TW383420B - Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device - Google Patents

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A7 B7 ； ' 五、發明説明（1 ) (技術範圍） 本發明係，關於在半導體裝置之製造過程中，洗淨半 導體晶片等之半導體基板之表面，及半導體製造裝置之內 壁以及工模，再者在成膜，乾式鈾刻等之過程時，實施上 述洗淨之半導體裝置之製造方法及製造裝置。 (背景技術） 形成於半導體晶片等之基板表面之積體電路，近來愈 來愈積體化 '，而圖樣之線寬也愈微細化。最小加工尺寸 乃，以 6 4 M bit D R AM 而 〇.3//m.256 Mbit DRAM爲〇 . 2# m，而在其製造過程 中，其製造過程中，微量之污染即成爲製品及良品率之顯 著之降低。污染可分爲微小異物，金屬污染，有機物污.染 等’惟由過，程之性質有時自然氧化膜亦應認爲應去除之物 (污染之一種）。' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現彳了之晶片之洗淨手段通常乃，採RCA Review, 3 1(1970)P187~206上所述，將氨水及過氧化氫水之混合物， 或鹽酸與過氧化氫水之混合物加熱至8 0 °C程度以資浸漬 晶片之方法（R C A洗淨）。這個手法係用於去除微小異 物’金屬污染，有機物污染者。又去除自然氧化膜即使氟 酸水溶液。 上述之濕式洗淨法係由於在液中實施處理，因此已去 除之污染物之再_附著或新的污染物之再附著之情形難免， 以及液體之對於高級階差部份或複雜元件構造之浸透不夠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐) ~7~ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 充份等之理由，因此可預料早晚可達該可洗淨之限界。於 是有提案在氣相中，採以光，熱等激起之活性分子或活性 原子而洗淨晶片之乾式洗淨法。依乾式洗淨法時，原理上 不會有再附著之發生.，又對於高級層差部容易洗淨，由而 可解決上述濕式洗淨法之問題。乾式洗淨法之例子有，如 日本專利公報特開昭6 2 — 4 2 5 3 0號公報所述。對於 氯氣體照射紫外線以資去除矽晶片上之金屬污染。或同特 開平4- 7 5 3 2 4號公報所述，對於氧氣氣體施加電漿 以資去除矽晶片上之有機物之方法，或如特開昭平1 -7 7 1 2 01號公報所述，對於氟系氣體施加（等離子 體）以資去除自然氧化膜等方法等等均屬習知。 乾式洗淨技術在現時祗在一部份之過程中所使用，惟 由具有上述有用性之故，在最近之將來可能被廣泛的被.採 用。特別是用它時很有用之過程可舉出濺射，CVD等之 成膜前之洗淨上，乾式蝕刻法後去除反應生成物等除殘之 洗淨而得在於與成膜或乾式蝕刻之同一處理室中連續處 理。 另一方面，在CVD，濺射等之成膜裝置及乾式蝕刻 裝置中，往往在裝置內壁或工模等會形成附著物之情形 多，該附著物剝落而成爲異物附著於晶片上，由而降低良 品率之情形頗多。因此如特開昭6 3 - 1 6 0 3 3 5號公 報所述，對於鹵素系氣體施加等離子體化，或在特開昭 6 4 - 1 7 8 5 7號公報所述，對於裝置內導入三氟化氯 氣體而予以加熱等之方法而實施去除裝置內壁等之附著 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐) ~ -----1---I ,)-------訂-------Γ Φ-----„---- (請先Ε請背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7___' 1_ 五、發明説明（3 ) ·· ί勿。 ' 如上所述，晶片之乾式洗淨與裝置內壁之洗淨乃雖然 用類似之方法來實施，惟以往完全被視做不同之製造過 程。以成膜裝置爲例在圖1上表示傳統之方法。 圖1乃以時間爲橫軸而表示如何地實施成膜處理或裝 置之洗淨者。在現行之16Μ bit DRAM製造過 程中，晶片之乾式洗淨並非廣泛旳使用，而如圖1所示， 將晶片規定片數實施成膜處理之後，實施裝置之洗淨，而 裝置之洗淨之間不做晶片之處理。在現行之一部份製程及 2 5 6 M b i t以後之成膜過程即幾乎如圖2所示，在 成膜之前實施乾式洗淨。