JP2018521942A - 直接誘導による窒化ホウ素ナノチューブ合成 - Google Patents

Abstract

長く、可撓性であり、結晶構造中に壁分子及び欠陥をわずかしか有しない、高品質かつ無触媒の窒化ホウ素ナノチューブ（ＢＮＮＴ）を、直接誘導によって主に駆動されるプロセスによって、効率的に生産できる。二次直接誘導コイル、直流電流ヒータ、レーザ及び電気アークによって追加の加熱を提供することにより、上記プロセスを適合させ、不純物を削減しながらＢＮＮＴの品質を増強できる。初期状態のホウ素原材料の、このホウ素原材料が導電体として機能する温度までの加熱は、耐火性金属を上記初期状態のホウ素原材料に含めること、又はレーザ若しくは電気アークによって追加の熱を提供することによって達成できる。直接誘導プロセスは、エネルギ効率が良好となり得、また不定期間に亘って持続可能となり得る。熱及びガス流プロファイルの注意深い管理を用いて、相当な生産速度における高品質ＢＮＮＴの生産を増強できる。【選択図】図１

Description

本出願は、２０１５年５月２１日出願の米国仮特許出願第６２／１６４，９９７号、及び２０１５年７月２１日出願の米国仮特許出願第６２／１９４，９７２号に関連し、これらの内容は参照により、本出願に明示的に援用される。

政府の支援に関する声明
なし。

本開示は一般に、窒化ホウ素ナノチューブ（ＢＮＮＴ）の合成に関し、特に、ホウ素溶融物の生成、及び直接誘導プロセスを用いた窒化ホウ素ナノチューブの合成の増強に関する。

欠陥がわずかしかない高結晶性であり、少数の壁で構成され、アスペクト比が一般に１００００又は更に１００００００：１を超える、窒化ホウ素ナノチューブ（ＢＮＮＴ）の合成は、典型的には高温である、安定した、十分に制御された自己集合領域を必要とする。これらの合成プロセスで生産されるＢＮＮＴ材料中のホウ素及び窒化ホウ素不純物を最少化することは、このようなＢＮＮＴの多くの潜在的用途にとって重要である。更に、多くの用途に必要とされる量でＢＮＮＴを製造することが、ますます重要な考慮事項となっている。

長いファイバ、織り糸又はストリングの形態でのＢＮＮＴの生成に関して、ＢＮＮＴの純度及び整列は、特許文献１に教示されているように、合成プロセスにおけるＢＮＮＴ材料の品質によって支配されることが多い。特許文献２に記載されているもののような現行のレーザプロセス、及び特許文献３に記載されているもののような誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）プロセスは、これらが望ましい品質のＢＮＮＴを生産できることを実証している。しかしながらこれらのプロセスは、エネルギ効率による制約、並びにホウ素粒子、非晶質窒化ホウ素（非晶質ＢＮ）粒子及び六方晶窒化ホウ素（ｈ‐ＢＮ）粒子の不純物のレベルによる制約を有し得る。

一般にＢＮＮＴ構造体は、窒素ガスの存在下でチャンバ内においてホウ素原材料を熱励起することによって形成できる。カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）とは異なり、Ｓｍｉｔｈらによる特許文献４（参照によりその全体が本出願に援用される）は、ＢＮＮＴが、好ましくは約２ａｔｍ〜約２５０ａｔｍという昇圧下において、化学触媒の不存在下で形成されることを示している。一方、ＣＮＴは典型的には、金属触媒等の科学触媒の存在を必要とする。ＢＮＮＴはこのような触媒の存在下では形成されないことが分かっており、これは、ＢＮＮＴの形成がＣＮＴの形成とは根本的に異なることを示している。

最新のＢＮＮＴ合成方法は、低収率、チューブが短いこと、非連続的な生産、不十分な結晶性（即ち分子構造中の多数の欠陥）、不十分な整列を含む、深刻な欠点を有する。更に、多くの最新のＢＮＮＴ合成方法では、高品質ＢＮＮＴが生産されない。科学的文献において基準に関する合意が存在するわけではないが、用語「高品質（ｈｉｇｈ ｑｕａｌｉｔｙ）」ＢＮＮＴは一般に、分子の結晶構造中に欠陥が少ない、長い可撓性の分子を指す。本出願人のプロセスを除いて、特に欠陥が少なく整列が良好な、連続したＢＮＮＴファイバ又はＢＮＮＴストランドの合成に関するレポートは、他に存在しない。例えばＳｍｉｔｈらによる特許文献４に記載のＢＮＮＴ「ストリーマ（ｓｔｒｅａｍｅｒ）」は例えば、ホウ素原材料の表面等の核形成部位付近に形成されるが、長さが〜約１ｃｍに制限されていた。このような長さのＢＮＮＴ「ストリーマ」は、ＢＮＮＴファイバ及び織り糸の生産には不十分である。

必要とされているのは、欠陥が少なく整列が良好なＢＮＮＴファイバ及びＢＮＮＴストランドの連続的な生産のための装置、システム及び方法である。本出願人は関連出願において、このような装置、システム及び方法について記載している。例えば特許文献１（参照によりその全体が本出願に援用される）では、出願人は特に、ＢＮＮＴファイバ、ＢＮＮＴストランド及びＢＮＮＴ織り糸の連続的な形成について記載している。この開示において出願人は、１つ又は複数のレーザが、ホウ素溶融物を生成するための熱励起を提供する実施形態を提供する。

高品質ＢＮＮＴの合成をレーザ駆動型実施形態によって推進することは有効であるが、特許文献２に記載されているように、レーザ駆動型プロセスは、電気エネルギ又は他の形態のエネルギを最終的な高品質ＢＮＮＴに変換するため、比較的低効率であり、その結果、超高電力へと拡張するのが困難となり得る。例えば公知のレーザ駆動型ＢＮＮＴ合成システムは、平均電力５ｋＷ未満である。

この数十年、高周波（ＲＦ）誘導技術を利用して、数ワット〜数メガワットの電力レベルにおいて材料を溶融させている。指輪より小さいものから材料の大型容器までのサイズの物品を溶融させている。しかしながらＲＦ技術は、高温、即ちホウ素の融点を超える温度においてＢＮＮＴを合成するためには使用されておらず、特に高品質ＢＮＮＴを合成するためには実装されていない。ＲＦ誘導を利用してホウ素溶融物を加熱し、高品質ＢＮＮＴを合成する際、ＲＦ誘導は直接誘導（Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｎｄｕｃｔｉｏｎ）と呼ばれる。

