JP2018528936A - フルオレン構造を有する化合物 - Google Patents

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Abstract

本発明は、電子輸送性基で置換された、特に、電子素子において三重項マトリックス材料として使用するための、フルオレン誘導体を記載する。本発明はさらに、本発明に係る化合物の製造方法およびこれらの化合物を含んでなる電子素子に関する。

Description

発明の詳細な説明
本発明は、電子輸送性基で置換された、特に電子素子に使用するための、フルオレン誘導体を記載する。本発明はさらに、本発明の化合物の製造方法およびこれらの化合物を含んでなる電子素子に関する。
有機半導体が機能性材料として使用されている有機エレクトロルミネッセンス素子(OLED)の構造は、例えば、US4539507、US5151629、EP0676461およびWO98/27136に記述されている。使用される発光材料は多くの場合、燐光を発する有機金属錯体である。量子力学的な理由で、燐光エミッターとして有機金属化合物を使用すると、最大4倍のエネルギー効率と出力効率が可能である。一般的にはまだ、OLEDにおいて、特に燐光を発するOLEDにおいても、例えば、効率、動作電圧および寿命に関して改善が求められている。
燐光発光性OLEDの特性は、使用される三重項エミッターによって決定されるだけではない。より具体的には、使用される他の材料、例えば、マトリックス材料はまた、ここでは特に重要である。従って、これらの材料に対する改善は、OLED特性における明確な改善をもたらすことができる。
ヘテロ芳香族化合物、例えば、トリアジン誘導体またはベンゾイミダゾール誘導体が、従来技術に従い、燐光発光性化合物のためのマトリックス材料として、また電子輸送性材料として、多くの場合使用される。燐光発光性化合物のための好適なマトリックス材料はまた、カルバゾール誘導体である。この機能に対して知られている誘導体は、例えば、WO2010/015306およびWO2010/072300に開示にされているように、2位においてトリアジン基で置換されたスピロビフルオレン誘導体である。これらの化合物では、蛍光発光性および燐光発光性のOLEDの両方の場合において、特に有機エレクトロルミネッセンス素子で使用される際の、効率、寿命および動作電圧に関して、依然として改善が求められている。さらに、JP2014183315Aは、フルオレン構造を有するヘテロ環式化合物を開示する。類似の化合物は、さらにEP2842954A1により知られている。
一般的に、マトリックス材料として使用されるこれらの材料の場合、依然として、素子の改善、特に寿命に関してだけでなく、効率や動作電圧に関しても改善が求められている。
本発明の目的は、特にマトリックス材料として、燐光発光性もしくは蛍光発光性の、OLEDでの使用に適した化合物を提供することである。より具体的には、本発明の目的は、赤色、黄色、緑色の燐光発光性のOLEDに、また場合によっては青色の燐光発光性OLEDにも適しており、長寿命、良好な効率および低い動作電圧をもたらすマトリックス材料を提供することである。特に、マトリックス材料の特性も、有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命および効率に本質的な影響を与える。
さらに、本化合物は、非常に簡単な手法で加工することができ、特に、良好な溶解性および膜形成性を示さなければならない。例えば、本化合物は、加熱時の酸化安定性および改善されたガラス転移温度を示さなければならない。
さらに、マトリックス材料は特に、ケトケトネート配位子を含む燐光エミッターのために好適でなければならない。
更なる目的は、非常に安価でかつ一定の品質で、優れた性能を備えた電子素子を提供することにある。
また、電子素子は、多くの目的のために使用する、または適合させることができなければならない。さらに特に、電子素子の性能は、広い温度範囲で維持されなければならない。
驚くべきことに、下記式(I)および/または式(II)で表される構造を含んでなる化合物を含む素子は、特に、燐光発光性ドーパントのためのマトリックス材料として使用した場合に、従来技術に対する改善を示すことが見出された。
従って、本発明は、下記の式(I)および/または式(II)で表される構造を含んでなる化合物、または式(I)および/または式(II)で表される化合物を提供する。
Figure 2018528936
式中、使用される記号は以下の通りである:
Xは、出現毎に同一であるかまたは異なり、NまたはCR、好ましくは、CRであり、但し、1つの環中の2つ以下の基XがNであり;
Qは、電子輸送性基であり;
は、結合、C(=O)、または5〜24個の芳香族環原子を有し、かつ1つ以上のラジカルRによって置換されてもよい、芳香族環系であり;
は、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、1〜40個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または3〜40個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、ここで1つ以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=S、C=NR、−(C=O)O−、−C(=O)NR−、NR、(P=O)(R)、−O−、−S−、SOもしくはSOで置換されていてもよく、かつ、ここで、1つ以上の水素原子はD、F、Cl、Br、I、CNもしくはNOで置き換えられていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有し、かつ1つ以上のラジカルRで置換されていてもよい、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、またはこれらの系の組み合わせであり;同時に、2つ以上の隣接する置換基Rはまた、互いに、単環式もしくは多環式の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよく;
は、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、1〜40個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または3〜40個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、ここで1つ以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=S、C=NR、−(C=O)O−、−C(=O)NR−、NR、(P=O)(R)、−O−、−S−、SOもしくはSOで置換されていてもよく、かつここで、1つ以上の水素原子はD、F、Cl、Br、I、CNもしくはNOで置き換えられていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有し、かつ1つ以上のラジカルRで置換されていてもよい、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、またはこれらの系の組み合わせであり;同時に、2つ以上の隣接する置換基Rはまた、互いに、単環式もしくは多環式の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよく;
は、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、F、または1〜20個の炭素原子を有し、1つ以上の水素原子がDもしくはFにより置き換えられていてもよい脂肪族炭化水素基、または5〜30個の炭素原子を有し、1つ以上の水素原子がDもしくはFにより置き換えられていてもよい、芳香族および/またはヘテロ芳香族環系あり;同時に、2つ以上の隣接する置換基Rはまた、互いに、単環式もしくは多環式の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよい。
本発明の文脈において、隣接する炭素原子は、互いに直接結合している炭素原子である。さらに、ラジカルの定義中で、「隣接するラジカル」は、これらのラジカルが同じ炭素原子または隣接する炭素原子に結合していることを意味する。これらの定義は、同様に、特に、用語「隣接する基」および「隣接する置換基」に適用される。
2つ以上のラジカルが互いに環を形成してもよいという表現は、本発明の文脈において、特に、2つのラジカルが、2つの水素原子の形式的除去下で、化学結合によって互いに連結されていることを意味するものと理解される。これは、以下のスキームにより例示される:
Figure 2018528936
さらに、しかしながら、上記の表現はまた、2つのラジカルのうちの1つが水素である場合、2つ目のラジカルが水素原子の結合された位置に結合し、環を形成することを意味するものと理解される。これは、以下のスキームにより例示される:
Figure 2018528936
本発明の文脈において、縮合アリール基は、1つの共通辺を介して2つ以上の芳香族基が互いに縮合している、すなわち縮環している、例えば、2つの炭素原子が、例えば、ナフタレンにおけるように、少なくとも2つの芳香族もしくはヘテロ芳香族環に属している基である。対照的に、例えば、フルオレンは、フルオレン中の2つの芳香族基が共通辺を有していないので、本発明の文脈においては縮合アリール基ではない。
本発明の文脈において、アリール基は、6〜40個の炭素原子を含み;本発明の文脈において、ヘテロアリール基は、2〜40個の炭素原子と少なくとも1つのヘテロ原子を含み、但し、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも5である。該ヘテロ原子は、好ましくは、N、Oおよび/またはSから選択される。アリール基もしくはヘテロアリール基は、ここでは単一の芳香環、すなわちベンゼン、または単一のヘテロ芳香族環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合した、アリールもしくはヘテロアリール基、例えばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等を意味するものと理解される。
本発明の文脈において、芳香族環系は、環系中に6〜40個の炭素原子を有する。本発明の文脈において、ヘテロ芳香族環系は、環系中に、1〜40個の炭素原子と少なくとも1つのヘテロ原子を含み、但し、炭素原子とヘテロ原子の合計が少なくとも5である。ヘテロ原子は、好ましくは、N、Oおよび/またはSから選択される。本発明の文脈において、芳香族もしくはヘテロ芳香環系は、必ずしもアリールもしくはヘテロアリール基のみを含むのではなく、その中で2つ以上の、アリールもしくはヘテロアリール基が非芳香族単位(H以外の原子が好ましくは10%未満)、例えば、炭素、窒素もしくは酸素原子またはカルボニル基によって遮断されていることもできる系を意味するものと理解されるべきである。例えば、9,9’−スピロビフルオレン、9,9−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系もまた、本発明の文脈において、芳香族環系とみなされ、また、その中に2つ以上のアリール基が、例えば、直鎖状もしくは環状の、アルキル基で、またはシリル基で遮断されている系も同様である。さらに、2つ以上の、アリールもしくはヘテロアリール基が互いに直接結合している系、例えば、ビフェニル、テルフェニル、クウォーターフェニルもしくはビピリジンは、同様に芳香族もしくはヘテロ芳香族環系とみなされる。
本発明の文脈において、環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基は、単環式、二環式もしくは多環式の、基を意味するものと理解される。
本発明の文脈において、その中で個々の、水素原子もしくはCH基が、上述の基によって置換されていてもよいC〜C20のアルキル基は、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、シクロプロピル、n−ブチル、i−ブチル、s−ブチル、t−ブチル、シクロブチル、2−メチルブチル、n−ペンチル、s−ペンチル、t−ペンチル、2−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、n−ヘキシル、s−ヘキシル、t‐ヘキシル、2−ヘキシル、3−ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、1−メチルシクロペンチル、2−メチルペンチル、n−ヘプチル、2−ヘプチル、3−ヘプチル、4−ヘプチル、シクロヘプチル、1−メチルシクロヘキシル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、シクロオクチル、1−ビシクロ[2.2.2]オクチル、2−ビシクロ[2.2.2]オクチル、2−(2,6−ジメチル)オクチル、3−(3,7−ジメチル)オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、2,2,2−トリフルオロエチル、1,1−ジメチル−n−ヘキサ−1−イル、1,1−ジメチル−n−ヘプタ−1−イル、1,1−ジメチル−n−オクタ−1−イル、1,1−ジメチル−n−デセ−1−イル、1,1−ジメチル−n−ドデセ−1−イル、1,1−ジメチル−n−テトラデセ−1−イル、1,1−ジメチル−n−ヘキサデセ−1−イル、1,1−ジメチル−n−オクタデセ−1−イル、1,1−ジエチル−n−ヘキサ−1−イル、1,1−ジエチル−n−ヘプタ−1−イル、1,1−ジエチル−n−オクタ−1−イル、1,1−ジエチル−n−デセ−1−イル、1,1−ジエチル−n−ドデセ−1−イル、1,1−ジエチル−n−テトラデセ−1−イル、1,1−ジエチル−n−ヘキサデセ−1−イル、1,1−ジエチル−n−オクタデセ−1−イル、1−(n−プロピル)シクロヘキサ−1−イル、1−(n−ブチル)シクロヘキサ−1−イル、1−(n−ヘキシル)シクロヘキサ−1−イル、1−(n−オクチル)シクロヘキサ−1−イル、および1−(n−デシル)シクロヘキサ−1−イルラジカルを意味するものと理解される。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、またはシクロオクタジエニルを意味するものと理解される。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、またはオクチニルを意味するものと理解される。C〜C40のアルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポキシ、n−ブトキシ、i−ブトキシ、s−ブトキシ、t−ブトキシ、または2−メチルブトキシを意味するものと理解される。
5〜40個の芳香族環原子を有し、各々の場合において上述のラジカルによって置換されていてもよく、また任意の所望の位置で、芳香族もしくはヘテロ芳香族系に結合していてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系は、例えば、次のものから誘導される基を意味するものと理解される:ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス−もしくはトランス−インデノフルオレン、シス−もしくはトランス−モノベンゾインデノフルオレン、シス−もしくはトランス−ジベンゾインデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−5,6−キノリン、ベンゾ−6,7−キノリン、ベンゾ−7,8−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントリミダゾール、ピリジミダゾール、ピラジニミダゾール、キノキサリニミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロキサゾール、フェナントロキサゾール、イソオキサゾール、1,2−チアゾール、1,3−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、1,5−ジアザアントラセン、2,7−ジアザピレン、2,3−ジアザピレン、1,6−ジアザピレン、1,8−ジアザピレン、4,5−ジアザピレン、4,5,9,10−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3−オキサジアゾール、1,2,4−オキサジアゾール、1,2,5−オキサジアゾール、1,3,4−オキサジアゾール、1,2,3−チアジアゾール、1,2,4−チアジアゾール、1,2,5−チアジアゾール、1,3,4−チアジアゾール、1,3,5−トリアジン、1,2,4−トリアジン、1,2,3−トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5−テトラジン、1,2,3,4−テトラジン、1,2,3,5−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン、およびベンゾチアジアゾール。
