而成，其目的在於提供一種鍍覆裝置，此鍍覆裝置實現設想今後將需求的所述高鍍覆品質的至少一部分，並且進而對多個基板進行鍍覆。

[解決問題的技術手段] 為了解決所述課題，第一形態中採用如下鍍覆裝置等構成，此鍍覆裝置具有：多個基板固持器，以各自可保持一個基板的方式構成；多個陽極固持器，以各自可保持一個陽極的方式構成，且所述多個陽極與所述多個基板以一對一而對應，所述多個陽極各自是以與對應的所述基板相向地配置的方式構成；多個第一遮蔽部，逐個設於對應的所述陽極與所述基板之間，且所述第一遮蔽部各自是以具有形成於所述對應的陽極與所述對應的基板之間的電力線能穿過的筒狀的貫穿部，並且所述貫穿部調整所述對應的陽極與所述對應的基板之間的電場的方式構成。

本實施形態中，以筒狀的貫穿部調整對應的陽極與對應的基板之間的電場的方式構成。以前，在一個鍍覆槽內對多個基板進行鍍覆的情況下，若處理片數變化，則無法形成均一的電流電力線。本實施形態中，設有以調整電場的方式構成的第一遮蔽部，因此即便處理片數變化，在與同時進行處理的多個基板對應的多個貫穿部中，電流電力線的分佈也均一。因此，能提供即便在處理片數變化的情況下，也對需鍍覆的所有基板施加與以前相比物理性質、化學性質均一的金屬膜的鍍覆裝置。能提供實現設想今後將需求的所述高鍍覆品質的至少一部分，並且進而對多個基板進行鍍覆的鍍覆裝置。此外，所謂物理性質、化學性質，是指基板的金屬膜的膜厚、化學物質組成、表面形態、密度。所謂物理性質、化學性質均一，是指一個基板內的各部位的物理性質、化學性質的基板內分佈在所有處理基板間相同。

第二形態中採用技術方案1所述的鍍覆裝置的構成，其中所述多個第一遮蔽部中的至少一個為封閉部，此封閉部是以具有用於封閉所述貫穿部的第二遮蔽部，並且利用所述第二遮蔽部使形成於可保持的所述陽極與可保持的所述基板之間的所述電力線無法穿過的方式構成，所述多個第一遮蔽部中的至少另一個不具有所述第二遮蔽部。

本實施形態中，針對未配置需鍍覆基板的基板固持器及陽極固持器，設置封閉部。利用封閉部使電力線無法穿過。對於形成於配置有需鍍覆基板的基板固持器及陽極固持器之間的電力線而言，由於存在封閉部，因此減少電力線穿過封閉部、即向封閉部洩漏的情況。

現有技術的情況下，在基板與陽極之間並無封閉部而僅為貫穿部。穿過貫穿部的電力線受到穿過基板的某個貫穿部和此貫穿部以外的電力線的影響。因此，假設在一個鍍覆槽內對多個基板進行鍍覆的情況下，穿過基板的某個貫穿部的電力線受到穿過其他貫穿部的電力線的影響。即，穿過貫穿部的電力線視基板的某個貫穿部與其他貫穿部處於何種位置關係而變化。另外，在一個鍍覆槽內對多個基板進行鍍覆的情況下，若處理片數變化，則無法形成均一的電力線。本實施形態中，由於設有封閉部，因此即便處理片數變化，在與同時進行處理的多個基板對應的多個貫穿部中，電力線的分佈也均一。因此，能提供即便在處理片數變化的情況下，也對需鍍覆的所有基板施加與以前相比物理性質、化學性質均一的金屬膜的鍍覆裝置。

另外，本實施形態中，除了具有封閉部以外，使用筒狀的貫穿部。因此，貫穿部各自相互的電力線的影響少，獨立性高。能提供在單一電解槽內對多個基板同時進行鍍覆，且可對各基板控制膜厚分佈的鍍覆裝置。

第三形態中採用如下鍍覆裝置的構成：所述第二遮蔽部具有分別配置於所述貫穿部的所述基板固持器側和所述陽極固持器側的第三遮蔽部。

第四形態中採用如下鍍覆裝置的構成：可對所述封閉部裝卸所述第二遮蔽部。

第五形態中採用如下鍍覆裝置的構成：所述第二遮蔽部具有能在所述第二遮蔽部中形成開口部的開口形成機構，在封閉所述貫穿部時，利用所述開口形成機構封閉所述開口部。

第六形態中採用如下鍍覆裝置的構成：所述第一遮蔽部具有調整所述貫穿部的開口面積的調整機構，且所述調整機構可封閉所述貫穿部。

第七形態中採用如下鍍覆裝置的構成：設有所述封閉部的所述陽極固持器具有設於此陽極固持器可保持的所述陽極與此封閉部之間的第四遮蔽部，且所述第四遮蔽部是以形成於此陽極與所述基板之間的所述電力線無法穿過的方式構成，以及/或者設有所述封閉部的所述基板固持器具有設於此基板固持器可保持的此基板與此封閉部之間的第五遮蔽部，所述第五遮蔽部是以形成於所述陽極與所述基板之間的所述電力線無法穿過的方式構成。

第八形態中採用如下鍍覆裝置的構成，此鍍覆裝置具有：多個基板固持器，以各自保持一個基板的方式構成；多個陽極固持器，以各自保持一個陽極的方式構成，且所述多個陽極與所述多個基板以一對一而對應，所述多個陽極各自是以與對應的一個所述基板相向地配置的方式構成；以及多個遮蔽部，針對所述陽極固持器各自設置一個，且所述遮蔽部各自是以設於對應的此陽極固持器與所述基板固持器之間，並且具有形成於所述陽極與所述基板之間的電力線能穿過的筒狀的貫穿部的方式構成；且形成所述貫穿部各自的所述遮蔽部的壁部的所述陽極固持器側是在對應的所述陽極的外周附近配置於所述陽極固持器上，由所述貫穿部各自所形成的貫穿空間彼此分別獨立。

本實施形態中，筒狀的貫穿空間彼此分別獨立，各基板被遮蔽部分別包圍。因此，貫穿部各自相互的電力線的影響少，獨立性高。能提供在單一電解槽內對多個基板同時進行鍍覆，且可對各基板分別控制膜厚分佈的鍍覆裝置。由於獨立性高，因此即便處理片數變化，對於同時進行處理的多個基板而言，電力線的分佈也均一。能提供即便在處理片數變化的情況下，也對需鍍覆的所有基板施加物理性質、化學性質均一的金屬膜的鍍覆裝置。