ＲＦ誘導加熱は、表面修飾を目的として固体を加熱するために一般に使用される。これは、上記固体内での固体状態反応（例えば材料の表面のみ、若しくは材料内のいずれの深さにおいて発生し得る、オーステナイト化の熱処理プロセス）、又は表面が大気と反応するプロセス（浸炭、窒化、ホウ化等）をもたらすことができる。鍛造又は溶接といった、ＲＦ誘導加熱の用途は、ここでは無関係である。ＲＦ誘導加熱はまた、精製、合金化及び鋳造作業のために金属を溶融させるために、広範囲に使用される。ＲＦの誘導加熱は現在、高温において導電性となる非導電性非金属を加工するため（例えばケイ素結晶成長、結晶精製又は立方晶ジルコニアの骨格溶融等）に使用されているがこれらの用途では、全ての化学反応が溶融物内で発生する。

更に、直接誘導は、合成、又はカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）自己集合プロセスのためには利用されていない。本明細書に記載のプロセス及びシステムは、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の形成には適用されないことに留意されたい。高温ＢＮＮＴ合成プロセス及びシステムは一般に、昇圧された窒素環境下で、ある程度定常的な状態かつ超高温のホウ素原材料から、本明細書ではホウ素溶融物と呼ばれる液体材料を形成するステップを伴い、従って上記プロセスは、上記液体材料と気体との組み合わせを、触媒又は他の元素化学反応種を関与させずに生産する。一方ＣＮＴ合成は通常、金属触媒又は水素等の他の元素を必要とし、これは最終的にＣＮＴ中には不純物としてしか含まれない。特定のアーク放電及びレーザプロセスでは、通常は真空の、炭化水素ガス又は不活性ガスの低圧環境において、限定された量のＣＮＴしか生成されない。ＢＮＮＴの合成とＣＮＴの合成との間の差異の最後の例として、触媒を用いずに液体炭素の定常状態ボールを得るステップを伴うＣＮＴ合成プロセスは、この液体炭素状態を得るためだけに４３００℃の温度を、そして略同等の高温でなければならない純炭素ガスのある領域においていずれのレベルのＣＮＴ自己集合を達成するために、これより高い温度を、最低限必要とする。

従って、必要とされているのは、高品質ＢＮＮＴを含むＢＮＮＴを合成するための、エネルギ効率が高い装置、システム及び方法である。更にこのような装置、システム及び方法は、ＢＮＮＴの数多くの応用を可能とするために、十分な製造量でＢＮＮＴを合成できる必要がある。更にこのような装置、システム及び方法は、良好に整列されたＢＮＮＴファイバ、ストリング及び織り糸を含むＢＮＮＴファイバ、ストリング及び織り糸を生産できる必要がある。

国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１５／２７５７０号 国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１５／５８６１５号 国際特許出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１４／６３３４９号 米国特許第８，２０６，６７４号

本明細書に記載されるのは、直接誘導プロセスを組み込んだ、高品質ＢＮＮＴを含むＢＮＮＴを合成するための装置、システム及び方法である。

ＢＮＮＴの合成のために直接誘導プロセスを組み込むには、多数の困難が存在する。直接誘導を使用するためのこれらの困難としては：１）溶融される材料が導電体であるか、又は導電性コンテナ内にある必要があること；２）ホウ素及び窒化ホウ素原材料は、８００℃未満の温度では導電性でなく、溶融状態となるまでは最低限の導電性しか有しないこと；並びに３）高品質ＢＮＮＴ合成プロセスは一般に、窒化ホウ素の融点である２９７３℃を超える温度で動作することが挙げられる。

出願人は、直接誘導を用いたＢＮＮＴの合成に関するこれらの困難の解決策を発見した。ＢＮＮＴ自己集合プロセスへと向かう材料に熱を提供するソースとして直接誘導を利用することにより、上述の問題に良好に対処でき、望ましい品質及び量のＢＮＮＴを経済的に生産できる。本明細書に記載の直接誘導プロセスは、ＩＣＰプロセスより大幅にエネルギ効率が高く、不純物が大幅に少ない。プラズマが気相を加熱するＩＣＰプロセスとは異なり、これらの直接誘導プロセスは、ホウ素原材料に熱を供給する。その結果として、本明細書に記載の直接誘導プロセスに関する加工の困難さは、独特なものとなる。

実際には本開示まで、ＲＦ誘導は、プロセスの一次最終産物としての溶融材料の外部において高温気相化学反応を推進するためには使用されていない。化学蒸着プロセスにおけるＲＦ誘導加熱の使用は、多くの点で対照的である。というのはこの反応は、表面修飾のみを目的として、加熱された表面において発生するためである。化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスでは、ＲＦ誘導を利用して、材料をその表面を含めて加熱でき、上記表面に蒸気が堆積するか、又は蒸気が多様な化学反応によって反応する。例えば低品質ＢＮＮＴ、即ち欠陥が多い１０〜５０の壁の生産において、いくつかのバージョンのＢＯＣＶＤ（酸化ホウ素化学蒸着）は、触媒として作用させるために、前駆体中にＭｇＯ又はＬｉ₂Ｏといった金属酸化物を必要とする。ＲＦ誘導を用いて、反応チャンバを取り囲むグラファイト支持台を、１３００℃〜窒化ホウ素の融点より十分に下の範囲の温度まで加熱する。その結果、ＣＶＤプロセスは、ホウ素溶融物に類似する一切のものを生成せず、伴わず、又はもたらさず、従って直接誘導プロセスが提示する困難の克服にあたって有益なものではない。

本アプローチでは、窒化ホウ素ナノチューブを合成するためのプロセスは一般に：窒素ガスをチャンバ内へと第１の方向に、またいくつかの実施形態では昇圧下で、供給するステップ；及びホウ素原材料を取り囲む直接誘導コイルに電力を供給して、ホウ素溶融物を形成するステップを含む。窒素ガス流は、蒸気プロセス内の様々な位置において、例えばホウ素溶融物において、及び成長領域を通して、制御できる。いくつかの実施形態では、特にプロセスのスタートアップ中に、少なくとも１つの希ガスをチャンバへと供給してよい。希ガスを導入することにより、ホウ素溶融物の十分な温度が達成されるまで、ホウ素及び窒化ホウ素微小液滴の形成が阻害され、これは有益であり得る。例えばスタートアップ中の上記形成の阻害は、不純物を最少化する。ホウ素原材料が所望の温度に到達した後、チャンバへの希ガスの供給を呈してよく、これによりＢＮＮＴ自己集合プロセスを開始させる。第１の方向におけるホウ素溶融物の下流において、ホウ素溶融物からホウ素及び窒化ホウ素微小液滴が発生し、ＢＮＮＴが、ホウ素及び窒化ホウ素微小液滴から下流において自己集合する。またいくつかの実施形態では、直接誘導コイルへの電力の供給により、窒素ガスの一部分をチャンバに入れてホウ素溶融物中に溶解させ、窒化ホウ素分子、並びにこれに続いてホウ素及び窒化ホウ素微小液滴を形成させる。

上記ホウ素原材料は、ホウ素を含有する材料を含み、またいくつかの実施形態では耐火性金属を含んでよい。この耐火性材料は例えば、モリブデン及び／又はタングステンであってよい。いくつかの実施形態では、上記ホウ素原材料はるつぼ内で支持される。るつぼは、ホウ素原材料を取り囲む直接誘導コイル等の直接誘導コイルによって支持してよく、またいくつかの実施形態では、直接誘導渦電流場集中装置によって支持してよい。上記るつぼは、いくつかの実施形態では、当該技術分野において公知の方法の中でも特に対流冷却、水冷却、空気冷却、るつぼとの接触冷却等によって、冷却できる。

いくつかの実施形態では、窒化ホウ素の層を上記ホウ素原材料の下に堆積させてよい。いくつかの実施形態では、上記ホウ素原材料を加熱して、導電性ホウ素原材料を形成してよい。例えばレーザ及び／又は電気アーク等による補助加熱を用いて、上記ホウ素原材料の温度を上昇させてよく、これによって上記ホウ素原材料は導電性となる。

本アプローチの実施形態では、ＢＮＮＴを合成するための装置は：ホウ素原材料設置表面を提供するチャンバ；窒素をいくつかの実施形態では昇圧下で上記チャンバへと第１の方向に供給するよう構成された、窒素ガス供給システム；ホウ素原材料支持体；及び上記ホウ素原材料支持体を取り囲む直接誘導コイルを含んでよい。

実施形態は、上記第１の方向における上記ホウ素原材料支持体の下流に、成長ゾーン領域を含んでよく、上記成長ゾーン領域では、上記第１の方向における上記ホウ素原材料支持体の下流において、ＢＮＮＴが自己集合する。上記ホウ素原材料支持体はるつぼであってよく、いくつかの実施形態では上記るつぼは特に窒化ホウ素で作製してよい。

上記装置のいくつかの実施形態は、直接誘導渦電流場集中装置も含んでよい。一般に上記集中装置は、上記第１の方向に第１の長さの外側円筒状部分と、上記第１の方向に第２の長さの内側円筒状部分とを備え、上記第１の長さは上記第２の長さより大きい。上記集中装置は、上記直接誘導集中装置内で生成された渦電流に、循環経路を辿らせるよう構成された、垂直スロットを含んでよい。上記集中装置は、上記るつぼを格納するよう構成してよい。いくつかの実施形態では、直接誘導コイルは、上記るつぼを格納するよう構成してよい。

いくつかの実施形態では、上記装置は、上記ホウ素原材料支持体の少なくとも一部分を取り囲む、第２の直接誘導加熱コイルを含んでよい。上記第２の直接誘導コイルはまた、ＢＮＮＴが自己集合する上記成長ゾーンの一部分を加熱するためにも使用してよい。いくつかの実施形態は、少なくとも１つのレーザ又は電気アークといった補助熱源を含んでよい。上記補助熱源を用いて上記ホウ素原材料及びホウ素溶融物を加熱し、上記ホウ素原材料に導電性の挙動を取らせることができる。いくつかの実施形態は、上記成長ゾーンの温度プロファイルを制御するために、上記成長ゾーンの少なくとも一部分を取り囲む直流電流加熱コイルを含んでよい。

図１は、直接誘導を用いてＢＮＮＴを合成するための装置のある実施形態を示す。 図２は、直接誘導コイルの断面の周囲における電磁場強度のシミュレーションを示す。 図３Ａ、３Ｂは、本アプローチのある実施形態による、集中装置、並びにその電流及び冷却水流を示す。 図４は、本アプローチのある実施形態を用いて生成された冷却済みホウ素溶融物を内包する集中装置を示す写真である。 図５は、直接誘導を用いてＢＮＮＴを合成するための装置のある実施形態を示す。 図６は、直接誘導を用いてＢＮＮＴを合成するための装置のある実施形態のある態様の拡大図である。 図７は、本アプローチのある実施形態による、直接誘導を用いたＢＮＮＴの合成に関するフローチャートである。 図８は、本アプローチのある実施形態による直接誘導を用いて合成されたＢＮＮＴを示す写真である。 図９は、本アプローチのある実施形態による直接誘導を用いて合成されたＢＮＮＴの透過電子顕微鏡画像である。

以下の説明は、窒化ホウ素ナノチューブを合成するため、及び特に直接誘導を用いてホウ素溶融物を生成し、窒化ホウ素ナノチューブの合成を増強するための、本アプローチの例示的実施形態を実行する、現在考えられる最良の態様に関するものである。この説明は限定的な意味で解釈してはならず、単に本アプローチの一般原理を例示する目的で行われるものである。

高温プロセスによるＢＮＮＴ合成は一般に、ホウ素を液体ホウ素溶融物へと、典型的には元素ホウ素の発煙点、即ちホウ素（Ｂ）及びホウ素‐窒素の分子（Ｂ_xＮ_y）（本説明ではこの組み合わせをＢ／ＢＮと呼ぶ）がホウ素溶融物から蒸発する点付近の温度へと、加熱するステップを含む。上記ホウ素原材料は、窒素雰囲気下で、ホウ素溶融物へと加熱される。動作圧力は、１／１０気圧〜約２５０気圧であってよく、例えば約１気圧〜約１２気圧を含む。約２気圧〜約２５０気圧の昇圧下でＢＮＮＴを合成できるが、直接誘導駆動型プロセスは、レーザ駆動型無触媒誘導結合プラズマプロセスで使用される昇圧を含む、より低い圧力下でもＢＮＮＴ合成する。更に、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及び／又はキセノン等の希ガスが、ホウ素原材料の初期加熱中といった、直接誘導プロセスのいくつかのステージのために存在してよい。１つ又は複数の上記希ガスは、反応に利用可能な窒素分子を置換して反応を欠乏状態とすることによって、ＢＮＮＴ自己集合を阻害する。希ガスの分圧を増大させると、ホウ素及び窒化ホウ素微小液滴の形成が遅くなり、ＢＮＮＴ自己集合速度が遅くなり、また十分に高い分圧では、ＢＮＮＴ自己集合、並びにホウ素、非晶質ＢＮ及びｈ‐Ｂｎの形成が停止する。これらの気体は触媒として作用しているのではなく、ＢＮＮＴ形成の速度、並びにホウ素、非晶質ＢＮ及びｈ‐ＢＮの不純物の形成の速度を制御するために使用できることを理解されたい。ホウ素溶融物がその動作温度を達成するまで上記形成の速度を最小化することにより、合成されたＢＮＮＴ中の不純物が有利に削減される。

直接誘導は、変圧器を設定することによって動作し、この変圧器において、一次コイル中の交流電流（ＡＣ）が二次コンダクタ中の誘導電流へと電力を移動させる。上記二次コンダクタ内を流れる誘導ＡＣ電流は、抵抗性加熱によって上記二次コンダクタを加熱する。より複雑な直接誘導は、中間コイル、複数のコイル、又は集中装置の挿入を伴い、これにより、得られる変圧器内には３つ以上の層が存在する。

一般に、高温を通してＢＮＮＴを生成するために、方法は、チャンバ内に３つのゾーンを含む。本出願ではこれらの熱ゾーンを、予備加熱‐支持ゾーン、ホウ素溶融物ゾーン、ＢＮＮＴ成長ゾーンと呼ぶ。上記予備加熱‐支持ゾーンは、昇圧下で窒素ガスを上記チャンバ内へと流すよう構成される。いくつかの実施形態では、上記窒素ガスは、上記溶融物ゾーン及び上記成長ゾーンに対して、ある流れ方向で流れてよい。上記ホウ素溶融物ゾーンは、標的ホルダ上のホウ素原材料に熱を伝達するよう構成される。この熱は、上記原材料からホウ素溶融物を形成し、従って上記標的ホルダは、上記初期原材料から上記ホウ素溶融物への相遷移に対処できるよう構成しなければならない。Ｂ／ＢＮを含むホウ素及び窒化ホウ素微小液滴が上記ホウ素溶融物から蒸発し、ＢＮＮＴは上記成長ゾーンにおいて自己集合する。ある流れ方向に流れる窒素ガスを使用する実施形態では、上記微小液滴の形成及び蒸発はいずれも、上記ホウ素溶融物の下流において起こり、また上記ＢＮＮＴ成長ゾーンも、上記ホウ素溶融物の下流となる。いくつかの実施形態では、ゾーン間に前進的遷移及び／又は重複が存在し得ることに留意されたい。また、ゾーン間のいずれの遷移及び／又は重複は、動作中に、例えばスタートアップから連続的生産までの間に、変化し得る。直接誘導の電力レベル及び場構成は、動作中に調整可能であるため、上記ホウ素溶融物へと向かう電力は、合計電力及び電力分布の両方に関して制御可能である。そして電力分布を制御することにより、ＢＮＮＴ自己集合プロセスの推進を支援できる。

図１は、直接誘導を用いてホウ素原材料からＢＮＮＴを合成するための装置の、ある実施形態を示す。この実施形態では、ホウ素溶融物１１はるつぼ１２上に静置されている。るつぼ１２は、チャンバ（図示せず）内に位置決めされ、またいくつかの実施形態ではポスト１３上に支持されている場合がある。直接誘導一次コイル１４は、るつぼ１２を取り囲む。この実施形態における一次コイル１４のターン数は、単に例示的なものである。というのは、コイルのパラメータは実施形態に応じて変動するためである。上記ホウ素原材料をホウ素溶融物１１に変換した後、ホウ素溶融物１１は、Ｂ／ＢＮの分子を、ホウ素溶融物１１の上方及び周囲の領域１５へ、並びにＢＮＮＴ自己集合領域１６へと放出する。図１に示す配向に基づくと、窒素ガスは上記プロセスに、矢印１８で示されているようにるつぼ１２の下方から、るつぼ１２の孔（図示せず）を通って入る。また窒素ガスは、るつぼ１２から上記プロセスに、矢印１７で示されているように上方から入ってよい。交流電流電力及び水冷却は、矢印１１０、１１２で示されているように、外部供給口１９、１１１からコイル１４に対して出入りする。この実施形態では、コイル１４が最初に作用し、ホウ素溶融物１１が２番目に作用する。

図２は、直接誘導コイルの断面の周囲における電磁場強度のシミュレーションを示す。直接誘導コイル２１の電磁場線は、その水冷却チャネル２２と共に、中心線２３の片側に確認できる（上記装置の残部は、例示を容易にするために省略されている）。ホウ素溶融物付近の領域２４は、ホウ素溶融物領域２５の外縁部が、直接誘導コイル２１からの近接場２６の影響をどのように受けるかを示している。局在場２５、２６に対するホウ素溶融物２４のフィードバックは、このシミュレーションに含まれていない。外部の場２７は、強度が有意に小さい。当業者には理解できるように、コイル２１を形成する配管のジオメトリを含むコイル２１の寸法、ホウ素溶融物領域２４のサイズ、構成部品間の間隔、並びに交流電流の周波数及び電力レベルは、ホウ素溶融物領域２４で生成される電磁場の強度に寄与する。従ってこれらのパラメータを、本アプローチのある特定の実施形態に適合するように調整することによって、ホウ素溶融物１１の温度分布及びＢＮＮＴ自己集合領域１６の温度分布を最適化できる。

いくつかの実施形態は、二次コイルとして動作することによって追加のループを効果的に追加する、直接誘導渦電流場集中装置を含んでよい。いくつかの実施形態では、直接誘導渦電流場集中装置が、ホウ素溶融物の領域において所望の熱プロファイルを達成するために有用であると分かる。図３Ａ、３Ｂは、本アプローチのある実施形態による、集中装置３０、並びにその電流３６、３７及び冷却水チャネル３５を示す。集中装置３０は、直接誘導変圧器の要素として利用できる。図３Ａ、３Ｂの直接誘導集中装置３０の外側部分３２は、この実施形態では円筒状であり、集中装置３０はおおよそ、図１の直接誘導一次コイル１４の高さ３８である。上記直接誘導集中装置の内側部分３１は、ホウ素溶融物１１及びそのるつぼ１２を受承するための開口中央部３３を有し、内側部分３１の高さ３９は、外側部分３２の高さ３８より小さく、従って最高レベルの電流が集中装置３０の内側表面３１０上に存在する。図３Ａに示すように、垂直スロット３４を、直接誘導集中装置３０内に配置してよい。スロット３４は、直接誘導一次コイル１４（図３では図示せず）の電流によって直接誘導集中装置３０で生成された渦電流に、矢印３６、３７で示すような循環経路を辿らせる。上記循環経路は、内側渦電流３６と外側渦電流３７との間のローレンツ力の結果である。ホウ素溶融物１１（図３では図示せず）内で生成された電流は、その大半が、直接誘導集中装置３０内の内側渦電流３６に由来する。当業者には理解されるように、ホウ素溶融物１１の領域３３における場の形状は、直接誘導集中装置の内側部分３１の高さ３９に対する外側部分３２の高さ３８の相対比、及び直接誘導集中装置３０の内側部分３１の内径プロファイル３１０によって制御できる。典型的には、直接誘導集中装置３０は銅製であるが、他の高導電性かつ高熱伝導性材料も考えられる。

図４は、直接誘導を用いてホウ素原材料からホウ素溶融物４４が生成された、プロトタイプの直接誘導集中装置４０の一部分の拡大図である。この図は、窒化ホウ素るつぼ４５内で冷却されたホウ素溶融物４４を示す。プロトタイプ集中装置４０は、上述のように窒化ホウ素るつぼ４５に格納される。明瞭さのために、集中装置４０の外側部分４１、集中装置４０の内側部分４２、及び集中装置４０内のスロット４３のみを図示している。プロトタイプ装置の残部は図４では確認できない。

図５は、直接誘導を用いてＢＮＮＴを合成するための装置のある実施形態を示す。図５に示されている実施形態は、高品質ＢＮＮＴを合成するよう構成でき、また合成プロセスを制御するための１つ又は複数の追加の熱源を含んでよい。図５に示されている、以下の３つの重複するゾーンが存在する：

１）予備加熱‐支持ゾーン５３は、（例えばスタートアップ時の）ホウ素原材料のための、また（例えば初期加熱後、及び概ね定常状態の動作中の）生成されたホウ素溶融物５８のための、物理的支持ポスト５１３を含んでよい。いくつかの実施形態では、ホウ素溶融物５８は、上記装置内に物理的又は機械的支持体を必要とするほどの大きさであってよく、従っていくつかの実施形態では物理的支持体５１３は、ホウ素溶融物５８を保持する窒化ホウ素るつぼ５１０を支持してよい。いくつかの実施形態では、予備加熱ゾーン５３は、支持ポスト５１３のための直接誘導又は直流電流加熱コイル５７を含んでよい。あるいはいくつかの実施形態では、支持ポスト５１３は水冷却を必要とする場合があり、図示されているコイル５７は、電流ではなく水のためのものであってよい。ある特定の実施形態では、支持ポスト５１３の冷却又は加熱の選択は、例えば特定の装置のサイズ及び重量、並びに窒素流を最適化するために上記予備加熱‐支持ゾーン内の自由な非占有空間を加熱又は冷却することの潜在的便益を含む、具体的な実施形態に左右される。いくつかの実施形態は、上記予備加熱‐支持ゾーンへと流れる窒素ガスを予備加熱するステップを含んでよい。

２）ホウ素溶融物ゾーン５２は、熱をホウ素溶融物５８へと導入する、装置内のゾーンである。上述のように、スタートアップ中、熱は、ホウ素原材料温度を上昇させてホウ素溶融物５８を生成し、続いて動作中、ホウ素溶融物５８をその発煙点、即ちそれを超えるとホウ素溶融物５８がホウ素及びホウ素‐窒素分子（Ｂ_xＮ_y）（「Ｂ／ＢＮ」）を放出する温度に維持する。Ｂ／ＢＮ分子はＢＮＮＴ成長ゾーン５１へと流れ込み、ここでＢ／ＢＮ分子及び関連するＢ／ＢＮ液体の液滴からＢＮＮＴが自己集合する。自己集合は主にホウ素溶融物５８の下流において発生するが、ＢＮＮＴ成長ゾーン５１の位置は、特定の実施形態及び動作条件に左右される。直接誘導コイル５６は窒化ホウ素るつぼ５１０を保持し、また直接誘導コイル５６は、窒化ホウ素るつぼ５１０との接触から、窒化ホウ素るつぼ５１０に冷却を提供する。図示されていない窒化ホウ素充填材料を、直接誘導コイル５６と窒化ホウ素るつぼ５１０との間、及び直接誘導コイル５６内の複数のコイルの間に導入してよい。窒化ホウ素るつぼ５１０を、窒化ホウ素の融点である２９７３°Ｃ未満に保持することによって、るつぼの劣化を低減できる。窒化ホウ素るつぼ５１０はまた、例えば下部の開口５１１、側部の開口５１２及び／又は頂部の開口（図１の矢印１７参照）等から、窒素ガスが上記るつぼに入ることによって、冷却できる。ホウ素溶融物５８はまた、ホウ素溶融物５８と窒化ホウ素るつぼ５１０及び支持ポスト５１３との間に形成されるホウ素及び窒化ホウ素材料のクラスト５９からも、支持を提供される。クラスト５９は、スタートアップ中にホウ素溶融物５８上に形成されるが、いくつかの実施形態では、るつぼ５１０上の窒化ホウ素粉体の薄層又はベッド上にホウ素原材料を配置して、クラスト５９の形成を開始させると、有利となり得る。いくつかの実施形態では、レーザ、複数のレーザ又は電気アーク５１５を用いて、窒化ホウ素るつぼ５１０の頂部の開口から、ホウ素原材料及び／又はホウ素溶融物５８に熱を提供してよい。これらの補助熱源を有する一般的理由は、少なくとも２つある：１）これらは、初期状態のホウ素原材料を、８００℃を超える十分な高温とするために有用であり得、この高温において、上記ホウ素原料は、直接誘導コイル５６からの電磁場に関して十分に導電性となり、これにより上記ホウ素原材料の温度は更に上昇して、ホウ素溶融物５８となる；２）高品質ＢＮＮＴの形成は、Ｂ／ＢＮ液体の液滴及び関連するＢ／ＢＮ分子が、ホウ素粒子、非晶質Ｂｎ及び／又はｈ‐ＢＮではなくＢＮＮＴに完全に変換されるように、ＢＮＮＴ自己集合領域５４の温度プロファイルの制御を必要とする。補助熱源５１５を利用して、自己集合領域５４の温度プロファイルがＢＮＮＴ自己集合のための最適な条件を有するように、ホウ素溶融物５８の領域に熱を提供できる。

いくつかの実施形態では、過熱及び劣化を防ぐために、動作中にるつぼ５１０の冷却を実施してよい。窒化ホウ素るつぼ５１０に冷却を提供するプロセスでは、上記るつぼに入る窒素ガス（図１の矢印１７、１８を参照）は、上記チャンバ内に供給されてホウ素溶融物ゾーン５２へと前進するに従って加熱される。更に、上記チャンバに入る窒素ガスは、支持ポスト５１３の冷却も提供できる。窒素ガスはチャンバ全体を通って流れ、これにより、上記装置の冷却構造を支援するよう構成できる。

３）成長ゾーン５１では、Ｂ／ＢＮ分子は一般に、ホウ素溶融物５８の下流においてＢ／ＢＮ微小液滴を形成する。ＢＮＮＴは、これもまたホウ素溶融物５８の下流において、Ｂ／ＢＮ微小液滴から自己集合する。Ｂ／ＢＮ微小液滴からのＢＮＮＴの自己集合を最大化するために、ＢＮＮＴ成長ゾーン５１の温度プロファイルを、放射熱損失及び対流熱損失に対応するように制御してよい。例えば窒化ホウ素るつぼ５１０の上部は、るつぼ５１０の外側表面に沿って対流する窒素ガス、（るつぼ５１０の開口５１１、５１２が含まれている場合は）るつぼ５１０の開口５１１、５１２内へと流れる窒素ガス、及び任意に、るつぼ５１０の上部を取り囲む、水冷却される銅（図示せず）の組み合わせによって、必要に応じて冷却できる。

いくつかの実施形態では、補助熱源５１５に加えて、ＢＮＮＴ成長ゾーン５１に追加の熱を提供することが望ましい場合がある。追加の直接誘導コイル５５で取り囲んでよい耐火性金属又はグラフファイトシリンダ５１４を用いて、ＢＮＮＴ成長ゾーン５１に熱を追加できる。あるいは、例えば交流若しくは直流電流ヒータ（図示せず）、レーザ等といった、当該技術分野で公知の他の熱源によって、追加の熱を供給できる。いくつかの実施形態では、直接誘導、あるいはマイクロ波加熱（図示せず）によっても成長ゾーン５１に熱を供給できるよう、成長ゾーン５１は十分な導電性を有してよい。補助熱の提供により、Ｂ／ＢＮ微小液滴及びＢ／ＢＮ分子の、ＢＮＮＴ自己集合領域５４での滞留時間を管理できる。例えばいくつかの実施形態では、１つ又は複数のレーザ５１５を利用して、ホウ素溶融物５６の上部の熱分布を制御し、上部の直接誘導コイル５５を利用して、上記ＢＮＮＴ自己集合領域に直接入る熱を制御する。更に当業者には理解されるように、直接誘導コイル５５、５６へと入るコイル要素の内径プロファイル、詳細な間隔、及び直接誘導電力の周波数を利用して、ホウ素溶融物５８及びＢＮＮＴ自己集合領域５４のプロセスへと流れる熱を制御できる。

図５に示すように、支持ゾーン５３、溶融物ゾーン５２、成長ゾーン５１は全て、いくつかの実施形態では重複してよい。直接誘導コイル５５、５６及び／又は５７が存在する場合、これらのために利用される周波数は、同一である必要はない。各コイル５５、５６及び／又は５７は、特定の実施形態の条件に最適化された周波数を有してよい。当業者には理解されるように、直接誘導周波数及びＲＦ周波数は、ある特定の実施形態において使用される構成部品のサイズ及びジオメトリ並びに電力（加熱）のレベルに左右される。直接誘導集中装置を使用する場合、その内側表面の半径は、ホウ素溶融物５８に対する加熱及びローレンツ力を変動させるために、高さと共に変化させることができ、これにより、ホウ素溶融物５８の所与の部分における加熱を増大又は低減でき、また更にホウ素溶融物５８に対する浮上力の量を増大又は低減できる。一般に、ローレンツ力は、ホウ素溶融物５８を内向きに、及びホウ素溶融物５８を上方に押す方向のものとなる。これらの力が管理されなければ、ホウ素溶融物５８は不安定になり、るつぼ５１０内で発振する。これらの力はホウ素溶融物５８を内向きに押し、これは、これによってるつぼ５１０内のホウ素溶融物５８が、特に窒化ホウ素の融点を超える動作温度の窒化ホウ素るつぼ５１０の壁に接触しないまま維持されるため、有益となり得る。安定した動作を達成するために、ホウ素溶融物５８の直接誘導コイル５６に関する詳細な形状、周波数、電力レベルを考慮する必要がある。いくつかの実施形態では、ホウ素溶融物５８の上部の浮上を更に阻害するために、逆方向のターンを含んでよい（図示せず）。逆方向のターンは、追加のコイルにも含まれていてよい。いくつかの実施形態では、浮上力を利用して、ホウ素溶融物５８を、窒化ホウ素るつぼ５１０の底部のわずかに上の位置まで浮上させてよい。これを利用して、窒化ホウ素るつぼ５１０に由来する冷却を低減できる。

図６は、直接誘導を用いてＢＮＮＴを合成するための装置のある実施形態のある態様の拡大図である。原材料からホウ素溶融物６４を形成する方法及び温度プロファイルを制御する方法を実証するために、成長ゾーン６１（図５の５３でもある）におけるホウ素溶融物６４及びＢＮＮＴの自己集合をより詳細に示す。上述のように、直接誘導は、ホウ素原材料が導電性でなければ利用できない。ホウ素原材料は、１つ若しくは複数のレーザ６７又は電気アークを用いて、８００℃を超える温度まで加熱でき、これによってホウ素原材料は十分に導電性となる。あるいは、又は更に、ホウ素原材料は、原材料中にモリブデン、タングステン又は他の耐火性金属といった、１つ又は複数の耐火性金属を含んでよい。初期状態のホウ素原材料中の耐火性金属の量は、初期状態の耐火性金属の質量に左右され、またこれは、重量によって決定されるホウ素の量の数％から５倍以上まで変動し得る。必要な耐火性金属の量は、耐火性金属の一部が比較的高純度であり、かつホウ素原材料中に分散しない場合、より少なくなる。１つ又は複数の耐火性金属を使用する場合、これらは、ＢＮＮＴ自己集合に、反応物質又は触媒として関与せず、直接誘導によって誘導された渦電流によって加熱できるコンダクタを提供する役割を果たすのみである。１つ又は複数のレーザ６７が存在する場合、ビームは、自己集合領域６５、及び下流へと流れるＢＮＮＴを中断させないように、図６に示すような角度から上記装置に入ることができる。図６に示すレーザ６７の角度は単なる例示であり、実際にはこの角度は、特定の実施形態に左右される。更にいくつかの実施形態では、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及び／又はキセノンガスを窒素と混合すると有用であり得る。これらのガスを用いて、スタートアップ中のＢＮＮＴ自己集合プロセスを阻害でき、これによりＢＮＮＴ材料中の不純物を減少させることができる。ホウ素溶融物５８、６８が所望の温度に達すると、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及び／又はキセノンの量を削減でき、ＢＮＮＴ自己集合を進行させることができる。

ホウ素原材料が十分に加熱されて十分に導電性となった後、ホウ素原材料中の直接誘導渦電流は、ホウ素原材料がホウ素溶融物６４を形成するまで、ホウ素原材料を加熱する。１つ若しくは複数の直接誘導コイル及び／又は集中装置（図３、４参照）からのローレンツ力を利用して、溶融物の頂部６２が典型的には溶融物の底部６３より小さな直径のものとなるように、ホウ素溶融物６４の形状を変化させることができる。直接誘導電流の複数の周波数、直接誘導コイル又は集中装置の間隔（コイル間隔及び内径間隔の両方）を操作することによって、ホウ素溶融物６４の形状及びホウ素溶融物６４の垂直加熱プロファイルの両方を制御できる。ホウ素溶融物６４の形状は、複数の理由で重要な因子である。例えばホウ素溶融物の底部領域６３は、ホウ素溶融物６４の底部側に形成される、大半が窒化ホウ素であるクラスト６６の融点未満にとどまらなければならない。そうでなければクラスト６６が溶融し、ホウ素溶融物６４が窒化ホウ素るつぼ５１０を溶融させてしまう。またホウ素溶融物の頂部領域６２は、Ｂ／ＢＮ分子がホウ素溶融物６４の頂部から蒸発するように、発煙点に到達しなければならない。更に、上記チャンバ（図示せず）に入る窒素ガスの一部はホウ素溶融物に溶解し、ホウ素溶融物の温度が上昇するに従ってＢ／ＢＮ分子が形成されるのに寄与する。窒素溶解の速度は温度依存性であり、温度と共に上昇する。ホウ素溶融物６４の温度プロファイルを調整できる能力を用いて、ホウ素溶融物６４に亘る温度分布を変化させ、これにより窒素溶解及びその結果としてのＢ／ＢＮの出現を変化させることができる。

Ｂ／ＢＮ分子生産の局所フラックス分布を制御する手段として、図６に示されているレーザビーム６７及び電気アークを利用して、ホウ素溶融物の頂部領域６２の加熱及びその結果としての温度プロファイルを更に制御できる。更にこの加熱の分布は、自己集合領域６１におけるせん断力及び熱プロファイルの制御に寄与できる。ＢＮＮＴ自己集合プロセスの制御は、ＢＮＮＴファイバの整列を含むＢＮＮＴ材料の品質に関して重要である。

モリブデン、タングステン又は他の耐火性金属を利用する場合、これらの金属はＢＮＮＴ合成プロセスにおいて触媒ではなく、更にＢＮＮＴ中に現れることはないことを理解されたい。そうではなく、これらの金属は上記プロセスにおいて、ホウ素原材料を、上記原材料を直接誘導コイル又は集中装置からの直接誘導によって加熱できるレベルの導電性まで変化させるのを支援するだけである。

図７は、直接誘導による高品質ＢＮＮＴの合成に関する基本的なプロセスのフローチャートを提供する。ステップＳ７０１では、固体ホウ素又は窒化ホウ素といったホウ素原材料をるつぼに入れる。任意のステップＳ７０２では、上記ホウ素原材料を耐火性金属でドープしてよい。単に上記耐火性金属の片を上記ホウ素原材料に入れるだけでよい。更に上記ホウ素原材料を既に、例えばホウ素、窒化ホウ素及び耐火性金属の混合物とすることもできる。ステップＳ７０３では、窒素ガス流をチャンバに導入する。この窒素ガス流は、約１ａｔｍ〜約２５０ａｔｍ、例えば約１ａｔｍ〜約１２ａｔｍを含む昇圧下であってよい。更に、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及び／又はキセノンといった希ガスが、特にホウ素溶融物が得られるスタートアップ中に存在してよい。所望の動作圧力が達成されると、ステップＳ７０４において、上記窒素流の循環が開始される。ステップＳ７０５では、直接誘導コイルに電力が供給される。レーザ又は電気アークといった追加の熱源を含む実施形態では、任意のステップ７０６は、１つ又は複数の上記レーザを上記原材料に集束させて、ホウ素溶融物及び窒化ホウ素クラストを形成するステップを伴う。上記ホウ素溶融物が形成された後、上記追加の熱源を除去してよく、又はステップＳ７０７の一部として調整して、ＢＮＮＴ合成を制御してよい。ステップＳ７０７では、コイル電力及びいずれの追加の熱を操作して、上記ホウ素溶融物の形状及び上記チャンバ内の熱プロファイルを制御する。このステップ中、上記ホウ素溶融物中及び上記ホウ素溶融物の表面上でのホウ素と窒素との反応は、上記窒素流の方向において上記ホウ素溶融物の下流方向での、Ｂ／ＢＮの出現をもたらす。ＢＮＮＴは、ホウ素液滴及びＢ／ＢＮから自己集合することになる。ステップＳ７０８では、コイル及び窒素流の冷却を実施して、特に上記ホウ素溶融物の下流において、上記チャンバ内のせん断プロファイルを制御する。上記チャンバ内の上記せん断プロファイルは、自己集合したＢＮＮＴを下流へと配向し、ＢＮＮＴをＢＮＮＴファイバへと整列させる。いくつかの実施形態では任意であってよいステップＳ７０９では、上記ホウ素原材料を、原材料の追加によって補充してよい。例えばホウ素のロッドをるつぼ５１０の上縁部付近から挿入でき、ホウ素若しくは窒化ホウ素粉体を上から単に落下させることができ、又はチューブ状の炉の構成（図示せず）がホウ素若しくは窒化ホウ素の粉体を予備加熱して、ホウ素溶融物６４の上からホウ素溶融物６４上に落下させることができる。

直接誘導は、ホウ素原材料及び／又はホウ素溶融物領域、その支持領域、並びにＢＮＮＴ自己集合領域に熱を効率的に提供することによって、化学反応プロセスを推進するためのツールとして使用でき、Ｂ／ＢＮ分子の生成に関してある程度はホウ素溶融物内で発生するものの、上記化学プロセス（即ちＢＮＮＴ自己集合）はホウ素溶融物の下流かつホウ素溶融物の外側で発生することが、本アプローチから明らかであろう。本アプローチは、直接誘導によってホウ素を加熱することしか必要とせず、様々な段階及び様々な位置において、その全て又は一部が直接誘導によって供給される熱によって推進される、ＢＮＮＴの自己集合につながる複雑な一連の化学反応を伴うことを理解されたい。

いくつかの実施形態は、様々な構成部品の温度を制御することによって、概ね定常状態の動作を確立することから、便益を得ることができる。動作中の温度プロファイルは、ＢＮＮＴ自己集合フラックスに影響を及ぼし得、また形成されるＢＮＮＴ分子に対してせん断力を有し得ることは、当業者であれば認識するはずである。従って、上記装置の下流部分は、所望のＢＮＮＴ製品を生産するための所望のせん断及び速度プロファイルを生成及び維持するよう構成できる。

図８は、本アプローチのある実施形態による直接誘導を用いて合成されたＢＮＮＴ、及び特に、図４に示されている実施形態と同様のプロトタイプ装置内でホウ素溶融物１７の上方に再生したＢＮＮＴの「クモの巣状部（ｃｏｂｗｅｂ）」を示す、写真である。上記装置内の透明チューブは直径およそ３ｃｍであり、ＢＮＮＴ「クモの巣状部」は長さ約１０ｃｍであった。上記プロトタイプ装置を用いたデモンストレーションは、約１０分間の緩やかな加熱、１０秒未満のＢＮＮＴクモの巣状部の形成という、比較的短期間のものであった。自己集合領域には追加の加熱又は冷却は提供されなかった。このデモンストレーションは、直接誘導コイルが十分な熱を提供したため、追加の加熱のためのレーザを必要としなかったが、ホウ素原材料は、ホウ素溶融物を形成するために必要な導電性を提供するために、耐火性金属を含んでいた。

図９は、図８に示したＢＮＮＴの透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）画像を示す。ＢＮＮＴの長いファイバは、ＴＥＭ中にＢＮＮＴを支持するために使用された「Ｘ」型のレース状カーボングリッドの構造体に対して、これもまた本プロセス中に形成されたホウ素及び窒化ホウ素の集合体を伴って、概ね画像の左上から右下へと延在している。観察されたＢＮＮＴは少数の壁で構成され、典型的にはおよそ２．５マイクロメートルである画像の幅を遥かに超える長さを有する。動作条件は初期実証実験のために適切なものであったが、使用したプロトタイプ装置は、製品中のホウ素及び窒化ホウ素粒子の量を最少化するため、又は多量のＢＮＮＴ材料を回収するために構成されてはいなかったことを理解されたい。

機械的構造、コイル及びそれを取り囲む表面のための水冷却、窒素圧力チャンバ、並びにＢＮＮＴを回収するためのシステムは、図１、２、３、５、６には図示されていない。当業者には理解されるように、種々の多数の熱源、冷却、電気機械的構成を組み合わせて、様々な形態でＢＮＮＴの効率的な生産を提供できる。例えば関連出願である米国仮特許出願第６２／１６４，９９７号、米国仮特許出願第６２／１９４，９７２号、国際出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１５／５８６１５号（これらは全て、参照によりその全体が本出願に援用される）を参照のこと。

ＢＮＮＴ自己集合プロセスを推進するための熱源として直接誘導技術を利用することにより、高品質ＢＮＮＴの生産を達成できる。適切な構造、材料、ジオメトリ、サイズ、プロセスを利用しなければならない。ＢＮＮＴの継続的な生産を達成するための条件は、実証されている。

本明細書において使用した用語法は、特定の実施形態を説明することのみを目的としており、本アプローチを限定することを意図したものではない。本明細書において使用される場合、単数形「ある（ａ、ａｎ）」及び「上記（ｔｈｅ）」は、文脈がそうでないことを明示していない限り、複数形も同様に含むことを意図している。更に用語「…を備える、含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／又は「…を備える、含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、本明細書において使用される場合、言明されている特徴、整数、ステップ、動作、要素及び／又は構成部品の存在を特定するものの、１つ又は複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成部品及び／又はその群の存在又は追加を排除するものではないことが更に理解される。

本明細書に記載の原理は、その精神又は本質的特徴から逸脱することなく、他の具体的形態で実現され得る。従って本実施形態は、あらゆる点において例示的であり、限定的ではないものと見做されるものとする。

Claims (30)

1. 窒化ホウ素ナノチューブ（ＢＮＮＴ）を合成するためのプロセスであって、
   前記プロセスは：
   窒素ガスをチャンバ内へと第１の方向に供給するステップ；
   ホウ素原材料を取り囲む直接誘導コイルに電力を供給して、ホウ素溶融物を形成するステップ
   を含み、
   前記第１の方向における前記ホウ素溶融物の下流において、前記ホウ素溶融物からホウ素及び窒化ホウ素微小液滴が発生し、
   ＢＮＮＴは、前記ホウ素及び窒化ホウ素微小液滴から下流において自己集合する、プロセス。
2. 前記直接誘導コイルへの電力の供給により、前記窒素ガスの一部分を前記チャンバに入れて前記ホウ素溶融物中に溶解させ、窒化ホウ素微小液滴を形成させる、請求項１に記載のプロセス。
3. 前記ホウ素原材料は、ホウ素材料及び耐火性金属を含む、請求項１に記載のプロセス。
4. 前記耐火性金属は、モリブデン及びタングステンのうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載のプロセス。
5. 前記ホウ素原材料は、るつぼ内において支持される、請求項１に記載のプロセス。
6. 前記るつぼは、直接誘導渦電流場集中装置内において支持される、請求項５に記載のプロセス。
7. 前記るつぼは、前記直接誘導コイルによって支持される、請求項５に記載のプロセス。
8. 前記るつぼを冷却するステップを更に含む、請求項５に記載のプロセス。
9. 前記ホウ素原材料の下に窒化ホウ素の層を堆積させるステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
10. 前記ホウ素原材料を加熱して、導電性ホウ素原材料を形成するステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
11. 少なくとも１つのレーザを用いて前記ホウ素原材料を加熱するステップを更に含む、請求項１０に記載のプロセス。
12. 少なくとも１つの電気アークを用いて前記ホウ素原材料を加熱するステップを更に含む、請求項１０に記載のプロセス。
13. 前記チャンバに少なくとも１つの希ガスを供給するステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
14. ＢＮＮＴは、前記第１の方向において前記ホウ素原材料の下流の成長ゾーンにおいて、前記ホウ素及び窒化ホウ素微小液滴から自己集合し、
    前記成長ゾーンの少なくとも一部分を取り囲む第２の直接誘導コイルに電力を供給するステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
15. ＢＮＮＴは、前記第１の方向において前記ホウ素原材料の下流の前記成長ゾーンにおいて、前記ホウ素及び窒化ホウ素微小液滴から自己集合し、
    前記成長ゾーンの少なくとも一部分を取り囲む直流コイルに電力を供給するステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
16. 前記ホウ素溶融物の下流におけるＢＮＮＴ自己集合成長ゾーンにおいて、前記窒素ガス及び前記ホウ素溶融物の流量を制御するステップを更に含む、請求項１に記載のプロセス。
17. ＢＮＮＴを合成するための装置であって、
    前記装置は：
    ホウ素原材料設置表面を提供するチャンバ；
    窒素を前記チャンバへと第１の方向に供給するよう構成された、窒素ガス供給システム；
    ホウ素原材料支持体；及び
    前記ホウ素原材料支持体を取り囲む直接誘導コイル
    を備える、装置。
18. 前記第１の方向において前記ホウ素原材料支持体の下流の成長ゾーン領域を更に備え、
    前記成長ゾーン領域は、前記第１の方向において前記ホウ素原材料支持体の下流でＢＮＮＴを自己集合させるよう構成される、請求項１７に記載の装置。
19. 前記ホウ素原材料支持体は、窒化ホウ素製のるつぼを備える、請求項１７に記載の装置。
20. 直接誘導渦電流場集中装置を更に備える、請求項１９に記載の装置。
21. 前記集中装置は、前記るつぼを格納するよう構成される、請求項２０に記載の装置。
22. 前記集中装置は、前記第１の方向に第１の長さの外側円筒状部分と、前記第１の方向に第２の長さの内側円筒状部分とを備え、
    前記第１の長さは前記第２の長さより大きい、請求項２０に記載の装置。
23. 前記集中装置は、前記直接誘導集中装置内で生成された渦電流に、循環経路を辿らせるよう構成された、垂直スロットを更に備える、請求項１８に記載の装置。
24. 前記ホウ素原材料支持体は、窒化ホウ素製の前記るつぼを備え、
    前記直接誘導コイルは、前記るつぼを格納するよう構成される、請求項１７に記載の装置。
25. 前記ホウ素原材料支持体の少なくとも一部分を取り囲む第２の直接誘導加熱コイルを更に備える、請求項１７に記載の装置。
26. 前記ホウ素原材料及びホウ素溶融物を加熱するための少なくとも１つのレーザを更に備える、請求項１７に記載の装置。
27. 前記ホウ素原材料及びホウ素溶融物を加熱するための少なくとも１つの電気アークを更に備える、請求項１７に記載の装置。
28. 前記成長ゾーンの少なくとも一部分を取り囲む直流電流加熱コイルを更に備える、請求項１７に記載の装置。
29. 前記窒素ガス供給システムは、窒素ガスを昇圧下で前記チャンバに供給するよう構成される、請求項１７に記載の装置。
30. 前記昇圧は、約２気圧〜約２５０気圧である、請求項２９に記載の装置。

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