JP2018503266A - フォトレジスト表面および金属表面処理の同時親水化:方法、システム、および製品 - Google Patents
フォトレジスト表面および金属表面処理の同時親水化:方法、システム、および製品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018503266A JP2018503266A JP2017544843A JP2017544843A JP2018503266A JP 2018503266 A JP2018503266 A JP 2018503266A JP 2017544843 A JP2017544843 A JP 2017544843A JP 2017544843 A JP2017544843 A JP 2017544843A JP 2018503266 A JP2018503266 A JP 2018503266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recess
- photoresist material
- photoresist
- wafer
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 118
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 57
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title abstract description 26
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 145
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 51
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical group [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 12
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 10
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 6
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 53
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 20
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 16
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 28
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 5
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 abrasive Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000000809 air pollutant Substances 0.000 description 1
- 231100001243 air pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010891 toxic waste Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
- H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/34—Pretreatment of metallic surfaces to be electroplated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31058—After-treatment of organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
- H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76885—By forming conductive members before deposition of protective insulating material, e.g. pillars, studs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本出願は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許出願第62/078,598号の優先権を主張する。
本出願は、集積回路およびマルチチップモジュール(multichip modules)の製造、より詳細には金属メッキに関する。
メッキの標準的実行には、溶媒、酸、研磨剤、界面活性剤、超音波攪拌、および、真空プラズマプロセスを使用して、メッキされるべき基板の有機汚染および表面酸化を除去するプレプレート(pre−plate)表面処理が含まれる。これらの表面処理プロセスは、それぞれ、有毒廃棄物処理、基板の露出表面への化学的損傷、基板表面または基板組成物の他の敏感な構造への機械的損傷、表面への異物の導入、処理後およびメッキ前に必要な表面のすすぎ、これらの表面処理方法の残渣によるメッキ浴の汚染など、明確な欠点を有する。
2.フォトレジストパターンの臨界線寸法が、酸素処理によってしばしば変更される。
3.フォトレジストの厚さが、酸素処理により減少する。
また、フォトレジストのようなマスキング材料は、いずれも疎水性であり、メッキ浴溶液の微細な幾何学的構造への流れを阻害する傾向がある。これは、フォトレジスト内にある小さな、隔離された開口部が、単に全くメッキされないか、または、より開いた、露出した幾何学的構造よりも後でメッキされ始める「スキップメッキ」として知られている欠陥をもたらす可能性がある。必要とされているのは、パターニング媒体を機械的または化学的または寸法的に実質的に妨害せず、且つ、パターニング媒体への水溶液の優れた濡れ性をも促進して、その結果、最も細かいパターニングされた幾何学的構造を「スキップ」せずにメッキすることができる、パターニングされた基板をメッキする前の表面処理である。
本出願は、集積回路およびマルチチップモジュールの製造においてメッキを行うための新しい方法を教示する。
本出願の多数の革新的な教示を、現在望ましいとされる実施形態を特に参照して説明する(例としてであり、限定ではない)。本出願は、いくつかの発明を記載しているが、以下の記述のいずれも、特許請求の範囲を一般的に限定するものとして解釈されるべきではない。