第九形態中採用如下鍍覆裝置的構成：所述壁部具有用於將所述貫穿部內的氣體從所述貫穿部中去除的第一貫穿孔。

第十形態中採用如下鍍覆裝置的構成：所述壁部具有用於將鍍覆液的添加劑供給於所述貫穿部內的第二貫穿孔。

第十一形態中採用如下鍍覆裝置的構成：具有調整所述添加劑的供給量的供給量調整機構。

第十二形態中採用如下鍍覆裝置的構成：所述多個基板固持器一體化，以及/或者所述多個陽極固持器一體化，以及/或者所述多個第一遮蔽部一體化。

第十三形態中採用如下鍍覆裝置的構成：所述多個基板固持器一體化，以及/或者所述多個陽極固持器一體化，以及/或者所述多個遮蔽部一體化。

第十四形態中採用如下鍍覆裝置的構成：從自第一直流電源分支的多根第一配線分別獨立地將第一電流供給於所述多個基板各自，以及/或者從自第二直流電源分支的多根第二配線分別獨立地將第二電流供給於所述多個陽極各自。

第十五形態中採用如下鍍覆裝置的構成：流經所述多根第一配線各自的所述第一電流可分別獨立地控制，以及/或者流經所述多根第二配線各自的所述第二電流可分別獨立地控制。

第十六形態中採用如下非暫時性電腦可讀存儲介質的構成，所述非暫時性電腦可讀存儲介質記錄有用於使電腦作為控制所述多個第一電流及/或所述多個第二電流的接通/斷開（ON/OFF）的控制機構而發揮功能的程式，所述電腦用於控制第十四形態或第十五形態的鍍覆裝置。

以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。此外，以下的各實施形態中，對相同或相應構件標注相同符號而省略重複說明。圖1為本實施形態的鍍覆裝置的總體配置圖。如圖1所示那樣，此鍍覆裝置100大致分為在基板固持器上裝載方形基板或從基板固持器上卸載方形基板的裝載/卸載部110、對方形基板進行處理的處理部120、以及清洗部20。處理部120還包含進行方形基板的前處理及後處理的前處理、後處理部120A以及對方形基板進行鍍覆處理的鍍覆處理部120B。鍍覆裝置100的裝載/卸載部110、處理部120以及清洗部20分別被各自的框體（frame）包圍。此外，本發明不限於方形基板，也能應用於圓形基板等任意形狀的基板。

裝載/卸載部110具有兩台承載盒台（cassette table）25及基板裝卸機構29。承載盒台25搭載收納有方形基板的承載盒（cassette）25a。基板裝卸機構29是以對未圖示的基板固持器裝卸方形基板的方式構成。另外，在基板裝卸機構29的附近（例如下方）設有用於收容基板固持器的儲倉（stocker）30。在這些單元25、單元29、單元30的中央，配置有在這些單元間搬送方形基板的由搬送用機器人構成的基板搬送裝置27。基板搬送裝置27是以可利用移動機構28而移動的方式構成。

清洗部20具有對鍍覆處理後的方形基板進行清洗並加以乾燥的清洗裝置20a。基板搬送裝置27是以將鍍覆處理後的方形基板搬送至清洗裝置20a，並將經清洗及乾燥的方形基板從清洗裝置20a中取出的方式構成。

前處理、後處理部120A具有預濕（pre-wet）槽32、預浸泡（pre-soak）槽33、預淋洗（pre-rinse）槽34、吹氣槽35及淋洗槽36。預濕槽32中，將方形基板浸漬在純水中。預浸泡槽33中，將形成於方形基板表面的籽晶層等導電層的表面的氧化膜蝕刻去除。預淋洗槽34中，利用清洗液（純水等）將預浸泡後的方形基板與基板固持器一起清洗。吹氣槽35中，進行清洗後的方形基板的除液。淋洗槽36中，利用清洗液將鍍覆後的方形基板與基板固持器一起清洗。預濕槽32、預浸泡槽33、預淋洗槽34、吹氣槽35、淋洗槽36是依次配置。

鍍覆處理部120B具有具備溢流（over flow）槽38的多個鍍覆槽39。各鍍覆槽39於內部收納多個方形基板，使方形基板浸漬在內部所保持的鍍覆液中並對方形基板的表面進行鍍銅等鍍覆。此處，鍍覆液的種類並無特別限定，可根據用途而使用各種鍍覆液。

鍍覆裝置100具有基板固持器搬送裝置37，此基板固持器搬送裝置37位於所述各設備的側方，在這些各設備之間將基板固持器與方形基板一起搬送，採用例如線性馬達（linear motor）方式。此基板固持器搬送裝置37是以在與基板裝卸機構29、預濕槽32、預浸泡槽33、預淋洗槽34、吹氣槽35、淋洗槽36及鍍覆槽39之間搬送基板固持器的方式構成。

圖2為圖1所示的鍍覆裝置中使用的基板固持器的概略平面圖。本實施形態中，能利用一個基板固持器最多保持四片基板並一次進行鍍覆。當鍍覆三片以下的基板時，在不配置基板的地方配置虛設（dummy）基板或絕緣板。本實施形態中，可想到保持一片基板的多個（四個）基板固持器一體化。與此對應，多個陽極固持器一體化，且如下文將述那樣第一遮蔽部與第二遮蔽部一體化。

圖3為圖2所示的基板固持器所保持的方形基板中的一片方形基板的概略平面圖。本實施形態中，能將相同形狀、相同尺寸的四片基板保持在一個基板固持器上，但本發明中，也可將不同形狀、不同尺寸的任意片數的基板保持在一個基板固持器上。另外，也可在一個基板固持器上保持一片以上的基板，將多個此種基板固持器分別獨立地放入到一個鍍覆槽39中，同時進行鍍覆。

如圖2所示，基板固持器11具有例如氯乙烯製且平板狀的基板固持器本體12、及連結於基板固持器本體12的臂部13。臂部13具有一對底座14，通過將底座14設置於圖1所示的各處理槽的周壁上表面，而垂直地懸吊支持基板固持器11。另外，臂部13上設有以如下方式構成的連接部15：將底座14設置於鍍覆槽39的周壁上表面時，與設於鍍覆槽39上的電接點接觸。由此，基板固持器11與外部電源電連接，對基板固持器11所保持的方形基板施加電壓、電流。