好ましい実施態様において、本発明の化合物は、式(III)および/または(IV)で表される構造を形成していることができる。
Figure 2018528936
式中、記号X、LおよびQは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する。
また、式(I)、(II)、(III)および/または(IV)において、2つ以下の基XがNであり、好ましくは1つ以下の基XがNであり、そして好ましくは、全てのXがCRであり、ここでXが表わす基CRの、好ましくは最大で4つ、より好ましくは最大で3つ、特に好ましくは最大で2つが基CHではないことを特徴とする化合物が好ましい。
さらに、式(I)、(II)、(III)および/または(IV)において、基XのラジカルRがフルオレン構造の環原子と縮合環系を形成しないようにすることができる。これは、ラジカルRに結合してもよい、任意の置換基R、Rとの縮合環系の形成を包含する。式(I)、(II)、(III)および/または(IV)において、基XのラジカルRがフルオレン構造の環原子と環系を形成しないようにすることが好ましい。これは、ラジカルRに結合してもよい、任意の置換基R、Rとの環系の形成を包含する。
好ましくは、本発明の化合物は、式(Ia)、(IIa)、(IIIa)および/または(IVa)で表される構造を含んでなることができる。
Figure 2018528936
式中、記号X、R、LおよびQは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する。
さらに、式(I)、(II)、(III)および/または(IV)において、フルオレン構造の置換基Rがフルオレン構造の環原子と縮合環系を形成しないようにすることができる。これは、ラジカルRに結合してもよい、任意の置換基R、Rとの縮合環系の形成を包含する。式(I)、(II)、(III)および/または(IV)において、フルオレン構造の置換基Rがフルオレン構造の環原子と環系を形成しないようにすることが好ましい。これは、ラジカルRに結合してもよい、任意の置換基R、Rとの環系の形成を包含する。
また、式(Ia)、(IIa)、(IIIa)および(IVa)において、2つ以下の基XがNであり、好ましくは1つ以下の基XがNであり、そして好ましくは、全てのXがCRであり、ここでXが表わす基CRの、好ましくは最大で4つ、より好ましくは最大で3つ、特に好ましくは最大で2つが基CHではないことを特徴とする化合物が好ましい。
さらに好ましい実施態様において、本発明の化合物は、式(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される構造を含んでなることができる。
Figure 2018528936
式中、記号Q、LおよびRは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有し、mは0、1、2、3もしくは4、好ましくは0、1もしくは2であり、nは0、1、2もしくは3、好ましくは0、1もしくは2であり、qは、0、1もしくは2、好ましくは、0もしくは1である。
さらに、好ましいのは次の化合物である:
式(I)、(II)、(Ia)、(IIa)、(Ib)、(IIb)で表されるフルオレン構造中の9位で炭素原子に結合している2つラジカルRが、それぞれ、5〜30個の芳香族環原子を有し、かつ、1つ以上のラジカルRで置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、ここで、式(I)、(II)、(Ia)、(IIa)、(Ib)、(IIb)で表されるフルオレン構造中の9位で炭素原子に結合している2つ環系が互いに連結されていないことを特徴とする化合物;または、
式(I)、(II)、(Ia)、(IIa)、(Ib)、(IIb)で表されるフルオレン構造中の9位で炭素原子に結合している2つラジカルRが、それぞれ独立して、H、D、1〜40個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または3〜40個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、ここで1つ以上の非隣接の基CHは、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=S、C=NR、−(C=O)O−、−C(=O)NR−、NR、(P=O)(R)、−O−、−S−、SOもしくはSOで置換されていてもよく、かつ、ここで、1個以上の水素原子はD、F、Cl、Br、I、CNもしくはNOで置き換えられていてもよいことを特徴とする化合物;または、
式(I)、(II)、(Ia)、(IIa)、(Ib)、(IIb)で表されるフルオレン構造中の9位で炭素原子に結合している2つ基Rの1つが、それぞれ、5〜30個の芳香族環原子を有し、かつ、1つ以上のラジカルRで置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、そして式(I)、(II)、(Ia)、(IIa)、(Ib)、(IIb)で表されるフルオレン構造中の9位で炭素原子に結合している2つラジカルRの1つが、H、D、1〜40個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または3〜40個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、ここで1つ以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=S、C=NR、−(C=O)O−、−C(=O)NR−、NR、(P=O)(R)、−O−、−S−、SOもしくはSOで置換されていてもよく、かつ、ここで、1個以上の水素原子はD、F、Cl、Br、I、CNもしくはNOで置き換えられていてもよいことを特徴とする化合物。
好ましい構成において、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)の構造を含んでなる化合物は、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)(III)、(IIIa)および(IIIb)の構造で表すことができる。好ましくは、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)の構造を含んでなる化合物は、5000g/モル以下、好ましくは4000g/モル以下、特に好ましくは3000g/モル以下、特別に好ましくは2000g/モル以下、そして最も好ましくは1200g/モル以下の分子量を持つ。
さらに、本発明の好ましい化合物の特徴は、それらが昇華性であることである。これらの化合物は一般に、約1200g/モル未満のモル質量を持つ。
基Qは、電子輸送性基である。電子輸送性基は、当該技術分野で広く知られており、電子を輸送するおよび/または誘導する化合物の能力を促進する。
さらに、式(I)および/または(II)で表される化合物は、驚くべき長所を示すが、その際、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)において、基Qは、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、キナゾリン、キノキサリン、キノリン、イソキノリン、イミダゾールおよび/またはベンゾイミダゾールからなる群から選択される少なくとも1つの構造を含む。
また、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)中の基Qが、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である、少なくとも2つの縮合環を有するヘテロ芳香族環系であり、ここで、少なくとも2つの縮合環の環原子は、少なくとも1つの窒素原子を含んでなり、ここで、Rは上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する化合物が好ましい。
更なる構成において、特に、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)に示される基Qが、ヘテロ芳香族環系であり、ここで、環原子は1〜4個の窒素原子を含み、また環系が1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換であり、ここで、Rは上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有するようにすることができる。
さらに、特に、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)に示される基Qが、9〜14個の、好ましくは10個の環原子を有し、かつ、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であるが、好ましくは非置換であり、ここで、Rは上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有するようにすることができる。
好ましくは、特に、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)に示される基Qは、式(Q−1)、(Q−2)および/または(Q−3)で表される構造から選択することができる。
Figure 2018528936
式中、記号XおよびRは、特に、式(I)および/または式(II)に対して上記された定義を有し、破線の結合は接続位置を示しており、Arは、6〜40個の炭素原子を有し、各々の場合において、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、5〜60個の芳香族環原子を有し、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいアリールオキシ基、または5〜60個の芳香族環原子を有し、各々の場合において、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいアラルキル基であり、ここで、2つ以上の隣接する置換基RもしくはRは場合により、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよい、単環式もしくは多環式の、脂肪族環系を形成しており、ここで、記号RおよびRは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する。
更なる実施態様において、特に、式(I)、(Ia)、(Ib)、(II)、(IIa)、(IIb)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IIIb)、(IV)、(IVa)および(IVb)に示される基Qが、式(Q−4)、(Q−5)、(Q−6)、(Q−7)、(Q−8)、(Q−9)、(Q−10)、(Q−11)、(Q−12)、(Q−13)、(Q−14)および/または(Q−15)で表される構造から選択される。
Figure 2018528936
Figure 2018528936
式中、記号ArおよびRは、上記された、特に、式(I)および/または式(II)に対する定義を有し、破線の結合は接続位置を示しており、mは0、1、2、3もしくは4、好ましくは0、1もしくは2であり、nは0、1、2もしくは3、好ましくは0もしくは1であり、そしてlは1、2、3、4もしくは5、好ましくは、0、1もしくは2である。
好ましくは、記号Arは、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系の、芳香族もしくはヘテロ芳香族基が直接、すなわち、芳香族もしくはヘテロ芳香族基の原子を介して、更なる基の各原子、例えば、上記した基(Q−1)〜(Q−15)の炭素、もしくは窒素原子に結合されているような、芳香族もしくはヘテロ芳香族ラジカルである。
本発明のさらに好ましい実施態様において、Arは、出現毎に同一であるかまたは異なり、6〜24個の芳香族環原子、好ましくは6〜18個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、また、さらに好ましくは、6〜12個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または6〜13個の芳香環原子を有するヘテロ芳香族環系であり、これらの各々は、1つ以上のラジカルRにより置換されていてもよいが、好ましくは非置換であり、ここで、Rは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する。好適な基Arの例は、フェニル、オルト−、メタ−もしくはパラ−ビフェニル、ターフェニル、特に分枝状のターフェニル、クウォーターフェニル、特に分枝状のクウォーターフェニル、1−、2−、3−もしくは4−フルオレニル、1−、2−、3−もしくは4−スピロビフルオレニル、ピリジル、ピリミジニル、1−、2−、3−もしくは4−ジベンゾフラニル、1−、2−、3−もしくは4−ジベンゾチエニルおよび、1−、2−、3−もしくは4−カルバゾリルからなる群から選択され、これらの各々は、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。
好ましい実施態様において、ラジカルAr、および/または式(Q−1)〜(Q−15)に従いArに結合した置換基Rは、式(Q−1)〜(Q−15)で表される構造および/または、式(Q−16)もしくは(Q−17)による構造から選択される構造要素を含んでなる。
Figure 2018528936
式中、記号Rは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有し、また、破線の結合は、各々の場合において、式(Q−16)もしくは(Q−17)で表される構造要素が、ラジカルArの他の構造要素に、または置換基Rに、または式(Q−1)〜(Q−15)で表される構造に、結合する接続位置を示す。
有利には、式(Q−1)〜(Q−15)中のArは、6〜12個の芳香族環原子を有し、かつ、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である、芳香族環系であり、ここで、Rは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する。
好ましくは、式(Q−1)〜(Q−17)中のラジカルRは、ラジカルRが結合しているヘテロアリール基の環原子と共に縮合環系を形成しない。これは、ラジカルRに結合していてもよい、任意の置換基R、Rとの縮合環系の形成を包含する。
好ましくは、式(Q−1)〜(Q−15)中のラジカルRは、ラジカルRが結合している、アリール基もしくはヘテロアリール基Arの環原子と共に縮合環系を形成しない。これは、ラジカルRに結合していてもよい、任意の置換基Rとの縮合環系の形成を包含する。
