JP2018527455A - Apparatus and method for transporting a carrier or substrate - Google Patents

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Abstract

堆積ソースの非接触型搬送のための装置が提供される。装置は堆積ソースアセンブリを含む。堆積ソースアセンブリは堆積ソースを含む。堆積ソースアセンブリは第1能動磁気ユニットを含む。装置は、ソース搬送方向に延在する誘導構造体を含む。堆積ソースアセンブリは、誘導構造体に沿って可動である。第1能動磁気ユニット及び誘導構造体は、堆積ソースアセンブリを浮上させるための第1磁気浮力を提供するよう構成される。【選択図】図1A、図1B、及び図1CAn apparatus for non-contact transfer of a deposition source is provided. The apparatus includes a deposition source assembly. The deposition source assembly includes a deposition source. The deposition source assembly includes a first active magnetic unit. The apparatus includes a guiding structure extending in the source transport direction. The deposition source assembly is movable along the guiding structure. The first active magnetic unit and the guiding structure are configured to provide a first magnetic buoyancy for levitating the deposition source assembly. [Selection] FIGS. 1A, 1B, and 1C

Description

[0001]本開示の実施形態は、キャリア又は基板、より具体的には大面積基板への層堆積のためのキャリア又は基板を、搬送するための装置及び方法に関する。   [0001] Embodiments of the present disclosure relate to an apparatus and method for transporting a carrier or substrate, more specifically, a carrier or substrate for layer deposition on a large area substrate.

[0002]基板に材料を堆積させるためのいくつかの方法は既知である。一例としては、基板は、蒸発プロセス、スパッタリングプロセスや噴霧プロセスなどの物理的気相堆積(PVD)プロセス、又は化学気相堆積(CVD)プロセスを使用することによって、コーティングされうる。プロセスは、コーティングされるべき基板が配置される、堆積装置の処理チャンバ内で実施されうる。堆積材料が処置チャンバ内に提供される。小分子、金属、酸化物、窒化物、及び炭化物などの複数の材料が、基板への堆積に使用されうる。更に、エッチング、構造化(structuring)、アニール処理などといったその他のプロセスが、処理チャンバ内で実行されうる。   [0002] Several methods for depositing material on a substrate are known. As an example, the substrate can be coated by using a vapor deposition process, a physical vapor deposition (PVD) process such as a sputtering process or a spray process, or a chemical vapor deposition (CVD) process. The process can be performed in a processing chamber of a deposition apparatus in which a substrate to be coated is placed. Deposition material is provided in the treatment chamber. Multiple materials such as small molecules, metals, oxides, nitrides, and carbides can be used for deposition on the substrate. In addition, other processes such as etching, structuring, annealing, etc. can be performed in the processing chamber.

[0003]例えば、コーティングプロセスは、例としてはディスプレイ製造技術における、大面積基板向けのものとみなされうる。コーティングされた基板は、いくつかの用途及びいくつかの技術分野において使用されうる。例えば、1つの用途は有機発光ダイオード(OLED)パネルでありうる。更なる用途は、絶縁パネル、半導体デバイスなどのマイクロエレクトロニクス、薄膜トランジスタ(TFT)付き基板、カラーフィルタなどを含む。OLEDは、電気の印加により光を発する(有機)分子の薄膜で構成された固体デバイスである。一例としては、OLEDディスプレイは、電子デバイスの明るいディスプレイを提供すること、及び、例えば液晶ディスプレイ(LCD)と比較して使用電力を低減することが可能である。処理チャンバ内で、有機分子は、生成され(例えば蒸発し、スパッタリングされ、又は噴霧される等)、基板上に層として堆積される。基板上の所望の位置に材料を堆積させて、例えば基板上にOLEDパターンを形成するために、粒子が、例としては、境界又は特定のパターンを有するマスクを通過しうる。   [0003] For example, the coating process can be considered for large area substrates, for example, in display manufacturing technology. Coated substrates can be used in some applications and in several technical fields. For example, one application may be an organic light emitting diode (OLED) panel. Further applications include insulating panels, microelectronics such as semiconductor devices, substrates with thin film transistors (TFTs), color filters, and the like. An OLED is a solid-state device composed of a thin film of (organic) molecules that emit light when applied with electricity. As an example, an OLED display can provide a bright display of electronic devices and can reduce power consumption compared to, for example, a liquid crystal display (LCD). Within the processing chamber, organic molecules are generated (eg, evaporated, sputtered, or sprayed, etc.) and deposited as a layer on the substrate. To deposit material at a desired location on the substrate, for example to form an OLED pattern on the substrate, the particles may pass through a mask having, for example, a boundary or a specific pattern.

[0004]マスクに対する基板の位置合わせ、及び、処理済み基板の品質(詳細には堆積層の品質)が、提供されうる。一例としては、良好な処理結果を実現するために、位置合わせは正確かつ安定的であるべきである。基板とマスクとの位置合わせに使用されるシステムは、振動などの外部干渉を受けやすいことがある。更に、位置合わせのためのシステムは所有コストを増大させうる。   [0004] The alignment of the substrate relative to the mask and the quality of the processed substrate (specifically the quality of the deposited layer) can be provided. As an example, the alignment should be accurate and stable in order to achieve good processing results. Systems used for substrate and mask alignment may be susceptible to external interference such as vibration. Furthermore, the alignment system can increase the cost of ownership.

[0005]上記を鑑みるに、層堆積プロセス中のキャリア又は基板の搬送の制御の向上をもたらしうる装置が、必要とされている。   [0005] In view of the above, there is a need for an apparatus that can provide improved control of carrier or substrate transport during a layer deposition process.

[0006]一実施形態により、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法が提供される。この方法は、真空チャンバ内でキャリアアセンブリを浮上させることと、所定の位置、特にマスク又はマスクキャリアに対して、キャリアアセンブリを位置付けるために、キャリアアセンブリを、浮上している間に移動させることと、基板搬送方向、垂直方向に+−15°の第1方向、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも1つの方向に、マスク又はマスクキャリアに対してキャリアアセンブリを位置合わせすることとを、含む。   [0006] According to one embodiment, a method for non-contact alignment of a carrier assembly is provided. The method includes levitating the carrier assembly within a vacuum chamber and moving the carrier assembly while levitating to position the carrier assembly relative to a predetermined location, particularly a mask or mask carrier. Aligning the carrier assembly with respect to the mask or mask carrier in at least one direction selected from the group consisting of: substrate transport direction, vertical direction + -15 ° first direction, and combinations thereof. Including.

[0007]別の実施形態により、キャリアアセンブリの基板を処理する方法が提供される。この方法は、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法であって、マスク又はマスクキャリアが真空チャンバ内に位置付けられる、方法と、真空チャンバ内で基板が処理されることとを、含む。キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法は、真空チャンバ内でキャリアアセンブリを浮上させることと、所定の位置、特にマスク又はマスクキャリアに対して、キャリアアセンブリを位置付けるために、キャリアアセンブリを、浮上している間に移動させることと、基板搬送方向、垂直方向に+−15°の第1方向、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも1つの方向で、マスク又はマスクキャリアに対してキャリアアセンブリを位置合わせすることとを、含む。   [0007] According to another embodiment, a method of processing a substrate of a carrier assembly is provided. The method includes a method of non-contact alignment of a carrier assembly, wherein the mask or mask carrier is positioned in a vacuum chamber and the substrate is processed in the vacuum chamber. A method of non-contact alignment of a carrier assembly includes floating the carrier assembly in a vacuum chamber and floating the carrier assembly to position the carrier assembly relative to a predetermined position, particularly a mask or mask carrier. And the carrier with respect to the mask or the mask carrier in at least one direction selected from the group consisting of a substrate transport direction, a vertical direction of + -15 ° in the vertical direction, and combinations thereof. Aligning the assembly.

[0008]別の実施形態により、基板処理システムの真空チャンバ内での、キャリアアセンブリ、及び、マスク又はマスクキャリアの互いに対する非接触型位置合わせのための装置が、提供される。この装置は、真空チャンバ内に複数の能動磁気ユニットを有する誘導構造体であって、真空チャンバ内でキャリアアセンブリを浮上させるよう構成されている、誘導構造体と、真空チャンバ内に複数の更なる能動磁気ユニットを有する駆動構造体であって、機械的接触を伴わずに搬送方向に沿ってキャリアアセンブリを駆動するよう構成されている、駆動構造体と、真空チャンバ内で、マスク、基板、又はマスクと基板に接触する、2つ以上の位置合わせアクチュエータと、誘導構造体、駆動構造体、及び、2つ以上の位置合わせアクチュエータに接続されたコントローラであって、誘導構造体及び駆動構造体を用いて事前位置合わせを行い、かつ、2つ以上の位置合わせアクチュエータを用いて機械的位置合わせを行うために、複数の能動磁気ユニット及び複数の更なる能動磁気ユニットを制御するよう構成された、コントローラとを、含む。   [0008] According to another embodiment, an apparatus for non-contact alignment of a carrier assembly and a mask or mask carrier relative to each other within a vacuum chamber of a substrate processing system is provided. The apparatus includes an induction structure having a plurality of active magnetic units in the vacuum chamber, the induction structure configured to float the carrier assembly in the vacuum chamber, and a plurality of further in the vacuum chamber. A drive structure having an active magnetic unit, the drive structure configured to drive a carrier assembly along a transport direction without mechanical contact, and a mask, substrate, or in a vacuum chamber Two or more alignment actuators that contact the mask and the substrate, a guidance structure, a drive structure, and a controller connected to the two or more alignment actuators, the guidance structure and the drive structure Multiple pre-alignment and mechanical alignment using two or more alignment actuators. Configured to control the gas unit and a plurality of further active magnetic unit, and a controller, including.

[0009]本開示の上述の特徴を細部まで理解しうるように、実施形態を参照することによって、上記で簡単に要約されている本開示の、より詳細な説明が得られる。添付の図面は本開示の実施形態に関するものであり、下記でそれらについて説明する。   [0009] In order to provide a thorough understanding of the above features of the present disclosure, a more detailed description of the present disclosure, briefly summarized above, may be obtained by reference to embodiments. The accompanying drawings relate to embodiments of the present disclosure and are described below.

本開示の実施形態による、基板処理システムにおける、表面上に基板がローディングされたキャリアなどのキャリアアセンブリを搬送するための装置の概略側面図を示す。FIG. 4 shows a schematic side view of an apparatus for transporting a carrier assembly, such as a carrier loaded with a substrate on a surface, in a substrate processing system according to an embodiment of the present disclosure. 図1Aによる装置の上面図を示す。1B shows a top view of the device according to FIG. 1A. 図1Aによる装置の別の側面図を示す。FIG. 1B shows another side view of the device according to FIG. 1A. 本開示の実施形態による、キャリアアセンブリを搬送するための装置を含む基板処理システムなどの装置を示す。1 illustrates an apparatus, such as a substrate processing system, including an apparatus for transporting a carrier assembly according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の実施形態による、表面上に基板がローディングされたキャリアなどのキャリアアセンブリの搬送の概略側面図を示す。FIG. 5 shows a schematic side view of transport of a carrier assembly, such as a carrier loaded with a substrate on a surface, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の実施形態による、基板処理システム内で基板を位置合わせする方法を示す、概略側面図を示す。FIG. 6 shows a schematic side view illustrating a method of aligning a substrate in a substrate processing system, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示の実施形態による、キャリアアセンブリを搬送するための装置と組み合わされて、又は基板処理システム内で、利用されうる、マスク又はマスク構成の概略図を示す。FIG. 6 shows a schematic diagram of a mask or mask configuration that may be utilized in combination with an apparatus for transporting a carrier assembly or within a substrate processing system, according to embodiments of the present disclosure. 本開示の実施形態による、キャリアアセンブリを搬送するための装置と組み合わされて、又は基板処理システム内で、利用されうる、マスク又はマスク構成の概略図を示す。FIG. 6 shows a schematic diagram of a mask or mask configuration that may be utilized in combination with an apparatus for transporting a carrier assembly or within a substrate processing system, according to embodiments of the present disclosure. 本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア及びマスクキャリアを支持するための保持構成の概略図を示す。FIG. 3 shows a schematic diagram of a holding configuration for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, according to embodiments described herein. 本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア及びマスクキャリアを支持するための保持構成の断面図を示す。FIG. 4 shows a cross-sectional view of a holding configuration for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, according to embodiments described herein. 本書に記載の更なる実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア及びマスクキャリアを支持するための保持構成の概略図を示す。FIG. 6 shows a schematic diagram of a holding configuration for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, according to further embodiments described herein. 本開示の実施形態による、キャリアアセンブリ及びマスクの互いに対する位置合わせの方法を図示するフロー図を示す。FIG. 6 shows a flow diagram illustrating a method of aligning a carrier assembly and a mask with respect to each other according to an embodiment of the present disclosure.