基板固持器11以圖3所示的方形基板S1的被鍍覆面露出的方式保持方形基板S1。基板固持器11具有與方形基板S1的表面接觸的未圖示的電接點。當基板固持器11保持方形基板S1時，此電接點是以如下方式構成：沿著方形基板S1的相向兩邊或外周四邊而設置，且與圖3所示的接點位置CP1接觸。此外，本實施形態中，方形基板的形狀為正方形或長方形。長方形的方形基板的情況下，電接點是以與長方形的方形基板的長邊或短邊中任意相向兩邊、或外周四邊接觸的方式構成。

使基板固持器11保持方形基板S1或虛設基板68的步驟如下。 （1）自儲倉30中將基板固持器11放置到基板裝卸機構29。 （2）從承載盒台25中取出方形基板S1。四片的情況下拿出四片基板，分別放置在基板固持器11的下側構件上。三片的情況下僅拿出三片。 （3）例如三片的情況下，從承載盒台25中取出虛設基板68，放置在基板固持器11的下側構件上的其餘一片的區域中。此外，本發明中，能同時保持在基板固持器上的基板的個數並非僅限定於四片的情況。 （4）接下來，將基板固持器11的上側構件從上方覆蓋，夾持各個基板。關於上側構件，預先設置下文將述的規定的遮蔽板76。 （5）利用基板固持器搬送裝置37，將保持有基板的基板固持器11依次運送到前處理、後處理部120A及鍍覆槽39，浸漬在鍍覆液中進行電解電鍍。 （6）鍍覆結束後，利用淋洗槽36、吹氣槽35依次清洗。然後利用基板裝卸機構29依次取下方形基板S1，將各個方形基板S1送回承載盒台25。在存在虛設基板68的情況下，將虛設基板68送回承載盒台25。從固持器取下最後的基板後，將基板固持器送回儲倉30。

圖4為表示圖1所示的處理部120B的鍍覆槽39及溢流槽38的概略縱截正面圖。如圖4所示那樣，鍍覆槽39在內部保持鍍覆液Q。在鍍覆槽39的外周具備溢流槽38，以擋住從鍍覆槽39的邊緣溢出的鍍覆液Q。在鍍覆槽39的底部43，連接有具備泵的作為鍍覆液供給路的管線138。

在鍍覆槽39中收納有保持有方形基板S1的基板固持器11。基板固持器11是以將方形基板S1以鉛垂狀態浸漬在鍍覆液Q中的方式配置在鍍覆槽39內。在鍍覆槽39內的與方形基板S1相向的位置，配置有保持在陽極固持器60上的陽極62。陽極62例如能使用含磷銅。方形基板S1與陽極62經由鍍覆電源（下文將述的第一直流電源168）而電連接，通過在方形基板S1與陽極62之間流動電流而在方形基板S1的表面形成鍍覆膜（銅膜）。

在方形基板S1與陽極62之間，配置有與方形基板S1的表面平行地往返移動而攪拌鍍覆液Q的槳45（下文將述的圖14中所示）。通過利用槳45攪拌鍍覆液Q，能將充分的銅離子均勻地供給於方形基板S1的表面。另外，在槳45與陽極62之間，配置有用於使方形基板S1整個面上的電位分佈更均勻的由電介質構成的調節板50。調節板50具有本體部52及用於使電力線穿過的貫穿部51。遍及與基板固持器11相向的槽39的整個面，調節板50與基板固持器11相向。即，在從基板固持器11朝向調節板50的方向觀察時，調節板50的左端、右端、底部分別與槽39的左端、右端、底部接觸。鍍覆液Q僅能在與方形基板S1相向的貫穿部51中穿過調節板50。

圖4、圖5的情況下，在圖2所示的可配置基板的四處中，將基板保持在右上、左下、右下三處，左上一處未配置基板。在未配置基板的一處（以下稱為「非鍍覆電極」）配置有虛設基板68（或絕緣板）。以下，將配置有方形基板S1的三處稱為「鍍覆電極」。

圖5為圖4所示的鍍覆槽39的AA截面圖。圖4為圖5的AA截面圖。圖5中省略槳45。如圖4、圖5所示那樣，與鍍覆電極對應的位置的調節板50、及與非鍍覆電極對應的位置的調節板50均具有貫穿部51。與鍍覆電極對應的位置的調節板50（第一遮蔽部）是設於陽極固持器60、與和陽極固持器60對應的基板固持器11之間，具有形成於陽極62與方形基板S1之間的電力線能穿過的筒狀的貫穿部51。貫穿部51是以調整對應的陽極與對應的基板之間的電場的方式構成。調整例如可通過如下文將述那樣調整貫穿部51的開口面積而進行。調整方法不限於調整開口面積的方法。例如，能通過將貫穿部51的開口形狀改變為圓、橢圓、多邊形等而進行調整。

與非鍍覆電極對應的位置的調節板50（封閉部）是設於陽極固持器60、與和陽極固持器60對應的基板固持器11之間，具有形成於可保持的陽極與可保持的基板之間的電力線無法穿過的封閉部82。封閉部82含有具有筒狀的貫穿形狀的貫穿部51、及用於封閉貫穿部51的擋閘式的遮蔽板70（第三遮蔽部）。遮蔽板70分別配置在貫穿部51的基板固持器側與陽極固持器側。通過兩片遮蔽板70將貫穿部封閉。

可對設於調節板50上的引導部72及引導部80裝卸遮蔽板70。即，可對調節板50裝卸遮蔽板70。圖5中，與非鍍覆電極對應的位置的遮蔽板70、和與鍍覆電極對應的位置的遮蔽板70在是否具有開口部的方面不同，看起來具有不同形狀。但是，也可使用相同形狀的遮蔽板70。下文中將包括此方面而對遮蔽板70的構造進行描述。

封閉部82中，在陽極固持器60的前表面側（與方形基板S1相向的一側）設有遮蔽陽極62的遮蔽板74（第四遮蔽部）。通過設置遮蔽板74，形成於陽極62與虛設基板68之間的電力線無法穿過。進而，封閉部82中，在基板固持器11的前表面側（與陽極62相向的一側）設有遮蔽虛設基板68的遮蔽板76（第五遮蔽部）。通過設置遮蔽板76，形成於陽極62與方形基板S1之間的電力線無法穿過。可分別對設於陽極固持器60與基板固持器11上的引導部78裝卸遮蔽板74、遮蔽板76。即，可分別對陽極固持器60與基板固持器11裝卸遮蔽板74、遮蔽板76。

引導部72、引導部80的厚度能任意變更。通過變更厚度，能調整調節板50的貫穿部51的長度B1。當變更引導部72、引導部80的厚度時，無需變更整個引導部72、引導部80的厚度，僅變更面向貫穿部51的部分的厚度即可。

