JP3329199B2 - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において、半導体ウエハ等の半導体基板の表面およ
び半導体製造装置の内壁や治具等をクリーニングし、ま
た成膜、ドライエッチング等の工程時に前記クリーニン
グを行なう半導体装置の製造方法及び製造装置に関す
る。
工程において、半導体ウエハ等の半導体基板の表面およ
び半導体製造装置の内壁や治具等をクリーニングし、ま
た成膜、ドライエッチング等の工程時に前記クリーニン
グを行なう半導体装置の製造方法及び製造装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板の表面に形成され
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、パ
ターンの線幅が微細化してきている。最小加工寸法は６
４ＭｂｉｔＤＲＡＭで０.３μｍ、２５６ＭｂｉｔＤＲ
ＡＭで０.２μｍであり、その製造工程において微量な
汚染が製品の品質や歩留まりを著しく低下させている。
汚染としては、微小異物、金属汚染、有機物汚染等が考
えられるが、工程によっては自然酸化膜も除去すべきも
の（汚染の一種）と考えておかねばならない。
る集積回路は、近年ますます集積度が増加しており、パ
ターンの線幅が微細化してきている。最小加工寸法は６
４ＭｂｉｔＤＲＡＭで０.３μｍ、２５６ＭｂｉｔＤＲ
ＡＭで０.２μｍであり、その製造工程において微量な
汚染が製品の品質や歩留まりを著しく低下させている。
汚染としては、微小異物、金属汚染、有機物汚染等が考
えられるが、工程によっては自然酸化膜も除去すべきも
の（汚染の一種）と考えておかねばならない。
【０００３】現行のウエハ洗浄手段としては、アールシ
ーエーレビュー３１（１９７０年）第１８７頁から２０
６頁［ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ，３１（１９７０）Ｐ．１
８７〜２０６］で述べられているように、アンモニア水
と過酸化水素水の混合物や塩酸と過酸化水素水の混合物
を８０℃程度に加熱し、これにウエハを浸漬する方法
（ＲＣＡ洗浄）が一般に行なわれている。これらの手法
は微小異物、金属汚染、有機物汚染を除去するものであ
る。また、自然酸化膜の除去にはフッ酸水浴液が用いら
れている。これらのウエット洗浄法は液中で処理するた
め、除去した汚染の再付着や新たな汚染の付着が不可避
であること、高段差部分や複雑な素子構造への液浸透が
充分でないことなどの理由で、早晩限界が生ずることが
予想されている。
ーエーレビュー３１（１９７０年）第１８７頁から２０
６頁［ＲＣＡ Ｒｅｖｉｅｗ，３１（１９７０）Ｐ．１
８７〜２０６］で述べられているように、アンモニア水
と過酸化水素水の混合物や塩酸と過酸化水素水の混合物
を８０℃程度に加熱し、これにウエハを浸漬する方法
（ＲＣＡ洗浄）が一般に行なわれている。これらの手法
は微小異物、金属汚染、有機物汚染を除去するものであ
る。また、自然酸化膜の除去にはフッ酸水浴液が用いら
れている。これらのウエット洗浄法は液中で処理するた
め、除去した汚染の再付着や新たな汚染の付着が不可避
であること、高段差部分や複雑な素子構造への液浸透が
充分でないことなどの理由で、早晩限界が生ずることが
予想されている。
【０００４】そこで、プラズマ、光、熱で励起した活性
分子や活性原子によりウエハを気相中で洗浄するドライ
洗浄法が提案されている。ドライ洗浄法は汚染の再付着
が原理的に起こり得ず、高段差部分の洗浄が容易と考え
られ、上記ウエット洗浄の問題点を解決するものであ
る。ドライ洗浄法の例としては、特開昭６２−４２５３
０号公報で述べられているように、塩素ガスに紫外光を
照射することでＳｉウエハ上の金属汚染を除去する方法
や、特開平４−７５３２４号公報で述べられているよう
に、酸素ガスにプラズマを印加してＳｉウエハ上の有機
物を除去する方法や、特開平１−７７１２０号公報で述
べられているように、フッ素系ガスにプラズマを印加し
て自然酸化膜を除去する方法等が知られている。
分子や活性原子によりウエハを気相中で洗浄するドライ
洗浄法が提案されている。ドライ洗浄法は汚染の再付着
が原理的に起こり得ず、高段差部分の洗浄が容易と考え
られ、上記ウエット洗浄の問題点を解決するものであ
る。ドライ洗浄法の例としては、特開昭６２−４２５３
０号公報で述べられているように、塩素ガスに紫外光を
照射することでＳｉウエハ上の金属汚染を除去する方法
や、特開平４−７５３２４号公報で述べられているよう
に、酸素ガスにプラズマを印加してＳｉウエハ上の有機
物を除去する方法や、特開平１−７７１２０号公報で述
べられているように、フッ素系ガスにプラズマを印加し
て自然酸化膜を除去する方法等が知られている。
【０００５】ドライ洗浄技術は現在一部工程でのみ用い
られているが、上記した有用性から近い将来広く用いら
れるものと考えられている。特に有用な工程としては、
スパッタ、ＣＶＤ等の成膜前の洗浄や、ドライエッチン
グ後の反応生成物残渣除去のための洗浄が挙げられ、成
膜やドライエッチングと同一チャンバで連続して行なう
ことが可能である。
られているが、上記した有用性から近い将来広く用いら
れるものと考えられている。特に有用な工程としては、
スパッタ、ＣＶＤ等の成膜前の洗浄や、ドライエッチン
グ後の反応生成物残渣除去のための洗浄が挙げられ、成
膜やドライエッチングと同一チャンバで連続して行なう
ことが可能である。
【０００６】一方、ＣＶＤ、スパッタ等の成膜装置やド
ライエッチング装置においては、装置内壁や治具等に付
着物が形成されることが多く、これが剥がれることでウ
エハ上に異物となって付着してしまい、歩留りを低下さ
せてしまうことが多い。このため、特開昭６３−１６０
３３５号公報で述べられているように、ハロゲン系ガス
にプラズマを印加したり、特開昭６４−１７８５７号公
報で述べられているように、三フッ化塩素ガスを装置内
