TW383420B - Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device - Google Patents
Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- TW383420B TW383420B TW86111396A TW86111396A TW383420B TW 383420 B TW383420 B TW 383420B TW 86111396 A TW86111396 A TW 86111396A TW 86111396 A TW86111396 A TW 86111396A TW 383420 B TW383420 B TW 383420B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- wall
- manufacturing
- semiconductor
- cleaning
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 136
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 34
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 2
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 9
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012552 review Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOBJYKUGPRVRSK-UHFFFAOYSA-N azane;trihydrofluoride Chemical compound N.F.F.F OOBJYKUGPRVRSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
A7 B7 ; ' 五、發明説明(1 ) (技術範圍) 本發明係,關於在半導體裝置之製造過程中,洗淨半 導體晶片等之半導體基板之表面,及半導體製造裝置之內 壁以及工模,再者在成膜,乾式鈾刻等之過程時,實施上 述洗淨之半導體裝置之製造方法及製造裝置。 (背景技術) 形成於半導體晶片等之基板表面之積體電路,近來愈 來愈積體化 ',而圖樣之線寬也愈微細化。最小加工尺寸 乃,以 6 4 M bit D R AM 而 〇.3//m.256 Mbit DRAM爲〇 . 2# m,而在其製造過程 中,其製造過程中,微量之污染即成爲製品及良品率之顯 著之降低。污染可分爲微小異物,金屬污染,有機物污.染 等’惟由過,程之性質有時自然氧化膜亦應認爲應去除之物 (污染之一種)。' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 現彳了之晶片之洗淨手段通常乃,採RCA Review, 3 1(1970)P187~206上所述,將氨水及過氧化氫水之混合物, 或鹽酸與過氧化氫水之混合物加熱至8 0 °C程度以資浸漬 晶片之方法(R C A洗淨)。這個手法係用於去除微小異 物’金屬污染,有機物污染者。又去除自然氧化膜即使氟 酸水溶液。 上述之濕式洗淨法係由於在液中實施處理,因此已去 除之污染物之再_附著或新的污染物之再附著之情形難免, 以及液體之對於高級階差部份或複雜元件構造之浸透不夠 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) ~7~ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 充份等之理由,因此可預料早晚可達該可洗淨之限界。於 是有提案在氣相中,採以光,熱等激起之活性分子或活性 原子而洗淨晶片之乾式洗淨法。依乾式洗淨法時,原理上 不會有再附著之發生.,又對於高級層差部容易洗淨,由而 可解決上述濕式洗淨法之問題。乾式洗淨法之例子有,如 日本專利公報特開昭6 2 — 4 2 5 3 0號公報所述。對於 氯氣體照射紫外線以資去除矽晶片上之金屬污染。或同特 開平4- 7 5 3 2 4號公報所述,對於氧氣氣體施加電漿 以資去除矽晶片上之有機物之方法,或如特開昭平1 -7 7 1 2 01號公報所述,對於氟系氣體施加(等離子 體)以資去除自然氧化膜等方法等等均屬習知。 乾式洗淨技術在現時祗在一部份之過程中所使用,惟 由具有上述有用性之故,在最近之將來可能被廣泛的被.採 用。特別是用它時很有用之過程可舉出濺射,CVD等之 成膜前之洗淨上,乾式蝕刻法後去除反應生成物等除殘之 洗淨而得在於與成膜或乾式蝕刻之同一處理室中連續處 理。 另一方面,在CVD,濺射等之成膜裝置及乾式蝕刻 裝置中,往往在裝置內壁或工模等會形成附著物之情形 多,該附著物剝落而成爲異物附著於晶片上,由而降低良 品率之情形頗多。