惟此時也是在處理數片晶片之 後，實施裝置之洗淨，在裝置之洗淨中不做晶片之處理。 所以如果設法同時實施晶片乾式洗淨與裝置之洗淨時 即可省略裝置之洗淨時間，由而大幅度的提高半導體裝置 之生產過程流通速度，具有可縮短製造期間之很大之利 點。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 惟單純的實施時，即由於晶片之洗淨及裝置內壁之洗 淨均形成不夠充份，由而無法簡單的付於實施，因爲晶片 乾式洗淨與裝置內壁之洗淨雖然採類似之方法，惟所適用 之氣體，激起方法，以及電漿條件等反應條件即有所不 同，上述之各情形乾式蝕刻法上亦可完全成立。 本發明之目的乃在解決上述習用之方法之問題。其第 1目的爲提供一種同時地可適宜地實施晶片之乾式洗淨及 半導體製造裝置之內壁之洗淨之半導體裝置之製造方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ -6- A7 B7_' 丨___ 五、發明説明（4 ) 本發_之第2目的係提供可實現上述第1目的之半導 體製造裝置也。 (發明之揭示） 在晶片之洗淨中防止晶片之損傷（對污染以外之構成 半導體裝置之薄膜之蝕刻率要小）乃很重要。相對的在裝 置內壁之洗淨時，即由於污染係牢固地附著，所以必須有 激烈之反應（蝕刻率要大）。本發明即由控制對於晶片面 與裝置內壁等之溫度，電漿分佈，氣體流量，氣體成份 等，以資對於用在晶片之洗淨及裝置內壁之洗淨均使之處 於最適宜之條件，由此結果可以同時實施晶片及裝置內壁 之洗淨，所以可以省略圖1及圖2所示之傳統法中所實施 之裝置之洗淨過程，可以將製造裝置充分完全地活用於.生 產上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明乃，可同時地實施晶片及裝置內壁之洗淨，亦 可逐次地實施兩者之洗淨。本案所謂「逐次的實施」乃包 括，交互地洗淨晶片，裝置，或在處理晶片之後在裝載晶 片之間實施裝置之洗淨等等，反正包括除了傳統之方法 (特別的設置一規定時間在停止晶片之導入（移入出）之 間祗實施裝置之洗淨）以外之所有之方法。 再者本發明係不須要如圖4所示，每一次處理晶片即 實施每一次實施裝置之洗淨，例如在處理規定片數之晶片 間才實施一次裝置之洗淨亦可：。 再者，關於洗淨之手段乃以電漿，光，熱來激勵氟系 ¥紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)_7 A7 __^_ B7_ · 五、發明説明（5 ) 氣體氟系氣體，氧氣’氫氣使之與污染發生反應而行者， 將這些單獨採用亦可，或組合實施之，一般來說，組合實 施後本發明之效果更高之情形較多。 本發明不但可對於晶片之集體電路形成面適用，亦可 適用於晶片之背面，換言之可以同時或逐次地實施晶片之 背面及裝置內壁之洗淨。此時雖對於集體電路形成面等之 晶片損傷問題不須特別留意，惟亦須防止洗淨用氣體之對 於晶片集體電路形成面之繞路而入之侵犯。 再者，本發明之成膜裝置，乾式蝕刻裝置即在以往之 成膜裝置，乾式蝕刻裝置中組合了爲實現上述手法用之溫 度控制系，電漿控制系，氣體導入控制系等者。再者，按 備有以監視器來校對晶片及裝置內壁之淸淨度之機能係爲 了保證所製造之半導體裝置之性能上有益，所以在上述.裝 置上裝置監視器亦可。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施晶片乾式洗淨時之對於晶片之損傷乃得於用對於 形成半導體電路之薄膜之蝕刻率來評價。去除了晶片上之 污染之下，對於形成半導體電路之薄膜之蝕刻率乃被要求 儘量小。而對於裝置之洗淨時，其蝕刻率即有某一種程度 以上之大爲要。是否可滿足上述不同之要與否，對於幾個 氣體而予以測定該蝕刻率。 三氟化氯有蝕刻矽氧化膜係眾所周知，如先前技術中 所述使用於裝置之洗淨。圖5表示將該氣體於矽氧化膜之 蝕刻率之溫度依存性之調査結果。可知其蝕刻率係大大地 依存於溫度，在低溫中使用時充分可使用於晶片面之洗 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -8- 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 _' _ 五、發明説明（6 ) 淨，由而可知控制晶片面及裝置內壁之溫度即可能同時實 施晶片及裝置內壁之洗淨之情形。 又三氟化氯乃以電漿來激勵時可用於矽氧化膜之蝕 刻，因此可用於晶片之洗淨及裝置內壁之洗淨。但是其最 適宜之電漿條件在兩者有所不同，如圖6所示 '，由電率功 率而蝕刻率有所差別，因此控制對晶片，及對裝置內壁之 電漿之密度，而充分的可實施同時實施晶片之洗淨及裝置 內壁之洗淨。 以上所述乃其例示之一斑，惟可知控制在晶片面，裝 置內壁上之溫度，電漿分佈，氣體流量，氣體成份而分別 的可實施晶片之洗淨，裝置內壁之洗淨之最適宜之條件。 (實施發明之最佳形態） 下面以圖示之實施例詳細的說明本發明。 實施例1 使用圖7所示之裝置而實施了實驗。圖7中標號1係 真空室，2係試料晶片，3係加熱試料台，4係氣體導入 系，5係空窩，6係微波電源，7係壁面加熱用加熱器， 8係真空排氣裝置。 +具有藉氣體導入系4而可導入氣體，又藉空窩5而使 之等離子體化之機能。又藉加熱試料台3及壁面加熱用加 熱器7而可加熱試料晶片2，及加熱裝置內壁，由而自由 地改變晶片面及裝置內壁之溫度分佈。又藉氣體導入系4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（2丨〇 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 導入成膜氣體，對於晶片及裝置內壁形成所欲之薄膜。 由氣體導入口 4送入矽烷系氣體及氧氣體而在晶片面 及裝置內壁形成矽氧化膜。接著使用加熱試料台3及壁面 加熱用加熱器7，而一面同時地控制晶片及裝置內壁之溫 度分佈，同時由氣體導入口 4送入不等離子體化之三氟化 氯氣體，調査形成於晶片面及裝置內壁之矽氧化膜之蝕刻 率之差異，在表1表示晶片溫度及裝置內壁溫度之組合以 及與鈾刻率比之關係。（參閱表1) 由於使之有溫度差而加大晶片面與裝置內壁之蝕刻率 比，蝕刻率比乃可使之最大而50程度。 實施例2 使用圖8所示之裝置實施實驗。圖8中與圖中相同.之 標號乃表示/系相同之元件。標號9係E C R微波蝕刻裝 置，10係石英板，11係線圈，12係微波產生裝置， 1 3係導波管。 以導波管1 3來引導藉微波產生裝置1 2所產生之微 波，於線圈1 1產生磁場’而將以氣體導入系4所導入之 氣體予以等離子體化。由控制線圈1 1即可改變等離子體 化分佈。又與實施例1同一手法而可以在晶片2及石英板 1 0之表面形成薄膜。 由氣體導入口 4通過砂院系氣體’由而在晶片2及石 英板1 0之表面形成多晶體膜。由氣體導入口 4引導氯氣 體使之發生等離子體化。以線圈1 1控制等離子體分佈而 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •i. 訂 iφ. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -10- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7 _1五、發明説明（8 ) 將等離子體之密度高之所謂ECR點靠近於石英板1〇之 表面。· 在表2顯示E C R點之大約位置，及晶片2及石英板 1 0之表面之多晶體膜之蝕刻率比之關係》 (參照圖2 ) 由於形成了等離子體密度之差異而可達到加大晶片面 及裝置內壁之飩刻率比。在本實施例中鈾刻率比最大達 3 0程度。· 實施例3 使用上述圖7所示之裝置實施實驗。以導入系4通流 矽烷系氣體及氧氣體，由而在晶片面2與裝置內壁形成.矽 氧化膜。由氣體導入系4通流三氮化氟，由空窩5而使之 等離子體化。接著將裝置內壁形成負偏壓，由而提高壁面 附近之等離子體密度。 在表3顯示偏壓値與晶片及壁面之矽氧化膜之蝕刻率 比之關係。（參閱表3 ) 由施加負偏壓而達到增大晶片面及裝置內壁之蝕刻率 比。在本實施例中蝕刻率比最大係2 5程度。 實施例4 使用圖9所示之裝置實施實驗。在圖9中，與圖7相 同之標號即表示同一元件。標號1 4係晶片處理裝Μ， (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐） -11 - A7 B7 _ ， 五、發明説明（9 ) 1 5，1 Q係氣體導入系，1 7係阻擋板。 備有三系統之氣體導入系1 4，1 5 ，1 6。其中之 二系統4，1 5具有可使之等離子體化之機能。試料晶片 2及裝置內壁係如圖7之實施例一樣可以做加熱，而變更 從氣體導入系所送入之氣體而對晶片2及裝置內壁上形成 所欲之薄膜。同時可以自由地變更晶片面，裝置內壁之溫 度分佈，導入氣體之種類或成份比。 以氣體導入系1 6引進矽烷氣體及氧氣體，而在晶片 及裝置內壁形成氧化矽膜。