鍍覆電極中，在陽極固持器60的前表面側（與方形基板S1相向的一側）設有遮蔽陽極62的一部分的陽極遮罩64。陽極遮罩64具有使陽極62與方形基板S1之間的電力線穿過的開口。可對引導部78裝卸陽極遮罩64。陽極遮罩64與遮蔽板74在是否具有開口部的方面不同，看起來具有不同形狀。但是，也能使用相同形狀的遮蔽板74。從此方面來說，遮蔽板74能具有與遮蔽板70類似的構造。

鍍覆電極中，在基板固持器11的前表面側（與陽極62相向的一側）設有遮蔽板76。位於鍍覆電極的遮蔽板76與位於非鍍覆電極的遮蔽板76在是否具有開口部的方面不同，看起來具有不同形狀。但是，也能使用相同形狀的遮蔽板76。從此方面來說，遮蔽板76能具有與遮蔽板70類似的構造。

接下來，通過圖6對設於基板固持器11上的引導部78進行說明。此外，陽極固持器60的引導部78、調節板50的引導部72也為相同構造。圖6為表示設於基板固持器11上的引導部78的正面圖。將供插入擋閘式遮蔽板76的引導部78設置於基板固持器11的外表面。引導部78配置於方形基板S1左右。圖6中，為了逐一辨別引導部78，而對引導部78分別標注781～788的參照符號。本實施形態中，利用引導部781、引導部782、引導部783、引導部784來引導一片遮蔽板76，利用引導部785、引導部786、引導部787、引導部788來引導另一片遮蔽板76。即，擋閘式遮蔽板76是針對方形基板S1的各列而逐片插入。在基板固持器11的外表面的最下部，設置用於防止遮蔽板76掉落的擋止部84。對一片遮蔽板76設置兩個擋止部84。

圖7（a）及圖7（b）示出引導部78周邊的基板固持器11的詳細構造。圖7（a）表示鍍覆電極的基板固持器11的詳細構造，為圖5的B部的放大圖。圖7（b）表示非鍍覆電極的基板固持器11的詳細構造，為圖5的C部的放大圖。基板固持器11具有與方形基板S1的表面接觸的電接點86。當基板固持器11保持方形基板S1時，此電接點86是以沿著方形基板S1的相向兩邊或外周四邊而設置，且與圖3所示的接點位置CP1接觸的方式構成。

為了將電接點86及接點位置CP1從鍍覆液Q絕緣，將封條88設置在基板固持器11的堤部（bank part）90。堤部90安裝於基板固持器11上。利用封條88將電接點86及接點位置CP1密閉在基板固持器11的內部。在引導部78與堤部90之間設有插入口98。插入口98具有空間，在此空間中插入遮蔽板76並保持遮蔽板76。

此外，鍍覆電極中，控制對方形基板S1的電流的開關94接通（ON），非鍍覆電極中，控制對方形基板S1的電流的開關94斷開（OFF）。表示電流的流動方向的箭頭96表示電子的流動方向。

接下來，通過圖8（a）～8（c）對作為擋閘式遮蔽板的遮蔽板76（基板用）、遮蔽板74（陽極用）、遮蔽板70（調節板50用）的構造進行說明。圖8（a）～8（c）為遮蔽板的正面圖。關於形狀、開口的有無，遮蔽板76（基板用）、遮蔽板74（陽極用）、遮蔽板70（調節板50用）具有相同構造。圖8（a）為無開口的示例。例如為在圖6的列方向的位置102、位置104並未配置方形基板S1，且在位置102、位置104配置有虛設基板68時所用的遮蔽板76、遮蔽板74、遮蔽板70的形狀。

圖8（b）為局部具有開口106的示例。為在圖6的位置102配置有方形基板S1，且在位置104配置有虛設基板68時所用的遮蔽板76、遮蔽板74、遮蔽板70的形狀。圖8（c）表示整個為開口106的示例。為在圖6的位置102、位置104未配置虛設基板68，且在位置102、位置104配置有方形基板S1時所用的遮蔽板76、遮蔽板74、遮蔽板70的形狀。

開口106的尺寸例如是如以下那樣設定。在配置於方形基板S1的前表面的遮蔽板76的情況下，開口106的尺寸為與方形基板S1相同的尺寸。在配置於陽極62的前表面的遮蔽板74的情況下，開口106的尺寸能任意設定，為與陽極遮罩的外徑相同的尺寸。在配置於貫穿部51兩側的遮蔽板70的情況下，開口106的尺寸能任意設定。例如，在方形基板S1側的遮蔽板70的情況下，開口106的尺寸依存於欲在方形基板S1上製作何種鍍覆厚度的分佈等。

接下來，通過圖9、圖10（a）～圖10（c）來表示能調整開口106的尺寸的實施例。對於遮蔽板76、遮蔽板74、遮蔽板70，均能應用能調整開口106的尺寸的實施例。以遮蔽板70為例進行說明。位於與鍍覆電極對應的位置的調節板50（第一遮蔽部）的遮蔽板70具有能在封閉部82形成開口106（開口部）的開口形成機構108。在封閉貫穿部時，利用開口形成機構108將開口106封閉。

與非鍍覆電極對應的位置的調節板50（第二遮蔽部）具有遮蔽板70，此遮蔽板70具有調整貫穿部51的開口面積的調整機構，調整機構能封閉貫穿部51。在本實施形態中，開口形成機構108與調整機構為相同機構。圖9為開口形成機構108的正面圖，圖10（a）～圖10（c）為表示開口形成機構108的動作的圖。如圖9所示那樣，開口形成機構108具有在x軸方向上開閉的擋板112、及在y軸方向上開閉的擋板114。擋板112與擋板114能彼此獨立地開閉。圖9中，擋板114位於擋板112的後方。擋板112與擋板114為內置在遮蔽板70中的雙層打開擋板。

如圖10（a）～圖10（c）所示那樣，開口形成機構108還具有用於開閉擋板112的操縱杆116、及用於開閉擋板114的操縱杆118。圖10（a）為開口形成機構108的正面圖，圖10（b）為圖10（a）的AA截面圖。圖10（c）為圖10（a）的BB截面圖。

操縱杆116可在x軸方向上移動，當操縱杆116位於x軸方向的下端時，擋板112全閉。當操縱杆116位於x軸方向的上端時，擋板112全開。操縱杆118可在y軸方向上移動，當操縱杆118位於y軸方向的左端時，擋板114全閉。當操縱杆118位於y軸方向的右端時，擋板114全開。雙層打開擋板的打開幅度通過移動操縱杆而可變，從而可調節開口尺寸。鍍覆裝置也可具有驅動操縱杆的操縱杆驅動機構。通過利用控制器175來控制操縱杆驅動機構，可自動調節開口尺寸。

