JP2018526678A - 光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法 - Google Patents

光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018526678A
JP2018526678A JP2018510120A JP2018510120A JP2018526678A JP 2018526678 A JP2018526678 A JP 2018526678A JP 2018510120 A JP2018510120 A JP 2018510120A JP 2018510120 A JP2018510120 A JP 2018510120A JP 2018526678 A JP2018526678 A JP 2018526678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photomask
pattern
light
substrate
light transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018510120A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6586225B2 (ja
Inventor
韓丙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd, TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Publication of JP2018526678A publication Critical patent/JP2018526678A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6586225B2 publication Critical patent/JP6586225B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/42Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/16Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling the spray area
    • B05B12/20Masking elements, i.e. elements defining uncoated areas on an object to be coated
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

【課題】本発明は光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法を提供する。
【解決手段】前記フォトマスク内に第一フォトマスクパターンを構成する第一透光パターンの末端を揃え、第二フォトマスクパターンを構成する第二透光パターンの先端を揃えて設けることによって、光配向の工程において、前記第一基板ユニットの末端及び第二基板ユニットの先端に露光されない領域、または、露光不足の領域が存在しないようにすることで、従来の光配向の工程において露光されない領域、または、露光不足の領域が存在するために招かれるディスプレイの明るさが不均一である等の問題を解決すると同時に、基板上の第一基板ユニット及び第二基板ユニットの間の距離を効果的に縮め、それによって、基板の利用率を高めることが可能である。
【選択図】図10

Description

本発明は液晶ディスプレイの製作分野に関し、特に光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法に関する。
液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display、LCD)は、ボディが薄く、省電力で、放射線がない等の多くの優れた点を備え、液晶テレビ、携帯電話、パーソナルコンピューター、デジタルカメラ、計算機のスクリーン、或いはノートパソコンのスクリーン等において広く応用されている。
従来の液晶ディスプレイの大部分は,バックライト型の液晶ディスプレイであり、ケースと、ケース内に設けられた液晶パネルと、ケース内に設けられたバックライトモジュールと、からなる。通常液晶パネルは、一つのカラーフィルタ基板(Color Filter、CF)と、一つの薄膜トランジスタ配列基板(Thin Film Transistor Array Substrate、TFT Array Substrate)と、二つの基板の間に充填された一つの液晶層(Liquid Crystal Layer)と、からなり、その作動原理は、CF基板及びTFT基板上に駆動電圧を印加することによって液晶層の液晶分子の回転を制御し、光の出力量を調整し、バックライトモジュールの光線を屈折させて画面を生じさせる。
液晶ディスプレイパネルの製作過程において、配向膜に配向を行うことは、一つの重要なプロセスであり、配向プロセスによって液晶分子を特定の方向及び角度で配列させる。TFT−LCDの生産において、二つの配向方法がある。摩擦配向と光配向である。摩擦配向は物理的な方法であり、静電気及び粒状の汚れを発生させてしまう。光配向は接触を伴わない配向技術であり、直線偏向を利用してフォトマスクを光に敏感な高分子重合体の配向膜上に照射することによって、配向膜の表面に一定の傾斜角度の配向構造を形成して配向の効果を達成する。
現在、光配向に用いられるフォトマスクのサイズは、一般的に市場で見られる液晶テレビのサイズより小さいため、実際の生産において、複数のフォトマスクを組み合わせて同時に作動させることが必要であり、隣り合った二つのフォトマスクの重なり合った(overlap)領域に光を二度照射する。
最大限に基板の利用率を高めるため、二つの或いは二つ以上のサイズ規格の複数の基板ユニットを一枚の大きな基板上に配列させる。通常は、MMG製品と呼ばれ、前記大きな基板上を配向膜で覆い、フォトマスク上に異なる透光パターンを設け、異なるサイズの基板ユニットに配向を行う。
図1を参照する。図1は配向膜で覆われた一枚の基板100であり、前記基板100には複数の基板ユニットが設けられる。前記複数の基板ユニットは、基板100の一行目内にある複数の第一基板ユニット101と、二行目内にある複数の第二基板ユニット102と、からなる。その内、一行目の第一基板ユニット101と二行目の第二基板ユニット102の間の距離Dを小さくすればするほど、基板100の利用率が高まる。
図2を参照する。図2は従来の光配向に用いられる一枚のフォトマスク200であり、フォトマスク本体210と、前記フォトマスク本体210に設けられるとともに、前記第一基板ユニット101及び第二基板ユニット102にそれぞれ露光を行うのに用いられる第一フォトマスクパターン300及び第二フォトマスクパターン400と、からなる。前記第一フォトマスクパターン300及び第二フォトマスクパターン400は、前記フォトマスク本体210に第一方向DXに沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられる。
前記第一フォトマスクパターン300は、中間に位置する第一本体310と、前記第一本体310の両側に位置する第一連接部320と、からなる。
前記第一本体310及び第一連接部320は、いずれも第一方向DXに垂直な第二方向DYに沿って配列された複数の第一透光パターン311からなる。その内、前記第一本体310を構成する複数の第一透光パターン311の高さは同じであるとともに、両側は揃っており、前記第一連接部320を構成する複数の第一透光パターン311の高さは、第一本体310に近い側から第一本体310から遠い側に向かって徐々に低くなっていき、且つ前記第一連接部320の上下両側は対称を成して設けられる。