因此如特開昭6 3 - 1 6 0 3 3 5號公 報所述,對於鹵素系氣體施加等離子體化,或在特開昭 6 4 - 1 7 8 5 7號公報所述,對於裝置內導入三氟化氯 氣體而予以加熱等之方法而實施去除裝置內壁等之附著 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) ~ -----1---I ,)-------訂-------Γ Φ-----„---- (請先Ε請背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7___' 1_ 五、發明説明(3 ) ·· ί勿。 ' 如上所述,晶片之乾式洗淨與裝置內壁之洗淨乃雖然 用類似之方法來實施,惟以往完全被視做不同之製造過 程。以成膜裝置爲例在圖1上表示傳統之方法。 圖1乃以時間爲橫軸而表示如何地實施成膜處理或裝 置之洗淨者。在現行之16Μ bit DRAM製造過 程中,晶片之乾式洗淨並非廣泛旳使用,而如圖1所示, 將晶片規定片數實施成膜處理之後,實施裝置之洗淨,而 裝置之洗淨之間不做晶片之處理。在現行之一部份製程及 2 5 6 M b i t以後之成膜過程即幾乎如圖2所示,在 成膜之前實施乾式洗淨。惟此時也是在處理數片晶片之 後,實施裝置之洗淨,在裝置之洗淨中不做晶片之處理。 所以如果設法同時實施晶片乾式洗淨與裝置之洗淨時 即可省略裝置之洗淨時間,由而大幅度的提高半導體裝置 之生產過程流通速度,具有可縮短製造期間之很大之利 點。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 惟單純的實施時,即由於晶片之洗淨及裝置內壁之洗 淨均形成不夠充份,由而無法簡單的付於實施,因爲晶片 乾式洗淨與裝置內壁之洗淨雖然採類似之方法,惟所適用 之氣體,激起方法,以及電漿條件等反應條件即有所不 同,上述之各情形乾式蝕刻法上亦可完全成立。 本發明之目的乃在解決上述習用之方法之問題。其第 1目的爲提供一種同時地可適宜地實施晶片之乾式洗淨及 半導體製造裝置之內壁之洗淨之半導體裝置之製造方法。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ -6- A7 B7_' 丨___ 五、發明説明(4 ) 本發_之第2目的係提供可實現上述第1目的之半導 體製造裝置也。 (發明之揭示) 在晶片之洗淨中防止晶片之損傷(對污染以外之構成 半導體裝置之薄膜之蝕刻率要小)乃很重要。相對的在裝 置內壁之洗淨時,即由於污染係牢固地附著,所以必須有 激烈之反應(蝕刻率要大)。本發明即由控制對於晶片面 與裝置內壁等之溫度,電漿分佈,氣體流量,氣體成份 等,以資對於用在晶片之洗淨及裝置內壁之洗淨均使之處 於最適宜之條件,由此結果可以同時實施晶片及裝置內壁 之洗淨,所以可以省略圖1及圖2所示之傳統法中所實施 之裝置之洗淨過程,可以將製造裝置充分完全地活用於.生 產上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明乃,可同時地實施晶片及裝置內壁之洗淨,亦 可逐次地實施兩者之洗淨。本案所謂「逐次的實施」乃包 括,交互地洗淨晶片,裝置,或在處理晶片之後在裝載晶 片之間實施裝置之洗淨等等,反正包括除了傳統之方法 (特別的設置一規定時間在停止晶片之導入(移入出)之 間祗實施裝置之洗淨)以外之所有之方法。 再者本發明係不須要如圖4所示,每一次處理晶片即 實施每一次實施裝置之洗淨,例如在處理規定片數之晶片 間才實施一次裝置之洗淨亦可:。 再者,關於洗淨之手段乃以電漿,光,熱來激勵氟系 ¥紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_7 A7 __^_ B7_ · 五、發明説明(5 ) 氣體氟系氣體,氧氣’氫氣使之與污染發生反應而行者, 將這些單獨採用亦可,或組合實施之,一般來說,組合實 施後本發明之效果更高之情形較多。 本發明不但可對於晶片之集體電路形成面適用,亦可 適用於晶片之背面,換言之可以同時或逐次地實施晶片之 背面及裝置內壁之洗淨。此時雖對於集體電路形成面等之 晶片損傷問題不須特別留意,惟亦須防止洗淨用氣體之對 於晶片集體電路形成面之繞路而入之侵犯。 再者,本發明之成膜裝置,乾式蝕刻裝置即在以往之 成膜裝置,乾式蝕刻裝置中組合了爲實現上述手法用之溫 度控制系,電漿控制系,氣體導入控制系等者。再者,按 備有以監視器來校對晶片及裝置內壁之淸淨度之機能係爲 了保證所製造之半導體裝置之性能上有益,所以在上述.裝 置上裝置監視器亦可。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施晶片乾式洗淨時之對於晶片之損傷乃得於用對於 形成半導體電路之薄膜之蝕刻率來評價。去除了晶片上之 污染之下,對於形成半導體電路之薄膜之蝕刻率乃被要求 儘量小。而對於裝置之洗淨時,其蝕刻率即有某一種程度 以上之大爲要。是否可滿足上述不同之要與否,對於幾個 氣體而予以測定該蝕刻率。 三氟化氯有蝕刻矽氧化膜係眾所周知,如先前技術中 所述使用於裝置之洗淨。圖5表示將該氣體於矽氧化膜之 蝕刻率之溫度依存性之調査結果。