XがCRであるか、または芳香族および/またはヘテロ芳香族基が置換基Rによって置換されている場合、これらの置換基Rは、好ましくは、H、D、F、CN、N(Ar、C(=O)Ar、P(=O)(Ar、1〜10個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキルもしくはアルコキシ基、または3〜10個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキルもしくはアルコキシ基、または2〜10個の炭素原子を有するアルケニル基(これらの各々は、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよく、ここで、1つ以上の非隣接の基CHがOで置き換えられていてもよく、またここで、1つ以上の水素原子がDもしくはFで置き換えられていてもよい)、5〜24個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香環系(これらの各々は1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である)、または、5〜25個の芳香族環原子を有し、かつ、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよい、アラルキルもしくはヘテロアラルキル基からなる群から選択され;同時に、場合によっては、2つの置換基Rが、同じ炭素原子もしくは隣接する炭素原子に結合して、単環式もしくは多環式の、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよい、脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系を形成することができる。基Arは、上記された定義、特に構造(Q−1)に対する定義を有する。好ましくは、記号Arは、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系の、芳香族もしくはヘテロ芳香族基が直接、すなわち、芳香族もしくはヘテロ芳香族基の原子を介して、更なる基の各原子、例えば、基N(Ar、C(=O)Ar、P(=O)(Arの、炭素、窒素もしくは燐原子に結合されているような、アリールもしくはヘテロアリールラジカルを表わす。
より好ましくは、これらの置換基Rは、H、D、F、CN、N(Ar、1〜8個の炭素原子を有する、好ましくは1、2、3もしくは4個の炭素原子を有する、直鎖のアルキル基、または3〜8個の炭素原子を有する、好ましくは3もしくは4個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキル基、または2〜8個の炭素原子を有する、好ましくは2、3もしくは4個の炭素原子を有するアルケニル基(これらの各々は、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である)、6〜24個の芳香族環原子を有する、好ましくは6〜18個の芳香族環原子を有する、さらに好ましくは6〜13個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香環系(これらの各々は1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である)からなる群から選択され;同時に、場合によっては、2つの置換基Rが、同じ炭素原子もしくは2つの隣接する炭素原子に結合して、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である、単環式もしくは多環式の、脂肪族環系を形成することができる。基Arは、上記された定義、特に構造(Q−1)に対する定義を有する。好ましくは、記号Arは、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系の、芳香族もしくはヘテロ芳香族基が直接、すなわち、芳香族もしくはヘテロ芳香族基の原子を介して、更なる基の各原子、例えば、基N(Arの窒素原子に結合されているような、アリールもしくはヘテロアリールラジカルを表わす。
最も好ましくは、置換基Rは、Hおよび6〜18個の芳香族環原子を有する、好ましくは6〜13個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香環系(これらの各々は1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である)からなる群から選択される。好適な置換基Rの例は、フェニル、オルト−、メタ−もしくはパラ−ビフェニル、ターフェニル、特に分枝状のターフェニル、クウォーターフェニル、特に分枝状のクウォーターフェニル、1−、2−、3−もしくは4−フルオレニル、1−、2−、3−もしくは4−スピロビフルオレニル、ピリジル、ピリミジニル、1−、2−、3−もしくは4−ジベンゾフラニル、1−、2−、3−もしくは4−ジベンゾチエニル、1−、2−、3−もしくは4−カルバゾリルからなる群から選択され、これらの各々は、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。
さらに、式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される構造において、少なくとも1つのラジカル、Rおよび/またはArは、式(R−1)〜(R−79)から選択される基であるであるようにすることができる。
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
式中、使用される記号は以下の通りである:
Yは、O、SもしくはNR、好ましくはOもしくはSであり;
iは、出現毎に独立して、0、1もしくは2であり;
jは、出現毎に独立して、0、1、2もしくは3であり;
hは、出現毎に独立して、0、1、2、3もしくは4であり;
gは、出現毎に独立して、0、1、2、3、4もしくは5であり;
は、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有することができ、そして、破線の結合は、接続位置を示す。
好ましくは、式(R−1)〜(R−79)で表される構造中の添え字i、j、hおよびgの合計が各場合において、3以下、好ましくは2以下、そしてより好ましくは1以下であるようにすることができる。
好ましくは、基Lは、電子輸送性基Qおよび式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表されるフルオレン構造と共に直接共役(through−conjugation)を形成することができる。隣接する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環の間で直接結合が形成されるとすぐに、芳香族もしくはヘテロ芳香族系の直接共役が形成される。上述の共役基の間の、例えば、硫黄、窒素もしくは酸素原子またはカルボニル基を介する更なる結合は、共役を損なうものではない。フルオレン構造の場合、2つの芳香族環が直接結合しており、そこでは、9位のSP−混成炭素原子がこれらの環の縮合を妨げるが、共役は可能であるが、これはこの9位のSP−混成炭素原子が必ずしも電子輸送性基Qとフルオレン構造の間に位置するとは限らないからである。対照的に、スピロビフルオレン構造の場合は、電子輸送性基Qと式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表されるフルオレン構造の間の結合が、スピロビフルオレン構造中の同一のフェニル基を介して、またはスピロビフルオレン構造中の、互いに直接結合し、かつ同一平面にある、(複数の)フェニル基を介している場合には、直接共役が形成され得る。電子輸送性基Qと式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表されるフルオレン構造の間の結合が、スピロビフルオレン構造の、9位のSP−混成炭素原子を介して結合している、異なる(複数の)フェニル基を介している場合には、共役が妨げられる。
本発明のさらに好ましい実施態様において、Lは、出現毎に同一であるか異なり、単結合、または5〜24個の芳香族環原子を有し、かつ、1個の以上のラジカルRによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系である。より好ましくは、Lは、出現毎に同一であるか異なり、単結合、または6〜12個の芳香族環原子を有する芳香族環系、または6〜13個の芳香族環原子を有するヘテロ芳香族環系であり、これらの各々は1個の以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは、非置換であり、ここで、Rは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する。さらに好ましくは、記号Lは、出現毎に同一であるか異なり、単結合、または芳香族もしくはヘテロ芳香族環系の、芳香族もしくはヘテロ芳香族基が直接、すなわち、芳香族もしくはヘテロ芳香族基の原子を介して、別の基の各原子に結合されているような、アリールもしくはヘテロアリールラジカルである。より好ましくは、Lは、単結合である。好適な、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系の例は、オルト−、メタ−もしくはパラ−フェニレン、ビフェニル、フルオレン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ジベンゾフランおよびジベンゾチオフェンからなる群から選択され、これらの各々は、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいが、好ましくは非置換である。
式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される構造を含んでなる化合物であって、その中で、式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される基Lが、式(L−1)〜(L−70)から選択される、結合もしくは基である化合物が好ましい:
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
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式中、破線の結合は、それぞれの場合において、接続位置を示しており、添え字lは、0、1もしくは2であり、添え字gは、0、1、2、3、4もしくは5であり、jは、出現毎に独立に、0、1、2もしくは3であり;hは、出現毎に独立に、0、1、2、3もしくは4であり;Yは、O、SもしくはNR、好ましくはOもしくはSであり;そしてRは、上記された定義、特に式(I)および/または式(II)に対する定義を有する。
好ましくは、式(L−1)〜(L−70)で表される構造において、添え字l、g、hおよびjの合計が、それぞれの場合において、最大で3、好ましくは最大で2、そしてより好ましくは、最大で1であるようにすることができる。
更なる実施態様において、式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される構造の少なくとも1つを含んでなる、本発明に係る化合物は、2つの以上の電子輸送性基を含む。
特別な構成において、本発明の化合物は、下記式(V)および/または式(VI)で表される構造を含んでなることができる:
Figure 2018528936
式中、記号X、LおよびQは、出現毎に同一であるかまたは異なり、上記された定義、特に式(I)に対する定義を有し、そしてXは、基(−L−Q)Cの付着部位である。
好ましい構成において、本発明の化合物は、式(VII)および/または(VIII)で表される構造を形成することができる:
Figure 2018528936
式中、記号X、LおよびQは、出現毎に同一であるかまたは異なり、上記された定義、特に式(I)に対する定義を有し、そしてXは、基(−L−Q)Cの付着部位である。
さらに、式(Va)、(Vb)、(VIIa)および(VIIb)で表される構造を含んでなる化合物が好ましい:
Figure 2018528936
式中、記号Q、LおよびRは、上記された定義、特に式(I)および/または(II)に対する定義を有し、mは、0、1、2、3もしくは4、好ましくは0、1もしくは2であり、nは0,1、2もしくは3、好ましくは0、1もしくは2であり、そしてqは、0、1もしくは2、好ましくは0もしくは1である。
有利には、式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される構造の少なくとも1つを含んでなる、本発明の化合物が、カルバゾールおよび/またはトリアリールアミン基を含まないようにすることができる。より好ましくは、本発明の化合物は、正孔輸送性基を含まない。正孔輸送性基は、当業者の間で知られており、これらの基は、多くの場合、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、アリールアミンもしくはジアリールアミン構造である。
更なる構成において、式(I)、(II)、(III)、(IV)、(Ia)、(IIa)、(IIIa)、(IVa)、(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される構造の少なくとも1つを含んでなる、本発明の化合物が、少なくとも1つの正孔輸送性基、好ましくはカルバゾールおよび/またはトリアリールアミン基を含むようにすることができる。さらに、供給される正孔輸送性基は、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、アリールアミンもしくはジアリールアミン基であってもよい。
本発明のさらに好ましい実施態様では、Rは、例えば、式(I)および/または(II)で表される構造およびこれらの構造の好ましい態様、またはこれらの式に関連する構造において、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、1〜10個の炭素原子、好ましくは1、2、3もしくは4個の炭素原子を有する脂肪族炭化水素基、または5〜30個の芳香族環原子、好ましくは5〜24個の芳香族環原子を有する、より好ましくは5〜13個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各々1〜4個の炭素原子を有する、1つ以上のアルキル基で置換されてもよいが、好ましくは非置換である)からなる群から選択される。
本発明のさらに好ましい実施態様では、Rは、例えば、式(I)および/または(II)で表される構造およびこれらの構造の好ましい態様、またはこれらの式に関連する構造において、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、F、CN、1〜10個の炭素原子、好ましくは1、2、3もしくは4個の炭素原子を有する脂肪族炭化水素基、または5〜30個の芳香族環原子、好ましくは5〜24個の芳香族環原子を有する、より好ましくは5〜13個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系(これらは、各々1〜4個の炭素原子を有する、1つ以上のアルキル基で置換されてもよいが、好ましくは非置換である)からなる群から選択される。
本発明の化合物が、芳香族もしくはヘテロ芳香族基、RもしくはRもしくはArによって置換されている場合、これらが、互いに直接融合した芳香族6員環を2つより多く有するアリールもしくはヘテロアリール基を有していないことが好ましい。置換基が、互いに直接融合した芳香族6員環を有する、アリールもしくはヘテロアリール基を全く有していないことが、より好ましい。この好ましい理由は、そのような構造の低い三重項エネルギーによる。互いに直接融合した芳香族6員環を2つより多く有するが、それにも拘らず、本発明に好適な縮合アリール基は、フェナントレンおよびトリフェニレンである。これらはまた、高い三重項準位を有するからである。
本発明の好適な化合物の例は、次の式1〜216で表される、下記の構造である:
Figure 2018528936
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本発明の化合物の好ましい実施態様は、詳細に、具体的に実施例において説明され、これらの化合物は、本発明の全ての目的のために単独または更なる化合物と組み合わせて使用することができる。
