JP2018530799A - バースト許容判定帰還等化 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1のデータビットシーケンスは、ビット時間間隔の第1のシーケンス中に、信号受信機の記憶素子にシフトされ、メモリアクセスコマンドは、第2のデータビットシーケンスが、ビット時間間隔の第2のシーケンス中に信号受信機内で受信されることになることを示す。シフトレジスタ記憶素子の内容は、1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかに依存して、所定のシードビットセットで、条件付きで上書きされる。シフトレジスタ記憶素子の内容に少なくとも部分的に基づいて生成された等化信号は、第2のデータビットシーケンスにおける1つ又は複数のビットを表すそれぞれの信号レベルを調整するために用いられる。
【選択図】 図1
Description
本出願は、これによって、次の米国仮特許出願、即ち2015年7月28日出願で「メモリシステム用のバーストモード受信判定帰還等化(Burst-Mode Receive Decision Feedback Equalization for Memory Systems)」なる名称の米国仮特許出願第62/197,799号、及び2016年3月7日出願で「バースト許容判定帰還等化(Burst-Tolerant Decision Feedback Equalization)」なる名称の米国仮特許出願第62/304,834号のそれぞれの優先権を主張し、且つそれらのそれぞれを参照によって援用する。
本開示は、集積回路装置間で伝達される信号の等化に関する。
判定帰還等化器(「DFE」)は、前に送信されたシンボルに対するシグナリングチャネル応答を予測し、且つ一般に調整された信号レベルの形で、予測応答をデジタル「判定」回路に帰還させるために、高速チップ間シグナリングシステムにおいて用いられることが多い。今度は、デジタル判定回路が、DFEで調整された信号レベルをデジタルサンプルに分解する。
本明細書で開示される様々な実施形態は、添付の図面の図において、限定としてではなく例として示され、それらの図面において、同様の参照数字は、同様の要素を指す。
本明細書で開示される様々な実施形態において、バースト送信プロファイルにもかかわらず、判定帰還等化器(DFE)の動的シーディングを可能にし、それによりDFEで改善されたシグナリング性能(例えば、マージンの増加、ビット誤り率(BER)の低下、及び/又はより高いシグナリング周波数)を達成するために、バースト送信間のギャップが、検出され測定される。以下で説明される多くの実施形態において、かかる「バースト許容」又は「バーストモード」判定帰還等化は、メモリシステム又はメモリサブシステムの双方向データシグナリングインターフェースの片側又は両側に展開されるが、しかし開示される技術、回路及び原理は、バーストトラフィックが存在する状態で、判定帰還等化から利益を得ることが可能なあらゆるシグナリングシステム又は文脈に拡張されてもよい。
Claims (23)
- 集積回路装置内の動作方法であって、
ビット時間間隔の第1のシーケンス中に、第1のデータビットシーケンスをシフトレジスタの記憶素子にシフトすることと、
第2のデータビットシーケンスが、ビット時間間隔の第2のシーケンス中に、外部データシグナリング経路を介して、前記集積回路装置内で受信されることになることを示すメモリアクセスコマンドを受信することと、
前記メモリアクセスコマンドと先行するメモリアクセスコマンドとの間の時間的なオフセットに少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定することと、
1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生する場合に、所定のシードビットセットで前記シフトレジスタ記憶素子の内容に上書きすることと、
前記シフトレジスタ記憶素子の内容に少なくとも部分的に基づいて、複数の等化信号を生成することと、
前記複数の等化信号に基づいて、前記第2のデータビットシーケンスの1つ又は複数のビットを表すそれぞれの信号レベルを調整することと、
を含む方法。 - 前記第1のデータビットシーケンスが、ビット時間間隔の前記第1のシーケンス中に、前記外部データシグナリング経路を介して受信されたことを前記先行するメモリアクセスコマンドが示し、前記シフトレジスタ記憶素子への前記第1のデータビットシーケンスのシフティングが、前記外部データシグナリング経路を介して、前記第1のデータビットシーケンスを受信することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のデータビットシーケンスが、前記外部データシグナリング経路を介して受信されることになることを示す前記メモリアクセスコマンドの受信が、外部コマンドシグナリング経路を介してメモリ書き込みコマンドを受信することを含み、前記第2のデータビットシーケンスが前記集積回路装置のコア記憶装置アレイに格納される書き込みデータビットを含むことを前記メモリ書き込みコマンドが追加的に示す、請求項1に記載の方法。