構成擋板112的上下兩片擋板能從全開狀態成為全閉狀態。上下兩片擋板沿著箭頭122的方向朝向開口106的中心126、或沿著與箭頭122相反的方向以相同的移動量移動。同樣地，構成擋板114的左右兩片擋板能從全開狀態成為全閉狀態。左右兩片擋板沿著箭頭124的方向朝向開口106的中心126、或沿著與箭頭124相反的方向以相同的移動量移動。此外，也可設定為以不同的量移動。

此外，貫穿部51的長度存在優選長度。以下將對此方面進行說明。如圖5所示那樣，方形基板S1以距離D1與陽極62彼此相向地配置。即，鍍覆槽39具有極間距離D1。調節板50的貫穿部51具有長度B1。調節板50的貫穿部51的一端面以距離A1遠離方形基板S1。如圖5所示那樣，基板固持器11的電接點16與方形基板S1的以距離L1遠離中心的部位接觸。在鍍覆槽39中對方形基板S1進行鍍覆時，極間距離D1影響形成於方形基板S1上的膜厚的均勻性。同樣地，貫穿部51與方形基板S1的適當距離A1、及貫穿部51的長度B1也影響形成於方形基板S1上的膜厚的均勻性。在如圖5所示那樣對方形基板S1的相向兩邊供電的情況下，從方形基板S1的中心到電接點16的距離L1和適當的極間距離D1之間存在優選的關係性。同樣地，從方形基板S1的中心到電接點16的距離L1和貫穿部51與方形基板S1的適當距離A1之間、及從方形基板S1的中心到電接點16的距離L1和貫穿部51的長度B1之間存在優選的關係性。

在將方形基板的基板中心與電接點之間的距離設為L1，將方形基板與陽極之間的距離設為D1的情況下，優選以滿足 0.59×L1－43.5 mm≦D1≦0.58×L1－19.8 mm 的關係的方式將方形基板及陽極配置在所述鍍覆槽內。在將貫穿部的長度設為B1的情況下，貫穿部優選具有滿足 B1＝0.33×L1－43.3 mm 的關係那樣的長度。在將鍍覆裝置中收納的方形基板的表面與貫穿部的距離設為A1時，優選滿足A1＝20.8 mm的關係。

接下來，對本發明的另一實施形態進行說明。本實施形態的鍍覆裝置中，非鍍覆電極的調節板50不具有圖5所示的遮蔽板70。進而，非鍍覆電極處，不使用遮蔽板74、遮蔽板76。圖5中，能使用這些遮蔽板70、遮蔽板74、遮蔽板76彼此獨立地控制鍍覆電極與非鍍覆電極處的鍍覆液的濃度分佈。也能使用遮蔽板70、遮蔽板74、遮蔽板76彼此獨立地控制鍍覆電極與其他鍍覆電極處的鍍覆液的濃度分佈。

本發明的另一實施形態中，如下文將述那樣，將鍍覆電極與非鍍覆電極處的鍍覆液的存在空間彼此分離。另外，將鍍覆電極與其他鍍覆電極處的鍍覆液的存在空間彼此分離。通過將空間彼此分離，能彼此獨立地控制鍍覆電極與非鍍覆電極處的鍍覆液的濃度分佈。同樣地，也能彼此獨立地控制鍍覆電極與其他鍍覆電極處的鍍覆液的濃度分佈。

通過圖11～圖15對另一實施形態進行說明。圖11為表示圖1所示的處理部120B的鍍覆槽39及溢流槽38的概略縱截正面圖。關於基板固持器11，以各自保持一個基板的方式構成的四個基板固持器11成一體而構成一個基板固持器11。與此對應，關於陽極固持器60，以各自保持一個陽極62的方式構成的四個陽極固持器60成一體而構成一個陽極固持器60。多個陽極62與多個基板S1以一對一而對應，多個陽極62各自與對應的一個基板S1相向地配置。

關於調節板50，針對四個陽極固持器各自設置一個的四個調節板50（遮蔽部）成一體而構成一個調節板50。遮蔽部各自設於對應的陽極固持器60與基板固持器11之間，具有形成於陽極62與基板S1之間的電力線能穿過的筒狀的貫穿部51。圖11中，貫穿部51總共設有四個。

調節板50也可如圖11所示那樣，設為使基板固持器11側的構件130與陽極固持器60側的構件132成一體的構成。遍及與基板固持器11相向的槽39的整個面，構件130與基板固持器11相向。即，當從基板固持器11側觀察構件130時，構件130的左端、右端、底部與槽39的左端、右端、底部接觸。另一方面，構件132僅具有覆蓋貫穿空間51所需要的厚度。即，構件132的左端、右端、底部不與槽39的左端、右端、底部接觸。

形成各貫穿部51的遮蔽部的壁部128的陽極固持器側是在對應的陽極62的外周附近配置於陽極固持器60上。由四個貫穿部51各自所形成的四個貫穿空間51彼此分別獨立。也可將圖5所示的遮蔽板70設於調節板50的基板固持器11側。另外，也可將圖5所示的遮蔽板74設於調節板50的陽極固持器60側。遮蔽板70、遮蔽板74能設為圖8（a）～圖8（c）、圖9及圖10（a）～圖10（c）所示那樣的遮蔽板。

圖12為圖11所示的鍍覆槽39的AA截面圖。圖11為圖12的AA截面圖。多片方形基板S1位於鍍覆槽39內。陽極62也作為電極對而為相同片數，方形基板S1與陽極62是配置在相向的位置。

接下來，通過圖13（a）及圖13（b）對用於對圖11的鍍覆槽39供給鍍覆液Q的構造進行說明。圖13（a）為設有用於供給鍍覆液Q的構造的與圖11對應的圖。圖13（b）為圖13（a）的A部的放大圖。如圖13（a）所示，為了對鍍覆槽39內供給鍍覆液Q及使其迴圈，在鍍覆槽39的底部設置有管線138。鍍覆液Q如箭頭140那樣從底部流入。當對鍍覆槽39內供給鍍覆液Q及使其迴圈時，有時空氣134積存在構件132的上部。壁部128具有第一貫穿孔136，此第一貫穿孔136用於將作為貫穿部51內的氣體的例如空氣134從貫穿部51中去除。也可在第一貫穿孔136中設置自動閥142。而且，為了防止電場洩漏，也可在供給鍍覆液Q後（即鍍覆過程中）關閉自動閥142。

