CN1896874A - 曝光工艺 - Google Patents

Abstract

一种曝光工艺，其先提供多个光学模块，而光学模块是相邻排列，且每相邻两光学模块的交界处是形成部分重叠区域。接着，提供光刻掩膜，其设置于光学模块的下方，光刻掩膜具有多个第一元件图案与多个第二元件图案，且光刻掩膜上的第一元件图案对应设置在部分重叠区域，而第二元件图案设置在光刻掩膜的其它区域，其中对应设置在部分重叠区域的部分第一元件图案的尺寸不同于与第二元件图案的尺寸。然后，提供光刻胶层，其设置于光刻掩膜的下方。此光刻胶层可以是正型光刻胶层或负型光刻胶层。之后，利用光学模块与光刻掩膜对光刻胶层进行曝光步骤，以将第一元件图案以及第二元件图案转移到光刻胶层上。本发明之曝光工艺可以得到均匀的整体曝光图案。

Description

曝光工艺

技术领域

本发明涉及一种曝光工艺，且特别是涉及一种适于提高整体曝光图案的均匀度(uniformity)的曝光工艺。

背景技术

随着视频技术的迅速发展，平面显示器(Flat Display Panel，FDP)已成为人们获得图像信息的重要介面。其中，由于液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)具备优异的显示性能与成熟的制造技术，故大部分的移动电话、数码相机以及笔记本计算机等的显示屏幕皆使用液晶显示面板(LCDPanel)。此外，由于近年来液晶电视的需求增加，使得液晶显示器亦逐渐朝着大尺寸面板的方向发展。

一般而言，液晶显示器中所具有的薄膜晶体管阵列基板，其制造过程通常包括多次的光刻及蚀刻步骤，意即通过曝光的操作，将光刻掩膜上的图案转移至已形成于基板上的光刻胶层，并通过显影的步骤以图案化光刻胶层。接着，再利用图案化光刻胶层作为蚀刻掩膜，对光刻胶层下方的膜层进行蚀刻，进而形成薄膜晶体管的栅极、通道层、源极、漏极、像素电极以及保护层等构件。

承上述，在大尺寸液晶显示器的曝光工艺中，往往需要大型光刻装置以进行大面积扫描式(scan)的曝光步骤。所以，大型光刻装置中所具有的光学模块，必需能够符合大尺寸液晶显示器的曝光工艺中的曝光精度，否则，所制造出的薄膜晶体管的特性(如栅极与漏极之间的电容Cgd)将受到影响。

公知曝光装置中的光学模块可由一体成型的大尺寸光学模块或是由多个小尺寸光学模块所构成。在利用一体成型的大尺寸光学模块进行曝光步骤时，对应大尺寸光学模块的边缘的曝光效果，常会因为光线在图案边缘发生衍射(diffraction)，而产生图案扭曲(distortion)的现象。因此，目前所利用的曝光装置中，一般是采用多个小尺寸的光学模块。然而，此类型的曝光装置仍存在其问题。

图1为曝光工艺的示意图。请参照图1，此曝光工艺利用的曝光装置100，其是为多个小尺寸的光学模块构成的类型，且曝光装置100包括多个光学模块110与光刻掩膜120，而多个光学模块110是相邻且交错排列，且光刻掩膜120是设置在光学模块110的下方。通过光学模块110与光刻掩膜120在XY平面上的扫描与曝光，而将光刻掩膜120上的图案转移到位于光刻掩膜120下方的基板140上的正型光刻胶层130。然而，利用多个小尺寸光学模块110与光刻掩膜120进行曝光的工艺，会产生如图2A与图2B所示的曝光不均(lens mura)的现象。

图2A与图2B为利用图1中所示的曝光装置进行曝光工艺时所产生的两种曝光不均情形的示意图。

请先参照图2A，相邻两个光学模块110的交界处是部分重叠区域112，因为在光学模块110重叠的部分，光线的穿透率会与其它非重叠区域有些许的差异，所以部分重叠区域112的曝光强度可能相对较低或较高。如此一来，在各个部分重叠区域112，即可能发生曝光不足或曝光过度的区域132。