請求項1で特定された条件がまとめられるのであれば、上記の好ましい実施態様は、所望により、互いに組み合わせることができる。本発明の特に好ましい実施態様において、上記の好ましい(複数の)実施態様は、同時に適用される。
本発明の化合物は、原則的として、種々の方法により製造することができる。しかし、これ以下に記載する方法が特に好適なことが見出されている。
従って、本発明は更に、カップリング反応で、少なくとも1つの電子輸送性基を含む化合物を、少なくとも1つのフルオレンラジカルを含む化合物と反応させる、式(I)および/または式(II)で表される構造を含んでなる化合物の製造方法を提供する。
電子輸送性基を有する好適な化合物は、多くの場合、商業的に入手することができ、その際、実施例で詳記された該出発化合物は、そこで参照されているように、公知の方法によって得ることができる。
これらの化合物は、公知のカップリング反応で更なるアリール化合物と反応させることができ、この目的のために必要な条件は当業者に周知であり、また実施例における詳細な説明は、当業者がこれらの反応を実行することを支援する。
C−C結合形成および/またはCN結合形成をもたらす、特に好適でかつ好ましい、全てのカップリング反応は、ブッフバルト、鈴木、山本、スティレ、ヘック、根岸、薗頭および檜山によるものである。これらの反応はよく知られており、また実施例は、当業者に更なる指針を提供する。
以下の全ての合成スキームにおいて、構造を簡略化するため、化合物は少数の置換基と共に示されている。これは、該方法において所望の更なる置換基の存在を排除するものではない。
例示的な実施態様は、これらが制限を設けることを全く意図せずに、次のスキームで示される。個々のスキームの構成工程は、所望により互いに組み合わせることができる。
本発明の化合物の合成に対して示される方法は、例示として理解されるべきである。当業者は、当該技術分野における当業者の共通の知識の範囲内で代替合成経路を開発することができる。
Figure 2018528936
基Qは、電子輸送性基であり、またXは、脱離基、例えば、ハロゲンである。
次のスキーム2は、多くの異なる電子輸送性基に対してスキーム1に示された反応を明らかにする。
Figure 2018528936
上で詳述した製造方法の基本は、原則的に類似の化合物に対する文献から知られており、当業者によって容易に本発明の化合物の製造に適用することができる。更なる情報は、実施例に見出すことができる。
これらの方法により、必要に応じて、精製、例えば再結晶または昇華を伴って、式(I)および/または式(II)で表される構造を含んでなる本発明の化合物を、高純度で、好ましくは99%より高く(H−NMRおよび/またはHPLCにより測定)で得ることができる。
本発明の化合物はまた、化合物を溶液で処理することを可能にするため、室温で、充分な溶解濃度で、標準的な有機溶媒、例えば、トルエンもしくはキシレン中での溶解性をもたらすような適当な置換基、例えば、比較的長いアルキル基(約4〜20個の炭素原子)、特に分枝状のアルキル基、または場合によって置換されたアリール基、例えば、キシリル、メシチルもしくは分枝状のテルフェニルもしくはクウォーターフェニル基を有することができる。これらの可溶性化合物は、例えば、印刷法による、溶液での処理に特に適している。さらに、式(I)および/または式(II)で表される構造の少なくとも1つを含んでなる本発明の化合物は、既にこれらの溶媒中で溶解度を増加させていることが強調されなければならない。
本発明の化合物はまた、ポリマーと混合することができる。同様に、これらの化合物をポリマーに共有結合的に組み込むことも可能である。これは特に、臭素、ヨウ素、塩素、ボロン酸もしくはボロン酸エステルなどの反応性脱離基により、またはオレフィンもしくはオキセタンなどの反応性の重合性基により置換された化合物について可能である。これらは、対応するオリゴマー、デンドリマーもしくはポリマーを製造するためのモノマーとしての使用が見出される。オリゴマー化もしくは重合は、好ましくはハロゲン官能基もしくはボロン酸官能基を介して、または重合性基を介して行われる。このような基を介して、さらにポリマーを架橋することが可能である。本発明の化合物およびポリマーは、架橋した、もしくは架橋していない層の形で使用できる。
本発明は、さらに、式(I)および/または(II)で表される、上で詳述した構造もしくは本発明の化合物を1つ以上含む、ポリマー、オリゴマーもしくはデンドリマーであって、本発明の化合物中、または式(I)および/または(II)で表される構造中における、該オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーへの1つ以上の結合が存在することを特徴とするものを提供する。式(I)および/または(II)で表される構造の、または該化合物の連結により、これらは、従って、ポリマーもしくはオリゴマーの側鎖を形成しているか、または主鎖内で結合されている。ポリマー、オリゴマーもしくはデンドリマーは、共役している、部分的に共役している、または共役していなくてもよい。オリゴマーもしくはポリマーは、直鎖状、分岐状もしくは樹枝状であってもよい。オリゴマー、デンドリマーおよびポリマー中の、本発明の化合物の繰返し単位については、同じ好ましい態様が上述したように適用される。
オリゴマーまたはポリマーを製造するにあたり、本発明のモノマーは、ホモ重合または更なるモノマーと共重合される。式(I)および/または式(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の単位が、0.01〜99.9モル%、好ましくは5〜90モル%、より好ましくは20〜80モル%の範囲に存在することが好ましい。適切でかつ好ましい、ポリマー基本骨格を形成するコモノマーは、フルオレン類(例えば、EP842208またはWO2000/022026による)、スピロビフルオレン類(例えば、EP707020、EP894107またはWO2006/061181による)、パラフェニレン類(例えば、WO92/18552による)、カルバゾール類(例えば、WO2004/070772またはWO2004/113468による)、チオフェン類(例えば、EP1028136による)、ジヒドロフェナントレン類(例えば、WO2005/014689)、シス−およびトランス−インデノフルオレン類(例えば、WO2004/041901またはWO2004/113412による)、ケトン類(例えば、WO2005/040302による)、フェナントレン類(例えば、WO2005/104264またはWO2007/017066による)、またはこれらの単位の複数から選択される。ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーはまた、更なる単位、例えば、正孔輸送性単位、特にトリアリールアミンを基本とするもの、および/または電子輸送性単位を含んでいてもよい。
さらに、特に興味深いのは、高いガラス転移温度によって特徴付けられる本発明の化合物である。これに関連して、好ましいのは、少なくとも70℃、より好ましくは少なくとも110℃、更により好ましくは少なくとも125℃、そして特別に好ましくは150℃のガラス転移温度(DIN 51005(2005−08版)により測定)を有する、式(I)および/または式(II)で表される、または、上記および後記されている好ましい実施態様の構造を含んでなる本発明の化合物である。
液相での本発明の化合物を、例えば、スピンコーティングもしくは印刷法によって、処理するためには、本発明に係る化合物の調合物が必要とされる。これらの調合物は、例えば、溶液、分散液またはエマルジョンであってもよい。この目的のために、2つ以上の溶媒の混合物を使用することが好ましい。適当で好ましい溶媒は、例えば、トルエン、アニソール、o−、m−もしくはp−キシレン、安息香酸メチル、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、THF、メチル−THF、THP、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に3−フェノキシトルエン、(−)−フェンコン、1,2,3,5−テトラメチルベンゼン、1,2,4,5−テトラメチルベンゼン、1−メチルナフタレン、2−メチルベンゾチアゾール、2−フェノキシエタノール、2−ピロリジノン、3−メチルアニソール、4−メチルアニソール、3,4−ジメチルアニソール、3,5−ジメチルアニソール、アセトフェノン、α−テルピネオール、ベンゾチアゾール、安息香酸ブチル、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、安息香酸エチル、インダン、安息香酸メチル、NMP、p−シメン、フェネトール、1,4−ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、2−イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1−ビス(3,4−ジメチルフェニル)エタン、ヘキサメチルインダン、またはこれらの溶媒の混合物である。
従って、本発明はさらに、本発明に係る化合物および少なくとも1つの更なる化合物を含んでなる調合物に関する。該更なる化合物は、例えば、溶媒であり、特に上記の溶媒の1つか、またはこれらの溶媒の混合物である。あるいは、該更なる化合物は、電子素子に同様に使用される、有機もしくは無機化合物、例えば、発光性化合物、特に燐光ドーパント、および/または更なるマトリックス材料であってもよい。この更なる化合物は、また、ポリマーであってもよい。
従って、本発明はなお更に、本発明に係る化合物および少なくとも1つの更なる有機機能性材料を含んでなる組成物を提供する。機能性材料は、一般に、アノードとカソードとの間に導入された、有機もしくは無機材料である。好ましくは、該有機機能性材料は、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、n型ドーパント、ワイドバンドギャップ材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料からなる群から選択される。
従って、本発明はまた、少なくとも1つの、式(I)および/または式(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を含んでなる少なくとも1つの化合物、並びに少なくとも1つの更なるマトリックス材料を含んでなる組成物に関する。本発明の特別な見方によれば、該更なるマトリックス材料は、正孔輸送特性を有する。
本発明はさらに、少なくとも1つの、式(I)および/または式(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を含んでなる、少なくとも1つの化合物、並びに少なくとも1つのワイドバンドギャップ材料を含んでなる組成物を提供する。ここで、ワイドバンドギャップ材料は、US7,294,849で開示される材料を意味するものと理解される。これらの系は、エレクトロルミネッセンス素子において特に有利な性能データを示す。
好ましくは、追加の化合物は、2.5eV以上、好ましくは3.0eV以上、非常に好ましくは3.5eV以上のバンドギャップを有する。バンドギャップを計算する1つの方法は、最高被占軌道(HOMO)と最低空軌道(LUMO)のエネルギー準位を用いる。
分子軌道、特に最高被占軌道(HOMO)および最低空軌道(LUMO)、それらのエネルギー準位および材料の、最低三重項状態Tのエネルギーもしくは最低励起一重項状態Sのエネルギーは、量子化学計算を用いて決定される。金属を含まない有機物質を計算するために、まず「基底状態/半経験的/初期スピン/AM1/チャージ0/スピン一重項」法を用いて、構造最適化が行われる。続いて、最適化された構造に基づきエネルギー計算が行われる。ここで、「TD−SCF/DFT/初期スピン/B3PW91」法が「6−31G(d)」基底集合(チャージ0、スピン一重項)とともに用いられる。金属含有化合物に対しては、「基底状態/ハートリーフォック(Hartree−Fock)/初期スピン/LanL2MB/チャージ0/スピン一重項」法を用い、構造が最適化される。エネルギー計算は、金属に対して「LanL2DZ」基底集合が用いられ、配位子に対して「6−31G(d)」が用いられるという相違点を除いては、上述の有機物質に対する方法と同様に計算される。HOMOエネルギー準位HEhまたはLUMOエネルギー準位LEhは、エネルギー計算からハートリー単位で得られる。これは、電子ボルトにおけるHOMOおよびLUMOエネルギー準位を、以下のようにサイクリックボルタンメトリー(cyclic voltammetry)測定により較正することにより決定するのに使用される。
HOMO(eV)=((HEh*27.212)−0.9899)/1.1206
LUMO(eV)=((LEh*27.212)−2.0041)/1.385
本発明の文脈において、これらの値は、材料の、HOMOおよびLUMOエネルギー準位とみなされる。
最低三重項状態Tは、記載された量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する三重項状態のエネルギーと定義される。
最低励起一重項状態Sは、記載された量子化学計算から明らかな、最低エネルギーを有する励起一重項状態のエネルギーと定義される。
ここで記述される方法は、使用されるソフトウェアパッケージから独立しており、常に回同じ結果を与えるものである。この目的で頻繁に使用されるプログラムの例として、「Gaussian09W」(ガウシアン社(Gaussian))およびQ−Chem4.1(キュー−ケム社(Q−Chem))が挙げられる。
本発明はさらに、少なくとも1つの、式(I)および/または式(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を含んでなる、少なくとも1つの化合物、並びに少なくとも1つの燐光エミッターを含んでなる組成物を提供する。ここで、用語「燐光エミッター」はまた、燐光ドーパントを意味するものと理解される。
マトリックス材料およびドーパントを含む系において、ドーパントは、当該混合物中でより小さい割合を有する成分を意味するものと理解される。相応して、マトリックス材料およびドーパントを含む系において、マトリックス材料は、当該混合物中でより大きい割合を有する成分を意味するものと理解される。
マトリックス系での、好ましくは混合マトリックス系での使用に好ましい燐光ドーパントは、以下で特記する、好ましい燐光ドーパントである。
用語「燐光ドーパント」は、典型的には、スピン禁制遷移、例えば、励起三重項状態、もしくはより高いスピン量子数を有する状態、例えば、五重項状態からの遷移により発光が起こる化合物を包含する。
好適な燐光性化合物(=三重項エミッター)は、特に、好ましくは可視領域において、適切に励起された時、発光し、かつ、さらに、原子番号が20より大きい、好ましくは、38より大きくかつ84未満の、より好ましくは、56より大きくかつ80未満の原子を、特にこの原子番号を有する金属を、少なくとも1つ含む化合物である。用いられる燐光エミッターは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユーロピウムを含む化合物であり、特に、イリジウムまたは白金を含む化合物である。本発明文脈において、上記金属を含むすべての発光性化合物は、燐光性化合物とみなされる。
上記のエミッターの例は、WO00/70655、WO2001/41512、WO2002/02714、WO2002/15645、EP1191613、EP1191612、EP1191614、WO05/033244、WO05/019373、US2005/0258742、WO2009/146770、WO2010/015307、WO2010/031485、WO2010/054731、WO2010/054728、WO2010/086089、WO2010/099852、WO2010/102709、WO2011/032626、WO2011/066898、WO2011/157339、WO2012/007086、WO2014/008982、WO2014/023377、WO2014/094961、WO2014/094960の出願、並びにEP13004411.8、EP14000345.0、EP14000417.7およびEP14002623.8の未公開出願に見い出すことができる。一般に、燐光発光性OLEDに対して従来技術で使用されているような、さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子の分野で当業者に知られているような、燐光錯体のすべては、好適であり、そして当業者は、発明的工夫をなすことなく、更なる燐光性錯体を使用することができる。