[0010]本開示の様々な実施形態をこれより詳細に参照していく。これらの実施形態の一又は複数の例が図中に示されている。図面についての下記の説明において、同じ参照番号は同じ構成要素を表す。個々の実施形態に関しては、相違点についてのみ説明する。本開示の説明として各例が提供されているが、例は本開示を限定することを意図するものではない。更に、1つの実施形態の一部として図示又は説明されている特徴は、更なる実施形態を創出するために、他の実施形態で使用されることも、他の実施形態と併用されることも可能である。本明細書がかかる改変例及び変形例を含むことが、意図されている。   [0010] Reference will now be made in detail to various embodiments of the disclosure. One or more examples of these embodiments are shown in the figures. In the following description of the drawings, the same reference numerals represent the same components. Only the differences will be described with respect to the individual embodiments. While examples are provided as illustrations of the present disclosure, the examples are not intended to limit the present disclosure. Moreover, features illustrated or described as part of one embodiment can be used in other embodiments or in combination with other embodiments to create additional embodiments. Is possible. It is intended that the specification include such modifications and variations.

[0011]本書に記載の実施形態は、キャリア又は基板の非接触型の浮上、搬送、及び/又は位置合わせに関する。本開示はキャリアアセンブリに言及しており、このキャリアアセンブリは、基板を支持するキャリア、基板を伴わないキャリア、基板、又は支持体によって支持された基板からなる群のうちの一又は複数の要素を含みうる。本開示全体における「非接触(contactless)」という語は、キャリアと基板などの重量が、機械的接触又は機械的な力によって保持されず、磁力によって保持されるという意味に、理解されうる。具体的には、キャリアアセンブリは、機械的な力の代わりに磁力を使用して、浮上状態又は浮動状態で保持される。一例としては、本書に記載の装置は、堆積ソースアセンブリの重量を支持する、機械的レールなどの機械的手段を有さないことがある。一部の実行形態では、システム内でキャリアアセンブリが浮上(例えば移動)している間に、キャリアアセンブリと装置のそれ以外の部分との機械的接触が全く存在しないことがある。   [0011] Embodiments described herein relate to non-contact levitation, transport, and / or alignment of a carrier or substrate. The present disclosure refers to a carrier assembly that includes one or more elements of the group consisting of a carrier supporting a substrate, a carrier without a substrate, a substrate, or a substrate supported by a support. May be included. The term “contactless” throughout this disclosure can be understood in the sense that the weight of the carrier and substrate, etc., is not held by mechanical contact or mechanical force, but is held by magnetic force. Specifically, the carrier assembly is held in a floating or floating state using magnetic force instead of mechanical force. As an example, the apparatus described herein may not have mechanical means, such as mechanical rails, that support the weight of the deposition source assembly. In some implementations, there may be no mechanical contact between the carrier assembly and the rest of the device while the carrier assembly is floating (eg, moving) in the system.

[0012]本開示の実施形態により、浮上すること又は浮上は、機械的な接触又は支持を伴わずに物体が浮動している、物体の状態を表す。更に、物体の移動は、駆動力(例えば浮力とは異なる方向への力)を提供することを表し、物体は、一つの位置からそれとは異なる別の位置(例えば別の横方向位置)に移動する。例えば、キャリアアセンブリなどの物体は、例えば重力に反作用する力によって浮上し、浮上している間に重力に平行な方向とは異なる方向に移動しうる。   [0012] According to an embodiment of the present disclosure, levitation or levitation represents a state of an object in which the object is floating without mechanical contact or support. Furthermore, the movement of the object represents providing a driving force (eg, a force in a direction different from buoyancy), and the object moves from one position to another position (eg, another lateral position). To do. For example, an object such as a carrier assembly may be levitated by a force that reacts with gravity, for example, and may move in a direction different from the direction parallel to gravity while levitating.

[0013]本書に記載の実施形態による、キャリアアセンブリの非接触型の浮上、搬送、及び/又は位置合わせは、キャリアアセンブリの搬送中又は位置合わせ中に、堆積ソースアセンブリと機械的レールなどの装置の部位との機械的接触による粒子発生がないという点で、有利である。したがって、詳細には非接触型の浮上、搬送、及び/又は位置合わせを使用すると粒子発生が最少化されることから、本書に記載の実施形態は、基板への層堆積の純度及び均一性の向上をもたらす。   [0013] Non-contact flotation, transport, and / or alignment of a carrier assembly according to embodiments described herein is an apparatus, such as a deposition source assembly and a mechanical rail, during transport or alignment of the carrier assembly. This is advantageous in that there is no generation of particles due to mechanical contact with these parts. Thus, in particular, the embodiments described herein provide for the purity and uniformity of layer deposition on the substrate, since particle generation is minimized using non-contact flotation, transport, and / or alignment. Bring improvement.

[0014]キャリアアセンブリを誘導するための機械的手段と比較しての更なる利点は、本書に記載の実施形態が、キャリアアセンブリの移動の直線性及び/又は精度に影響を与える摩擦の関与を受けないことである。キャリアアセンブリの非接触型搬送はキャリアアセンブリの摩擦のない移動を可能にし、マスクに対するキャリアアセンブリの位置合わせは、高精度で制御され、維持されうる。また更に、浮上により、キャリアアセンブリのスピードの素早い加速及び減速、及び/又は、キャリアアセンブリのスピードの微細な調整が、可能になる。   [0014] A further advantage over mechanical means for guiding the carrier assembly is that the embodiments described herein reduce frictional contributions that affect the linearity and / or accuracy of carrier assembly movement. It is not to receive. Non-contact transfer of the carrier assembly allows frictionless movement of the carrier assembly, and the alignment of the carrier assembly with respect to the mask can be controlled and maintained with high accuracy. Still further, levitation allows for quick acceleration and deceleration of the carrier assembly speed and / or fine adjustment of the carrier assembly speed.

[0015]更に、機械的レールの材料には、典型的には、チャンバの排出によって、また、温度、使用、摩耗などによって引き起こされうる、変形が発生する。かかる変形は、キャリアアセンブリの位置付けに影響を与え、ひいては、堆積層の品質に影響を与える。対称的に、本書に記載の実施形態は、例えば、本書に記載の誘導構造体に発生する可能性がある変形を補償することを可能にする。キャリアアセンブリが浮上し、搬送される非接触様態を鑑みるに、本書に記載の実施形態は、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせを可能にする。したがって、マスクに対する基板の位置合わせの改善及び高効率化がもたらされうる。   [0015] Furthermore, the material of the mechanical rail typically undergoes deformations that can be caused by evacuation of the chamber and by temperature, use, wear, and the like. Such deformation affects the positioning of the carrier assembly and thus the quality of the deposited layer. In contrast, the embodiments described herein make it possible, for example, to compensate for deformations that may occur in the guiding structures described herein. In view of the non-contact manner in which the carrier assembly is lifted and transported, the embodiments described herein allow non-contact alignment of the carrier assembly. Therefore, the alignment of the substrate with respect to the mask can be improved and the efficiency can be improved.

[0016]本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、装置は、垂直方向(例えばy方向)に沿った、かつ/又は、一又は複数の横断方向(例えばx方向)に沿った、キャリアアセンブリの非接触型平行移動に適するよう、構成される。   [0016] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the apparatus may be along a vertical direction (eg, y direction) and / or along one or more transverse directions (eg, x direction). In addition, it is configured to be suitable for non-contact translation of the carrier assembly.

[0017]本書に記載の実施形態は、例えばマスクに対してキャリアアセンブリを角度方向に位置合わせするための、少なくとも1つの回転軸に対するキャリアアセンブリの非接触型回転を可能にする。0.003度〜3度の角度範囲内で、回転軸に対する堆積ソースアセンブリの回転が行われうる。[0017]本書に記載の実施形態は、例えばマスクに対してキャリアアセンブリを角度方向に位置合わせするための、少なくとも1つの回転軸に対するキャリアアセンブリの追加の機械的回転(すなわち、接触を伴う回転)を可能にする。0.0001度〜3度の角度範囲内で、回転軸に対する堆積ソースアセンブリの機械的回転が行われうる。   [0017] Embodiments described herein allow non-contact rotation of the carrier assembly relative to at least one axis of rotation, for example to angularly align the carrier assembly with respect to the mask. Within an angular range of 0.003 degrees to 3 degrees, the deposition source assembly can be rotated relative to the axis of rotation. [0017] Embodiments described herein provide additional mechanical rotation (ie, rotation with contact) of the carrier assembly relative to at least one axis of rotation, eg, to angularly align the carrier assembly with respect to the mask. Enable. Within an angular range of 0.0001 degrees to 3 degrees, mechanical rotation of the deposition source assembly relative to the axis of rotation can occur.

[0018]本開示では、「実質的に平行(substantially parallel)」な方向という文言は、互いに10度まで又は15度までの小角度をなす複数の方向を含みうる。更に、「実質的に直角(substantially perpendicular)」な方向という文言は、互いに90度未満(例えば、少なくとも80度、又は少なくとも75度)の角度をなす、複数の方向を含みうる。同様の考えが、実質的に平行又は直角な軸、平面、領域などの概念に適用される。   [0018] In the present disclosure, the term "substantially parallel" direction may include a plurality of directions that form a small angle of up to 10 degrees or 15 degrees from each other. Further, the phrase “substantially perpendicular” direction may include a plurality of directions that are at an angle of less than 90 degrees (eg, at least 80 degrees, or at least 75 degrees) to each other. Similar considerations apply to concepts such as substantially parallel or perpendicular axes, planes, regions, etc.

[0019]本書に記載の一部の実施形態は、「垂直方向(vertical direction)」という概念を伴う。垂直方向は、重力の延在に沿った方向に実質的に平行な方向と見なされる。垂直方向は、例えば15度までの角度、厳密な垂直性(重力によって規定される)からずれうる。例えば、本書に記載のy方向(図では「Y」と示す)は、垂直方向である。詳細には、図示されているy方向は重力の方向を画定している。   [0019] Some embodiments described herein involve the concept of “vertical direction”. The vertical direction is considered to be a direction substantially parallel to the direction along the extension of gravity. The vertical direction can deviate from, for example, an angle of up to 15 degrees, strict verticality (defined by gravity). For example, the y direction (shown as “Y” in the figure) described in this document is the vertical direction. In particular, the y-direction shown defines the direction of gravity.

[0020]本書に記載の実施形態は、「横断方向(transversal direction)」という概念を、更に伴いうる。横断方向は、垂直方向とは相違すると理解すべきである。横断方向は、重力によって画定される厳密な垂直方向に対して、直角又は実質的に直角でありうる。例えば、本書に記載のx方向及びz方向(図では「X」及び「Z」と示す)は、横断方向である。   [0020] Embodiments described herein may further entail the concept of “transversal direction”. It should be understood that the transverse direction is different from the vertical direction. The transverse direction can be perpendicular or substantially perpendicular to the exact vertical direction defined by gravity. For example, the x-direction and z-direction (denoted as “X” and “Z” in the figure) described in this document are transverse directions.

[0021]本書に記載の実施形態は、例えばディスプレイ製造向けに大面積基板をコーティングするために、利用されうる。本書に記載の装置及び方法の提供の対象である基板又は基板受領領域は、大面積基板でありうる。例えば、大面積基板又はキャリアは、約0.67mの基板(0.73×0.92m)に相当するGEN4.5、約1.4mの基板(1.1m×1.3m)に相当するGEN5、約4.29mの基板(1.95m×2.2m)に相当するGEN7.5、約5.7mの基板(2.2m×2.5m)に相当するGEN8.5、又は、約8.7mの基板(2.85m×3.05m)に相当するGEN10でもありうる。GEN11及びGEN12などの更に大型の世代、並びに、それに相当する基板領域も、同様に実装されうる。 [0021] Embodiments described herein can be utilized to coat large area substrates, for example, for display manufacturing. The substrate or substrate receiving area for which the apparatus and methods described herein are provided may be a large area substrate. For example, large area substrates or carrier, corresponds to GEN4.5 corresponds to about 0.67 m 2 substrate (0.73 × 0.92 m), about 1.4 m 2 substrate (1.1 m × 1.3 m) GEN5 corresponding to an approximately 4.29 m 2 substrate (1.95 m × 2.2 m), GEN 8.5 corresponding to an approximately 5.7 m 2 substrate (2.2 m × 2.5 m), or GEN10 corresponding to a substrate of about 8.7 m 2 (2.85 m × 3.05 m). Larger generations, such as GEN11 and GEN12, and corresponding substrate areas can be implemented as well.

[0022]本書において、「基板(substrate)」という語は、特に、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体の薄片、又はガラスプレートといった、実質的に非フレキシブルな基板を包含しうる。しかし、本開示はそれらに限定されるわけではなく、「基板」という語は、ウェブや箔などのフレキシブル基板も包含しうる。「実質的に非フレキシブルな(substantiallyinflexible)」という文言は、「フレキシブル」とは相違すると理解される。具体的には、0.5mm以下の厚さを有するガラスプレートなどの実質的に非フレキシブルな基板も、ある程度の可撓性を有することがあり、実質的に非フレキシブルな基板の可撓性は、フレキシブル基板と比較して低くなる。   [0022] As used herein, the term "substrate" can encompass a substantially non-flexible substrate, such as a wafer, a transparent crystal flake such as sapphire, or a glass plate, among others. However, the present disclosure is not limited thereto, and the term “substrate” can also include flexible substrates such as webs and foils. It is understood that the phrase “substantially inflexible” is different from “flexible”. Specifically, a substantially non-flexible substrate such as a glass plate having a thickness of 0.5 mm or less may have a certain degree of flexibility, and the flexibility of a substantially non-flexible substrate is , Lower than the flexible substrate.