特别是，因为光学模块110是以支承机构悬吊在光刻掩膜120上方，因此位于支承机构的中间位置的光学模块110a可能会些微的沿Z方向下沉，因而光学模块110a两侧的部分重叠区域112对应正型光刻胶层130曝光后，将特别容易产生曝光不足或曝光过度的区域132。此区域132明显与其它区域的正型光刻胶层130的曝光效果不同，如此将造成区域132中所形成的元件图案(例如薄膜晶体管的图案)的尺寸会与其它曝光区域不同，因此会使得所形成的各元件的操作特性有所差异。

请共同参照图1与图2B，另一种曝光不均匀的情形则是单纯因为支承机构的中间位置的光学模块110a些微的往沿Z方向下沉。因而使得对应光学模块110a的位置的曝光强度可能相对较低或较高，也就是在光学模块110a的中心区域114的曝光强度，会与其它区域不同。因此，在对于正型光刻胶层130进行曝光时，正型光刻胶层130上对应中心区域114的曝光位置，将形成曝光不足或曝光过度的区域134。此区域134明显地与其它区域的曝光效果不同，因此会使得所形成的各元件的操作特性有所差异。

当然，图2A与图2B所示的曝光不均的问题有可能会同时发生。而且，此种扫描式曝光所存在的曝光不均问题将会随显示面板尺寸的增大而更加的严重。

发明内容

本发明的目的就是提供一种曝光工艺，适于得到均匀的整体曝光图案，进而提高液晶显示器的显示质量。

本发明提出一种曝光工艺，其例如先提供多个光学模块，而光学模块是相邻排列，而每相邻两光学模块的交界处是形成部分重叠区域(partiallyoverlap area)。接着，提供光刻掩膜，其设置于光学模块的下方，光刻掩膜具有多个第一元件图案与多个第二元件图案，且光刻掩膜上的第一元件图案是对应设置在部分重叠区域，而第二元件图案是设置在光刻掩膜的其它区域，其中对应设置在部分重叠区域的部分第一元件图案的尺寸不同于与第二元件图案的尺寸。然后，提供光刻胶层，其设置于光刻掩膜的下方。之后，利用光学模块与光刻掩膜对光刻胶层进行曝光步骤，以将第一元件图案以及第二元件图案转移到光刻胶层上。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，其中的光刻胶层例如为正型光刻胶时，若在进行上述曝光步骤时对应部分重叠区域处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在部分重叠区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸大。而其中对应设置在部分重叠区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸是与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸大。

依照本发明的较佳实施例所述曝光工艺，其中的光刻胶层为正型光刻胶时，若在进行上述曝光步骤时对应部分重叠区域处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在部分重叠区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸小。而其中对应设置在部分重叠区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸是与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸小。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，其中的光刻胶层为负型光刻胶时，若在进行曝光步骤时对应部分重叠区域处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在部分重叠区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸小。而其中对应设置在部分重叠区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸小。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，其中的光刻胶层为负型光刻胶时，若在进行曝光步骤时对应部分重叠区域处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在部分重叠区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸大。而其中对应设置在部分重叠区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸大。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，上述第一元件图案与第二元件图案为液晶显示器的像素图案。

本发明再提出一种曝光工艺，其例如先提供多个光学模块。接着，提供光刻掩膜，设置在光学模块的下方，其中光学模块中有至少一个光学模块是对应设置在光刻掩膜的中心区域，且光刻掩膜具有多个第一元件图案与多个第二元件图案，第一元件图案是设置在光刻掩膜的中心区域，第二元件图案是设置在光刻掩膜的其它区域，且部分第一元件图案与第二元件图案的尺寸不相同。然后，提供光刻胶层，其设置于光刻掩膜的下方。之后，利用光学模块与光刻掩膜对光刻胶层进行曝光步骤，以将第一元件图案以及第二元件图案转移到光刻胶层上。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，其中的光刻胶层为正型光刻胶时，若在进行上述曝光步骤时对应光刻掩膜的中心区域处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在光刻掩膜的中心区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸大。而其中对应设置在光刻掩膜的中心区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸是与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸大。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，其中的光刻胶层为正型光刻胶时，若在进行上述曝光步骤时对应光刻掩膜的中心区域处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在光刻掩膜的中心区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸小。而其中对应设置在光刻掩膜的中心区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸是与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸小。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，其中的光刻胶层为负型光刻胶时，若在进行上述曝光步骤时对应光刻掩膜的中心区域处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在光刻掩膜的中心区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸小。而其中对应设置在光刻掩膜的中心区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸是与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸小。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，其中的光刻胶层为负型光刻胶时，若在进行上述曝光步骤时对应光刻掩膜的中心区域处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在光刻掩膜的中心区域的部分第一元件图案的尺寸比第二元件图案的尺寸大。而其中对应设置在光刻掩膜的中心区域的第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且第二图案的尺寸是与第二元件图案的尺寸相同，第一图案的尺寸比第二图案的尺寸大。

