CN102854756A

CN102854756A - 曝光方法及曝光装置

Info

Publication number: CN102854756A
Application number: CN2012102844034A
Authority: CN
Inventors: 王耸; 万冀豫; 吴洪江
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date: 2012-08-06
Filing date: 2012-08-06
Publication date: 2013-01-02
Anticipated expiration: 2032-08-06
Also published as: CN102854756B

Abstract

本发明公开了一种曝光方法和曝光装置，所述曝光方法包括将基板置于掩膜版下方，且所述基板与所述掩膜版平行，其中，所述基板包括透明基底和涂覆于透明基底上的光刻胶；采用至少两条曝光光线通过掩膜版对光刻胶进行曝光；其中，至少两条曝光光线通过掩膜版的同一个曝光区对光刻胶进行曝光，每条曝光光线通过同一个曝光区在光刻胶形成一个照射区域，至少有两个照射区域有部分重叠。所述曝光装置包括掩膜版承载单元，基板承载单元和曝光光线形成单元。本发明的曝光方法和曝光装置形成图形的同一个图形单元的厚度不同，同时为减小角段差提供了前提。

Description

曝光方法及曝光装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置制造领域，特别涉及一种曝光方法和曝光装置。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示装置已经逐渐成为市场的主流。液晶显示装置朝着全彩化，大尺寸，高解析度以及低成本的方向发展，因此，液晶显示装置需要借助彩色滤光片获得彩色显示的效果，并且对彩色滤光片的要求越来越高。

彩色滤光片主要由透明基底，黑矩阵图形和滤光层图形组成，为了避免滤光层边缘漏光，滤光层与黑矩阵有一段重合。在彩色滤光片的制造过程中，首先在透明基底上形成黑矩阵图形；然后在透明基底和黑矩阵图形上涂覆滤光层光刻胶，滤光层光刻胶经过曝光显影等工艺形成滤光层图形。传统的对滤光层光刻胶曝光的过程如图1所示，水银灯100发出竖直向上的光线，以入射角为45度入射到第一平面镜200，经第一平面镜200反射的水平光线入射到复眼透镜300，经复眼透镜300透射的光线入射到凹面镜400，经凹面镜400反射和聚光形成的平行的曝光前光线以入射角为α入射到第二平面镜500′，其中，第二平面镜500′与水平面的夹角是α；这样经第二平面镜500′反射的光线能垂直入射到水平的掩模版600，且穿过所述掩膜版的曝光区射到所述滤光层光刻胶上，通过掩模板的同一个曝光区对光刻胶进行曝光量相同的曝光，曝光和显影后形成的滤光层的厚度相同。这样，在滤光层与黑矩阵重合之处就会有突起730′，造成滤光层的角段差。角段差对液晶显示装置的取向层的涂覆，液晶取向等都会产生影响，从而影响液晶显示装置的显示效果。传统的减小角段差方法，是在滤光层图形形成后，追加平坦层，用以平坦角段差，这样导致彩色滤光片的制造工艺复杂，制造周期长且材料费用高。

发明内容

本发明提供了一种曝光方法和曝光装置，所述曝光方法和曝光装置，形成图形的同一个图形单元的厚度不同，同时为减小角段差提供了前提。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种曝光方法，包括：将基板置于掩膜版下方，且所述基板与所述掩膜版平行，其中，所述基板包括透明基底和涂覆于透明基底上的光刻胶；

采用至少两条曝光光线通过掩膜版对光刻胶进行曝光；其中，至少两条曝光光线通过掩膜版的同一个曝光区对光刻胶进行曝光，每条曝光光线通过同一个曝光区在光刻胶形成一个照射区域，至少有两个照射区域有部分重叠。

优选地，所述至少两条曝光光线包括第一曝光光线和第二曝光光线，其中：

所述第一曝光光线从所述掩膜版的上方以入射角为θ1入射到所述掩膜版的上表面，且穿过所述掩膜版的曝光区射到所述基板的光刻胶上；

所述第二曝光光线从所述掩膜版的上方以入射角为θ2入射到所述掩膜版的上表面，且穿过所述掩膜版的曝光区射到所述基板的光刻胶上，其中，所述第二曝光光线在第一曝光光线与其法线确定的平面，第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域有部分重叠。