[0023]基板は、材料堆積に好適な任意の材料で作製されうる。例えば、基板は、ガラス(例えばソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど)、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、若しくは、堆積プロセスによってコーティングされうる他の任意の材料又は材料の組み合わせからなる群から選択された材料で、作製されうる。   [0023] The substrate may be made of any material suitable for material deposition. For example, the substrate consists of glass (eg, soda lime glass, borosilicate glass, etc.), metal, polymer, ceramic, composite material, carbon fiber material, or any other material or combination of materials that can be coated by a deposition process. It can be made of a material selected from the group.

[0024]図1Aに示しているように、一実施形態により、キャリアアセンブリ110及び/又は基板120の非接触型搬送のための装置100が提供される。装置はキャリアアセンブリ110を含む。キャリアアセンブリ110は基板120を含みうる。キャリアアセンブリ110は、第1受動磁気ユニット150を含む。装置は、キャリアアセンブリ搬送方向に延在する、誘導構造体170を含む。誘導構造体は、複数の能動磁気ユニット175を含む。キャリアアセンブリ110は、誘導構造体170に沿って可動である。強磁性材料の棒状体などの第1受動磁気ユニット150、及び、誘導構造体170の複数の能動磁気ユニットは、キャリアアセンブリ110を浮上させるための第1磁気浮力を提供するよう構成される。本書で説明している浮上のための手段は、例えばキャリアアセンブリを浮上させる非接触力を提供するための手段である。   [0024] As shown in FIG. 1A, according to one embodiment, an apparatus 100 for non-contact transfer of a carrier assembly 110 and / or a substrate 120 is provided. The apparatus includes a carrier assembly 110. The carrier assembly 110 can include a substrate 120. The carrier assembly 110 includes a first passive magnetic unit 150. The apparatus includes a guiding structure 170 extending in the carrier assembly transport direction. The guidance structure includes a plurality of active magnetic units 175. The carrier assembly 110 is movable along the guide structure 170. A first passive magnetic unit 150, such as a rod of ferromagnetic material, and a plurality of active magnetic units of the guiding structure 170 are configured to provide a first magnetic buoyancy for levitating the carrier assembly 110. The levitation means described herein are, for example, means for providing a non-contact force that causes the carrier assembly to levitate.

[0025]本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、装置100は処理チャンバ内に配置されうる。処理チャンバは、真空チャンバ又は真空堆積チャンバでありうる。本書において、「真空(vacuum)」という語は、例えば10mbar未満の真空圧を有する工業的真空の意味に理解されうる。装置100は、真空チャンバの内部に真空を発生させるために真空チャンバに接続された、ターボポンプ及び/又はクライオポンプなどの一又は複数の真空ポンプを含みうる。   [0025] According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the apparatus 100 may be disposed within a processing chamber. The processing chamber can be a vacuum chamber or a vacuum deposition chamber. In this document, the term “vacuum” can be understood to mean an industrial vacuum having a vacuum pressure of, for example, less than 10 mbar. The apparatus 100 may include one or more vacuum pumps, such as a turbo pump and / or a cryopump, connected to the vacuum chamber to generate a vacuum inside the vacuum chamber.

[0026]図1Aは、装置100の側面図を示している。装置100はキャリアアセンブリ110を含む。更に、装置は誘導構造体170を含む。装置は、駆動構造体180を更に含みうる。駆動構造体は、複数の更なる能動磁気ユニットを含む。キャリアアセンブリは、駆動構造体180の更なる能動磁気ユニット185と相互作用する、強磁性材料の棒状体などの第2受動磁気ユニット160を含みうる。図1AはX−Y平面の側面図を示している。図1Bは、図1Aの装置100の上面図を示している。図1BはX−Z平面を示している。図1Bでは、複数の能動磁気ユニット175が上側視点から示されている。図1Cは、装置100の別の側面図を示している。図1CはZ−Y平面を示している。図1Cには、複数の能動磁気ユニットのうちの1つの能動磁気ユニット175が示されている。能動磁気ユニット175は、キャリアアセンブリ110の第1受動磁気ユニット150と相互作用する、磁力を提供する。例えば、第1受動磁気ユニット150は強磁性材料のロッドでありうる。ロッドは、キャリアアセンブリ110の、支持構造体112に接続されている部分でありうる。このロッド又は第1受動磁気ユニットはそれぞれ、基板120を支持するための支持構造体112と一体的に形成されることもある。キャリアアセンブリ110は、更なるロッドなどの第2受動磁気ユニット160を更に含みうる。更なるロッドはキャリアアセンブリ110に接続されうる。このロッド又は第2受動磁気ユニットはそれぞれ、支持構造体112と一体的に形成されることもある。   [0026] FIG. 1A shows a side view of the device 100. FIG. The apparatus 100 includes a carrier assembly 110. In addition, the device includes a guiding structure 170. The apparatus can further include a drive structure 180. The drive structure includes a plurality of further active magnetic units. The carrier assembly may include a second passive magnetic unit 160 such as a rod of ferromagnetic material that interacts with a further active magnetic unit 185 of the drive structure 180. FIG. 1A shows a side view of the XY plane. FIG. 1B shows a top view of the device 100 of FIG. 1A. FIG. 1B shows the XZ plane. In FIG. 1B, a plurality of active magnetic units 175 are shown from an upper viewpoint. FIG. 1C shows another side view of the device 100. FIG. 1C shows the ZY plane. FIG. 1C shows one active magnetic unit 175 of the plurality of active magnetic units. The active magnetic unit 175 provides a magnetic force that interacts with the first passive magnetic unit 150 of the carrier assembly 110. For example, the first passive magnetic unit 150 may be a rod of ferromagnetic material. The rod can be a portion of the carrier assembly 110 that is connected to the support structure 112. Each of the rods or the first passive magnetic unit may be integrally formed with a support structure 112 for supporting the substrate 120. The carrier assembly 110 may further include a second passive magnetic unit 160 such as a further rod. Further rods can be connected to the carrier assembly 110. Each of the rods or second passive magnetic units may be integrally formed with the support structure 112.

[0027]「受動(passive)」磁気ユニットという用語は、本書では、「能動(active)」磁気ユニットという概念と区別するために使用される。受動磁気ユニットは、少なくとも装置100の動作中以外においては、能動的な制御又は調整の影響を受けない磁気特性を有する要素のことでありうる。例えば、キャリアアセンブリのロッド又は更なるロッドなどの受動磁気ユニットの磁気特性は、通常、堆積装置又は処理装置に至るキャリアアセンブリの移動中には、能動制御の影響を受けない。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、装置100のコントローラは、堆積ソースアセンブリの受動磁気ユニットを制御するようには構成されない。受動磁気ユニットは、静磁場などの磁場を発生させるよう適合しうる。受動磁気ユニットは、調整可能磁場を発生させるようには構成されない。受動磁気ユニットは、強磁性材料などの磁性材料でありうるか、永久磁石でありうるか、又は、永久磁石特性を有しうる。   [0027] The term “passive” magnetic unit is used herein to distinguish from the concept of “active” magnetic unit. A passive magnetic unit may be an element having magnetic properties that are not affected by active control or regulation, at least except during operation of the device 100. For example, the magnetic properties of passive magnetic units, such as the carrier assembly rod or further rods, are typically not affected by active control during movement of the carrier assembly to the deposition or processing apparatus. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the controller of apparatus 100 is not configured to control the passive magnetic unit of the deposition source assembly. The passive magnetic unit can be adapted to generate a magnetic field, such as a static magnetic field. The passive magnetic unit is not configured to generate an adjustable magnetic field. The passive magnetic unit can be a magnetic material, such as a ferromagnetic material, can be a permanent magnet, or can have permanent magnet properties.

[0028]能動磁気ユニットによって発生した磁場の調整可能性及び制御可能性を考慮すると、受動磁気ユニットと比較して、能動磁気ユニットはより高い適応性及び精度を供する。本書に記載の実施形態により、能動磁気ユニットによって発生した磁場は、キャリアアセンブリ110の位置合わせを行うよう、制御されうる。例えば、調整可能磁場を制御することによって、キャリアアセンブリ110に作用する磁気浮力が高い精度で制御されることが可能であり、ゆえに、能動磁気ユニットによって、キャリアアセンブリ、ひいては基板の非接触型位置合わせが可能になる。   [0028] In view of the tunability and controllability of the magnetic field generated by the active magnetic unit, the active magnetic unit provides greater flexibility and accuracy compared to the passive magnetic unit. In accordance with the embodiments described herein, the magnetic field generated by the active magnetic unit can be controlled to align the carrier assembly 110. For example, by controlling the adjustable magnetic field, the magnetic buoyancy acting on the carrier assembly 110 can be controlled with high accuracy, and therefore, the active magnetic unit allows non-contact alignment of the carrier assembly and thus the substrate. Is possible.

[0029]本書に記載の実施形態により、複数の能動磁気ユニット175が、第1受動磁気ユニット150、ひいてはキャリアアセンブリ110に磁力を提供する。複数の能動磁気ユニット175は、キャリアアセンブリ110を浮上させる。更なる能動磁気ユニット185が、例えばX方向に沿って、すなわち基板搬送方向である第1方向に沿って、処理システム内でキャリアを駆動する。したがって、複数の更なる能動磁気ユニット185は、キャリアアセンブリ110を、複数の能動磁気ユニット175によって浮上している間に移動させるための、駆動構造体を形成する。更なる能動磁気ユニット185は、第2受動磁気ユニット160と相互作用して、基板搬送方向に沿った力を提供する。例えば、第2受動磁気ユニット160は、極性が交互になるように配置されている、複数の永久磁石を含みうる。結果として得られる第2受動磁気ユニット160の磁場は、複数の更なる能動磁気ユニット185と相互作用して、キャリアアセンブリ110を、浮上している間に移動させうる。   [0029] In accordance with the embodiments described herein, a plurality of active magnetic units 175 provide a magnetic force to the first passive magnetic unit 150 and thus the carrier assembly 110. The plurality of active magnetic units 175 causes the carrier assembly 110 to float. A further active magnetic unit 185 drives the carrier in the processing system, for example along the X direction, ie along the first direction which is the substrate transport direction. Thus, the plurality of additional active magnetic units 185 form a drive structure for moving the carrier assembly 110 while it is levitated by the plurality of active magnetic units 175. A further active magnetic unit 185 interacts with the second passive magnetic unit 160 to provide a force along the substrate transport direction. For example, the second passive magnetic unit 160 may include a plurality of permanent magnets that are arranged with alternating polarities. The resulting magnetic field of the second passive magnetic unit 160 can interact with a plurality of additional active magnetic units 185 to move the carrier assembly 110 while levitating.

[0030]複数の能動磁気ユニット175を用いてキャリアアセンブリ110を浮上させ、かつ/又は、複数の更なる能動磁気ユニット185を用いてキャリアアセンブリ110を移動させるために、能動磁気ユニットは、調整可能磁場を提供するよう制御されうる。調整可能磁場は、静的又は動的な磁場でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、能動磁気ユニットは、垂直方向に沿って延在する磁気浮力を提供するための磁場を発生させるよう、構成される。本書に記載の更なる実施形態と組み合わされうる他の実施形態により、能動磁気ユニットは、横断方向に沿って延在する磁力を提供するよう、構成されうる。本書で説明している能動磁気ユニットは、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超伝導磁石、又はこれらの任意の組み合わせからなる群から選択された要素でありうるか、又は、かかる要素を含みうる。   [0030] The active magnetic unit is adjustable to levitate the carrier assembly 110 using a plurality of active magnetic units 175 and / or move the carrier assembly 110 using a plurality of additional active magnetic units 185. It can be controlled to provide a magnetic field. The adjustable magnetic field can be a static or dynamic magnetic field. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the active magnetic unit is configured to generate a magnetic field to provide magnetic buoyancy extending along the vertical direction. According to other embodiments that may be combined with further embodiments described herein, the active magnetic unit may be configured to provide a magnetic force that extends along a transverse direction. The active magnetic unit described herein can be or include an element selected from the group consisting of an electromagnetic device, a solenoid, a coil, a superconducting magnet, or any combination thereof.

[0031]図2は、真空チャンバ内で基板を処理するための装置200を示している。真空チャンバ252は、例えば、チャンバ壁253を有しうる。ゲートバルブ262がチャンバ壁253に設けられうる。ゲートバルブは、キャリアアセンブリ110を真空チャンバ252内にローディングし、そこから出すために、開きうる。一又は複数の誘導構造体170が提供される。一又は複数の誘導構造体は、複数の能動磁気ユニット175を含みうる。図2は、2つのゲートバルブ262及び2つの誘導構造体170を有する、装置200の一実施形態を示している。したがって、2つのキャリアアセンブリ110が、例えば交互又は同時に、真空チャンバ252にローディングされ、真空チャンバ252からアンローディングされうる。キャリアアセンブリ110を交互にローディング及びアンローディングすることには、堆積ソースなどの処理ツールがキャリアアセンブリの基板を処理するのと同時に、別途、別のキャリアアセンブリの別の基板がアンローディング又はローディングされるという、利点がある。したがって、装置200のスループットが増大しうる。   [0031] FIG. 2 shows an apparatus 200 for processing a substrate in a vacuum chamber. The vacuum chamber 252 can have a chamber wall 253, for example. A gate valve 262 may be provided on the chamber wall 253. The gate valve can be opened to load the carrier assembly 110 into and out of the vacuum chamber 252. One or more guide structures 170 are provided. One or more inductive structures may include a plurality of active magnetic units 175. FIG. 2 shows an embodiment of the apparatus 200 having two gate valves 262 and two guide structures 170. Thus, the two carrier assemblies 110 can be loaded into and unloaded from the vacuum chamber 252, for example, alternately or simultaneously. To alternately load and unload the carrier assembly 110, another substrate of another carrier assembly is unloaded or loaded separately at the same time that a processing tool such as a deposition source processes the substrate of the carrier assembly. There is an advantage. Therefore, the throughput of the device 200 can be increased.