依照本发明的较佳实施例所述的曝光工艺，上述第一元件图案与第二元件图案为液晶显示器的像素图案。

本发明因采用随机分布的像素布局光刻掩膜，在光刻掩膜上对应光学模块中曝光强度不同的部分重叠区域或是中心区域，对应制造尺寸不同的元件图案。此外，并采用随机设置的方式，将尺寸不同的元件图案随机地曝光到对应部分重叠区域或是中心区域的光刻胶层上，如此一来，不但能提高整体曝光工艺形成的元件图案的均匀度，并能提高液晶显示器的显示质量，且不需增加任何成本。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为曝光装置的示意图。

图2A与图2B为利用图1中的曝光装置进行曝光工艺时所产生的两种曝光不均情形的示意图。

图3A为本发明较佳实施例中一种曝光工艺的示意图。

图3B为本发明较佳实施例中一种光刻掩膜的俯视示意图。

图4A与图4B为利用线性随机方式设置第一图案与第二图案的方法的示意图。

图5为利用马赛克方式设置第一图案与第二图案的方法的示意图。

图6A为本发明的较佳实施例中另一种曝光工艺的示意图。

图6B为本发明较佳实施例中另一种光刻掩膜的俯视示意图。

主要元件标记说明

100：曝光装置

110、110a：光学模块

112：部分重叠区域

114：中心区域

120：光刻掩膜

130：正型光刻胶层

132、134：区域

140：基板

210、410：光学模块

212：部分重叠区域

220、420：光刻掩膜

222、422：第一元件图案

222a、422a：第一图案

222b、422b：第二图案

224、424：第二元件图案

230、430：光刻胶层

240、440：基板

250、450：曝光步骤

300：分布空间

310、330：分布密度函数

320：像素空位

420a：中心区域

具体实施方式

针对上述两种曝光不均的情形，本发明利用光刻掩膜上所设计的不同的图案(例如尺寸不同)，对曝光不均的区域进行补偿(compensation)，进而形成整体曝光均匀的图案。以下说明为本发明的较佳实施例，但并非用以限定本发明。

第一实施例

针对于图2A中所示的曝光不足或曝光过度的区域132，本发明提出一种曝光工艺加以解决。

图3A为本发明较佳实施例中一种曝光工艺的示意图，图3B为本发明较佳实施例中一种光刻掩膜的俯视示意图。请共同参照图3A与图3B，此曝光工艺例如先提供多个光学模块210，而光学模块210是相邻排列，而每相邻两光学模块210的交界处是形成部分重叠区域(partially overlaparea)212。

接着，提供光刻掩膜220，其设置于光学模块210的下方，其中光刻掩膜220如图3B所示，光刻掩膜220具有多个第一元件图案222与多个第二元件图案224，且光刻掩膜220上的第一元件图案222是对应设置在部分重叠区域212，而第二元件图案224是设置在光刻掩膜220的其它区域，其中对应设置在部分重叠区域212的部分第一元件图案222的尺寸不同于与第二元件图案224的尺寸。