に導入し加熱する手法等で装置内壁等の付着物を除去す
ることが行なわれている。
ライエッチング装置においては、装置内壁や治具等に付
着物が形成されることが多く、これが剥がれることでウ
エハ上に異物となって付着してしまい、歩留りを低下さ
せてしまうことが多い。このため、特開昭６３−１６０
３３５号公報で述べられているように、ハロゲン系ガス
にプラズマを印加したり、特開昭６４−１７８５７号公
報で述べられているように、三フッ化塩素ガスを装置内
に導入し加熱する手法等で装置内壁等の付着物を除去す
ることが行なわれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、ウ
エハドライ洗浄と装置内壁クリーニングは類似の方法に
よってなされるにもかかわらず、従来は全く別の工程と
してとらえられている。すなわち、成膜装置を例として
従来法を図１に示す。図１は時間を横軸として、成膜処
理や装置のクリーニングがどのように行なわれているか
を示したものである。現行の１６ＭｂｉｔＤＲＡＭ製造
工程では、まだウエハのドライ洗浄は広く用いられてい
るわけではなく、図１に示すようにウエハを所定枚成膜
処理した後に、装置クリーニングを行なっており、装置
クリーニングの間ウエハは処理されない。現行の一部の
工程および２５６Ｍ以降ではほとんどの成膜工程におい
ては、図２に示すように成膜前にドライ洗浄が行なわれ
るものと考えられる。この際も、ウエハを所定枚処理し
た後に、装置クリーニングを行ない、装置クリーニング
の間ウエハは処理されない。
エハドライ洗浄と装置内壁クリーニングは類似の方法に
よってなされるにもかかわらず、従来は全く別の工程と
してとらえられている。すなわち、成膜装置を例として
従来法を図１に示す。図１は時間を横軸として、成膜処
理や装置のクリーニングがどのように行なわれているか
を示したものである。現行の１６ＭｂｉｔＤＲＡＭ製造
工程では、まだウエハのドライ洗浄は広く用いられてい
るわけではなく、図１に示すようにウエハを所定枚成膜
処理した後に、装置クリーニングを行なっており、装置
クリーニングの間ウエハは処理されない。現行の一部の
工程および２５６Ｍ以降ではほとんどの成膜工程におい
ては、図２に示すように成膜前にドライ洗浄が行なわれ
るものと考えられる。この際も、ウエハを所定枚処理し
た後に、装置クリーニングを行ない、装置クリーニング
の間ウエハは処理されない。
【０００８】従って、ウエハドライ洗浄と装置クリーニ
ングを同時に行なうことができれば、装置クリーニング
の時間が省略でき、半導体装置の製造時のスループット
が大幅に向上し、製造期間を短縮できるというはかりし
れないメリットがある。しかしながら、単純にこれを行
なうと、ウエハ洗浄、装置内壁クリーニングともに不十
分なものとなるため、簡単に実用に供することはできな
い。何故なら、ウエハドライ洗浄と装置内壁クリーニン
グは類似の方法ではあるが、適するガス、励起方法やプ
ラズマ条件等の反応条件が異なっているためである。以
上述べたことは、ドライエッチング工程においても全く
同様のことが成り立つ。
ングを同時に行なうことができれば、装置クリーニング
の時間が省略でき、半導体装置の製造時のスループット
が大幅に向上し、製造期間を短縮できるというはかりし
れないメリットがある。しかしながら、単純にこれを行
なうと、ウエハ洗浄、装置内壁クリーニングともに不十
分なものとなるため、簡単に実用に供することはできな
い。何故なら、ウエハドライ洗浄と装置内壁クリーニン
グは類似の方法ではあるが、適するガス、励起方法やプ
ラズマ条件等の反応条件が異なっているためである。以
上述べたことは、ドライエッチング工程においても全く
同様のことが成り立つ。
【０００９】本発明の目的は上記従来の問題点を解消す
ることにあり、その第１の目的はウエハドライ洗浄と半
導体製造装置の内壁クリーニングを同時に適切に行なう
方法を、第２の目的はそれを実現できる装置を、それぞ
れ提供することにある。
ることにあり、その第１の目的はウエハドライ洗浄と半
導体製造装置の内壁クリーニングを同時に適切に行なう
方法を、第２の目的はそれを実現できる装置を、それぞ
れ提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】ウエハドライ洗浄ではウ
エハへのダメージを防ぐこと（汚染以外の半導体装置を
構成する薄膜のエッチングレートが小さいこと）が重要
であるのに対し、装置内壁クリーニングでは、汚染が強
固に付着しているため激しい反応（エッチングレートが
大きいこと）が必要である。本発明はウエハ面と装置内
壁等での温度、プラズマ分布、ガス流量、ガス成分等を
制御することで、ウエハ洗浄、装置内壁クリーニングと
もに最適条件とするものである。その結果、ウエハと装
置内壁のクリーニングが同時に行なえるため、図１，２
に示す従来行なっていた装置クリーニングを省略でき、
製造装置を生産にフル活用することができる。
エハへのダメージを防ぐこと（汚染以外の半導体装置を
構成する薄膜のエッチングレートが小さいこと）が重要
であるのに対し、装置内壁クリーニングでは、汚染が強
固に付着しているため激しい反応（エッチングレートが
大きいこと）が必要である。本発明はウエハ面と装置内
壁等での温度、プラズマ分布、ガス流量、ガス成分等を
制御することで、ウエハ洗浄、装置内壁クリーニングと
もに最適条件とするものである。その結果、ウエハと装
置内壁のクリーニングが同時に行なえるため、図１，２
に示す従来行なっていた装置クリーニングを省略でき、
製造装置を生産にフル活用することができる。
【００１１】本発明は、ウエハ、装置クリーニングを同
時に行なっても良いし、逐次的に行なっても良い。ここ
で言う逐次的とは、ウエハ、装置を交互にクリーニング
したり、ウエハを処理した後、ウエハをロードしている
間に装置をクリーニングしたり、とにかく従来法のよう
にウエハの導入を止めて装置だけをクリーニングする時
間を特別に設けるということを行なわない方法をすべて