前記第二フォトマスクパターン400は、中間に位置する第二本体410と、前記第二本体410の両側に位置する第二連接部420と、からなる。
前記第二本体410及び第二連接部420は、いずれも第一方向DXに垂直な第二方向DYに沿って配列された複数の第二透光パターン411からなる。その内、前記第二本体410を構成する複数の第二透光パターン411の高さは同じであるとともに、両側は揃っており、前記第一連接部320を構成する複数の第二透光パターン411の高さは、第二本体410に近い側から、第二本体410から遠い側に向かって徐々に低くなっていき、且つ前記第二連接部420の上下両側は対称を成して設けられる。
図3を参照する。通常複数の図1が示すフォトマスク200に対して交差する組み合わせを行うには、図1が示す基板100によって露光を行い、前記複数のフォトマスク200を組み合わせた後、隣り合った二つのフォトマスク200内の第一フォトマスクパターン300の第一連接部320を互いに重ね合わせ、第二フォトマスクパターン400の第二連接部420を互いに重ね合わせることで、フォトマスクセット500が得られる。
図4から図9を参照する。図4から図9は、図3が示すフォトマスクセット500を用いて、図1が示す基板100に光配向処理を行った状態を示す概略図であり、前記光配向の方法は、以下の手順1と、手順2と、手順3と、手順4と、からなる。
図4を参照する。前記手順1は、配向膜で覆われた基板100と、フォトマスクセット500と、光源600と、を提供する手順である。
前記フォトマスクセット500内の第一フォトマスクパターン300を光源600の下方に設け、光源600が発する光線は第一透光パターン311を透過する。
それから前記基板100及びフォトマスクセット500を配置させる。
図5を参照する。前記手順2は、前記基板100を第一方向DXに沿って、前記第一基板ユニット101が位置するフォトマスクセット500の第一フォトマスクパターン300の下方に、徐々に移動させ、光源600が発する光線は、前記第一フォトマスクパターン300内の第一透光パターン311を透過し、第一基板ユニット101全体に露光を行う手順である。
図6及び図7を参照する。手順3は、基板100が、第一基板ユニット101の末端が前記第一フォトマスクパターン300の末端を超え、且つ前記第二フォトマスクパターン400の先端が前記第二基板ユニット102の先端を超えるまで、前記基板が平行に移動した時、引き続き配向膜で覆われた前記基板100を平行に移動させると同時に、前記フォトマスクセット500も平行に移動させる手順である。
図8を参照する。手順4は、フォトマスクセット500内の第二フォトマスクパターン400が光源600の下方へと位置するまで、前記フォトマスクセット500が平行に移動する時、フォトマスクセット500の移動を停止させる手順である。図9を参照する。引き続き第一方向DXに沿って前記基板100を平行に移動させ、光線が第二透光パターン411によって基板1上の第二基板ユニット102に露光を行うことで、基板100内の第一基板ユニット101及び第二基板ユニット102全体への露光が完了する。
図7を参照する。上記の光配向の方法は、第一フォトマスクパターン300と第二フォトマスクパターン400の切替えを行っている時、前記第一基板ユニット11の末端の前記第一連接部320が重なっている箇所の後方、及び前記第二基板ユニット102の先端の前記第二連接部42が重なっている箇所の前方に、露光されていない、または、露光が不足する一つの小さな領域150が形成され、それによって、第一基板ユニット101及び第二基板ユニット102を用いて生産するディスプレイパネル内にmura(液晶ディスプレイの明るさが不均一になる現象)等の問題を発生させることがよくある。
上記の露光工程中に発生する技術的問題に基づき、従来の解決方法は、前記基板100内の第一基板ユニット101と第二基板ユニット102の間の距離Dを大きくし、それによって、第一フォトマスクパターン300と第二フォトマスクパターン400を切り替える時、第一基板ユニット101の末端が第一フォトマスクパターン300によって完全に覆われるようにし、前記第二基板ユニット102の先端が第二フォトマスクパターン400によって完全に覆われるようにし、第一基板ユニット101と第二基板ユニット102内に、露出できない或いは露光不足の領域が形成されるのを防ぎ、それによって、muraの問題を解決したが、このような解決方法では基板上の第一基板ユニット101と第二基板ユニット102の間の距離が大きくなってしまい、製品設計がしにくく、基板の利用率が低いという問題がある。
したがって、従来の光配向の工程で発生する基板ユニットのmuraの問題と基板の利用率が低いという問題を解決できる新しい技術的解決策が早急に必要とされている。
本発明は、配向効果を改善し、MMG製品が配向時に、露光されない、または、露光不足の領域が存在することによって引き起こされるmuraの問題を防ぐとともに、基板の利用率を高めることができる光配向に用いられるフォトマスクを提供することを目的とする。
本発明は、配向効果を改善し、MMG製品が配向時に、露光されない、または、露光不足の領域が存在することによって引き起こされるmuraの問題を防ぐとともに、基板の利用率を高めることができる光配向の方法を提供することをもう一つの目的とする。
上記の目的を達成するため、本発明は、フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられた第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなる光配向に用いられるフォトマスクを提供する。前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体に第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられる。
前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなる。
前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第一方向と垂直な第二方向に沿って配列された複数の第一透光パターンからなる。その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じである。前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって徐々に低くなっていく。さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている。
前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなる。
前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなる。その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じである。前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていく。さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている。
前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。