然后，提供光刻胶层230，其设置于光刻掩膜220的下方。此光刻胶层230可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。之后，利用光学模块210与光刻掩膜220对光刻胶层230进行曝光步骤250，以将第一元件图案222以及第二元件图案224转移到光刻胶层230上。在本发明的一较佳实施例中，第一元件图案222与第二元件图案224为液晶显示器的像素图案，其例如是薄膜晶体管的栅极图案、源极/漏极图案，或是像素电极图案等等。

在本发明的一实施例中，在进行上述曝光步骤250时，若光刻胶层230是正型光刻胶，且对应部分重叠区域212处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在部分重叠区域212部分的第一元件图案222的尺寸会比第二元件图案224的尺寸大。这是因为较高的曝光强度会使得原先在部分重叠区域212所曝光形成的图案较小，所以将对应此部分重叠区域212的元件图案设计得较大，如此一来，可以补偿因曝光强度过高所造成的元件图案缩小的效应。

请继续参照图3A与图3B，对应设置在部分重叠区域212的第一元件图案222例如又包括呈随机设置的多个第一图案222a与多个第二图案222b，且第二图案222b的尺寸与第二元件图案224的尺寸相同，而第一图案222a的尺寸比第二图案222b的尺寸大。其中，呈随机设置且尺寸较大的第一图案222a，可补偿因曝光强度过高而使曝光后图案的尺寸变小的问题。且随机设置的目的在于使图案设置均匀，而不会使得尺寸较大的第一图案222a排列过于集中，反而让最后于此处所形成的元件图案尺寸过大。

在另一实施例中，在进行上述曝光步骤250时，且其中的光刻胶层230为正型光刻胶时，若对应部分重叠区域212处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在部分重叠区域212部分的第一元件图案222的尺寸比第二元件图案224的尺寸小。

也就是说，请共同参照图3A与图3B，对应设置在部分重叠区域212的第一元件图案222例如包括呈随机设置的多个第一图案222a与多个第二图案222b，且第二图案222b的尺寸与第二元件图案224的尺寸相同，第一图案222a的尺寸比第二图案222b的尺寸小。其中，呈随机设置且尺寸较小的第一图案222a，可补偿因曝光强度较低而使曝光后图案的尺寸变大的问题。且随机设置的目的在于使图案设置均匀，而不会使得尺寸较小的第一图案222a排列过于集中，反而让最后于此处所形成的元件图案尺寸过小。

此外，光刻胶层230若是负型光刻胶时，则元件图案尺寸的设计会与上述光刻胶层230为正型光刻胶时的情况相反。也就是说，光刻胶层230为负型光刻胶时，若在进行曝光步骤时对应部分重叠区域212处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在部分重叠区域212部分第一元件图案222的尺寸比第二元件图案224的尺寸小。而其中对应设置在部分重叠区域212的第一元件图案222包括呈随机设置的多个第一图案222a与多个第二图案222b，且第二图案222b的尺寸与第二元件图案224的尺寸相同，第一图案222a的尺寸比第二图案222b的尺寸小。因此，可补偿因曝光强度过高而使曝光后图案的尺寸变小的问题。

另外，若在进行曝光步骤时对应部分重叠区域212处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在部分重叠区域212的部分第一元件图案222的尺寸比第二元件图案224的尺寸大。而其中对应设置在部分重叠区域212的第一元件图案222包括呈随机设置的多个第一图案222a与多个第二图案222b，且第二图案222b的尺寸与第二元件图案224的尺寸相同，第一图案222a的尺寸比第二图案222b的尺寸大。因此，可补偿因曝光强度较低而使曝光后图案的尺寸变大的问题。

在一实施例中，上述呈随机设置的第一图案222a与第二图案222b例如是以线性随机方式设置或马赛克方式设置。图4A与图4B为利用线性随机方式设置第一图案与第二图案的方法的示意图，请共同参照图4A与图4B。

第一图案222a与第二图案222b在分布空间300的分布，请先参照图4A，首先，先对于第一图案222a进行布局。也就是在分布空间300中，先针对第一图案222a利用分布函数310对第一图案222a的分布密度进行设定，并在如图4A中所示的第0行到第9行以及第A列至第E列中，进行第一图案222a的随机数排列。

在一实施例中，是利用软件程序，将第一图案222a在分布空间300中布局成左边比右边的分布密度较密的方式。软件程序是设定分布函数310的分布的疏密程度，并针对每一行(第0行到第9行)利用设定的机率参数，将第一图案222a随机数排列到各行中。例如最左边的第0行的第一图案222a分布最密，所以将第0行全部填满第一图案222a；而第1行的分布密度稍低，所以随机地在第1行中空出一个空位320。而第2行到第9行则逐渐增加空位320的数目。

更详细地说，软件程序是以随机数决定空位320的位置，其例如是在第n行(如图4A所示n为1～9)中的第m列(如图4A所示m为A～E)。因此，根据分布函数310即可完成整个分布空间300的布局。

接着，如图4B所示，将上述空位320的位置定义为第二图案222b的分布位置。同样地，利用分布函数330，将第二图案222b布局成分布密度由左向右逐渐增加。故此，即完成第一图案222a与第二图案222b在分布空间300中的布局。

图5为利用马赛克方式设置第一图案与第二图案的方法的示意图。请参照图5，除了上述线性随机分布的方法外，也可在整个分布空间300中，将第一图案222a与第二图案222b以马赛克方式平均分布。

第二实施例

针对于图2B中所示的曝光不足或曝光过度的区域134，本发明再提出一种曝光工艺加以解决。

图6A为本发明的较佳实施例中另一种曝光工艺的示意图，图6B为本发明较佳实施例中另一种光刻掩膜的俯视示意图，请共同参照图6A与图6B。

此曝光工艺例如先提供多个光学模块410。接着，提供光刻掩膜420，设置在光学模块410的下方，其中光学模块410中有至少一个光学模块410是对应设置在光刻掩膜420的中心区域420a。

如图6B所示，光刻掩膜420具有多个第一元件图案422与多个第二元件图案424，而第一元件图案422是设置在光刻掩膜420的中心区域420a，且第二元件图案424是设置在光刻掩膜420的其它区域，而且部分的第一元件图案422的尺寸会与第二元件图案424的尺寸不相同。在一实施例中，第一元件图案422与第二元件图案424例如为液晶显示器的像素图案，其例如是薄膜晶体管的栅极图案、源极/漏极图案，或是像素电极图案等等。

请继续共同参照图6A与图6B，接着，提供光刻胶层430，其设置于光刻掩膜420的下方。此光刻胶层430可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。之后，利用光学模块410与光刻掩膜420对光刻胶层430进行曝光步骤450，以将第一元件图案422以及第二元件图案424转移到基板440上方的光刻胶层430上。

在本发明的一较佳实施例中，在进行上述曝光步骤450时，若其中的光刻胶层430为正型光刻胶，且对应光刻掩膜420的中心区域420a处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在光刻掩膜420的中心区域420a的部分第一元件图案422的尺寸比第二元件图案424的尺寸大。而其中对应设置在光刻掩膜420的中心区域420a的第一元件图案422例如包括呈随机设置的多个第一图案422a与多个第二图案422b，而第二图案422b的尺寸与第二元件图案424的尺寸相同，且第一图案422a的尺寸比第二图案422b的尺寸大。其中，呈随机设置的尺寸较大的第一图案422a，可补偿因曝光强度过高而使曝光后图案的尺寸变小的问题。

另外，若光刻胶层430为正型光刻胶，且在进行上述曝光步骤时对应光刻掩膜420的中心区域420a的曝光强度相对较低，则设计对应设置在光刻掩膜420的中心区域420a的部分第一元件图案422的尺寸比第二元件图案424的尺寸小。而其中对应设置在光刻掩膜420的中心区域420a的第一元件图案422包括呈随机设置的多个第一图案422a与多个第二图案422b，而第二图案422b的尺寸与第二元件图案424的尺寸相同，且第一图案422a的尺寸比第二图案422b的尺寸小。其中，呈随机设置的尺寸较小的第一图案422a，可补偿因曝光强度较低而使曝光后图案的尺寸变大的问题。

