JP2018526678A - 光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記フォトマスク内に第一フォトマスクパターンを構成する第一透光パターンの末端を揃え、第二フォトマスクパターンを構成する第二透光パターンの先端を揃えて設けることによって、光配向の工程において、前記第一基板ユニットの末端及び第二基板ユニットの先端に露光されない領域、または、露光不足の領域が存在しないようにすることで、従来の光配向の工程において露光されない領域、または、露光不足の領域が存在するために招かれるディスプレイの明るさが不均一である等の問題を解決すると同時に、基板上の第一基板ユニット及び第二基板ユニットの間の距離を効果的に縮め、それによって、基板の利用率を高めることが可能である。
【選択図】図10
Description
100 基板
11 第一基板ユニット
12 第二基板ユニット
101 第一基板ユニット
102 第二基板ユニット
D 第一基板ユニット101と第二基板ユニット102の間の距離
150 露光不足の領域
2 フォトマスク
200 フォトマスク
21 フォトマスク本体
210 フォトマスク本体
3 第一フォトマスクパターン
300 第一フォトマスクパターン
31 第一本体
310 第一本体
311 第一透光パターン
313 第一透光パターン
32 第一連接部
320 第一連接部
4 第二フォトマスクパターン
400 第二フォトマスクパターン
41 第二本体
410 第二本体
411 第一透光パターン
413 第二透光パターン
42 第二連接部
420 第二連接部
5 フォトマスクセット
500 フォトマスクセット
600 光源
DX 第一方向
DY 第二方向
Claims (11)
- フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられた第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなる光配向に用いられるフォトマスクであって、
前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体上に第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられ、
前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなり、
前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第一方向と垂直な第二方向に沿って配列された複数の第一透光パターンからなり、
その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じであり、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって徐々に低くなっていき、
さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなり、
前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなり、
その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じであり、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、
さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている
ことを特徴とする、光配向に用いられるフォトマスク。 - 前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、
前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく
ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。 - 前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じであり、
前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じである
ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。 - 前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形である
ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。 - 前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される
ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。 - 以下の手順1、手順2、手順3、手順4、手順5と、からなる光配向の方法であって、
前記手順1は、配向膜で覆われた基板と、光配向に用いられる複数のフォトマスクと、光源と、を提供する手順であり、
前記基板は、第一方向に沿って二行にわたって配列された複数の第一基板ユニット及び複数の第二基板ユニットからなり、
前記複数の第一基板ユニットは、基板の一行目に第一方向に垂直な第二方向に沿って配列され、
前記複数の第二基板ユニットは、基板の二行目に第二方向に沿って配列され、
前記光配向に用いられるフォトマスクは、フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられ前記第一基板ユニット及び第二基板ユニットにそれぞれ露光を行うのに用いられる第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなり、前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体に、第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔をおいて設けられ、
前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなり、
前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第一透光パターンからなり、
その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じであり、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、
さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなり、
前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなり、
その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じであり、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、
さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
前記手順2は、前記複数の光配向に用いられるフォトマスクに対して交差する組合せを行う手順であり、隣り合った二つのフォトマスク内の第一フォトマスクパターンの第一連接部を互いに重ね合わせ、第二フォトマスクパターンの第二連接部を互いに重ね合わせることで、フォトマスクセットが得られ、
前記フォトマスクセット内の第一フォトマスクパターンを、光源の下方に設け、光源が発する光線は、第一透光パターンを突き抜け、
それから、前記基板及びフォトマスクセットを重ね合わせ、
前記手順3は、前記基板を第一方向に沿って前記第一基板ユニットに位置するフォトマスクセットの第一フォトマスクパターンの下方へ徐々に平行に移動させる手順であり、前記光源が発する光線は、前記第一フォトマスクパターン内の第一透光パターンを突き抜けて、第一基板ユニット全体に露光を行い、
前記手順4は、第一基板ユニットの末端が平行に移動して前記第一フォトマスクパターンの末端を超え、且つ前記第二フォトマスクパターンの先端が前記第二基板ユニットの先端を超えるまで前記基板が平行に移動した時、引き続き前記基板を平行に移動させると同時に、前記フォトマスクセットも平行に移動させる手順であり、
前記手順5は、フォトマスクセット内の第二フォトマスクパターンが光源の下方に位置するまで、前記フォトマスクセットが平行に移動する時、フォトマスクセットの移動を停止させる手順であり、引き続き第一方向に沿って前記基板は平行に移動し、光線は第二透光パターンによって基板上のすべての第二基板ユニットに露光を行うことで、基板上のすべての第一基板ユニット及び第二基板ユニットへの露光が完了する
ことを特徴とする、光配向の方法。 - 前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、
前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく
ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。 - 前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じであり、
前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じである
ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。 - 前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形であり、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される
ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。 - 前記光配向の工程において、前記光源の位置は終始固定して動くことはない
ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。 - フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられた第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなる光配向に用いられるフォトマスクであって、
前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体上で第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられ、
前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなり、
前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第一方向と垂直な第二方向に沿って配列された、複数の第一透光パターンからなり、その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じであり、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなり、
前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなり、その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じであり、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
その内、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、
その内、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じであり、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じであり、
その内、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形であり、
その内、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される
ことを特徴とする、光配向に用いられるフォトマスク。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510553278.6A CN105068375B (zh) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | 用于光配向的光罩及光配向方法 |
CN201510553278.6 | 2015-09-01 | ||
PCT/CN2015/091721 WO2017035909A1 (zh) | 2015-09-01 | 2015-10-12 | 用于光配向的光罩及光配向方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018526678A true JP2018526678A (ja) | 2018-09-13 |
JP6586225B2 JP6586225B2 (ja) | 2019-10-02 |
Family
ID=54497775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018510120A Active JP6586225B2 (ja) | 2015-09-01 | 2015-10-12 | 光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10345696B2 (ja) |
JP (1) | JP6586225B2 (ja) |
KR (1) | KR102179033B1 (ja) |
CN (1) | CN105068375B (ja) |
GB (1) | GB2556285B (ja) |
WO (1) | WO2017035909A1 (ja) |
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-
2015
- 2015-09-01 CN CN201510553278.6A patent/CN105068375B/zh active Active
- 2015-10-12 WO PCT/CN2015/091721 patent/WO2017035909A1/zh active Application Filing
- 2015-10-12 US US15/754,502 patent/US10345696B2/en active Active
- 2015-10-12 GB GB1802288.9A patent/GB2556285B/en active Active
- 2015-10-12 JP JP2018510120A patent/JP6586225B2/ja active Active
- 2015-10-12 KR KR1020187005878A patent/KR102179033B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105068375B (zh) | 2017-05-31 |
WO2017035909A1 (zh) | 2017-03-09 |
GB201802288D0 (en) | 2018-03-28 |
GB2556285B (en) | 2020-11-11 |
KR20180035864A (ko) | 2018-04-06 |
CN105068375A (zh) | 2015-11-18 |
GB2556285A (en) | 2018-05-23 |
JP6586225B2 (ja) | 2019-10-02 |
US20180239239A1 (en) | 2018-08-23 |
KR102179033B1 (ko) | 2020-11-16 |
US10345696B2 (en) | 2019-07-09 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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