优选地，θ1＝θ2=θ。

优选地，所述第一曝光光线是平行的曝光前光线经半透半反平面镜反射形成，所述半透半反平面镜与掩膜版所在平面的夹角是β，所述曝光前光线在半透半反平面镜的入射角是β+θ；

所述第二曝光光线是平行的曝光前光线经半透半反平面镜透射和最终平面镜反射形成，所述最终平面镜与掩膜版所在平面的夹角是β+θ；其中，所述最终平面镜设置在能接收到半透半反平面镜透射的光线位置。

优选地，平行的曝光前光线与掩膜版所在平面的夹角是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

优选地，所述第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域重叠的部分是曝光一区，所述第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域不重叠的部分是曝光二区；

所述光刻胶经曝光后形成图形，其中，通过掩膜版的同一个曝光区对光刻胶曝光后形成图形的一个图形单元，图形的同一个图形单元包括曝光一区形成部分和曝光二区形成部分，曝光一区形成部分是由曝光一区光刻胶经曝光形成的，曝光二区形成部分是由曝光二区光刻胶经曝光形成的；

θ=arctg（d′/H）,其中，d′表示曝光二区形成部分的宽度，H表示曝光一区形成部分的上表面到掩膜版上表面的高度。

优选地，基板还包括形成于透明基底上的第一层图形，所述光刻胶是涂覆在透明基底和第一层图形上的第二层图形光刻胶，所述第一图形是第一图形的图形单元和透光区交替分布的图形。

优选地，所述第二层图形光刻胶的厚度是第一层图形厚度的两倍。

优选地，所述第一曝光光线和第二曝光光线在第二层图形光刻胶上的照射区域重叠的部分是曝光一区，所述第一曝光光线和第二曝光光线在第二层图形光刻胶上的照射区域不重叠的部分是曝光二区；

所述第二层图形光刻胶经曝光后形成第二图形，其中，通过掩膜版的同一个曝光区对第二层图形光刻胶曝光后形成第二图形的一个图形单元，第二图形的同一个图形单元包括曝光一区形成部分和曝光二区形成部分，曝光一区形成部分是由曝光一区第二层图形光刻胶经曝光形成的，曝光二区形成部分是由曝光二区第二层图形光刻胶经曝光形成的；

所述第二图形的图形单元和所述第一图形的图形单元交替分布且有部分重合；

θ=arctg（d/H）,其中，d表示曝光二区形成部分与第一图形的图形单元重合的宽度，H表示第二图形的曝光一区形成部分上表面到掩膜版上表面的高度。

优选地，H=H1-H2，其中，H1表示曝光间隙的高度，曝光间隙的高度是透明基底上表面到掩膜版上表面的高度，H2表示曝光一区形成部分的厚度。

优选地，所述第一图形是黑矩阵图形；所述第二层图形光刻胶是滤光层负性光刻胶。

本发明提供以下技术方案：

一种曝光装置，包括：

掩膜版承载单元，用于承载曝光所需的掩膜版；

基板承载单元，用于承载需要进行曝光的基板，所述基板承载单元与所述掩膜版承载单元平行使基板与掩膜版平行；其中，所述基板包括透明基底和涂覆于透明基底上的光刻胶；

曝光光线形成单元，用于形成曝光光线；采用至少两条曝光光线通过掩膜版对光刻胶进行曝光；其中，至少两条曝光光线通过掩膜版的同一个曝光区对光刻胶进行曝光，每条曝光光线通过同一个曝光区在光刻胶形成一个照射区域，至少有两个照射区域有部分重叠。

优选地，所述曝光光线形成单元包括第一曝光光线形成单元和第二曝光光线形成单元；

所述第一曝光光线形成单元形成的第一曝光光线，用于从所述掩膜版的上方以入射角为θ1入射到所述掩膜版的上表面，且穿过所述掩膜版的曝光区射到所述基板的光刻胶上；

所述第二曝光光线形成单元形成的第二曝光光线，用于从所述掩膜版的上方以入射角为θ2入射到所述掩膜版的上表面，且穿过所述掩膜版的曝光区射到所述基板的光刻胶上；

其中，所述第二曝光光线在第一曝光光线与其法线确定的平面，第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域有部分重叠。

优选地，θ1=θ2=θ。

优选地，还包括曝光前光线形成单元，用于形成平行的曝光前光线；所述曝光前光线经过第一曝光光线形成单元形成第一曝光光线，经过第二曝光光线形成单元形成第二曝光光线。

优选地，所述第一曝光光线形成单元是半透半反平面镜，所述半透半反平面镜与掩膜版所在平面的夹角为β，所述曝光前光线在半透半反平面镜上的入射角为β+θ；

所述第二曝光光线形成单元是最终平面镜，所述最终平面镜设置在能接收到半透半反平面镜透射的光线位置，所述最终平面镜与掩膜版所在平面的夹角为β+θ。

优选地，曝光前光线与掩膜版所在平面的夹角为是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

优选地，所述基板承载单元到所述掩膜版承载单元的距离可调。

优选地，所述曝光前光线形成单元包括光源，第一平面镜，复眼透镜和凹面镜，所述光源发出的光线入射到第一平面镜，经第一平面镜反射的光线垂直入射到复眼透镜，经复眼透镜透射的光线入射到凹面镜，经凹面镜反射形成平行的曝光前光线。

本发明提供的曝光方法和曝光装置，通过掩膜版曝光和显影后在基板上形成图形，至少两条曝光光线通过掩膜版的同一个曝光区曝光和显影后对应图形的一个图形单元，同一个图形单元的厚度是与曝光量有关的。而曝光光线在光刻胶上的照射区域重叠的部分对光刻胶进行曝光的曝光量比较大，曝光光线在光刻胶上的照射区域的不重叠部分对光刻胶进行曝光的曝光量比较小。这样，同一个图形单元的厚度也是不同的，同时为减小角段差提供了前提。

附图说明

图1为现有的对滤光层光刻胶曝光的示意图；

图2为本发明的曝光方法的流程图：

图3为本发明的第三个实施例的曝光方法的示意图；

图4为本发明的第四个实施例的曝光方法的示意图；

图5为运用图4所示曝光方法对一种基板进行曝光后形成图形的示意图；

图6为运用图4所示曝光方法对另一种基板进行曝光后形成第二图形的示意图；

图7为本发明的第八个实施例的曝光装置的示意图。

主要附图标记说明如下：

100水银灯，200第一平面镜，300复眼透镜，400凹面镜，510半透半反平面镜，520最终平面镜，600掩模版，700基板，710第一图形，720第二图形，

500′第二平面镜,730′突起。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的第一个实施例的曝光方法，如图2所示，包括：

将基板置于掩膜版下方，且所述基板与所述掩膜版平行，其中，所述基板包括透明基底和涂覆于透明基底上的光刻胶；

至少两条曝光光线通过掩膜版曝光和显影后在基板上形成图形，至少两条曝光光线通过掩膜版的同一个曝光区曝光和显影后对应图形的一个图形单元，同一个图形单元的厚度是与曝光量有关的。而曝光光线在光刻胶上的照射区域重叠的部分对光刻胶进行曝光的曝光量比较大，曝光光线在光刻胶上的照射区域的不重叠部分对光刻胶进行曝光的曝光量比较小。这样，同一个图形单元的厚度也是不同的，同时为减小角段差提供了前提。

对曝光光线为三条进行阐述，分别为每条曝光光线通过同一个曝光区在光刻胶形成一个照射区域，至少有两个照射区域有部分重叠的方式包括但不限于如下方式：

方式一：其中两个照射区域有部分重叠，另一个照射区域与这两个照射区域不重叠；

方式二：其中任意两个照射区域有部分重叠；

方式三：三个照射区域有部分重叠。

需要说明的是，至少有两个照射区域有部分重叠的形式并不限于本实施例中列举的这几种，只要可以实现至少有两个照射区域有部分重叠的即可，本处只是举例说明。

本发明的第二个实施例的曝光方法，在第一个实施例的基础上，对曝光方法的一个优选的方式进行阐述：

所述至少两条曝光光线包括第一曝光光线和第二曝光光线，其中：

第一曝光光线从所述掩膜版的上方以入射角为θ1入射到所述掩膜版的上表面，且穿过所述掩膜版的曝光区射到所述基板的光刻胶上，对光刻胶进行曝光；

第二曝光光线从所述掩膜版的上方以入射角为θ2入射到所述掩膜版的上表面，且穿过所述掩膜版的曝光区射到所述基板的光刻胶上，对光刻胶进行曝光；其中，所述第二曝光光线在第一曝光光线与其法线确定的平面，第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域有部分重叠。

本发明的第三个实施例的曝光方法，在第二个实施例的基础上，对曝光方法进一步进行阐述：

如图3所示，θ1=θ2=θ，其中，掩膜版用附图标记600表示，基板用附图标记700表示。

本发明的第四个实施例的曝光方法，在第三个实施例的基础上，对曝光方法进一步进行阐述：

如图4所示，第一曝光光线是平行的曝光前光线经半透半反平面镜510反射形成，所述半透半反平面镜510与掩膜版600所在平面的夹角是β，所述曝光前光线在半透半反平面镜510的入射角是β+θ；

第二曝光光线是平行的曝光前光线经半透半反平面镜510透射和最终平面镜520反射形成，所述最终平面镜520与掩膜版600所在平面的夹角是β+θ；其中，所述最终平面镜520设置在能接收到半透半反平面镜透射的光线位置。

进一步地，平行的曝光前光线与掩膜版所在平面的夹角是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

这样，第一曝光光线和第二曝光光线是由同一曝光前光线形成，因此，第一曝光光线和第二曝光光线相交部分通过掩膜版的同一个曝光区共同对光刻胶进行曝光的曝光量是第一曝光光线和第二曝光光线不相交部分通过掩膜版的同一个曝光区分别单独对光刻胶进行曝光的曝光量的两倍。

进一步地，所述第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域重叠的部分是曝光一区，所述第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域不重叠的部分是曝光二区；

运用本实施例的曝光方法对所述基板700的光刻胶经曝光能形成图形，如所述光刻胶经曝光后形成图形，其中，如图5所示，通过掩膜版的同一个曝光区对光刻胶曝光后形成图形的一个图形单元，图形的同一个图形单元包括曝光一区形成部分和曝光二区形成部分，曝光一区形成部分是由曝光一区光刻胶经曝光形成的，曝光二区形成部分是由曝光二区光刻胶经曝光形成的；

θ=arctg（d′/H）,其中，d′表示曝光二区形成部分的宽度，H表示曝光一区形成部分上表面到掩膜版上表面的高度；

H=H1-H2，其中，H1表示曝光间隙的高度，曝光间隙的高度是透明基底上表面到掩膜版上表面的高度，H2表示曝光一区形成部分的厚度。

根据所需要的形成图形的一个图形单元的曝光二区形成部分的宽度d′，曝光一区形成部分的厚度H2和曝光间隙的高度H1，来确定θ，即θ是由所需要的图形和曝光间隙决定的，其中曝光间隙是可以需要进行调整的。

平行的曝光前光线与掩膜版所在平面的夹角Φ是由曝光前光线决定的，在Φ和θ确定后，β也就唯一确定了。

因为，曝光一区的光刻胶进行曝光的曝光量是曝光二区的光刻胶进行曝光的曝光量的两倍，所以运用本实施例的曝光方法形成图形的曝光一区形成部分的厚度是曝光二区形成部分的厚度的两倍。

进一步地，如图6所示，所述基板700还包括形成于透明基底上的第一层图形710，所述光刻胶是涂覆在透明基底和第一层图形上的第二层图形光刻胶，所述第一图形是第一图形的图形单元和透光区交替分布的图形。

进一步地，所述第二层图形光刻胶的厚度是第一层图形厚度的两倍。

进一步地，所述第一曝光光线和第二曝光光线在第二层图形光刻胶上的照射区域重叠的部分是曝光一区，所述第一曝光光线和第二曝光光线在第二层图形光刻胶上的照射区域不重叠的部分是曝光二区；

运用本实施例的曝光方法进行曝光，所述第二层图形光刻胶经曝光后形成第二图形720，其中，如图6所示，通过掩膜版的同一个曝光区对第二层图形光刻胶曝光后形成第二图形的一个图形单元，第二图形的同一个图形单元包括曝光一区形成部分和曝光二区形成部分，曝光一区形成部分是由曝光一区第二层图形光刻胶经曝光形成的，曝光二区形成部分是由曝光二区第二层图形光刻胶经曝光形成的；

θ=arctg（d/H）,其中，d表示曝光二区形成部分与第一图形的图形单元重合的宽度，H表示曝光一区形成部分上表面到掩膜版上表面的高度；

根据所需要的形成第二图形的一个图形单元的曝光二区形成部分与曝光一区形成部分重合的宽度d，曝光一区形成部分的厚度H2和曝光间隙的高度H1，来确定θ，即θ是由所需要的图形和曝光间隙决定的，其中曝光间隙是可以需要进行调整的。

因为，曝光一区的光刻胶进行曝光的曝光量是曝光二区的光刻胶进行曝光的曝光量的两倍，所以运用本实施例的曝光方法形成第二图形的曝光一区形成部分的厚度是第二图形的曝光二区形成部分的厚度的两倍。在第一层图形的厚度与第二图形的曝光二区形成部分的厚度相同时，第一图形的图形单元和第二图形单元重合之处基本没有突起，消除角段差的效果最好。

在第一层图形的厚度与第二图形的曝光二区形成部分的厚度不相同时，第一图形的图形单元和第二图形单元重合之处仍有突起；但与传统的曝光方法相比，突起变小，即角段差变小。

进一步地，所述第一图形是黑矩阵图形；所述第二层图形光刻胶是滤光层负性光刻胶。

本发明的第五个实施例还提供一种曝光装置，包括：

掩膜版承载单元，用于承载曝光所需的掩膜版；

本实施例的曝光装置通过掩膜版曝光和显影后在基板上形成图形，至少两条曝光光线通过掩膜版的同一个曝光区曝光和显影后对应图形的一个图形单元，同一个图形单元的厚度是与曝光量有关的。而曝光光线在光刻胶上的照射区域重叠的部分对光刻胶进行曝光的曝光量比较大，曝光光线在光刻胶上的照射区域的不重叠部分对光刻胶进行曝光的曝光量比较小。这样，同一个图形单元的厚度也是不同的。

本发明的第六个实施例的曝光装置，在第五个实施例的基础上，对曝光光线形成单元进一步进行阐述：

所述曝光光线形成单元包括第一曝光光线形成单元和第二曝光光线形成单元；

本发明的第七个实施例的曝光装置，在第六个实施例的基础上，对曝光光线形成单元进一步进行阐述：

θ1=θ2=θ。

本发明的第八个实施例的曝光装置，在第七个实施例的基础上，对曝光装置进一步进行阐述：

还包括曝光前光线形成单元，用于形成平行的曝光前光线；所述曝光前光线经过第一曝光光线形成单元形成第一曝光光线，经过第二曝光光线形成单元形成第二曝光光线。

进一步地，如图7所示，所述第一曝光光线形成单元是半透半反平面镜510，所述半透半反平面镜510与掩膜版600所在平面的夹角为β，所述曝光前光线在半透半反平面镜上的入射角为β+θ；

所述第二曝光光线形成单元是最终平面镜520，所述最终平面镜520设置在能接收到半透半反平面镜透射的光线位置，所述最终平面镜520与掩膜版600所在平面的夹角为β+θ。

进一步地，曝光前光线与掩膜版所在平面的夹角为是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

进一步地，所述基板承载单元到所述掩膜版承载单元的距离可调。

进一步地，如图7所示，所述曝光前光线形成单元包括光源，如采用水银灯100，第一平面镜200，复眼透镜300和凹面镜400，所述光源发出的光线入射到第一平面镜200，经第一平面镜200反射的光线垂直入射到复眼透镜300，经复眼透镜300透射的光线入射到凹面镜400，经凹面镜400反射形成平行的曝光前光线。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种曝光方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述至少两条曝光光线包括第一曝光光线和第二曝光光线，其中：

3.根据权利要求2所述的曝光方法，其特征在于，θ1=θ2=θ。

4.根据权利要求3所述的曝光方法，其特征在于，所述第一曝光光线是平行的曝光前光线经半透半反平面镜反射形成，所述半透半反平面镜与掩膜版所在平面的夹角是β，所述曝光前光线在半透半反平面镜的入射角是β+θ；

5.根据权利要求4所述的曝光方法，其特征在于，平行的曝光前光线与掩膜版所在平面的夹角是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

6.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域重叠的部分是曝光一区，所述第一曝光光线和第二曝光光线在光刻胶上的照射区域不重叠的部分是曝光二区；

7.根据权利要求5所述的曝光方法，其特征在于，基板还包括形成于透明基底上的第一层图形，所述光刻胶是涂覆在透明基底和第一层图形上的第二层图形光刻胶，所述第一图形是第一图形的图形单元和透光区交替分布的图形。

8.根据权利要求7所述的曝光方法，其特征在于，所述第二层图形光刻胶的厚度是第一层图形厚度的两倍。

9.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述第一曝光光线和第二曝光光线在第二层图形光刻胶上的照射区域重叠的部分是曝光一区，所述第一曝光光线和第二曝光光线在第二层图形光刻胶上的照射区域不重叠的部分是曝光二区；

10.根据权利要求6或9所述的曝光方法，其特征在于，H=H1-H2，其中，H1表示曝光间隙的高度，曝光间隙的高度是透明基底上表面到掩膜版上表面的高度，H2表示曝光一区形成部分的厚度。

11.根据权利要求7或8或9所述的曝光方法，其特征在于，所述第一图形是黑矩阵图形；所述第二层图形光刻胶是滤光层负性光刻胶。

12.一种曝光装置，其特征在于，包括：

掩膜版承载单元，用于承载曝光所需的掩膜版；

13.根据权利要求12所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光光线形成单元包括第一曝光光线形成单元和第二曝光光线形成单元；

14.根据权利要求13所述的曝光装置，其特征在于，θ1=θ2=θ。

15.根据权利要求14所述的曝光装置，其特征在于，还包括曝光前光线形成单元，用于形成平行的曝光前光线；所述曝光前光线经过第一曝光光线形成单元形成第一曝光光线，经过第二曝光光线形成单元形成第二曝光光线。

16.根据权利要求15所述的曝光装置，其特征在于，所述第一曝光光线形成单元是半透半反平面镜，所述半透半反平面镜与掩膜版所在平面的夹角为β，所述曝光前光线在半透半反平面镜上的入射角为β+θ；

17.根据权利要求16所述的曝光装置，其特征在于，曝光前光线与掩膜版所在平面的夹角为是Φ，β=（Φ-θ+90°）/2。

18.根据权利要求16所述的曝光装置，其特征在于，所述基板承载单元到所述掩膜版承载单元的距离可调。

19.根据权利要求17所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光前光线形成单元包括光源，第一平面镜，复眼透镜和凹面镜，所述光源发出的光线入射到第一平面镜，经第一平面镜反射的光线垂直入射到复眼透镜，经复眼透镜透射的光线入射到凹面镜，经凹面镜反射形成平行的曝光前光线。