[0032]図2に示しているように、装置200は、例えば更なる真空チャンバでありうる、保守チャンバ254を更に含む。保守チャンバ254は、更なるゲートバルブ264によって真空チャンバ252から分離されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一実施形態により、装置200は堆積装置でありうる。堆積ソースアセンブリ270は、軌道272に沿って移動しうる。軌道272又は軌道272の一部分は、堆積ソースアセンブリを真空チャンバ252から保守チャンバ254へと移動させるために、保守チャンバ254内に延在しうる。堆積ソースアセンブリ270を保守チャンバ内に移動させることには、堆積ソースアセンブリが真空チャンバ252の外部でメンテナンスされうるという利点がある。例えば、更なるゲートバルブ264が閉じた後に、堆積ソースアセンブリへの保守アクセスを有するよう、保守チャンバ254が換気されうる一方、真空チャンバ252は排気されたままでありうる。一部の実施形態により、第2堆積ソースアセンブリ270が真空チャンバ252内で動作している間に、第1堆積ソースアセンブリ270は、保守チャンバ254内でメンテナンスされうる。追加的又は代替的には、真空チャンバ252が換気を要する回数が減少することの結果として、真空チャンバ252内の環境がよりクリーンになる。   [0032] As shown in FIG. 2, the apparatus 200 further includes a maintenance chamber 254, which may be, for example, a further vacuum chamber. The maintenance chamber 254 can be separated from the vacuum chamber 252 by a further gate valve 264. According to one embodiment that may be combined with other embodiments described herein, the apparatus 200 may be a deposition apparatus. Deposition source assembly 270 may move along track 272. The track 272 or a portion of the track 272 can extend into the maintenance chamber 254 to move the deposition source assembly from the vacuum chamber 252 to the maintenance chamber 254. Moving the deposition source assembly 270 into the maintenance chamber has the advantage that the deposition source assembly can be maintained outside the vacuum chamber 252. For example, after further gate valve 264 is closed, maintenance chamber 254 can be vented to have maintenance access to the deposition source assembly, while vacuum chamber 252 can remain evacuated. According to some embodiments, the first deposition source assembly 270 can be maintained in the maintenance chamber 254 while the second deposition source assembly 270 is operating in the vacuum chamber 252. Additionally or alternatively, the environment within the vacuum chamber 252 becomes cleaner as a result of the reduced number of times that the vacuum chamber 252 requires ventilation.

[0033]本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、堆積ソースアセンブリ270は支持体274を含みうる。支持体274は、堆積ソースアセンブリ270を軌道272に沿って移動させるために、駆動ユニットを含みうる。支持体274は、堆積ソースアセンブリを浮上させるために、磁気ユニットを更に含みうる。堆積ソースアセンブリには一又は複数の堆積ソースが含まれうる。図2に例示しているように、支持体274は、材料を蒸発させて基板に堆積させるための、3つのるつぼ276を支持する。蒸発した材料は、蒸気分配要素又は蒸気分配管278内に誘導されうる。蒸気分配要素又は蒸気分配管は、キャリアアセンブリ110のキャリアに装着された基板へと、蒸発した材料を方向付けうる。   [0033] According to some embodiments of the present disclosure that may be combined with other embodiments described herein, the deposition source assembly 270 may include a support 274. The support 274 can include a drive unit for moving the deposition source assembly 270 along the track 272. The support 274 can further include a magnetic unit to float the deposition source assembly. The deposition source assembly can include one or more deposition sources. As illustrated in FIG. 2, the support 274 supports three crucibles 276 for evaporating and depositing material on the substrate. The evaporated material can be directed into a vapor distribution element or vapor distribution line 278. The vapor distribution element or vapor distribution pipe can direct the vaporized material to a substrate mounted on the carrier of carrier assembly 110.

[0034]図2は、図2の上側のキャリアアセンブリ110の基板に対面している堆積ソースアセンブリを示している。堆積ソースアセンブリは、キャリアアセンブリのキャリアに装着された基板に沿って移動しうる。例えば、堆積ソースアセンブリは、一又は複数の線ソースを含みうる。線ソースの提供と堆積ソースアセンブリの移動とを組み合わせることで、ディスプレイ製造用の大面積基板などの長方形基板に材料を堆積させることが可能になる。更なる代替例により、堆積ソースアセンブリの分配管は、基板表面に沿って移動しうる一又は複数の点ソースを含みうる。   [0034] FIG. 2 shows the deposition source assembly facing the substrate of the upper carrier assembly 110 of FIG. The deposition source assembly can move along a substrate mounted on the carrier of the carrier assembly. For example, the deposition source assembly can include one or more line sources. The combination of providing a line source and moving the deposition source assembly allows the material to be deposited on a rectangular substrate, such as a large area substrate for display manufacturing. According to a further alternative, the distribution source assembly distribution pipe may include one or more point sources that may move along the substrate surface.

[0035]堆積ソースアセンブリの平行移動に加えて、堆積ソースアセンブリは、図2に示す下側のキャリアアセンブリ110の基板に向けて堆積ソースを方向付けるように、堆積ソースを回転させることも可能である。したがって、キャリアアセンブリ110が、図2に示す上側の位置と下側の位置のうちの第1位置で真空チャンバ252内にローディングされ、そこから出されている間に、キャリアアセンブリの基板が、図2に示す上側の位置と下側の位置のうちの対応する他方の位置で、処理されうる。この対応する他の基板が処理された後に、例えばキャリアアセンブリ110への新たな基板のローディングが完了しうる。堆積ソースアセンブリ270の一又は複数の堆積ソースが回転した後、図2に示す上側の位置と下側の位置のうちの第1位置にローディングされた基板が処理されうる。同様に、第1位置における基板の処理(例えば層堆積)中に、他方の位置において、別の基板のアンローディング及びローディングが実行されうる。   [0035] In addition to translation of the deposition source assembly, the deposition source assembly can also rotate the deposition source to direct the deposition source toward the substrate of the lower carrier assembly 110 shown in FIG. is there. Thus, while the carrier assembly 110 is loaded into and out of the vacuum chamber 252 at the first of the upper and lower positions shown in FIG. 2 can be processed at the other position corresponding to the upper position and the lower position shown in FIG. After this corresponding other substrate has been processed, the loading of a new substrate onto the carrier assembly 110 can be completed, for example. After one or more deposition sources of the deposition source assembly 270 have rotated, the substrate loaded into the first position of the upper and lower positions shown in FIG. 2 can be processed. Similarly, during processing (eg, layer deposition) of a substrate at a first location, unloading and loading of another substrate can be performed at the other location.

[0036]実施形態により、ソース搬送方向に沿った堆積ソースアセンブリのスピードが、堆積速度を制御するために制御されうる。堆積ソースアセンブリのスピードは、コントローラの制御のもとに、リアルタイムで調整されうる。調整は、堆積速度の変化を補償するために行われうる。スピードプロファイルが規定されうる。スピードプロファイルは、種々の位置における堆積ソースアセンブリのスピードを決定しうる。スピードプロファイルは、コントローラに提供されうるか、又は、コントローラに記憶されうる。コントローラは、堆積ソースアセンブリのスピードがスピードプロファイルに準じるように、駆動システムを制御しうる。したがって、層の均一性が更に向上しうるように、堆積速度のリアルタイムの制御及び調整が行われうる。本書に記載の実施形態によるものと見なされる、ソース搬送方向に沿った堆積ソースアセンブリの平行移動は、コーティングプロセスにおける高コーティング精度、特に高マスキング精度を可能にする。コーティング中に基板及びマスクが静止したままでありうるからである。   [0036] According to an embodiment, the speed of the deposition source assembly along the source transport direction may be controlled to control the deposition rate. The speed of the deposition source assembly can be adjusted in real time under the control of the controller. Adjustments can be made to compensate for changes in the deposition rate. A speed profile can be defined. The speed profile can determine the speed of the deposition source assembly at various locations. The speed profile can be provided to the controller or stored in the controller. The controller can control the drive system such that the speed of the deposition source assembly follows the speed profile. Thus, real-time control and adjustment of the deposition rate can be performed so that layer uniformity can be further improved. The translation of the deposition source assembly along the source transport direction, considered to be according to the embodiments described herein, enables high coating accuracy, particularly high masking accuracy, in the coating process. This is because the substrate and the mask can remain stationary during the coating.

[0037]図2に示しているように、マスク212が、堆積ソースアセンブリ270とキャリアアセンブリ110の基板との間に提供されうる。図2は、上側の位置、すなわち、堆積ソースアセンブリと上側のキャリアアセンブリ110との間の位置における第1マスク212と、下側の位置、すなわち、堆積ソースアセンブリと下側のキャリアアセンブリ110との間の位置における第2マスク212とを、示している。   [0037] A mask 212 may be provided between the deposition source assembly 270 and the substrate of the carrier assembly 110, as shown in FIG. FIG. 2 shows the first mask 212 in the upper position, ie, between the deposition source assembly and the upper carrier assembly 110, and the lower position, ie, the deposition source assembly and the lower carrier assembly 110. The second mask 212 is shown in the middle position.

[0038]本書に記載の、図5及び図6に関連してより詳細に説明されている実施形態により、マスクは、エッジ除外マスクでありうるか、又は、基板上にパターンを堆積させるためのマスク(シャドウマスク)でありうる。本書に記載の実施形態により、マスクはマスクキャリアによって支持されうる。したがって、本書で言及されているマスクの位置合わせ、浮上、又は、かかるマスクとの機械的接触も、このマスクキャリアに関連して行われうる。本開示の実施形態は、処理装置内で浮上したキャリアアセンブリを移動させることに言及している。浮上したキャリアアセンブリの移動は、機械的に支持される、すなわち、例えば基板搬送ローラに対する機械的接触という接触を伴わずには支持されない、キャリアアセンブリの移動と比較して、より高精度の位置付けを可能にする。特に、浮上したキャリアアセンブリの移動は、図1Aから図1CのX方向及びY方向などの、搬送方向及び/又は垂直方向での、高精度の基板位置付けを可能にする。本書に記載の実施形態による、キャリアアセンブリのこの位置付け精度により、マスク212に対する、キャリアアセンブリのキャリアによって支持された基板の位置合わせの改善が可能になる。位置合わせは、一部のマスク構成については所望の精度を提供するよう改善されうるか、又は、その他の一部のマスク構成については、別個の位置合わせシステムの複雑性の低減を可能にするよう改善されうる。   [0038] According to embodiments described in more detail in connection with FIGS. 5 and 6, the mask can be an edge exclusion mask or a mask for depositing a pattern on a substrate (Shadow mask). According to the embodiments described herein, the mask can be supported by a mask carrier. Accordingly, mask alignment, levitation, or mechanical contact with such a mask as referred to herein may also be made in connection with the mask carrier. Embodiments of the present disclosure refer to moving a carrier assembly that has floated within a processing apparatus. Movement of the levitated carrier assembly provides a more accurate positioning compared to movement of the carrier assembly which is mechanically supported, i.e. not supported without contact, e.g. mechanical contact with the substrate transport roller. to enable. In particular, the lifted carrier assembly movement allows for highly accurate substrate positioning in the transport direction and / or vertical direction, such as the X and Y directions of FIGS. 1A-1C. This positioning accuracy of the carrier assembly, according to the embodiments described herein, allows for improved alignment of the substrate supported by the carrier of the carrier assembly with respect to the mask 212. Alignment can be improved to provide the desired accuracy for some mask configurations, or improved to allow for reduced complexity of a separate alignment system for some other mask configurations. Can be done.

[0039]本開示による装置及び方法が、垂直基板処理に使用されうる。かかる装置及び方法においては、基板処理中に基板が垂直に配向される。すなわち、基板は、本書で説明している(すなわち、発生可能性のある厳密な垂直性からのずれを許容する)垂直方向に、平行に配置される。基板配向の厳密な垂直性からの小さなずれが提供されうる。例えば、基板支持体がかかるずれを伴うことで、より安定的な基板位置、又は、基板表面への粒子付着の低減がもたらされうるからである。基本的に垂直な基板は、垂直配向からの+−15°以下のずれを有しうる。したがって、本開示の実施形態は、基板配向への言及がなされる場合に、垂直+−15°の方向に言及していることがある。   [0039] Apparatus and methods according to the present disclosure may be used for vertical substrate processing. In such an apparatus and method, the substrate is oriented vertically during substrate processing. That is, the substrates are placed in parallel in the vertical direction described herein (ie, allowing deviations from the strict verticality that may occur). A small deviation from the strict verticality of the substrate orientation can be provided. This is because, for example, the substrate support is accompanied by such a shift, which can result in a more stable substrate position or a reduction in particle adhesion to the substrate surface. Basically vertical substrates can have a deviation of + -15 ° or less from the vertical orientation. Thus, embodiments of the present disclosure may refer to a vertical + -15 ° direction when reference is made to substrate orientation.

