JP2018500759A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018500759A5 JP2018500759A5 JP2017529794A JP2017529794A JP2018500759A5 JP 2018500759 A5 JP2018500759 A5 JP 2018500759A5 JP 2017529794 A JP2017529794 A JP 2017529794A JP 2017529794 A JP2017529794 A JP 2017529794A JP 2018500759 A5 JP2018500759 A5 JP 2018500759A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic core
- layer
- etching
- forming
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims 37
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 36
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 19
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 12
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims 8
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims 8
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000020127 ayran Nutrition 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Claims (20)
- 集積回路を形成する方法であって、
前記集積回路のウェハ上に第1の誘電体層を形成することと、
前記第1の誘電体層上にNiFeパーマロイとAlN誘電体との交互の層で構成される磁気コア材料の層を形成することと、
前記磁気コア材料上に磁気コア領域の外側の領域を露出させる磁気コアパターンを形成することと、
前記磁気コアを形成するために前記磁気コアパターンにより露出された箇所において前記磁気コア材料を取り除くためにウェットエッチャントを用いてエッチングすることであって、前記ウェットエッチャントがリン酸と酢酸と硝酸と脱イオン水とを含む、前記エッチングすることと、
前記磁気コアパターンを取り除くことと、
を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記リン酸が10%〜40%の重量パーセントの濃縮リン酸であり、前記酢酸が1%〜10%の重量パーセントの濃縮酢酸であり、前記硝酸が0.1%〜3%の重量パーセントの濃縮硝酸である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
NiFeパーマロイの各層が225nm〜425nmの厚みを有し、AlNの各層が5nm〜15nmの厚みを有し、前記磁気コア材料の層が、各々が前記第1の誘電体層上のNiFeパーマロイとAlN誘電体とである、3〜10の層で構成される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
NiFeパーマロイの各層が325nmの厚みを有し、AlNの各層が10nmの厚みを有する、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ウェットエッチャントを用いてエッチングすることが、前記磁気材料が前記露出された領域から取り除かれるまでの、前記ウェットエッチャントを用いる前記磁気コア材料のエッチングとその後の脱イオン水リンスとの反復されたサイクルを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ウェットエッチャントを用いてエッチングすることが、前記磁気材料が前記露出された領域から取り除かれるまでの、6分未満の時間の間の前記ウェットエッチャントを用いる前記磁気コア材料のエッチングとその後の脱イオン水リンスとの反復されたサイクルを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ウェットエッチャントが、30重量%の濃縮リン酸と4重量%の濃縮酢酸と0.45重量%の濃縮硝酸と脱イオン水とを含む、方法。 - 集積回路を形成する方法であって、
前記集積回路のウェハ上に第1の誘電体層を形成することと、
前記第1の誘電体層上にエッチストップ層を形成することであって、前記エッチストップ層がシリコン窒化物である、前記エッチストップ層を形成することと、
前記エッチストップ層上に第1の応力緩和材料層を形成することと、
前記応力緩和材料層上にNiFeパーマロイとAlN誘電体との交互の層で構成される磁気コア材料の層を形成することと、
前記磁気コア材料上に磁気コアの外側の領域を露出させる磁気コアパターンを形成することであって、前記磁気コアパターンがフォトマスクを用いて形成される、前記磁気コアパターンを形成することと、
前記磁気コアを形成するために前記磁気コアパターンにより露出された箇所における前記磁気コア材料を取り除くためにウェットエッチャントを用いてエッチングすることであって、前記ウェットエッチャントがリン酸と酢酸と硝酸と脱イオン水とを含む、前記ウェットエッチャントを用いてエッチングすることと、
前記磁気コアパターンが前記磁気コアの底部を少なくとも1.5μm超えて延在するように前記磁気コア材料をオーバーエッチングすることと、
前記磁気コアパターンを取り除くことと、
前記第1の応力緩和材料層上と前記磁気コアの頂部及び側部上とに第2の応力緩和材料層を形成することと、
前記第2の応力緩和材料上に応力緩和材料エッチパターンを形成することであって、前記応力緩和材料エッチパターンが前記磁気コアの底部を少なくとも1.5μm超えて延在し、前記応力緩和材料エッチパターンが前記磁気コアパターンを形成するために用いられるものと同じフォトマスクを用いて形成される、前記応力緩和材料エッチパターンを形成することと、
フッ素含有ガスでのプラズマエッチングを用いて前記第1及び第2の応力緩和材料層をエッチングすることであって、前記プラズマエッチングが前記エッチストップ層上で停止する、前記第1及び第2の応力緩和材料層をエッチングすることと、
前記応力緩和材料エッチパターンを取り除くことと、
を含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記リン酸が10%〜40%の重量パーセントの濃縮リン酸であり、前記酢酸が1%〜10%の重量パーセントの濃縮酢酸であり、前記硝酸が0.1%〜3%の重量パーセントの濃縮硝酸である、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記ウェットエッチャントが、30重量%の濃縮リン酸と4重量%の濃縮酢酸と0.45%の濃縮硝酸とDI水とを含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記第1の応力緩和材料が30nm〜50nmの厚みを有し、前記第2の応力緩和層が90nm〜300nmの厚みを有する、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
NiFeパーマロイの各層が225nm〜425nmの厚みを有し、AlNの各層が5nm〜15nmの厚みを有し、磁気コア材料の前記層が、各々が前記応力緩和材料層上のNiFeパーマロイとAlN誘電体とである、3〜10の層で構成される、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記第1及び第2の応力緩和層が、TiとTiNとTaとTaNとRuとPtとから成るグループから選択される、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記第1の応力緩和層が30nm〜50nmの厚みを有するチタンであり、前記第2の応力緩和層が90nm〜300nmの厚みを有するチタンである、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記ウェットエッチャントを用いてエッチングすることが、前記磁気材料が前記露出された領域から取り除かれるまでの、前記ウェットエッチャントを用いる前記磁気コア材料のエッチングとその後の脱イオン水リンスとの反復されたサイクルを含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記ウェットエッチャントを用いてエッチングすることが、前記磁気材料が前記露出された領域から取り除かれるまでの、6分未満の時間の間の前記ウェットエッチャントを用いる前記磁気コア材料のエッチングとその後の脱イオン水リンスとの反復されたサイクルを含む、方法。 - 請求項11に記載の方法であって、
前記エッチストップ層が、シランとアンモニアと窒素ガスとを用いるPECVDによって形成される、35nm〜150nmの厚みを有するシリコン窒化物である、方法。 - 集積回路を形成する方法であって、
半導体ウェハ上に第1の誘電体層を形成することと、
前記第1の誘電体層上にエッチストップ層を形成することと、
前記エッチストップ層上に第1の応力緩和材料層を形成することと、
前記第1の応力緩和材料層上にNiFeパーマロイとAlN誘電体との交互の層で構成される磁気コア材料のスタックを形成することと、
前記磁気コア材料のスタック上に第1のパターンを形成することと、
磁気コアを形成するために前記第1のパターンにより露出される箇所の前記磁気コア材料を取り除くためにウェットエッチャントを用いてエッチングすることであって、前記ウェットエッチャントがリン酸と酢酸と硝酸と脱イオン水とを含む、前記ウェットエッチャントを用いてエッチングすることと、
前記第1のパターンが前記磁気コアを超えて延在するように前記磁気コア材料をオーバーエッチングすることと、
前記第1のパターンを取り除くことと、
前記第1の応力緩和材料層上と前記磁気コアの頂部及び側部上とに第2の応力緩和材料層を形成することと、
前記第2の応力緩和材料上に第2のパターンを形成することであって、前記第2のパターンが前記磁気コアの底部を超えて延在する、前記第2のパターンを形成することと、
フッ素含有ガスでのプラズマエッチングを用いて前記第1及び第2の応力緩和材料層をエッチングすることであって、前記プラズマエッチングが前記エッチストップ層上で停止する、前記第1及び第2の応力緩和材料層をエッチングすることと、
前記第2のパターンを取り除くことと、
を含む、方法。 - 請求項18に記載の方法であって、
前記リン酸が10%〜40%の重量パーセントの濃縮リン酸であり、前記酢酸が1%〜10%の重量パーセントの濃縮酢酸であり、前記硝酸が0.1%〜3%の重量パーセントの濃縮硝酸である、方法。 - 請求項18に記載の方法であって、
前記ウエットエッチャントが、30%に重量濃縮されたリン酸と4%に重量濃縮された酢酸と0.45%に重量濃縮された硝酸とDI水とを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/557,546 | 2014-12-02 | ||
US14/557,546 US9840781B2 (en) | 2014-12-02 | 2014-12-02 | Process for NiFe fluxgate device |
PCT/US2015/063554 WO2016090063A1 (en) | 2014-12-02 | 2015-12-02 | IMPROVED PROCESS FOR NiFe FLUXGATE DEVICE |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018500759A JP2018500759A (ja) | 2018-01-11 |
JP2018500759A5 true JP2018500759A5 (ja) | 2019-01-10 |
JP6660388B2 JP6660388B2 (ja) | 2020-03-11 |
Family
ID=56079702
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017529794A Active JP6660388B2 (ja) | 2014-12-02 | 2015-12-02 | NiFeフラックスゲートデバイスのための改善されたプロセス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9840781B2 (ja) |
EP (1) | EP3227402B1 (ja) |
JP (1) | JP6660388B2 (ja) |
CN (1) | CN107001934B (ja) |
WO (1) | WO2016090063A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9840781B2 (en) * | 2014-12-02 | 2017-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Process for NiFe fluxgate device |
US9893141B2 (en) * | 2015-02-26 | 2018-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic core, inductor, and method for fabricating the magnetic core |
US10017851B2 (en) * | 2015-12-22 | 2018-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Magnetic field annealing for integrated fluxgate sensors |
US9771261B1 (en) * | 2016-03-17 | 2017-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Selective patterning of an integrated fluxgate device |
US10403424B2 (en) * | 2017-06-09 | 2019-09-03 | Texas Instruments Incorporated | Method to form magnetic core for integrated magnetic devices |
US10164001B1 (en) * | 2017-09-18 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Semiconductor structure having integrated inductor therein |
KR20190051656A (ko) * | 2017-11-07 | 2019-05-15 | 삼성전자주식회사 | 식각 조성물, 실리콘 질화막의 식각 방법, 및 반도체 소자의 제조 방법 |
WO2020083027A1 (en) * | 2018-10-26 | 2020-04-30 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Embedded thin-film magnetic inductor design for integrated voltage regulator (ivr) applications |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3715250A (en) * | 1971-03-29 | 1973-02-06 | Gen Instrument Corp | Aluminum etching solution |
SU1089465A1 (ru) | 1982-11-29 | 1984-04-30 | Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности | Реактив дл химического травлени |
US5945007A (en) * | 1992-10-20 | 1999-08-31 | Cohen; Uri | Method for etching gap-vias in a magnetic thin film head and product |
WO1996007926A1 (en) * | 1994-08-28 | 1996-03-14 | Philips Electronics N.V. | Magnetic field detector device |
US7077919B2 (en) * | 1999-05-20 | 2006-07-18 | Magnetic Metals Corporation | Magnetic core insulation |
US6562251B1 (en) * | 2000-07-26 | 2003-05-13 | Aiwa Co., Ltd. | Chemical-mechanical contouring (CMC) method for forming a contoured surface using a stair-step etch |
JP2002100008A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |
US6673675B2 (en) | 2002-04-11 | 2004-01-06 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating an MRAM device using chemical mechanical polishing |
US6942813B2 (en) | 2003-03-05 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method of etching magnetic and ferroelectric materials using a pulsed bias source |
DE102004052578B4 (de) * | 2004-10-29 | 2009-11-26 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Erzeugen einer unterschiedlichen mechanischen Verformung in unterschiedlichen Kanalgebieten durch Bilden eines Ätzstoppschichtstapels mit unterschiedlich modifizierter innerer Spannung |
US7691280B2 (en) | 2005-03-25 | 2010-04-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ink jet printing of etchants and modifiers |
US7535221B2 (en) * | 2006-03-17 | 2009-05-19 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Magnetic sensor element and electronic directional measuring device |
CN101427394B (zh) * | 2006-04-28 | 2010-12-15 | 微门有限公司 | 薄膜三轴磁通门及其实施方法 |
US7955868B2 (en) * | 2007-09-10 | 2011-06-07 | Enpirion, Inc. | Method of forming a micromagnetic device |
KR101516050B1 (ko) * | 2008-08-27 | 2015-05-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 전계 효과형 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 스퍼터링 타겟 |
US7884433B2 (en) * | 2008-10-31 | 2011-02-08 | Magic Technologies, Inc. | High density spin-transfer torque MRAM process |
US20120049193A1 (en) * | 2009-02-06 | 2012-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
KR20100104360A (ko) * | 2009-03-17 | 2010-09-29 | 주식회사 동진쎄미켐 | 박막트랜지스터용 식각액 조성물 |
US8471304B2 (en) * | 2010-06-04 | 2013-06-25 | Carnegie Mellon University | Method, apparatus, and system for micromechanical gas chemical sensing capacitor |
US8378776B1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-02-19 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor structure with galvanically-isolated signal and power paths |
US8686722B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-04-01 | National Semiconductor Corporation | Semiconductor fluxgate magnetometer |
CN102789967B (zh) * | 2012-08-16 | 2014-09-24 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种软磁磁芯螺旋微电感的制作方法 |
ITTO20121080A1 (it) * | 2012-12-14 | 2014-06-15 | St Microelectronics Srl | Dispositivo a semiconduttore con elemento magnetico integrato provvisto di una struttura di barriera da contaminazione metallica e metodo di fabbricazione del dispositivo a semiconduttore |
US20150034476A1 (en) * | 2013-07-08 | 2015-02-05 | Veeco Instruments, Inc. | Deposition of thick magnetizable films for magnetic devices |
KR102190370B1 (ko) | 2014-01-10 | 2020-12-11 | 삼성전자주식회사 | 도전 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US9383418B2 (en) | 2014-05-23 | 2016-07-05 | Texas Instruments Incorporated | Integrated dual axis fluxgate sensor using double deposition of magnetic material |
US9840781B2 (en) * | 2014-12-02 | 2017-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Process for NiFe fluxgate device |
-
2014
- 2014-12-02 US US14/557,546 patent/US9840781B2/en active Active
-
2015
- 2015-12-02 WO PCT/US2015/063554 patent/WO2016090063A1/en active Application Filing
- 2015-12-02 JP JP2017529794A patent/JP6660388B2/ja active Active
- 2015-12-02 CN CN201580065504.4A patent/CN107001934B/zh active Active
- 2015-12-02 EP EP15864348.6A patent/EP3227402B1/en active Active
-
2017
- 2017-11-10 US US15/809,143 patent/US10266950B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-15 US US16/354,487 patent/US20190211458A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018500759A5 (ja) | ||
JP6660388B2 (ja) | NiFeフラックスゲートデバイスのための改善されたプロセス | |
US9887350B2 (en) | MTJ etching with improved uniformity and profile by adding passivation step | |
JP2015021132A5 (ja) | 有機膜研磨に用いられるcmp用スラリー組成物を利用してcmp工程を行う方法及びこれを利用する半導体装置の製造方法 | |
JP2017103388A5 (ja) | ||
PH12015000443A1 (en) | Semi-aqueous photoresist or semiconductor manufacturing residue stripping and cleaning composition with improved silicon passivation | |
CN109119330A (zh) | 一种半导体器件的形成方法 | |
JP2017034246A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2012119686A (ja) | 金属含有犠牲材料及びダマシン配線形成の方法 | |
CN111524795B (zh) | 自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 | |
JP2016046530A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP2011040502A (ja) | 金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた金属微細構造体の製造方法 | |
WO2012172724A1 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
JP2005039180A (ja) | 半導体素子の金属配線の形成方法 | |
TWI553156B (zh) | 液體蝕刻劑組成物,以及在dram之電容器製程中使用上述液體蝕刻劑組成物之蝕刻製程 | |
JP2005166924A5 (ja) | ||
CN108666203A (zh) | 改善晶圆边缘形貌的方法 | |
TWI570804B (zh) | A method of forming a notch at the bottom of the hole during the etching process, and a method of forming the hole | |
JP6119285B2 (ja) | 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法 | |
US6989331B2 (en) | Hard mask removal | |
JP2012226316A5 (ja) | ||
CN104282534B (zh) | 金属表面缺陷的处理方法 | |
TW201432807A (zh) | 矽晶圓清洗方法 | |
JP2014225561A5 (ja) | ||
CN104851811B (zh) | 去除铝残余缺陷的方法 |