JP2018170442A - セラミック配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 183
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 183
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 35
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 31
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 abstract 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
また、セラミックパッケージ等に用いられるセラミック配線基板として、セラミック基板の厚み方向に貫通する比較的大径の貫通孔(キャビティ)を有するものが知られている。
(但し、距離T1、T2は、中心から一方の方向を正、他方の方向を負とする)
なお、前記式(1)では、(MG2/WG1)×100の絶対値が200(%)以下であることを示している。
(2)本発明の第2局面では、セラミックとして、アルミナを用いることができる。
(3)本発明の第3局面では、第1金属層及び第2金属層は、セラミック基板の厚み方向において異なる位置にて、厚み方向と垂直な平面に配置されている。
(4)本発明の第4局面は、第1〜第3局面のいずれかに記載のセラミック配線基板の製造方法に関するものである。
そして、第1〜第3工程にて積層体を作製する場合には、積層体の積層方向である厚み方向における中心から第1金属パターンまでの距離T1’と第1金属パターンの体積との積を、全ての第1金属パターンについて合計した合計WG1’と、積層体の厚み方向における中心から第2金属パターンまでの距離T2’と第2金属パターンの体積との積を、全ての前記第2金属パターンについて合計した合計MG2’と、が、下記式(2)を満たすようにする。
(但し、距離T1’、T2’は、中心から一方の方向を正、他方の方向を負とする)
なお、前記式(2)では、(MG2’/WG1’)×100の絶対値が200(%)以下であることを示している。
ここで、本第4局面において、上述した効果が生じる作用について説明する。
つまり、上述のWG1及びWG1‘は、タングステンモーメント(Wモーメント)であり)、上述のMG2及びMG2’は、モリブデンモーメント(Moモーメント)である。
<以下、本発明の各構成について説明する>
・セラミックとしては、アルミナ以外に、窒化アルミニウム、ジルコニア、ムライト等が挙げられる。なお、主成分とは、最も多い含有量(例えば50体積%を上回る量)を示している。
[1.実施形態]
[1−1.セラミック配線基板の構成]
まず、本実施形態のセラミック配線基板の構成について、図1及び図2に基づいて説明する。
図1に示すように、本実施形態のセラミック配線基板1は、平板形状のセラミック基板3の中央に、セラミック基板3を厚み方向に貫く貫通孔5が形成されたものである。
つまり、セラミック基板3は、平面視で四角枠形状であり、図2(a)の左右方向に平行に延びる辺を構成する第1枠部7及び第2枠部9と、図2(a)の上下方向に延びる辺を構成する第3枠部11及び第4枠部13とから構成されている。
なお、セラミック配線基板1では、図2(b)の下側が、基台等に載置される側(載置面)である第1主面S1であり、その反対側の面(露出面)が第2主面S2である。
[1−2.第1、第2金属層の構成]
次に、本実施形態の要部である第1金属層15と第2金属層17との構成について説明する。
特に本実施形態では、第1金属層15と第2金属層17とは、平面視で、少なくとも一部が重なるように配置されている(ここでは、完全に重なるように配置されている)。
(但し、距離T1、T2は、中心から一方の方向を正、他方の方向を負とする)
また、本実施形態では、セラミック配線基板1を中心CNを境にして、第1主面S1側と第2主面S2側とを区分した場合、第1主面S1側の方が第2主面S2側よりタングステンの量(重量及び体積)が多く配置されている。
即ち、タングステンからなる第1金属層15が配置された側の第1主面S1側において、貫通孔5の開口端K1は、なだらかなカーブとなって、開口端K1側から貫通孔5の内側に向かって入り込むような形状となっている。
[1−3.セラミック配線基板の製造方法]
次に、本実施形態のセラミック配線基板1の製造方法について、図4に基づいて説明する。
この積層体27の形状は、セラミック配線基板1と実質的に相似形状であり、平面視で四角枠形状である。
(但し、距離T1’、T2’は、中心から一方の方向を正、他方の方向を負とする)
本実施形態では、このような製造方法によって、上述した図3に示す構成のセラミック配線基板1を製造することができる。つまり、セラミック配線基板1の貫通孔5の一方の開口端K1が、貫通孔5側に入り込む形状となっているセラミック配線基板1を製造することができる。
また、前記実施形態とは異なり、第1金属パターン23や第2金属パターン25の少なくとも一方を複数設ける場合に、前記式(2)を満たすようにするには、下記のような手順を採用できる。
[1−4.効果]
次に、本実施形態の効果について説明する。
そのため、セラミック配線基板1の貫通孔5の開口端K1の周囲に荷重がかかった場合でも、従来のように貫通孔5の開口端K1の凸部が欠けて異物となるような不具合の発生を抑制できる。
つまり、本実施形態では、タングステンからなる第1金属パターン23に関する合計WG1’と、モリブデンからなる第2金属パターン27に関する合計MG2’とが、前記式(2)を満たすので、積層体27を焼成する際に、セラミック配線基板1の貫通孔5に対応する積層体27の開口部29の開口端が外側に突出することを抑制でき、開口端が開口部29側に入り込む形状とすることができる。
[1−5.文言の対応関係]
本実施形態の、セラミック配線基板1、セラミック基板3、貫通孔5、第1金属層15、第2金属層17、第1セラミックグリーンシート21a、第2セラミックグリーンシート21b、第1金属パターン23、第2金属パターン25、積層体27、開口部29は、それぞれ、本発明の、セラミック配線基板、セラミック基板、貫通孔、第1金属層、第2金属層、第1セラミックグリーンシート、第2セラミックグリーンシート、第1金属パターン23、第2金属パターン25、積層体27、開口部29の一例に相当する。
[1−6.実験例]
次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。
この試料のセラミックス配線基板では、図5に示す各位置(第1〜第7平面H1〜H7)に、タングステンからなる第1金属又はモリブデンからなる第2金属に該当する第1〜第7層P1〜P7を形成した。なお、第1〜第7金属層は、第1〜第4枠部に配置されている。
なお、各距離L6、L7の長さは、例えば、表1のNo.2を例にすると、L7=0.30mm、L6=0.15mmであり、L7>L6である。なお、前記式(1)の演算の場合には、各距離L6、L7の値はプラスとして演算する。
また、表1中の「垂れ」とは開口端が貫通孔側に入り込んでいることを示し、「跳ね」とは、開口端に外側に突出する凸部があることを示し、「垂れ〜平坦」とは、外部に突出する凸部を有さず、ほぼ平坦であるか、ごくわずかに貫通孔内に向かって入り込んでいる状況であることを示している。
表1及び図6(b)から明らかなように、No.2〜4の試料は、前記式(1)を満たしているので、開口部を形成する第1主面側の開口端には凸部はなく、貫通孔側にカーブして入り込んだ形状となっていた。
表1及び図6(c)から明らかなように、No.5、6の試料は、前記式(1)を満たしていないので、開口部を形成する第1主面側の開口端(即ち載置面側)には凸部があった。
上記結果から、前記式(1)を満たすことで、少なくとも一方の主面(つまりは、基台に載置される側の主面)の開口端に凸部を有しない構造とすることができる。
また、前記式(1)を満たす場合、前記式(2)も満たすということができ、少なくとも一方の主面(つまりは、基台に載置される側の主面)の開口端の形状を、凸部を有しない形状にコントロールすることができる。
また、より好ましくは、下記式(1’)及び式(2’)を満たすようにしてもよい。
35≦|(MG2’/WG1’)×100 |≦150 ・・(2’)
このような構成とすることで、両方の主面(S1及びS2)の開口端に凸部を有しない構造とすることができる。
尚、本発明は、前記実施形態等に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
(2)第1金属層は全てタングステンから構成されることが望ましく、同様に、第2金属層は全てモリブデンから構成されることが望ましいが、第1金属層中や第2金属層中に、他の成分(例えばガラス等)が若干含まれていてもよい。
(5)なお、上記各実施形態における1つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を1つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本発明の実施形態である。
3…セラミック基板
5…貫通孔
15…第1金属層
17…第2金属層
21…セラミックグリーンシート
23…第1金属パターン
25…第2金属パターン
27…積層体
29…開口部
Claims (4)
- 厚み方向に貫通する貫通孔を有するとともに、セラミックを主成分とするセラミック基板と、
前記セラミック基板の内部に配置された複数の金属層と、 |
を備えたセラミック配線基板において、
前記金属層として、タングステンからなる1又は複数の第1金属層と、モリブデンからなる1又は複数の第2金属層とを、を有すると共に、前記第1金属層と前記第2金属層とは、前記厚み方向から見て少なくとも一部が重なるように配置されており、
前記セラミック配線基板の前記厚み方向における中心から前記第1金属層までの距離T1と当該第1金属層の体積との積を、全ての前記第1金属層について合計した合計WG1と、
前記セラミック配線基板の前記厚み方向における中心から前記第2金属層までの距離T2と当該第2金属層の体積との積を、全ての前記第2金属層について合計した合計MG2と、
が、下記式(1)を満たす、セラミック配線基板。
|(MG2/WG1)×100 |≦200 ・・(1)
(但し、距離T1、T2は、中心から一方の方向を正、他方の方向を負とする) - 前記セラミックは、アルミナである、
請求項1に記載のセラミック配線基板。 - 前記第1金属層及び前記第2金属層は、前記セラミック基板の前記厚み方向において異なる位置にて、前記厚み方向と垂直な平面に配置されている、
請求項1又は2に記載のセラミック配線基板。 - 前記請求項1〜3のいずれか1項に記載のセラミック配線基板の製造方法であって、
第1セラミックグリーンシートの表面に、前記タングステンを含むタングステンペーストを塗布して第1金属層となる第1金属パターンを形成する第1工程と、
第2セラミックグリーンシートの表面に、前記モリブデンを含むモリブデンペーストを塗布して第2金属層となる第2金属パターンを形成する第2工程と、
1又は複数の前記第1セラミックグリーンシートと、1又は複数の前記第2セラミックグリーンシートとを積層して、内部に第1金属パターン及び第2金属パターンを含む、前記貫通孔となる開口部を有する積層体を作製する第3工程と、
前記積層体を焼成してセラミック配線基板を作製する第4工程と、
を備え、
前記第1〜第3工程にて前記積層体を作製する場合には、
前記積層体の前記積層方向である厚み方向における中心から前記第1金属パターンまでの距離T1’と当該第1金属パターンの体積との積を、全ての前記第1金属パターンについて合計した合計WG1’と、
前記積層体の前記厚み方向における中心から前記第2金属パターンまでの距離T2’と当該第2金属パターンの体積との積を、全ての前記第2金属パターンについて合計した合計MG2’と、
が、下記式(2)を満たす、セラミック配線基板の製造方法。
|(MG2’/WG1’)×100 |≦200 ・・(2)
(但し、距離T1’、T2’は、中心から一方の方向を正、他方の方向を負とする)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017067850A JP6795441B2 (ja) | 2017-03-30 | 2017-03-30 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
CN201810270182.2A CN108695293B (zh) | 2017-03-30 | 2018-03-29 | 陶瓷布线基板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017067850A JP6795441B2 (ja) | 2017-03-30 | 2017-03-30 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018170442A true JP2018170442A (ja) | 2018-11-01 |
JP6795441B2 JP6795441B2 (ja) | 2020-12-02 |
Family
ID=63844366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017067850A Active JP6795441B2 (ja) | 2017-03-30 | 2017-03-30 | セラミック配線基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6795441B2 (ja) |
CN (1) | CN108695293B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021131693A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 配線基板 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243803A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 配線基板 |
JP5821389B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2015-11-24 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
JP5935292B2 (ja) * | 2011-11-01 | 2016-06-15 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP5967836B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-08-10 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック基板およびその製造方法 |
-
2017
- 2017-03-30 JP JP2017067850A patent/JP6795441B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-29 CN CN201810270182.2A patent/CN108695293B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021131693A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 配線基板 |
JP7001876B2 (ja) | 2019-12-26 | 2022-01-20 | Ngkエレクトロデバイス株式会社 | 配線基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6795441B2 (ja) | 2020-12-02 |
CN108695293B (zh) | 2021-11-09 |
CN108695293A (zh) | 2018-10-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190627 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201020 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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