[0040]図3A及び図3Bは、垂直な基板配向を提供する装置の代替的な実施形態を示しており、15°以下の絶対値を有する小さなずれが提供されうる。本開示の実施形態により、支持体112によって支持された基板120は、若干下向きに傾いていることがある。このことが、基板処理中の基板表面への粒子付着を低減する。図3Aは、第1受動磁気ユニット150及び第2受動磁気ユニットを有する、キャリアアセンブリを示している。基板120を支持するための支持体112は、第1受動磁気ユニットと第2受動磁気ユニットとの間に設けられうる。図3Aは、誘導構造体170及び駆動構造体180を更に示している。図3Aに示すキャリアアセンブリは、誘導構造体170の長さに沿って分布する更なる能動磁気ユニット370又は複数の更なる能動磁気ユニット370を提供することによって、傾いており、すなわち、垂直配向からの若干のずれを有し、第2受動磁気ユニット160が更なる能動磁気ユニット370に引き寄せられている。したがって、浮上状態のキャリアアセンブリが提供され、キャリアアセンブリの下端部が、更なる能動磁気ユニット370によって側方に引っ張られる。機械的接触を伴わずにキャリアアセンブリの下端部を側方に引っ張るための他の要素も、提供されうる。   [0040] FIGS. 3A and 3B illustrate an alternative embodiment of an apparatus that provides a vertical substrate orientation, and small offsets having absolute values of 15 degrees or less may be provided. According to embodiments of the present disclosure, the substrate 120 supported by the support 112 may be slightly tilted downward. This reduces particle adhesion to the substrate surface during substrate processing. FIG. 3A shows a carrier assembly having a first passive magnetic unit 150 and a second passive magnetic unit. The support 112 for supporting the substrate 120 may be provided between the first passive magnetic unit and the second passive magnetic unit. FIG. 3A further shows the guide structure 170 and the drive structure 180. The carrier assembly shown in FIG. 3A is tilted by providing additional active magnetic units 370 or a plurality of additional active magnetic units 370 distributed along the length of the guiding structure 170, ie, from a vertical orientation. The second passive magnetic unit 160 is attracted to the further active magnetic unit 370. Thus, a floating carrier assembly is provided and the lower end of the carrier assembly is pulled laterally by a further active magnetic unit 370. Other elements for pulling the lower end of the carrier assembly laterally without mechanical contact can also be provided.

[0041]また更なる実施形態により、垂直配向からのずれは、永久磁石などの受動磁気ユニットによっても提供されうる。例えば、キャリアアセンブリは、第2受動磁気ユニット160として、又は、第2受動磁気ユニット160に加えて(例えば隣接して)提供された、永久磁石を有しうる。更なる永久磁石は永久磁石の下方に提供されうる。更なる永久磁石と永久磁石とは、互いに引き寄せ合うよう、極性が逆になるように提供されうる。この引力によって、キャリアアセンブリが垂直配向から偏向しうる。更に、引力により、搬送方向に沿った誘導が行われうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる、また更なる実施形態により、キャリアの上端部に誘導力を提供するために、永久磁石同士のまた更なる対が提供されうる。したがって、永久磁石同士の第2の対のうちの1つの永久磁石は、キャリアアセンブリの上部領域内に提供されることがあり、永久磁石同士の第2の対のうちのこれに対応する永久磁石は、誘導構造体の領域内に隣接して提供されうる。永久磁石同士の第2の対の間の引力によって、搬送方向に沿った誘導が行われうる。   [0041] According to yet further embodiments, deviations from vertical orientation can also be provided by passive magnetic units such as permanent magnets. For example, the carrier assembly may include a permanent magnet provided as (or adjacent to) the second passive magnetic unit 160 or in addition to the second passive magnetic unit 160. Further permanent magnets can be provided below the permanent magnets. Additional permanent magnets and permanent magnets can be provided with opposite polarities to attract each other. This attractive force can cause the carrier assembly to deflect from vertical orientation. Furthermore, guidance along the transport direction can be performed by attractive force. Still further pairs of permanent magnets can be provided to provide inductive force to the upper end of the carrier, which can be combined with other embodiments described herein, and further embodiments. Accordingly, one permanent magnet of the second pair of permanent magnets may be provided in the upper region of the carrier assembly, and the corresponding permanent magnet of the second pair of permanent magnets. Can be provided adjacent in the region of the guiding structure. Guidance along the transport direction can be performed by the attractive force between the second pair of permanent magnets.

[0042]図3は、第1受動磁気ユニット150及び第2受動磁気ユニット160を有する、本開示の別の実施形態を示している。傾いた、すなわち、垂直配向から若干(例えば15°以下の絶対値だけ)ずれている、基板120の基板配向を提供するために、支持体112が基板傾きを提供するよう形作られる一方で、キャリアアセンブリは垂直である。   [0042] FIG. 3 illustrates another embodiment of the present disclosure having a first passive magnetic unit 150 and a second passive magnetic unit 160. While the support 112 is shaped to provide a substrate tilt to provide a substrate orientation of the substrate 120 that is tilted, ie, slightly offset from the vertical orientation (eg, by an absolute value of 15 ° or less), the carrier 112 The assembly is vertical.

[0043]本開示の実施形態により、本書に示すキャリアアセンブリ110などのキャリアアセンブリは、プレート又はフレームに基板120を保持するよう構成された、一又は複数の保持デバイス(図示せず)を含みうる。一又は複数の保持デバイスは、機械クランプ及び/又は磁性クランプなどの、機械的手段、静電手段、動電(ファンデルワールス:vanderWaals)手段、電磁的手段、及び/又は、磁性手段のうちの、少なくとも1つを含みうる。   [0043] According to embodiments of the present disclosure, a carrier assembly, such as the carrier assembly 110 shown herein, may include one or more holding devices (not shown) configured to hold the substrate 120 in a plate or frame. . The one or more holding devices may comprise mechanical means, electrostatic means, electrokinetic (vander Waals) means, electromagnetic means, and / or magnetic means, such as mechanical clamps and / or magnetic clamps. , At least one.

[0044]一部の実行形態では、キャリアアセンブリは、静電チャック(Eチャック)を含むか、又は、Eチャックである。Eチャックは、表面上に基板120を支持するための支持面(例えば、図1C、図3A、及び図3Bに示す支持体112)を有しうる。一実施形態では、Eチャックは、電極が内部に埋め込まれている誘電本体を含む。誘電本体は、誘電体材料、好ましくは、熱分解性の窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ、又は等価材料などの高熱伝導性誘電体材料から、製造されうる。電極は電源に連結されてよく、電源は、チャック力を制御するために電極に電力を提供する。チャック力は、支持体の支持面に基板を固定するよう基板120に作用する、静電力である。   [0044] In some implementations, the carrier assembly includes an electrostatic chuck (E chuck) or is an E chuck. The E-chuck can have a support surface (eg, support 112 shown in FIGS. 1C, 3A, and 3B) for supporting the substrate 120 on the surface. In one embodiment, the E-chuck includes a dielectric body with electrodes embedded therein. The dielectric body can be made from a dielectric material, preferably a highly thermally conductive dielectric material such as pyrolytic boron nitride, aluminum nitride, silicon nitride, alumina, or equivalent material. The electrode may be coupled to a power source that provides power to the electrode to control the chucking force. The chucking force is an electrostatic force that acts on the substrate 120 to fix the substrate to the support surface of the support.

[0045]一部の実行形態では、キャリアアセンブリ110は、動電チャック若しくはゲッコチャック(Gチャック)を含むか、又は、動電チャック若しくはGチャックである。Gチャックは、表面上に基板を支持するための支持面を有しうる。チャック力は、支持面に基板を固定するよう基板に作用する、動電力でありうる。   [0045] In some implementations, the carrier assembly 110 includes or is an electrokinetic chuck or G-chuck. The G chuck may have a support surface for supporting the substrate on the surface. The chucking force can be an electromotive force acting on the substrate to fix the substrate to the support surface.

[0046]図4A及び図4Bは、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態による、装置100の動作状態を示している。図4A及び図4Bは、装置100の側面図を示している。図示しているように、誘導構造体170は、キャリアアセンブリの搬送方向、すなわち、図4A及び図4BにおけるX方向に沿って、延在しうる。キャリアアセンブリの搬送方向は、本書で説明している横断方向である。誘導構造体170は、搬送方向に沿って延在する直線形状を有しうる。ソース搬送方向に沿った誘導構造体170の長さは1〜30mでありうる。   [0046] FIGS. 4A and 4B illustrate an operating state of the apparatus 100 according to an embodiment that may be combined with other embodiments described herein. 4A and 4B show side views of the device 100. FIG. As shown, the guide structure 170 may extend along the transport direction of the carrier assembly, ie, the X direction in FIGS. 4A and 4B. The carrier assembly transport direction is the transverse direction described in this document. The guide structure 170 may have a linear shape extending along the transport direction. The length of the guide structure 170 along the source conveyance direction may be 1 to 30 m.

[0047]図4A及び図4Bに示している実施形態では、基板120は、例えば+15のずれを伴って、図の平面に実質的に平行に配置されうる。層堆積プロセスなどの基板処理中、基板は基板受領領域内に提供されうる。基板受領領域は、対応する基板寸法と同じか、又は、それよりも若干(例えば5〜20%)大きい、長さや幅などの寸法を有する。   [0047] In the embodiment shown in FIGS. 4A and 4B, the substrate 120 may be disposed substantially parallel to the plane of the drawing, for example with a +15 offset. During substrate processing, such as a layer deposition process, the substrate can be provided in a substrate receiving area. The substrate receiving area has dimensions such as length and width that are the same as or slightly larger (for example, 5 to 20%) than the corresponding substrate dimensions.

[0048]装置100の動作中に、キャリアアセンブリ110は、x方向などの搬送方向に、誘導構造体170に沿って平行移動可能でありうる。図4Aと図4Bは、誘導構造体170に対して、x方向に沿った別々の位置にあるキャリアアセンブリ110を示している。水平矢印485は駆動構造体180の駆動力を示す。結果として、誘導構造体170に沿った、左から右へのキャリアアセンブリ110の平行移動が行われる。垂直矢印475はキャリアアセンブリに作用する浮力を示す。   [0048] During operation of the apparatus 100, the carrier assembly 110 may be translatable along the guiding structure 170 in a transport direction, such as the x-direction. 4A and 4B show the carrier assembly 110 in different positions along the x direction with respect to the guiding structure 170. FIG. A horizontal arrow 485 indicates the driving force of the driving structure 180. As a result, translation of the carrier assembly 110 from left to right along the guiding structure 170 occurs. A vertical arrow 475 indicates buoyancy acting on the carrier assembly.

[0049]第1受動磁気ユニット150は、搬送方向に、第1受動磁気ユニット150の長さに実質的に沿った、磁気特性を有しうる。能動磁気ユニット175’によって発生した磁場は、第1受動磁気ユニット150の磁気特性と相互作用して、第1磁気浮力及び第2磁気浮力を提供する。したがって、キャリアアセンブリ110の非接触型の浮上、搬送、及び位置合わせが行われうる。   [0049] The first passive magnetic unit 150 may have magnetic properties substantially along the length of the first passive magnetic unit 150 in the transport direction. The magnetic field generated by the active magnetic unit 175 ′ interacts with the magnetic characteristics of the first passive magnetic unit 150 to provide a first magnetic buoyancy and a second magnetic buoyancy. Accordingly, non-contact levitation, transport and alignment of the carrier assembly 110 can be performed.

[0050]図4Aに示しているように、キャリアアセンブリ110は第1位置に提供される。本開示の実施形態により、2つ以上の能動磁気ユニット175’(例えば、2つ又は3つの能動磁気ユニット175’)が、コントローラ440によって活性化されて、キャリアアセンブリ110を浮上させるための磁場を発生させる。本開示の実施形態により、キャリアアセンブリは、機械的接触を伴わずに、誘導構造体170の下方に浮遊する。   [0050] As shown in FIG. 4A, the carrier assembly 110 is provided in a first position. In accordance with embodiments of the present disclosure, two or more active magnetic units 175 ′ (eg, two or three active magnetic units 175 ′) are activated by the controller 440 to generate a magnetic field for levitating the carrier assembly 110. generate. According to embodiments of the present disclosure, the carrier assembly floats below the guiding structure 170 without mechanical contact.

[0051]図4Aでは、2つの能動磁気ユニット175’が、矢印475で示されている磁力を提供する。磁力は、キャリアアセンブリを浮上させるように、重力に接触する。コントローラ440は2つの能動磁気ユニット175’を制御して(詳細には、2つの能動磁気ユニットを個別に制御して)、キャリアアセンブリを浮上状態に維持する。更に、一又は複数の更なる能動磁気ユニット185’が、コントローラ440によって制御される。更なる能動磁気ユニットは、交互極性の永久磁石の組などの第2受動磁気ユニット160と相互作用して、矢印485で示す駆動力を発生させる。駆動力は、搬送方向に沿って、キャリアアセンブリの支持体によって支持された基板などの基板を移動させる。図4Aに示しているように、搬送方向はX方向でありうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、更なる能動磁気ユニット185’のうち、駆動力を提供するために同時に制御されるものの数は、1〜3である。他の実施形態により、更なる能動磁気ユニット185’の制御は、能動磁気ユニット175’を制御するコントローラ440とは異なる第2コントローラによって行われることもある。   [0051] In FIG. 4A, two active magnetic units 175 'provide the magnetic force indicated by arrow 475. The magnetic force contacts the gravity so as to lift the carrier assembly. The controller 440 controls the two active magnetic units 175 '(specifically, controls the two active magnetic units individually) to keep the carrier assembly floating. In addition, one or more additional active magnetic units 185 ′ are controlled by the controller 440. A further active magnetic unit interacts with a second passive magnetic unit 160, such as a pair of alternating polarity permanent magnets, to generate the driving force indicated by arrow 485. The driving force moves a substrate such as the substrate supported by the support of the carrier assembly along the transport direction. As shown in FIG. 4A, the transport direction may be the X direction. According to some embodiments of the present disclosure that may be combined with other embodiments described herein, the number of additional active magnetic units 185 ′ that are simultaneously controlled to provide driving force is 1-3. It is. According to other embodiments, further control of the active magnetic unit 185 'may be performed by a second controller that is different from the controller 440 that controls the active magnetic unit 175'.

[0052]キャリアアセンブリの移動が、X方向などの搬送方向に沿って基板を移動させる。したがって、基板は、第1位置において能動磁気ユニット175’の第1の群の下方に位置付けられ、更なる別の位置においては、能動磁気ユニット175’の更なる別の群の下方に位置付けられる。コントローラ440は、それぞれの位置に関してどの能動磁気ユニット175’が浮力を提供するかを制御し、かつ、キャリアアセンブリを浮上させるよう、それぞれの能動磁気ユニットを制御する。例えば、浮力は、基板が移動している間に、直後の能動磁気ユニットによって提供されうる。本書に記載の実施形態により、キャリアアセンブリは、能動磁気ユニットの1つの組から能動磁気ユニットの別の組へと、渡されていく。   [0052] The movement of the carrier assembly moves the substrate along a transport direction, such as the X direction. Thus, the substrate is positioned below the first group of active magnetic units 175 'in the first position and below another further group of active magnetic units 175' in yet another position. The controller 440 controls which active magnetic unit 175 'provides buoyancy for each position and controls each active magnetic unit to levitate the carrier assembly. For example, buoyancy can be provided by the immediate active magnetic unit while the substrate is moving. According to the embodiments described herein, the carrier assembly is passed from one set of active magnetic units to another set of active magnetic units.

[0053]図4Bは、第2位置のキャリアアセンブリを示している。図4Bに示す位置は、基板が処理される処理位置に相当する。この処理位置において、キャリアアセンブリは所望の位置に移動しうる。基板は、本開示で説明されている非接触型搬送システムを用いて、マスクに対して位置合わせされる。   [0053] FIG. 4B shows the carrier assembly in the second position. The position shown in FIG. 4B corresponds to a processing position where the substrate is processed. In this processing position, the carrier assembly can be moved to a desired position. The substrate is aligned with respect to the mask using the non-contact transfer system described in this disclosure.

[0054]図4Bで例示している第2位置において、2つの能動磁気ユニット175’は、矢印494で示す第1磁力、及び、矢印496で示す第2磁力を提供する。コントローラ440は、2つの能動磁気ユニット175’を制御して、図4BのY方向などの垂直方向に、位置合わせを行う。更に、追加的又は代替的には、コントローラ440は、2つの能動磁気ユニット175’を制御して位置合わせを行い、キャリアアセンブリがX−Y平面内で回転する。この両方の位置合わせ移動が、点線のキャリアアセンブリ410の位置と実線で描かれたキャリアアセンブリ110の位置とを比較することによって、図4Bで例示的に視認されうる。   [0054] In the second position illustrated in FIG. 4B, the two active magnetic units 175 'provide a first magnetic force indicated by arrow 494 and a second magnetic force indicated by arrow 496. The controller 440 controls the two active magnetic units 175 'to perform alignment in a vertical direction such as the Y direction in FIG. 4B. Additionally or alternatively, the controller 440 controls the two active magnetic units 175 'for alignment and the carrier assembly rotates in the XY plane. Both alignment movements can be exemplarily seen in FIG. 4B by comparing the position of the dotted carrier assembly 410 with the position of the carrier assembly 110 drawn in solid lines.

[0055]コントローラは、キャリアアセンブリを垂直方向に平行移動させて位置合わせするために能動磁気ユニット175’を制御するよう、構成されうる。能動磁気ユニットを制御することによって、キャリアアセンブリ110は、ターゲットの垂直位置に位置付けられうる。キャリアアセンブリ110は、コントローラ440の制御のもとで、ターゲットの垂直位置に維持されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる実施形態により、コントローラは、第1回転軸(例えば、主要基板表面に対して直角な回転軸、すなわち本開示におけるZ方向に延在する回転軸)に対して堆積ソースを角度方向に位置合わせするために、能動磁気ユニット175’を制御するよう、構成される。   [0055] The controller may be configured to control the active magnetic unit 175 'to translate and align the carrier assembly in the vertical direction. By controlling the active magnetic unit, the carrier assembly 110 can be positioned in the vertical position of the target. The carrier assembly 110 can be maintained in the vertical position of the target under the control of the controller 440. According to embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the controller may have a first rotation axis (eg, a rotation axis perpendicular to the main substrate surface, ie, a rotation axis extending in the Z direction in the present disclosure). Is configured to control the active magnetic unit 175 'to angularly align the deposition source with respect to.

[0056]本開示の実施形態により、垂直方向(Y方向)のキャリアアセンブリの位置合わせ、特に非接触型位置合わせは、0.1mm〜3mmの位置合わせ範囲で行われうる。更に、垂直方向の位置合わせ精度、特に非接触型位置合わせ精度は、1μm〜10μm、例えば5μmなど、50μm以下でありうる。本開示の実施形態により、回転の位置合わせ精度、特に非接触型位置合わせ精度は、3°以下でありうる。   [0056] According to embodiments of the present disclosure, alignment of the carrier assembly in the vertical direction (Y direction), particularly non-contact alignment, may be performed in an alignment range of 0.1 mm to 3 mm. Furthermore, the alignment accuracy in the vertical direction, particularly the non-contact type alignment accuracy, may be 1 μm to 10 μm, for example 5 μm or less, such as 50 μm or less. According to an embodiment of the present disclosure, the rotational alignment accuracy, particularly the non-contact alignment accuracy, may be 3 ° or less.

[0057]本開示の実施形態により、一又は複数の更なる能動磁気ユニット185’は、矢印498で示す駆動力を提供しうる。コントローラは、一又は複数の更なる能動磁気ユニット185’を制御して、図4BのX方向などの横断方向に、位置合わせを行う。本開示の実施形態により、横断方向(X方向)のキャリアアセンブリの位置合わせは、誘導構造体の長さに沿って延在する位置合わせ範囲で行われうる。更に、横断方向の位置合わせ精度、特に非接触型位置合わせ精度は、5μm〜30μmなど、50μm以下でありうる。   [0057] According to embodiments of the present disclosure, one or more additional active magnetic units 185 'may provide a driving force as indicated by arrow 498. The controller controls one or more additional active magnetic units 185 'to perform alignment in a transverse direction, such as the X direction of FIG. 4B. According to embodiments of the present disclosure, alignment of the transverse (X-direction) carrier assembly may be performed in an alignment range that extends along the length of the guide structure. Further, the alignment accuracy in the transverse direction, particularly the non-contact type alignment accuracy may be 50 μm or less, such as 5 μm to 30 μm.

[0058]図5は、本開示の他の実施形態と組み合わされうる、マスクの位置合わせの一実施形態を示している。図5に示すマスク512はエッジ除外マスクである。このエッジ除外マスクは、マスク512のエッジ514を提供することによって、基板120のエッジの一部を覆う。例えば、基板120の覆われた部分の幅516は、5mm以下など、10mm以下でありうる。開放領域(又は開口部518)がエッジ514によって提供される。すなわち、開口部518はエッジ514によって囲まれる。2つ以上の開口部518が対応する複数のエッジによって囲まれて存在するように、エッジ除外マスク512の中央に仕切り壁がオプションで提供されうる。しかし、開口部は、パターンフィーチャを画定するようには構成されない。開口部は、基板の面積をを画定するよう構成される。例えば、図5に示す開口部518の面積は、基板の面積の少なくとも80%である。2つ以上の開口部を有する実施形態については、各開口部が、基板面積の少なくとも0.1%の面積を有する。   [0058] FIG. 5 illustrates one embodiment of mask alignment that may be combined with other embodiments of the present disclosure. A mask 512 shown in FIG. 5 is an edge exclusion mask. This edge exclusion mask covers a portion of the edge of the substrate 120 by providing an edge 514 of the mask 512. For example, the width 516 of the covered portion of the substrate 120 can be 10 mm or less, such as 5 mm or less. An open area (or opening 518) is provided by edge 514. That is, the opening 518 is surrounded by the edge 514. A partition wall may optionally be provided in the center of the edge exclusion mask 512 such that two or more openings 518 are surrounded by corresponding edges. However, the openings are not configured to define pattern features. The opening is configured to define an area of the substrate. For example, the area of the opening 518 shown in FIG. 5 is at least 80% of the area of the substrate. For embodiments having more than one opening, each opening has an area of at least 0.1% of the substrate area.

[0059]図5は、表面上に基板120を支持しているキャリアアセンブリ110を示している。キャリアアセンブリ110、ひいては基板120は、マスク512、ひいてはマスクのエッジ514に対して位置合わせされうる。本開示の実施形態によるキャリアアセンブリとマスクとの位置合わせは、誘導構造体170の能動磁気ユニット175’及び/又は駆動構造体180の更なる能動磁気ユニット185’などの能動磁気ユニットの制御によって、実行される。一部の実施形態により、エッジ除外マスクであるマスクについては特に、能動磁気ユニットによる位置合わせを利用する位置合わせ精度は、基板処理の所望の精度のために十分なものでありうる。したがって、本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、基板及びマスクの互いに対する位置合わせが、機械的接触を伴わない基板搬送システムなどの基板を浮上させる基板搬送システムの能動磁気ユニットによって、行われる。   [0059] FIG. 5 shows a carrier assembly 110 supporting a substrate 120 on a surface. The carrier assembly 110, and thus the substrate 120, can be aligned with the mask 512 and thus the edge 514 of the mask. The alignment of the carrier assembly and the mask according to embodiments of the present disclosure can be controlled by control of an active magnetic unit, such as the active magnetic unit 175 ′ of the guidance structure 170 and / or a further active magnetic unit 185 ′ of the drive structure 180. Executed. According to some embodiments, especially for masks that are edge exclusion masks, the alignment accuracy utilizing alignment by the active magnetic unit may be sufficient for the desired accuracy of substrate processing. Thus, according to some embodiments of the present disclosure that may be combined with other embodiments described herein, the alignment of the substrate and mask relative to each other causes the substrate to float, such as a substrate transport system without mechanical contact. This is done by the active magnetic unit of the transport system.

[0060]例えば、OLEDディスプレイの製造などのディスプレイ製造は、図5の一又は複数の開口部518に対応する面積などの基板上の大面積を覆って、導電層が提供される、メタライズプロセスを含みうる。メタライズプロセスは、エッジ除外マスク512を利用して実行されうる。基板及びマスクの互いに対する位置合わせは、誘導構造体の能動磁気ユニット及び/又は駆動構造体の能動磁気ユニットによって行われうる。能動磁気ユニットを用いた位置合わせの精度(例えば、50μm以下の精度)は、メタライズプロセスのために十分なものでありうる。   [0060] For example, display manufacturing, such as manufacturing an OLED display, includes a metallization process in which a conductive layer is provided over a large area on a substrate, such as an area corresponding to one or more openings 518 in FIG. May be included. The metallization process may be performed using an edge exclusion mask 512. The alignment of the substrate and the mask with respect to each other can be performed by the active magnetic unit of the guiding structure and / or the active magnetic unit of the driving structure. The accuracy of alignment using an active magnetic unit (eg, accuracy of 50 μm or less) may be sufficient for the metallization process.