本発明は、還元性化学大気プラズマの下流の活性残渣を利用して、簡単な装置でプレメッキ表面処理に複数の利点を提供する処理方法を含む。大気プラズマからの下流の活性種が基板表面に衝突することで、3つの重要な表面処理プロセスを同時に行うことができる。
2.酸化をメッキベースの表面から除去する。
3.基板上の全ての表面を下流の活性残渣によって高度に活性化することにより、後続のメッキ作業のために濡れ性の高い表面を生成する。
表面処理が、迅速かつ効率的であり、連続的な処理能力を根拠として達成可能である。
湿式化学的表面処理(およびその後の処理)が排除される。
予湿装置および界面活性剤が排除される。
メッキ溶液に露出された表面を高度に活性化することにより、表面バブルマスキング(bubble masking)、および、スキップメッキを大幅に減少する。
[大気プラズマ源の使用]
図1の実施形態の例では、基板を下流のガス流についてスキャンすることにより、大気プラズマヘッド内のプラズマ領域に生成された下流の活性種によって、基板を均一な処理に供する。プラズマヘッドの出口開口からのプロセスガスの流れによって、大気排除ゾーンが生成され、プロセスガスの流れは、次いでプラズマヘッドの底面と基板との間で側方に広がる。大気プラズマ源(1)は、高価な真空チャンバ、ポンピングシステム、および/または、プロセスガス閉じ込めチャンバを必要とせずに、表面修飾を行うための、化学ラジカル(例えば、単原子水素)および準安定希ガス原子(例えばヘリウムの準安定電子状態)(5)の好都合な供給源を提供する。これらの利点に加えて、特定のタイプの大気プラズマ源、すなわち、SETNA Corp.によって供給されるOntos7プラズマ源のような誘電体バリア放電(DBD)低温プラズマ源は、高エネルギープラズマ領域をプラズマ源の内部に閉じ込める。ガス流(2)が、プラズマ領域(3)を通過してプラズマ源の底部の開口(4)を出る頃には、イオン、ホットエレクトロン、および、運動衝撃種などの高エネルギー成分は、すべて、室内圧力条件下で起こる粒子衝突の割合が高いためにそのエネルギーを失っている。これにより、処理される基板(6)は、確実に、通常、真空プラズマシステムで起こるような高エネルギー粒子による表面損傷を受けることがなくなる。また、大気プラズマ源からの下流の活性残渣は、重要な運動エネルギーを持たないため、処理中の基板の直ぐ表面の原子格子構造を破壊しない。この結果、有機および酸化物汚染物質が存在しないため、高度の原子配列を有する基板表面が得られ、可能な限り高い「表面活性化」が可能になる。大気プラズマの下流の活性残渣によって活性化された表面は、非常に高いレベルの表面活性化をもたらし、高い濡れ性の表面を生成する。このタイプの損傷を受けない表面活性化は、表面にイオンを衝突させ、外れた表面原子の「瓦礫」を作り出す真空ベースのプラズマシステムよりはるかに優れている。
空気への露出およびフォトレジスト残渣に起因する表面酸化および有機汚染の除去は、ともに、特にメッキプロセスの核生成段階の間、効率的で均一なメッキにとって重要である。メッキベースの表面上に酸化物または有機物のいずれかが存在すると、メッキに含まれる電子交換プロセスに必要なメッキベースとメッキ浴との間の電流の流れが抑制される。多くの場合、ブランケット(blanket)金属メッキの前に、有機物を除去するために溶媒洗浄が行われ、続いて酸のプレエッチングが行われ、酸化物が除去される。これらの手順の両方とも、表面に粒子および追加の汚染物質を導入することが知られており、それらは、最終的にはメッキ浴に、あるいはさらに悪い場合、メッキ析出自体の不完全さに行き着く。半導体処理(図2Aを参照)では、有機フォトレジストマスク(11)を使用してメッキベース(12)をパターニングし、メッキプロセスから特定の領域をマスクする。この場合、フォトレジストパターンを変更または破壊する恐れがあるため、有機またはフォトレジスト残渣を除去するのに溶媒を使用することはできない。したがって、フォトレジストパターン(7)を「デスカム(de−scum)」し、他の有機成分(8)をメッキベースから除去するために、(真空チャンバ内の)酸素アッシングがしばしば使用される。しかし、この従来の酸素ベースのプロセスは、メッキを開始する前に除去されなければならないメッキベースの表面上に、さらに厚い酸化物を成長させる。さらに、酸素プラズマ処理は、著しい量のフォトレジストを除去するので、しばしば、フォトレジストパターンの寸法を変化させる。開示されたプロセス方法は、大気プラズマによって生成された還元性化学物質の下流ラジカルを使用する。大気プラズマヘッドに入るガス混合物を注意深く選択することにより、同じ化学反応および大気プラズマ条件を用いて、有機残渣(7,8)および金属酸化物(9)の両方を除去することができ、酸化物を含まず、有機物を含まない表面(15)を有するパターニングされたメッキベース(図2B)が得られる。これにより、メッキする前に有機物および酸化物を除去するための別々の工程を行う必要がなくなる。典型的なガス混合物には、ヘリウムなどの搬送ガスと、水素などの還元性ガスとが含まれる。他の搬送ガス(例えば、ネオンまたはアルゴンなど)および還元ガス(例えばNH3など)は、このプロセスに有効であり、本発明の開示の範囲内にあると考えられる。選択的に窒素をガス混合物へ添加することにより、酸素が除かれたメッキベースの原子の不動態化の付加的利点が得られ、メッキプロセスが始まる前に、基板をより長時間空気中に保管することができる。この窒素原子の不動態化は、メッキの核形成を不均一にする可能性があるメッキベースの再酸化の影響を最小限に抑える。
大気プラズマは、多くの異なるタイプの表面に、優れた表面活性化をもたらすことが示されている。図3は、活性化されていない一般的な疎水性フォトレジスト表面(19)を有するパターニングされた半導体ウェハを示す。メッキ溶液(17)が疎水性フォトレジストの表面上に広がるにつれて、接触角の大きいメニスカス、あるいは、内側に向いたメニスカスさえも形成される。このメニスカスがフォトレジスト(18)の小さな開口部上を移動すると、メッキ溶液は、開口部の疎水性側壁を濡らさず、メニスカスは、気泡(21)を形成する開口部の周りを流れ、次いでその上に流れる傾向がある。逆に、図4は、大気プラズマにより活性化された親水性フォトレジスト表面を有するパターニングされた半導体ウェハを示す。メッキ溶液(22)が親水性フォトレジスト表面(24)に広がるにつれて、接触角の小さいメニスカスが形成される。このメニスカスが、フォトレジスト(23)内の小さな開口部上を移動すると、メッキ溶液は、開口部の親水性側壁を濡らして活性化された親水性メッキベース(26)を横切るので、メニスカスは、気泡(27)を形成することなく、開口部全体を満たす傾向がある。空気、窒素、ヘリウム、水素、アルゴン、酸素、および、それらの混合物は、大気プラズマ表面活性化のための前駆体として文献で説明されている。しかし、空気および酸素は、メッキ初期化を阻害するメッキベースとの望ましくない表面反応を生じさせる可能性がある。空気および酸素はまた、半導体への適用で重要なフォトレジストの寸法に影響を及ぼす可能性がある。したがって、メッキベースをメッキのために最良の条件下に置くとともに、フォトレジストへの影響を最小限に抑えながら、最良の表面活性化を提供するために、ヘリウムおよび水素(および任意に選択される窒素)の組み合わせが、現在、最も好ましい実施形態である。純ヘリウム、または、純アルゴン、または、アルゴンと水素とを使用することもできるが、それらは、表面活性化ではあまり効率的でなく、大気プラズマヘッドによる追加の通路が必要になる。一方、酸化物還元のために上記で使用したのと同じ比率のヘリウム/水素/任意に選択される窒素は、メッキベースの酸化物および有機物を除去するのと同時に、表面活性化作業を行うことができる。