燐光ドーパントの明示的な例を以下の表に挙げる。
Figure 2018528936
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式(I)および/または式(II)で表される、または、上で詳記した好ましい態様の構造を含んでなる上述の化合物は、好ましくは、電子素子中の活性成分として用いることができる。電子素子は、アノード、カソード、およびアノードとカソードの間にある、少なくとも1つの層を含んでなり、前記層は有機もしくは有機金属化合物を少なくとも1つ含んでなる素子であると理解される。従って、本発明の電子素子は、アノード、カソード並びに式(I)および/または式(II)で表される構造を含んでなる、少なくとも1つの化合物をその間に含んでなる。好ましい電子素子は、ここでは、有機エレクトロルミネッセンス素子(OLED、PLED)、有機集積回路(O−IC)、有機電界効果トランジスタ(O−FET)、有機薄膜トランジスタ(O−TFT)、有機発光トランジスタ(O−LET)、有機太陽電池(O−SC)、有機光検出器、有機感光体、有機電場消光素子(O−FQD)、有機電気センサ、発光電気化学セル(LEC)、有機レーザーダイオード(O−laser)、および有機プラズモン発光素子(D.M.Koller et al.,Nature Photonics 2008, 1−4)、好ましくは、有機エレクトロルミネセンス素子(OLED、PLED)、特に、式(I)および/または式(II)で表される構造を含んでなる化合物を少なくとも1つ含有する燐光発光性OLED、からなる群から選択される。特に好ましいのは、有機エレクトロルミネッセンス素子である。活性成分は、一般に、アノードとカソードとの間に導入される、有機もしくは無機材料であり、例えば、電荷注入、電荷輸送もしくは電荷ブロック材料であるが、特に発光性材料およびマトリックス材料である。
本発明の好ましい実施態様は、有機エレクトロルミネッセンス素子である。有機エレクトロルミネッセンス素子は、アノード、カソードおよび少なくとも1つの発光層を具備してなる。有機エレクトロルミネッセンス素子は、これらの層の他に、更なる層、例えば、各々の場合において、1つ以上の、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電子ブロック層、電荷発生層および/または有機もしくは無機の、p/n接合を具備していてもよい。その際、1つ以上の正孔輸送層が、例えば、MoOもしくはWOのような金属酸化物で、または電子の不足した(過)フッ素化芳香族系で、p−ドープされるか、および/または1つ以上の電子輸送層が、n−ドープされていることができる。同様に、例えば、励起子ブロック機能を有する、および/または有機エレクトロルミネッセンス素子中の電荷バランスを制御する中間層が2つの発光層の間に導入されていてもよい。しかしながら、これらの層の各々は、必ずしも存在していなくてもよいということに留意すべきである。
ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子は、1つの発光層を具備してなる、または複数の発光層を具備していてもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは、好ましくは、全体で白色光を生じるように、380nm〜750nm全体で複数の発光極大を有する、すなわち、蛍光もしくは燐光を発することができる様々な発光化合物が発光層中に使用される。特に好ましいのは、3層が、青、緑およびオレンジもしくは赤の発光を呈する3層系(基本構造については、例えば、WO2005/011013を参照)、または3つ以上の発光層を有する系である。該系は、1つ以上の層が蛍光を発し、かつ、1つ以上の他の層が燐光を発するハイブリッド構造であってもよい。
本発明の好ましい実施態様において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、式(I)および/または式(II)で表される、または、上で詳記した好ましい態様の構造を含んでなる本発明の化合物を、マトリックス材料として、好ましくは電子伝導性マトリックス材料として、1つ以上の発光層中に、好ましくは、更なるマトリックス材料、好ましくは正孔伝導性のマトリックス材料と組み合せて含む。本発明のさらに好ましい実施態様では、更なるマトリックス材料は、電子輸送性化合物である。なお、さらに好ましい実施態様では、更なるマトリックス材料は、層中で正孔および電子輸送に関与していないか重要な程度には関与していない、大きなバンドギャップを有する化合物である。発光層は、少なくとも1つの発光性化合物を含んでなる。
式(I)および/または式(II)で表される、または好ましい態様に従う化合物と組み合せて使用することのできる、好適なマトリックス材料は、芳香族ケトン類;芳香族ホスフィンオキシド類;または芳香族スルホキシド類もしくはスルホン類(例えば、WO2004/013080、WO2004/093207、WO2006/005627もしくはWO2010/006680による);トリアリールアミン類、特にモノアミン類(例えば、WO2014/015935による);カルバゾール誘導体類(例えば、CBP(N、N−ビスカルバゾリルビフェニル)、またはWO2005/039246、US2005/0069729、JP2004/288381、EP1205527、もしくはWO2008/086851に開示されるカルバゾール誘導体類);インドロカルバゾール誘導体類(例えば、WO2007/063754もしくはWO2008/056746による);インデノカルバゾール誘導体類(例えば、WO2010/136109およびWO2011/000455による);アザカルバゾール誘導体類(例えば、EP1617710、EP1617711、EP1731584、JP2005/347160による);双極性マトリックス材料(例えば、WO2007/137725による);シラン類(例えば、WO2005/111172による);アザボロール類もしくはボロン酸エステル類(例えば、WO2006/117052よる);トリアジン誘導体類(例えば、WO2010/015306、WO2007/063754もしくはWO2008/056746による);亜鉛錯体類(例えば、EP652273もしくはWO2009/062578による);ジアザシロールもしくはテトラアザシロール誘導体類(例えば、WO2010/054729による);ジアザホスホール誘導体類(例えば、WO2010/054730による);架橋カルバゾール誘導体類(例えば、US2009/0136779、WO2010/050778、WO2011/042107、WO2011/088877もしくはWO2012/143080による);トリフェニレン誘導体(例えば、WO2012/048781による);ラクタム類(例えば、WO2011/116865、WO2011/137951もしくはWO2013/064206による);または、4−スピロカルバゾール誘導体類(例えば、WO2014/094963または未公開出願EP14002104.9による)である。同様に、実際のエミッターよりも短い波長で発光する更なる燐光エミッターが、混合物中に共ホスト(co−host)として存在することも可能である。
好ましい共ホスト材料は、トリアリールアミン誘導体類、特にモノアミン類、インデノカルバゾール誘導体類、4−スピロカルバゾール誘導体類、ラクタム類、およびカルバゾール誘導体類である。
本発明の化合物と一緒に、共ホスト材料として使用される、好ましいトリアリールアミン誘導体類は、下記式(TA−1)で表される化合物から選択される:
Figure 2018528936
式中、Arは、出現毎に同一であるかまたは異なり、上記された、特に式(Q−1)に対して定義された通りである。好ましくは、基Arは、出現毎に同一であるかまたは異なり、上記の基、R−1〜R−79から、より好ましくはR−1〜R−51から選択される。
式(TA−1)で表される化合物の好ましい実施態様において、少なくとも1つの基Arは、ビフェニル基から選択され、それは、オルト− 、メタ−またはパラ−ビフェニル基であってもよい。式(TA−1)で表される化合物の更に好ましい実施態様において、少なくとも1つのAr基は、フルオレン基もしくはスピロビフルオレン基から選択され、ここで、これらの基はそれぞれ、1−、2−、3−もしくは4−位で、窒素原子に結合していてもよい。式(TA−1)で表される化合物の、なお、さらに好ましい実施態様において、少なくとも1つの基Arは、フェニレンもしくはビフェニル基から選択され、ここで、それらの基は、オルト−、メタ−もしくはパラ結合されている基であり、ジベンゾフラン基、ベンゾチオフェン基もしくはカルバゾール基、特にジベンゾフラン基により置換されており、ここで、ジベンゾフランもしくはベンゾチオフェン基が1−、2−、3−もしくは4−位を介して、フェニレンもしくはビフェニル基に結合しており、かつ、ここで、カルバゾール基が、1−、2−、3−もしくは4−位を介して、または窒素原子を介して、フェニレンもしくはビフェニル基に結合している。
式(TA−1)で表される化合物の特に好ましい実施態様において、1つの基Arは、フルオレンもしくはスピロビフルオレン基から、特に4−フルオレンもしくは4−スピロビフルオレン基から選択され、そして、1つの基Arは、ビフェニル基、特に、パラ−ビフェニル基から、またはフルオレン基、特に2−フルオレン基から選択され、また、第三の基Arは、ジベンゾフラン基、特に4−ジベンゾフラン基で、またはカルバゾール基、特にN−カルバゾール基もしくは3−カルバゾール基で、置換された、パラ−フェニレン基もしくはパラ−ビフェニル基から選択される。
本発明の化合物と一緒に、共ホスト材料として使用されるインデノカルバゾール誘導体は、下記式(TA−2)で表される化合物から選択される:
Figure 2018528936
式中、ArおよびRは、上記された、特に式(I)、(II)および/または(Q−1)に対する定義を有する。基Arの好ましい実施態様は、上述した構造(R−1)〜(R−79)、より好ましくは、R−1〜R−51である。
式(TA−2)で表される化合物の好ましい実施態様は、下記式(TA−2a)で表される化合物である:
Figure 2018528936
式中、ArおよびRは、上記された、特に式(I)、(II)および/または(Q−1)に対する定義を有する。ここで、インデノ炭素原子に結合した2つの基Rは、好ましくは、同一であるかまたは異なり、それぞれ、1〜4個の炭素原子を有するアルキル基、特にメチル基、または6〜12個の炭素原子を有する芳香族環系、特にフェニル基である。より好ましくは、インデノ炭素原子に結合した、この2つの基Rはメチル基である。さらに好ましくは、式(TA−2a)中のインデノカルバゾール基本骨格に結合した置換基Rは、H、または、1−、2−、3−もしくは4−位を介して、または窒素原子を介して、特に3位を介してインデノカルバゾール基本骨格に結合することのできるカルバゾール基である。
本発明の化合物と一緒に、共ホスト材料として使用される4−スピロカルバゾール誘導体は、下記式(TA−3)で表される化合物から選択される:
Figure 2018528936
式中、ArおよびRは、上記された、特に式(I)、(II)および/または(Q−1)に対する定義を有する。基Arの好ましい実施態様は、上述した構造(R−1)〜(R−79)、より好ましくは、R−1〜R−51である。
式(TA−3)で表される化合物の好ましい実施態様は、下記式(TA−3a)で表される化合物である:
Figure 2018528936
式中、ArおよびRは、上記された、特に式(I)、(II)および/または(Q−1)に対する定義をする。基Arの好ましい実施態様は、上述した構造R−1〜R−79、より好ましくは、R−1〜R−51である。
本発明の化合物と一緒に、共ホスト材料として使用されるラクタムは、下記式(LAC−1)で表される化合物から選択される:
Figure 2018528936
式中、Rは、上記された、特に式(I)および/または(II)に対する定義を有する。
式(LAC−1)で表される化合物の好ましい実施態様は、下記式(LAC−1a)で表される化合物である:
Figure 2018528936
式中、Rは、上記された、特に式(I)および/または(II)に対する定義を有する。Rは、好ましくは、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、または、5〜40個の芳香族環原子を有し、1つの以上のラジカルRで置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、ここで、Rは、上記された、特に式(I)および/または(II)に対する定義を有することができる。最も好ましくは、置換基Rは、H、および、6〜18個の芳香族環原子を有し、好ましくは6〜13個の芳香族環原子を有し、その各々が1つの以上の非芳香族系のラジカルRで置換されていてもよいが、好ましくは非置換である、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系からなる群から選択される。適当な置換基Rの例は、フェニル、オルト−、メタ−もしくはパラ−ビフェニル、ターフェニル、特に分枝状のターフェニル、クウォーターフェニル、特に分枝状のクウォーターフェニル、1−、2−、3−もしくは4−フルオレニル、1−、2−、3−もしくは4−スピロビフルオレニル、ピリジル、ピリミジニル、1−、2−、3−もしくは4−ジベンゾフラニル、1−、2−、3−もしくは4−ジベンゾチエニル、1−、2−、3−もしくは4−カルバゾリル(これらの各々は、1つの以上のラジカルRで置換されていてもよいが、好ましくは非置換である)からなる群から選択される。適当な構造Rは、R−1〜R−79、より好ましくはR−1〜R−51に対して示された構造と同じである。
また、異なるマトリックス材料の複数を混合物として、特に、少なくとも1つの電子伝導性マトリックス材料と少なくとも1つの正孔伝導性マトリックス材料を使用することが好ましい。同様に、電荷輸送性マトリックス材料と、例えば、WO2010/108579に記載されているような、電荷輸送に、あるとしても重要な程度には関与していない、電気的に不活性なマトリックス材料との混合物の使用も好ましい。
さらに、2つ以上の三重項エミッターとマトリックスとの混合物の使用が好ましい。ここで、より短い波長の発光スペクトルを持つ三重項エミッターは、より長い波長の発光スペクトルを持つ三重項エミッターに対する共マトリックスとして働く。
より好ましくは、式(I)および/または(II)で表される構造を、好ましい実施態様で含んでなる本発明の化合物は、有機電子素子、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子、例えば、OLEDまたはOLECの中の発光層におけるマトリックス材料として使用することができる。この場合、式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を含んでなるマトリックス材料は、1つ以上のドーパント、好ましくは燐光ドーパントと組み合わせて電子素子中に存在する。
この場合、発光層中のマトリックス材料の割合は、蛍光発光層に対しては、50.0〜99.9体積%、好ましくは80.0〜99.5体積%、そして、より好ましくは92.0〜99.5体積%であり、また、燐光発光層に対しては、85.0〜97.0体積%である。
これに対応して、ドーパントの割合は、蛍光発光層に対しては、0.1〜50.0体積%、好ましくは0.5〜20.0体積%、そして、より好ましくは0.5〜8.0体積%であり、また、燐光発光層に対しては、3.0〜15.0体積%である。
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層はまた、複数のマトリックス材料(混合マトリックス系)および/または複数のドーパントを含む系であってもよい。この場合も、ドーパントは一般に、その系中で、より小さい割合を有する材料であり、また、マトリックス材料は、その系中で、より大きい割合を有する材料である。しかしながら、個々のケースでは、その系における単一のマトリックス材料の割合は、単一のドーパントの割合よりも小さくてもよい。