接下來，通過圖14對用於對圖12的鍍覆槽39供給鍍覆液的添加劑的構造進行說明。圖14為設有用於供給添加劑的構造的與圖12對應的圖。如圖14所示那樣，在鍍覆槽39的側面及貫穿部51的壁部128中，設置有用於供給添加劑的管線144。添加劑如箭頭140那樣從側面流入。壁部128具有用於將鍍覆液的添加劑供給於貫穿部51內的第二貫穿孔148。

添加劑的供給是在調整鍍覆液中的添加劑濃度時進行。由此，能防止鍍覆槽內的添加劑濃度不均。此外，鍍覆電極附近的添加劑的濃度均勻化可通過使用設於方形基板S1附近的槳45來攪拌添加劑而進行。圖14中，槳45如箭頭150那樣在左右方向上往返運動。在第二貫穿孔148中設置自動閥152。而且，為了防止電場洩漏，在供給添加劑後（即迴圈時）關閉自動閥152。

鍍覆裝置100具有調整鍍覆液Q及添加劑的供給量的供給量調整機構154。通過圖15對供給量調整機構154進行說明。圖15為表示供給量調整機構154的構成的方塊圖。供給量調整機構154具有鍍覆液供給單元164、連接於鍍覆槽39的管線138和管線144、以及對管線138和管線144供給鍍覆液Q及添加劑的帶閥的泵162。

液供給單元164具有收納有未加入添加劑的鍍覆液Q、例如硫酸銅液（基本液（Virgin Make-up Solution，VMS））的VMS儲槽156以及收納有例如三種添加劑的三個儲槽158。從收納有未加入添加劑的鍍覆液Q的公用設備（utility）160對儲槽156供給鍍覆液Q。公用設備160設於供給量調整機構154的外部。公用設備160與儲槽156通過帶閥的泵162而連接。

來自儲槽156和儲槽158的鍍覆液Q及添加劑被供給於儲槽166並混合。利用泵162，從儲槽166經由管線138向鍍覆槽39的底部供給經混合的鍍覆液Q。在鍍覆時，利用泵162從鍍覆槽39的側面經由管線144將添加劑供給於鍍覆槽39。泵162也可利用控制器175自動控制。

接下來，通過圖16對鍍覆電路的構成進行說明。圖16為表示鍍覆電路的構成的說明圖。能從自第一直流電源分支的多根第一配線分別獨立地將第一電流供給於多個基板各自，以及/或者能從自第二直流電源分支的多根第二配線分別獨立地將第二電流供給於多個陽極各自。進而，流經多根第一配線各自的第一電流可分別獨立地控制，以及/或者流經多根第二配線各自的第二電流可分別獨立地控制。

圖16中，從自第一直流電源168經由整流器170而分支的多根第一配線172，分別獨立地將第一電流供給於多個基板S1各自。這一情況也示於圖5等中。如圖5等所示那樣，能從自第一直流電源168分支的多根第二配線174將第二電流分別獨立地供給於多個陽極62各自。

進而，如圖16所示那樣，流經多根第一配線172各自的第一電流可通過開關176而分別獨立地控制。流經多根第二配線174各自的第二電流可通過開關178而分別獨立地控制。圖16中，將三片方形基板S1和一片虛設基板68配置在基板固持器11上。與三片方形基板S1對應的開關176為接通（ON）。與一片虛設基板68對應的開關176為斷開（OFF）。圖16中，以CH1、CH3、CH4表示與三片方形基板S1對應的配線。以CH2表示與一片虛設基板68對應的配線。

開關176可通過程式控制而進行接通/斷開（ON/OFF）。通過程式控制，虛設基板68與其成對的陽極62的電流電路成為斷開（OFF）。圖16中，作為示例而對基板1、基板3、基板4實施鍍覆，且不對虛設基板68實施鍍覆。此時，CH1為接通（ON），CH2為斷開（OFF），CH3為接通（ON），CH4為接通（ON）。圖16中，並未圖示與CH3、CH4有關的基板固持器11上的電路。

基板固持器11針對各方形基板S1而在左右具有供電部。關於陽極固持器，如圖5等所示那樣，僅對陽極的中心進行供電。方形基板S1及陽極周邊的配線、連接能任意使用。

關於圖4～圖6的鍍覆裝置100，針對進行四片方形基板S1的同時鍍覆的示例（圖17）、僅進行三片方形基板S1的鍍覆的示例（圖18）確認鍍覆膜厚的均勻性。結果能確認，在四片鍍覆時（圖17）與三片鍍覆時（圖18），膜厚的均勻性基本相同。圖18中，在虛設基板68與其成對的陽極62之間電流為斷開（OFF）。另外，長度180為進行了鍍覆的區域的長度。長度182為方形基板S1的長度。

進而，關於圖18，對如下情況確認鍍覆膜厚的均勻性，即，（1）將對虛設基板68供電的開關176及對其成對的陽極62供電的開關178設為斷開（OFF）的情況、及（2）將對虛設基板68供電的開關176設為斷開（OFF）且將對與其成對的陽極62供電的開關178設為接通（ON）的情況。結果，（1）的情況下，三片方形基板S1的膜厚的均勻性良好，但（2）的情況下，三片方形基板S1的膜厚的均勻性明顯降低。因此，關於虛設基板68，優選不進行對虛設基板68的供電及對陽極62的供電。

根據本發明的實施形態的示例，能在單一電解槽內對多個方形基板S1同時進行鍍覆。即便同時進行鍍覆的方形基板S1的片數變化，也能在作為處理物件的所有方形基板S1上獲得物理性質、化學性質均一的金屬膜。

通過如圖9、圖10（a）～圖10（c）所示那樣調整開口106的尺寸，可實現以下情況。若使陽極遮罩64的開口幅度變窄，則膜厚從方形基板S1的中央部朝向周邊部變薄。即，成為以中央部為山頂的山形的膜厚分佈。若使陽極遮罩64的開口幅度變寬，則膜厚從方形基板S1的中央部朝向周邊部變厚。即，成為以中央部為谷底的穀形的膜厚分佈。

若使遮蔽板70的開口幅度變窄，則膜厚僅在方形基板S1的端部局部地薄於其他部分。若使遮蔽板70的開口幅度變寬，則膜厚僅於方形基板S1的端部局部地厚於其他部分。因此，能對單一的方形基板S1上的各區域分別控制膜厚分佈。通過膜厚在基板內變化，能利用所得的金屬膜控制方形基板S1自身的應力。這一情況對於圓形等的基板來說也可實現。