前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じである。前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じである。
前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形である。
前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される。
本発明は、さらに、以下の手順1、手順2、手順3、手順4、手順5と、からなる光配向の方法を提供する。
前記手順1は、配向膜で覆われた基板と、光配向に用いられる複数のフォトマスクと、光源と、を提供する手順である。
前記基板は、第一方向に沿って二行にわたって配列された複数の第一基板ユニット及び複数の第二基板ユニットからなり、前記複数の第一基板ユニットは、基板の一行目に、第一方向に垂直な第二方向に沿って配列され、前記複数の第二基板ユニットは、基板の二行目に、第二方向に沿って配列される。
前記光配向に用いられるフォトマスクは、フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられ前記第一基板ユニット及び第二基板ユニットにそれぞれ露光を行うのに用いられる第一フォトマスクパターンと、第二フォトマスクパターンと、からなる。前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体に、第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔をおいて設けられる。
前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなる。
前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第一透光パターンからなる。その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じである。前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていく。さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている。
前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなる。
前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなる。その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じである。前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていく。さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている。
前記手順2は、前記複数の光配向に用いられるフォトマスクに対して交差する組み合わせを行う手順であり、隣り合った二つのフォトマスク内の第一フォトマスクパターンの第一連接部を互いに重ね合わせ、第二フォトマスクパターンの第二連接部を互いに重ね合わせることで、フォトマスクセットが得られる。
前記フォトマスクセット内の第一フォトマスクパターンを、光源の下方に設け、光源が発する光線は、第一透光パターンを突き抜ける。
それから、前記基板と、フォトマスクセットを重ね合わせる。
前記手順3は、前記基板を第一方向に沿って前記第一基板ユニット徐々に平行に移動させ、フォトマスクセットの第一フォトマスクパターンの下方に位置させる手順である。前記光源が発する光線は、前記第一フォトマスクパターン内の第一透光パターンを突き抜けて、第一基板ユニット全体に露光を行う。
前記手順4は、第一基板ユニットの末端が前記第一フォトマスクパターンの末端を超え、且つ前記第二フォトマスクパターンの先端が前記第二基板ユニットの先端を超えるまで、前記基板が平行に移動した時、引き続き前記基板全体を平行に移動させると同時に、前記フォトマスクセットも平行に移動させる手順である。
前記手順5は、フォトマスクセット内の第二フォトマスクパターンへと位置するまで、前記フォトマスクセットが平行に移動し、光源の下方に位置する時、フォトマスクセットの移動を停止させる手順である。引き続き第一方向に沿って前記基板は平行に移動し、光線は第二透光パターンによって基板上のすべての第二基板ユニットに露光を行うことで、基板上のすべての第一基板ユニット及び第二基板ユニットへの露光が完了する。
前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。
前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じである。前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じである。
前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形であり、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィによって石英ガラス上の金属層に沈積して形成する。
前記光配向の工程において、前記光源の位置は終始固定して動くことはない。
本発明は、さらに、光配向に用いられるフォトマスクを提供する。前記光配向に用いられるフォトマスクは、フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられた第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなる。前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体上で第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられる。
前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなる。
前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第一方向と垂直な第二方向に沿って配列された、複数の第一透光パターンからなる。その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じである。前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていく。さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている。
前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなる。
前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなる。その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じである。前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていく。さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている。
前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。
前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じである。前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じである。
