JP2018179912A - センサ制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガスセンサの破損を抑制する【解決手段】センサ素子駆動回路41は、電流制御機能および切替機能を実現するための複数の半導体素子が半導体基板上に形成された回路である。電流制御機能は、電極22,23,26,27に電気的に接続されて電極26,27間の電位差が一定値となるように電極22,23間に流す電流を制御する機能である。切替機能は、電極22,23,26,27とセンサ制御装置4とが電気的に接続された接続状態と、導通が遮断された遮断状態との何れかに切り替える機能である。センサ制御装置4は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子における電位が異常であると判断した場合に、センサ素子駆動回路41に、接続状態から遮断状態に切り替えさせ、半導体基板を、センサ素子駆動回路41に印加されているグランド電位よりも低い負電圧に接続する。【選択図】図2
Description
本開示は、ガスセンサを制御するセンサ制御装置に関する。
特許文献1のように、ガスセンサに電気的に接続された配線の一部が電源電位またはグランド電位に短絡される配線異常が発生している場合に、ガスセンサとセンサ制御装置との間の導通を電気的に遮断して、ガスセンサに電流が流れないようにする技術が知られている。これにより、ガスセンサに過剰な電流が流れ込んでガスセンサが破損してしまう可能性を低減することができる。
しかし、ガスセンサとセンサ制御装置との間の導通を電気的に遮断しても、ガスセンサに過剰な電流が流れ込んでガスセンサが破損してしまうことがあるという問題があった。
本開示は、ガスセンサの破損を抑制することを目的とする。
本開示は、ガスセンサの破損を抑制することを目的とする。
本開示の一態様は、被測定ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出するガスセンサを制御するセンサ制御装置である。
ガスセンサは、起電力セルおよびポンプセルを有している。起電力セルは、第1固体電解質体と、第1固体電解質体上に形成された一対の第1電極とを有し、特定ガスの濃度差に応じて一対の第1電極間に起電力を発生するように構成されている。ポンプセルは、第2固体電解質体と、第2固体電解質体上に形成された一対の第2電極とを有し、一対の第2電極間にて特定ガスをポンピングするように構成されている。
ガスセンサは、起電力セルおよびポンプセルを有している。起電力セルは、第1固体電解質体と、第1固体電解質体上に形成された一対の第1電極とを有し、特定ガスの濃度差に応じて一対の第1電極間に起電力を発生するように構成されている。ポンプセルは、第2固体電解質体と、第2固体電解質体上に形成された一対の第2電極とを有し、一対の第2電極間にて特定ガスをポンピングするように構成されている。
そして本開示のセンサ制御装置は、制御回路と、異常判断部と、状態切替部と、電位接続部とを備える。
制御回路は、電流制御機能および切替機能を実現するための複数の半導体素子が半導体基板上に形成された回路である。
制御回路は、電流制御機能および切替機能を実現するための複数の半導体素子が半導体基板上に形成された回路である。
電流制御機能は、一対の第1電極および一対の第2電極に電気的に接続されて一対の第1電極間の電位差が一定値となるように一対の第2電極間に流す電流を制御する機能である。
切替機能は、一対の第1電極および一対の第2電極とセンサ制御装置とが電気的に接続された接続状態と、一対の第1電極および一対の第2電極とセンサ制御装置との間の導通が遮断された遮断状態との何れかに切り替える機能である。
異常判断部は、制御回路と、ガスセンサの一対の第1電極および一対の第2電極とを接続する複数の接続点のうち、少なくとも1つの接続点について、接続点における電位が異常であるか否かを予め設定された異常判断条件に基づいて判断する。
状態切替部は、接続点における電位が異常であると異常判断部が判断した場合に、制御回路に、接続状態から遮断状態に切り替えさせる。電位接続部は、接続点における電位が異常であると異常判断部が判断した場合に、半導体基板を、制御回路に印加されている基準電位よりも低い異常時電位に接続する。
このように構成された本開示のセンサ制御装置では、半導体基板上に形成された半導体素子と半導体基板との間に寄生ダイオードが形成される。この寄生ダイオードは、半導体素子から半導体基板へ流れる電流を制限する特性を有する。逆に、この寄生ダイオードは、半導体基板から半導体素子へ流れる電流を、半導体素子から半導体基板へ流れる電流よりも流れ易くする特性を有する。
しかし、本開示のセンサ制御装置では、寄生ダイオードを介して半導体素子から半導体基板へ流れるリーク電流が存在する。このリーク電流は、制御回路の温度が高くなるほど大きくなる。リーク電流が半導体素子から寄生ダイオードを通って半導体基板に到達すると、このリーク電流は、複数の半導体素子のうち基準電位に設定されている半導体素子に向かって流れる。
このため、接続点から半導体素子を通って半導体基板に到達して、更に、半導体基板から、基準電位に設定されている半導体素子に向かうリーク電流の経路が存在する場合には、上記の遮断状態であっても、リーク電流の大きさに相当する電流がガスセンサに流れ込んでしまうことになる。
これに対して、本開示のセンサ制御装置は、接続点における電位が異常である場合に、半導体基板を、制御回路に印加されている基準電位よりも低い異常時電位に接続する。
このため、本開示のセンサ制御装置は、リーク電流が寄生ダイオードを介して半導体素子から半導体基板へ到達したとしても、リーク電流が、半導体基板から更に、基準電位に設定されている半導体素子に向かって流れるのを抑制することができる。
このため、本開示のセンサ制御装置は、リーク電流が寄生ダイオードを介して半導体素子から半導体基板へ到達したとしても、リーク電流が、半導体基板から更に、基準電位に設定されている半導体素子に向かって流れるのを抑制することができる。
これにより、本開示のセンサ制御装置は、上記の遮断状態であっても、リーク電流の大きさに相当する電流がガスセンサに流れ込むのを抑制し、ガスセンサの破損を抑制することができる。
本開示の一態様では、電位接続部は、負電圧を発生させるネガティブチャージポンプを備え、接続点における電位が異常であると異常判断部が判断した場合に、ネガティブチャージポンプを動作させて、ネガティブチャージポンプが発生させた負電圧を異常時電位とするようにしてもよい。
このように構成された本開示のセンサ制御装置は、異常時電位として負電圧を半導体基板に印加するため、制御回路に印加される基準電位を0V以上とすることができる。一般に制御回路の基準電位は0Vであるため、本開示のセンサ制御装置は、制御回路に印加する基準電位を変更することなく、ガスセンサの破損を抑制することができる。
本開示の一態様では、ガスセンサは、起電力セルの一対の第1電極間に定電流が流れることにより、一対の第1電極のうちの一方の電極の周囲における酸素濃度が一定となるように構成されているようにしてもよい。
このように構成された本開示のセンサ制御装置は、上記の遮断状態であっても、リーク電流の大きさに相当する電流が起電力セルに流れ込むのを抑制し、起電力セルのブラックニングを抑制することができる。ブラックニングとは、固体電解質体の外観が変色する現象であり、固体電解質体を構成する金属酸化物が還元されて酸素が取り除かれることで結晶構造が乱れる現象である。
以下に本開示の実施形態を図面とともに説明する。
本実施形態の制御システム1は、内燃機関の運転状態を制御するための各種制御処理を実行し、その1つとして、排気ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出する処理を実行する。本実施形態では、上記の特定ガスは酸素である。
本実施形態の制御システム1は、内燃機関の運転状態を制御するための各種制御処理を実行し、その1つとして、排気ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出する処理を実行する。本実施形態では、上記の特定ガスは酸素である。
制御システム1は、図1に示すように、電子制御ユニット2と、ガスセンサ3とを備える。また電子制御ユニット2は、センサ制御装置4と、エンジン制御装置5と、ヒータ制御回路6とを備える。
ガスセンサ3は、排気ガス中の酸素濃度を広域にわたって検出するセンサ素子10と、センサ素子10を作動温度に保つためのヒータ30とを備える。
センサ素子10は、酸素ポンプセル11と、多孔質拡散層12と、酸素濃度検知セル13と、補強板14とを備える。
センサ素子10は、酸素ポンプセル11と、多孔質拡散層12と、酸素濃度検知セル13と、補強板14とを備える。
酸素ポンプセル11は、部分安定化ジルコニアにより板状に形成された酸素イオン伝導性固体電解質体21と、その表面と裏面のそれぞれに主として白金で形成されたポンプ電極22,23とを備える。ポンプ電極22は、配線17を介して電子制御ユニット2の接続端子7に電気的に接続されている。ポンプ電極23は、配線18を介して電子制御ユニット2の接続端子8に電気的に接続されている。ポンプ電極22は、多孔質保護層24に覆われており、多孔質保護層24により被毒物質などから保護されている。
酸素濃度検知セル13は、部分安定化ジルコニアにより板状に形成された酸素イオン伝導性固体電解質体25と、その表面と裏面のそれぞれに主として白金で形成された検知電極26,27とを備える。検知電極26は、配線18を介して電子制御ユニット2の接続端子8に電気的に接続されており、ポンプ電極23とも電気的に接続されている。検知電極27は、配線19を介して電子制御ユニット2の接続端子9に電気的に接続されている。
酸素ポンプセル11と酸素濃度検知セル13との間には、両セル11,13を電気的に絶縁するために絶縁性材料(例えば、アルミナなど)を主体に形成された図示しない絶縁層が介在し、その絶縁層の一部に多孔質拡散層12が設けられている。なお、多孔質拡散層12は、センサ素子10の内部に導入される被測定ガスの拡散律速を行うために、絶縁性材料(例えば、アルミナなど)を主体として多孔質状に形成されている。
酸素ポンプセル11と酸素濃度検知セル13との間には、多孔質拡散層12と図示しない絶縁層とにより包囲された中空状の測定室28が形成されている。すなわち、測定室28は、多孔質拡散層12を介して測定ガス雰囲気と連通されている。また、測定室28には、ポンプ電極23と、検知電極26とが配置されている。
補強板14は、酸素濃度検知セル13のうち測定室28に対向する面とは反対側の面に、検知電極27を挟み込むようにして密着して配置されている。これにより、補強板14は、センサ素子10の全体的な強度を向上させている。なお、補強板14は、酸素ポンプセル11および酸素濃度検知セル13を構成する各固体電解質体21,25と略同じ大きさであるとともに、セラミックを主体とする材料にて板状に形成されている。
そして、酸素濃度検知セル13の検知電極27は、補強板14によって外部と遮断される状態となり、酸素濃度検知セル13と補強板14との間のうち検知電極27の周囲には、密閉空間としての基準酸素室29が形成される。
このように構成されたセンサ素子10において、酸素濃度検知セル13の検知電極27から検知電極26に向かう方向に微小な定電流Icpを通して、測定室28から検知電極27の側に酸素をポンピングすることにより、検知電極27の周囲に形成された基準酸素室29には略一定濃度の酸素が蓄積されることになる。このようにして基準酸素室29に蓄積された略一定濃度の酸素は、センサ素子10において被測定ガスにおける酸素濃度を検出する際の基準酸素濃度となる。このため、検知電極27は、自己生成基準電極とも称される。
ヒータ30は、平板状に形成されており、センサ素子10の酸素ポンプセル11に対向して配置されている。ヒータ30は、アルミナを主体とする材料にて形成され、その内部には、白金を主体とする材料にて形成されたヒータ配線31を備えている。ヒータ30は、ヒータ制御回路6から供給される電力により、センサ素子10の温度が活性化温度(例えば、550〜900℃)となるように制御される。また、ヒータ配線31の両端は、ヒータ制御回路6に電気的に接続されている。
なお、ガスセンサ3は、ヒータ30による加熱によりセンサ素子10が活性化することで、ガス検出が可能な状態となる。
センサ制御装置4は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子を備えている。Ip+端子、COM端子およびVs+端子はそれぞれ、電子制御ユニット2の接続端子7、接続端子8および接続端子9に電気的に接続されている。したがって、センサ素子10のポンプ電極22は、接続端子7を介してセンサ制御装置4のIp+端子に電気的に接続されている。センサ素子10のポンプ電極23および検知電極26は、接続端子8を介して、センサ制御装置4のCOM端子に電気的に接続されている。センサ素子10の検知電極27は、接続端子9を介してセンサ制御装置4のVs+端子に電気的に接続されている。
センサ制御装置4は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子を備えている。Ip+端子、COM端子およびVs+端子はそれぞれ、電子制御ユニット2の接続端子7、接続端子8および接続端子9に電気的に接続されている。したがって、センサ素子10のポンプ電極22は、接続端子7を介してセンサ制御装置4のIp+端子に電気的に接続されている。センサ素子10のポンプ電極23および検知電極26は、接続端子8を介して、センサ制御装置4のCOM端子に電気的に接続されている。センサ素子10の検知電極27は、接続端子9を介してセンサ制御装置4のVs+端子に電気的に接続されている。
センサ素子10では、被測定ガスに含まれる酸素が、多孔質拡散層12を介して測定室28に拡散する。センサ素子10は、内燃機関に供給される混合気が理論空燃比に保たれている状態では、測定室28と基準酸素室29との間の酸素濃度差により、酸素濃度検知セル13に450mVの起電力を発生する特性を有する。すなわち、検知電極26と検知電極27との間には、450mVの電位差が生じることになる。
なお、酸素濃度検知セル13は、検知電極26と検知電極27との間での酸素濃度差に応じた電圧を発生する特性を有する。そして、検知電極27が面する基準酸素室29の酸素濃度は略一定濃度である。このため、酸素濃度検知セル13は、測定室28の酸素濃度に応じた電圧を検知電極26と検知電極27との間に発生させる。
ところで、内燃機関に供給される混合気の空燃比の変化に応じて、排気ガスに含まれる酸素濃度は変化し、これにより、センサ素子10の測定室28に含まれる酸素濃度が変化する。そこで、本実施形態の制御システム1では、検知電極26と検知電極27との間の電位差が450mVに保たれるように、電子制御ユニット2によって酸素ポンプセル11に流れるIp電流(ポンピング電流)を制御する。つまり、測定室28の雰囲気が理論空燃比と同じ状態になるようにIp電流を制御することで、酸素ポンプセル11によって酸素のポンピングが行われる。このため、このIp電流の通電状態(例えば、通電方向および電流積算値など)に基づいて、排気ガス中の酸素濃度を演算することができる。
酸素ポンプセル11は、ポンプ電極22とポンプ電極23との間に通電される電流の通電方向に応じて、測定室28からの酸素の汲み出しと、測定室28への酸素の汲み入れとを切換可能に構成されている。また酸素ポンプセル11は、ポンプ電極22とポンプ電極23との間に通電される電流の大きさに応じて、酸素のポンピング量を調整可能に構成されている。
センサ制御装置4は、図2に示すように、センサ素子駆動回路41、差動増幅回路42、端子電圧出力回路43、異常検出回路44、制御部45、論理演算回路46およびネガティブチャージポンプ47を備える。センサ制御装置4は、特定用途向集積回路(すなわち、ASIC)で実現されている。ASICは、Application Specific ICの略である。
センサ素子駆動回路41は、センサ素子10を構成する酸素ポンプセル11および酸素濃度検知セル13の駆動制御を行う。
センサ素子駆動回路41は、酸素ポンプセル11を駆動するIp電流を流すためのオペアンプ51と、Ip電流の制御特性を改善するためのPID制御回路52と、酸素濃度検知セル13に定電流Icpを流すための定電流源53と、Ip電流の制御目標電圧を供給する定電圧源54と、半導体スイッチ55,56,57とを備えている。
センサ素子駆動回路41は、酸素ポンプセル11を駆動するIp電流を流すためのオペアンプ51と、Ip電流の制御特性を改善するためのPID制御回路52と、酸素濃度検知セル13に定電流Icpを流すための定電流源53と、Ip電流の制御目標電圧を供給する定電圧源54と、半導体スイッチ55,56,57とを備えている。
センサ素子駆動回路41は、センサ素子駆動回路41とセンサ素子10とを接続するためのIp+端子、COM端子およびVs+端子を備える。センサ素子駆動回路41は、PID制御回路52の特性を決める素子を外付けするためのP1端子、P2端子およびPout端子を備える。
また、Ip+端子、COM端子およびVs+端子は、それぞれ接続端子7、接続端子8、接続端子9に電気的に接続されている。
酸素ポンプセル11を構成する一対のポンプ電極22,23のうちポンプ電極22は、配線17および接続端子7を介してIp+端子に接続されている。ポンプ電極23は、センサ素子10の共通基準電圧を与えるCOM端子に、配線18および接続端子8を介して接続されている。
酸素ポンプセル11を構成する一対のポンプ電極22,23のうちポンプ電極22は、配線17および接続端子7を介してIp+端子に接続されている。ポンプ電極23は、センサ素子10の共通基準電圧を与えるCOM端子に、配線18および接続端子8を介して接続されている。
酸素濃度検知セル13を構成する一対の検知電極26,27のうち、検知電極26は、配線18および接続端子8を介してCOM端子に接続され、検知電極27は、配線19および接続端子9を介してVs+端子に接続されている。
オペアンプ51の反転入力端子には、PID制御回路52が半導体スイッチ56とCOM端子と抵抗素子R2を介して接続される。オペアンプ51の非反転入力端子には、3.6Vの基準電圧が印加される。オペアンプ51の出力端子は、半導体スイッチ55を介してIp+端子に接続されている。つまり、オペアンプ51は、センサ素子10、詳細には酸素ポンプセル11への通電電流を制御する負帰還回路の一部を構成している。
PID制御回路52は、制御目標電圧の450mVと酸素濃度検知セル13の出力電圧Vsとの偏差量ΔVsをPID演算し、上述の負帰還制御の制御特性を改善する機能を有している。このPID制御回路52は、オペアンプ61,62、抵抗R3,R4,R5およびコンデンサC1,C2,C3を備えている。抵抗R3〜R5とコンデンサC1〜C3は、PID制御回路52の制御特性を決めるために、P1端子およびP2端子に装着される。
そして、PID制御回路52の入力端(すなわち、オペアンプ62の反転入力端子)は、オペアンプ63を介してVs+端子に接続される。これにより、酸素濃度検知セル13の出力電圧VsがPID制御回路52に入力される。また、PID制御回路52の出力端は、Pout端子に接続される。そしてPout端子は、抵抗素子R2を介しCOM端子に接続され、最終的にオペアンプ51の反転入力端子に接続されている。
定電圧源54の出力は、オペアンプ64を介して、オペアンプ62の反転入力端子に入力されている。定電圧源54は、Ip電流を制御する制御目標となる電圧である450mVを、オペアンプ62を介してPID制御回路52に供給するための回路である。
定電流源53は、半導体スイッチ57を介して、Vs+端子に接続される。定電流源53は、酸素濃度検知セル13の検知電極27の周囲(すなわち、基準酸素室29)の酸素濃度を一定に保つために、酸素濃度検知セル13に流される定電流Icp(例えば、17μA)を供給する回路である。また、オペアンプ63の非反転入力端子は、半導体スイッチ57を介して、Vs+端子に接続されている。
被測定ガスが燃料供給過剰(すなわち、リッチ)となる場合には、測定室28の酸素濃度が理論空燃比よりも欠乏し、酸素濃度検知セル13の出力電圧Vsが制御目標電圧である450mVよりも高くなる。したがって、制御目標電圧と出力電圧Vsとの偏差量ΔVsが発生し、その偏差量ΔVsがPID制御回路52によってPID演算され、オペアンプ51によってフィードバックされる。このため、不足分の酸素を酸素ポンプセル11により測定室28に汲み込むためのIp電流が酸素ポンプセル11に流れることになる。
一方、被測定ガスが燃料供給不足(すなわち、リーン)となる場合には、測定室28の酸素濃度が理論空燃比よりも過剰となり、酸素濃度検知セル13の出力電圧Vsが制御目標電圧450mVよりも低くなるので、上述と同様にオペアンプ51によって偏差量ΔVsがフィードバックされて、過剰分の酸素を酸素ポンプセル11により測定室28から汲み出すためのIp電流が酸素ポンプセル11に流れるようになる。
このようにセンサ素子駆動回路41は、酸素濃度検知セル13の出力電圧Vsが450mVとなるように酸素ポンプセル11へ通電するIp電流を制御する。
センサ素子駆動回路41は、酸素ポンプセル11に流れるIp電流を、一端がCOM端子に接続されて他端がPout端子に接続された抵抗素子R2にて電流電圧変換する。
センサ素子駆動回路41は、酸素ポンプセル11に流れるIp電流を、一端がCOM端子に接続されて他端がPout端子に接続された抵抗素子R2にて電流電圧変換する。
差動増幅回路42は、COM端子における電圧とPout端子における電圧との差を差動増幅して、ガス検出信号としてエンジン制御装置5へ出力する。
そしてエンジン制御装置5は、ガス検出信号に基づき酸素濃度を演算する。エンジン制御装置5は、演算により得られた酸素濃度を用いて内燃機関の空燃比フォードバック制御などを実行することで、内燃機関の運転状態を制御する。
そしてエンジン制御装置5は、ガス検出信号に基づき酸素濃度を演算する。エンジン制御装置5は、演算により得られた酸素濃度を用いて内燃機関の空燃比フォードバック制御などを実行することで、内燃機関の運転状態を制御する。
端子電圧出力回路43は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子の各端子電圧を制御部45へ出力する回路である。なお、図中では接続ラインが省略されているが、端子電圧出力回路43の入力端子は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子にそれぞれ接続されている。
異常検出回路44は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子が電源電位またはグランド電位に短絡しているか否かを検出し、検出結果を示す異常検出信号を出力する回路である。図3に示すように、異常検出回路44は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子の各端子電圧が入力されており、入力された各端子電圧の何れかが正常電圧範囲を逸脱した場合に、ハイレベルの異常検出信号を出力するように構成されている。また異常検出回路44は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子の端子電圧が全て正常電圧範囲内である場合に、ローレベルの異常検出信号を出力するように構成されている。
制御部45は、センサ制御装置4での各種制御処理を実行するものであり、CPU、ROM、RAM、入力ポート、出力ポート及びこれらの構成を接続するバスラインなどからなる周知のマイクロコンピュータ(以下、マイコン)を中心に構成されている。
マイコンの各種機能は、CPUが非遷移的実体的記録媒体に格納されたプログラムを実行することにより実現される。この例では、ROMが、プログラムを格納した非遷移的実体的記録媒体に該当する。また、このプログラムの実行により、プログラムに対応する方法が実行される。なお、制御部45を構成するマイコンの数は1つでも複数でもよい。また、マイコンが実行する機能の一部または全部を、一つあるいは複数のIC等によりハードウェア的に構成してもよい。
制御部45は、通信部71とスイッチ制御部72とを備える。通信部71は、伝送ケーブル73を介してエンジン制御装置5との間でデータ通信を行う。スイッチ制御部72は、通信部71がエンジン制御装置5からスイッチ開閉指令を受信すると、受信したスイッチ開閉指令に基づいて、半導体スイッチ55,56,57をオン状態またはオフ状態にするための第1,2,3スイッチ制御信号を出力する。具体的には、スイッチ制御部72は、スイッチ開閉指令が半導体スイッチ55のオン状態を指示している場合には、第1スイッチ制御信号をハイレベルにして出力する。一方、スイッチ制御部72は、スイッチ開閉指令が半導体スイッチ55のオフ状態を指示している場合には、第1スイッチ制御信号をローレベルにして出力する。
同様に、スイッチ制御部72は、スイッチ開閉指令が半導体スイッチ56のオン状態を指示している場合には、第2スイッチ制御信号をハイレベルにして出力する。一方、スイッチ制御部72は、スイッチ開閉指令が半導体スイッチ56のオフ状態を指示している場合には、第2スイッチ制御信号をローレベルにして出力する。
また、スイッチ制御部72は、スイッチ開閉指令が半導体スイッチ57のオン状態を指示している場合には、第3スイッチ制御信号をハイレベルにして出力する。一方、スイッチ制御部72は、スイッチ開閉指令が半導体スイッチ57のオフ状態を指示している場合には、第3スイッチ制御信号をローレベルにして出力する。
論理演算回路46は、クロック回路74と、論理積回路75,76,77,78とを備える。
クロック回路74は、ネガティブチャージポンプ47を動作させるために、予め設定された周波数(例えば、8MHz)でクロック信号を生成して、このクロック信号を論理積回路78へ出力する。
クロック回路74は、ネガティブチャージポンプ47を動作させるために、予め設定された周波数(例えば、8MHz)でクロック信号を生成して、このクロック信号を論理積回路78へ出力する。
論理積回路75,76,77はそれぞれ、異常検出回路44から出力された異常検出信号の電圧レベルを反転させた信号と、スイッチ制御部72から出力された第1,2,3スイッチ制御信号との論理積演算を行う。
論理積回路78は、クロック回路74から出力されたクロック信号と、論理積回路75,76,77から出力された信号の電圧レベルを反転させた信号との論理積演算を行う。
ネガティブチャージポンプ47は、論理積回路78を介してクロック信号が入力されることにより、負電圧を発生させる回路である。ネガティブチャージポンプ47は、コンデンサC11,C12とダイオードD11,D12とを備える。
ネガティブチャージポンプ47は、論理積回路78を介してクロック信号が入力されることにより、負電圧を発生させる回路である。ネガティブチャージポンプ47は、コンデンサC11,C12とダイオードD11,D12とを備える。
コンデンサC11は、一端が論理積回路78の出力端子に接続され、他端がダイオードD11とダイオードD12との接続点に接続される。ダイオードD11は、アノードがコンデンサC11に接続され、カソードが接地される。ダイオードD12は、アノードがネガティブチャージポンプ47の出力端子に接続され、カソードがダイオードD11とコンデンサC11との接続点に接続される。コンデンサC12は、一端がダイオードD12のアノードに接続され、他端が接地される。
ネガティブチャージポンプ47は、本実施形態では例えば−3Vの負電圧を発生させる。
半導体スイッチ55,56,57は、NMOSとPMOSとを並列接続して構成されている。
半導体スイッチ55,56,57は、NMOSとPMOSとを並列接続して構成されている。
半導体スイッチ55,56,57のNMOSのゲートはそれぞれ、論理積回路75,76,77の出力端子に接続されている。半導体スイッチ55,56,57のPMOSのゲートはそれぞれ、論理反転回路を介して論理積回路75,76,77の出力端子に接続されている。これにより、半導体スイッチ55,56,57はそれぞれ、論理積回路75,76,77からハイレベルの信号が出力されるとオン状態となり、ローレベルの信号が出力されるとオフ状態となる。
なお、ASICで実現されているセンサ制御装置4が形成されている半導体基板には寄生ダイオードが形成される。これにより、センサ素子駆動回路41には、寄生ダイオードD21,D22,D23,D24,D25,D26が形成される。
寄生ダイオードD21,D23,D25のカソードはそれぞれ、Ip+端子、COM端子およびVs+端子に接続される。寄生ダイオードD21〜D26のアノードは、ネガティブチャージポンプ47の出力端子に接続される。
寄生ダイオードD22,D24,D26のカソードは、接地される。このため、クロック信号がネガティブチャージポンプ47に入力されていない状態では、上記の半導体基板の電位は、寄生ダイオードD22,D24,D26を介して実質的にグランド電位と同等になる。
図4に示すように、センサ制御装置4は、半導体基板81上に複数の半導体素子82を形成して構成されている。複数の半導体素子82は、半導体基板81上に形成された酸化膜83により互いに電気的に絶縁されている。図4では、4つの半導体素子82a,82b,82c,82dを示している。このうち、半導体素子82aは、グランド電位に接続されている。半導体素子82aに印加されるグランド電位は、センサ制御装置4に設定される基準電位に相当する。また半導体素子82cは、Vs+端子に電気的に接続されている。
半導体基板81は、p型のシリコン基板である。半導体基板81上には、n+層84が形成され、n+層84の上にn層85が形成されている。n+層84およびn層85は、n型の不純物がイオン注入された層である。n+層84は、n層85よりもn型不純物濃度が高い。
p型の半導体基板81とn+層84との接合面に寄生ダイオードが形成される。図4に示す寄生ダイオード86,87はそれぞれ、図3に示す寄生ダイオードD25,D26に対応する。
このように構成されたセンサ制御装置4は、排気ガスに含まれる酸素の濃度を検出するガスセンサ3を制御する。
ガスセンサ3は、酸素濃度検知セル13および酸素ポンプセル11を有している。酸素濃度検知セル13は、酸素イオン伝導性固体電解質体25と、酸素イオン伝導性固体電解質体25上に形成された一対の検知電極26,27とを有し、酸素の濃度差に応じて一対の検知電極26,27間に起電力を発生するように構成されている。酸素ポンプセル11は、酸素イオン伝導性固体電解質体21と、酸素イオン伝導性固体電解質体21上に形成された一対のポンプ電極22,23とを有し、一対のポンプ電極22,23間にて酸素をポンピングするように構成されている。
ガスセンサ3は、酸素濃度検知セル13および酸素ポンプセル11を有している。酸素濃度検知セル13は、酸素イオン伝導性固体電解質体25と、酸素イオン伝導性固体電解質体25上に形成された一対の検知電極26,27とを有し、酸素の濃度差に応じて一対の検知電極26,27間に起電力を発生するように構成されている。酸素ポンプセル11は、酸素イオン伝導性固体電解質体21と、酸素イオン伝導性固体電解質体21上に形成された一対のポンプ電極22,23とを有し、一対のポンプ電極22,23間にて酸素をポンピングするように構成されている。
そしてセンサ制御装置4は、センサ素子駆動回路41、異常検出回路44、制御部45、論理演算回路46およびネガティブチャージポンプ47を備える。
センサ素子駆動回路41は、電流制御機能および切替機能を実現するための複数の半導体素子82が半導体基板81上に形成された回路である。
センサ素子駆動回路41は、電流制御機能および切替機能を実現するための複数の半導体素子82が半導体基板81上に形成された回路である。
電流制御機能は、一対の検知電極26,27および一対のポンプ電極22,23に電気的に接続されて一対の検知電極26,27間の電位差が一定値となるように一対のポンプ電極22,23間に流す電流を制御する機能である。
切替機能は、一対の検知電極26,27および一対のポンプ電極22,23とセンサ制御装置4とが電気的に接続された接続状態と、一対の検知電極26,27および一対のポンプ電極22,23とセンサ制御装置4との間の導通が遮断された遮断状態との何れかに切り替える機能である。
異常検出回路44は、センサ素子駆動回路41と、ガスセンサ3の一対の検知電極26,27および一対のポンプ電極22,23とを接続する複数の端子(すなわち、Ip+端子、COM端子およびVs+端子)について、端子における電位が異常であるか否かを、予め設定された異常判断条件に基づいて判断する。本実施形態では、異常判断条件は、端子電圧が正常電圧範囲外であることである。
論理演算回路46の論理積回路75,76,77は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子における電位が異常であると異常検出回路44が判断した場合に、センサ素子駆動回路41に、接続状態から遮断状態に切り替えさせる。
論理演算回路46のクロック回路74および論理積回路78とネガティブチャージポンプ47は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子における電位が異常であると異常検出回路44が判断した場合に、半導体基板81を、センサ素子駆動回路41に印加されているグランド電位よりも低い−3Vの負電圧に接続する。
このように構成されたセンサ制御装置4では、半導体基板81上に形成された半導体素子82と半導体基板81との間に寄生ダイオードD21〜D26が形成される。寄生ダイオードD21〜D26は、半導体素子82から半導体基板81へ流れる電流を制限する特性を有する。逆に、寄生ダイオードD21〜D26は、半導体基板81から半導体素子82へ流れる電流を、半導体素子82から半導体基板81へ流れる電流よりも流れ易くする特性を有する。
しかし、センサ制御装置4では、寄生ダイオードD21,D23,D25を介して半導体素子82から半導体基板81へ流れるリーク電流が存在する。このリーク電流は、センサ素子駆動回路41の温度が高くなるほど大きくなる。リーク電流が半導体素子82から寄生ダイオードD21,D23,D25を通って半導体基板81に到達すると、このリーク電流は、複数の半導体素子82のうちグランド電位に設定されている半導体素子82(すなわち、半導体素子82a)に向かって流れる。
このため、Vs+端子、COM端子およびIp+端子から半導体素子82を通って半導体基板81に到達して、更に、半導体基板81から、基準電位に設定されている半導体素子82に向かうリーク電流の経路が存在する場合には、上記の遮断状態であっても、リーク電流の大きさに相当する電流がガスセンサ3に流れ込んでしまうことになる。
これに対して、センサ制御装置4は、Ip+端子、COM端子およびVs+端子における電位が異常である場合に、半導体基板81を、センサ素子駆動回路41に印加されている基準電位よりも低い−3Vに接続する。
このため、センサ制御装置4は、リーク電流が寄生ダイオードD21,D23,D25を介して半導体素子82から半導体基板81へ到達したとしても、リーク電流が、半導体基板81から更に、基準電位に設定されている半導体素子82に向かって流れるのを抑制することができる。
これにより、センサ制御装置4は、上記の遮断状態であっても、リーク電流の大きさに相当する電流がガスセンサ3に流れ込むのを抑制し、ガスセンサ3の破損を抑制することができる。
またセンサ制御装置4は、ガスセンサ3に電気的に接続された配線の一部が電源電位またはグランド電位に短絡される配線異常が発生しても、上記の遮断状態とすることでガスセンサ3の破損を抑制することができ、配線を交換することで制御システム1を復旧することができる可能性を高めることができる。
またセンサ制御装置4は、ネガティブチャージポンプ47を備え、Ip+端子、COM端子およびVs+端子における電位が異常であると異常検出回路44が判断した場合に、ネガティブチャージポンプ47を動作させて、半導体基板81を、負電圧に接続する。
このようにセンサ制御装置4は、負電圧を半導体基板81に印加するため、センサ素子駆動回路41に印加される基準電位を0V以上とすることができる。一般にセンサ素子駆動回路41の基準電位は0Vであるため、センサ制御装置4は、センサ素子駆動回路41に印加する基準電位を変更することなく、ガスセンサ3の破損を抑制することができる。
なお、上記の遮断状態であるときにネガティブチャージポンプ47を動作させるため、ネガティブチャージポンプ47のスイッチングに伴い発生するノイズがセンサ制御装置4の濃度検出精度に影響を与えることはない。
またガスセンサ3は、酸素濃度検知セル13の一対の検知電極26,27に定電流Icpが流れることにより、検知電極27の周囲における酸素濃度が一定となるように構成されている。
このように構成されたセンサ制御装置4は、上記の遮断状態であっても、リーク電流の大きさに相当する電流が酸素濃度検知セル13に流れ込むのを抑制し、酸素濃度検知セル13のブラックニングを抑制することができる。
なお、酸素濃度検知セル13は起電力セルに相当し、酸素ポンプセル11はポンプセルに相当し、酸素イオン伝導性固体電解質体25は第1固体電解質体に相当し、検知電極26,27は第1電極に相当し、酸素イオン伝導性固体電解質体21は第2固体電解質体に相当し、ポンプ電極22,23は第2電極に相当する。
また、センサ素子駆動回路41は制御回路に相当し、Vs+端子、COM端子およびIp+端子は接続点に相当し、異常検出回路44は異常判断部に相当し、論理演算回路46の論理積回路75,76,77は状態切替部に相当し、論理演算回路46のクロック回路74および論理積回路78とネガティブチャージポンプ47は電位接続部に相当する。
また、排気ガスは被測定ガスに相当し、酸素は特定ガスに相当し、ネガティブチャージポンプ47が発生させる負電圧は異常時電位に相当する。
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができる。
以上、本開示の一実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができる。
例えば上記実施形態では、被測定ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出するガスセンサとして、排気ガス中の酸素濃度を検出する全領域空燃比センサについて説明したが、本開示のセンサ制御装置の制御対象となるガスセンサは、全領域空燃比センサに限定されることはない。本開示のセンサ制御装置の制御対象となるガスセンサは、起電力セルおよびポンプセルを有するガスセンサであればよく、例えば、NOxセンサなどが挙げられる。
また上記実施形態では、センサ素子駆動回路41に印加される基準電位がグランド電位に設定されており、ネガティブチャージポンプ47が負電圧を発生させるものを示した。しかし、センサ素子駆動回路41に印加される基準電位はグランド電位に限定されるものではなく、正電圧であっても負電圧であってもよい。但し、Ip+端子、COM端子およびVs+端子における電位が異常であると異常検出回路44が判断した場合に、半導体基板81に接続される電圧は基準電位よりも低くする必要がある。
上記各実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
上述したセンサ制御装置4の他、当該センサ制御装置4を構成要素とするシステム、当該センサ制御装置4としてコンピュータを機能させるためのプログラム、このプログラムを記録した半導体メモリ等の非遷移的実態的記録媒体、センサ制御方法など、種々の形態で本開示を実現することもできる。
3…ガスセンサ、4…センサ制御装置、10…センサ素子、11…酸素ポンプセル、13…酸素濃度検知セル、21,25…酸素イオン伝導性固体電解質体、22,23…ポンプ電極、26,27…検知電極、41…センサ素子駆動回路、44…異常検出回路、45…制御部、46…論理演算回路、47…ネガティブチャージポンプ、74…クロック回路、75,76,77,78…論理積回路、81…半導体基板、82…半導体素子
Claims (3)
- 被測定ガスに含まれる特定ガスの濃度を検出するガスセンサを制御するセンサ制御装置であって、
前記ガスセンサは、起電力セルおよびポンプセルを有しており、前記起電力セルは、第1固体電解質体と、前記第1固体電解質体上に形成された一対の第1電極とを有し、前記特定ガスの濃度差に応じて前記一対の第1電極間に起電力を発生するように構成され、前記ポンプセルは、第2固体電解質体と、前記第2固体電解質体上に形成された一対の第2電極とを有し、前記一対の第2電極間にて前記特定ガスをポンピングするように構成されており、
前記一対の第1電極および前記一対の第2電極に電気的に接続されて前記一対の第1電極間の電位差が一定値となるように前記一対の第2電極間に流す電流を制御する電流制御機能、および、前記一対の第1電極および前記一対の第2電極と前記センサ制御装置とが電気的に接続された接続状態と、前記一対の第1電極および前記一対の第2電極と前記センサ制御装置との間の導通が遮断された遮断状態との何れかに切り替える切替機能を実現するための複数の半導体素子が半導体基板上に形成された制御回路と、
前記制御回路と、前記ガスセンサの前記一対の第1電極および前記一対の第2電極とを接続する複数の接続点のうち、少なくとも1つの前記接続点について、前記接続点における電位が異常であるか否かを予め設定された異常判断条件に基づいて判断する異常判断部と、
前記接続点における電位が異常であると前記異常判断部が判断した場合に、前記制御回路に、前記接続状態から前記遮断状態に切り替えさせる状態切替部と、
前記接続点における電位が異常であると前記異常判断部が判断した場合に、前記半導体基板を、前記制御回路に印加されている基準電位よりも低い異常時電位に接続する電位接続部と
を備えるセンサ制御装置。 - 請求項1に記載のセンサ制御装置であって、
前記電位接続部は、負電圧を発生させるネガティブチャージポンプを備え、前記接続点における電位が異常であると前記異常判断部が判断した場合に、前記ネガティブチャージポンプを動作させて、前記ネガティブチャージポンプが発生させた負電圧を前記異常時電位とするセンサ制御装置。 - 請求項1または請求項2に記載のセンサ制御装置であって、
前記ガスセンサは、前記起電力セルの前記一対の第1電極間に定電流が流れることにより、前記一対の第1電極のうちの一方の電極の周囲における酸素濃度が一定となるように構成されているセンサ制御装置。
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