JP2018510758A - 蒸留装置 - Google Patents

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Abstract

本出願は蒸留装置に関するもので、本出願の蒸留装置によれば、共沸混合物を形成できる第1および第2化合物のうち相対的に高い沸点を有する第2化合物を相対的に低い沸点を有する第1化合物より下部に位置する供給ポートに流入させることによって、第1化合物を第1蒸留塔の塔頂で事前に分離し、前記第1蒸留塔の塔底から流出される流れ内の第1化合物の含量を最小化することができ、これによって、第1化合物の移動経路を最小化することによって第2化合物を高純度で分離することができる。【選択図】図1

Description

本出願は蒸留装置に関するものである。
本出願は2015.06.30.付け韓国特許出願第10−2015−0093695号に基づいた優先権の利益を主張し、該当韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
フェノールは、フェノール樹脂をはじめとするポリ炭酸エステル樹脂、エポキシ樹脂などの各種合成樹脂や、医薬品工業の原料、ノニルフェノールのような洗剤や各種染料の原料であって、多様な分野に利用される。
クメンからフェノールを製造する方法は公知である。例えば、前記クメンは酸素を含む気体を利用して酸化されてクメンヒドロペルオキシドを形成し、これはさらに酸性の触媒下で分解され、これによって、フェノールとアセトンが生成される。
前記のようなフェノールの生成過程では多様な副反応が同時に起きる。例えば、ジメチルベンジルアルコール(Dimethyl BenzylAlchol、DMBA)は前記酸化段階で主要副産物として形成され、同じ酸触媒分解段階にて後続的に脱水(dehydrate)されてアルファ−メチルスチレン(alpha−methyl styrene、AMS)となる。一方、特に、副反応生成物中のヒドロキシアセトン(Hydroxyacetone、HA)はフェノールの純度に最も大きな影響を及ぼす。
したがって、より効果的に前記ヒドロキシアセトンを分離するための蒸留方法が求められている。
本出願はヒドロキシアセトンおよびフェノールを低費用および高純度で分離する蒸留装置を提供することを目的とする。
本出願の一具現例は蒸留装置を提供する。例示的な本出願の蒸留装置によれば、共沸混合物を形成できる第1および第2化合物のうち相対的に高い沸点を有する第2化合物を相対的に低い沸点を有する第1化合物より下部に位置する供給ポートに流入させることによって、第1化合物を第1蒸留塔の塔頂で事前に分離し、前記第1蒸留塔の塔底から流出される流れ内の第1化合物の含量を最小化することができ、これによって、第1化合物の移動経路を最小化することによって第2化合物を高純度で分離することができる。また、低沸点成分除去装置である第3蒸留塔上部で第1化合物および不純物除去に必要な溶媒、例えば、水の使用量を減らすことができるため、エネルギー節減効果を最大化することができる。
以下、添付された図面を参照して本出願の蒸留装置を説明するが、添付された図面は例示的なものであり、本出願の蒸留装置は添付された図面によって制限されるものではない。
図1は、本出願の一具現例に係る蒸留装置を模式的に示した図面である。
図1のように、本出願の蒸留装置は少なくとも一つ以上の蒸留ユニット(unit)を含む。前記において、「蒸留ユニット」とは、蒸留塔および前記蒸留塔にそれぞれ連結されている凝縮機および再沸器を含み、蒸留工程を遂行できる一つの単位体を意味する。
前記蒸留塔は、原料に含まれた多成分物質をそれぞれの沸点差によって分離できる装置である。流入する原料の成分または分離しようとする成分などの沸点を考慮して、多様な形態を有する蒸留塔を本出願の蒸留装置で利用することができる。本出願の蒸留装置で使用できる蒸留塔の具体的な種類は特に制限されず、例えば、図1に示したような一般的な構造の蒸留塔または内部に分離壁が具備された分離壁型蒸留塔を使うこともできる。一つの例示において、前記蒸留塔の内部は上部領域および下部領域に区分することができる。本明細書で用語「上部領域」は、蒸留塔の構造で相対的に上側の部分を意味し、例えば、前記蒸留塔を前記蒸留塔の高さまたは長さ方向に2等分した時に分けられた2つの領域のうち最も上側の部分を意味し得る。また、前記において、「下部領域」は、前記蒸留塔構造で相対的に下側の部分を意味し、例えば、前記蒸留塔を前記蒸留塔の高さまたは長さ方向に2等分した時に分けられた2つの領域のうち最も下側の部分を意味し得る。本明細書で蒸留塔の上部領域および下部領域は互いに相対的な概念で使用され得る。前記蒸留塔の塔頂は前記上部領域に含まれ、前記蒸留塔の塔底は前記下部領域に含まれ、本明細書で特に定義しない限り、上部領域は塔頂領域と同じ意味で用いられ、下部領域は塔底領域と同じ意味で用いられる。前記蒸留塔としては理論段数が32〜98段である蒸留塔を使うことができる。前記において、「理論段数」は前記蒸留塔で気相および液相のような2つの相が互いに平衡をなす仮想の領域または段数を意味する。