表面の化学修飾を行うための大気プラズマヘッドの使用における本質的な要因は、化学反応ゾーンからの室内空気の排除である。図1は、ガスが、プラズマヘッドの内部を通過してからプラズマヘッドの底面の開口を出て、基板とプラズマヘッドの底面との間を側方に流れる様子を示す。この側方流動は、プラズマヘッドの直下の反応ゾーンから室内空気を連続的に除去する。還元性化学物質を、基板の表面上の還元の化学反応を行うのに十分な高密度にとどめることを可能にするのは、室内空気(主に酸素)の不在である。反応ゾーンへの室内空気の侵入は、下流のラジカル反応の効率を低下させる。基板上の下流の活性残渣に最大効果を生じさせるために、適切なスキャンパラメータおよびギャップパラメータの選択が必要である。スキャン速度は、処理能力対基板加熱対プロセス反応時間対大気排除における動力学の、トレードオフによって支配される。処理能力を目的とするなら、より速いスキャン速度が明らかに望ましい。スキャン速度が速ければ、プラズマヘッドから流出する熱的に励起されたガスとの熱交換による基板の加熱も、最小限に抑えられる。しかしながら、スキャン速度がより高速になると、反応ゾーンからの室内空気の除去に要する時間が短く、したがって反応速度が低下する。同様に、プラズマヘッドと基板との間のギャップが大きすぎる場合、より多くの室内空気が反応ゾーンに残る。しかし、ギャップが小さすぎると、基板の追加の加熱が起こる可能性があり、基板の表面は、スキャンが進んで排除ゾーンを出るときに暖かいままである。これは、ちょうど還元された表面の再酸化をもたらす可能性がある。多変数設計の実験により、最適な結果が得られるギャップとスキャン速度との範囲が決定されている。一般的なスキャン速度は、有機および酸化物の除去量がどのくらい必要とされているかに応じて、1mm/秒から15mm/秒まで変化する。プラズマヘッド底面と基板上面との間の一般的なギャップ間隔は、メッキ基材のスキャン速度および再酸化速度に応じて、0.5mm〜1.5mmである。
1.ウェハ上の「霧」などの噴霧された水、
2.スチーム
3.大気プラズマ源を通過した水蒸気。
本発明には5つの主要な側面がある:
1.フォトレジスト残渣のデスカミング(descumming)
2.メッキベースからの酸化除去
3.小さなフォトレジスト凹部を濡らすためのフォトレジストの活性化
4.下流の活性化学物質に含まれるN2による再酸化に対向する酸素が除かれたメッキベースの選択的不動態化
5.処理後にH2O分子を導入することによる表面活性化の選択的保存。
[フォトレジスト残渣のデスカム]
現像されたフォトレジストパターンの底部に、フォトレジスト材料のわずかな残渣(「スカム(scum)」とも呼ばれる)が存在することは、半導体処理において広く認識されている。このスカムを除去するために、真空システム中の酸素アッシングが最も頻繁に使用される。本発明では、還元性化学物質(すなわち水素ベースの励起種)を使用して現像後のフォトレジストスカムを除去するが、その一方で、酸素ベースのデスカミングプロセスで起こるように、露出したメッキベースの表面上の既存の酸化物が、より多くの酸化物を成長させる代わりに還元されるという利点がある。図6では、SiO2で被覆されたシリコンウェハを、アセトン中の非常に希薄なフォトレジスト(AZ4620)の溶液で上塗りし、次いで電熱器上で乾燥させた。エリプソメータの読み取り値は、大気プラズマの還元性化学物質の下流の生成物の1〜2スキャンでの、フォトレジストスカムの除去を示す。
銅の薄層は、「銅ダマシン」プロセスのように、半導体製造におけるメッキベースとして最も頻繁に使用される。銅は、大気に曝されると酸化し、露出した表面上にCuOの層を成長させる。酸化物の存在は、メッキベースを通ってメッキ溶液に電流が流れるのを阻止する。この酸化は、メッキベース上でのメッキの核形成を変化させ、望ましくないメッキ厚の不均一性をもたらす。従来の酸素を用いたフォトレジストのデスカミングは、この酸化層の厚さを増加させるだけである。本発明においては、メッキベースから酸化を除去するために、還元性化学物質(水素ベースの励起種)が使用される。図7は、図6のデスカミングのグラフと同じHe/H2/N2パラメータを用いた酸化銅の除去を示している。エリプソメータの読み取り値は、Ontos大気圧プラズマの1〜2スキャンにおける自然酸化銅の除去を示す。
小さなフォトレジスト凹部は、高アスペクト比のフォトレジストパターンへの水溶液の流れを抑制することで知られている。これは、フォトレジスト樹脂の標準的な非濡れ性に起因する。図8A−図8Dの実施形態の例は、水溶液の液滴で濡れたフォトレジストパターンの、小さな凹部を示す。図8Aは、マクロスケールで、フォトレジスト層への溶液の不十分な濡れを示す。図8Bでは、より高倍率では、各凹部の上部に気泡が観察され、溶液が小さな凹部に流れ落ちるのに十分なほど、フォトレジストを濡らさなかったことを示す。
これらの発明の上記3つの側面は、下流に窒素が存在しなくても同様に達成し得る。しかし、大気プラズマの下流にN*(窒素ラジカル)を添加することにより、酸素が除かれた銅メッキベースを不動態化して、空気にさらした銅の再酸化を抑制することができる。図9における例としてのグラフは、3つの異なる条件についての時間の関数としての銅の再酸化(エリプソメータのデルタで測定)を示す:902、He/H2/N2で処理した不動態化された銅;904、He/H2のみで処理した不動態化されていない銅;および906、表面処理されていない新鮮なきれいな銅。
窒素の添加は、メッキベースを再酸化に対向して十分に不動態化するが、銅およびフォトレジストの表面活性化は、最終的に空気中の酸素および炭素に屈し、極性および表面の濡れ性を失う。これは、細かい幾何学的構造の底部に多くの気泡が形成されることにより特徴付けられ得る。上述した下流の表面処理後に基板をH2Oで処理すると、利用可能なH2O分子は、活性化された表面に結合し、表面上に物理吸着した単層として残る。これらの物理吸着された水分子は、空気中で安定しており、何日も表面に残る。それらの存在は、基板表面への酸素または炭素の付着を抑制する。数日後でさえも、水分子のこの層は、水溶液に引き付けられたままであり、すべての表面で優れた濡れを可能にする。図10A〜図10Cの実施形態の例は、3枚の比較写真を示している。図10Aは、上述したような下流処理の直後のフォトレジストと銅メッキベースとの、両方の濡れ性を示している。処理されたままのフィルムの例外的な濡れ特性のために、気泡は存在しない。図10Bは、水溶液に再導入してから24時間後の同じウェハを示している。表面の濡れ性が最初の水の露出によって保存されたため、気泡は存在しない。図10Cの実施形態の例におけるウェハは、下流処理を受けたが、24時間空気中に放置された。幾何学的構造に気泡が見られ、表面が濡れ性の多くを失っていることを示している。
1.メッキされる基板:銅メッキベースとフォトレジストメッキマスクとを有するシリコンウェハ。
3.ガス流パラメータ:ヘリウム=10標準リットル/分(SLPM)、水素=0.16SLPM、窒素=0.1SLPM。
1.メッキされる基板:銅メッキベースとフォトレジストメッキマスクとを有するシリコンウェハ。
3.ガス流パラメータ:ヘリウム=80標準リットル/分(SLPM)、水素=1.28SLPM、窒素=0.8SLPM。
1.メッキされる基板:銅メッキベースとフォトレジストメッキマスクとを有するシリコンウェハ。
3.ガス流量パラメータ:ヘリウム=120標準リットル/分(SLPM)、水素=1.92SLPM、窒素=1.4SLPM。
1.メッキベースの不動態化が問題とならない窒素を除いて、第1、第2、および、第3の好ましい実施形態と同条件。
1.フォトレジストの限界寸法が許容する場合(または、基板がパターニングされていない場合)、過度の有機汚染物を除去するために酸素ベースの大気プラズマによるプリスキャンを使用することを除いて、第1、第2、および、第3の好ましい実施形態と同条件。
3.第1、第2、および、第3の好ましい実施形態で説明したような還元性スキャンが後に続く酸素スキャン。
1.第1〜5の好ましい実施形態と同じ条件にて、水溶液に対する表面の濡れ性をより長い時間枠に拡張するために、活性化された表面に適用される水分子不動態化を追加したもの。
第7の好ましい実施形態の例は、以下の通りである。
第8の好ましい実施形態の例は、以下の通りである。
2.大気プラズマ源:25mmの開口部およびRF電力=100ワットのSETNA Ontos7誘電体バリア放電遠隔プラズマヘッド。(または、OntosPRO 200mm=800ワット、または、OntosPRO 300mm=1200ワット。)
3.ガス流量パラメータ:ヘリウム=10標準リットル/分(SLPM)、水バブラー(bubbler)からの水蒸気を含む。(または、OntosPRO 200mm=80SLPM、または、OntosPRO 300mm=120SLPM。)
4.スキャンパラメータ:スキャン速度=5mm/秒、プラズマヘッドと基板との間のギャップ=1mm、隣接するスキャン間の重なり=1mmでウェハ表面上をラスタースキャン、ウェハ上を1回通過。
1.有機残渣をメッキベースの表面から除去する。
3.基板上の全ての表面を、下流の活性残渣によって高度に活性化することにより、後続のメッキ作業のための高い濡れ性の表面を生成する。
1.表面処理が、迅速かつ効率的であり、連続的な処理能力を根拠として達成可能である。
3.湿式化学表面処理(およびその後の処理)が排除される。
4.予湿装置および界面活性剤が排除される。
6.メッキ溶液に露出された表面を高度に活性化することにより、表面バブルマスキングおよびスキップメッキを大幅に減少する。
[利点]
開示された技術革新は、様々な実施形態において、少なくとも1つ以上の以下の利点を提供する。ただし、これらの利点のすべてが、開示した技術革新の1つ1つから生じるわけではなく、また、この利点のリストは、様々な請求された発明を制限するものではない。
・歩留りが増加している。
・電気メッキのための一連の作業の時間的な制約が、緩和されている。
いくつかの必ずしも全てではない実施形態によれば、還元性化学大気プラズマの下流の活性残渣を使用して、簡単な装置で、プレメッキ表面処理に複数の利点を提供する方法およびシステムが提供される。大気プラズマの下流の活性種が基板表面に衝突するため、3つの重要な表面処理プロセスを、同時に行うことができる:1.有機残渣をメッキベースの表面から除去する。2.酸化をメッキベースの表面から除去する。3.基板上の全ての表面を、下流の活性残渣により高度に活性化することにより、後続のメッキ作業のための高い濡れ性の表面を生成する。
当業者に認識されるように、本出願に記載された革新的な概念は、膨大な範囲の適用にわたり修正および変更されることが可能であり、したがって、特許の主題の範囲は、与えられた特定の例示的な教示のいずれによっても限定されるものではない。添付の特許請求の範囲の精神、および、広い範囲内にあるそのような代替物、修正物、および、変形物のすべてを包含することが意図されている。
また、特許請求の範囲の内容は、本明細書において独創的および/または予期しないおよび/または有利なものとして示される任意の他の点を除外することなく、それに加えたものである。
Claims (30)
- 集積回路の製造方法であって、
a)金属のブランケット(blanket)層を含む、部分的に製造された集積回路のウェハを製造する工程と;
b)前記部分的に製造された集積回路のウェハに有機フォトレジスト材料を塗布し、前記フォトレジスト材料をパターニングして、前記金属のブランケット層の所定の位置の上に凹部を形成する工程と;
c)プラズマ放電を介してガス流を流し、前記パターニングされたフォトレジスト材料の上を流れる活性化されたガス流を生成する工程であって、前記活性化されたガス流が、プラズマ活性化還元種を含み、励起されたヘリウム原子を含み、プラズマ活性化窒素を含み、前記フォトレジストの表面から室内雰囲気を排除するように前記ウェハに近接して、ほぼ大気圧で流される工程と;
d)メッキ浴を使用して、前記所定の位置で前記金属の層上に導電性材料を電気メッキすることにより、前記凹部の前記位置にメッキされた金属層を形成する工程、の連続作動を含む方法であり、
工程c)が、アッシングを必要とせずに前記パターニングされたフォトレジストのデスカミング(descumming)を行い、前記フォトレジスト材料をより親水性にし、前記金属の領域の酸化物を還元し、前記金属の領域を再酸化に対向して不動態化し、
前記メッキ浴が、露出した前記金属層、および、前記凹部の前記側壁を含むフォトレジスト材料を濡らすことにより、前記メッキ浴が前記凹部を横切って流れる際の気泡の形成を回避する、集積回路の製造方法。 - 前記凹部が、拡張溝およびより小さな分離構造を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記凹部が、その最小幅よりも大きい最大深さを有する、請求項1に記載の方法。
- 工程c)の後であって工程d)の前に、前記パターニングされたフォトレジスト材料を一時的に濡らすことによって、前記活性を安定化し維持する追加の工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 工程a)が、前記ウェハの表面のエッジの周りの狭い帯域を除く、前記ウェハの全ての表面に、前記フォトレジストの材料を塗布し、前記狭い帯域が、電気メッキ装置におけるエッジ接触接続を提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジストを剥離する後続の工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 工程c)の後に残存する酸化物が、工程c)の前より極性が高く、前記工程d)の間に容易に濡れる、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法を実装するシステム。
- 集積回路の製造方法であって、
a)金属のブランケット層を含む、部分的に製造された集積回路のウェハを製造する工程と;
b)前記ウェハに有機フォトレジスト材料を塗布し、前記フォトレジスト材料をパターニングして、所定の位置の上に凹部を形成する工程と;
c)プラズマ放電を介してガス流を流し、前記パターニングされたフォトレジスト材料の上を流れる活性化されたガス流を生成する工程であって、前記活性化されたガス流が、プラズマ活性化還元種を含み、励起された希ガス原子を含み、前記フォトレジストの表面から室内雰囲気を排除するように前記ウェハに近接して、ほぼ大気圧で流される工程と;
d)メッキ浴を使用して、前記凹部の位置で前記金属の領域に導電性材料をメッキすることにより、前記凹部の前記位置にメッキされた金属層を形成する工程、の連続作動を含む方法であり、
工程c)が、アッシングを必要とせずにデスカミングを行い、前記フォトレジスト材料をより親水性にし、前記金属の領域の酸化物を還元し、
前記メッキ浴が、前記凹部の前記側壁を含むフォトレジスト材料を濡らすことにより、前記メッキ浴が前記凹部を横切って流れる際の気泡の形成を回避する、集積回路の製造方法。 - 前記凹部が、拡張溝およびより小さな分離構造を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記凹部が、その最小幅よりも大きい最大深さを有する、請求項9に記載の方法。
- 工程c)の後であって工程d)の前に、前記パターニングされたフォトレジスト材料を一時的に濡らすことによって、前記活性を安定化し維持する追加の工程をさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記希ガスがヘリウムである、請求項9に記載の方法。
- 露出した前記金属層を不動態化するために、窒素を前記プラズマ活性化ガス流中に含むことにより、メッキ前の前記金属の再酸化を回避する、請求項9に記載の方法。
- 工程a)が、前記ウェハの表面のエッジの周りの狭い帯域を除く、前記ウェハの全ての表面に、前記フォトレジストの材料を塗布する、請求項9に記載の方法。
- 前記フォトレジストを剥離する後続の工程をさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 請求項9に記載の方法を実装するシステム。
- 集積回路の製造方法であって、
a)金属のブランケット層を含む、部分的に製造された集積回路のウェハを製造する工程と;
b)前記部分的に製造された集積回路に有機フォトレジスト材料を塗布し、前記フォトレジスト材料をパターニングして、前記金属のブランケット層内の所定の位置を露出させる凹部を形成する工程と;
c)前記パターニングされたフォトレジスト材料の上にプラズマ活性化ガス流を流すことにより、表面をより親水性にする工程と;
c2)前記パターニングされたフォトレジスト材料を水溶液で一時的に濡らすことにより、極性分子との活性化された表面結合を終端させる機構によって、前記活性を安定化および維持する工程と;
d)メッキ浴を使用して、前記所定のパッド(pad)位置で、前記金属の領域に導電性材料をメッキすることにより、前記凹部の前記位置にメッキされた金属層を形成する工程、の連続作動を含む方法であり、
長期間の経過後であっても、前記メッキ浴が、露出した前記金属層、および、前記凹部の前記側壁を含む前記フォトレジスト材料を濡らすことにより、前記メッキ浴が前記凹部および前記金属層を横切って流れる際の気泡の形成を排除する、集積回路の製造方法。 - 前記水溶液が純水である、請求項18に記載の方法。
- 工程a)が、前記ウェハの表面のエッジの周りの狭い帯域を除く、前記ウェハの全ての表面に前記フォトレジストの材料を塗布する、請求項18に記載の方法。
- 前記フォトレジストを剥離する後続の工程をさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 請求項18に記載の方法を実装するシステム。
- 集積回路の製造方法であって、
a)金属のブランケット層を含む、部分的に製造された集積回路のウェハを製造する工程と;
b)前記ウェハに有機フォトレジスト材料を塗布し、前記フォトレジスト材料をパターニングして、所定の位置に凹部を形成する工程と;
c)プラズマ放電を介してガス流を流し、前記パターニングされたフォトレジスト材料の上を流れる活性化されたガス流を生成する工程であって、前記活性化されたガス流が、プラズマ活性化還元種を含み、励起された希ガス原子を含み、プラズマ活性化窒素を含み、前記フォトレジストの表面から室内雰囲気を排除するように前記ウェハに近接して、ほぼ大気圧で流される工程と;
d)メッキ浴を使用して、前記所定の位置で前記金属の層上に導電性材料を電気メッキすることにより、前記凹部の前記位置にメッキされた金属層を形成する工程、の連続作動を含む方法であり
工程c)が、アッシングを必要とせずにデスカミングを行い、前記フォトレジスト材料をより親水性にし、前記金属の領域の酸化物を還元し、前記金属の領域を再酸化に対向して不動態化し、
前記メッキ浴が、露出した前記金属層、および、前記凹部の前記側壁を含むフォトレジスト材料を濡らすことにより、前記メッキ浴が前記凹部を横切って流れる際の気泡の形成を回避する、集積回路の製造方法。 - 前記凹部が、拡張溝およびより小さな分離構造を含む、請求項23に記載の方法。
- 前記凹部が、その最小幅よりも大きい最大深さを有する、請求項23に記載の方法。
- 工程c)の後であって工程d)の前に、前記パターニングされたフォトレジスト材料を一時的に濡らすことによって、前記活性を安定化し維持する追加の工程をさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 前記希ガスがヘリウムである、請求項23に記載の方法。
- 工程a)が、前記ウェハの表面のエッジの周りの狭い帯域を除く、前記ウェハの全ての表面に前記フォトレジストの材料を塗布する、請求項23に記載の方法。