本発明のさらに好ましい実施態様において、式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を含んでなる化合物は、混合マトリックス系の1つの成分として使用される。混合マトリックス系は好ましくは、2つもしくは3つの異なるマトリックス材料、より好ましくは、2つの異なるマトリックス材料を含む。この場合、2つの材料の一方が正孔輸送特性を有する材料であり、かつ、他方の材料が電子輸送特性を有する材料であることが好ましい。しかしながら、混合マトリックス成分の、所望の電子輸送および正孔輸送特性はまた、主としてまたは完全に、単一の混合マトリックス成分に組み込まれていてもよく、その場合、更なる混合マトリックス成分(単数もしくは複数)が他の機能を満たす。2つの異なるマトリックス材料は、1:50〜1:1、好ましくは1:20〜1:1、より好ましくは1:10〜1:1、そして最も好ましくは1:4〜1:1の割合で存在することができる。混合マトリックス系を燐光発光性の有機エレクトロルミネッセンス素子で使用することが好ましい。混合マトリックス系のより詳細な情報は、特に、出願WO2010/108579に示されている。
本発明は、1つ以上の電子伝導層に電子伝導性の化合物として、本発明に係る化合物の1つ以上および/または本発明に係る、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーの少なくとも1つを含んでなる、電子素子、好ましくは有機エレクトロルミネッセンス素子をさらに提供する。
カソードは、好ましくは、低い仕事関数を有する金属、金属合金、または、例えば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族の金属もしくはランタノイド(例えば、Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)のような様々な金属で構成される多層構造体である。また、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属と、銀とで構成される合金、例えば、マグネシウムと銀とで構成される合金、が好適である。多層構造体の場合には、前記金属に加えて、例えば、Agのような比較的高い仕事関数を有する更なる金属もまた用いることもでき、この場合、例えば、Mg/Ag、Ca/AgもしくはBa/Agのような金属の組合せが、一般に用いられる。また、好ましくは、高い誘電率を有する材料からなる薄い中間層を、金属カソードと有機半導体の間に導入することもできる。この目的のために好適な材料の例は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のフッ化物であり、また、対応する、酸化物もしくは炭酸塩(例えば、LiF、LiO、BaF、MgO、NaF、CsF、CsCO等)である。同様に、この目的のために有用なのは、有機アルカリ金属錯体、例えば、Liq(キノリン酸リチウム)である。この層の層厚は、好ましくは、0.5〜5nmである。
アノードは、好ましくは、高い仕事関数を有する材料である。アノードは、好ましくは、真空に対して4.5eVよりも大きい仕事関数を有する。第一に、高い酸化還元電位を有する金属、例えば、Ag、PtもしくはAu、がこの目的に適している。第二に、金属/金属酸化物の電極(例えば、Al/Ni/NiOx、Al/PtOx)もまた好ましい。いくつかの用途に対して、有機材料(O−SC)の照射、または光の発光(OLED/PLED、O−laser)のいずれかを可能にするために、少なくとも1つの電極が透明もしくは部分的に透明でなければならない。ここで、好ましいアノード材料は、伝導性の混合金属酸化物である。特に好ましいのは、酸化インジウムスズ(ITO)または酸化インジウム亜鉛(IZO)である。さらに、好ましいのは、ドーピングされた、伝導性の有機材料、特に、ドーピングされた、伝導性のポリマー、例えば、PEDOT、PANIもしくはこれらのポリマーの誘導体である。p型にドープされた正孔輸送性材料が正孔注入層としてアノードに適用される時がさらに好ましく、この場合、好適なp−ドーパントは、金属酸化物、例えばMoOもしくはWO、または電子の不足した(過)フッ素化された芳香族系である。さらに好適なp−ドーパントは、HAT−CN(ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン)またはノバレッド社(Novaled)製の化合物NPD9である。そのような層は、低いHOMOを、すなわち、大きさでは大きいHOMOを有する材料中への正孔注入を簡単にする。
更なる層において、その層に先行技術で使用される任意の材料を一般的に用いることができ、そして当業者は、発明的工夫なしに、電子素子において、これらの材料の任意のものを本発明に係る材料と組み合わせることができる。
このような素子の寿命は、水および/または空気の存在により著しく短縮されるので、素子は、(用途に応じて)それ相応に構造化され、接点が備えられ、さらに最後に密閉される。
さらに好ましいのは、1つ以上の層が、昇華法により塗布されていることを特徴とする、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子である。この場合、その材料を、10−5ミリバール未満、好ましくは10−6ミリバール未満の初期圧力で、真空昇華系の中で真空蒸着により塗布する。初期圧力は、さらに低いまたはさらに高いこと、例えば10−7ミリバール未満も可能である。
同様に好ましいのは、1つ以上の層が、OVPD(有機気相蒸着)法により、またはキャリヤガスの昇華を用いて塗布されていることを特徴とする、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子である。この場合、その材料を、10−5ミリバール〜1バールの圧力で塗布する。この方法の特別な場合は、OVJP(有機蒸気ジェット印刷)法であり、この方法では、この材料は、ノズルを通して直接塗布され、さらに構造化される(例えば、M.S.Arnold et al.,Appl.Phys.Lett.2008,92,053301)。
さらに好ましいのは、1つ以上の層が、例えば、スピンコーティングにより、または、例えば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、もしくはノズル印刷、しかしより好ましくは、LITI(光誘起熱画像化、熱転写印刷)、もしくはインクジェット印刷のような任意の印刷法により溶液から作製されていることを特徴とする、電子素子、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子である。この目的のためには、可溶性の化合物が必要であり、これは、例えば、適当な置換により得られる。
電子素子、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、ハイブリッド系として、1つ以上の層を溶液から塗布し、さらに1つ以上の他の層を真空蒸着で塗布することにより製造することもできる。例えば、式(I)および/または式(II)で表される化合物とマトリックス材料を含んでなる発光層を溶液から塗布し、そして、それに正孔ブロック層および/または電子輸送層を減圧下、真空蒸着により塗布することができる。
これらの方法は、当業者に一般的に知られており、そして、式(I)および/または式(II)で表される、または上記で詳述した好ましい態様の化合物を含んでなる、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に容易に適用することができる。
本発明に係る電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子は、1つ以上の、従来技術に優る下記の驚くべき利点により注目に値する。
1.式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている好ましい態様の構造を有する、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、特に電子伝導性材料として含んでなる、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子は、非常に良い寿命を有する。
2.式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を有する、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、電子伝導性材料として含んでなる、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子は、優れた効率を有する。より具体的には、式(I)および/または(II)で表される構造単位を含まない類似の化合物に比較して、効率がより一層高い。
3.式(I)および/または(II)で表される、または、上でおよびこれ以降で詳記されている、好ましい態様の構造を有する、本発明に係る、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、非常に高い安定性を示し、かつ、非常に長い寿命を有する化合物をもたらす。
4.式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を有する、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを用いることで、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子における光損失チャネルの形成を回避することができる。この結果、これらの素子は、高いPL効率およびそれによるエミッターの高いEL効率、並びにマトリックスからドーパントへの優れたエネルギー伝導を特徴とする。
5.式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を有する、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーの、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子の層内での使用は、電子伝導性構造の高移動度をもたらす。
6.式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を有する、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、優れた熱安定性を特徴とし、また、約1200g/モル未満の分子量を有する化合物は、良好な昇華性を有する。
7.式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を有する、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、優れたガラス被膜形成性を有する。
8.式(I)および/または(II)で表される、または、上でおよびこれ以降で詳記されている、好ましい態様の構造を有する、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、溶液から非常に良好な被膜を形成する。
9.式(I)および/または(II)で表される、または、上記および後記されている、好ましい態様の構造を含んでなる、化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、驚くほど高い三重項準位Tを有し、これは特に、電子伝導性の材料として使用される化合物に言えることである。
これらの上記した利点は、他の電子的特性の劣化を伴うものではない。
本発明に係る、化合物および混合物は、電子素子での使用に適している。電子素子は、有機化合物を少なくとも1つ含む層を少なくとも1つ含む素子を意味するものと理解される。この素子はまた、無機材料を含むか、または全部無機材料から形成された層を含んでいてもよい。
本発明は、従って、電子素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子における、本発明に係る、化合物または混合物の使用を提供する。
本発明は、なおさらに、本発明に係る化合物、および/または本発明に係る、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーの、電子素子における、正孔ブロック材料、電子注入材料および/または電子輸送材料としての使用を提供する。
本発明は、なおさらに、上記で詳説した本発明に係る、化合物または混合物の少なくとも1つを含んでなる、電子素子を提供する。この場合、該化合物に対して詳述した好ましい態様が当該電子素子にも適用される。
本発明の更なる実施態様において、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、個々の、正孔注入層および/または正孔輸送層および/または正孔ブロック層および/または電子輸送層を含まないが、このことは、例えば、WO2005/053051に記載されるように、発光層が正孔注入層もしくはアノードに直接隣接する、および/または発光層が電子輸送層もしくは電子注入層もしくはカソードに直接隣接することを意味する。さらに、例えば、WO2009/030981に記載されるように、発光層中の金属錯体と、同一もしくは類似の金属錯体を、発光層に直接隣接する、正孔輸送もしくは正孔注入材料として使用することもできる。
また、本発明に係る化合物を、正孔ブロックもしくは電子輸送層中に使用することができる。これは、カルバゾール構造を有していない本発明の化合物について特に言えることである。これらはまた、好ましくは、1つ以上の更なる電子輸送性基、例えば、ベンズイミダゾールで置換されていてもよい。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の更なる層において、従来技術に従って通常使用されるような任意の材料を使用することができる。従って、当業者は、発明的工夫をなすことなく、有機エレクトロルミネッセンス素子に対して知られた任意の材料を、式(I)および/または(II)で表される、または、好ましい実施態様に従う、本発明に係る化合物と組み合わせて使用することができる。
発明に係る化合物は一般的に、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される場合、非常に良好な特性を有している。特に、本発明に係る化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する場合、従来技術による類似した化合物と比較して寿命が著しく良好である。同時に、有機エレクトロルミネッセンス素子の他の特性、特に、効率と電圧は同様に、より良いか、少なくとも同等である。
本発明に記載の実施態様の変形は、本発明の範囲内に包含されることに留意すべきである。本発明に開示された各特徴は、これが明示的に除外されない限り、同じ目的を、または同等もしくは類似の目的を満たす、代替的な特徴と交換され得る。それ故、本発明に開示された各特徴は、特に明記しない限り、一般的なシリーズの例、または同等もしくは類似の特徴であるとみなされるべきである。
本発明の全ての特徴は、特別な特徴および/または手順が相互に排他的でない限り、互いに任意の方法で組み合わせることができる。これは、本発明の好ましい特徴に特に言えることである。
同様に、本質的でない組み合わせの特徴は、分離して(そして、組み合わせずに)用いることができる。
多くの特徴、および特に本発明の好ましい実施態様の特徴は、それ自体で、発明的であり、本発明の実施態様の一部であるとのみ考えられるべきではないことに留意すべきである。これらの特徴については、現在特許請求の範囲に記載されている発明に加えて、もしくは替えて、独立した保護を求めることができる。
本発明と共に開示された技術的教示は、抽象化され、そして他の実施例と組み合わせることができる。
本発明は、以下の実施例により詳細に説明するが、それにより本発明を制限するものではない。