可知其蝕刻率係大大地 依存於溫度,在低溫中使用時充分可使用於晶片面之洗 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) -8- 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 _' _ 五、發明説明(6 ) 淨,由而可知控制晶片面及裝置內壁之溫度即可能同時實 施晶片及裝置內壁之洗淨之情形。 又三氟化氯乃以電漿來激勵時可用於矽氧化膜之蝕 刻,因此可用於晶片之洗淨及裝置內壁之洗淨。但是其最 適宜之電漿條件在兩者有所不同,如圖6所示 ',由電率功 率而蝕刻率有所差別,因此控制對晶片,及對裝置內壁之 電漿之密度,而充分的可實施同時實施晶片之洗淨及裝置 內壁之洗淨。 以上所述乃其例示之一斑,惟可知控制在晶片面,裝 置內壁上之溫度,電漿分佈,氣體流量,氣體成份而分別 的可實施晶片之洗淨,裝置內壁之洗淨之最適宜之條件。 (實施發明之最佳形態) 下面以圖示之實施例詳細的說明本發明。 實施例1 使用圖7所示之裝置而實施了實驗。圖7中標號1係 真空室,2係試料晶片,3係加熱試料台,4係氣體導入 系,5係空窩,6係微波電源,7係壁面加熱用加熱器, 8係真空排氣裝置。 +具有藉氣體導入系4而可導入氣體,又藉空窩5而使 之等離子體化之機能。又藉加熱試料台3及壁面加熱用加 熱器7而可加熱試料晶片2,及加熱裝置內壁,由而自由 地改變晶片面及裝置內壁之溫度分佈。又藉氣體導入系4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(2丨〇 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(7 ) 導入成膜氣體,對於晶片及裝置內壁形成所欲之薄膜。 由氣體導入口 4送入矽烷系氣體及氧氣體而在晶片面 及裝置內壁形成矽氧化膜。接著使用加熱試料台3及壁面 加熱用加熱器7,而一面同時地控制晶片及裝置內壁之溫 度分佈,同時由氣體導入口 4送入不等離子體化之三氟化 氯氣體,調査形成於晶片面及裝置內壁之矽氧化膜之蝕刻 率之差異,在表1表示晶片溫度及裝置內壁溫度之組合以 及與鈾刻率比之關係。(參閱表1) 由於使之有溫度差而加大晶片面與裝置內壁之蝕刻率 比,蝕刻率比乃可使之最大而50程度。 實施例2 使用圖8所示之裝置實施實驗。圖8中與圖中相同.之 標號乃表示/系相同之元件。標號9係E C R微波蝕刻裝 置,10係石英板,11係線圈,12係微波產生裝置, 1 3係導波管。 以導波管1 3來引導藉微波產生裝置1 2所產生之微 波,於線圈1 1產生磁場’而將以氣體導入系4所導入之 氣體予以等離子體化。由控制線圈1 1即可改變等離子體 化分佈。又與實施例1同一手法而可以在晶片2及石英板 1 0之表面形成薄膜。 由氣體導入口 4通過砂院系氣體’由而在晶片2及石 英板1 0之表面形成多晶體膜。由氣體導入口 4引導氯氣 體使之發生等離子體化。以線圈1 1控制等離子體分佈而 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •i. 訂 iφ. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -10- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 __B7 _1五、發明説明(8 ) 將等離子體之密度高之所謂ECR點靠近於石英板1〇之 表面。· 在表2顯示E C R點之大約位置,及晶片2及石英板 1 0之表面之多晶體膜之蝕刻率比之關係》 (參照圖2 ) 由於形成了等離子體密度之差異而可達到加大晶片面 及裝置內壁之飩刻率比。在本實施例中鈾刻率比最大達 3 0程度。· 實施例3 使用上述圖7所示之裝置實施實驗。以導入系4通流 矽烷系氣體及氧氣體,由而在晶片面2與裝置內壁形成.矽 氧化膜。由氣體導入系4通流三氮化氟,由空窩5而使之 等離子體化。接著將裝置內壁形成負偏壓,由而提高壁面 附近之等離子體密度。 在表3顯示偏壓値與晶片及壁面之矽氧化膜之蝕刻率 比之關係。(參閱表3 ) 由施加負偏壓而達到增大晶片面及裝置內壁之蝕刻率 比。在本實施例中蝕刻率比最大係2 5程度。 實施例4 使用圖9所示之裝置實施實驗。在圖9中,與圖7相 同之標號即表示同一元件。標號1 4係晶片處理裝Μ, (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4規格(210X297公釐) -11 - A7 B7 _ , 五、發明説明(9 ) 1 5,1 Q係氣體導入系,1 7係阻擋板。 備有三系統之氣體導入系1 4,1 5 ,1 6。其中之 二系統4,1 5具有可使之等離子體化之機能。試料晶片 2及裝置內壁係如圖7之實施例一樣可以做加熱,而變更 從氣體導入系所送入之氣體而對晶片2及裝置內壁上形成 所欲之薄膜。同時可以自由地變更晶片面,裝置內壁之溫 度分佈,導入氣體之種類或成份比。 以氣體導入系1 6引進矽烷氣體及氧氣體,而在晶片 及裝置內壁形成氧化矽膜。