- 前記フォトレジストを剥離する後続の工程をさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 請求項23に記載の方法を実装するシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462078598P | 2014-11-12 | 2014-11-12 | |
US62/078,598 | 2014-11-12 | ||
PCT/US2015/060477 WO2016077645A1 (en) | 2014-11-12 | 2015-11-12 | Simultaneous hydrophilization of photoresist surface and metal surface preparation: methods, systems, and products |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018503266A true JP2018503266A (ja) | 2018-02-01 |
JP6636534B2 JP6636534B2 (ja) | 2020-01-29 |
Family
ID=55955084
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017544843A Active JP6636534B2 (ja) | 2014-11-12 | 2015-11-12 | フォトレジスト表面および金属表面処理の同時親水化:方法、システム、および製品 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10438804B2 (ja) |
EP (1) | EP3218923A4 (ja) |
JP (1) | JP6636534B2 (ja) |
KR (1) | KR20170106300A (ja) |
CN (1) | CN107429418A (ja) |
SG (1) | SG11201704100RA (ja) |
WO (1) | WO2016077645A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021063306A (ja) * | 2016-03-04 | 2021-04-22 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110760896A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-07 | 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 | 一种工作版的防皱电铸工艺 |
US11569159B2 (en) | 2019-08-30 | 2023-01-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and formation method of chip package with through vias |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4367123A (en) * | 1980-07-09 | 1983-01-04 | Olin Corporation | Precision spot plating process and apparatus |
US4865245A (en) | 1987-09-24 | 1989-09-12 | Santa Barbara Research Center | Oxide removal from metallic contact bumps formed on semiconductor devices to improve hybridization cold-welds |
US6471115B1 (en) | 1990-02-19 | 2002-10-29 | Hitachi, Ltd. | Process for manufacturing electronic circuit devices |
FR2697456B1 (fr) | 1992-10-30 | 1994-12-23 | Air Liquide | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche. |
JP3194553B2 (ja) | 1993-08-13 | 2001-07-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
FR2735053B1 (fr) | 1995-06-09 | 1997-07-25 | Air Liquide | Procede et dispositif de brasage a la vague integrant une operation de fluxage par voie seche |
US5918794A (en) | 1995-12-28 | 1999-07-06 | Lucent Technologies Inc. | Solder bonding of dense arrays of microminiature contact pads |
US5928527A (en) | 1996-04-15 | 1999-07-27 | The Boeing Company | Surface modification using an atmospheric pressure glow discharge plasma source |
EP2270845A3 (en) | 1996-10-29 | 2013-04-03 | Invensas Corporation | Integrated circuits and methods for their fabrication |
US6277725B1 (en) | 1999-07-07 | 2001-08-21 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating passivation layer on metal pad |
US6468833B2 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-22 | American Air Liquide, Inc. | Systems and methods for application of substantially dry atmospheric plasma surface treatment to various electronic component packaging and assembly methods |
US6444576B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-09-03 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Three dimensional IC package module |