前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形である。
その内、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される。
本発明が提供する光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法の有益な効果は、前記フォトマスク内に、第一フォトマスクパターンから構成されるすべての第一透光パターンの末端を揃えて設け、第二フォトマスクパターンを構成するすべての第二透光パターンの先端を揃えて設けることで、光配向の工程において、前記第一基板ユニットの末端及び第二基板ユニットの先端に、露光されない領域、または、露光不足の領域が存在することがなく、従来の光配向工程内で露光されない領域、または、露光不足の領域が存在することで招かれるディスプレイの明るさが不均一であるといった問題を解決すると同時に、基板上の第一基板ユニット及び第二基板ユニットの間の距離を効果的に縮め、それによって、基板の利用率を高めることができる。
以下では図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施方式について詳細に説明することによって、本発明の技術的解決策及びその他の有益な効果について明らかにする。
従来の配向膜で覆われた基板の構造の概略図である。 従来の光配向に用いられるフォトマスクの構造の概略図である。 複数の図2のフォトマスクに対して交差する組み合わせを行った後に得られたフォトマスクセットの構造の概略図である。 従来の光配向方法の手順1の概略図である。 従来の光配向方法の手順2の概略図である。 従来の光配向方法の手順3の概略図である。 従来の光配向方法の手順3の概略図である。 従来の光配向方法の手順4の概略図である。 従来の光配向方法の手順4の概略図である。 本発明の光配向に用いられるフォトマスクの構造の概略図である。 本発明の配向膜で覆われた基板の構造の概略図である。 複数の図10のフォトマスクに対して交差する組み合わせを行った後に得られたフォトマスクセットの構造の概略図である。 本発明の光配向方法の手順2の概略図である。 本発明の光配向方法の手順3の概略図である。 本発明の光配向方法の手順4の概略図である。 本発明の光配向方法の手順4の概略図である。 本発明の光配向方法の手順5の概略図である。 本発明の光配向方法の手順5の概略図である。
本発明が採用する技術的解決策及びその効果について更に詳しく説明するため、以下では、本発明の好ましい実施例及びその図面を参照しつつ詳細な説明を行う。
図10を参照する。図10は、本発明が最初に提供する、光配向に用いられるフォトマスク2である。前記光配向に用いられるフォトマスク2は、フォトマスク本体21と、前記フォトマスク本体21に設けられた第一フォトマスクパターン3及び第二フォトマスクパターン4と、からなる。前記第一フォトマスクパターン3及び第二フォトマスクパターン4は、前記フォトマスク本体2上で第一方向DXに沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられる。
具体的に、前記第一フォトマスクパターン3は、中間に位置する第一本体31と、前記第一本体31の両側に位置する第一連接部32と、からなる。
前記第一本体31及び第一連接部32は、いずれも、第一方向DXと垂直な第二方向DYに沿って配列された複数の第一透光パターン313からなる。その内、前記第一本体31を構成する複数の第一透光パターン313の高さは同じである。前記第一連接部32を構成する複数の第一透光パターン313の高さは、第一本体31に近い方の側から、第一本体31から遠い方の側に向かって徐々に低くなっていく。さらに、前記第一本体31及び第一連接部32を構成するすべての第一透光パターン313における、第二フォトマスクパターン4に近い方の側は揃っている。
具体的に、前記第二フォトマスクパターン4は、中間に位置する第二本体41と、前記第二本体41の両側に位置する第二連接部42と、からなる。
前記第二本体41及び第二連接部42は、いずれも、第二方向DYに沿って配列された複数の第二透光パターン413からなる。その内、前記第二本体41を構成する複数の第二透光パターン413の高さは同じである。前記第二連接部42を構成する複数の第二透光パターン413の高さは、第二本体41に近い方の側から、第二本体41から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていく。さらに、前記第二本体41及び第二連接部42を構成するすべての第二透光パターン413において、第一フォトマスクパターン3に近い方の側は揃っている。
具体的に、前記第一連接部32を構成する複数の第一透光パターン313の高さは、第一本体31に近い方の側から、第一本体31から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。前記第二連接部42を構成する複数の第二透光パターン413の高さは、第二本体41に近い方の側から、第二本体41から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。
具体的に、前記第一本体31及び第一連接部32を構成するすべての第一透光パターン313の幅は同じである。前記第二本体41及び第二連接部42を構成するすべての第二透光パターン413の幅は同じである。
具体的に、前記第一透光パターン313及び第二透光パターン413は、いずれも、長方形である。
本発明の光配向に用いられる複数のフォトマスク2を組み合わせた後、得られたフォトマスクセットを用いて一つの基板上の二つの基板ユニットに光配向処理を行う時、本発明の第一フォトマスクパターンの下端は揃っており、第二フォトマスクパターンの上端は揃っているため、第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンの切換えを行う時、第一基板ユニットの末端及び第二基板ユニットの先端に露光不足或いは露光がされない状況が出現することがなく、基板上の第一基板ユニットと第二基板ユニットの間の距離を縮めやすく、基板の利用率を高めることができる。
上記の光配向に用いられるフォトマスクに基づき、本発明は、さらに、光配向の方法を提供する。図10から図18を参照する。前記光配向の方法の手順は、手順1と、手順2と、手順3と、手順4と、手順5と、からなる。
図10及び図11及び図13を参照する。前記手順1は、配向膜で覆われた基板1と、複数の光配向に用いられるフォトマスク2と、光源6と、を提供する手順である。
図11を参照する。前記基板1は、第一方向DXに沿って二行にわたって配列された複数の第一基板ユニット11及び複数の第二基板ユニット12からなり、前記複数の第一基板ユニット11は、基板1上の一行目に、第一方向DXに垂直な第二方向DYに沿って配列され、前記複数の第二基板ユニット12は、基板1上の二行目に、第二方向DYに沿って配列される。
図10を参照する。前記光配向に用いられるフォトマスク2は、フォトマスク本体21と、前記フォトマスク本体21に設けられ前記第一基板ユニット11及び第二基板ユニット12にそれぞれ露光を行うのに用いられる第一フォトマスクパターン3と、第二フォトマスクパターン4と、からなる。前記第一フォトマスクパターン3及び第二フォトマスクパターン4は、前記フォトマスク本体21に第一方向DXに沿って配列されるとともに一定の間隔をおいて設けられる。
具体的に、前記第一フォトマスクパターン3は、中間に位置する第一本体31と、前記第一本体31の両側に位置する第一連接部32と、からなる。