使晶片面及裝置內壁之溫度大 致相同,而由氣體導入系4及1 5以不同流量,不等離子 體化的引入三氟化氯所測定之對於形成於晶片面及裝置內 壁之氧化矽膜之蝕刻率比之結果顯示於表4。 (參閱表4 ) 蝕刻率比之最大値大約爲1 2程度。又設置可活動之 阻擋板1 7實施實驗之結果獲得了良好之結果。這是由於 氣體不易混合之結果所致。實用上使之不易混合之方法還 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 有很多。 實施例5 使用圖9所示之裝置實施實驗。由氣體導入系1 6送 入矽烷系氣體乃氧氣體,而在晶片及裝置內壁形成矽氧化 膜。 使晶片面及裝置內壁之溫度大致相同,由氣體導入系 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) -12- A7 B7_ ] '_ 五、發明説明(1〇 ) 1 5而對裝置內壁引進不等離子體化之三氟化氯,由氣體 導入系4將等離子體化對晶片面引進等離子體化之三氟化 氯。 表5中顯示測定形成於晶片面及裝置內壁之氧化矽膜 之蝕刻率比之結果》 (參照表5 ) 結果蝕刻率比之最大之値爲2 5程度。 實施例6 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用圖9.所示之裝置實施實驗。由氣體導入系1 5引 進矽烷系及氧氣體,而在晶片及裝置內壁形成氧化矽膜。 使晶片面之裝置內壁之溫度大致相同,由氣體導入系1.5 對裝置內壁引進等離子體化之1 0 0%三氟化氮氣體,而 由氣體導入系4對晶片面引進等離子體化之5〜3 0%之 三氟化氮氣體(其他係氬氣體)。使各氣體之流量相同。 測定了晶片面與裝置內壁上所形成之氧化矽膜之蝕刻率比 之結果列示於表6。 參閱表6 結果蝕刻率比最大者爲1 1。 實施例7 使用圖9所示之裝置實施實驗。.由氣體導入系1 5引 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ' A7 -^__B7___' —_ 五、發明説明(11) (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 進砂烷系氣體及氧氣體,而在晶片及裝置內壁形成氧化矽 ® ’將晶片面及裝置內壁控制成不同之溫度,由氣體導體 4及1 5以不同之流量不等離子體的引入三氟化氯。在表 ϋ表示測定對於形成在晶片面及裝置內壁之氧化矽膜之 飽刻率比之結果。 (參照表7 ) 結果蝕刻率比之最大値爲5 5程度。成爲本發明實施 W中之最大者。即組合幾個手法即可能提高本發明之效 果。 實施例8 如圖1 0所示:在晶片1 8上形成氧化膜1 9,塗.佈 耐蝕劑2 0而以石版印刷形成孔部2 1之後,對氧化膜施 予乾式蝕刻去除耐蝕刻劑由而形成接觸孔2 2。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 以圖9所示之裝置,祗在裝置內壁形成氧化矽膜之 後,形成接觸孔22,裝置上述晶片18,以實施例5, No . 2 4所示之條件引進三氯化氟氣體及等離子體化之 三氟化氮氣體以資實施洗淨》由此處理而可去除了接觸孔 2 2底部之自然氧化膜,所以接著在同一處理室(1 4 ) 而在晶片上形成多晶體膜,取出晶片1 8實施多晶體之圖 樣化等,而測定接觸電阻,結果獲得與不實施裝置內壁之 洗淨而與祗以通常之三氟化氮氣體處理之比較體大致相等 之値。又裝置內壁之氧化矽膜即大槪都被去除。事實證明 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐} A7 B7 經濟部中央標準局男工消費合作社印製. 五、發明説明(14 ) 後’將晶片2移至監視器2 9 ’以監視器3 3評價表面淸 淨度,如果遠到充分之淸淨度即將晶片2移至成膜 28,由氣體導入系15引進成膜用氣體’以加熱用燈泡 3 2加熱而得在晶片2上成膜。淸淨度不充分時,即將晶 片2移至成膜室2 8實施再洗淨’再校驗後予以成膜。 實施例1 2 圖1 4顯示依本發明之備有監視器機能之乾式蝕刻’ 洗淨一貫處理裝置之一例。圖1 4中與圖7及圖1 3相同 標號者係表示相同之元件。標號3 4係乾式蝕刻室” 試料晶片2得在加熱試料台3上加熱,裝置內壁得以 加熱器7來加熱。蝕刻用氣體係由氣體導入系4引進,而 洗淨用氣體即得由氣體導入系4及1 5而引進。 實施試料晶片2之乾式蝕刻之後,控制試料晶片2及 裝置內壁面之溫度,由氣體導入系.4及1 5引進洗淨用氣 體,即可同時實施晶片2及裝置內壁面之洗淨。洗淨完了 後,將晶片移至監視器2 9,以監視器3 3而實施表面淸 淨度,如有充分之淸淨度即將晶片移至下一過程,淸淨度 不充分時即將晶片移至蝕刻室3 4,實施再洗淨,再校驗 後移至下一過程。 產業上之可能性 依本發明時,可同時實施晶片洗淨及裝置內壁之洗 淨,因此可提高生產過程流通速度,得於低成本的製造半 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) •11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公釐) -17- A7 B7 五、發明説明(15 ) 導體裝置,、因此產業上之利用可能性極高者。 