- 前記第2のデータビットシーケンスが、前記外部データシグナリング経路を介して受信されることになることを示す前記メモリアクセスコマンドの受信が、前記集積回路装置のコマンドキューからメモリ読み出しコマンドを受信することを含み、前記第2のデータビットシーケンスが、前記外部データシグナリング経路を介して集積回路メモリコンポーネントによって送信された読み出しデータビットを含むことを前記メモリ読み出しコマンドが追加的に示す、請求項1に記載の方法。
- 前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットに少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定することが、前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットを測定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットの測定が、前記メモリアクセスコマンド及び前記先行するメモリアクセスコマンドの受信間のタイミング信号の遷移を数えることを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットに少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定することが、前記時間的なオフセット、前記先行するメモリアクセスコマンドにおいて伝達されるバースト長さ情報、及び前記メモリアクセスコマンドの受信と前記第2のデータビットシーケンスの受信との間の名目上の待ち時間に少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔がビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 外部ストローブ信号線を介してデータストローブ信号を受信することと、前記データストローブ信号の遷移に応じて、前記第2のビットシーケンスを前記シフトレジスタ記憶素子にシフトすることと、を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 1つ又は複数のビット時間間隔が、前記第1及び第2のビットシーケンス間に発生する場合に、前記所定のシードビットセットで前記シフトレジスタ記憶素子の内容に上書きすることが、第1及び第2のビットシーケンス間の間隔中に、前記シードビットを前記シフトレジスタ記憶素子にロードすることを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記シフトレジスタ記憶素子の内容に少なくとも部分的に基づいて、前記複数の等化信号を生成することが、プログラム可能なレジスタ内に格納されたそれぞれの係数値を前記シフトレジスタ記憶素子内に格納された個別のビットに掛けることを含む、請求項1に記載の方法。
- それぞれのビット時間間隔において、前記シフトレジスタ記憶素子の内容を掛けられる複数の相異なる係数値のそれぞれを切り替え可能に選択することを更に含む、請求項10に記載の方法。
- 集積回路装置であって、
前記記憶素子と、ビット時間間隔の第1のシーケンス中に、第1のデータビットシーケンスを前記記憶素子にシフトする回路と、を有する受信機回路と、
制御回路であって、
第2のデータビットシーケンスが、ビット時間間隔の第2のシーケンス中に、外部データシグナリング経路を介して受信されることになることを示すメモリアクセスコマンドを受信するための、
前記メモリアクセスコマンドと先行するメモリアクセスコマンドとの間の時間的なオフセットに少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定するための、且つ
1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生する場合に、所定のシードビットセットで前記シフトレジスタ記憶素子の内容に上書きするための制御回路と、
前記シフトレジスタ記憶素子の内容に少なくとも部分的に基づいて、複数の等化信号を生成するための、且つ前記複数の等化信号に基づいて、前記第2のデータビットシーケンスの1つ又は複数のビットを表すそれぞれの信号レベルを調整するための等化回路と、
を含む集積回路。 - 前記第1のデータビットシーケンスが、ビット時間間隔の前記第1のシーケンス中に、前記外部データシグナリング経路を介して受信されたことを前記先行するメモリアクセスコマンドが示し、前記第1のデータビットシーケンスを前記記憶素子にシフトする前記受信機回路が、前記外部データシグナリング経路を介して、前記第1のデータビットシーケンスを受信する回路を含む、請求項12に記載の集積回路装置。
- コア記憶装置アレイを更に含み、前記第2のデータビットシーケンスが、前記外部データシグナリング経路を介して受信されることになることを示す前記メモリアクセスコマンドを受信する前記制御回路が、外部コマンドシグナリング経路を介してメモリ書き込みコマンドを受信する回路を含み、前記第2のデータビットシーケンスが前記コア記憶装置アレイに格納される書き込みデータビットを含むことを前記メモリ書き込みコマンドが追加的に示す、請求項12に記載の集積回路装置。