使晶片面及裝置內壁之溫度大 致相同，而由氣體導入系4及1 5以不同流量，不等離子 體化的引入三氟化氯所測定之對於形成於晶片面及裝置內 壁之氧化矽膜之蝕刻率比之結果顯示於表4。 (參閱表4 ) 蝕刻率比之最大値大約爲1 2程度。又設置可活動之 阻擋板1 7實施實驗之結果獲得了良好之結果。這是由於 氣體不易混合之結果所致。實用上使之不易混合之方法還 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有很多。 實施例5 使用圖9所示之裝置實施實驗。由氣體導入系1 6送 入矽烷系氣體乃氧氣體，而在晶片及裝置內壁形成矽氧化 膜。 使晶片面及裝置內壁之溫度大致相同，由氣體導入系 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -12- A7 B7_ ] '_ 五、發明説明（1〇 ) 1 5而對裝置內壁引進不等離子體化之三氟化氯，由氣體 導入系4將等離子體化對晶片面引進等離子體化之三氟化 氯。 表5中顯示測定形成於晶片面及裝置內壁之氧化矽膜 之蝕刻率比之結果》 (參照表5 ) 結果蝕刻率比之最大之値爲2 5程度。 實施例6 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用圖9.所示之裝置實施實驗。由氣體導入系1 5引 進矽烷系及氧氣體，而在晶片及裝置內壁形成氧化矽膜。 使晶片面之裝置內壁之溫度大致相同，由氣體導入系1.5 對裝置內壁引進等離子體化之1 0 0%三氟化氮氣體，而 由氣體導入系4對晶片面引進等離子體化之5〜3 0%之 三氟化氮氣體（其他係氬氣體）。使各氣體之流量相同。 測定了晶片面與裝置內壁上所形成之氧化矽膜之蝕刻率比 之結果列示於表6。 參閱表6 結果蝕刻率比最大者爲1 1。 實施例7 使用圖9所示之裝置實施實驗。.由氣體導入系1 5引 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ' A7 -^__B7___' —_ 五、發明説明（11) (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 進砂烷系氣體及氧氣體，而在晶片及裝置內壁形成氧化矽 ® ’將晶片面及裝置內壁控制成不同之溫度，由氣體導體 4及1 5以不同之流量不等離子體的引入三氟化氯。在表 ϋ表示測定對於形成在晶片面及裝置內壁之氧化矽膜之 飽刻率比之結果。 (參照表7 ) 結果蝕刻率比之最大値爲5 5程度。成爲本發明實施 W中之最大者。即組合幾個手法即可能提高本發明之效 果。 實施例8 如圖1 0所示：在晶片1 8上形成氧化膜1 9，塗.佈 耐蝕劑2 0而以石版印刷形成孔部2 1之後，對氧化膜施 予乾式蝕刻去除耐蝕刻劑由而形成接觸孔2 2。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 以圖9所示之裝置，祗在裝置內壁形成氧化矽膜之 後，形成接觸孔22，裝置上述晶片18，以實施例5， No . 2 4所示之條件引進三氯化氟氣體及等離子體化之 三氟化氮氣體以資實施洗淨》由此處理而可去除了接觸孔 2 2底部之自然氧化膜，所以接著在同一處理室（1 4 ) 而在晶片上形成多晶體膜，取出晶片1 8實施多晶體之圖 樣化等，而測定接觸電阻，結果獲得與不實施裝置內壁之 洗淨而與祗以通常之三氟化氮氣體處理之比較體大致相等 之値。又裝置內壁之氧化矽膜即大槪都被去除。事實證明 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} A7 B7 經濟部中央標準局男工消費合作社印製. 五、發明説明（14 ) 後’將晶片2移至監視器2 9 ’以監視器3 3評價表面淸 淨度，如果遠到充分之淸淨度即將晶片2移至成膜 28，由氣體導入系15引進成膜用氣體’以加熱用燈泡 3 2加熱而得在晶片2上成膜。淸淨度不充分時，即將晶 片2移至成膜室2 8實施再洗淨’再校驗後予以成膜。 實施例1 2 圖1 4顯示依本發明之備有監視器機能之乾式蝕刻’ 洗淨一貫處理裝置之一例。圖1 4中與圖7及圖1 3相同 標號者係表示相同之元件。標號3 4係乾式蝕刻室” 試料晶片2得在加熱試料台3上加熱，裝置內壁得以 加熱器7來加熱。蝕刻用氣體係由氣體導入系4引進，而 洗淨用氣體即得由氣體導入系4及1 5而引進。 