当業者は、以下の詳述を用いて、発明的な工夫なしで、さらに本発明に係る電子素子を製造し、それにより特許請求の範囲全体に亘り、本発明を実施することができる。
実施例
以下の合成は、特に明記しない限り、保護ガス雰囲気下、乾燥溶媒中で行われる。溶媒および試薬は、例えば、シグマ−アルドリッチ社(Sigma−Aldrich)またはエービーシーアール社(ABCR)から購入できる。文献から知られている化合物に対しては、それぞれの場合において、対応するCAS番号が示されている。
合成例
a)4−ブロモ−9−メチル−9−フェニル−9H−フルオレン
Figure 2018528936
30g(94ミリモル)の2,2’−ジブロモビフェニルを加熱フラスコ中、200mlの乾燥したTHFに溶解する。反応混合物を−78℃に冷却する。この温度で、へキサン(94ミリモル)中、n−ブチルリチウムの2.5M溶液37.7mlをゆっくり(約1時間に亘り)滴下する。混合物を−70℃でさらに1時間撹拌する。次いで、11.1mlのアセトフェノン(94ミリモル)をTHF100mlに溶解し、−70℃で滴下する。添加終了後、反応混合物を徐々に室温まで温め、NHClで急冷し、次いで回転式エバポレーターで濃縮する。濃縮された溶液に、300mlの酢酸を注意深く加え、その後50mlの発煙HClを加える。混合物を75℃に加熱し、そこで6時間保持する。この時間の間に、白色の固体が沈殿する。
混合物を室温に冷却し、そして沈殿した固体を吸引濾過し、メタノールで洗浄する。残留物を、減圧下、40℃で乾燥させる。収量は25.3g(75ミリモル)(理論値の80%)である。
b)4−ブロム−9,9−ジフェニル−9H−フルオレン
Figure 2018528936
37g(152ミリモル)の2,2’−ジブロモビフェニルを加熱フラスコ中、300mlの乾燥したTHFに溶解する。反応混合物を−78℃に冷却する。この温度で、へキサン(119ミリモル)中、n−ブチルリチウムの15%溶液75mlをゆっくり(約1時間に亘り)滴下する。混合物を−70℃でさらに1時間撹拌する。次いで、21.8mlのベンゾフェノン(119ミリモル)をTHF100mlに溶解し、−70℃で滴下する。添加終了後、反応混合物を徐々に室温まで温め、NHClで急冷し、次いで回転式エバポレーターで濃縮する。濃縮された溶液に、510mlの酢酸を注意深く加え、その後100mlの発煙HClを加える。混合物を75℃に加熱し、この温度で4時間保持する。この時間の間に、白色の固体が沈殿する。混合物を室温に冷却し、そして沈殿した固体を吸引濾過し、メタノールで洗浄する。残留物を、減圧下、40℃で乾燥させる。収量は33.2g(83ミリモル)(理論値の70%)である。
同様の方法で、以下の臭素化された化合物を製造する:
Figure 2018528936
c)1−ブロモスピロ−9,9’−ビフルオレン
Figure 2018528936
ヨウ素で活性化した削り屑状マグネシウム2.7g(110ミリモル)、並びに25.6g(110ミリモル)の2−ブロモビフェニル、0.8mlの1,2−ジクロロエタン、50mlの1,2−ジメトキシエタン、400mlのTHFおよび200mlのトルエンの混合物を使用して、70℃の油浴でわずかに加熱することにより、対応するグリニャール試薬を作成する。マグネシウムが十分に反応した後、混合物を室温まで冷却し、次いでTHF500ml中、1−ブロモフルオレノン[36804−63−4]25.9g(100ミリモル)の溶液を滴下し、反応混合物を4時間、50℃に加熱し、次いで室温でさらに12時間撹拌する。水100mlを加え、混合物を短時間攪拌し、有機相を分離し、さらに減圧下で溶媒を除去する。残渣を、40℃に加熱した氷酢酸500mlに懸濁し、0.5mlの濃硫酸を懸濁液に加え、その後、混合物を100℃で2時間、撹拌する。冷却後、析出した固体を吸引濾過し、氷酢酸100mlで1回、また、その都度100mlのエタノールで3回洗浄し、そして最後にジオキサンから再結晶させる。収量:26.9g、(68ミリモル)、68%。純度:H−NMRにより、約98%。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
d)4−ビフェニル―4−イル−2−クロロキナゾリン
Figure 2018528936
13g(70ミリモル)のビフェニル−4−ボロン酸、13.8g(70ミリモル)の2,4−ジクロロキナゾリンおよび14.7g(139ミリモル)の炭酸ナトリウムを、200mlのトルエン、52mlのエタノールおよび100mlの水に懸濁する。この懸濁液に、800mgの(0.69ミリモル)のテトラキスフェニルホスフィンパラジウム(0)を加え、反応混合物を還流下に16時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、シリカゲルを通して濾過し、200mlの水で3回洗浄し、次いで濃縮乾固する。残留物を、ヘプタン/ジクロロメタンから再結晶させる。収量は、理論値の59%に相当する13g(41ミリモル)である。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
Figure 2018528936
e)4−(9H,9’H−[9,9’]−ビフルオレニル−1−イル)−2−フェニルキナゾリン
Figure 2018528936
工程1)スピロ−9,9’−ビフルオレン−1−ボロン酸の合成
ジエチルエーテル1500ml中、106g(270ミリモル)の1−ブロモ−9−スピロビフルオレンの、−78℃に冷却した溶液に、110ml(276ミリモル)のn−ブチルリチウム(へキサン中、2.5M)を滴下する。反応混合物を−78℃で30分間攪拌する。混合物を室温になるまで放置し、再び−78℃に冷却した後、ジエチルエーテル50ml中に40ml(351ミリモル)のホウ酸トリメチルの混合物を迅速に添加する。−10℃に温めた後、135mlの2N−塩酸で加水分解させる。有機相を分離し、水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固させる。残留物を300mlのn−ヘプタンに取り、無色の固体を吸引濾過し、n−ヘプタンで洗浄し、減圧下で乾燥させる。収量:94.5g(255ミリモル)、理論値の99%。純度:HPLCにより、99%。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
Figure 2018528936
工程2)4−(9H,9’H−[9,9’]−ビフルオレニル−1−イル)−2−フェニルキナゾリン
56.8g(110ミリモル)のスピロ−9,9’−ビフルオレン−1−ボロン酸、26g(110.0ミリモル)の4−クロロ−2−フェニルキナゾリンおよび44.6g(210.0ミリモル)のリン酸三カリウムを、500mlのトルエン、500mlのジオキサンおよび500mlの水に懸濁させる。この懸濁液に、913mg(3.0ミリモル)のトリ−o−トリルホスフィンを、次いで112mg(0.5ミリモル)の酢酸パラジウム(II)を添加し、その後、反応混合物を還流下で16時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、シリカゲルを通して濾過し、200mlの水で3回洗浄し、次いで濃縮乾固する。残渣を、トルエンから、そしてジクロロメタン/イソプロパノールから再結晶させ、最終的に、高真空下(p=5×10−5ミリバール、T=350℃)で昇華させる。収率は、理論値の80%に相当する64g(43.5ミリモル)である。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
f)2−(7−ブロモ−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−4−イル)−4−フェニルキナゾリン
Figure 2018528936
75.6g(190.0ミリモル)の2−(9,9−ジメチル―9H−フルオレン−4−イル)−4−フェニルキナゾリンを、2000mlの酢酸(100%)および2000mlの硫酸(95〜98%)に懸濁させる。この懸濁液に、34g(190ミリモル)のNBSを添加し、混合物を暗所で2時間撹拌する。その後、水/氷を添加し、固体を分離し、さらにエタノールで洗浄する。残渣をトルエンで再結晶させる。収量は、理論値の76%に相当する68g(142ミリモル)である。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
g)9,9−ジメチル−5−(4―フェニルキナゾリン−2−イル)−9H−フルオレン−2−ボロン酸
Figure 2018528936
ジエチルエーテル1500ml中、128g(270ミリモル)の4−[3−(7’−ブロモ−9,9’−スピロビ[フルオレン]−4’−イル)フェニル]−1−フェニルベンズイミダゾールの、−78℃に冷却した溶液に、110ml(276ミリモル)のn−ブチルリチウム(へキサン中、2.5M)を滴下する。反応混合物を−78℃で30分間攪拌する。混合物を室温になるまで放置し、再び−78℃に冷却した後、ジエチルエーテル50ml中に40ml(351ミリモル)のホウ酸トリメチルの混合物を迅速に添加する。−10℃に温めた後、135mlの2N−塩酸で加水分解させる。有機相を分離し、水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮乾固させる。残留物を300mlのn−ヘプタンに取り、無色の固体を吸引濾過し、n−ヘプタンで洗浄し、減圧下で乾燥させる。収量:126g(241ミリモル)、理論値の99%。純度:HPLCにより、90%。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
h)2−[7−(4,6−ジフェニル−[1,3,5]トリアジン−2−イル)−9,9−ジメチル−9H−フルオレン−4−イル]−4−フェニルキナゾリン
Figure 2018528936
48g(110.0ミリモル)の9,9−ジメチル−5−(4―フェニルキナゾリン−2−イル)−9H−フルオレン−2−ボロン酸、29.5g(110.0ミリモル)の2−クロロ−4,6−ジフェニル−1,3,5−トリアジンおよび21g(210.0ミリモル)の炭酸ナトリウムを、500mlのエチレングリコールジアミンエーテルおよび500mlの水に懸濁させる。この懸濁液に、913mg(3.0ミリモル)のトリ−o−トリルホスフィンを、次いで112mg(0.5ミリモル)の酢酸パラジウム(II)を添加し、そして、反応混合物を還流下で16時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、シリカゲルを通して濾過し、200mlの水で3回洗浄し、次いで濃縮乾固する。残渣をトルエンから、そして、ジクロロメタン/イソプロパノールから再結晶させ、最終的に、高真空下(p=5×10−5ミリバール、T=350℃)で昇華させる。収率は、理論値の86%に相当する58g(93ミリモル)である。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
Figure 2018528936
i)4−[3−(7’−ブロモ−9,9’−スピロビ[フルオレン]−4’−イル)フェニル]−1−フェニルベンゾイミダゾール
Figure 2018528936
最初に、保護ガス下で2lの四つ口フラスコに、400mlのトルエン、400mlの1,4−ジオキサンおよび200ml脱イオン水の中の、50.0g(105ミリモル、 1.00当量)の4,4’−ジブロモ−9,9’−スピロビフルオレン、41.7g(105ミリモル、1.00当量)の1−フェニル−2−[e−(4,4,5,5−テトラメチル−[1,3,2]ジオキサボロラン−y−イル)フェニル]−1H−ベンゾイミダゾールおよび36.4g(263ミリモル、2.50当量)の炭酸カリウムを装入し、さらに混合物を脱気する。次いで、1.22g(1.05ミリモル、0.01当量)のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を添加し、そして、混合物を還流下で一晩加熱する。反応の終了後、混合物を冷却し、セライトを通して濾過し、1lのトルエンで希釈する。溶液を、各300mlの半飽和塩化ナトリウム溶液で3回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、そして回転式エバポレーターで約200mlまで濃縮する。沈殿した固体を濾過し、減圧下で乾燥させる。二置換された副生成物を昇華により分離する。21.0g(32ミリモル、31%)の所望の生成物を得る。
バリアントB:
バリアントAに類似の手順;テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)の代わりに、0.01当量の酢酸パラジウム(II)および0.01当量のジシクロヘキシル(2’,6’−ジメトキシビフェニル−2−イル)ホスフィン(SPhos)を使用する。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
j)1−フェニル−2−[3−[7’−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−4−イル)−9,9’−スピロビ[フルオレン]−4’−イル]フェニル]ベンゾイミダゾール
Figure 2018528936
最初に、1lの四つ口フラスコに、500mlの乾燥させた1,4−ジオキサン中の、22.0g(33.1ミリモル、1.00当量)の2−[3−(7’−ブロモ−9,9’−スピロビ[フルオレン]−2’−イル)フェニル]−1−フェニルベンゾイミダゾール、8.84g(30.1ミリモル、0.91当量)のビス(ピナコラト)ジボロンおよび26.0g(265ミリモル、8.00当量q)の酢酸カリウムを装入し、混合物を30分間脱気する。次いで、812mg(0.995ミリモル、0.0300当量)の1,1−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセンジクロロパラジウム(II)錯体をDCMと一緒に添加し、混合物を内部温度80℃に加熱する。一晩撹拌後、混合物を冷却し、沈殿した固体を吸引濾過する。濾液を回転式エバポレーターで約50mlまで濃縮し、また、沈殿した固体を同様に吸引濾過する。固形物を合わせて、乾燥させる。21.0g(29.5ミリモル、89%)のボロン酸エステルを得る。
同様な方法により、下記の化合物が得られる:
Figure 2018528936
k)2−[3−[7’−(2−フェニルキナゾリン−4−イル)−9,9’−スピロビ[フルオレン]−4’−イル]フェニル]−1−フェニルベンゾイミダゾール
Figure 2018528936
バリアントA:
1lの三つ口フラスコに、200mlのトルエン、200mlの1,4−ジオキサンおよび100ml脱イオン水の中の、21.0g(29.5ミリモル、1.00当量)の1−フェニル−2−[3−[7’−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9’−スピロビ[フルオレン]−2’−イル]フェニル]ベンゾイミダゾールおよび7.2g(29.5ミリモル、1.00当量)の4−クロロ−2−フェニルキナゾリンを装入し、さらに混合物を20分間脱気する。1.02g(0.885ミリモル、0.0300当量)のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を添加し、混合物を還流下で2日間加熱し、さらに反応の終了後、冷却する。沈殿した固体を吸引濾過し、水と少量のトルエンで洗浄し、そしてその後、トルエン/ヘプタンから、>99.9%のHPLC純度が達成されるまで繰り返し再結晶させる。昇華後、11.5g(14.0ミリモル、46%)の無色固体を得る。
バリアントB:
バリアントAに類似の手順;テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)の代わりに、0.01当量の酢酸パラジウム(II)および0.04当量のトリ(o−トリル)ホスフィン(SPhos)を使用する。
バリアントC:
バリアントAに類似の手順;テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)の代わりに、0.01当量の酢酸パラジウム(II)および0.01当量のジシクロヘキシル(2’,6’−ジメトキシビフェニル−2−イル)ホスフィン(SPhos)を使用する。