前記第一本体31及び第一連接部32は、いずれも、第二方向DYに沿って配列された複数の第一透光パターン313からなる。その内、前記第一本体31を構成する複数の第一透光パターン313の高さは同じである。前記第一連接部32を構成する複数の第一透光パターン313の高さは、第一本体31に近い方の側から第一本体31から遠い方の側に向かって徐々に低くなっていく。さらに、前記第一本体31及び第一連接部32を構成するすべての第一透光パターン313において、第二フォトマスクパターン4に近い方の側は揃っている。
前記第二フォトマスクパターン4は、中間に位置する第二本体41と、前記第二本体41の両側に位置する第二連接部42と、からなる。
前記第二本体41及び第二連接部42は、いずれも、第二方向DYに沿って配列された複数の第二透光パターン413からなる。その内、前記第二本体41を構成する複数の第二透光パターン413の高さは同じである。前記第二連接部42を構成する複数の第二透光パターン413の高さは、第二本体41に近い方の側から第二本体41から遠い方の側に向かって徐々に低くなっていく。さらに、前記第二本体41及び第二連接部42を構成するすべての第二透光パターン413において、第一フォトマスクパターン3に近い方の側は揃っている。
具体的に、前記光配向に用いられるフォトマスク2の内、前記第一連接部32を構成する複数の第一透光パターン313の高さは、第一本体31に近い方の側から第一本体31から遠い方の側に向かって直線的に低くなっていく。前記第二連接部42を構成する複数の第二透光パターン413の高さは、第二本体41に近い方の側から、第二本体41から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく。
さらに、前記第一本体31及び第一連接部32を構成するすべての第一透光パターン313の幅は同じである。前記第二本体41及び第二連接部42を構成するすべての第二透光パターン413の幅は同じである。
好ましくは、前記第一透光パターン313及び第二透光パターン413は、いずれも、長方形である。
さらに、前記第一透光パターン313及び第二透光パターン413は、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成する。
好ましくは、前記金属層の材料はクロム(Cr)である。
図12を参照する。前記手順2は、前記複数の光配向に用いられるフォトマスク2に対して交差する組み合わせを行い、隣り合った二つのフォトマスク2内の第一フォトマスクパターン3の第一連接部32を交差するように重ね合わせ、第二フォトマスクパターン4の第二連接部42を互いに重ね合わせることで、フォトマスクセット5が得られる。
図13を参照する。前記フォトマスクセット5内の第一フォトマスクパターン3は、光源6の下方に設けられ、光源6が発する光線は、第一透光パターン313を突き抜ける。
それから、前記基板1とフォトマスクセット5を重ね合わせる。
図14を参照する。前記手順3は、前記基板1を第一方向DXに沿って徐々に平行に移動させて、前記第一基板ユニット11をフォトマスクセット5の第一フォトマスクパターン3の下方に位置させ、前記光源6が発する光線が、前記第一フォトマスクパターン3内の第一透光パターン313を突き抜けて、第一基板ユニット11全体に露光を行う手順である。
図15及び16を参照する。前記手順4は、第一基板ユニット11の末端が前記第一フォトマスクパターン3の末端を超え、且つ前記第二フォトマスクパターン4の先端が前記第二基板ユニット12の先端を超えるまで、前記基板1が平行に移動した時、引き続き前記基板1と同時に、前記フォトマスクセット5も平行に移動する。
従来の光配向に用いられるフォトマスクは、上記の手順3において、前記第一基板ユニット11の末端が、前記第一連接部32の連接部が重なり合っている箇所の後方の小さな領域に位置し、また前記第二基板ユニット12の先端が、前記第二連接部42の連接部が重なり合っている箇所の前方の小さな領域内に位置することで、露光がされない、または、露光不足の問題が生じることがよくあり、それにより第一基板ユニット11及び第二基板ユニット12内にmuraが形成されてしまう。しかしながら、本発明の光配向に用いられるフォトマスクは、前記第一フォトマスクパターン3を構成するすべての第一透光パターン313の末端を揃えて設け、前記第二フォトマスクパターン4のすべての第二透光パターン413の先端が揃っているため、露光の工程において、前記第一基板ユニット11の末端及び第二基板ユニット12の先端に、露光されない領域、または、露光不足の領域が存在することがなく、それにより、前記第一基板ユニット11及び第二基板ユニット12が均一に露光され、mura等の問題を解決する。
図17を参照する。前記手順5は、フォトマスクセット5内の第二フォトマスクパターン4が光源6の下方に位置するまで、前記フォトマスクセット5が平行に移動する時、フォトマスクセット5は移動を停止する。図18を参照する。引き続き、第一方向DXに沿って前記基板1が平行に移動し、光線が第二透光パターン22によって基板1上のすべての第二基板ユニット12に対して露光を行うことで、基板1上のすべての第一基板ユニット101及び第二基板ユニット102への露光が完了する。
具体的に、上記の光配向の方法の内、光源6の位置は終始固定されて変わらない。
前記光源6は紫外線を光源とするのが最適である。
前述した内容をまとめると、本発明が提供する光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法は、前記フォトマスク内に設けられた第一フォトマスクパターンを構成するすべての第一透光パターンの末端を揃え、第二フォトマスクパターンを構成するすべての第二透光パターンの先端を揃えることによって、光配向の工程において、前記第一基板ユニットの末端及び第二基板ユニットの先端に露光されない或いは露光不足の領域が存在することはなく、従来の光配向の工程において露光されない領域、または、露光不足の領域が存在するために招かれるディスプレイの明るさが不均一である等の問題を解決すると同時に、基板上の第一基板ユニットと第二基板ユニットの間の距離を縮めやすくなり、基板の利用率を高めることができる。
以上前記したことは、本分野の一般的な技術者は、本発明の技術的解決策及び技術構想に基づきその他各種対応する変更及び変形をすることができ、すべてのこうした変更及び変形もすべて本発明の権利請求の保護範囲に含まれるものとする。
1 基板
100 基板
11 第一基板ユニット
12 第二基板ユニット
101 第一基板ユニット
102 第二基板ユニット
D 第一基板ユニット101と第二基板ユニット102の間の距離
150 露光不足の領域
2 フォトマスク
200 フォトマスク
21 フォトマスク本体
210 フォトマスク本体
3 第一フォトマスクパターン
300 第一フォトマスクパターン
31 第一本体
310 第一本体
311 第一透光パターン
313 第一透光パターン
32 第一連接部
320 第一連接部
4 第二フォトマスクパターン
400 第二フォトマスクパターン
41 第二本体
410 第二本体
411 第一透光パターン
413 第二透光パターン
42 第二連接部
420 第二連接部
5 フォトマスクセット
500 フォトマスクセット
600 光源
DX 第一方向
DY 第二方向




Claims (11)

  1. フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられた第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなる光配向に用いられるフォトマスクであって、