實施形態中，對在單面上進行鍍覆的示例進行了說明，但也可在兩面上鍍覆。接點位置CP1是設定為位於方形基板S1的左右兩邊，但也能在方形基板S1的一邊至四邊之間設置接點位置CP1。

實施形態中，被鍍覆的基板的表面可包含選自Co、Ru、Ti、Cr、Cu及這些金屬的任意組合中的材料。鍍覆在這些金屬上的金屬不僅為銅、SnAg合金、Au，而且可包含選自Co、Ni、Ru、Sn、In、Pd、Ge及這些金屬的任意組合中的材料。

如圖1所示那樣，鍍覆裝置具有以控制上述各部的方式構成的控制器175。控制器175具有存儲有規定程式的記憶體175B、執行記憶體175B的程式的中央處理器（Central Processing Unit，CPU）175A、及通過CPU 175A執行程式而實現的控制部175C。控制部175C例如能進行以下控制：基板搬送裝置27的搬送控制，基板裝卸機構29的對基板固持器裝卸基板的控制，基板固持器搬送裝置37的搬送控制，各鍍覆槽39中的鍍覆電流及鍍覆時間的控制，以及配置在各鍍覆槽39內的遮蔽板70、遮蔽板74、遮蔽板76的開口尺寸的控制等。另外，控制器175也能以可與統一控制鍍覆裝置及其他相關裝置的未圖示的上級控制器通信的方式構成，且與上級控制器所具有的資料庫進行資料交換。

記憶體175B的程式中，記錄有用於使電腦（CPU 175A）作為控制多個第一電流及/或多個第二電流的接通/斷開（ON/OFF）的控制機構而發揮功能的程式，所述電腦用於控制鍍覆裝置。此程式是記錄在非暫時性電腦可讀存儲介質、例如磁記錄介質、快閃記憶體等中。此處，構成記憶體175B的存儲介質存儲有各種設定資料或下文將述的鍍覆處理常式等各種程式。關於存儲介質，能使用可利用電腦讀取的唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）或隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）等記憶體，或硬碟、光碟唯讀記憶體（Compact Disc Read Only Memory，CD-ROM）、數位多功能光碟唯讀記憶體（Digital Video Disc-Read Only Memory，DVD-ROM）或軟碟（flexible disk）等盤狀存儲介質等眾所周知的存儲介質。

本發明也能應用於在杯型的鍍覆槽內連續供給鍍覆液並使鍍覆液與晶片接觸的杯式鍍覆裝置。通過圖19、圖20對此實施形態進行說明。圖19為從陽極側觀察經基板固持器184保持的方形基板S1及虛設基板68的圖。圖20表示配置在基板固持器184與陽極之間的調節板50。在杯型的鍍覆槽中，基板固持器184例如為可保持四片基板的構成。可對四片基板各自獨立地供電。與四片基板各自相向的鍍覆槽的四個區域是被調節板50分割並劃分。調節板50具有貫穿部51，位於與虛設基板68相向的位置的貫穿部51被遮蔽板70封閉。

根據本發明的已述實施形態，能提供實現、達成設想今後將需求的已述高鍍覆品質的至少一部分，並且進而對多個基板進行鍍覆的鍍覆裝置。另外，能提供在單一電解槽內對多個基板同時進行鍍覆，即便在同時進行處理的處理片數變化的情況下，也對需鍍覆的所有基板施加物理性質（膜厚等）、化學性質均一的金屬膜的鍍覆裝置。另外，能提供在單一電解槽內對多個基板同時進行鍍覆，且可對各基板分別獨立地控制膜厚分佈的鍍覆裝置。

以上，對本發明的實施形態的示例進行了說明，但所述發明的實施形態是以容易理解本發明為目的，並未限定本發明。本發明當然能在不偏離其主旨的情況下進行變更、改良，並且其均等物包括在本發明內。另外，在能解決上述課題的至少一部分的範圍、或發揮至少一部分效果的範圍內，可將申請專利範圍及說明書中記載的各構成要素任意組合或省略。

11、184‧‧‧基板固持器

12‧‧‧基板固持器本體

13‧‧‧臂部

14‧‧‧底座

15‧‧‧連接部

16、86‧‧‧電接點

25‧‧‧承載盒台

25a‧‧‧承載盒

27‧‧‧基板搬送裝置

28‧‧‧移動機構

29‧‧‧基板裝卸機構

30‧‧‧儲倉

32‧‧‧預濕槽

33‧‧‧預浸泡槽

34‧‧‧預淋洗槽

35‧‧‧吹氣槽

36‧‧‧淋洗槽

37‧‧‧基板固持器搬送裝置

38‧‧‧溢流槽

39‧‧‧鍍覆槽

43‧‧‧底部

45‧‧‧槳

50‧‧‧調節板

51‧‧‧貫穿部

52‧‧‧本體部

60‧‧‧陽極固持器

62‧‧‧陽極

64‧‧‧陽極遮罩

68‧‧‧虛設基板

70、74、76‧‧‧遮蔽板

72、78、80、781～788‧‧‧引導部

82‧‧‧封閉部

84‧‧‧擋止部

88‧‧‧封條

90‧‧‧堤部

94、176、178‧‧‧開關

96、122、124、140、150‧‧‧箭頭

98‧‧‧插入口

100‧‧‧鍍覆裝置

102、104‧‧‧位置

106‧‧‧開口

108‧‧‧開口形成機構

110‧‧‧裝載/卸載部

112、114‧‧‧擋板

116、118‧‧‧操縱杆

120‧‧‧處理部

120A‧‧‧前處理、後處理部

120B‧‧‧鍍覆處理部

126‧‧‧中心

128‧‧‧壁部

130、132‧‧‧構件

136‧‧‧第一貫穿孔

134‧‧‧空氣

138、144‧‧‧管線

142、152‧‧‧自動閥

148‧‧‧第二貫穿孔

154‧‧‧供給量調整機構

156‧‧‧VMS儲槽

158、166‧‧‧儲槽

160‧‧‧公用設備

162‧‧‧泵

164‧‧‧鍍覆液供給單元

168‧‧‧第一直流電源

170‧‧‧整流器

172‧‧‧第一配線

174‧‧‧第二配線

175‧‧‧控制器

175A‧‧‧CPU

175B‧‧‧記憶體

175C‧‧‧控制部

180、182‧‧‧長度

A1、L1‧‧‧距離

B1‧‧‧長度

CH1、CH2、CH3、CH4‧‧‧配線

CP1‧‧‧接點位置

D1‧‧‧極間距離

Q‧‧‧鍍覆液

S1‧‧‧方形基板

X、Y、Z‧‧‧方向

圖1為本實施形態的鍍覆裝置的總體配置圖。 圖2為圖1所示的鍍覆裝置中使用的基板固持器的概略平面圖。 圖3為圖2所示的基板固持器所保持的方形基板的概略平面圖。 圖4為表示圖1所示的處理部的鍍覆槽及溢流槽的概略縱截正面圖。 圖5為圖4所示的鍍覆槽的截面圖。 圖6為表示設於基板固持器上的引導部的正面圖。 圖7（a）及圖7（b）為表示引導部周邊的基板固持器的詳細構造的圖。 圖8（a）～圖8（c）為遮蔽板的正面圖。 圖9為開口形成機構的正面圖。 圖10（a）～圖10（c）為表示開口形成機構的動作的圖。 圖11為表示本發明的另一實施形態的鍍覆槽及溢流槽的概略縱截正面圖。 圖12為圖11所示的鍍覆槽的截面圖。 圖13（a）及圖13（b）為設有用於供給鍍覆液的構造的與圖11對應的圖。 圖14為設有用於供給添加劑的構造的與圖12對應的圖。 圖15為表示供給量調整機構的構成的方塊圖。 圖16為表示鍍覆電路的構成的說明圖。 圖17表示進行四片方形基板的同時鍍覆的示例。 圖18表示僅鍍覆三片方形基板S1的示例。 圖19為從陽極側觀察本發明的又一實施形態的基板固持器所保持的方形基板及虛設基板的圖。 圖20表示配置於圖19所示的實施形態的基板固持器與陽極之間的調節板。

Claims (16)

1. 一種鍍覆裝置，其特徵在於包括： 多個基板固持器，以各自可保持一個基板的方式構成； 多個陽極固持器，以各自可保持一個陽極的方式構成，且所述多個陽極與所述多個基板以一對一而對應，所述多個陽極各自是以與對應的所述基板相向地配置的方式構成；以及 多個第一遮蔽部，逐個設於對應的所述陽極與所述基板之間，且所述第一遮蔽部各自是以具有形成於對應的所述陽極與對應的所述基板之間的電力線能穿過的筒狀的貫穿部，並且所述貫穿部調整對應的所述陽極與對應的所述基板之間的電場的方式構成。
2. 如申請專利範圍第1項所述的鍍覆裝置，其中所述多個第一遮蔽部中的至少一個為封閉部，所述封閉部是以具有用於封閉所述貫穿部的第二遮蔽部，且利用所述第二遮蔽部使形成於可保持的所述陽極與可保持的所述基板之間的所述電力線無法穿過的方式構成， 所述多個第一遮蔽部中的至少另一個不具有所述第二遮蔽部。
3. 如申請專利範圍第2項所述的鍍覆裝置，其中所述第二遮蔽部具備分別配置於所述貫穿部的所述基板固持器側和所述陽極固持器側的第三遮蔽部。
4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的鍍覆裝置，其中可對所述封閉部裝卸所述第二遮蔽部。
5. 如申請專利範圍第2項或第3項所述鍍覆裝置，其中所述第二遮蔽部具有能在所述第二遮蔽部中形成開口部的開口形成機構，在封閉所述貫穿部時，利用所述開口形成機構封閉所述開口部。
6. 如申請專利範圍第1項所述的鍍覆裝置，其中所述第一遮蔽部具有調整所述貫穿部的開口面積的調整機構，所述調整機構能夠封閉所述貫穿部。
7. 如申請專利範圍第2項或第3項所述的鍍覆裝置，其中設有所述封閉部的所述陽極固持器具有設於所述陽極固持器可保持的所述陽極與所述封閉部之間的第四遮蔽部，所述第四遮蔽部是以形成於所述陽極與所述基板之間的所述電力線無法穿過的方式構成，以及/或者設有所述封閉部的所述基板固持器具有設於所述基板固持器可保持的所述基板與所述封閉部之間的第五遮蔽部，所述第五遮蔽部是以可在所述陽極與所述基板之間流動的所述電力線無法穿過的方式構成。
8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的鍍覆裝置，其中所述多個基板固持器一體化，以及/或者所述多個陽極固持器一體化，以及/或者所述多個第一遮蔽部一體化。
9. 一種鍍覆裝置，其特徵在於包括： 多個基板固持器，以各自保持一個基板的方式構成； 多個陽極固持器，以各自保持一個陽極的方式構成，且所述多個陽極與所述多個基板以一對一而對應，所述多個陽極各自是以與對應的一個所述基板相向地配置的方式構成；以及 多個遮蔽部，針對所述陽極固持器各自設置一個，且所述遮蔽部各自是以設於對應的所述陽極固持器與所述基板固持器之間，並且具有形成於所述陽極與所述基板之間的電力線能穿過的筒狀的貫穿部的方式構成；且 形成所述貫穿部各自的所述遮蔽部的壁部的所述陽極固持器側是在對應的所述陽極的外周附近配置於所述陽極固持器上，由所述貫穿部各自所形成的貫穿空間彼此分別獨立。
10. 如申請專利範圍第9項所述的鍍覆裝置，其中所述壁部具有用於將所述貫穿部內的氣體從所述貫穿部中去除的第一貫穿孔。
11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的鍍覆裝置，其中所述壁部具有用於將鍍覆液的添加劑供給於所述貫穿部內的第二貫穿孔。
12. 如申請專利範圍第11項所述的鍍覆裝置，其中具有調整所述添加劑的供給量的供給量調整機構。
13. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的鍍覆裝置，其中所述多個基板固持器一體化，以及/或者所述多個陽極固持器一體化，以及/或者所述多個遮蔽部一體化。
14. 如申請專利範圍第1項或第9項所述的鍍覆裝置，其中從自第一直流電源分支的多根第一配線分別獨立地將第一電流供給於所述多個基板各自，以及/或者從自第二直流電源分支的多根第二配線分別獨立地將第二電流供給於所述多個陽極各自。
15. 如申請專利範圍第14項所述的鍍覆裝置，其中流經所述多根第一配線各自的所述第一電流可分別獨立地控制，以及/或者流經所述多根第二配線各自的所述第二電流可分別獨立地控制。
16. 一種非暫時性電腦可讀存儲介質，其特徵在於：記錄有用於使電腦作為控制所述多個第一電流及/或所述多個第二電流的接通/斷開的控制機構而發揮功能的程式，所述電腦用於控制如申請專利範圍第14項或第15項所述的鍍覆裝置。