此外，当光刻胶层430为负型光刻胶时，元件图案尺寸的设计考虑会与光刻胶层430为正型光刻胶的情形时相反，此部分与第一实施例中所述的光刻胶层230为负型光刻胶时的情形相同，在此不予以重述。

同样的，上述光刻掩膜420上的第一图案422a与第二图案422b可以用线性随机方式设置或马赛克方式设置。此部分与图4A、图4B与图5中所述的相同，所以在此亦不再予以重述。

综上所述，本发明具有下列优点：

(1)本发明仅需改变光刻掩膜的设计，并采用尺寸不同的元件图案并配合随机曝光设置的方法，即可解决因多个小尺寸光学模块所衍生的曝光不均的情形。

(2)本发明可补偿曝光强度不同所引起的曝光不均现象，以提高曝光工艺形成的元件图案的均匀度。

(3)本发明仅需重新设计光刻掩膜的图案，并可以利用软件程序决定像素的随机设置，因此本发明的方法提供了一种简单的方法以解决扫描式曝光所存在的问题。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与改进，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种曝光工艺，其特征是包括：

提供多个光学模块，上述光学模块是相邻排列，而每相邻两上述光学模块的交界处是形成部分重叠区域(partially overlap area)；

提供光刻掩膜，设置于上述光学模块的下方，该光刻掩膜具有多个第一元件图案与多个第二元件图案，且该光刻掩膜上的上述第一元件图案是对应设置在该部分重叠区域，而上述第二元件图案是设置在该光刻掩膜的其它区域，其中对应设置在该部分重叠区域的部分上述第一元件图案的尺寸不同于与上述第二元件图案的尺寸；

提供光刻胶层，设置于该光刻掩膜的下方；以及

利用上述光学模块与该光刻掩膜对该光刻胶层进行曝光步骤，以将上述第一元件图案以及上述第二元件图案转移到该光刻胶层上。

2.根据权利要求1所述的曝光工艺，其特征是该光刻胶层为正型光刻胶时，若在进行该曝光步骤时对应该部分重叠区域处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在该部分重叠区域的部分上述第一元件图案的尺寸比上述第二元件图案的尺寸大。

3.根据权利要求2所述曝光工艺，其特征是对应设置在该部分重叠区域的上述第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且上述第二图案的尺寸与上述第二元件图案的尺寸相同，上述第一图案的尺寸比上述第二图案的尺寸大。

4.根据权利要求1所述的曝光工艺，其特征是该光刻胶层为正型光刻胶时，若在进行该曝光步骤时对应该部分重叠区域处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在该部分重叠区域的部分上述第一元件图案的尺寸比上述第二元件图案的尺寸小。

5.根据权利要求4所述的曝光工艺，其特征是对应设置在该部分重叠区域的上述第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且上述第二图案的尺寸与上述第二元件图案的尺寸相同，上述第一图案的尺寸比上述第二图案的尺寸小。

6.根据权利要求1所述的曝光工艺，其特征是该光刻胶层为负型光刻胶时，若在进行该曝光步骤时对应该部分重叠区域处的曝光强度相对较高，则设计对应设置在该部分重叠区域的部分上述第一元件图案的尺寸比上述第二元件图案的尺寸小。

7.根据权利要求6所述的曝光工艺，其特征是对应设置在该部分重叠区域的上述第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且上述第二图案的尺寸与上述第二元件图案的尺寸相同，上述第一图案的尺寸比上述第二图案的尺寸小。

8.根据权利要求1所述的曝光工艺，其特征是该光刻胶层为负型光刻胶时，若在进行该曝光步骤时对应该部分重叠区域处的曝光强度相对较低，则设计对应设置在该部分重叠区域的部分上述第一元件图案的尺寸比上述第二元件图案的尺寸大。

9.根据权利要求8所述的曝光工艺，其特征是对应设置在该部分重叠区域的上述第一元件图案包括呈随机设置的多个第一图案与多个第二图案，且上述第二图案的尺寸与上述第二元件图案的尺寸相同，上述第一图案的尺寸比上述第二图案的尺寸大。

10.根据权利要求1所述的曝光工艺，其特征是上述第一元件图案与上述第二元件图案为液晶显示器的像素图案。

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