    前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体上に第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられ、
    前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなり、
    前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第一方向と垂直な第二方向に沿って配列された複数の第一透光パターンからなり、
    その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じであり、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって徐々に低くなっていき、
    さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
    前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなり、
    前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなり、
    その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じであり、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、
    さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っている
    ことを特徴とする、光配向に用いられるフォトマスク。
  2. 前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、
    前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく
    ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。
  3. 前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じであり、
    前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じである
    ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。
  4. 前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形である
    ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。
  5. 前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される
    ことを特徴とする、請求項1に記載の光配向に用いられるフォトマスク。
  6. 以下の手順1、手順2、手順3、手順4、手順5と、からなる光配向の方法であって、
    前記手順1は、配向膜で覆われた基板と、光配向に用いられる複数のフォトマスクと、光源と、を提供する手順であり、
    前記基板は、第一方向に沿って二行にわたって配列された複数の第一基板ユニット及び複数の第二基板ユニットからなり、
    前記複数の第一基板ユニットは、基板の一行目に第一方向に垂直な第二方向に沿って配列され、
    前記複数の第二基板ユニットは、基板の二行目に第二方向に沿って配列され、
    前記光配向に用いられるフォトマスクは、フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられ前記第一基板ユニット及び第二基板ユニットにそれぞれ露光を行うのに用いられる第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなり、前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体に、第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔をおいて設けられ、
    前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなり、
    前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第一透光パターンからなり、
    その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じであり、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、
    さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
    前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなり、
    前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなり、
    その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じであり、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、
    さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
    前記手順2は、前記複数の光配向に用いられるフォトマスクに対して交差する組合せを行う手順であり、隣り合った二つのフォトマスク内の第一フォトマスクパターンの第一連接部を互いに重ね合わせ、第二フォトマスクパターンの第二連接部を互いに重ね合わせることで、フォトマスクセットが得られ、
    前記フォトマスクセット内の第一フォトマスクパターンを、光源の下方に設け、光源が発する光線は、第一透光パターンを突き抜け、
    それから、前記基板及びフォトマスクセットを重ね合わせ、
    前記手順3は、前記基板を第一方向に沿って前記第一基板ユニットに位置するフォトマスクセットの第一フォトマスクパターンの下方へ徐々に平行に移動させる手順であり、前記光源が発する光線は、前記第一フォトマスクパターン内の第一透光パターンを突き抜けて、第一基板ユニット全体に露光を行い、
    前記手順4は、第一基板ユニットの末端が平行に移動して前記第一フォトマスクパターンの末端を超え、且つ前記第二フォトマスクパターンの先端が前記第二基板ユニットの先端を超えるまで前記基板が平行に移動した時、引き続き前記基板を平行に移動させると同時に、前記フォトマスクセットも平行に移動させる手順であり、
    前記手順5は、フォトマスクセット内の第二フォトマスクパターンが光源の下方に位置するまで、前記フォトマスクセットが平行に移動する時、フォトマスクセットの移動を停止させる手順であり、引き続き第一方向に沿って前記基板は平行に移動し、光線は第二透光パターンによって基板上のすべての第二基板ユニットに露光を行うことで、基板上のすべての第一基板ユニット及び第二基板ユニットへの露光が完了する
    ことを特徴とする、光配向の方法。
  7. 前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、
    前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていく
    ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。
  8. 前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じであり、
    前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じである
    ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。
  9. 前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形であり、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される
    ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。
  10. 前記光配向の工程において、前記光源の位置は終始固定して動くことはない
    ことを特徴とする、請求項6に記載の光配向の方法。
  11. フォトマスク本体と、前記フォトマスク本体に設けられた第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンと、からなる光配向に用いられるフォトマスクであって、
    前記第一フォトマスクパターン及び第二フォトマスクパターンは、前記フォトマスク本体上で第一方向に沿って配列されるとともに、一定の間隔で設けられ、
    前記第一フォトマスクパターンは、中間に位置する第一本体と、前記第一本体の両側に位置する第一連接部と、からなり、
    前記第一本体及び第一連接部は、いずれも、第一方向と垂直な第二方向に沿って配列された、複数の第一透光パターンからなり、その内、前記第一本体を構成する複数の第一透光パターンの高さは同じであり、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、さらに、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンにおいて、第二フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
    前記第二フォトマスクパターンは、中間に位置する第二本体と、前記第二本体の両側に位置する第二連接部と、からなり、
    前記第二本体及び第二連接部は、いずれも、第二方向に沿って配列された複数の第二透光パターンからなり、その内、前記第二本体を構成する複数の第二透光パターンの高さは同じであり、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、徐々に低くなっていき、さらに、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンにおいて、第一フォトマスクパターンに近い方の側は揃っていて、
    その内、前記第一連接部を構成する複数の第一透光パターンの高さは、第一本体に近い方の側から、第一本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、前記第二連接部を構成する複数の第二透光パターンの高さは、第二本体に近い方の側から、第二本体から遠い方の側に向かって、直線的に低くなっていき、
    その内、前記第一本体及び第一連接部を構成するすべての第一透光パターンの幅は同じであり、前記第二本体及び第二連接部を構成するすべての第二透光パターンの幅は同じであり、
    その内、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、長方形であり、
    その内、前記第一透光パターン及び第二透光パターンは、いずれも、フォトリソグラフィで石英ガラス上の金属層に沈積することによって形成される
    ことを特徴とする、光配向に用いられるフォトマスク。
JP2018510120A 2015-09-01 2015-10-12 光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法 Active JP6586225B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510553278.6A CN105068375B (zh) 2015-09-01 2015-09-01 用于光配向的光罩及光配向方法
CN201510553278.6 2015-09-01
PCT/CN2015/091721 WO2017035909A1 (zh) 2015-09-01 2015-10-12 用于光配向的光罩及光配向方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018526678A true JP2018526678A (ja) 2018-09-13
JP6586225B2 JP6586225B2 (ja) 2019-10-02

Family

ID=54497775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018510120A Active JP6586225B2 (ja) 2015-09-01 2015-10-12 光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10345696B2 (ja)
JP (1) JP6586225B2 (ja)
KR (1) KR102179033B1 (ja)
CN (1) CN105068375B (ja)
GB (1) GB2556285B (ja)
WO (1) WO2017035909A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108845699A (zh) * 2018-06-27 2018-11-20 广州视源电子科技股份有限公司 感应膜的制作工艺和触摸屏的制作方法
CN111617906A (zh) * 2020-02-21 2020-09-04 天津大学 一种用于网格喷涂划线的网格尺
CN111552125B (zh) * 2020-05-27 2022-11-22 成都中电熊猫显示科技有限公司 掩膜版及掩膜组
CN117253873A (zh) * 2021-08-11 2023-12-19 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007086474A1 (ja) * 2006-01-26 2007-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
WO2011090057A1 (ja) * 2010-01-21 2011-07-28 シャープ株式会社 基板、基板に対する露光方法、光配向処理方法
WO2011089772A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 シャープ株式会社 露光装置、液晶表示装置及びその製造方法
CN104777674A (zh) * 2015-04-27 2015-07-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于光配向的光罩装置及应用设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5435017A (en) * 1977-08-15 1979-03-14 Yasunori Nara Rice transplanter