- 前記集積回路装置から1つ又は複数の外部メモリコンポーネントに出力されるコマンドを格納するコマンドキューを更に含み、前記第2のデータビットシーケンスが、前記外部データシグナリング経路を介して受信されることになることを示す前記メモリアクセスコマンドを受信する前記制御回路が、前記コマンドキューからメモリ読み出しコマンドを受信する回路を含み、前記第2のデータビットシーケンスが、前記外部データシグナリング経路を介して、前記1つ又は複数の外部メモリコンポーネントによって送信される読み出しデータビットを含むことを前記メモリ読み出しコマンドが追加的に示す、請求項12に記載の集積回路装置。
- 前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットに少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定する前記制御回路が、前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットを測定する回路を含む、請求項12に記載の集積回路装置。
- 前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットを測定する前記回路が、前記メモリアクセスコマンド及び前記先行するメモリアクセスコマンドの受信間のタイミング信号の遷移をカウントするためにカウンタ回路を含む、請求項16に記載の集積回路装置。
- 前記メモリアクセスコマンドと前記先行するメモリアクセスコマンドとの間の前記時間的なオフセットに少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔がビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定する前記制御回路が、前記時間的なオフセット、前記先行するメモリアクセスコマンドにおいて伝達されるバースト情報、及び前記メモリアクセスコマンドの受信と前記第2のデータビットシーケンスの受信との間の名目上の待ち時間に少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔がビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定する回路を含む、請求項12に記載の集積回路装置。
- 前記受信機回路が、外部ストローブ信号線を介してデータストローブ信号を受信するストローブ受信機回路を含み、前記第1のデータビットシーケンスを前記記憶素子にシフトする回路が、前記データストローブ信号の遷移に応じて、前記第2のビットシーケンスを前記記憶素子にシフトする回路を含む、請求項12に記載の集積回路装置。
- 1つ又は複数のビット時間間隔が、前記第1及び第2のビットシーケンス間に発生する場合に、前記所定のシードビットセットで前記シフトレジスタ記憶素子の内容に上書きする前記制御回路が、第1及び第2のビットシーケンス間の前記間隔中に、前記シードビットを前記記憶素子にロードする回路を含む、請求項19に記載の集積回路装置。
- プログラム可能なレジスタを更に含み、前記シフトレジスタ記憶素子の内容に少なくとも部分的に基づいて、前記複数の等化信号を生成する前記等化回路が、前記プログラム可能なレジスタ内に格納されたそれぞれの係数値を前記記憶素子内に格納された個別のビットに掛ける乗算回路を含む、請求項12に記載の集積回路装置。
- 前記等化回路が、それぞれのビット時間間隔において、前記シフトレジスタ記憶素子の内容を掛けられる複数の相異なる係数値のそれぞれを切り替え可能に選択するマルチプレクサ回路を含む、請求項21に記載の集積回路装置。
- 集積回路装置であって、
記憶素子を有するシフトレジスタと、
ビット時間間隔の第1のシーケンス中に、第1のデータビットシーケンスを前記シフトレジスタの前記記憶素子にシフトするための手段と、
第2のデータビットシーケンスが、ビット時間間隔の第2のシーケンス中に、外部データシグナリング経路を介して、前記集積回路装置内で受信されることになることを示すメモリアクセスコマンドを受信するための手段と、
前記メモリアクセスコマンドと先行するメモリアクセスコマンドとの間の時間的なオフセットに少なくとも部分的に基づいて、1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生するかどうかを判定するための手段と、
1つ又は複数のビット時間間隔が、ビット時間間隔の前記第1及び第2のシーケンス間に発生する場合に、所定のシードビットセットで前記シフトレジスタ記憶素子の内容に上書きするための手段と、
前記シフトレジスタ記憶素子の内容に少なくとも部分的に基づいて、複数の等化信号を生成するための手段と、
前記複数の等化信号に基づいて、前記第2のデータビットシーケンスの1つ又は複数のビットを表すそれぞれの信号レベルを調整するための手段と、
を含む集積回路装置。
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