圖面之簡單說明 第1圖係模式的表示傳統之半導體裝置之製造過程。 第2圖係模式的表示今後可能之半導體裝置之製造過 程。 第3圖係模式的表示本發明半導體裝置之製造過程之 槪念圖。 第4圖係模式的表示其本發明半導體裝置之製造過程 之槪念圖。 第5圖係表示本發明之實驗結果圖。 第6圖係表示本發明之實驗結果圖。 第7圖係到達本發明之實施例之檢討裝置圖' 第8圖係到達本發明之實施例之檢討%裝置圖。 第9圖係到達本發明之實施例之檢..討裝置圖。 第1 0圖係表示半導體裝置之一實施例圖。 第1 1圖係表示半導體裝置之一實施例圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 2圖係表示本發明之乾式蝕刻裝置之一實施例 圖。 第13圖係表示依本發明之洗淨.成膜一貫處理裝置 之一實施例圖。 第1 4圖係表示依本發明之乾式蝕刻,洗淨一貫處理 裝置之一實施例圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -18 - 五、發明説明(16 ) A7 B7 . 表1 No. 晶晶片溫度(°C ) 內壁溫度(°C ) 蝕刻率之比 1 350 4 2 300 400 8 3 450 30 4 480 50 5 400 2 6 350 450 7 7 480 12 8 500 21 .比 350 1 較 350 例 形成於內壁之膜之蝕刻率 形成於晶片之膜之蝕刻率 Γ _ - 訂 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -19- A7 B7 五、發明説明(17 ) 表2 、 No. 由ECR點之石英表面大約位置(cm) 蝕刻率之比 9 1 30 10 2 10 11 5 5 比 2 較 10 例 *與表1同 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表3 No · 壁面偏壓値(V) 蝕刻率之比 12 -1 0 10 13 -20 18 14 -3 0 20 15 -40 2 5 16 -5 0 2 3 比 1 較 0 例 *與表1同 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20-
A B7 五、發明説明(18 ) 表4 、 No. 氣體導入系4之流量2 氣體導入系15之流量1 蝕刻率之比1 17 50 7 18 20 80 10 19 100 10 20 80 8 21 50 100 8 22 150 9 23*3 150 12 比較 0 100 1.5 例 *與表1同 *2單位ml/分 * 3設置阻擋板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -s I, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 五、發明説明(19 )
7 7 A B 表5 、 No. 氣體導入系4之流量‘2 氣體導入系15之流量’1 蝕刻率之比1 24 50 23 25 50 80 25 26 100 25 27 80 17 28 100 100 18 29 150 20 比較 100 0 1 例 0 150 1.5 *與表1同 *2單位ml/分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表6 No · 氣體導入系4之NR濃度(%) 蝕刻率之比· 30 5 11 31 10 9 32 20 6 33 30 6 比較例 100 1 *與表1同 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -22- B7 五、發明説明(2〇 ) 表7 No. 晶片溫度 (°C ) 內壁溫度 fc ) 氣體導入系4 流量·2 氣體導入系15 流量·2 鈾刻率之比_1 34 300 450 50 50 30 35 100 34 36 300 480 50 50 50 37 100 55 38 350 450 50 50 7 39 100 10 比 較 例 350 350 0 50 1 *與表1同 *2單位ml/分 (请先閲請背面之注意事項再填寫本頁) -W· 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21OX297公釐)
Claims (1)
