JP2018185458A - 反射防止膜、粒子配列膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はまた、以下の[1]〜[3]の粒子配列膜の製造方法に関するものである。
(A)粒子、樹脂、希釈剤、及び前記樹脂の貧溶剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(B)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(C)前記一次乾燥された塗工液から前記樹脂の貧溶剤を揮発させる二次乾燥工程。
(D)粒子、希釈剤、及び昇華性物質を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(E)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(F)前記一次乾燥された塗工液から昇華性物質を昇華させる二次乾燥工程。
(G)粒子表面にフルオロ基及び反応性基を設ける粒子表面処理工程。
(H)前記フルオロ基及び反応性基を設けた粒子、樹脂、並びに希釈剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(I)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる乾燥工程。
(a)式中のL1〜L4は、膜表面の原子間力顕微鏡像又は走査型電子顕微鏡像において測定することができる。
本発明において、得られる反射防止膜の透明性を高めるのに好適であることから、粒子が単層で配列していることが好ましい。粒子が単層で配列していることにより、粒子が多層で配列している場合と比較して、膜内部での光の散乱を抑制することができ、反射防止膜の透明性を高めることができる。粒子が単層で配列している場合において、一部の粒子が凝集により積層されている部分を有していてもよいが、反射防止膜の透明性及び耐擦傷性を高めるのにより好適であることから、前記凝集による積層部分を有していないことが好ましい。
(A)粒子、樹脂、希釈剤、及び前記樹脂の貧溶剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(B)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(C)前記一次乾燥された塗工液から前記樹脂の貧溶剤を揮発させる二次乾燥工程。
(D)粒子、希釈剤、及び昇華性物質を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(E)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(F)前記一次乾燥された塗工液から昇華性物質を昇華させる二次乾燥工程。
[3]粒子、樹脂、及び希釈剤を含有する塗工液を用いて粒子配列膜を製造する製造方法であって、以下の(G)〜(I)工程を経ることを特徴とする粒子配列膜の製造方法。
(G)粒子表面にフルオロ基及び反応性基を設ける粒子表面処理工程。
(H)前記フルオロ基及び反応性基を設けた粒子、樹脂、並びに希釈剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(I)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる乾燥工程。
(A)粒子、樹脂、希釈剤、及び前記樹脂の貧溶剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(B)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(C)前記一次乾燥された塗工液から前記樹脂の貧溶剤を揮発させる二次乾燥工程。
(D)粒子、希釈剤、及び昇華性物質を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(E)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(F)前記一次乾燥された塗工液から昇華性物質を昇華させる二次乾燥工程。
(G)粒子表面にフルオロ基及び反応性基を設ける粒子表面処理工程。
(H)前記フルオロ基及び反応性基を設けた粒子、樹脂、並びに希釈剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(I)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる乾燥工程。
[粒子の粒径の測定]
粒子の粒径は、走査型電子顕微鏡(キーエンス社製VE−9800)を用いて測定した表面像において、粒子の直径を20点以上の粒子について測定し、平均することで算出した。
[凸部の高さの測定]
凸部の高さは、原子間力顕微鏡(日立ハイテクサイエンス社製AFM5100)を用い、オリンパス社製カンチレバーOMCL−AC200TSを用いてダイナミックフォースモードで測定した反射防止膜表面像において、反射防止膜表面に存在する微細構造の凸部の頂点から、隣接する凹部の最底部までの膜厚方向の距離を、20点以上の凸部について測定し、平均することで算出した。
[粒子間距離及び粒子間距離の標準偏差の測定]
粒子間距離は、走査型電子顕微鏡(キーエンス社製VE−9800)を用いて測定した表面像において、20点以上の粒子について前述の(a)式から粒子間距離を求め、平均することで算出した。また、粒子間距離の標準偏差についても前述の(b)式から同様に求め、平均することで算出した。