實施試料晶片2之乾式蝕刻之後，控制試料晶片2及 裝置內壁面之溫度，由氣體導入系.4及1 5引進洗淨用氣 體，即可同時實施晶片2及裝置內壁面之洗淨。洗淨完了 後，將晶片移至監視器2 9，以監視器3 3而實施表面淸 淨度，如有充分之淸淨度即將晶片移至下一過程，淸淨度 不充分時即將晶片移至蝕刻室3 4，實施再洗淨，再校驗 後移至下一過程。 產業上之可能性 依本發明時，可同時實施晶片洗淨及裝置內壁之洗 淨，因此可提高生產過程流通速度，得於低成本的製造半 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) •11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -17- A7 B7 五、發明説明（15 ) 導體裝置，、因此產業上之利用可能性極高者。 圖面之簡單說明 第1圖係模式的表示傳統之半導體裝置之製造過程。 第2圖係模式的表示今後可能之半導體裝置之製造過 程。 第3圖係模式的表示本發明半導體裝置之製造過程之 槪念圖。 第4圖係模式的表示其本發明半導體裝置之製造過程 之槪念圖。 第5圖係表示本發明之實驗結果圖。 第6圖係表示本發明之實驗結果圖。 第7圖係到達本發明之實施例之檢討裝置圖' 第8圖係到達本發明之實施例之檢討%裝置圖。 第9圖係到達本發明之實施例之檢..討裝置圖。 第1 0圖係表示半導體裝置之一實施例圖。 第1 1圖係表示半導體裝置之一實施例圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 2圖係表示本發明之乾式蝕刻裝置之一實施例 圖。 第13圖係表示依本發明之洗淨.成膜一貫處理裝置 之一實施例圖。 第1 4圖係表示依本發明之乾式蝕刻，洗淨一貫處理 裝置之一實施例圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 - 五、發明説明（16 ) A7 B7 . 表1 No. 晶晶片溫度（°C ) 內壁溫度（°C ) 蝕刻率之比 1 350 4 2 300 400 8 3 450 30 4 480 50 5 400 2 6 350 450 7 7 480 12 8 500 21 .比 350 1 較 350 例 形成於內壁之膜之蝕刻率 形成於晶片之膜之蝕刻率 Γ _ - 訂 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -19- A7 B7 五、發明説明（17 ) 表2 、 No. 由ECR點之石英表面大約位置(cm) 蝕刻率之比 9 1 30 10 2 10 11 5 5 比 2 較 10 例 *與表1同 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表3 No · 壁面偏壓値（V) 蝕刻率之比 12 -1 0 10 13 -20 18 14 -3 0 20 15 -40 2 5 16 -5 0 2 3 比 1 較 0 例 *與表1同 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20-

A B7 五、發明説明（18 ) 表4 、 No. 氣體導入系4之流量2 氣體導入系15之流量1 蝕刻率之比1 17 50 7 18 20 80 10 19 100 10 20 80 8 21 50 100 8 22 150 9 23*3 150 12 比較 0 100 1.5 例 *與表1同 *2單位ml/分 * 3設置阻擋板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -s I, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（19 )

7 7 A B 表5 、 No. 氣體導入系4之流量‘2 氣體導入系15之流量’1 蝕刻率之比1 24 50 23 25 50 80 25 26 100 25 27 80 17 28 100 100 18 29 150 20 比較 100 0 1 例 0 150 1.5 *與表1同 *2單位ml/分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表6 No · 氣體導入系4之NR濃度（％) 蝕刻率之比· 30 5 11 31 10 9 32 20 6 33 30 6 比較例 100 1 *與表1同 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- B7 五、發明説明（2〇 ) 表7 No. 晶片溫度 (°C ) 內壁溫度 fc ) 氣體導入系4 流量·2 氣體導入系15 流量·2 鈾刻率之比_1 34 300 450 50 50 30 35 100 34 36 300 480 50 50 50 37 100 55 38 350 450 50 50 7 39 100 10 比 較 例 350 350 0 50 1 *與表1同 *2單位ml/分 (请先閲請背面之注意事項再填寫本頁) -W· 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21OX297公釐）

Claims (1)

1. 正充修補 0 六、申請專利範圍 附件1: 第86 1 1 1 396號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 • 民國8 8年8月修正 1 · 一種半導體裝置之製造方法，其特徵爲：由藉乾 式洗淨而同時而逐次的實施去-除形成半導體製造內之裝置 內壁之附著物及半導體晶片之淸淨化之過程，以及該半導 體晶片之處理之過程所成者。 2 種半導體裝置之製遙方法，.其特徵爲：藉乾式 • ....浐. 洗淨而同時或逐次的實施去除擺—射或C : _V—D等之成膜裝置 中之形成於裝置內壁之附-著物及半導體晶片之洗猙化之後 ，對於該半導體晶片上實施濺射或C V D等之成膜者。 3 · —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲：實施半 導:嚜晶片之乾式蝕刻之後，以乾式洗淨而同時或次逐次的 實施形成於裝置內壁之附著物之去除及該半導體晶片之洗 淨者。 4 . 一p半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶片 之成膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲：控制晶片 及裝置內壁等之溫度分佈，然後流入洗淨用氣體：由而同 時或逐次的淸淨晶捭:及裝置內壁者。 5 / —種半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶片 之成膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲：實施等離 子體分佈之控制由而同時或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等 者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- I ! I 訂--III — — — . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   正充修補 0 六、申請專利範圍 附件1: 第86 1 1 1 396號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 • 民國8 8年8月修正 1 · 一種半導體裝置之製造方法，其特徵爲：由藉乾 式洗淨而同時而逐次的實施去-除形成半導體製造內之裝置 內壁之附著物及半導體晶片之淸淨化之過程，以及該半導 體晶片之處理之過程所成者。 2 種半導體裝置之製遙方法，.其特徵爲：藉乾式 • ....浐. 洗淨而同時或逐次的實施去除擺—射或C : _V—D等之成膜裝置 中之形成於裝置內壁之附-著物及半導體晶片之洗猙化之後 ，對於該半導體晶片上實施濺射或C V D等之成膜者。 3 · —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲：實施半 導:嚜晶片之乾式蝕刻之後，以乾式洗淨而同時或次逐次的 實施形成於裝置內壁之附著物之去除及該半導體晶片之洗 淨者。 4 . 一p半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶片 之成膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲：控制晶片 及裝置內壁等之溫度分佈，然後流入洗淨用氣體：由而同 時或逐次的淸淨晶捭:及裝置內壁者。 5 / —種半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶片 之成膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲：實施等離 子體分佈之控制由而同時或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等 者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- I ! I 訂--III — — — . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 . —種半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶片 之成膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲：將裝置壁 面等形成爲負偏壓之下形成等離子體化，由而同時或逐次 的淸淨晶片及裝置內壁等者。 7 . —種半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶片 之成膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲：由控制氣 體之流動而同時或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等。 8 . —種半導體裝置之製造方法，.在實施半導體晶片 之成.膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲：由設置活 動之阻擋板而控制氣體之流動而同時或逐次的淸淨晶片及 製造內壁等者。 9 . 一種半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶片 成膜，乾式蝕刻等之製造過程中，其特徵爲〃對於晶片及 裝置內壁等分別通流不同之氣體，由而同時或逐次的淸淨 晶片及裝置內壁等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 . —種半導體裝置之製造方法，在實施半導體晶 片之成膜，乾式蝕刻等之屬造過程中，其特徵爲：控制流 通於晶片及裝置內壁等.之氣體成份及氣體濃度，由而同時 或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等者。 1 1 一種半導體裝置之製造方法，其特徵爲，組合 請求項4〜1 0所述之構成、而使用者。 1 2 . —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲，藉記 述於請求項4乃至1 0 ..其中之一項_所記述之方法而同時或 逐次的淸淨晶片之背面及裝置內壁等者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 3 C —..種半導體裝置之製造方法，其特徵爲，實施 乾、考蝕刻等.之後，羅轉晶片而將它安襞，藉請求項4乃至 1 〇其中之一項所述之，直法而周時或逐〜次..的淸淨晶片之背 面及裝置內壁等者， 1 4 種半導體裝置之製造方法，其特徵爲：在實 施蝕刻之後，以記述於請求項-.4及至1 0其中之一方法而 同時或逐次地實施晶片及裝置內壁等之淸淨之後，而翻轉 晶片而予以安裝，而藉請求項4乃至1 0所記述之方法同 時或逐次的淸淨晶片背面及裝置內壁等者。 1 5-.... 一種华.導體裝置之製造方法，其特徵爲，祗實 施規定片數之晶片處理之後，實施請求項4乃至10項其 中之一項所記述之處理者。 1 6 .—種半導體裝置之製造方法，其特徵爲，監視 裝置內壁之狀態而完成蕭求項2乃至1 〇項中任何一項所 記述之淸淨處理者。 1 7 . —種成膜裝置，.其特徵爲，具備有成膜手段及 同時或逐次的.實施晶片i及裝置內壁等-之洗淨手段者。 1 8 _ —種乾式飩刻裝置，其特徵爲，具備有乾式蝕 刻手段及同時或逐次的實施晶片及裝置內壁等之洗淨之洗 淨手段者。 1 9一..--如請求專利範圍第1 8項所述之乾式蝕刻裝置 ，其中備有翻轉晶片之手段者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂------一！镗 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製