[0061]図6は、マスクの位置合わせの更なる実施形態を示している。図6は、複数の小型開口部614を含むシャドウマスク612を示している。例えば、これらの開口部の面積、すなわち、生成されることになるパターンのうちの一フィーチャの面積は、基板面積の0.01%未満でありうる。図6は、表面上に基板120を支持しているキャリアアセンブリ110を示している。事前位置合わせが、誘導構造体170の能動磁気ユニット175’及び/又は駆動構造体180の更なる能動磁気ユニット185’などの能動磁気ユニットの制御によって、実行されうる。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる本開示の一部の実施形態により、基板及びマスクの互いに対する事前位置合わせが、機械的接触を伴わない基板搬送システムなどの基板を浮上させる基板搬送システムの能動磁気要素によって、行われる。事前位置合わせは、50μm以下の精度を有しうる。事前位置合わせのこの精度は、位置合わせアクチュエータ630(例えば、圧電位置合わせアクチュエータなどの圧電アクチュエータ)を利用することを可能にし、このことにより、位置合わせユニット又は位置合わせシステムの複雑性が低減する。本開示の一部の実施形態により、位置合わせユニット又は位置合わせシステムは、2つ以上(例えば4つ)の位置合わせアクチュエータを含みうる。位置合わせアクチュエータは、上述の事前位置合わせの精度を伴わずに利用される一般的な位置合わせアクチュエータと比較して、複雑性が低くなりうる。上記を鑑みるに、本開示の実施形態による基板搬送システムの能動磁気要素を用いた位置合わせは、処理システムの所有コストを減少させうる。複雑性が低い位置合わせユニット又は位置合わせシステムについて、下記で図7から図9に関連して説明する。   [0061] FIG. 6 illustrates a further embodiment of mask alignment. FIG. 6 shows a shadow mask 612 that includes a plurality of small openings 614. For example, the area of these openings, ie the area of one feature of the pattern to be generated, can be less than 0.01% of the substrate area. FIG. 6 shows the carrier assembly 110 supporting the substrate 120 on the surface. Pre-alignment may be performed by control of an active magnetic unit, such as active magnetic unit 175 ′ of guidance structure 170 and / or further active magnetic unit 185 ′ of drive structure 180. In accordance with some embodiments of the present disclosure that may be combined with other embodiments described herein, substrate transport in which pre-alignment of the substrate and mask to each other causes the substrate to float, such as a substrate transport system without mechanical contact. This is done by the active magnetic element of the system. The pre-alignment can have an accuracy of 50 μm or less. This accuracy of pre-alignment allows the use of alignment actuators 630 (eg, piezoelectric actuators such as piezoelectric alignment actuators), which reduces the complexity of the alignment unit or alignment system. According to some embodiments of the present disclosure, the alignment unit or alignment system may include two or more (eg, four) alignment actuators. The alignment actuator can be less complex than a typical alignment actuator that is utilized without the pre-alignment accuracy described above. In view of the above, alignment using active magnetic elements of a substrate transport system according to embodiments of the present disclosure can reduce the cost of ownership of the processing system. A low complexity alignment unit or alignment system is described below in connection with FIGS.

[0062]図7及び図8は、本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に、キャリアアセンブリ110の基板キャリア111、及びマスクキャリア740を支持するための、保持構成700の概略図を示している。図8は、本書に記載の実施形態による、処理チャンバ内での層堆積中に基板キャリア111及びマスクキャリア740を支持するための、保持構成700の断面図を示している。図9は、4つの位置合わせアクチュエータを有する保持構成の概略図を示している。   [0062] FIGS. 7 and 8 illustrate a holding configuration 700 for supporting the substrate carrier 111 and mask carrier 740 of the carrier assembly 110 during layer deposition in a processing chamber, according to embodiments described herein. A schematic diagram is shown. FIG. 8 illustrates a cross-sectional view of a holding configuration 700 for supporting a substrate carrier 111 and mask carrier 740 during layer deposition in a processing chamber, according to embodiments described herein. FIG. 9 shows a schematic diagram of a holding configuration having four alignment actuators.

[0063]垂直に動作するツールで使用される位置合わせシステムは、処理チャンバの外部から(すなわち外気側(atmospheric side)から)機能しうる。位置合わせシステムは、例えば処理チャンバの壁を通って延在する剛性アームを用いて、基板キャリア及びマスクキャリアに接続されうる。マスクキャリア又はマスクと基板キャリア又は基板との間の機械的パスが長いと、システムは、外部干渉(振動、加熱など)及び許容誤差の影響を受けやすくなる。   [0063] The alignment system used in the vertically operating tool can function from outside the processing chamber (ie, from the atmospheric side). The alignment system can be connected to the substrate carrier and mask carrier using, for example, rigid arms that extend through the walls of the processing chamber. A long mechanical path between the mask carrier or mask and the substrate carrier or substrate makes the system susceptible to external interference (vibration, heating, etc.) and tolerances.

[0064]いくつかの実施形態では、本開示は、2つ以上の位置合わせアクチュエータを有する保持構成を提供し、このアクチュエータは、マスクキャリアと基板キャリアとの間に短い接続パスを提供する。本書に記載の実施形態による保持構成は外部干渉の影響を受けにくく、堆積層の品質が向上しうる。   [0064] In some embodiments, the present disclosure provides a holding configuration having two or more alignment actuators that provide a short connection path between the mask carrier and the substrate carrier. The holding arrangement according to the embodiments described herein is less susceptible to external interference and can improve the quality of the deposited layer.

[0065]保持構成700は、基板キャリア111とマスクキャリア740の少なくとも一方に接続可能な、2つ以上の位置合わせアクチュエータを含み、保持構成700は基板キャリア111を、第1平面内に、又は第1平面に平行に支持するよう構成され、2つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの第1位置合わせアクチュエータ710は、キャリアアセンブリとマスクキャリア740とを、少なくとも第1方向Yに、互いに対して移動させるよう構成され、2つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの第2位置合わせアクチュエータ720は、キャリアアセンブリとマスクキャリア740とを、少なくとも、第1方向Y、及び、第1方向Yとは異なる第2方向Xに、互いに対して移動させるよう構成され、第1方向Y及び第2方向Xは、第1平面内にある。2つ以上の位置合わせアクチュエータは、「位置合わせブロック」とも称される。   [0065] The holding configuration 700 includes two or more alignment actuators connectable to at least one of the substrate carrier 111 and the mask carrier 740, the holding configuration 700 holding the substrate carrier 111 in a first plane or in a first plane. A first alignment actuator 710 of two or more alignment actuators configured to support parallel to a plane moves the carrier assembly and mask carrier 740 relative to each other at least in a first direction Y. The second alignment actuator 720 of the two or more alignment actuators is configured such that the carrier assembly and the mask carrier 740 are at least in the first direction Y and the second direction different from the first direction Y. Configured to move relative to each other in a first direction Y and a second Direction X is in a first plane. Two or more alignment actuators are also referred to as “alignment blocks”.

[0066]本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる、本書に記載の一部の実施形態により、マスク725はマスクキャリア740に取り付けられうる。一部の実施形態では、保持構成700は、詳細には層堆積中に、基板キャリア111とマスクキャリア740の少なくとも一方を実質的に垂直な配向に支持するよう、構成される。   [0066] According to some embodiments described herein, which may be combined with other embodiments described herein, the mask 725 may be attached to the mask carrier 740. In some embodiments, the retention structure 700 is configured to support at least one of the substrate carrier 111 and the mask carrier 740 in a substantially vertical orientation, particularly during layer deposition.

[0067]2つ以上の位置合わせアクチュエータを使用して、キャリアアセンブリとマスクキャリア740とを、少なくとも第1方向Y及び第2方向Xに、互いに対して移動させることによって、基板120は、マスクキャリア740又はマスク725に対して位置合わせされることが可能であり、堆積層の品質が向上しうる。   [0067] By using two or more alignment actuators to move the carrier assembly and mask carrier 740 relative to each other in at least a first direction Y and a second direction X, the substrate 120 is 740 or mask 725 can be aligned and the quality of the deposited layer can be improved.

[0068]2つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリとマスクキャリア140の少なくとも一方に接続可能でありうる。一例としては、2つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリ又は基板キャリア111に接続可能であり、マスクキャリア140に対して基板キャリア130を移動させるよう構成される。マスクキャリア140は定位置又は静止位置にありうる。他の例では、2つ以上の位置合わせアクチュエータは、マスクキャリア140に接続可能であり、基板キャリア111に対してマスクキャリア140を移動させるよう構成される。基板キャリア111は定位置又は静止位置にありうる。   [0068] Two or more alignment actuators may be connectable to at least one of the carrier assembly and the mask carrier 140. As an example, two or more alignment actuators can be connected to the carrier assembly or substrate carrier 111 and are configured to move the substrate carrier 130 relative to the mask carrier 140. The mask carrier 140 can be in a fixed position or a stationary position. In other examples, two or more alignment actuators can be connected to the mask carrier 140 and configured to move the mask carrier 140 relative to the substrate carrier 111. The substrate carrier 111 can be in a fixed position or a stationary position.

[0069]図9の保持構成では、2つ以上の位置合わせアクチュエータは、第3位置合わせアクチュエータ930と第4位置合わせアクチュエータ940の少なくとも一方を含む。本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、2つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリ若しくは基板キャリア111、又はマスクキャリア140を、第1平面内で又は第1平面に平行に(例えば、x方向及びy方向に)移動させるか、又は位置合わせするよう構成され、かつ、基板キャリア130又はマスクキャリア140の角位置を第1平面内で又は第1平面に平行に、調整するか、又は変化させるよう構成される。   [0069] In the holding configuration of FIG. 9, the two or more alignment actuators include at least one of a third alignment actuator 930 and a fourth alignment actuator 940. According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the two or more alignment actuators may move the carrier assembly or substrate carrier 111, or mask carrier 140, in the first plane or in the first plane. In parallel (e.g., in the x and y directions), and the angular position of the substrate carrier 130 or mask carrier 140 is in the first plane or parallel to the first plane. Configured to adjust or change.

[0070]一部の実行形態では、2つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの少なくとも1つの位置合わせアクチュエータは、基板120とマスクキャリア140とを、第3方向Zに、互いに対して移動させるよう構成され、詳細には、第3方向は第1平面及び/又は基板表面711に対して実質的に直角である。一例としては、第1位置合わせアクチュエータ710及び第2位置合わせアクチュエータ720は、第3方向Zに基板キャリア111又はマスクキャリア140を移動させるよう構成される。一部の実行形態では、基板120とマスク725との間の距離は、キャリアアセンブリ若しくは基板キャリア111、又はマスクキャリア140を第3方向Zに移動させることによって、調整されうる。一例としては、基板120又は基板キャリア111とマスク725との間の距離は、表面上に層が堆積されるよう構成された基板表面711の領域において実質的に一定になるよう、調整されうる。一部の実施形態により、この距離は、1mm未満、具体的には500マイクロメートル未満、更に具体的には50マイクロメートル未満でありうる。   [0070] In some implementations, at least one of the two or more alignment actuators is configured to move the substrate 120 and the mask carrier 140 relative to each other in the third direction Z. In particular, the third direction is substantially perpendicular to the first plane and / or the substrate surface 711. As an example, the first alignment actuator 710 and the second alignment actuator 720 are configured to move the substrate carrier 111 or the mask carrier 140 in the third direction Z. In some implementations, the distance between the substrate 120 and the mask 725 may be adjusted by moving the carrier assembly or substrate carrier 111 or the mask carrier 140 in the third direction Z. As an example, the distance between the substrate 120 or substrate carrier 111 and the mask 725 can be adjusted to be substantially constant in the region of the substrate surface 711 configured to deposit a layer on the surface. According to some embodiments, this distance may be less than 1 mm, specifically less than 500 micrometers, and more specifically less than 50 micrometers.

[0071]本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、第1位置合わせアクチュエータ710は、第2方向Xに対する浮動を行っている。「浮動(floating)」という語は、第1位置合わせアクチュエータ710が、基板キャリア130が第2方向Xに移動する(例えば、第2位置合わせアクチュエータ720によって駆動される)ことを可能にすることであると、理解されうる。   [0071] In some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first alignment actuator 710 is floating in the second direction X. The term “floating” means that the first alignment actuator 710 allows the substrate carrier 130 to move in the second direction X (eg, driven by the second alignment actuator 720). It can be understood that there is.

[0072]基板キャリア111は、第1エッジ部分732及び第2エッジ部分734を有しうる。第1エッジ部分及び第2エッジ部分は、基板キャリア111の両側に配置されうる。基板120が配置されうる基板キャリアの基板領域は、第1エッジ部分732と第2エッジ部分734との間に提供されうる。一例としては、第1エッジ部分732は、基板キャリアの上側エッジ部分又は上部エッジ部分でありうる。第2エッジ部分734は、基板キャリアの下側エッジ部分又は底部エッジ部分でありうる。   [0072] The substrate carrier 111 may have a first edge portion 732 and a second edge portion 734. The first edge portion and the second edge portion may be disposed on both sides of the substrate carrier 111. A substrate region of the substrate carrier on which the substrate 120 may be disposed may be provided between the first edge portion 732 and the second edge portion 734. As an example, the first edge portion 732 can be the upper edge portion or the upper edge portion of the substrate carrier. The second edge portion 734 can be a lower edge portion or a bottom edge portion of the substrate carrier.

[0073]本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、第1位置合わせアクチュエータ710及び第2位置合わせアクチュエータ720は、第1エッジ部分732又は第2エッジ部分734に提供される。一部の実行形態では、第1位置合わせアクチュエータ710及び第2位置合わせアクチュエータ720は、基板キャリア111の角又は角領域(例えば、第1エッジ部分732又は第2エッジ部分734の角又は角領域)に提供されうる。   [0073] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the first alignment actuator 710 and the second alignment actuator 720 are provided on the first edge portion 732 or the second edge portion 734. Is done. In some implementations, the first alignment actuator 710 and the second alignment actuator 720 are corners or corner regions of the substrate carrier 111 (eg, corners or corner regions of the first edge portion 732 or the second edge portion 734). Can be provided.

[0074]本書に記載の他の実施形態と組み合わされうる一部の実施形態により、2つ以上の位置合わせアクチュエータは、電動アクチュエータ又は空圧アクチュエータでありうる。2つ以上の位置合わせアクチュエータは、例えば、線形位置合わせアクチュエータでありうる。一部の実行形態では、2つ以上の位置合わせアクチュエータは、ステッパアクチュエータ、ブラシレスアクチュエータ、DC(直流)アクチュエータ、ボイスコイルアクチュエータ、及び圧電アクチュエータからなる群から選択された、少なくとも1つのアクチュエータを含みうる。「アクチュエータ(actuator)」という語は、ステッパモータなどのモータを表しうる。2つ以上の位置合わせアクチュエータは、プラスマイナス約1マイクロメートル未満の精度で、キャリアアセンブリ又は基板キャリア111を(したがって基板を)移動させるか、又は位置付けるよう、構成されうる。一例としては、2つ以上の位置合わせアクチュエータは、第1方向Y、第2方向X、及び第3方向Zのうちの少なくとも1つの方向に、プラスマイナス約0.5マイクロメートル、具体的には約0.1マイクロメートルの精度で、基板キャリア111を移動させるか、又は位置付けるよう、構成されうる。   [0074] According to some embodiments that may be combined with other embodiments described herein, the two or more alignment actuators may be electric actuators or pneumatic actuators. The two or more alignment actuators can be, for example, a linear alignment actuator. In some implementations, the two or more alignment actuators can include at least one actuator selected from the group consisting of a stepper actuator, a brushless actuator, a DC (direct current) actuator, a voice coil actuator, and a piezoelectric actuator. . The term “actuator” can refer to a motor, such as a stepper motor. The two or more alignment actuators can be configured to move or position the carrier assembly or substrate carrier 111 (and thus the substrate) with an accuracy of less than plus or minus about 1 micrometer. As an example, the two or more alignment actuators may have plus or minus about 0.5 micrometers in at least one of the first direction Y, the second direction X, and the third direction Z, specifically The substrate carrier 111 can be configured to move or position with an accuracy of about 0.1 micrometers.

[0075]一部の実行形態では、2つ以上の位置合わせアクチュエータを同時に又は順次駆動することによって、第1方向、第2方向、及び第3方向のうちの少なくとも1つの方向への基板の移動が実施されうる。   [0075] In some implementations, the substrate is moved in at least one of a first direction, a second direction, and a third direction by driving two or more alignment actuators simultaneously or sequentially. Can be implemented.

[0076]図10は、本開示の実施形態による、キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法を図示するフロー図を示している。ブロック902に示しているように、キャリアアセンブリは浮上する。例えば、能動磁気ユニット175’がコントローラ440によって活性化されかつ/又は制御され、2つが、重力に反作用する磁力を提供する。磁力は、キャリアアセンブリを浮上させる役割を果たす。ブロック904は、キャリアアセンブリをマスクに対して位置付けるために、キャリアアセンブリを移動させることを示している。本書に記載の実施形態により、キャリアアセンブリを移動させること、又はキャリアアセンブリの移動は、キャリアアセンブリが浮上している間に実行される。ブロック906は、マスクに対してキャリアアセンブリを位置合わせすることを示している。したがって、キャリアアセンブリの移動は、マスクに対するキャリアアセンブリの十分な精度を伴う位置付け、すなわち位置合わせを行うよう、制御される。   [0076] FIG. 10 shows a flow diagram illustrating a method of non-contact alignment of a carrier assembly, according to an embodiment of the present disclosure. As shown in block 902, the carrier assembly floats. For example, the active magnetic unit 175 'is activated and / or controlled by the controller 440, and two provide a magnetic force that counteracts gravity. The magnetic force plays a role of floating the carrier assembly. Block 904 illustrates moving the carrier assembly to position the carrier assembly relative to the mask. According to the embodiments described herein, moving the carrier assembly or moving the carrier assembly is performed while the carrier assembly is levitated. Block 906 indicates aligning the carrier assembly with respect to the mask. Thus, the movement of the carrier assembly is controlled to position, ie align, the carrier assembly with sufficient accuracy relative to the mask.

[0077]本開示の一部の実施形態により、オプションで、キャリアアセンブリ及び/又はマスクは、更なる機械的位置合わせを行うために、例えば位置合わせアクチュエータに、機械的に接触されうる。そのような場合、ブロック906に示す位置合わせは、事前位置合わせと見なされうる。   [0077] According to some embodiments of the present disclosure, optionally, the carrier assembly and / or mask may be mechanically contacted, eg, to an alignment actuator, for further mechanical alignment. In such cases, the alignment shown in block 906 may be considered pre-alignment.

[0078]本開示の実施形態により、キャリアアセンブリの搬送システム又は保持装置は、位置合わせ、又は少なくとも事前位置合わせを行うよう、構成される。本書に記載の方法は、キャリアアセンブリの、例えば浮上している間の、機械的接触を伴わない移動を行い、非接触型搬送システムは、キャリアによって支持されたかつ/又はキャリアアセンブリの一部分である基板などの基板とマスクとを互いに対して位置合わせするのに十分な精度を可能にする。例えば、この精度は、50μm以下など、100μm未満でありうる。   [0078] According to embodiments of the present disclosure, the carrier assembly transport system or holding device is configured to align, or at least pre-align. The method described herein provides for movement of the carrier assembly without mechanical contact, for example, while floating, and the non-contact transport system is supported by and / or part of the carrier assembly. Allows sufficient accuracy to align a substrate, such as a substrate, and a mask with respect to each other. For example, the accuracy can be less than 100 μm, such as 50 μm or less.

[0079]本開示には、いくつかの用途向けの別々の位置合わせアクチュエータを避けること、又は、少なくとも、多数用途向けの複数の位置合わせアクチュエータの複雑性を低減することを含む、いくつかの利点がある。マスクに対する基板の位置合わせの改善及び/又は高効率化が、提供されうる。したがって、処理システムの所有コストが減少しうる。更に、本開示の一部の実施形態はスループットの増大を可能にする。更なる利点は、とりわけ、例えばOLEDディスプレイ製造に利用される大面積基板向けの堆積システムなどの処理システムにおける、粒子発生を減少させることを含む。例えば、基板上の堆積層の純度及び均一性の向上が提供されうる。   [0079] The present disclosure includes several advantages, including avoiding separate alignment actuators for some applications, or at least reducing the complexity of multiple alignment actuators for multiple applications. There is. Improved alignment and / or increased efficiency of the substrate relative to the mask may be provided. Thus, the cost of ownership of the processing system can be reduced. Furthermore, some embodiments of the present disclosure allow for increased throughput. Further advantages include, among other things, reducing particle generation in processing systems such as, for example, deposition systems for large area substrates utilized in OLED display manufacturing. For example, improved purity and uniformity of the deposited layer on the substrate can be provided.

[0080]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
[0080] While the above description is directed to embodiments of the present disclosure, other and further embodiments of the present disclosure may be devised without departing from the basic scope of the present disclosure. The scope of the disclosure is determined by the following claims.

Claims (15)

キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの方法であって、
真空チャンバ内で前記キャリアアセンブリを浮上させることと、
所定の位置、特にマスク又はマスクキャリアに対して前記キャリアアセンブリを位置付けるために、前記キャリアアセンブリを、浮上している間に移動させることと、
基板搬送方向、垂直方向に+−15°の第1方向、及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも1つの方向で、前記マスク又は前記マスクキャリアに対して前記キャリアアセンブリを位置合わせすることとを含む、方法。
A method for non-contact alignment of a carrier assembly, comprising:
Floating the carrier assembly in a vacuum chamber;
Moving the carrier assembly while levitating to position the carrier assembly relative to a predetermined position, in particular a mask or mask carrier;
Aligning the carrier assembly with respect to the mask or the mask carrier in at least one direction selected from the group consisting of a substrate transport direction, a first direction of + -15 ° to the vertical direction, and combinations thereof; Including a method.
前記基板搬送方向に沿って前記キャリアアセンブリを誘導することであって、浮上させること及び移動させることと同時に実行される、誘導することを更に含む、請求項1に記載の方法。   The method of claim 1, further comprising guiding the carrier assembly along the substrate transport direction, wherein the guiding is performed simultaneously with floating and moving. 前記キャリアアセンブリが、位置合わせ中の機械的接触を伴わない、請求項1又は2に記載の方法。   The method of claim 1 or 2, wherein the carrier assembly does not involve mechanical contact during alignment. 前記位置合わせすることが50μm以下の精度で行われる、請求項1から3のいずれ一項に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the alignment is performed with an accuracy of 50 μm or less. 前記基板搬送方向と前記第1方向とによって提供される平面内で前記キャリアアセンブリを回転させることによって、前記マスク又は前記マスクキャリアに対して前記キャリアアセンブリを更に位置合わせすることを更に含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。   The method further comprises further aligning the carrier assembly relative to the mask or the mask carrier by rotating the carrier assembly in a plane provided by the substrate transport direction and the first direction. The method according to any one of 1 to 4. 前記更に位置合わせすることが3°以下の精度で行われる、請求項5に記載の方法。   The method of claim 5, wherein the further alignment is performed with an accuracy of 3 ° or less. 機械的位置合わせを行うために、2つ以上の位置合わせアクチュエータで、前記マスク若しくは前記マスクキャリア、前記キャリアアセンブリ、又は、前記マスク若しくは前記マスクキャリアと前記キャリアアセンブリに接触することを更に含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。   The method further comprises contacting the mask or the mask carrier, the carrier assembly, or the mask or the mask carrier and the carrier assembly with two or more alignment actuators to perform mechanical alignment. Item 7. The method according to any one of Items 1 to 6. 前記機械的位置合わせが5μm以下の精度で行われる、請求項7に記載の方法。   The method according to claim 7, wherein the mechanical alignment is performed with an accuracy of 5 μm or less. キャリアアセンブリの基板を処理する方法であって、
請求項1から7のいずれか一項に記載の前記キャリアアセンブリの非接触型位置合わせの前記方法であって、前記マスク又は前記マスクキャリアが前記真空チャンバ内に位置付けられる、前記方法と、
前記真空チャンバ内で前記基板を処理することとを含む、方法。
A method for processing a substrate of a carrier assembly comprising:
The method of non-contact alignment of the carrier assembly according to any one of claims 1 to 7, wherein the mask or the mask carrier is positioned in the vacuum chamber;
Processing the substrate in the vacuum chamber.
前記真空チャンバのゲートバルブを開き、かつ、前記キャリアアセンブリが浮上している間に、前記真空チャンバから出すように前記キャリアアセンブリを移動させることを更に含む、請求項9に記載の方法。   The method of claim 9, further comprising opening the gate valve of the vacuum chamber and moving the carrier assembly out of the vacuum chamber while the carrier assembly is floating. 前記真空チャンバ内で前記基板を処理することが、前記基板上に層を堆積させることを含む、請求項9又は10に記載の方法。   The method of claim 9 or 10, wherein processing the substrate in the vacuum chamber comprises depositing a layer on the substrate. 前記堆積させることが、前記基板に沿って堆積ソースアセンブリを移動させることを含む、請求項11に記載の方法。   The method of claim 11, wherein the depositing includes moving a deposition source assembly along the substrate. 基板処理システムの真空チャンバ内での、キャリアアセンブリ、及び、マスク又はマスクキャリアの互いに対する非接触型位置合わせのための装置(100)であって、
前記真空チャンバ内に複数の能動磁気ユニット(175)を有する誘導構造体(170)であって、前記真空チャンバ内で前記キャリアアセンブリを浮上させるよう構成される、誘導構造体(170)と、
前記真空チャンバ内に複数の更なる能動磁気ユニットを有する駆動構造体(180)であって、機械的な接触を伴わずに搬送方向に沿って前記キャリアアセンブリを駆動するよう構成される、駆動構造体(180)と、
前記真空チャンバ内で、前記マスク若しくは前記マスクキャリア、前記キャリアアセンブリ、又は、前記マスク若しくは前記マスクキャリアと前記キャリアアセンブリに接触する、2つ以上の位置合わせアクチュエータと、
誘導構造体、前記駆動構造体、及び、前記2つ以上の位置合わせアクチュエータに接続されたコントローラであって、前記誘導構造体及び前記駆動構造体を用いて事前位置合わせを行い、かつ、前記2つ以上の位置合わせアクチュエータを用いて機械的位置合わせを行うために、前記複数の能動磁気ユニット及び前記複数の更なる能動磁気ユニットを制御するよう構成された、コントローラとを含む、装置。
An apparatus (100) for non-contact alignment of a carrier assembly and a mask or mask carrier with respect to each other within a vacuum chamber of a substrate processing system comprising:
An induction structure (170) having a plurality of active magnetic units (175) in the vacuum chamber, the induction structure (170) configured to float the carrier assembly in the vacuum chamber;
A drive structure (180) having a plurality of further active magnetic units in the vacuum chamber, the drive structure configured to drive the carrier assembly along a transport direction without mechanical contact A body (180);
Two or more alignment actuators in contact with the mask or the mask carrier, the carrier assembly, or the mask or the mask carrier and the carrier assembly in the vacuum chamber;
A controller connected to the guiding structure, the driving structure, and the two or more alignment actuators, performing pre-alignment using the guiding structure and the driving structure; and And a controller configured to control the plurality of active magnetic units and the plurality of further active magnetic units to perform mechanical alignment using one or more alignment actuators.
前記2つ以上の位置合わせアクチュエータが圧電アクチュエータである、請求項13に記載の装置。   The apparatus of claim 13, wherein the two or more alignment actuators are piezoelectric actuators. 少なくとも1つの更なる圧電アクチュエータを更に備える、請求項14に記載の装置。
The apparatus of claim 14, further comprising at least one additional piezoelectric actuator.
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