[反射率の測定]
反射率の実測値は、角度可変絶対反射付属装置を内蔵する分光光度計(日立ハイテクサイエンス社製U−4100)を用い、入射角10°での反射率を測定した。反射率測定にあたっては裏面反射の影響を除くために、試料の裏面をマジックで黒く塗りつぶし、さらに裏面に黒色テープを貼り測定した。
[全光線透過率及びヘーズの測定]
全光線透過率及びヘーズは日本電色工業製NDH−5000を用いて測定した。
[耐擦傷性の評価]
耐擦傷性はスチールウール試験により評価した。スチールウール(ボンスター製#0000)に100g/cm2の荷重をかけ、4cm/秒の速度で行い、試料上を10往復させた。
○:スチールウール試験による傷なし。
×:スチールウール試験による傷あり。
[耐マスキング性の評価]
耐マスキング性は、反射防止膜表面にマスキングフィルム(日東電工社製EMASK RP−207)を貼付して1日後に剥離し、マスキングフィルムの貼付前と剥離後の全光線透過率を比較することで評価した。ここで、本評価において、マスキングフィルムの貼付時及び剥離時の両者において光学特性の変化が小さい場合には全光線透過率の変化が小さいものとなり、いずれか一方でも光学特性の変化が大きい場合には全光線透過率の変化が大きいものとなる(以下、該光学特性の変化が小さい場合を耐マスキング性が優れるものとして扱う。)。なお、マスキングフィルムの貼付はサンプル幅3cmに500gの荷重をかけたローラーを5往復させることで行った。
○:全光線透過率の変化が0.5%未満。
×:全光線透過率の変化が0.5%以上。
[実施例1]
(粒子配列膜の作製(製造方法[1]))
粒径180nmのシリカ粒子の水分散液(日産化学社製MP−2040、40wt%)を用い、粒子200g、エタノール150g、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製KBM−503)4g、及び28wt%アンモニア水0.2gを撹拌しながら加え、60℃で3時間反応させ室温まで冷却した。エバポレータにより溶剤を留去し、メタノール500gを加え再度溶剤を留去する操作を3回繰り返した。留去操作後、メチルエチルケトン(MEK)に再分散させた。ポリメタクリル酸メチル(PMMA、重量平均分子量99.6万)をテトラヒドロフラン(THF)で希釈し、濃度4wt%に調製。このPMMAのMEK溶液に貧溶剤として1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンを加え、上記粒子分散液と混合した。さらに、この溶液に防汚剤(信越化学社製KY−1203)を加え、希釈剤としてMEKを加え、粒子1.6wt%、樹脂(PMMA)0.5wt%、貧溶剤1.6wt%、防汚剤0.05wt%のMEK溶液を調製した(THF及びMEKが希釈剤)。
(反射防止膜の作製)
基材としてガラス基材の代わりにハードコート層を有する樹脂フィルム(東山フィルム製FHC−M2)を用い、その他は上記と同様にして粒子配列膜を作製し、最表面に該粒子配列膜を有する反射防止膜を作製した。
(粒子配列膜及び反射防止膜の作製(製造方法[1]))
塗工液として、実施例1におけるPMMA0.5wt%の代わりに、NKポリマーGH−1203(新中村化学社製)0.48wt%と重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(BASF社製IRUGACURE907)0.02wt%とを加えた塗工液を用いた。また、基材上に上記溶液を600rpmでスピンコート塗工し、80℃で2分間乾燥((B)工程及び(C)工程)した後に、窒素雰囲気下で20分間UV照射(硬化工程)した。その他は実施例1と同様にして粒子配列膜及び反射防止膜を作製した。
[実施例3]
(粒子配列膜の作製(製造方法[2]))
粒径180nmのシリカ粒子の水分散液(日産化学社製MP−2040、40wt%)を用い、粒子200g、エタノール150g、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製KBM−503)4g、及び28wt%アンモニア水0.2gを撹拌しながら加え、60℃で3時間反応させ室温まで冷却した。エバポレータにより溶剤を留去し、メタノール500gを加え再度溶剤を留去する操作を3回繰り返した。留去操作後、メチルエチルケトン(MEK)に再分散させた。この溶液に昇華性物質としてショウノウを加え、希釈剤としてMEKを加え、粒子3.2wt%、及びショウノウ3.05wt%のMEK溶液を調製した(MEKが希釈剤)。
[実施例4]
(粒子配列膜の作製(製造方法[2]))
塗工液として実施例3におけるショウノウを用いる代わりに、ナフタレンを昇華性物質として用い、その他は実施例3と同様にして粒子配列膜を作製した。
[実施例5]
(粒子配列膜の作製(製造方法[3]))
粒径180nmのシリカ粒子の水分散液(日産化学社製MP−2040、40wt%)を用い、粒子200g、エタノール150g、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学社製KBM−503)0.5g、トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シラン3.5g、及び28wt%アンモニア水0.2gを撹拌しながら加え、60℃で3時間反応させ室温まで冷却した。エバポレータにより溶剤を留去し、メタノール500gを加え再度溶剤を留去する操作を3回繰り返した。留去操作後、メチルエチルケトン(MEK)に再分散させた。この溶液に架橋性樹脂としてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(新中村化学社製A−DPH、6官能)及び重合開始剤として2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−プロパン−1−オン(BASF社製IRUGACURE907)、高沸点溶剤としてジエチレングリコールブチルメチルエーテル、防汚剤としてKY−1203(信越化学社製)、希釈剤としてMEKをそれぞれ加え、粒子3.2wt%、架橋性樹脂3.2wt%、重合開始剤0.16wt%、高沸点溶剤4.8wt%、及び防汚剤0.16wt%の溶液を調製した(MEKが希釈剤)。
(反射防止膜の作製)
基材として以下の方法で作製した基材を用い、その他は上記と同様にして粒子配列膜を作製し、最表面に該粒子配列膜を有する反射防止膜を作製した。
[実施例6]
(粒子配列膜の作製(製造方法[3]))
実施例5におけるトリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シランの代わりにトリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ヘプタデカフルオロデシル)シランを用い、また、シリカ粒子を含有する塗工液として、粒子3.2wt%の塗工液を用いる代わりに、粒子2.4wt%の塗工液を用い、その他は実施例5と同様にして粒子配列膜を作製した。
(反射防止膜の作製)
基材として以下の方法で作製した基材を用い、その他は上記と同様にして粒子配列膜を作製し、最表面に該粒子配列膜を有する反射防止膜を作製した。
[比較例1]
(粒子配列膜及び反射防止膜の作製)
実施例1において1,3−ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンを添加せず、その他は実施例1と同様にして粒子配列膜及び反射防止膜を作製した。
[比較例2]
(粒子配列膜及び反射防止膜の作製)
実施例1においてPMMAを添加せず、その他は実施例1と同様にして粒子配列膜及び反射防止膜を作製した。
[比較例3]
(粒子配列膜の作製)
実施例3においてショウノウを添加せず、その他は実施例3と同様にして粒子配列膜を作製した。
[比較例4]
(粒子配列膜及び反射防止膜の作製)
実施例5においてトリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シランを添加せず、その他は実施例5と同様にして粒子配列膜及び反射防止膜を作製した。
2 樹脂
3 メニスカス形状
4 樹脂の貧溶剤
5 昇華性物質
6 表面にフルオロ基を有する粒子
10 粒子配列膜
20 基材
30 塗布された塗工液(塗工液膜)
H 凸部の高さ
L 粒子間距離
M メニスカス形状の面内方向の距離
Claims (8)
- 粒子が単層で配列していることを特徴とする請求項1に記載の粒子配列膜。
- 樹脂が、反応性基を有する分子量1000以上の樹脂が架橋した架橋樹脂であり、前記反応性基の少なくとも一部は粒子表面と結合を形成していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の粒子配列膜。
- 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の粒子配列膜を最表面に有することを特徴とする反射防止膜。
- 粒子、樹脂、及び希釈剤を含有する塗工液を用いて粒子配列膜を製造する製造方法であって、前記塗工液が前記樹脂の貧溶剤を含有し、以下の(A)〜(C)工程を経ることを特徴とする粒子配列膜の製造方法。
(A)粒子、樹脂、希釈剤、及び前記樹脂の貧溶剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(B)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(C)前記一次乾燥された塗工液から前記樹脂の貧溶剤を揮発させる二次乾燥工程。 - 塗工液が含有する樹脂の固化温度が、20℃以上であることを特徴とする請求項5に記載の粒子配列膜の製造方法。
- 粒子及び希釈剤を含有する塗工液を用いて粒子配列膜を製造する製造方法であって、前記塗工液が昇華性物質を含有し、以下の(D)〜(F)工程を経ることを特徴とする粒子配列膜の製造方法。
(D)粒子、希釈剤、及び昇華性物質を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(E)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる一次乾燥工程。
(F)前記一次乾燥された塗工液から昇華性物質を昇華させる二次乾燥工程。 - 粒子、樹脂、及び希釈剤を含有する塗工液を用いて粒子配列膜を製造する製造方法であって、以下の(G)〜(I)工程を経ることを特徴とする粒子配列膜の製造方法。
(G)粒子表面にフルオロ基及び反応性基を設ける粒子表面処理工程。
(H)前記フルオロ基及び反応性基を設けた粒子、樹脂、並びに希釈剤を含有する塗工液を基材に塗布する塗布工程。
(I)前記塗布された塗工液から希釈剤を揮発させる乾燥工程。
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