- 正充修補 0 六、申請專利範圍 附件1: 第86 1 1 1 396號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 • 民國8 8年8月修正 1 · 一種半導體裝置之製造方法,其特徵爲:由藉乾 式洗淨而同時而逐次的實施去-除形成半導體製造內之裝置 內壁之附著物及半導體晶片之淸淨化之過程,以及該半導 體晶片之處理之過程所成者。 2 種半導體裝置之製遙方法,.其特徵爲:藉乾式 • ....浐. 洗淨而同時或逐次的實施去除擺—射或C : _V—D等之成膜裝置 中之形成於裝置內壁之附-著物及半導體晶片之洗猙化之後 ,對於該半導體晶片上實施濺射或C V D等之成膜者。 3 · —種半導體裝置之製造方法,其特徵爲:實施半 導:嚜晶片之乾式蝕刻之後,以乾式洗淨而同時或次逐次的 實施形成於裝置內壁之附著物之去除及該半導體晶片之洗 淨者。 4 . 一p半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶片 之成膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲:控制晶片 及裝置內壁等之溫度分佈,然後流入洗淨用氣體:由而同 時或逐次的淸淨晶捭:及裝置內壁者。 5 / —種半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶片 之成膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲:實施等離 子體分佈之控制由而同時或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等 者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- I ! I 訂--III — — — . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製正充修補 0 六、申請專利範圍 附件1: 第86 1 1 1 396號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 • 民國8 8年8月修正 1 · 一種半導體裝置之製造方法,其特徵爲:由藉乾 式洗淨而同時而逐次的實施去-除形成半導體製造內之裝置 內壁之附著物及半導體晶片之淸淨化之過程,以及該半導 體晶片之處理之過程所成者。 2 種半導體裝置之製遙方法,.其特徵爲:藉乾式 • ....浐. 洗淨而同時或逐次的實施去除擺—射或C : _V—D等之成膜裝置 中之形成於裝置內壁之附-著物及半導體晶片之洗猙化之後 ,對於該半導體晶片上實施濺射或C V D等之成膜者。 3 · —種半導體裝置之製造方法,其特徵爲:實施半 導:嚜晶片之乾式蝕刻之後,以乾式洗淨而同時或次逐次的 實施形成於裝置內壁之附著物之去除及該半導體晶片之洗 淨者。 4 . 一p半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶片 之成膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲:控制晶片 及裝置內壁等之溫度分佈,然後流入洗淨用氣體:由而同 時或逐次的淸淨晶捭:及裝置內壁者。 5 / —種半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶片 之成膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲:實施等離 子體分佈之控制由而同時或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等 者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- I ! I 訂--III — — — . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 . —種半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶片 之成膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲:將裝置壁 面等形成爲負偏壓之下形成等離子體化,由而同時或逐次 的淸淨晶片及裝置內壁等者。 7 . —種半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶片 之成膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲:由控制氣 體之流動而同時或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等。 8 . —種半導體裝置之製造方法,.在實施半導體晶片 之成.膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲:由設置活 動之阻擋板而控制氣體之流動而同時或逐次的淸淨晶片及 製造內壁等者。 9 . 