含んでいる。
時に行なっても良いし、逐次的に行なっても良い。ここ
で言う逐次的とは、ウエハ、装置を交互にクリーニング
したり、ウエハを処理した後、ウエハをロードしている
間に装置をクリーニングしたり、とにかく従来法のよう
にウエハの導入を止めて装置だけをクリーニングする時
間を特別に設けるということを行なわない方法をすべて
含んでいる。
【００１２】また、本発明は図４に示すように、装置ク
リーニングをウエハ処理毎に行なう必要はなく、例えば
何枚かのウエハを処理する間に１回装置クリーニングを
行なうことでも達成できる。
リーニングをウエハ処理毎に行なう必要はなく、例えば
何枚かのウエハを処理する間に１回装置クリーニングを
行なうことでも達成できる。
【００１３】また、具体的なクリーニング手段として
は、フッ素系ガス、塩素系ガス、酸素、水素等をプラズ
マ、光、熱で励起して汚染と反応させるもので、これら
を単独で用いても良いし、組み合わせても良い。一般
に、組み合わせることで本発明の効果は大きくなること
が多い。
は、フッ素系ガス、塩素系ガス、酸素、水素等をプラズ
マ、光、熱で励起して汚染と反応させるもので、これら
を単独で用いても良いし、組み合わせても良い。一般
に、組み合わせることで本発明の効果は大きくなること
が多い。
【００１４】本発明はウエハの集積回路形成面のみなら
ず、ウエハの裏面に適用しても良い。すなわち、ウエハ
の裏面クリーニングと装置内壁クリーニングを同時ある
いは逐次的に行なっても良い。この場合、集積回路形成
面ほどウエハのダメージに留意しなくても良いが、クリ
ーニングガスのウエハ集積回路面への回り込みを防ぐ必
要がある。
ず、ウエハの裏面に適用しても良い。すなわち、ウエハ
の裏面クリーニングと装置内壁クリーニングを同時ある
いは逐次的に行なっても良い。この場合、集積回路形成
面ほどウエハのダメージに留意しなくても良いが、クリ
ーニングガスのウエハ集積回路面への回り込みを防ぐ必
要がある。
【００１５】また、本発明の成膜装置、ドライエッチン
グ装置は、上記手法を実現するための温度制御系、プラ
ズマ制御系、ガス導入制御系等を従来の成膜装置、ドラ
イエッチング装置に組み合わせたものである。また、ウ
エハおよび装置内壁の清浄度をモニタによりチェックす
る機能を有することは、製造される半導体装置の性能を
保証するために有益であり、上記装置にモニタを組み合
わせても良い。
グ装置は、上記手法を実現するための温度制御系、プラ
ズマ制御系、ガス導入制御系等を従来の成膜装置、ドラ
イエッチング装置に組み合わせたものである。また、ウ
エハおよび装置内壁の清浄度をモニタによりチェックす
る機能を有することは、製造される半導体装置の性能を
保証するために有益であり、上記装置にモニタを組み合
わせても良い。
【００１６】ウエハドライ洗浄を行なった際のウエハへ
のダメージは、半導体回路を形成する薄膜のエッチング
レートで評価することができる。ウエハ上の汚染を除去
した上で、半導体回路を形成する薄膜のエッチングレー
トはできるだけ小さいことが要求される。また、装置ク
リーニングに際して、エッチングレートはある程度以上
に大きいことが必要である。このような異なる要求を満
足できるかどうか、いくつかのガスについてそのエッチ
ングレートを測定した。
のダメージは、半導体回路を形成する薄膜のエッチング
レートで評価することができる。ウエハ上の汚染を除去
した上で、半導体回路を形成する薄膜のエッチングレー
トはできるだけ小さいことが要求される。また、装置ク
リーニングに際して、エッチングレートはある程度以上
に大きいことが必要である。このような異なる要求を満
足できるかどうか、いくつかのガスについてそのエッチ
ングレートを測定した。
【００１７】三フッ化塩素はシリコン酸化膜をエッチン
グすることが知られており、従来技術の項で述べたよう
に装置クリーニングに用いられている。このガスによる
シリコン酸化膜のエッチングレートの温度依存性を調べ
た結果を図５に示す。エッチングレートは温度に大きく
依存しており、低温で用いればウエハ面にも十分使用で
きることがわかる。従って、ウエハ面と装置内壁の温度
を制御することで、ウエハと装置内壁の同時洗浄が十分
可能であることがわかった。
グすることが知られており、従来技術の項で述べたよう
に装置クリーニングに用いられている。このガスによる
シリコン酸化膜のエッチングレートの温度依存性を調べ
た結果を図５に示す。エッチングレートは温度に大きく
依存しており、低温で用いればウエハ面にも十分使用で
きることがわかる。従って、ウエハ面と装置内壁の温度
を制御することで、ウエハと装置内壁の同時洗浄が十分
可能であることがわかった。
【００１８】また、三フッ化窒素はプラズマで励起する
ことによりシリコン酸化膜をエッチングできるため、ウ
エハ洗浄にも装置内壁クリーニングにも用いることがで
きる。ただし、その最適ブラズマ条件は異なっている。
図６に示すようにプラズマパワによってエッチングレー
トは異なっている。従って、ウエハ面と装置内壁でのプ
ラズマ密度を制御することで、ウエハと装置内壁の同時
洗浄が十分可能であると言える。
ことによりシリコン酸化膜をエッチングできるため、ウ
エハ洗浄にも装置内壁クリーニングにも用いることがで
きる。ただし、その最適ブラズマ条件は異なっている。
図６に示すようにプラズマパワによってエッチングレー
トは異なっている。従って、ウエハ面と装置内壁でのプ
ラズマ密度を制御することで、ウエハと装置内壁の同時
洗浄が十分可能であると言える。
【００１９】以上あげたものはほんの一例であるが、ウ
エハ面、装置内壁での温度、プラズマ分布、ガス流量、
ガス成分等を制御することでウエハ洗浄、装置内壁クリ
ーニングそれぞれについて最適条件を実現できる。
エハ面、装置内壁での温度、プラズマ分布、ガス流量、
ガス成分等を制御することでウエハ洗浄、装置内壁クリ
ーニングそれぞれについて最適条件を実現できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施例
によって詳細に説明する。 （実施例１）図７に示す装置を用いて実験した。図７に
おいて、１は真空チャンバ、２は試料ウエハ、３は加熱
試料台、４はガス導入系、５はキャビティ、６はマイク
ロ波電源、７は壁面加熱用ヒータ、８は真空排気装置で
ある。
によって詳細に説明する。 （実施例１）図７に示す装置を用いて実験した。図７に
おいて、１は真空チャンバ、２は試料ウエハ、３は加熱
試料台、４はガス導入系、５はキャビティ、６はマイク
ロ波電源、７は壁面加熱用ヒータ、８は真空排気装置で
ある。
【００２１】ガス導入系４よりガスを導入でき、またキ
ャビティ５によりプラスマ化できる機能を有する。加熱
試料台３および壁面加熱用ヒータ７により、試料ウエハ
２および装置内壁を加熱することができ、ウエハ面、装
置内壁の温度分布を自由に変化させることができる。ま
た、ガス導入系４より成膜ガスを導入し、ウエハおよび
装置内壁へ所望の薄膜を形成することができる。
ャビティ５によりプラスマ化できる機能を有する。加熱
試料台３および壁面加熱用ヒータ７により、試料ウエハ
２および装置内壁を加熱することができ、ウエハ面、装
置内壁の温度分布を自由に変化させることができる。ま
た、ガス導入系４より成膜ガスを導入し、ウエハおよび
装置内壁へ所望の薄膜を形成することができる。
【００２２】シラン系ガスと酸素ガスをガス導入口４よ
り流すことで、ウエハ面と装置内壁にシリコン酸化膜を
形成した。次に、加熱試料台３および壁面加熱用ヒータ
７を用いてウエハおよび装置内壁の温度分布を同時に制
御しながら三フッ化塩素ガスをプラズマ化せずにガス導
入口４より流し、ウエハ面および装置内壁に形成された
シリコン酸化膜のエッチングレートの違いを調べた。表
１にウエハ温度および装置内壁温度の組み合わせとエッ
チングレート比の関係を示す。
り流すことで、ウエハ面と装置内壁にシリコン酸化膜を
形成した。次に、加熱試料台３および壁面加熱用ヒータ
７を用いてウエハおよび装置内壁の温度分布を同時に制
御しながら三フッ化塩素ガスをプラズマ化せずにガス導
入口４より流し、ウエハ面および装置内壁に形成された
シリコン酸化膜のエッチングレートの違いを調べた。表
１にウエハ温度および装置内壁温度の組み合わせとエッ
チングレート比の関係を示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】温度差をつけることで、ウエハ面と装置内
壁のエッチングレート比を大きくすることができた。エ
ッチングレート比は最大で５０程度とすることができ
た。
壁のエッチングレート比を大きくすることができた。エ
ッチングレート比は最大で５０程度とすることができ
た。
【００２５】（実施例２）図８に示す装置を用いて実験
した。図８において、図７と同一符号は同一要素を示
し、９はＥＣＲマイクロ波エッチング装置、１０は石英
板、１１はコイル、１２はマイクロ波発生装置、１３は
導波管である。
した。図８において、図７と同一符号は同一要素を示
し、９はＥＣＲマイクロ波エッチング装置、１０は石英
板、１１はコイル、１２はマイクロ波発生装置、１３は
導波管である。
【００２６】マイクロ波発生装置１２により発生させた
マイクロ波を導波管１３により導き、コイル１１で磁場
を発生させ、ガス導入系４より導入したガスをプラズマ
化する。コイル１１を制御することでプラズマ分布を変
えることができる。また、実施例１と同様にして、ウエ
ハ２および石英板１０の表面に薄膜を形成することがで
きる。
マイクロ波を導波管１３により導き、コイル１１で磁場
を発生させ、ガス導入系４より導入したガスをプラズマ
化する。コイル１１を制御することでプラズマ分布を変
えることができる。また、実施例１と同様にして、ウエ
ハ２および石英板１０の表面に薄膜を形成することがで
きる。
【００２７】シラン系ガスをガス導入口４より流すこと
で、ウエハ２および石英板１０の表面にポリシリコン膜
を形成した。ガス導入口４より塩素ガスを導入し、プラ
ズマを発生させた。コイル１１によりプラズマ分布を制
御することでプラズマ密度の高いＥＣＲ点と呼ばれる部
分を石英板１０の表面に近づけた。表２にＥＣＲ点のお
およその位置と、ウエハ２および石英板１０の表面にお
けるポリシリコン膜のエッチングレート比の関係を示
す。
で、ウエハ２および石英板１０の表面にポリシリコン膜
を形成した。ガス導入口４より塩素ガスを導入し、プラ
ズマを発生させた。コイル１１によりプラズマ分布を制
御することでプラズマ密度の高いＥＣＲ点と呼ばれる部
分を石英板１０の表面に近づけた。表２にＥＣＲ点のお
およその位置と、ウエハ２および石英板１０の表面にお
けるポリシリコン膜のエッチングレート比の関係を示
す。
【００２８】
【表２】
【００２９】プラズマ密度の差をつくることで、ウエハ
面と装置内壁のエッチングレート比を大きくすることが
できた。本実施例ではエッチングレート比は最大で３０
程度となった。
面と装置内壁のエッチングレート比を大きくすることが
できた。本実施例ではエッチングレート比は最大で３０
程度となった。
【００３０】（実施例３）前述した図７に示す装置を用
いて実験した。シラン系ガスと酸素ガスをガス導入系４
より流すことで、ウエハ２面と装置内壁にシリコン酸化
膜を形成した。ガス導入系４より三窒化フッ素を流し、
キャビティ５によりプラズマ化する。次いで、装置壁面
を負のバイアスにすることで、壁面付近のプラズマ密度
を高くした。バイアス値と、ウエハおよび壁面における
シリコン酸化膜のエッチンググレート比の関係を表３に
示す。
いて実験した。シラン系ガスと酸素ガスをガス導入系４
より流すことで、ウエハ２面と装置内壁にシリコン酸化
膜を形成した。ガス導入系４より三窒化フッ素を流し、
キャビティ５によりプラズマ化する。次いで、装置壁面
を負のバイアスにすることで、壁面付近のプラズマ密度
を高くした。バイアス値と、ウエハおよび壁面における
シリコン酸化膜のエッチンググレート比の関係を表３に