下記のものが同様にして製造された:
Figure 2018528936
Figure 2018528936
OLEDの製造
以下の例C1〜I14(表1および2を参照)に、種々のOLEDのデータを示す。
例C1〜I14の前処理:50nmの厚さの、構造化されたITO(酸化インジウムスズ)で被覆されたガラス板が、OLEDを適用する基板である。
OLEDは、基本的に以下の層構造を有する:基板/正孔輸送層(HTL)/任意の中間層(IL)/電子ブロック層(EBL)/発光層(EML)/任意の正孔ブロック層(HBL)/電子輸送層(ETL)/任意の電子注入層(EIL)および最後にカソード。カソードは、厚さ100nmのアルミニウム層で形成される。OLEDの正確な構造は、表1に見い出すことができる。OLEDの製造に必要とされる材料を表3に示す。
全ての材料を真空チャンバ内での熱蒸着により塗布する。ここで、発光層は、常に、少なくとも1つのマトリックス材料(ホスト材料)と、同時蒸着によりマトリックス材料(単数もしくは複数)に特定の体積割合で混合される発光性ドーパント(エミッター)とからなる。IC1:IC3:TEG1(55%:35%:10%)のような形で示される詳細は、ここでは、材料IC1が当該層中に55%の体積割合で存在し、IC3が当該層中に35%の割合で存在し、さらにTEG1が当該層中に10%の割合で存在していることを意味する。同様に、電子輸送層も2つの材料の混合物からなっていてもよい。
OLEDは、標準的な方法によって特徴づけられる。この目的では、ランベルト放射特性を想定して電流−電圧−光束密度特性直線(IUL特性直線)から算出した光束密度の関数として、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率(cd/Aで測定)、電力効率(lm/Wで測定)および外部量子効率(EQE、百分率として測定)を求める。エレクトロルミネッセンススペクトルは、光束密度1000cd/mで求め、さらに、これからCIE1931規定によるxおよびy色座標を算出する。表2中のパラメータU1000は、1000cd/mの光束密度に対して必要とされる電圧を表わす。CE1000とPE1000はそれぞれ、1000cd/mで達成される、電流および電圧効率を表わす。最後に、EQE1000は、動作光束密度1000cd/mでの外部量子効率を表わす。
種々のOLEDのデータを表2にまとめる。例C1〜C4は、従来技術による比較例であり、例I1〜I14は、本発明によるOLEDのデータを示す。
本発明に係るOLEDの利点を説明するために、例のいくつかを以下に詳細に記載する。
燐光発光性のOLEDにおける、本発明に係る材料の使用
本発明に係る材料は、燐光発光性のOLED中で正孔ブロック層(HBL)として使用されると、効率に関して従来技術に優る著しい改善をもたらす。本発明の化合物24e、52eおよび58eの使用は、従来技術PA1、PA2およびPA3と比較して約10%の外部量子効率の向上を観察することができる。本発明に係る材料の電子輸送層(ETL)における使用においても、従来技術に優る外部量子効率の改善を達成することができる(例C4と例I4との比較)。
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936
Figure 2018528936

Claims (18)

  1. 式(I)および/または式(II)で表される構造を含んでなる化合物。
    Figure 2018528936
    式中、使用される記号は以下の通りである:
    Xは、出現毎に同一であるかまたは異なり、NまたはCR、好ましくは、CRであり、但し、1つの環中の2つ以下の基XがNであり;
    Qは、電子輸送性基であり;
    は、結合、C(=O)、または5〜24個の芳香族環原子を有し、かつ1つ以上のラジカルRによって置換されてもよい、芳香族環系であり;
    は、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、1〜40個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または3〜40個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、ここで1つ以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=S、C=NR、−(C=O)O−、−C(=O)NR−、NR、(P=O)(R)、−O−、−S−、SOもしくはSOで置換されていてもよく、かつ、ここで、1つ以上の水素原子はD、F、Cl、Br、I、CNもしくはNOで置き換えられていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有し、かつ1つ以上のラジカルRで置換されていてもよい、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、またはこれらの系の組み合わせであり;同時に、2つ以上の隣接する置換基Rはまた、互いに、単環式もしくは多環式の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよく;
    は、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、1〜40個の炭素原子を有する、直鎖の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または3〜40個の炭素原子を有する、分枝状もしくは環状の、アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、ここで1つ以上の非隣接のCH基は、−RC=CR−、−C≡C−、Si(R、C=O、C=S、C=NR、−(C=O)O−、−C(=O)NR−、NR、(P=O)(R)、−O−、−S−、SOもしくはSOで置換されていてもよく、かつ、ここで、1つ以上の水素原子はD、F、Cl、Br、I、CNもしくはNOで置き換えられていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有する、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系であり、これらの各々は1つ以上のラジカルRで置換されていてもよく、または5〜40個の芳香族環原子を有し、かつ1つ以上のラジカルRで置換されていてもよい、アリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、またはこれらの系の組み合わせであり;同時に、2つ以上の隣接する置換基Rはまた、互いに、単環式もしくは多環式の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよく;
    は、出現毎に同一であるかまたは異なり、H、D、F、または1〜20個の炭素原子を有し、1つ以上の水素原子がDもしくはFにより置き換えられていてもよい脂肪族炭化水素基、または5〜30個の炭素原子を有し、1つ以上の水素原子がDもしくはFにより置き換えられていてもよい、芳香族および/またはヘテロ芳香族環系あり;同時に、2つ以上の隣接する置換基Rはまた、互いに、単環式もしくは多環式の、脂肪族もしくは芳香族環系を形成していてもよい。
  2. 式(III)および/または(IV)で表される構造が形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の化合物。
    Figure 2018528936
    式中、記号X、LおよびQは、請求項1に記載された定義を有する。
  3. 前記化合物が、式(Ia)、(IIa)、(IIIa)および/または(IVa)で表される構造の少なくとも1つを含んでなることを特徴とする、請求項1または2に記載の化合物。
    Figure 2018528936
    式中、記号X、R、LおよびQは、請求項1または2に記載された定義を有する。
  4. 式(I)、(Ia)、(II)、(IIa)、(III)、(IIIa)、(IV)および(IVa)において、2つ以下の基XがNであり、好ましくは1つ以下の基XがNであり、そして好ましくは、全てのXがCRであり、ここでXが表わすCR基の、好ましくは最大で4つ、より好ましくは最大で3つ、特に好ましくは最大で2つが基CHではないことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の化合物。
  5. 前記化合物が、式(Ib)、(IIb)、(IIIb)および/または(IVb)で表される構造の少なくとも1つを含んでなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物。
    Figure 2018528936
    式中、記号Q、LおよびRは、請求項1に記載された定義を有し、mは0、1、2、3もしくは4、好ましくは0、1もしくは2であり、nは0、1、2もしくは3、好ましくは0、1もしくは2であり、qは、0、1もしくは2、好ましくは、0もしくは1である。
  6. 基Qが、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよい、少なくとも2つの縮合環を有するヘテロ芳香族環系であり、ここで、少なくとも2つの縮合環の環原子は、少なくとも1つの窒素原子を含んでなることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の化合物。
  7. 基Qが、9〜14個の、好ましくは10個の環原子を有し、かつ、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいヘテロ芳香族環系であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の化合物。
  8. 基Qが、式(Q−1)、(Q−2)および/または(Q−3)で表される構造から選択されることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の化合物。
    Figure 2018528936
    式中、記号XおよびRは、請求項1に記載された定義を有し、破線の結合は接続位置を示しており、Arは、6〜40個の炭素原子を有し、各々の場合において、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよい、芳香族もしくはヘテロ芳香族環系、5〜60個の芳香族環原子を有し、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいアリールオキシ基、または5〜60個の芳香族環原子を有し、各々の場合において、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよいアラルキル基であり、ここで、2つ以上の隣接する置換基RもしくはRは場合により、1つ以上のラジカルRによって置換されていてもよい、単環式もしくは多環式の、脂肪族環系を形成しており、ここで、記号RおよびRは、請求項1に記載された定義を有する。
  9. 基Qが、式(Q−4)、(Q−5)、(Q−6)、(Q−7)、(Q−8)、(Q−9)、(Q−10)、(Q−11)、(Q−12)、(Q−13)、(Q−14)および/または(Q−15)で表される構造から選択されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の化合物。
    Figure 2018528936
    Figure 2018528936
    式中、記号ArおよびRは、請求項8に記載された定義を有し、破線の結合は接続位置を示しており、mは0、1、2、3もしくは4、好ましくは0、1もしくは2であり、nは0、1、2もしくは3、好ましくは0もしくは1であり、そしてlは1、2、3、4もしくは5、好ましくは、0、1もしくは2である。
  10. Arおよび/または、式(Q−1)〜(Q−15)に従いArに結合した置換基Rが、式Q1〜Q15で表される構造および/または、式Q16もしくはQ17による構造から選択される構造要素を含んでなることを特徴とする、請求項8または9に記載の化合物。
    Figure 2018528936
    式中、記号Rは、請求項1に記載された定義を有し、また、破線の結合は、各々の場合において、式(Q−16)もしくは(Q−17)で表される構造要素が、ラジカルArの他の構造要素に、または置換基Rに、または式(Q−1)〜(Q−15)で表される構造に、結合する接続位置を示す。
  11. 前記化合物が、カルバゾールおよび/またはトリアリールアミン基を含まないことを特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載の化合物。
  12. 前記化合物が、正孔輸送性基を含まないことを特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の化合物。
  13. 請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物を1つ以上含む、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーであって、化合物中に、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーへの1つ以上の結合が存在することを特徴とする、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマー。
  14. 請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物および/または請求項13項に記載の、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマー、並びに蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料からなる群から選択される少なくとも1つの更なる化合物を含んでなる組成物。
  15. 少なくとも1つの、請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物、請求項13項に記載の、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマー、および/または少なくとも1つの、請求項14に記載の組成物、および少なくとも1つの溶剤を含んでなる配合物。
  16. カップリング反応で、少なくとも1つの電子輸送性基を含む化合物を、少なくとも1つのフルオレンラジカルを含む化合物と反応させることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物、または請求項13項に記載の、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーの製造方法。
  17. 請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物の、請求項13項に記載の、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーの、または請求項14に記載の組成物の、電子素子における、正孔ブロック材料、電子注入材料および/または電子輸送材料としての使用。
  18. 少なくとも1つの、請求項1〜12のいずれか一項に記載の化合物、請求項13項に記載の、オリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマー、または請求項14に記載の組成物を含んでなり、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機太陽電池、有機光検出器、有機感光体、有機電場消光素子、発光電気化学セル、および有機レーザーダイオードからなる群から選択される電子素子。
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