一種半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶片 成膜,乾式蝕刻等之製造過程中,其特徵爲〃對於晶片及 裝置內壁等分別通流不同之氣體,由而同時或逐次的淸淨 晶片及裝置內壁等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 . —種半導體裝置之製造方法,在實施半導體晶 片之成膜,乾式蝕刻等之屬造過程中,其特徵爲:控制流 通於晶片及裝置內壁等.之氣體成份及氣體濃度,由而同時 或逐次的淸淨晶片及裝置內壁等者。 1 1 一種半導體裝置之製造方法,其特徵爲,組合 請求項4〜1 0所述之構成、而使用者。 1 2 . —種半導體裝置之製造方法,其特徵爲,藉記 述於請求項4乃至1 0 ..其中之一項_所記述之方法而同時或 逐次的淸淨晶片之背面及裝置內壁等者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 3 C —..種半導體裝置之製造方法,其特徵爲,實施 乾、考蝕刻等.之後,羅轉晶片而將它安襞,藉請求項4乃至 1 〇其中之一項所述之,直法而周時或逐〜次..的淸淨晶片之背 面及裝置內壁等者, 1 4 種半導體裝置之製造方法,其特徵爲:在實 施蝕刻之後,以記述於請求項-.4及至1 0其中之一方法而 同時或逐次地實施晶片及裝置內壁等之淸淨之後,而翻轉 晶片而予以安裝,而藉請求項4乃至1 0所記述之方法同 時或逐次的淸淨晶片背面及裝置內壁等者。 1 5-.... 一種华.導體裝置之製造方法,其特徵爲,祗實 施規定片數之晶片處理之後,實施請求項4乃至10項其 中之一項所記述之處理者。 1 6 .—種半導體裝置之製造方法,其特徵爲,監視 裝置內壁之狀態而完成蕭求項2乃至1 〇項中任何一項所 記述之淸淨處理者。 1 7 . —種成膜裝置,.其特徵爲,具備有成膜手段及 同時或逐次的.實施晶片i及裝置內壁等-之洗淨手段者。 1 8 _ —種乾式飩刻裝置,其特徵爲,具備有乾式蝕 刻手段及同時或逐次的實施晶片及裝置內壁等之洗淨之洗 淨手段者。 1 9一..--如請求專利範圍第1 8項所述之乾式蝕刻裝置 ,其中備有翻轉晶片之手段者。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂------一!镗 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20955796A JP3329199B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW383420B true TW383420B (en) | 2000-03-01 |
Family
ID=16574802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW86111396A TW383420B (en) | 1996-08-08 | 1997-08-08 | Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3329199B2 (zh) |
TW (1) | TW383420B (zh) |
WO (1) | WO1998007186A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0015683D0 (en) * | 2000-06-28 | 2000-08-16 | Depuy Int Ltd | Apparatus for positioning a surgical instrument |
AU2003243974A1 (en) | 2002-06-25 | 2004-01-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing device |
JP5751895B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2015-07-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
CN109326541A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-02-12 | 德淮半导体有限公司 | 半导体工艺装置及其工作方法 |
CN112609168B (zh) * | 2020-11-30 | 2023-06-06 | 中威新能源(成都)有限公司 | 一种快速清洗大面积真空腔室内累积薄膜的方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298181A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
JP2928538B2 (ja) * | 1989-05-22 | 1999-08-03 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
JPH0462921A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体材料の裏面エッチング方法 |
JP3250240B2 (ja) * | 1991-10-15 | 2002-01-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP20955796A patent/JP3329199B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-06 WO PCT/JP1997/002731 patent/WO1998007186A1/ja active Application Filing
- 1997-08-08 TW TW86111396A patent/TW383420B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3329199B2 (ja) | 2002-09-30 |
JPH1055991A (ja) | 1998-02-24 |
WO1998007186A1 (fr) | 1998-02-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100442167B1 (ko) | 자연산화막 제거방법 | |
TW202012692A (zh) | 成膜方法及成膜裝置 | |
KR100855597B1 (ko) | 육불화황 원격 플라즈마 소스 세정 | |
JP4001662B2 (ja) | シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法 | |
US20130048606A1 (en) | Methods for in-situ chamber dry clean in photomask plasma etching processing chamber | |
KR20160045611A (ko) | 금속 산화물 환원을 특징으로 하는 방법 및 장치 | |
JP6995997B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び基板処理方法 | |
WO2004027849A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
EP0020746B1 (en) | Process and apparatus for cleaning wall deposits from a film deposition furnace tube | |
KR100259220B1 (ko) | 수소 플라즈마 다운 스트림 처리 장치 및 수소 플라즈마 다운스트림 처리 방법 | |
TW200307974A (en) | Cleaning apparatus for semiconductor wafer | |
TW383420B (en) | Manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device | |
JP2010199475A (ja) | プラズマ処理装置のクリーニング方法及び記憶媒体 | |
TWI388027B (zh) | 用以預處理及穩定蝕刻腔室之方法及蝕刻腔室、製程腔室之清潔方法 | |
JP2011517368A (ja) | 基板からポリマーを除去するための方法及び装置 | |
TW307027B (en) | Process for reducing circuit damage during pecvd in single wafer pecvd system | |
TW200524032A (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and computer-readable recording medium | |
JPH07142438A (ja) | 洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン | |
JP4058669B2 (ja) | シリコン基板上への導電性珪化物層の形成方法および導電性珪化物接点の形成方法 | |
JP2003236481A (ja) | 洗浄方法、洗浄装置ならびに半導体装置の製造方法およびアクティブマトリックス型表示装置の製造方法 | |
JP2001308070A (ja) | ドライエッチング装置およびそれを用いた半導体基板の処理方法 | |
TWI276141B (en) | Method of manufacturing an electronic device | |
JP2001044429A (ja) | ゲート絶縁膜形成前処理方法及びその前処理装置 | |
KR20020059880A (ko) | 반도체 집적소자 제조공정 및 장치 | |
JP2006222242A (ja) | 半導体製造装置および製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |