JP2018533734A - 硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 210
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims abstract description 162
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 154
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 152
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 2
- 208000000059 Dyspnea Diseases 0.000 description 1
- 206010013975 Dyspnoeas Diseases 0.000 description 1
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 1
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 1
- 108010061951 Methemoglobin Proteins 0.000 description 1
- 208000028389 Nerve injury Diseases 0.000 description 1
- 206010037368 Pulmonary congestion Diseases 0.000 description 1
- 206010037423 Pulmonary oedema Diseases 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 230000008764 nerve damage Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000005069 pulmonary fibrosis Diseases 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 210000003437 trachea Anatomy 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
- G01N33/0037—NOx
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
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- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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Abstract
Description
1)グラフェン及びマイクロヒータプラットフォーム基板を提供し、前記グラフェンを前記マイクロヒータプラットフォーム基板に転写する。
2)表面が前記グラフェンにより被覆された前記マイクロヒータプラットフォーム基板を化学気相蒸着反応炉に配置する。
3)希ガスを用い、前記反応炉に対してガスの導入及び排出処理を実施する。
4)第1の温度において、前記反応炉内に希ガスと水素ガスを同時に導入する。
5)第2の温度において、前記反応炉内に希ガス、水素ガス及び硫黄源ガスを導入して反応させることで、前記グラフェンを硫黄ドープする。
6)硫黄源ガスの導入を停止して、水素ガス及び希ガスによる保護雰囲気下で前記反応炉を降温させる。
21 真性グラフェン
22 エッチング液
23 マイクロヒータプラットフォーム基板
24 硫黄ドープグラフェン
25 測定電極
26 ヒータ
27 PMMA
S1〜S6 ステップ
Claims (16)
- 硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法において、
グラフェン及びマイクロヒータプラットフォーム基板を提供し、前記グラフェンを前記マイクロヒータプラットフォーム基板に転写する第1のステップと、
表面が前記グラフェンにより被覆された前記マイクロヒータプラットフォーム基板を化学気相蒸着反応炉に配置する第2のステップと、
希ガスを用い、前記反応炉に対してガスの導入及び排出処理を実施する第3のステップと、
第1の温度において、前記反応炉内に希ガスと水素ガスを同時に導入する第4のステップと、
第2の温度において、前記反応炉内に希ガス、水素ガス及び硫黄源ガスを導入して反応させることで、前記グラフェンを硫黄ドープする第5のステップと、
硫黄源ガスの導入を停止して、水素ガス及び希ガスによる保護雰囲気下で前記反応炉を降温させる第6のステップと、を含むことを特徴とする硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。 - 前記第1のステップにおいて、前記グラフェンは真性グラフェンであることを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第1のステップにおいて、前記マイクロヒータプラットフォーム基板は単体のマイクロヒータプラットフォーム又はウェハレベルの基板であることを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第1のステップにおいて、前記マイクロヒータプラットフォーム基板には測定電極とヒータが設けられており、前記グラフェンは少なくとも前記測定電極を被覆することを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第1のステップにおいて、直接転写法又はPMMA法により前記グラフェンを前記マイクロヒータプラットフォーム基板に転写することを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第3のステップにおいて、前記希ガスの流量は500〜5000sccmであり、ガスの導入及び排出処理時間は2〜30分であることを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第4のステップにおいて、前記第1の温度は200〜700℃、前記水素ガスと前記希ガスによる混合ガス体の流量は100〜5000sccm、前記水素ガス及び前記希ガスの混合比率はいずれも10〜90%であることを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第5のステップにおいて、前記第2の温度は300〜900℃、前記希ガスの流量は500〜5000sccm、前記水素ガスの流量は10〜100sccm、前記硫黄源ガスの流量は0.5〜50sccm、ドープ時間は10〜50分であることを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記硫黄源ガスは、硫化水素及び硫化カルボニルのうちの一方又は双方を含むことを特徴とする請求項1及び請求項8のいずれか1項に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第5のステップにおいて、前記第1の温度から前記第2の温度まで昇温させ、前記第2の温度で5〜20分間維持してから、前記反応炉内に硫黄源ガスを導入することを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 前記第6のステップにおいて、前記希ガスの流量は50〜300sccm、前記水素ガスの流量は10〜40sccmであることを特徴とする請求項1に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法。
- 硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサにおいて、
マイクロヒータプラットフォーム基板及び硫黄ドープグラフェンを含み、
前記マイクロヒータプラットフォーム基板には測定電極とヒータが設けられており、
前記硫黄ドープグラフェンは少なくとも前記測定電極を被覆することを特徴とする硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサ。 - 前記マイクロヒータプラットフォーム基板は、第1の面及び第2の面を含み、
前記測定電極は前記第1の面に位置し、前記ヒータは前記第2の面に位置し、
前記硫黄ドープグラフェンは、前記マイクロヒータプラットフォーム基板の第1の面に位置するとともに、前記測定電極及び前記マイクロヒータプラットフォーム基板の第1の面を被覆することを特徴とする請求項12に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサ。 - 前記マイクロヒータプラットフォーム基板は単体のマイクロヒータプラットフォームであり、
前記測定電極の数及び前記ヒータの数はいずれも1つであり、且つ、前記測定電極と前記ヒータは上下に対応していることを特徴とする請求項13に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサ。 - 前記マイクロヒータプラットフォーム基板はウェハレベルの基板であり、
前記測定電極の数及び前記ヒータの数はいずれも複数であり、複数の前記測定電極及び複数の前記ヒータはそれぞれ前記第1の面及び前記第2の面にアレイ状に配置され、且つ、前記測定電極と前記ヒータは一対一で上下に対応していることを特徴とする請求項13に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサ。 - 前記測定電極は櫛型電極であることを特徴とする請求項12に記載の硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510764605.2A CN106706710A (zh) | 2015-11-11 | 2015-11-11 | 基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器及其制备方法 |
CN201510764605.2 | 2015-11-11 | ||
PCT/CN2016/070283 WO2017080104A1 (zh) | 2015-11-11 | 2016-01-06 | 基于硫掺杂石墨烯的氮氧化物气体传感器及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018533734A true JP2018533734A (ja) | 2018-11-15 |
JP6707638B2 JP6707638B2 (ja) | 2020-06-10 |
Family
ID=58694647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018524256A Active JP6707638B2 (ja) | 2015-11-11 | 2016-01-06 | 硫黄ドープグラフェンベースの窒素酸化物ガスセンサの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10908107B2 (ja) |
EP (1) | EP3376214A4 (ja) |
JP (1) | JP6707638B2 (ja) |
CN (1) | CN106706710A (ja) |
WO (1) | WO2017080104A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US11913901B2 (en) * | 2018-01-04 | 2024-02-27 | Lyten, Inc. | Analyte sensing device |
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2016
- 2016-01-06 JP JP2018524256A patent/JP6707638B2/ja active Active
- 2016-01-06 EP EP16863295.8A patent/EP3376214A4/en not_active Withdrawn
- 2016-01-06 WO PCT/CN2016/070283 patent/WO2017080104A1/zh active Application Filing
- 2016-01-06 US US15/774,007 patent/US10908107B2/en active Active
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CN104181209A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-12-03 | 电子科技大学 | 一种二氧化氮气体传感器及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3376214A4 (en) | 2019-09-25 |
WO2017080104A1 (zh) | 2017-05-18 |
US10908107B2 (en) | 2021-02-02 |
JP6707638B2 (ja) | 2020-06-10 |
US20210102910A1 (en) | 2021-04-08 |
CN106706710A (zh) | 2017-05-24 |
EP3376214A1 (en) | 2018-09-19 |
US20180328874A1 (en) | 2018-11-15 |
US11493468B2 (en) | 2022-11-08 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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