示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】負のバイアスを加えることにより、ウエハ
面と装置内壁のエッチングレート比を大きくすることが
できた。本実施例ではエッチングレート比は最大で２５
程度となった。
面と装置内壁のエッチングレート比を大きくすることが
できた。本実施例ではエッチングレート比は最大で２５
程度となった。
【００３３】（実施例４）図９に示す装置を用いて実験
した。図９において、図７と同一符号は同一要素を示
し、１４はウエハ処理装置、１５、１６はガス導入系、
１７は邪魔板である。
した。図９において、図７と同一符号は同一要素を示
し、１４はウエハ処理装置、１５、１６はガス導入系、
１７は邪魔板である。
【００３４】３系統のガス導入系４、１５、１６を持
ち、そのうちの２系統４、１５はプラズマ化できる機能
を有する。試料ウエハ２および装置内壁は図７の実施例
同様加熱することができ、ガス導入系より導入するガス
を変えることで、ウエハ２および装置内壁へ所望の薄膜
を形成することができる。また、ウエハ面、装置内壁の
温度分布や、導入ガスの種類や成分比等を自由に変化さ
せることができる。
ち、そのうちの２系統４、１５はプラズマ化できる機能
を有する。試料ウエハ２および装置内壁は図７の実施例
同様加熱することができ、ガス導入系より導入するガス
を変えることで、ウエハ２および装置内壁へ所望の薄膜
を形成することができる。また、ウエハ面、装置内壁の
温度分布や、導入ガスの種類や成分比等を自由に変化さ
せることができる。
【００３５】ガス導入系１６よりシラン系ガスと酸素ガ
スを導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を
形成した。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しく
し、ガス導入系４および１５より異なった流量で三フッ
化塩素をプラズマ化せずに導入した。ウエハ面と装置内
壁に形成された酸化シリコン膜のエッチングレート比を
測定した結果を表４に示す。
スを導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を
形成した。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しく
し、ガス導入系４および１５より異なった流量で三フッ
化塩素をプラズマ化せずに導入した。ウエハ面と装置内
壁に形成された酸化シリコン膜のエッチングレート比を
測定した結果を表４に示す。
【００３６】
【表４】
【００３７】エッチングレートの比が最大で１２程度と
なった。また、可動の邪魔板１７を設けて実験したとこ
ろ、より良好な結果が得られた。これは、ガスが混合し
にくくなったためで、実用的に混合しにくくする方法は
他にもいろいろと考えられるであろう。
なった。また、可動の邪魔板１７を設けて実験したとこ
ろ、より良好な結果が得られた。これは、ガスが混合し
にくくなったためで、実用的に混合しにくくする方法は
他にもいろいろと考えられるであろう。
【００３８】（実施例５）図９に示した装置を用いて実
験した。ガス導入系１６よりシラン系ガスと酸素ガスを
流し、ウエハおよび装置内壁にシリコン酸化膜を形成し
た。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しくし、ガ
ス導入系１５よりプラズマ化しない三フッ化塩素を装置
内壁に、ガス導入系４よりプラズマ化した三フッ化窒素
をウエハ面に導入した。ウエハ面と装置内壁に形成され
た酸化シリコン膜のエッチングレート比を測定した結果
を表５に示す。
験した。ガス導入系１６よりシラン系ガスと酸素ガスを
流し、ウエハおよび装置内壁にシリコン酸化膜を形成し
た。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しくし、ガ
ス導入系１５よりプラズマ化しない三フッ化塩素を装置
内壁に、ガス導入系４よりプラズマ化した三フッ化窒素
をウエハ面に導入した。ウエハ面と装置内壁に形成され
た酸化シリコン膜のエッチングレート比を測定した結果
を表５に示す。
【００３９】
【表５】
【００４０】エッチングレートの比が最大で２５程度と
なった。
なった。
【００４１】（実施例６）図９に示した装置を用いて実
験した。ガス導入系１５よりシラン系ガスと酸素ガスを
導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を形成
した。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しくし、
ガス導入系１５よりプラズマ化した１００％三フッ化窒
素ガスを装置内壁に、ガス導入系４よりプラズマ化した
５〜３０％三フッ化窒素ガス（他はＡｒガス）をウエハ
面に導入した。各ガスの流量を等しくし、ウエハ面と装
置内壁に形成された酸化シリコン膜のエッチングレート
比を測定した結果を表６に示す。
験した。ガス導入系１５よりシラン系ガスと酸素ガスを
導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を形成
した。ウエハ面および装置内壁の温度をほぼ等しくし、
ガス導入系１５よりプラズマ化した１００％三フッ化窒
素ガスを装置内壁に、ガス導入系４よりプラズマ化した
５〜３０％三フッ化窒素ガス（他はＡｒガス）をウエハ
面に導入した。各ガスの流量を等しくし、ウエハ面と装
置内壁に形成された酸化シリコン膜のエッチングレート
比を測定した結果を表６に示す。
【００４２】
【表６】
【００４３】エッチングレートの比が最大となるもので
１１となった。
１１となった。
【００４４】（実施例７）図９に示した装置を用いて実
験した。ガス導入系１５よりシラン系ガスと酸素ガスを
導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を形成