一つの具現例において、前記第1蒸留ユニット10は、図1のように、第1蒸留塔100、前記第1蒸留塔100にそれぞれ連結されている第1凝縮機110、および第1再沸器120を含む。例えば、前記第1蒸留塔100、第1凝縮機110、および第1再沸器120は前記第1蒸留塔100に流入された流体が流れることができるように互いに流体連結(fluidically connected)されていることができる。前記「凝縮機」は蒸留塔外部に別途設置された装置であって、前記蒸留塔の塔頂から流出された流れを外部から流入された冷却水と接触させるなどの方式で冷却させるための装置を意味する。例えば、前記第1蒸留塔100の第1凝縮機110は、前記第1蒸留塔100の塔頂領域から流出される第1塔頂流れ(Ftop1)を凝縮させる装置であり、後述する第2蒸留塔200および第3蒸留塔300の第2凝縮機210および第3凝縮機310は前記第2蒸留塔200の塔頂領域から流出される第2塔頂流れ(Ftop2)および前記第3蒸留塔300の塔頂領域から流出される第3塔頂流れ(Ftop3)を凝縮させる装置であり得る。また、前記「再沸器」は蒸留塔の外部に別途設置された加熱装置で、前記蒸留塔の塔底から流出された高沸点成分の流れを再び加熱および蒸発させるための装置を意味し得る。例えば、前記第1蒸留塔100の第1再沸器120は前記第1蒸留塔100の塔底領域から流出される第1塔底流れ(Fbtm1)を加熱する装置で、後述する前記第2蒸留塔の第2再沸器220および第3蒸留塔300の第3再沸器320は前記第2蒸留塔200の塔底領域から流出される第2塔底流れ(Fbtm2)および前記第3蒸留塔300の塔底領域から流出される第3塔底流れを加熱する装置であり得る。
前記第1蒸留塔100は第1供給ポート101および前記第1供給ポート101より下部に位置する第2供給ポート102を含む。一具現例において、前記第1蒸留塔100が上部領域および下部領域に区分される場合、前記第1供給ポート101は前記第1蒸留塔100の上部領域に位置することができ、前記第2供給ポート102は前記第1蒸留塔100の下部領域に位置することができる。さらに他の具現例において、前記第1供給ポート101および前記第2供給ポート102はすべて前記第1蒸留塔100の上部領域に位置することができ、この場合、前記第1供給ポート101は前記第2供給ポート102より上部、例えば、上側の段に位置することができる。一つの例示において、前記第1供給ポート101は塔頂を基準として算出された理論段数の1〜40%に位置することができる。また、前記第2供給ポート102は塔頂を基準として算出された理論段数の40〜100%に位置することができる。例えば、蒸留塔の理論段数が100段である場合、前記蒸留塔の1段は塔頂であり100段は塔底に該当し、前記第1供給ポート101は1〜40段に位置することができ、前記第2供給ポート102は40〜100段に位置することができる。
図1に示したように、第1化合物を含む原料(F1)は前記第1蒸留塔100の第1供給ポート101に流入され、前記第1化合物と共沸混合物を形成する第2化合物を含む原料(F2)は前記第2供給ポート102に流入される。
前記第1化合物および前記第2化合物は互いに混合されて共沸混合物組成物(azeotrope)を形成できる化合物であれば特に制限されるものではない。前記において、「共沸混合物組成物」は、共沸などが発生し得る溶液状態の液体混合物を意味する。一般的に溶液を蒸留すると沸騰によって組成が変わり、したがって沸点も上昇または下降するのが普通であるが、特定種類の特別な成分比の液体は純粋な液体のように一定の温度で成分比が変わらず沸騰し、このとき、その溶液と蒸気の成分比は同じになるが、この場合、その系は共沸状態にあるといい、その成分比を共沸組成といい、その溶液を共沸混合物組成物、前記共沸混合物の沸点を共沸点という。一つの例示において、前記第1化合物はヒドロキシアセトンであり得、前記ヒドロキシアセトンと共沸混合物を形成できる第2化合物はアルファ−メチルスチレンであり得るが、特にこれに制限されるものではない。
本出願の蒸留装置では互いに共沸混合物を形成できる第1および第2化合物を蒸留塔の互いに異なる位置で投入し、特に、前記共沸混合物を形成できる第1および第2化合物のうち相対的に高い沸点を有する第2化合物を相対的に低い沸点を有する第1化合物より下部に位置する供給ポートに流入させることによって、第1化合物を第1蒸留塔100の塔頂で事前に分離し、前記第1蒸留塔100の塔底から流出される流れ内の第1化合物の含量を最小化することができ、これによって、後述する第2蒸留塔200および第3蒸留塔300で分離される第1化合物の含量を最小化させることができる。すなわち、本出願の蒸留装置によれば、第1化合物の移動経路を最小化することによって第2化合物を高純度で分離することができ、エネルギー節減効果を最大化することができる。
一つの例示において、前記第1蒸留塔100の第1および第2供給ポート102にそれぞれ流入した前記第1および第2化合物を含む原料(F1、F2)は、前記第1蒸留塔100の塔頂領域から流出される第1塔頂流れ(Ftop1)および前記第1蒸留塔100の塔底領域から流出される第1塔底流れ(Fbtm1)にそれぞれ分離されて流出される。前記第1蒸留塔100の塔頂領域から流出される第1塔頂流れ(Ftop1)は前記第1凝縮機110に流入され、前記第1凝縮機110を通過した第1塔頂流れ(Ftop1)の一部又は全部は前記第1蒸留塔100の塔頂領域に還流されるか、製品として貯蔵され得る。一つの例示において、前記第1凝縮機110から流出された流れは、貯蔵タンクに流入されて貯蔵された後、前記第1蒸留塔100に還流されるか製品として貯蔵され得る。また、前記第1蒸留塔100の塔底領域から流出される前記第1塔底流れ(Fbtm1)の一部は前記第1再沸器120に流入され、前記第1再沸器120を通過した前記第1塔底流れ(Fbtm1)の一部は前記第1蒸留塔100の塔底領域に還流され、残りの一部は後述する第2蒸留塔に流入され得る。
一具現例において、前記第1塔頂流れ(Ftop1)は前記第1蒸留塔100に流入された原料(F1、F2)成分のうち相対的に低沸点の成分を含み、一つの例示において、前記第1化合物、第2化合物および前記第2化合物より沸点が低い物質を含む。また、前記第1塔底流れ(Fbtm1)は前記第1蒸留塔100に流入された原料(F1、F2)に含まれている成分のうち相対的に高沸点の成分を含み、一つの例示において、前記第1化合物および前記第1化合物より沸点が高い物質を含む。一つの例示において、前述した通り、前記第1化合物はヒドロキシアセトンであり得、この場合、前記第2化合物はアルファ−メチルスチレンであり得、前記第2化合物より沸点が低い物質はアセトン、クメンおよび水からなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。また、前記第1化合物より沸点が高い物質はクメン、フェノールおよびメチルフェニルケトンからなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。一具現例において、前記第1化合物の沸点より前記第2化合物の沸点が高い場合、前記第1塔頂流れ(Ftop1)は前記第1化合物の濃度が前記第2化合物の濃度より相対的に高い流れであり得、前記第1塔底流れ(Fbtm1)は前記第1化合物の濃度が前記第2化合物の濃度より相対的に低い流れであり得る。
本出願の蒸留装置では、前述した通り、共沸混合物を形成できる第1および第2化合物のうち相対的に高い沸点を有する第2化合物を相対的に低い沸点を有する第1化合物より下部に位置する供給ポートに流入させることによって、第1化合物を第1蒸留塔100の塔頂で事前に分離し、前記第1蒸留塔100の塔底から流出される流れ内の第1化合物の含量を最小化することができる。一つの例示において、前記第1塔底流れ(Fbtm1)内の前記第1化合物の含量は前記第1塔底流れ(Fbtm1)に含まれる全体成分100重量部に対して0.005〜0.25重量部、例えば、0.01〜0.03重量部であり得る。前記範囲内に第1塔底流れ(Fbtm1)内の前記第1化合物の含量を制御することによって、後述する第2蒸留塔200および第3蒸留塔300で分離される第1化合物の含量を最小化させることができ、前記第1化合物の移動経路を最小化することによって第2化合物を高純度で分離することができ、エネルギー節減効果を最大化することができる。
一つの例示において、第1蒸留塔100の前記第1塔底流れ(Fbtm1)内の前記第1化合物の含量を前記範囲内に調節する場合、前記第1蒸留塔100の第1塔頂流れ(Ftop1)内の第1化合物の含量は前記第1塔頂流れ(Ftop1)に含まれる全体成分100重量部に対して0.01〜2.0重量部、例えば、0.1〜0.5重量部であり得る。
本出願のもう一つの具現例は、前述した第1化合物を含む原料の流れ(F1)が第1供給ポート101に流入され、前記第1化合物と共沸混合物を形成できる第2化合物を含む原料の流れ(F2)が前記第1供給ポート101より下部に位置する第2供給ポート102に流入される本願特有の蒸留装置において、前記装置に最適化された蒸留装置の設計条件を提供する。一つの例示において、前記第2供給ポート102に流入される第2化合物を含む原料(F2)の温度は20〜180℃、例えば、23〜25℃、または168〜172℃であり得る。また、前記第2供給ポート102に流入される第2化合物を含む原料(F2)の流量は300〜1200kg/hr、例えば、400〜600kg/hr、または900〜1100kg/hrであり得る。
図1のように、本出願の蒸留装置は前述した第1蒸留ユニット10の他に、第2蒸留ユニット20および第3蒸留ユニット30をさらに含むことができる。
一具現例において、前記蒸留装置は第2蒸留ユニット20および第3蒸留ユニット30をさらに含むことができ、前記第2蒸留ユニット20は第2凝縮機210、第2再沸器220および第2蒸留塔200を含み、前記第3蒸留ユニット30は第3凝縮機310、第3再沸器320および第3蒸留塔300を含むことができる。
前記第1蒸留塔100の塔底領域から流出される第1塔底流れ(Fbtm1)の一部は前記第2蒸留塔200に流入され得る。また、前記第2蒸留塔200に流入された流れは前記第2蒸留塔200の塔頂領域から流出される第2塔頂流れ(Ftop2)および前記第2蒸留塔200の塔底領域から流出される第2塔底流れ(Fbtm2)にそれぞれ分離されて流出され得る。
前記第2塔頂流れ(Ftop2)は前記第2蒸留塔200に流入された前記第1塔底流れ(Fbtm1)に含まれている成分のうち相対的に低沸点の成分を含み、一つの例示において、ヒドロキシアセトン、アルファ−メチルスチレン、フェノールおよび2−メチルベンゾフランからなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。また、前記第2塔底流れ(Fbtm2)は前記第2蒸留塔200に流入された前記第1塔底流れ(Fbtm1)に含まれている成分のうち相対的に高沸点の成分を含み、一つの例示において、メチルフェニルケトン、ジクミルペルオキシドおよびp−クミルフェノールからなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
前記第2塔頂領域から流出される第2塔頂流れ(Ftop2)は前記第3蒸留塔300に流入され得る。また、前記第3蒸留塔300に流入された流れは前記第3蒸留塔300の塔頂領域から流出される第3塔頂流れ(Ftop3)および前記第3蒸留塔300の塔底領域から流出される第3塔底流れにそれぞれ分離されて流出され得る。前記第3塔頂流れ(Ftop3)は前記第3蒸留塔300に流入された第2塔頂流れ(Ftop2)内に含まれている成分のうち相対的に低沸点の成分を含み、一つの例示において、ヒドロキシアセトン、アルファ−メチルスチレンおよび2−メチルベンゾフランからなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。本出願の蒸留装置では、前述した通り、第1塔底流れ(Fbtm1)内の前記第1化合物の含量を特定範囲内に制御することによって、前記第2蒸留塔200および第3蒸留塔300で分離される第1化合物の含量を最小化させることができる。一つの例示において、前記第3塔頂流れ(Ftop3)内の第1化合物、例えば、ヒドロキシアセトンの含量は非常に少なく含まれるように制御され得、例えば、前記第3塔頂流れ(Ftop3)に含まれる全体成分100重量部に対して0.01〜5.0重量部であり得るが、これに制限されるものではない。
前記第3塔底流れは前記第3蒸留塔300に流入された第2塔頂流れ(Ftop2)内に含まれている成分のうち相対的に高沸点の成分を含み、一つの例示において、フェノール、および水からなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。一具現例において、前記第3塔底流れは純粋なフェノールの流れであり得る。
以下、本出願の一具現例に係る蒸留装置を利用してフェノールおよびヒドロキシアセトンを分離する過程をより詳細に説明する。
一つの例示において、ヒドロキシアセトンおよびフェノールが含まれた原料(F1)が前記第1蒸留塔100の第1供給ポート101に流入され、前記ヒドロキシアセトンと共沸混合物を形成できるアルファ−メチルスチレンを含む原料(F2)が前記第1蒸留塔100の第1供給ポート101下部に位置する第2供給ポート102に流入される。
この場合、前記第1供給ポート101に流入された前記原料(F1)に含まれる成分のうち相対的に低沸点成分である、純粋アセトンが濃厚な流れは前記第1蒸留塔100の塔頂領域から第1塔頂流れ(Ftop1)に流出され、相対的に高沸点成分である、フェノールが濃厚な流れは前記第1蒸留塔100の塔底領域から第1塔底流れ(Fbtm1)に流出され得る。前記第1蒸留塔100の塔頂領域から流出された前記第1塔頂流れ(Ftop1)は第1凝縮機110を通過して前記第1蒸留塔100の塔頂領域に還流され、残りの一部は製品として貯蔵され得る。前記製品は、高純度の純粋アセトンであり得る。前記第1塔頂流れ(Ftop1)はアセトンの他にも一部のクメン、アルファ−メチルスチレンおよびヒドロキシアセトンを含むことができ、前述した通り、前記第1塔頂流れ(Ftop1)内にはヒドロキシアセトンの含量が前記第1塔頂流れ(Ftop1)に含まれる全体成分100重量部に対して0.01〜2.0重量部であり得る。
一方、前記第1蒸留塔100の塔底領域から流出された前記第1塔底流れ(Fbtm1)の一部は第1再沸器120を経て一部は第1蒸留塔100の塔底領域に還流され、残りの一部は第2蒸留塔200に流入され得る。また、前記第2蒸留塔200に流入された前記原料の流れに含まれる成分のうち相対的に低沸点成分である、フェノールが濃厚な流れは前記第2蒸留塔200の塔頂領域から第2塔頂流れ(Ftop2)に流出され、相対的に高沸点、メチルフェニルケトンが濃厚な流れは前記第2蒸留塔200の塔底領域から第2塔底流れ(Fbtm2)に流出され得る。流出した前記第2塔頂流れ(Ftop2)は第2凝縮機210を通過して貯蔵タンクに流入され、前記貯蔵タンクから流出された流れの一部は前記第2蒸留塔200の塔頂領域に還流され、残りの一部は第3蒸留塔300に流入され得る。また、前記第2蒸留塔200に流入された流れに含まれる成分のうち相対的に高い沸点を有する高沸点流れは前記第2蒸留塔200の塔底領域から第2塔底流れ(Fbtm2)に流出され、前記第2塔底流れ(Fbtm2)の一部は第2再沸器220を経て第2蒸留塔200の塔底領域に還流され、残りの一部は製品として貯蔵され得る。前記製品は、高純度のメチルフェニルケトンであり得る。
前記第2蒸留塔200の塔頂領域から流出された前記第2塔頂流れ(Ftop2)は第3蒸留塔300に流入され得る。前記第3蒸留塔300に流入された前記第2塔頂流れ(Ftop2)に含まれる成分のうち相対的に低沸点成分である、アルファ−メチルスチレンが濃厚な流れは前記第3蒸留塔300の塔頂領域から第3塔頂流れ(Ftop3)に流出され、前記第3蒸留塔300の塔頂領域から流出された前記第3塔頂流れ(Ftop3)は第3凝縮機310を通過して前記第3蒸留塔300の塔頂領域に還流され、残りの一部は製品として貯蔵され得る。前記製品は、高純度のアルファ−メチルスチレンであり得る。この場合、前記第3塔頂流れ(Ftop3)内のヒドロキシアセトンの含量は大変少ない範囲で調節され得、例えば、前記第3塔頂流れ(Ftop3)に含まれる成分100重量部に対して前記ヒドロキシアセトンの含量は0.01〜5.0重量部であり得る。また、前記第3蒸留塔300に流入された流れに含まれる成分のうち相対的に高い沸点を有する高沸点流れは前記第3蒸留塔300の塔底領域から第3塔底流れ(Fbtm3)に流出され、前記第3塔底流れ(Fbtm3)の一部は第3再沸器320を経て第3蒸留塔300の塔底領域に還流され、残りの一部は製品として貯蔵され得る。前記製品は、高純度のフェノールであり得る。
本明細書で「低沸点流れ」とは、低沸点および高沸点成分を含む原料の流れのうち相対的に沸点の低い成分が濃厚(rich)な流れを意味し、前記低沸点流れは例えば、第1蒸留塔100、第2蒸留塔200および第3蒸留塔300の塔頂領域から流出される流れを意味する。また、「高沸点流れ」とは、低沸点および高沸点成分を含む原料の流れのうち相対的に沸点の高い成分が濃厚(rich)な流れを意味し、前記高沸点流れは例えば、第1蒸留塔100、第2蒸留塔200および第3蒸留塔300の塔底領域から流出される相対的に沸点の高い成分が濃厚な流れを意味する。前記において、用語「濃厚な流れ」とは、第1蒸留塔100、第2蒸留塔200および第3蒸留塔300にそれぞれ流入される原料に含まれた低沸点成分および高沸点成分それぞれの含量より前記第1蒸留塔100、第2蒸留塔200および第3蒸留塔300の塔頂領域から流出される流れに含まれた低沸点成分および前記第1蒸留塔100、第2蒸留塔200および第3蒸留塔300の塔底領域から流出される流れに含まれた高沸点成分それぞれの含量がより高い流れを意味する。例えば、前記第1蒸留塔100の第1塔頂流れ(Ftop1)に含まれた低沸点成分、前記第2蒸留塔200の第2塔頂流れ(Ftop2)に含まれた低沸点成分と前記第3蒸留塔300の第3塔頂流れ(Ftop3)に含まれた低沸点成分が表わすそれぞれの含量が50重量%以上、80重量%以上、90重量%以上、95重量%以上または99重量%以上である流れを意味するかまたは前記第1蒸留塔100の第1塔底流れ(Fbtm1)に含まれた高沸点成分、第2蒸留塔200の第2塔底流れ(Fbtm2)に含まれた高沸点成分と第3蒸留塔300の第3塔底流れ(Fbtm3)に含まれた高沸点成分が表わすそれぞれの含量が50重量%以上、80重量%以上、90重量%以上、95重量%以上または99重量%以上である流れを意味する。
本出願はまた、前記蒸留方法を提供する。例示的な本出願の蒸留方法は前述した蒸留装置を利用して遂行され得、これによって、前述した蒸留装置で記載された内容と重複する内容は省略する。
本出願の製造方法は原料供給段階および第1蒸留段階を含む。
一具現例において、前記原料供給段階は、i)第1蒸留塔100の第1供給ポート101で第1化合物を含む原料(F1)を流入させ、ii)前記第1供給ポート101より下部に位置し、塔頂を基準として算出された理論段数の40〜100%に位置する第2供給ポート102で第1化合物と共沸混合物を形成する第2化合物を含む原料(F2)を流入させることを含む。また、前記第1蒸留段階は、iii)前記第1および第2供給ポート102に流入された前記第1および第2化合物を含む原料を、前記第1蒸留塔100の塔頂領域から流出される第1塔頂流れ(Ftop1)および前記第1蒸留塔100の塔底領域から流出される第1塔底流れ(Fbtm1)でそれぞれ流出させることを含む。
前記原料供給段階のi)およびii)段階および第1蒸留段階のiii)の段階はそれぞれ独立的に有機的に結合されているため、境界が明確に時間の順序により区分されるのではなく、したがって、前記i)〜iii)の各段階は順次的に遂行されるかまたはそれぞれ独立的に同時に遂行され得る。
一具現例において、前記第1塔頂流れ(Ftop1)は前記第1化合物、第2化合物および前記第2化合物より沸点が低い物質を含み、前記第1塔底流れ(Fbtm1)は前記第1化合物および前記第1化合物より沸点が高い物質を含み、これに対する具体的な説明は、前述した蒸留装置で説明した内容と同一であるため省略する。
また、前記第1塔底流れ(Fbtm1)内の前記第1化合物の含量は前記第1塔底流れ(Fbtm1)に含まれる全体成分100重量部に対して0.005〜0.25重量部、例えば、0.01〜0.03重量部であり得る。前記範囲内に第1塔底流れ(Fbtm1)内の前記第1化合物の含量を制御することによって、後述する第2蒸留塔200および第3蒸留塔300で分離される第1化合物の含量を最小化させることができ、前記第1化合物の移動経路を最小化することによって第2化合物を高純度で分離することができ、エネルギー節減効果を最大化することができる。
一つの例示において、第1蒸留塔100の前記第1塔底流れ(Fbtm1)内の前記第1化合物の含量を前記範囲内に調節する場合、前記第1蒸留塔100の第1塔頂流れ(Ftop1)内の第1化合物の含量は前記第1塔頂流れ(Ftop1)に含まれる全体成分100重量部に対して0.01〜2.0重量部、例えば、0.1〜0.5重量部であり得る。
本出願の蒸留方法で、前記第1蒸留塔100の塔頂領域から流出される第1塔頂流れ(Ftop1)の温度は89℃〜107℃、例えば、90℃〜100℃であり得る。また、前記第1蒸留塔100の塔底領域から排出される第1塔底流れ(Fbtm1)の温度は、197℃〜219℃、例えば、190℃〜210℃であり得る。
また、この場合、前記第1蒸留塔100の塔頂領域の圧力は0.01〜1.0kgf/cm2g、例えば、0.1〜0.5kgf/cm2gであり得る。また、前記第1蒸留塔100の塔底領域の圧力は、0.5〜1.5kgf/cm2g、例えば、0.5〜1.0kgf/cm2gであり得る。
一つの例示において、前記第1化合物はヒドロキシアセトンであり得、この場合、前記第2化合物はアルファ−メチルスチレンであり得、前記第2化合物より沸点が低い物質はアセトン、クメンおよび水からなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。また、前記第1化合物より沸点が高い物質はクメン、フェノールおよびメチルペニルケトルからなる群から選択される1種以上を含むことができるが、これに制限されるものではない。
一つの例示において、前記第2供給ポート102に流入される第2化合物を含む原料(F2)の温度は20〜180℃、例えば、23〜25℃、または168〜172℃であり得る。また、前記第2供給ポート102に流入される第2化合物を含む原料(F2)の流量は300〜1200kg/hr、例えば、400〜600kg/hr、または900〜1100kg/hrであり得る。
本出願の蒸留装置によれば、共沸混合物を形成できる第1および第2化合物のうち相対的に高い沸点を有する第2化合物を相対的に低い沸点を有する第1化合物より下部に位置する供給ポートに流入させることによって、第1化合物を第1蒸留塔の塔頂で事前に分離し、前記第1蒸留塔の塔底から流出される流れ内の第1化合物の含量を最小化することができ、これによって、第1化合物の移動経路を最小化することによって第2化合物を高純度で分離することができる。
本出願の一具現例に係る蒸留装置を例示的に示している図面。 本出願の実施例1〜4で使った蒸留装置を模式的に示した図面。 本出願の実施例1〜4で使った蒸留装置を模式的に示した図面。 本出願の実施例1〜4で使った蒸留装置を模式的に示した図面。 本出願の実施例1〜4で使った蒸留装置を模式的に示した図面。 比較例で使った一般的な分離装置を例示的に示した図面。
以下、本発明に従う実施例および本発明に従わない比較例を通じて本発明をより詳細に説明するが、本発明の範囲は提示された実施例によって制限されるものではない。
実施例1
図2の蒸留装置を使ってフェノールおよびヒドロキシアセトンを分離した。
具体的には、アセトン29wt%、クメン9wt%、アルファ−メチルスチレン3wt%、ヒドロキシアセトン0.2wt%、フェノール46wt%および高沸点成分3wt%を含む原料を106℃の温度および85,000kg/hrの流量で理論段数が65段である第1蒸留塔の20段に位置する第1供給ポートに流入させた。一方、これとともに、アルファ−メチルスチレン99.8wt%を含む原料を170.6℃の温度および500kg/hrの流量で前記第1蒸留塔の65段に位置する第2供給ポートに流入させた。
前記第1蒸留塔の塔頂領域から排出される第1塔頂流れは第1凝縮機を経て一部は前記第1蒸留塔の塔頂領域に還流させた。前記第1塔頂流れの残りの一部はアセトン56wt%、クメン17wt%、アルファ−メチルスチレン6wt%およびヒドロキシアセトン0.3wt%を含む製品として分離して貯蔵し、前記第1蒸留塔の塔底領域から排出される第1塔底流れは第1再沸器を経て一部は前記第1蒸留塔の塔底領域に還流させ、残りの一部は第2蒸留塔に流入した。この場合、前記第1蒸留塔塔頂領域の運転圧力を0.2kgf/cm2gに調節し、運転温度は94.1℃に調節し、前記第1蒸留塔塔底領域の運転圧力を0.716kgf/cm2gに調節し、運転温度は203.1℃になるように調節した。
一方、前記第2蒸留塔の塔頂領域から排出される第2塔頂流れは第2凝縮機を経て一部は前記第2蒸留塔の塔頂領域に還流させ、残りの一部は第3蒸留塔に流入させた。前記第2蒸留塔の塔底領域から排出される第2塔底流れの一部は第2再沸器を経て前記第2蒸留塔の塔底領域に還流させ、残りの一部は21wt%のメチルフェニルケトンおよび20wt%のp−クミルフェノールを含む製品として分離した。この場合、前記第2蒸留塔の塔頂領域の運転圧力は−0.666kgf/cm2gに調節し、運転温度は147℃になるように調節し、前記第2蒸留塔の塔底領域の運転圧力は−0.291kgf/cm2gに調節し、運転温度は213℃になるように調節した。
また、前記第3蒸留塔の塔頂領域から排出される第3塔頂流れは第3凝縮機を経て一部は前記第3蒸留塔の塔頂領域に還流させ、残りの一部は0.11wt%のヒドロキシアセトンおよび68wt%のアルファ−メチルスチレンを含む製品として貯蔵した。前記第3蒸留塔の塔底領域から排出される第3塔底流れの一部は第3再沸器を経て前記第3蒸留塔の塔底領域に還流させ、残りの一部は純粋なフェノールを含む製品として分離した。この場合、前記第3蒸留塔の塔頂領域の運転圧力は0.03kgf/cm2gに調節し、運転温度は85℃になるように調節し、前記第3蒸留塔の塔底領域の運転圧力は1.32kgf/cm2gに調節し、運転温度は214℃になるように調節した。
実施例1の蒸留装置を使ってフェノールおよびヒドロキシアセトンを分離する場合の第1塔底流れ内のヒドロキシアセトンの含量、第1および第2再沸器でのエネルギー使用量、節減量、節減率およびフェノール製品の純度を下記の表1に表わした。
実施例2〜10
前記第1蒸留塔および第2蒸留塔の運転条件を下記の表1のように変更したことを除いては実施例1と同じ方法によってフェノールおよびヒドロキシアセトンを分離した。
実施例2〜10の蒸留装置を使ってフェノールおよびヒドロキシアセトンを分離する場合の第1塔底流れ内のヒドロキシアセトンの含量、再沸器でのエネルギー使用量、節減量、節減率およびフェノール製品の純度を下記の表1に表わした。
比較例
図2の蒸留装置を使ってフェノールおよびヒドロキシアセトンを分離した。
具体的には、アセトン29wt%、クメン9wt%、アルファ−メチルスチレン3wt%、ヒドロキシアセトン0.2wt%、フェノール46wt%および高沸点成分3wt%を含む原料を理論段数が65段である第1蒸留塔の20段に位置する第1供給ポートに流入させた。
前記第1蒸留塔の塔頂領域から排出される第1塔頂流れは第1凝縮機を経て一部は前記第1蒸留塔の塔頂領域に還流させた。前記第1塔頂流れの残りの一部はアセトン56wt%、クメン17wt%、アルファ−メチルスチレン5wt%およびヒドロキシアセトン0.3wt%を含む製品として分離して貯蔵し、前記第1蒸留塔の塔底領域から排出される第1塔底流れの一部は第1再沸器を経て前記第1蒸留塔の塔底領域に還流させ、残りの一部は第2蒸留塔に流入した。この場合、前記第1蒸留塔塔頂領域の運転圧力を0.2kgf/cm2gに調節し、運転温度は93.4℃に調節し、前記第1蒸留塔塔底領域の運転圧力を0.716kgf/cm2gに調節し、運転温度は203.1℃になるように調節した。
一方、前記第2蒸留塔の塔頂領域から排出される第2塔頂流れは第2凝縮機を経て一部は前記第2蒸留塔の塔頂領域に還流させ、残りの一部は第3蒸留塔に流入させた。前記第2蒸留塔の塔底領域から排出される第2塔底流れの一部は第2再沸器を経て前記第2蒸留塔の塔底領域に還流させ、残りの一部は製品として分離した。この場合、前記第2蒸留塔の塔頂領域の運転圧力は−0.666kgf/cm2gに調節し、運転温度は147℃になるように調節し、前記第2蒸留塔の塔底領域の運転圧力は−0.291kgf/cm2gに調節し、運転温度は213℃になるように調節した。
また、前記第3蒸留塔の塔頂領域から排出される第3塔頂流れは第3凝縮機を経て一部は前記第3蒸留塔の塔頂領域に還流させ、残りの一部はヒドロキシアセトン1.08wt%を含む製品として貯蔵した。前記第3蒸留塔の塔底領域から排出される第3塔底流れの一部は第3再沸器を経て前記第3蒸留塔の塔底領域に還流させ、残りの一部は純粋なフェノールを含む製品として分離した。この場合、前記第3蒸留塔の塔頂領域の運転圧力は0.03kgf/cm2gに調節し、運転温度は83℃になるように調節し、前記第3蒸留塔の塔底領域の運転圧力は1.32kgf/cm2gに調節し、運転温度は214℃になるように調節した。
比較例の蒸留装置を使ってフェノールおよびヒドロキシアセトンを分離する場合の第1塔底流れ内のヒドロキシアセトンの含量、再沸器でのエネルギー使用量、節減量、節減率およびフェノール製品の純度を下記の表1に表わした。
Figure 2018510758
10:第1蒸留ユニット
100:第1蒸留塔
101:第1供給ポート
102:第2供給ポート
110:第1凝縮機
120:第1再沸器
20:第2蒸留ユニット
200:第2蒸留塔
210:第2凝縮機
220:第2再沸器
30:第3蒸留ユニット
300:第3蒸留塔
310:第3凝縮機
320:第3再沸器
F1:第1化合物を含む原料
F2:第1化合物と共沸混合物を形成する第2化合物を含む原料
top1:第1塔頂流れ
btm1:第1塔底流れ
top2:第2塔頂流れ
btm2:第2塔底流れ
top3:第3塔頂流れ
btm3:第3塔底流れ



Claims (22)

  1. 第1供給ポートおよび前記第1供給ポートより下部に位置する第2供給ポートを有する第1蒸留塔、第1凝縮機および第1再沸器を含む第1蒸留ユニットを含み、
    第1化合物を含む原料が前記第1供給ポートに流入され、前記第1化合物と共沸混合物を形成する第2化合物を含む原料が前記第2供給ポートに流入され、
    前記第1および第2供給ポートに流入された前記第1および第2化合物を含む原料は、前記第1蒸留塔の塔頂領域から流出される第1塔頂流れおよび前記第1蒸留塔の塔底領域から流出される第1塔底流れにそれぞれ分離されて流出され、
    前記第1塔頂流れは前記第1凝縮機に流入され、前記第1凝縮機を通過した第1塔頂流れの一部又は全部は前記第1蒸留塔の塔頂領域に還流され、
    前記第1塔底流れの一部は前記第1再沸器に流入され、前記第1再沸器を通過した前記第1塔底流れの一部は前記第1蒸留塔の塔底領域に還流され、
    前記第1塔頂流れは前記第1化合物、第2化合物および前記第2化合物より沸点が低い物質を含み、前記第1塔底流れは前記第1化合物および前記第1化合物より沸点が高い物質を含み、
    前記第1塔底流れ内の前記第1化合物の含量は前記第1塔底流れに含まれる全体成分100重量部に対して0.005〜0.25重量部である蒸留装置。
  2. 第1塔頂流れ内の第1化合物の含量は前記第1塔頂流れに含まれる全体成分100重量部に対して0.01〜2.0重量部である、請求項1に記載の蒸留装置。
  3. 第1化合物はヒドロキシアセトンである、請求項1に記載の蒸留装置。
  4. 第2化合物はアルファ−メチルスチレンである、請求項3に記載の蒸留装置。
  5. 第2化合物より沸点が低い物質はアセトン、クメンおよび水からなる群から選択される1種以上を含む、請求項3に記載の蒸留装置。
  6. 第1化合物より沸点が高い物質はクメン、フェノールおよびメチルペニルケトルからなる群から選択される1種以上を含む、請求項3に記載の蒸留装置。
  7. 第1供給ポートは塔頂を基準として算出された理論段数の1〜40%に位置する、請求項1に記載の蒸留装置。
  8. 第2供給ポートは塔頂を基準として算出された理論段数の40〜100%に位置する、請求項1に記載の蒸留装置。
  9. 第2供給ポートに流入される第2化合物を含む原料の温度は20〜180℃である、請求項1に記載の蒸留装置。
  10. 第2供給ポートに流入される第2化合物を含む原料の流量は300〜1200kg/hrである、請求項1に記載の蒸留装置。
  11. 第2凝縮機、第2再沸器および第2蒸留塔を含む第2蒸留ユニット;および第3凝縮機、第3再沸器および第3蒸留塔を含む第3蒸留ユニットをさらに含み、
    第1蒸留塔の塔底領域から流出される第1塔底流れの一部は前記第2蒸留塔に流入され、前記第2蒸留塔に流入された流れは前記第2蒸留塔の塔頂領域から流出される第2塔頂流れおよび前記第2蒸留塔の塔底領域から流出される第2塔底流れにそれぞれ分離されて流出され、
    前記第2塔頂流れは前記第3蒸留塔に流入され、前記第3蒸留塔に流入された流れは前記第3蒸留塔の塔頂領域から流出される第3塔頂流れおよび前記第3蒸留塔の塔底領域から流出される第3塔底流れにそれぞれ分離されて流出され、
    前記第3塔頂流れ内の第1化合物の含量は前記第3塔頂流れに含まれる全体成分100重量部に対して0.01〜5.0重量部である、請求項1に記載の蒸留装置。
  12. 第3塔底流れは純粋なフェノールの流れである、請求項11に記載の蒸留装置。
  13. 第1蒸留塔の第1供給ポートに第1化合物を含む原料を流入させ、前記第1供給ポートより下部に位置し、塔頂を基準として算出された理論段数の40〜100%に位置する第2供給ポートに第1化合物と共沸混合物を形成する第2化合物を含む原料を流入させる原料供給段階;
    前記第1および第2供給ポートに流入された前記第1および第2化合物を含む原料を、前記第1蒸留塔の塔頂領域から流出される第1塔頂流れおよび前記第1蒸留塔の塔底領域から流出される第1塔底流れにそれぞれ流出させる第1蒸留段階を含み、
    前記第1塔頂流れは前記第1化合物、第2化合物および前記第2化合物より沸点が低い物質を含み、前記第1塔底流れは前記第1化合物および前記第1化合物より沸点が高い物質を含み、
    前記第1塔底流れ内の前記第1化合物の含量は前記第1塔底流れに含まれる全体成分100重量部に対して0.005〜0.25重量部である、蒸留方法。
  14. 第1塔頂流れ内の第1化合物の含量は前記第1塔頂流れに含まれる全体成分100重量部に対して0.01〜2.0重量部である、請求項13に記載の蒸留方法。
  15. 第1蒸留塔の塔頂領域の温度を89〜107℃に調節することを含む、請求項13に記載の蒸留方法。
  16. 第1蒸留塔の塔底領域の温度を197〜219℃に調節することを含む、請求項13に記載の蒸留方法。
  17. 第1蒸留塔の塔頂領域の圧力を0.01〜10.kgf/cm2gに調節することを含む、請求項13に記載の蒸留方法。
  18. 第1蒸留塔の塔底領域の圧力を0.5〜1.5kgf/cm2gに調節することを含む、請求項13に記載の蒸留方法。
  19. 第1化合物はヒドロキシアセトンで、第2化合物はアルファ−メチルスチレンである、請求項13に記載の蒸留方法。
  20. 第2化合物より沸点が低い物質はアセトン、クメンおよび水からなる群から選択される1種以上を含み、第1化合物より沸点が高い物質はクメン、フェノールおよびメチルフェニルケトンからなる群から選択される1種以上を含む、請求項19に記載の蒸留方法。
  21. 第2供給ポートに流入される第2化合物を含む原料の温度を20〜180℃に調節することを含む、請求項13に記載の蒸留方法。
  22. 第2供給ポートに流入される第2化合物を含む原料の流量を300〜1200kg/hrに調節することを含む、請求項13に記載の蒸留方法。
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