US6586323B1 (en) | 2000-09-18 | 2003-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for dual-layer polyimide processing on bumping technology |
JP2002368389A (ja) | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Works Ltd | プリント配線板の処理方法及びプリント配線板の処理装置 |
US20030027427A1 (en) * | 2001-08-06 | 2003-02-06 | Applied Materials, Inc. | Integrated system for oxide etching and metal liner deposition |
JP3836375B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2006-10-25 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6712260B1 (en) | 2002-04-18 | 2004-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Bump reflow method by inert gas plasma |
US20040018715A1 (en) | 2002-07-25 | 2004-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a surface of a material layer |
US20060234472A1 (en) | 2002-12-04 | 2006-10-19 | Markus Gabriel | Method and device for pre-treating surfaces of substrates to be bonded |
KR100471454B1 (ko) * | 2003-01-17 | 2005-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 테이프 서브스트레이트 기판의 제조 방법 |
US20070048447A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Alan Lee | System and method for forming patterned copper lines through electroless copper plating |
US6962835B2 (en) | 2003-02-07 | 2005-11-08 | Ziptronix, Inc. | Method for room temperature metal direct bonding |
US7079370B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-07-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique electron attachment and remote ion generation |
JP2004353004A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Ebara Corp | めっき装置 |
JP4846201B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2011-12-28 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
US6927493B2 (en) * | 2003-10-03 | 2005-08-09 | Texas Instruments Incorporated | Sealing and protecting integrated circuit bonding pads |
US8747960B2 (en) * | 2005-08-31 | 2014-06-10 | Lam Research Corporation | Processes and systems for engineering a silicon-type surface for selective metal deposition to form a metal silicide |
TW200711154A (en) | 2005-09-08 | 2007-03-16 | Advanced Semiconductor Eng | Flip-chip packaging process |
TWI387016B (zh) * | 2009-03-25 | 2013-02-21 | Univ Nat Chiao Tung | 高分子基板之高頻覆晶封裝製程及其結構 |
US8153510B2 (en) | 2009-05-01 | 2012-04-10 | Power Gold LLC | Semiconductor bond pad patterns and method of formation |
US8567658B2 (en) * | 2009-07-20 | 2013-10-29 | Ontos Equipment Systems, Inc. | Method of plasma preparation of metallic contacts to enhance mechanical and electrical integrity of subsequent interconnect bonds |
US8163094B1 (en) | 2009-07-23 | 2012-04-24 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method to improve indium bump bonding via indium oxide removal using a multi-step plasma process |
TWI411075B (zh) | 2010-03-22 | 2013-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝件及其製造方法 |
US9613825B2 (en) * | 2011-08-26 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip processes for improved device integrity |