した。ウエハ面および装置内壁を異なった温度に制御し
て、ガス導入系４および１５より異なった流量で三フッ
化塩素をプラズマ化せずに導入した。ウエハ面と装置内
壁に形成された酸化シリコン膜のエッチングレート比を
測定した結果を表７に示す。
験した。ガス導入系１５よりシラン系ガスと酸素ガスを
導入し、ウエハおよび装置内壁に酸化シリコン膜を形成
した。ウエハ面および装置内壁を異なった温度に制御し
て、ガス導入系４および１５より異なった流量で三フッ
化塩素をプラズマ化せずに導入した。ウエハ面と装置内
壁に形成された酸化シリコン膜のエッチングレート比を
測定した結果を表７に示す。
【００４５】
【表７】
【００４６】エッチングレートの比が最大で５５程度と
なり、本発明実施例の中では最大となった。すなわち、
いくつかの手法を組み合わせることで本発明の効果を高
めることができるものである。
なり、本発明実施例の中では最大となった。すなわち、
いくつかの手法を組み合わせることで本発明の効果を高
めることができるものである。
【００４７】（実施例８）図１０に示すようにウエハ１
８上に酸化膜１９を形成し、レジスト２０を塗布しリソ
グラフィにより孔部２１を形成した後、酸化膜をドライ
エッチングしレジストを除去してコンタクトホール２２
を形成した。
８上に酸化膜１９を形成し、レジスト２０を塗布しリソ
グラフィにより孔部２１を形成した後、酸化膜をドライ
エッチングしレジストを除去してコンタクトホール２２
を形成した。
【００４８】図９に示した装置で装置内壁のみに酸化シ
リコン膜を形成した後、コンタクトホール２２を形成し
た上記ウエハ１８を装着し、実施例５Ｎｏ．２４に示し
た条件で三塩化フッ素ガスおよびプラズマ化した三フッ
化窒素ガスを導入しクリーニングを行なった。この処理
によりコンタクトホール２２底部の自然酸化膜が除去で
きたので、引き続き同一チャンバ（１４）でウエハ１８
上にポリシリコン膜を形成した。ウエハ１８を取り出し
ポリシリコンのパターンニング等を行ないコンタクト抵
抗を測定したところ、装置内壁クリーニングを行なわず
に通常の三フッ化窒素ガスプラズマのみで処理した比較
例と比べてほぼ同等の値が得られた。また、装置内壁の
酸化シリコン膜はほぼ除去されていた。ウエハのドライ
洗浄に引き続き成膜を行なうこと、装置クリーニングの
両方が十分な効果をもって実現できることを実証した。
リコン膜を形成した後、コンタクトホール２２を形成し
た上記ウエハ１８を装着し、実施例５Ｎｏ．２４に示し
た条件で三塩化フッ素ガスおよびプラズマ化した三フッ
化窒素ガスを導入しクリーニングを行なった。この処理
によりコンタクトホール２２底部の自然酸化膜が除去で
きたので、引き続き同一チャンバ（１４）でウエハ１８
上にポリシリコン膜を形成した。ウエハ１８を取り出し
ポリシリコンのパターンニング等を行ないコンタクト抵
抗を測定したところ、装置内壁クリーニングを行なわず
に通常の三フッ化窒素ガスプラズマのみで処理した比較
例と比べてほぼ同等の値が得られた。また、装置内壁の
酸化シリコン膜はほぼ除去されていた。ウエハのドライ
洗浄に引き続き成膜を行なうこと、装置クリーニングの
両方が十分な効果をもって実現できることを実証した。
【００４９】（実施例９）図１１に示すようにウエハ１
８上にポリシリコン膜２３を形成した後、レジスト２０
を塗布しリソグラフィにより孔部２１を形成した。
８上にポリシリコン膜２３を形成した後、レジスト２０
を塗布しリソグラフィにより孔部２１を形成した。
【００５０】図９に示した装置で装置内壁のみにポリシ
リコン膜を形成した後、上記ウエハ１８を装着し、ガス
導入系４より塩素ガスを導入しキャビティによりプラズ
マ化し、ウエハ１８上のポリシリコンを図１０に示すよ
うにエッチングした。エッチング終了後、反応生成物に
よる残渣が残っていることを電子顕微鏡にて観測した。
次に実施例１Ｎｏ．２に示した条件すなわち、ウエハ温
度３００℃、装置内壁温度４００℃として三フッ化塩素
ガスを導入した。処理終了後、ウエハ１８を電子顕微鏡
により観察したところ、反応生成物による残渣は完全に
除去されていた。また、装置内壁の付着物もほぼ除去さ
れていた。
リコン膜を形成した後、上記ウエハ１８を装着し、ガス
導入系４より塩素ガスを導入しキャビティによりプラズ
マ化し、ウエハ１８上のポリシリコンを図１０に示すよ
うにエッチングした。エッチング終了後、反応生成物に
よる残渣が残っていることを電子顕微鏡にて観測した。
次に実施例１Ｎｏ．２に示した条件すなわち、ウエハ温
度３００℃、装置内壁温度４００℃として三フッ化塩素
ガスを導入した。処理終了後、ウエハ１８を電子顕微鏡
により観察したところ、反応生成物による残渣は完全に
除去されていた。また、装置内壁の付着物もほぼ除去さ
れていた。
【００５１】（実施例１０）図１２に示すようなウエハ
反転機構２７を有するドライエッチング装置２４を用い
て、以下の実験を行なった。なお、２５はアンテナ、２
６はプラズマ発生用電源である。
反転機構２７を有するドライエッチング装置２４を用い
て、以下の実験を行なった。なお、２５はアンテナ、２
６はプラズマ発生用電源である。
【００５２】ウエハ２が処理される場合ウエハは図１２
（ａ）に示す位置にある。処理終了後ウエハ２は図１２
（ｂ）に示す位置に移動し、ウエハ反転機構２７により
チャックし、図１２（ｃ）に示すように反転させる。反
転後、ウエハ２は図１２（ａ）に示す位置に移動し、処
理が実行される。
（ａ）に示す位置にある。処理終了後ウエハ２は図１２
（ｂ）に示す位置に移動し、ウエハ反転機構２７により
チャックし、図１２（ｃ）に示すように反転させる。反
転後、ウエハ２は図１２（ａ）に示す位置に移動し、処
理が実行される。
【００５３】装置内壁のみにポリシリコン膜を形成した
後、実施例９で用いたのと同様のウエハ１８を装着し、
ガス導入系４より塩素ガスを導入しプラズマを発生さ
せ、ウエハ１８上のポリシリコンを図１１に示すように
エッチングした。エッチング終了後、ウエハ反転機構２
７によりウエハ１８を反転させ、ガス導入系４より三フ
ッ化塩素を導入する。ただし、ウエハ温度は３３０℃、
装置内壁の温度は４００℃として実験した。ウエハ温度
を実施例９に比べ高くしたのは、ウエハ裏面の処理では
集積回路面に比べ反応速度を大きくできるからである。
処理終了後、電子顕微鏡装置内で特性Ｘ線を測定し（Ｅ
ＰＭＡ測定）、ウエハ裏面の元素分析を行なったとこ
ろ、処理前に観測されたＡｌ、Ｗ、Ｆｅ等の汚染が除去
されていることを確認した。また、装置内壁の付着物も
ほぼ除去されていた。
後、実施例９で用いたのと同様のウエハ１８を装着し、
ガス導入系４より塩素ガスを導入しプラズマを発生さ
せ、ウエハ１８上のポリシリコンを図１１に示すように
エッチングした。エッチング終了後、ウエハ反転機構２
７によりウエハ１８を反転させ、ガス導入系４より三フ
ッ化塩素を導入する。ただし、ウエハ温度は３３０℃、
装置内壁の温度は４００℃として実験した。ウエハ温度
を実施例９に比べ高くしたのは、ウエハ裏面の処理では
集積回路面に比べ反応速度を大きくできるからである。
処理終了後、電子顕微鏡装置内で特性Ｘ線を測定し（Ｅ
ＰＭＡ測定）、ウエハ裏面の元素分析を行なったとこ
ろ、処理前に観測されたＡｌ、Ｗ、Ｆｅ等の汚染が除去
されていることを確認した。また、装置内壁の付着物も
ほぼ除去されていた。
【００５４】（実施例１１）本発明によるモニタ機能付
き、洗浄、成膜一貫処理装置の一例を図１３に示す。図
１３において、２８は成膜室、２９はモニタ室、３０は
ゲートバルブ、３１は試料台、３２は加熱用ランプ、３
３はモニタである。
き、洗浄、成膜一貫処理装置の一例を図１３に示す。図
１３において、２８は成膜室、２９はモニタ室、３０は
ゲートバルブ、３１は試料台、３２は加熱用ランプ、３
３はモニタである。
【００５５】試料ウエハ２は加熱用ランプ３２で加熱で
き、装置内壁はヒータ７により加熱できる機能を有す
る。また、成膜用ガスはガス導入系１５より、クリーニ
ングガスはガス導入系４より導入することができる。試
料ウエハ２および装置壁面の温度を制御して、クリーニ
ング用ガスをガス導入系４より導入することで、ウエハ
２および装置壁面のクリーニングを同時に行なう。クリ
ーニング終了後、ウエハ２をモニタ室２９に移し、モニ
タ３３により表面清浄度を評価する。十分な清浄度にあ
ればウエハ２を成膜室２８に移し、ガス導入系１５より
成膜用ガスを導入し加熱用ランプ３２で加熱することで
ウエハ２上に成膜することができる。清浄度が不十分で
あれば、ウエハ２を成膜室２８に移し再びクリーニング
を行ない、再チェック後成膜する。
き、装置内壁はヒータ７により加熱できる機能を有す
る。また、成膜用ガスはガス導入系１５より、クリーニ
ングガスはガス導入系４より導入することができる。試
料ウエハ２および装置壁面の温度を制御して、クリーニ
ング用ガスをガス導入系４より導入することで、ウエハ
２および装置壁面のクリーニングを同時に行なう。クリ
ーニング終了後、ウエハ２をモニタ室２９に移し、モニ
タ３３により表面清浄度を評価する。十分な清浄度にあ
ればウエハ２を成膜室２８に移し、ガス導入系１５より
成膜用ガスを導入し加熱用ランプ３２で加熱することで
ウエハ２上に成膜することができる。清浄度が不十分で
あれば、ウエハ２を成膜室２８に移し再びクリーニング
を行ない、再チェック後成膜する。
【００５６】（実施例１２）本発明によるモニタ機能付
き、ドライエッチング、洗浄一貫処理装置の一例を図１
４に示す。図１４において、図７と図１３との同一符号
は同一要素を示し、３４はドライエッチング室である。
き、ドライエッチング、洗浄一貫処理装置の一例を図１
４に示す。図１４において、図７と図１３との同一符号
は同一要素を示し、３４はドライエッチング室である。
【００５７】試料ウエハ２は加熱試料台３で加熱でき、
装置内壁はヒータ７により加熱できる機能を有する。ま
た、エッチング用ガスはガス導入系４より、クリーニン
グガスはガス導入系４および１５より導入すめことがで
きる。試料ウエハ２のドライエッチングを行なった後、
試料ウエハ２および装置壁面の温度を制御してクリーニ
ング用ガスをガス導入系４および１５より導入すること
で、ウエハ２および装置壁面のクリーニングを同時に行
なう。クリーニング終了後、ウエハをモニタ室２９に移
し、モニタ３３により表面清浄度を評価する。十分な清
浄度にあればウエハを次工程に移す。清浄度が不十分で
あれば、ウエハ２をエッチング室３４に移し再びクリー
ニングを行ない、再チェック後次工程に移す。
装置内壁はヒータ７により加熱できる機能を有する。ま
た、エッチング用ガスはガス導入系４より、クリーニン
グガスはガス導入系４および１５より導入すめことがで
きる。試料ウエハ２のドライエッチングを行なった後、
試料ウエハ２および装置壁面の温度を制御してクリーニ
ング用ガスをガス導入系４および１５より導入すること
で、ウエハ２および装置壁面のクリーニングを同時に行
なう。クリーニング終了後、ウエハをモニタ室２９に移
し、モニタ３３により表面清浄度を評価する。十分な清
浄度にあればウエハを次工程に移す。清浄度が不十分で
あれば、ウエハ２をエッチング室３４に移し再びクリー
ニングを行ない、再チェック後次工程に移す。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、ウエハ洗浄および装置
内壁クリーニングが同時にできるので、スループットを
高めることができ、半導体装置等を低コストで製造する
ことができる。
内壁クリーニングが同時にできるので、スループットを
高めることができ、半導体装置等を低コストで製造する
ことができる。
【図１】従来の半導体装置の製造工程を模式的に示した
図。
図。
【図２】今後展開されるであろう半導体装置の製造工程
を模式的に示した図。
を模式的に示した図。
【図３】本発明による半導体装置の製造工程を模式的に
示した概念図。
示した概念図。
【図４】本発明による半導体装置の製造工程の他の実施
例を模式的に示した概念図。
例を模式的に示した概念図。
【図５】本発明の実験結果を示す図。
【図６】本発明の実験結果を示す図。
【図７】本発明の実施例に至る検討装置図。
【図８】本発明の実施例に至る検討装置図。
【図９】本発明の実施例に至検討装置図。
【図１０】半導体装置の一実施例を示す図。
【図１１】半導体装置の一実施例を示す図。
【図１２】本発明によるドライエッチング装置の一実施
例を示す図。
例を示す図。
【図１３】本発明による洗浄、成膜一貫処理装置の一実
施例を示す図。
施例を示す図。
【図１４】本発明によるドライエッチング、洗浄一貫処
理装置の一実施例を示す図。
理装置の一実施例を示す図。
１…真空チャンバ、 ２…試料ウエハ、 ３…加熱試料台、 ４…ガス導入系、 ５…キャビティ、 ６…マイクロ波電源 ７…壁面加熱用ヒータ、 ８…真空排気装置、 ９…ＥＣＲマイクロ波エッチング装置、 １０…石英板、 １１…コイル、 １２…マイクロ波発生装置、 １３…導波管、 １４…ウエハ処理装置、 １５…ガス導入系、 １６…ガス導入系、 １７…邪魔板、 １８…Ｓｉウエハ、 １９…シリコン酸化膜、 ２０…レジスト、 ２１…孔部、 ２２…コンタクトホール、 ２３…ポリシリコン膜、 ２４…ウエハ反転機構付きドライエッチング装置、 ２５…アンテナ、 ２６…プラズマ発生用電源、 ２７…ウエハ反転機構、 ２８…成膜室、 ２９…モニタ室、 ３０…ゲートバルブ、 ３１…試料台、 ３２…加熱用ランプ、 ３３…モニタ、 ３４…ドライエッチング室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 克彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 古川 亮一 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株 式会社日立製作所半導体事業部内 審査官 丸山 英行 (56)参考文献 特開 平７−130704（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90180（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−186081（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−326598（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−86259（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−197265（ＪＰ，Ａ) 特表 平８−509652（ＪＰ，Ａ) 国際公開91／9150（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304
Claims (7)
- 【請求項１】半導体製造装置の内壁に形成された付着物
の除去および半導体ウエハの清浄化をドライ洗浄により
行なう洗浄工程と、前記半導体ウエハの処理を行なう処
理工程からなり、前記半導体製造装置の内壁の温度より
も前記半導体ウエハの温度を低くして、前記洗浄工程に
おける前記付着物の除去と前記半導体ウエハの清浄化を
同時あるいは逐次的に行なうことを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】半導体製造装置の内壁に形成された付着物
の除去および半導体ウエハの清浄化をドライ洗浄により
行なう洗浄工程と、前記半導体ウエハの処理を行なう処
理工程からなり、前記半導体製造装置の内壁近傍におけ
るプラズマ密度よりも前記半導体ウエハの近傍における
プラズマ密度を低くして、前記洗浄工程における前記付
着物の除去と前記半導体ウエハの清浄化を同時あるいは
逐次的に行なうことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】半導体製造装置の内壁に形成された付着物
の除去および半導体ウエハの清浄化をドライ洗浄により
行なう洗浄工程と、前記半導体ウエハの処理を行なう処
理工程からなり、前記半導体製造装置の内壁に供給され
る洗浄用ガスの流量よりも前記半導体ウエハに供給され
る洗浄用ガスの流量を少なくして、前記洗浄工程におけ
る前記付着物の除去と前記半導体ウエハの清浄化を同時
あるいは逐次的に行なうことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】半導体製造装置の内壁に形成された付着物
の除去および半導体ウエハの清浄化をドライ洗浄により
行なう洗浄工程と、前記半導体ウエハの処理を行なう処
理工程からなり、前記半導体製造装置の内壁に供給され
る洗浄用ガスの濃度よりも前記半導体ウエハに供給され
る洗浄用ガスの濃度を小さくして、前記洗浄工程におけ
る前記付着物の除去と前記半導体ウエハの清浄化を同時
あるいは逐次的に行なうことを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】前記処理工程が少なくともスパッタまたは
ＣＶＤを用いて前記半導体ウエハの上に成膜を行なう工
程であり、かつ、前記洗浄工程の後に前記処理工程が行
なわれることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】前記処理工程が前記半導体ウエハをドライ
エッチングする工程であり、前記処理工程の後に、前記
洗浄工程が行なわれることを特徴とする請求項１乃至４
のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】前記半導体ウエハの清浄化が、該半導体ウ
エハの裏面の洗浄であることを特徴とする請求項１乃至
４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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