KR100646160B1 (ko) * 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US7102155B2 (en) * 2003-09-04 2006-09-05 Hitachi, Ltd. Electrode substrate, thin film transistor, display device and their production
US7588869B2 (en) * 2003-12-30 2009-09-15 Lg Display Co., Ltd. Divided exposure method for making a liquid crystal display
KR101010400B1 (ko) * 2003-12-30 2011-01-21 엘지디스플레이 주식회사 노광 마스크 및 그를 이용한 노광 방법
CN1896874A (zh) * 2005-07-14 2007-01-17 中华映管股份有限公司 曝光工艺
JP5079796B2 (ja) * 2007-04-20 2012-11-21 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
JP5515163B2 (ja) * 2008-04-11 2014-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー 露光用マスク及び露光装置
KR20120068998A (ko) * 2010-10-20 2012-06-28 삼성전자주식회사 포토마스크 및 그 제조 방법
JP2012212125A (ja) * 2011-03-24 2012-11-01 Hoya Corp フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法
TWI459098B (zh) * 2011-09-07 2014-11-01 Innolux Corp 光配向膜及其製作方法
TWI555862B (zh) * 2011-09-16 2016-11-01 V科技股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007086474A1 (ja) * 2006-01-26 2007-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
WO2011090057A1 (ja) * 2010-01-21 2011-07-28 シャープ株式会社 基板、基板に対する露光方法、光配向処理方法
WO2011089772A1 (ja) * 2010-01-25 2011-07-28 シャープ株式会社 露光装置、液晶表示装置及びその製造方法
CN104777674A (zh) * 2015-04-27 2015-07-15 深圳市华星光电技术有限公司 一种用于光配向的光罩装置及应用设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN105068375B (zh) 2017-05-31
WO2017035909A1 (zh) 2017-03-09
GB201802288D0 (en) 2018-03-28
GB2556285B (en) 2020-11-11
KR20180035864A (ko) 2018-04-06
CN105068375A (zh) 2015-11-18
GB2556285A (en) 2018-05-23
JP6586225B2 (ja) 2019-10-02
US20180239239A1 (en) 2018-08-23
KR102179033B1 (ko) 2020-11-16
US10345696B2 (en) 2019-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6586225B2 (ja) 光配向に用いられるフォトマスク及び光配向の方法
US20210271160A1 (en) Photomask, method for producing photomask, and method for producing color filter using photomask
JP5360620B2 (ja) カラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法
TW201131216A (en) Color filter substrate, display device and exposure method
US9341950B2 (en) Method of forming patterned layer, method of forming patterned photoresist layer, and active device array substrate
JP5622052B2 (ja) カラーフィルタ、液晶表示装置、カラーフィルタの製造方法
TW201037467A (en) Exposition method, fabrication method of color filter and exposition device
CN103913892B (zh) 一种液晶显示面板
CN108594512B (zh) 彩膜基板的制作方法
JP2009151071A (ja) フォトマスク、カラーフィルタの製造方法、及びカラーフィルタ
CN109270743B (zh) 用于光配向的掩膜板及用于光配向的掩膜组
CN110045548B (zh) 掩膜设备
JP2007213059A (ja) 液晶ディスプレイのパネル組合せ方法
JP5029192B2 (ja) 液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法、及び液晶表示装置用カラーフィルタ
CN112904622B (zh) 一种液晶显示三畴配向层的光配向方法
TW201245775A (en) Photomask substrate, photomask, photomask manufacturing method, and pattern transfer method
JP2011081204A (ja) 液晶表示パネルの製造方法および液晶表示装置
TW201250377A (en) Photomask substrate, photomask, and pattern transfer method
JP5217154B2 (ja) カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ
CN112904621A (zh) 一种液晶显示三畴配向层的光配向光路系统
JP2007240932A (ja) 表示パネル用の基板および表示パネル
KR20120131338A (ko) 레이저 패터닝 장치
JP2011123271A (ja) 表示装置の製造方法および表示装置
JP2005099232A (ja) 液晶表示装置用基板
JP2005077986A (ja) カラーフィルタ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180309

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190115

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190419

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190906

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6586225

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250