US8967452B2 (en) | 2012-04-17 | 2015-03-03 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Thermal compression bonding of semiconductor chips |
JP6385198B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2018-09-05 | 日東電工株式会社 | 回路付サスペンション基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-11-12 EP EP15858953.1A patent/EP3218923A4/en active Pending
- 2015-11-12 WO PCT/US2015/060477 patent/WO2016077645A1/en active Application Filing
- 2015-11-12 JP JP2017544843A patent/JP6636534B2/ja active Active
- 2015-11-12 CN CN201580072728.8A patent/CN107429418A/zh active Pending
- 2015-11-12 SG SG11201704100RA patent/SG11201704100RA/en unknown
- 2015-11-12 US US14/940,052 patent/US10438804B2/en active Active - Reinstated
- 2015-11-12 KR KR1020177015808A patent/KR20170106300A/ko not_active Application Discontinuation
-
2019
- 2019-08-27 US US16/552,314 patent/US10985024B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021063306A (ja) * | 2016-03-04 | 2021-04-22 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
JP7029556B2 (ja) | 2016-03-04 | 2022-03-03 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160172198A1 (en) | 2016-06-16 |
SG11201704100RA (en) | 2017-06-29 |
CN107429418A (zh) | 2017-12-01 |
JP6636534B2 (ja) | 2020-01-29 |
EP3218923A4 (en) | 2018-07-25 |
KR20170106300A (ko) | 2017-09-20 |
US20200234958A1 (en) | 2020-07-23 |
US10438804B2 (en) | 2019-10-08 |
EP3218923A1 (en) | 2017-09-20 |
US10985024B2 (en) | 2021-04-20 |
WO2016077645A1 (en) | 2016-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9837284B2 (en) | Oxide etch selectivity enhancement | |
US9275834B1 (en) | Selective titanium nitride etch | |
TWI746728B (zh) | 半導體處理裝置 | |
US9449843B1 (en) | Selectively etching metals and metal nitrides conformally | |
JP6230954B2 (ja) | エッチング方法 | |
US11791181B2 (en) | Methods for the treatment of workpieces | |
TW201841257A (zh) | 自限制原子熱蝕刻系統及方法 | |
US10985024B2 (en) | Simultaneous hydrophilization of photoresist and metal surface preparation: methods, systems, and products | |
JP6735408B2 (ja) | 酸ハロゲン化物を用いた原子層エッチング | |
WO2013066667A1 (en) | Dry etch processes | |
JP2020529513A (ja) | シリコンベース誘電体への選択的堆積のための方法 | |
JP6824241B2 (ja) | 調節可能な遠隔解離 | |
JP6609535B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2021515394A (ja) | 空隙を形成するためのシステム及び方法 | |
KR101179111B1 (ko) | 에칭 방법 및 기억 매체 | |
KR20210049173A (ko) | 에칭 방법 | |
TWI785783B (zh) | 用於選擇性金屬化合物移除之系統及方法 | |
US10985026B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and substrate processing system | |
JP3329199B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
US20160068969A1 (en) | Integrated processing for microcontamination prevention | |
JP2011100822A (ja) | 半導体素子加工方法 | |
Schulte et al. | Utilization of atmospheric plasma surface preparation to improve Copper plating processes | |
JP2005086080A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR19990002648A (ko) | 반도체 소자의 산화막 형성 방법 | |
Ohmi | Proposal of Advanced Wet Cleaning of Silicon Surface |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6636534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |