JP2018513582A5 - - Google Patents

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  1. ソースと、ドレインと、ゲートと、ボディとを有するスイッチトランジスタと、
    ゲート制御電圧(Vg)を前記ゲートに印加するように構成される第1の電圧制御源と、
    前記スイッチトランジスタがオン状態にあるとき、ボディ制御電圧(Vb)が正のバイアス電圧であるように、前記ボディ制御電圧を前記ボディに印加するように構成される、前記第1の電圧制御源と異なる第2の電圧制御源であって、前記正のバイアス電圧は、前記スイッチトランジスタのpn接合ダイオードに供給するために、前記ボディの内蔵電位よりも高い大きさを有し、前記正のバイアス電圧は、pn接合ダイオードに供給するために、前記ボディを正にバイアスする、第2の電圧制御源と
    を備える、RF回路。
  2. 前記第1の電圧制御源が第1のレベルシフタであり、
    前記第2の電圧制御源が第2のレベルシフタである、
    請求項1に記載のRF回路。
  3. 前記スイッチトランジスタがNチャネルトランジスタである、請求項1に記載のRF回路。
  4. 前記スイッチトランジスタが前記オン状態にあるときの前記正のバイアス電圧(Vb)が0.7ボルトより高い、請求項1に記載のRF回路。
  5. 前記スイッチトランジスタが前記オン状態にあるとき、前記正のバイアス電圧(Vb)が前記RF回路のデバイス線形性を改善する、請求項1に記載のRF回路。
  6. 前記改善されたデバイス線形性が軽減されたハーモニック信号である、請求項5に記載のRF回路。
  7. 前記ハーモニック信号が前記RF回路の基本周波数の3倍にある、請求項6に記載のRF回路。
  8. 前記改善されたデバイス線形性が軽減された相互変調歪みである、請求項7に記載のRF回路。
  9. RF回路の中のスイッチトランジスタのゲートにゲート制御電圧(Vg)を印加するステップと、
    前記スイッチトランジスタのボディにボディ制御電圧(Vb)を印加するステップであって、前記スイッチトランジスタがオン状態にあるとき、前記ボディ制御電圧(Vb)が正のバイアス電圧であり、前記正のバイアス電圧は、前記スイッチトランジスタのpn接合ダイオードに供給するために、前記ボディの内蔵電位よりも高い大きさを有し、前記正のバイアス電圧は、pn接合ダイオードに供給するために、前記ボディを正にバイアスする、ステップと
    を含み、
    前記ゲート制御電圧(Vg)は、第1の電圧制御源から前記ゲートに印加され、
    前記ボディ制御電圧(Vb)は、第2の電圧制御源から前記ボディに印加され、前記第2の電圧制御源が前記第1の電圧制御源と異なる、
    方法。
  10. 前記正のバイアス電圧(Vb)が0.7ボルトより高い、請求項9に記載の方法。
  11. 前記スイッチトランジスタが前記オン状態にあるとき、前記正のバイアス電圧(Vb)を前記スイッチトランジスタの前記ボディに印加することによって、前記RF回路のデバイス線形性を改善するステップをさらに備える、請求項9に記載の方法。
  12. 前記改善されたデバイス線形性が、前記RF回路の基本周波数の3倍の周波数をもつ軽減されたハーモニック信号である、請求項11に記載の方法。
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