JP2018166161A - Wiring base and imaging apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring base having excellent long-term reliability, and an imaging apparatus.SOLUTION: A wiring base 1 includes: an insulation base 11 having a principal surface and a side surface; a side surface conductor 12 provided on the side surface and extended to the principal surface; and an insulation film 13 provided so as to cover a part of the side surface conductor 12. The insulation film 13 is provided so as to cover the side surface conductor 12 and a side along the side that the principal surface and the side surface form from the principal surface to a principal surface side of the side surface.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、配線基体および撮像装置に関するものである。   The present invention relates to a wiring substrate and an imaging device.

従来、主面および側面を有する絶縁基体と、絶縁基体の側面に設けられた側面導体とを有する配線基体が知られている。配線基体の主面に電子部品が搭載されて電子装置となる。電子部品として、撮像素子を配線基体に搭載する場合、電子装置は撮像装置として用いられる。このような配線基体において、側面導体に外部リード端子を接合することがある。   Conventionally, a wiring substrate having an insulating substrate having a main surface and side surfaces and a side conductor provided on a side surface of the insulating substrate is known. An electronic device is formed by mounting electronic components on the main surface of the wiring substrate. When an imaging device is mounted on a wiring substrate as an electronic component, the electronic device is used as an imaging device. In such a wiring substrate, an external lead terminal may be joined to the side conductor.

特開2007-173629号公報JP 2007-173629 A

しかしながら、近年の撮像装置の小型化に伴い、絶縁基体の側面に設けられる側面導体の幅と側面導体の高さがともに小さく、側面導体の面積が小さくなってきている。側面導体に外部リード端子を接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わると、側面導体に外部リード端子から引っ張られる応力が発生して、側面導体が絶縁基体から剥がれることが懸念される。   However, with the recent miniaturization of imaging devices, the width of the side conductor provided on the side surface of the insulating base and the height of the side conductor are both small, and the area of the side conductor is decreasing. When the external lead terminal is joined to the side conductor with a bonding material and stress is applied to the external lead terminal, there is a concern that the side conductor may be pulled from the external lead terminal and peeled off from the insulating base.

本発明の一つの態様によれば、配線基体は、主面および側面を有する絶縁基体と、前記側面に設けられ、前記主面に延ばされた側面導体と、該側面導体の一部を覆うように設けられた絶縁膜とを有しており、該絶縁膜は、前記主面から前記側面の前記主面側にかけて、前記主面と前記側面とが成す辺に沿って、前記側面導体および前記辺を覆うように設けられている。   According to one aspect of the present invention, a wiring substrate covers an insulating substrate having a main surface and a side surface, a side conductor provided on the side surface and extending to the main surface, and a part of the side conductor. And the insulating film is formed from the main surface to the main surface side of the side surface along a side formed by the main surface and the side surface, and the side surface conductor and It is provided so as to cover the side.

本発明の一つの態様によれば、撮像装置は、上記構成の配線基体と、該配線基体に接続された撮像素子とを有している。   According to one aspect of the present invention, an imaging apparatus includes the wiring substrate having the above-described configuration and an imaging element connected to the wiring substrate.

本発明の一つの態様による配線基体によれば、配線基体は、主面および側面を有する絶縁基体と、側面に設けられ、主面に延ばされた側面導体と、側面導体の一部を覆うように設けられた絶縁膜とを有しており、絶縁膜は、主面から側面の主面側にかけて、主面と側面とが成す辺に沿って、側面導体および辺を覆うように設けられている。上記構成により、側面導体と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体における絶縁基体の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体の主面側の縁部に設けられるのを抑制することができ、側面導体と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜が側面導体の端部を保持するとともに、側面導体が絶縁基体から剥がれるのを抑制することができる。   According to the wiring substrate according to one aspect of the present invention, the wiring substrate covers the insulating substrate having the main surface and the side surface, the side conductor provided on the side surface and extending to the main surface, and part of the side conductor. The insulating film is provided so as to cover the side conductor and the side along the side formed by the main surface and the side surface from the main surface to the main surface side of the side surface. ing. With the above configuration, the side conductor and the external lead terminal are joined with the joining material, and even if stress is applied to the external lead terminal, the joining material is an edge of the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base in the side conductor, and Even if the side conductor and the external lead terminal are joined by the joining material and stress is applied to the external lead terminal, it can be prevented from being provided at the edge on the main surface side of the insulating base. Stress is not easily applied directly to the end portion of the side conductor, and the insulating film holds the end portion of the side conductor, and the side conductor can be prevented from peeling off from the insulating base.

本発明の一つの態様による撮像装置によれば、撮像装置は、上記構成の配線基体と、配線基体に接続された撮像素子とを有していることによって、接続信頼性に優れた撮像装置とすることができる。   According to an imaging apparatus according to an aspect of the present invention, the imaging apparatus includes the wiring substrate having the above-described configuration and an imaging element connected to the wiring substrate, so that the imaging device is excellent in connection reliability. can do.

（ａ）は本発明の第１の実施形態における撮像装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。(A) is a top view showing the imaging device in the first embodiment of the present invention, (b) is a bottom view of (a). 図１（ａ）に示した撮像装置のＡ−Ａ線における縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view in the AA line of the imaging device shown to Fig.1 (a). （ａ）は、図１（ｂ）のＡ部における要部拡大下面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における要部拡大縦断面図である。(A) is a principal part expanded bottom view in the A section of Drawing 1 (b), and (b) is a principal part enlarged vertical sectional view in the AA line of (a). 図１（ａ）のＡ方向における側面図である。It is a side view in the A direction of Fig.1 (a). （ａ）は本発明の第２の実施形態における撮像装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。(A) is a top view which shows the imaging device in the 2nd Embodiment of this invention, (b) is a bottom view of (a). 図５（ａ）に示した撮像装置のＡ−Ａ線における縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view in the AA line of the imaging device shown to Fig.5 (a). （ａ）は、図５（ｂ）のＡ部における要部拡大下面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における要部拡大縦断面図である。(A) is a principal part expanded bottom view in the A section of Drawing 5 (b), and (b) is a principal part enlarged vertical sectional view in the AA line of (a). 図５（ａ）のＡ方向における側面図である。It is a side view in the A direction of Fig.5 (a). （ａ）は本発明の第３の実施形態における撮像装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。(A) is a top view which shows the imaging device in the 3rd Embodiment of this invention, (b) is a bottom view of (a). 図９（ａ）に示した撮像装置のＡ−Ａ線における縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view in the AA line of the imaging device shown to Fig.9 (a). （ａ）は、図９（ｂ）のＡ部における要部拡大下面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における要部拡大縦断面図である。(A) is a principal part expanded bottom view in the A section of Drawing 9 (b), and (b) is a principal part enlarged vertical sectional view in the AA line of (a). 図９（ａ）のＡ方向における側面図である。It is a side view in the A direction of Fig.9 (a). （ａ）は本発明の第４の実施形態における撮像装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。(A) is a top view which shows the imaging device in the 4th Embodiment of this invention, (b) is a bottom view of (a). （ａ）は、図13（ａ）に示した撮像装置のＡ−Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は、図13（ａ）に示した撮像装置のＢ−Ｂ線における縦断面図である。FIG. 13A is a longitudinal sectional view taken along line AA of the imaging apparatus shown in FIG. 13A, and FIG. 13B is a longitudinal sectional view taken along line BB of the imaging apparatus shown in FIG. FIG. （ａ）は、図13（ｂ）のＡ部における要部拡大下面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における要部拡大縦断面図である。(A) is the principal part enlarged bottom view in the A section of Drawing 13 (b), and (b) is the principal part enlarged vertical sectional view in the AA line of (a). 図13（ａ）のＡ方向における側面図である。It is a side view in the A direction of Fig.13 (a). （ａ）は本発明の第５の実施形態における撮像装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。(A) is a top view which shows the imaging device in the 5th Embodiment of this invention, (b) is a bottom view of (a). 図17（ａ）に示した撮像装置のＡ−Ａ線における縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view in the AA line of the imaging device shown to Fig.17 (a). （ａ）は、図17（ｂ）のＡ部における要部拡大下面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における要部拡大縦断面図である。(A) is the principal part enlarged bottom view in the A section of Drawing 17 (b), and (b) is the principal part enlarged vertical sectional view in the AA line of (a). 図17（ａ）のＡ方向における側面図である。It is a side view in the A direction of Fig.17 (a). （ａ）は本発明の第５の実施形態における撮像装置の他の例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。(A) is a top view which shows the other example of the imaging device in the 5th Embodiment of this invention, (b) is a bottom view of (a). （ａ）は本発明の第６の実施形態における撮像装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。(A) is a top view which shows the imaging device in the 6th Embodiment of this invention, (b) is a bottom view of (a). 図22（ａ）に示した撮像装置のＡ−Ａ線における縦断面図である。FIG. 23 is a longitudinal sectional view taken along line AA of the imaging apparatus shown in FIG. （ａ）は、図22（ｂ）のＡ部における要部拡大下面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線における要部拡大縦断面図である。(A) is a principal part expanded bottom view in the A section of Drawing 22 (b), and (b) is a principal part enlarged vertical sectional view in the AA line of (a). 図22（ａ）のＡ方向における側面図である。FIG. 23 is a side view in the A direction of FIG.

本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。   Several exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における撮像装置は、図１〜図４に示された例のように、配線基体１と、配線基体１の上面に設けられた撮像素子２とを含んでいる。 (First embodiment)
The imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a wiring substrate 1 and an imaging element 2 provided on the upper surface of the wiring substrate 1, as in the example shown in FIGS.

本実施形態における配線基体１は、主面および側面を有する絶縁基体11と、側面に設け
られ、主面に延ばされた側面導体12と、側面導体12の一部を覆うように設けられた絶縁膜13とを有している。また、絶縁基体11の表面および内部には、配線導体14が設けられている。絶縁膜13は、主面から側面の主面側にかけて、主面と側面とが成す辺に沿って、側面導体および辺を覆うように設けられている。図１〜図４において、撮像装置は仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１〜図４において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に配線基体１等が使用される際の上下を限定するものではない。 The wiring substrate 1 in the present embodiment is provided so as to cover an insulating substrate 11 having a main surface and side surfaces, a side conductor 12 provided on the side surface, extended to the main surface, and a part of the side conductor 12. And an insulating film 13. A wiring conductor 14 is provided on the surface and inside of the insulating base 11. The insulating film 13 is provided from the main surface to the main surface side of the side surface so as to cover the side conductor and the side along the side formed by the main surface and the side surface. 1 to 4, the imaging device is mounted on an xy plane in a virtual xyz space. 1-4, the upward direction means the positive direction of the virtual z-axis. In addition, the upper and lower distinction in the following description is for convenience, and does not limit the upper and lower when the wiring substrate 1 or the like is actually used.

本実施形態の配線基体１において、図１〜図４に示す例において、絶縁基体11は、２層の絶縁層11ａにより設けられており、側面導体12は、絶縁基体11の上面側から２番目の絶縁層11ａに設けられている。   In the wiring substrate 1 of this embodiment, in the example shown in FIGS. 1 to 4, the insulating substrate 11 is provided by two insulating layers 11 a, and the side conductor 12 is second from the upper surface side of the insulating substrate 11. The insulating layer 11a is provided.

なお、図１（ｂ）および図３（ａ）に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、平面透視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。また、図４に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、側面視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。   In the example shown in FIG. 1B and FIG. 3A, the side formed by the main surface and the side surface of the insulating substrate 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a plan view by a broken line. Show. Further, in the example shown in FIG. 4, a region in which the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a side view is indicated by a broken line.

絶縁基体11は、一方主面（図１〜図４では上面）および他方主面（図１〜図４では下面）と、側面とを有している。絶縁基体11は、単層または複数層の絶縁層11ａからなり、側面に側面導体12を有している。絶縁基体11は撮像素子２を支持するための支持体として機能し、絶縁基体11の主面に、撮像素子２が樹脂等の接着剤を介して接着されて固定される。   The insulating base 11 has one main surface (upper surface in FIGS. 1 to 4), the other main surface (lower surface in FIGS. 1 to 4), and a side surface. The insulating base 11 is composed of a single layer or a plurality of layers of insulating layers 11a, and has side conductors 12 on the side surfaces. The insulating base 11 functions as a support for supporting the image pickup device 2, and the image pickup device 2 is bonded and fixed to the main surface of the insulating base 11 through an adhesive such as a resin.

絶縁基体11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。絶縁基体111は、例えば酸化アルミニウム質焼結体である場合
であれば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿物を作製する。この泥漿物を、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。次に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに、セラミックグリーンシートを必要に応じて複数枚積層して生成形体を形成し、この生成形体を高温（約1600℃）で焼成することによって単層または複数層の絶縁層11ａからなる絶縁基体11が製作される。 As the insulating substrate 11, for example, ceramics such as an aluminum oxide sintered body (alumina ceramic), an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, or a glass ceramic sintered body can be used. If the insulating substrate 111 is, for example, an aluminum oxide sintered body, a raw material powder such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), etc. A suitable organic binder, a solvent, etc. are added and mixed to prepare a slurry. A ceramic green sheet is produced by forming this mud into a sheet using a conventionally known doctor blade method or calendar roll method. Next, the ceramic green sheet is subjected to an appropriate punching process, and a plurality of ceramic green sheets are laminated as necessary to form a generated shape, and the generated shape is fired at a high temperature (about 1600 ° C.). An insulating base 11 composed of a single layer or a plurality of layers of insulating layers 11a is manufactured.

絶縁基体11は、図１〜図４に示す例において、２層の絶縁層11ａから形成されている。絶縁基体11の側面には、側面導体12が設けられている。絶縁基体11の表面及び内部には、配線導体14が設けられている。側面導体12は、絶縁基体11の側面に導出しており、少なくとも一端が絶縁基体11の主面に導出している。側面導体12は、リードフレーム、リードピン、リード線等の外部リード端子とろう材等の接合材を介して接合する接続部である。配線導体14の一端部は、図１および図２に示す例において、絶縁基体11の主面に導出しており、配線導体16の他端部は、側面導体12に接続している。配線導体14は、絶縁基体11の表面および内部に設けられており、絶縁層11ａの表面に設けられた配線層と、絶縁層11ａの厚み方向（図１〜図３ではｚ方向）に設けられた貫通導体とを有している。側面導体12および配線導体14は、撮像素子２と外部リード端子とを電気的に接続するためのものである。   The insulating base 11 is formed of two insulating layers 11a in the examples shown in FIGS. Side conductors 12 are provided on the side surfaces of the insulating base 11. A wiring conductor 14 is provided on the surface and inside of the insulating base 11. The side conductors 12 are led out to the side surfaces of the insulating base 11, and at least one end is led to the main surface of the insulating base 11. The side conductor 12 is a connection part that joins an external lead terminal such as a lead frame, a lead pin, and a lead wire via a joining material such as a brazing material. In the example shown in FIGS. 1 and 2, one end of the wiring conductor 14 is led out to the main surface of the insulating base 11, and the other end of the wiring conductor 16 is connected to the side conductor 12. The wiring conductor 14 is provided on the surface and inside of the insulating base 11, and is provided in the wiring layer provided on the surface of the insulating layer 11a and in the thickness direction of the insulating layer 11a (z direction in FIGS. 1 to 3). Through conductors. The side conductors 12 and the wiring conductors 14 are for electrically connecting the imaging device 2 and external lead terminals.

側面導体12および配線導体14は、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等を主成分とする金属粉末メタライズである。例えば、絶縁基体11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ，Ｍｏま
たはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得たメタライズペーストを、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法等によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基体11の所定位置に被着形成される。側面導体12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに形成された側面導体12用の貫通孔内に、側面導体用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段によって印刷塗布して充填し、側面導体12用の貫通孔を分断して側面導体12用のメタライズペーストを貫通孔の側面に露出させた後、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。配線導体14の配線層は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートの表面に、配線導体14の配線層用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段によって印刷塗布し、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。配線導体14が貫通導体である場合、貫通導体は、例えば、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに金型またはパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によって貫通導体用の貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用のメタライズペーストを上記印刷手段によって充填しておき、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。メタライズペーストは、上述の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、絶縁基体11との接合強度を高めるために、ガラス粉末、セラミック粉末を含んでいても構わない。 The side conductors 12 and the wiring conductors 14 are, for example, metal powder metallization mainly composed of tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag), copper (Cu), or the like. For example, if the insulating substrate 11 is made of an aluminum oxide sintered body, a metallized paste obtained by adding and mixing an appropriate organic binder and solvent to a refractory metal powder such as W, Mo or Mn is insulated. A ceramic green sheet for the substrate 11 is preliminarily printed and applied in a predetermined pattern by a screen printing method or the like, and is fired simultaneously with the ceramic green sheet for the insulating substrate 11 to be deposited on a predetermined position of the insulating substrate 11. . The side conductors 12 are filled in the through holes for the side conductors 12 formed in the ceramic green sheet for the insulating substrate 11 by printing and applying a side conductor metallized paste by printing means such as a screen printing method. The through hole for the conductor 12 is divided to expose the metallized paste for the side conductor 12 on the side surface of the through hole, and then fired together with the ceramic green sheet for the insulating substrate 11. The wiring layer of the wiring conductor 14 is coated with a metallized paste for the wiring layer of the wiring conductor 14 on the surface of the ceramic green sheet for the insulating base 11 by a printing means such as a screen printing method, and the ceramic green for the insulating base 11 is applied. It is formed by firing together with a sheet. When the wiring conductor 14 is a through conductor, the through conductor, for example, forms a through hole for the through conductor by a die or punching process by punching or laser processing on the ceramic green sheet for the insulating substrate 11, The through hole is filled with a metallized paste for a through conductor by the printing means and is fired together with a ceramic green sheet for the insulating substrate 11. The metallized paste is prepared by adjusting an appropriate viscosity by adding an appropriate solvent and binder to the above metal powder and kneading. In order to increase the bonding strength with the insulating substrate 11, glass powder or ceramic powder may be included.

絶縁膜13は、絶縁基体11の主面から絶縁基体11の側面の主面側にかけて、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺に沿って、側面導体12および絶縁基体11の辺を覆うように設けられた被覆部13ａを有している。被覆部13ａは、側面導体12の絶縁基体11の主面側に導出した全面と絶縁基体11の側面側に導出した主面側端部とを覆っている。   The insulating film 13 covers the side conductor 12 and the side of the insulating base 11 along the side formed by the main surface and the side of the insulating base 11 from the main surface of the insulating base 11 to the main surface of the side of the insulating base 11. It has the coating | coated part 13a provided in this way. The covering portion 13 a covers the entire surface of the side conductor 12 led out to the main surface side of the insulating base 11 and the main surface side end led out to the side surface side of the insulating base 11.

絶縁膜13は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等からなる。例えば、絶縁基体11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して得た絶縁膜13用のセラミックペーストを、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法等によって、側面導体13用のメタライズペーストの頂上面および側面の主面側端部を覆うように印刷塗布して、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁膜13が側面導体13および絶縁基体11の辺を覆うように形成される。 The insulating film 13 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body (alumina ceramic), an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a glass ceramic sintered body, or the like. For example, if the insulating base 11 is made of an aluminum oxide sintered body, raw material powders such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon oxide (SiO 2 ), magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), etc. The top surface of the metallized paste for the side conductor 13 is obtained by adding a ceramic paste for the insulating film 13 obtained by adding an appropriate organic binder and solvent to the ceramic green sheet for the insulating substrate 11 in advance by screen printing or the like. The insulating film 13 is formed so as to cover the sides of the side conductor 13 and the insulating substrate 11 by printing and coating so as to cover the main surface side end of the side surface and firing simultaneously with the ceramic green sheet for the insulating substrate 11. Is done.

なお、絶縁膜13は、絶縁基体１とともに同時に焼成して形成されるため、実質的に同一成分からなることが好ましい。例えば、絶縁基体１が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合は、絶縁膜13は酸化アルミニウム質焼結体からなり、絶縁基体１が窒化アルミニウム質焼結体からなる場合は、絶縁膜13は窒化アルミニウム質焼結体からなることが好ましい。   The insulating film 13 is preferably formed of substantially the same component since it is formed by firing together with the insulating substrate 1 at the same time. For example, when the insulating substrate 1 is made of an aluminum oxide sintered body, the insulating film 13 is made of an aluminum oxide sintered body, and when the insulating substrate 1 is made of an aluminum nitride sintered body, the insulating film 13 is nitrided. It is preferably made of an aluminum sintered body.

１つの側面導体12は、幅（図１〜図４ではＹ方向）が0.05ｍｍ〜0.2ｍｍ程度であり、
高さ（図１〜図４ではＺ方向）が0.4ｍｍ〜2.0ｍｍ程度に設けられる。絶縁膜13の被覆部13ａは、絶縁基体11の主面側の厚みは、５〜50μｍ程度に設けられる。絶縁膜13の被覆部13ａは、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12の側面の主面側端部に対して、側面導体12の５％〜25％程度を覆っており、絶縁基体11の主面側から５μｍ〜50μｍ程度の高さに形成される。 One side conductor 12 has a width (Y direction in FIGS. 1 to 4) of about 0.05 mm to 0.2 mm.
The height (Z direction in FIGS. 1 to 4) is about 0.4 mm to 2.0 mm. The covering portion 13a of the insulating film 13 has a thickness on the main surface side of the insulating base 11 of about 5 to 50 μm. The covering portion 13a of the insulating film 13 covers about 5% to 25% of the side conductor 12 with respect to the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the main surface side end portion of the side surface of the side conductor 12. It is formed to a height of about 5 μm to 50 μm from the main surface side of the insulating substrate 11.

図１〜図４に示す例において、絶縁基体11の１つの側面に５個の側面導体12が配列しており、配線基体１には、合計10個の側面導体12が設けられている。   In the example shown in FIGS. 1 to 4, five side conductors 12 are arranged on one side of the insulating base 11, and the wiring base 1 is provided with a total of ten side conductors 12.

絶縁膜13の被覆部13ａの表面は、側面導体12の側面よりも外部側に配置されている。被覆部13の側面導体12の側面よりも外部側の厚みは、５μｍ〜50μｍ程度に設けられる。   The surface of the covering portion 13 a of the insulating film 13 is disposed on the outer side than the side surface of the side conductor 12. The thickness of the outer side of the side surface 12 of the side surface conductor 12 of the covering portion 13 is set to about 5 μm to 50 μm.

被覆部13ａは、図２および図３（ｂ）に示す例のように、縦断面視において凸曲面状であると、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合する際の位置合わせとするとともに、側面導体12の絶縁基体11の側面側から絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の際への応力の集中を抑制し、絶縁膜13が側面導体12の側面から剥がれることを良好に抑制することができる。なお、被覆部13ａが縦断面視において凸曲面状である場合、側面導体12の側面から凸曲面状の頂上部までの高さが５μｍ〜50μｍ程度に設けられる。   When the covering portion 13a has a convex curved surface in a longitudinal sectional view as in the example shown in FIGS. 2 and 3B, the positioning when the side conductor 12 and the external lead terminal are joined by the joining material is used. In addition, the concentration of stress from the side surface side of the insulating substrate 11 of the side conductor 12 to the side formed by the main surface and the side surface of the insulating substrate 11 is suppressed, and the insulating film 13 is peeled off from the side surface of the side conductor 12. It can suppress well. In addition, when the coating | coated part 13a is convex-curved shape in the longitudinal cross-sectional view, the height from the side surface of the side conductor 12 to the top part of convex-curved shape is provided at about 5 micrometers-50 micrometers.

側面導体12および配線導体14の絶縁基体11または絶縁膜13から露出する表面には、電気めっき法または無電解めっき法によって金属めっき層が被着される。金属めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性および接続部材３との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば厚さ0.5〜５μｍ程度のニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着される。これによって、側面導体12または配線導体14が腐食することを効果的に抑制できるとともに、配線導体14とボンディングワイヤ等の接続部材３との接合、ならびに側面導体12と外部リード端子との接合を強固にできる。   A metal plating layer is deposited on the surface of the side conductor 12 and the wiring conductor 14 exposed from the insulating base 11 or the insulating film 13 by electroplating or electroless plating. The metal plating layer is made of a metal having excellent corrosion resistance such as nickel, copper, gold, or silver and connectivity with the connection member 3, for example, a nickel plating layer having a thickness of about 0.5 to 5 μm and a gold having a thickness of about 0.1 to 3 μm. A plating layer is sequentially deposited. As a result, the side conductor 12 or the wiring conductor 14 can be effectively prevented from corroding, and the bonding between the wiring conductor 14 and the connecting member 3 such as a bonding wire and the bonding between the side conductor 12 and the external lead terminal are strengthened. Can be.

また、金属めっき層は、ニッケルめっき層／金めっき層に限られるものではなく、ニッケルめっき層／パラジウムめっき層／金めっき層等を含むその他の金属めっき層であっても構わない。   The metal plating layer is not limited to nickel plating layer / gold plating layer, and may be other metal plating layers including nickel plating layer / palladium plating layer / gold plating layer.

配線基体１の搭載部に撮像素子２を搭載し、撮像装置を作製できる。例えば、撮像素子２がワイヤボンディング型の撮像素子である場合には、撮像素子は、樹脂等の接合部材によって、搭載部上に固定された後、ボンディングワイヤ等の接続部材３を介して撮像素子２の電極と配線導体14とが電気的に接続されることによって配線基体１に搭載される。これにより、撮像素子２は配線導体14に電気的に接続される。また、例えば撮像素子２がフリップチップ型の撮像素子である場合には、撮像素子２は、はんだバンプ、金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材３を介して、撮像素子２の電極と配線導体14とが電気的および機械的に接続されることによって配線基体１に搭載される。また、必要に応じて、抵抗素子または容量素子等の小型の電子部品を搭載してもよい。また、撮像素子２は必要に応じて、樹脂またはガラス等からなる封止材を用いて、樹脂、ガラス、セラミックスまたは金属等からなる蓋体等により封止される。   The imaging device 2 can be mounted on the mounting portion of the wiring substrate 1 to produce an imaging device. For example, when the image pickup device 2 is a wire bonding type image pickup device, the image pickup device is fixed on the mounting portion by a bonding member such as a resin, and then is connected to the image pickup device via a connection member 3 such as a bonding wire. The two electrodes and the wiring conductor 14 are electrically connected to each other and mounted on the wiring substrate 1. As a result, the image sensor 2 is electrically connected to the wiring conductor 14. For example, when the image pickup device 2 is a flip-chip type image pickup device, the image pickup device 2 is connected via a connecting member 3 such as a solder bump, a gold bump, or a conductive resin (anisotropic conductive resin or the like). The electrode of the image pickup device 2 and the wiring conductor 14 are mounted on the wiring substrate 1 by being electrically and mechanically connected. Moreover, you may mount small electronic components, such as a resistive element or a capacitive element, as needed. Further, the image pickup device 2 is sealed with a lid made of resin, glass, ceramics, metal, or the like, using a sealing material made of resin, glass, or the like, as necessary.

本実施形態の配線基体１は、主面および側面を有する絶縁基体11と、側面に設けられ、主面に延ばされた側面導体12と、側面導体12の一部を覆うように設けられた絶縁膜13とを有しており、絶縁膜13は、主面から側面の主面側にかけて、主面と側面とが成す辺に沿って、側面導体12および辺を覆うように設けられている。上記構成により、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体12における絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の縁部およびに絶縁基体11の主面側の縁部に設けられるのを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、側面導体12が絶縁基体11から剥がれるのを抑制することができる。   The wiring substrate 1 of the present embodiment is provided so as to cover an insulating substrate 11 having a main surface and side surfaces, a side conductor 12 provided on the side surface and extended to the main surface, and a part of the side conductor 12. The insulating film 13 is provided so as to cover the side conductor 12 and the side along the side formed by the main surface and the side surface from the main surface to the main surface side of the side surface. . With the above configuration, the side conductor 12 and the external lead terminal are joined with the joining material, and even if stress is applied to the external lead terminal, the joining material is formed on the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 in the side conductor 12. Even if the side conductor 12 and the external lead terminal are joined with a joining material and stress is applied to the external lead terminal, it can be suppressed from being provided on the edge and the edge on the main surface side of the insulating base 11. In addition, it becomes difficult for stress to be directly applied to the end portion of the side conductor 12 through the bonding material, the insulating film 13 holds the end portion of the side conductor 12, and the side conductor 12 is prevented from peeling off from the insulating base 11. Can do.

図１〜図４に示す例において、複数の側面導体12が絶縁基体11の主面と側面とが成す辺に沿って設けられている。図１〜図４に示す例において、５つの側面導体12が、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺に沿って設けられている。ここで、図１〜図４に示す例のように、１つの絶縁膜13は、複数の側面導体12における絶縁基体11の主面側と主面側近傍の端
部とを覆うように設けていると、絶縁基体11と焼結一体化した絶縁膜13により絶縁基体11のの主面と側面とが成す辺および複数の側面導体12を同時に覆っているので、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体12における絶縁基体11の側面側から絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の主面側に設けられるのを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、側面導体12が絶縁基体11から剥がれるのを抑制することができる。 In the example shown in FIGS. 1 to 4, a plurality of side conductors 12 are provided along the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11. In the example shown in FIGS. 1 to 4, five side conductors 12 are provided along the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11. Here, as in the example shown in FIGS. 1 to 4, one insulating film 13 is provided so as to cover the main surface side of the insulating base 11 and the end portions near the main surface side in the plurality of side surface conductors 12. Since the insulating film 13 sintered and integrated with the insulating base 11 simultaneously covers the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the plurality of side conductors 12, the side conductor 12 and the external lead terminal Even if stress is applied to the external lead terminal, the edge of the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 from the side surface side of the insulating base 11 in the side conductor 12 and the insulating base 11, the side conductor 12 and the external lead terminal are joined by a joining material, and even if stress is applied to the external lead terminal, the side conductor 12 is interposed via the joining material. It is difficult for stress to be applied directly to the end of It holds the parts, the side conductor 12 can be prevented from peeling off from the insulating base 11.

また、主面透視において、側面導体12が相対するように設けられていると、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、応力が絶縁基体11の相対する位置に加わりやすいものとなり、絶縁基体11における歪みが集中しにくいものとすることができる。   In addition, when the side conductors 12 are provided so as to face each other when viewed from the main surface, the side conductors 12 and the external lead terminals are joined with a bonding material, and even if stress is applied to the external lead terminals, the stress is insulated. It becomes easy to be added to the opposite position of the base 11, and the strain in the insulating base 11 can be hardly concentrated.

なお、ここで、側面導体12が相対するように設けられているとは、図１〜図４に示す例のように、側面導体12が、絶縁基体11の相対する２辺にそれぞれ設けられていることを示している。   Here, the side conductors 12 are provided so as to face each other, as in the examples shown in FIGS. 1 to 4, the side conductors 12 are provided on two opposite sides of the insulating base 11. It shows that.

本実施形態の撮像装置は、上記構成の配線基体１と、配線基体１に接続された撮像素子２とを有していることによって、接続信頼性に優れた撮像装置とすることができる。   The imaging apparatus according to the present embodiment includes the wiring substrate 1 having the above-described configuration and the imaging element 2 connected to the wiring substrate 1, whereby an imaging device having excellent connection reliability can be obtained.

本実施形態における配線基体１は、小型の撮像装置において好適に使用することができる。   The wiring substrate 1 in the present embodiment can be suitably used in a small imaging device.

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による撮像装置について、図５〜図８を参照しつつ説明する。 (Second Embodiment)
Next, an imaging apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の第２の実施形態における撮像装置において、上述の第１の実施形態の撮像装置と異なる点は、側面導体12が、絶縁基体11を両主面方向に貫通している点である。   The imaging apparatus according to the second embodiment of the present invention is different from the imaging apparatus according to the first embodiment described above in that the side conductors 12 penetrate the insulating base 11 in both main surface directions.

第２の実施形態の配線基体１において、図５〜図８に示す例において、絶縁基体11は、２層の絶縁層11ａにより設けられており、側面導体12は、絶縁基体11の上面側から１番目の絶縁層11ａおよび２番目の絶縁層11ａに設けられている。   In the wiring substrate 1 of the second embodiment, in the example shown in FIGS. 5 to 8, the insulating substrate 11 is provided by two insulating layers 11 a, and the side conductor 12 is formed from the upper surface side of the insulating substrate 11. It is provided in the first insulating layer 11a and the second insulating layer 11a.

なお、図５および図７（ａ）に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、平面透視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。また、図８に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、側面視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。   In the example shown in FIG. 5 and FIG. 7A, the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a planar perspective view by a broken line. . Further, in the example shown in FIG. 8, a region where the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlaps the insulating film 13 in a side view is indicated by a broken line.

第２の実施形態における配線基体１は、第１の実施形態の配線基体１と同様に、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体12における絶縁基体11の両主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の両主面側の縁部に設けられるのを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、側面導体12が絶縁基体11から剥がれるのを抑制することができる。   In the wiring substrate 1 in the second embodiment, similarly to the wiring substrate 1 in the first embodiment, even if the side conductor 12 and the external lead terminal are bonded with a bonding material and stress is applied to the external lead terminal, It is possible to suppress the bonding material from being provided at the edge of the side conductor 12 where both main surfaces and side surfaces of the insulating base 11 are formed, and the both main surface sides of the insulating base 11, and the side conductor 12 Even if the external lead terminal is joined with a joining material and stress is applied to the external lead terminal, it becomes difficult for the stress to be directly applied to the end of the side conductor 12 via the joining material, and the insulating film 13 is formed on the side conductor 12. While holding the end portion, it is possible to suppress the side conductor 12 from being peeled off from the insulating base 11.

第２の実施形態の撮像装置は、上記構成の配線基体１と、配線基体１に接続された撮像
素子２とを有していることによって、接続信頼性に優れた撮像装置とすることができる。 The image pickup apparatus according to the second embodiment includes the wiring substrate 1 having the above-described configuration and the image pickup device 2 connected to the wiring substrate 1, whereby an image pickup apparatus having excellent connection reliability can be obtained. .

第２の実施形態の配線基体１において、絶縁膜13は、絶縁基体11の両主面側にてそれぞれ被覆部13ａを有しており、側面導体12の両端部を被覆している。第２の実施形態の配線基体１は、側面導体12の両主面側の端部を被覆部13ａにより覆われているので、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が、側面導体12における絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の主面側の縁部、絶縁基体11の主面に相対する他の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の他の主面側の縁部に設けられるのを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の両端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、より良好に側面導体12が絶縁基体11から剥がれるのを抑制することができる。   In the wiring substrate 1 of the second embodiment, the insulating film 13 has covering portions 13 a on both main surface sides of the insulating substrate 11, and covers both end portions of the side conductor 12. In the wiring substrate 1 of the second embodiment, since both ends of the side surface conductor 12 are covered with the covering portion 13a, the side surface conductor 12 and the external lead terminal are bonded to each other by a bonding material. Even if a stress is applied to the terminal, the bonding material is composed of the edge portion of the side conductor 12 where the main surface and the side surface of the insulating substrate 11 are formed, the edge portion on the main surface side of the insulating substrate 11, and the main surface of the insulating substrate 11. Can be prevented from being provided at the edge of the side formed by the other main surface and the side opposite to each other and the edge of the other main surface of the insulating base 11, and the side conductor 12 and the external lead terminal are joined. Even if stress is applied to the external lead terminal by joining with the material, it becomes difficult for stress to be directly applied to both ends of the side conductor 12 via the joining material, and the insulating film 13 holds the end of the side conductor 12 It is possible to suppress the side conductor 12 from being peeled off from the insulating substrate 11 better. The

第２の実施形態の配線基体１は、上述の第１の実施形態の配線基体１と同様の製造方法を用いて製作することができる。   The wiring substrate 1 of the second embodiment can be manufactured using the same manufacturing method as the wiring substrate 1 of the first embodiment described above.

第２の実施形態における配線基体１は、第１の実施形態と同様に、小型の撮像装置において好適に使用することができる。   The wiring substrate 1 in the second embodiment can be suitably used in a small imaging device, as in the first embodiment.

（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態による撮像装置について、図９〜図12を参照しつつ説明する。 (Third embodiment)
Next, an image pickup apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の第３の実施形態における撮像装置において、上述の実施形態の撮像装置と異なる点は、絶縁基体11が段差部11ｂ、11ｃを有しており、絶縁膜13ａが段差部11ｃに設けられている点である。   The imaging apparatus according to the third embodiment of the present invention is different from the imaging apparatus according to the above-described embodiment in that the insulating base 11 has step portions 11b and 11c, and the insulating film 13a is provided in the step portion 11c. It is a point.

第３の実施形態の配線基体１において、図９〜図12に示す例において、絶縁基体11は、３層の絶縁層11ａにより設けられており、側面導体12は、絶縁基体11の上面側から２番目の絶縁層11ａに設けられている。   In the wiring substrate 1 of the third embodiment, in the example shown in FIGS. 9 to 12, the insulating substrate 11 is provided by three insulating layers 11 a, and the side conductors 12 are formed from the upper surface side of the insulating substrate 11. It is provided on the second insulating layer 11a.

なお、図９（ｂ）および図11（ａ）に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、平面透視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。また、図12に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、側面視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。   In the example shown in FIGS. 9B and 11A, the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a plan view by a broken line. Show. Further, in the example shown in FIG. 12, a side where the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a side view is indicated by a broken line.

第３の実施形態における配線基体１は、上述の実施形態の配線基体１と同様に、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体12における絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の主面側に設けられることを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、側面導体12が絶縁基体11から剥がれることを抑制することができる。   Similar to the wiring substrate 1 of the above-described embodiment, the wiring substrate 1 in the third embodiment is bonded even if the side conductor 12 and the external lead terminal are bonded with a bonding material and stress is applied to the external lead terminal. It is possible to suppress the material from being provided on the edge portion of the side surface 12 where the main surface and side surface of the insulating base 11 are formed and on the main surface side of the insulating base 11, and the side conductor 12 and the external lead terminal are joined. Even if stress is applied to the external lead terminal by joining with the material, it becomes difficult for the stress to be directly applied to the end of the side conductor 12 through the joining material, and the insulating film 13 holds the end of the side conductor 12 Further, it is possible to suppress the side conductor 12 from being peeled off from the insulating base 11.

また、絶縁基体11が段差部11ｂ、11ｃを有しており、絶縁膜13ａが段差部11ｃに設けられていることから、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わろうとしても、外部リード端子が撮像装置の内側に位置しやすいものとなり、外部リード端子に応力が加わりにくいものとなって、側面導体12が絶縁基体11から剥がれることを抑制しやすいものとすることができる。   Further, since the insulating base 11 has the step portions 11b and 11c and the insulating film 13a is provided on the step portion 11c, the side conductor 12 and the external lead terminal are joined by a joining material, and the external lead terminal Even if stress is applied to the external lead terminal, the external lead terminal is likely to be located inside the imaging device, the external lead terminal is difficult to be stressed, and the side conductor 12 can be easily prevented from peeling off from the insulating base 11. Can be.

また、段差部11ｂは、図９〜図12に示す例のように、被覆部13ａの厚みよりも大きい幅としておくと、絶縁基体11の側面より、被覆部13ａが突出しないので、配線基体１および撮像装置の小型化を図ることができる。   Further, if the stepped portion 11b has a width larger than the thickness of the covering portion 13a as in the example shown in FIGS. 9 to 12, the covering portion 13a does not protrude from the side surface of the insulating base 11, so that the wiring base 1 In addition, the image pickup apparatus can be reduced in size.

また、段差部11ｃの幅は、図９〜図12に示す例のように、側面導体12の長さ（側面導体12の側面から絶縁基体11の中央部側への厚み）よりも大きいと、絶縁膜13の被覆部13により側面導体12の端部を良好に被覆することができ、側面導体12が絶縁基体11から剥がれることを良好に抑制することができる。   When the width of the stepped portion 11c is larger than the length of the side conductor 12 (thickness from the side surface of the side conductor 12 to the central portion side of the insulating base 11) as in the examples shown in FIGS. The end portion of the side conductor 12 can be satisfactorily covered with the covering portion 13 of the insulating film 13, and the side conductor 12 can be satisfactorily prevented from peeling off from the insulating base 11.

さらに、接続される外部リードが配線基体１の側面より突出しないようにしておくと、撮像装置の小型化を図ることができる。   Furthermore, if the connected external leads are prevented from protruding from the side surface of the wiring substrate 1, the image pickup apparatus can be reduced in size.

また、絶縁膜13は、図９〜図12に示す例のように、平面視で絶縁基体11の内部に延出した延出部13ｂを有していると、絶縁基体11と焼結一体化された絶縁膜13により側面導体12が被覆されるので、絶縁膜13が側面導体12の端部をより強固に保持するものとなり、側面導体12が絶縁基体11から剥がれることを抑制することができる。   In addition, the insulating film 13 is integrated with the insulating base 11 by sintering if the extending portion 13b extends into the insulating base 11 in a plan view as in the examples shown in FIGS. Since the side conductor 12 is covered with the insulating film 13 thus formed, the insulating film 13 holds the end of the side conductor 12 more firmly, and the side conductor 12 can be prevented from being peeled off from the insulating base 11. .

第３の実施形態の配線基体１は、上述の実施形態の配線基体１と同様の製造方法を用いて製作することができる。   The wiring substrate 1 of the third embodiment can be manufactured using the same manufacturing method as the wiring substrate 1 of the above-described embodiment.

第３の実施形態における配線基体１は、上述の実施形態と同様に、小型の撮像装置において好適に使用することができる。   The wiring substrate 1 in the third embodiment can be suitably used in a small imaging device, as in the above-described embodiment.

（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態による撮像装置について、図13〜図16を参照しつつ説明する。 (Fourth embodiment)
Next, an image pickup apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の第４の実施形態における撮像装置において、上述の実施形態の撮像装置と異なる点は、絶縁基体11が複数の段差部11ｂ、11ｃ、11ｄを有しており、複数の段差部11ｃ、11ｄに側面導体12が設けられている点である。   The imaging apparatus according to the fourth embodiment of the present invention differs from the imaging apparatus of the above-described embodiment in that the insulating base 11 has a plurality of step portions 11b, 11c, and 11d, and the plurality of step portions 11c, A side conductor 12 is provided on 11d.

第４の実施形態の配線基体１において、図13〜図16に示す例において、絶縁基体11は、４層の絶縁層11ａにより設けられており、側面導体12は、絶縁基体11の上面側から２番目の絶縁層11ａおよび３番目の絶縁層11ａに設けられている。   In the wiring substrate 1 of the fourth embodiment, in the example shown in FIGS. 13 to 16, the insulating substrate 11 is provided by four insulating layers 11 a, and the side conductors 12 are formed from the upper surface side of the insulating substrate 11. It is provided in the second insulating layer 11a and the third insulating layer 11a.

なお、図13（ｂ）および図15（ａ）に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、平面透視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。また、図16に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、側面視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。   In the example shown in FIGS. 13 (b) and 15 (a), the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 has a dotted line that indicates a region overlapping the insulating film 13 in a plan view. Show. Further, in the example shown in FIG. 16, a side where the main surface and side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a side view is indicated by a broken line.

第４の実施形態における配線基体１は、第１の実施形態の配線基体１と同様に、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体12における絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の主面側の縁部に設けられるのを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、側面導体12が絶縁基体11から剥がれることを抑制することができる。   In the wiring substrate 1 in the fourth embodiment, similarly to the wiring substrate 1 in the first embodiment, even if the side conductors 12 and the external lead terminals are bonded with a bonding material, and stress is applied to the external lead terminals, It is possible to suppress the bonding material from being provided at the edge of the side conductor 12 where the main surface and the side surface of the insulating base 11 are formed and the main surface side edge of the insulating base 11, and the side conductor 12 and the external lead Even if the terminal is bonded with a bonding material and stress is applied to the external lead terminal, it is difficult for the stress to be directly applied to the end of the side conductor 12 via the bonding material, and the insulating film 13 becomes the end of the side conductor 12 And the side conductor 12 can be prevented from peeling off from the insulating base 11.

第４の実施形態の配線基体１は、第３の実施形態の配線基体１と同様に、段差部11ｂお
よび段差部11ｃの大きさが絶縁膜13の厚み以上となるようにしておくと、配線基体１および撮像装置の小型化を図ることができる。 The wiring substrate 1 of the fourth embodiment is similar to the wiring substrate 1 of the third embodiment in that if the size of the step portion 11b and the step portion 11c is equal to or greater than the thickness of the insulating film 13, The substrate 1 and the imaging device can be downsized.

また、段差部11ｃおよび段差部11ｄの幅は、第３の実施形態の配線基体１と同様に、側面導体12の長さ（側面導体12の側面から絶縁基体11の中央部側への厚み）よりも大きいと、絶縁膜13の被覆部13により側面導体12の端部を良好に被覆することができ、側面導体12が絶縁基体11から剥がれることを良好に抑制することができる。   Further, the width of the stepped portion 11c and the stepped portion 11d is the length of the side conductor 12 (thickness from the side surface of the side conductor 12 to the central portion side of the insulating substrate 11), as in the wiring substrate 1 of the third embodiment. If it is larger, the end portion of the side conductor 12 can be satisfactorily covered with the covering portion 13 of the insulating film 13, and the side conductor 12 can be satisfactorily prevented from peeling off from the insulating base 11.

また、主面透視において、複数の段差部11ｂ、11ｃに設けられた側面導体12は互いに重ならないようにしておくと、それぞれの段差部11ｂに設けられた側面導体12同士の短絡を抑制するとともに、リード端子の接続を良好なものとし、信頼性に優れた配線基体１とすることができる。   In addition, when the side conductors 12 provided on the plurality of stepped portions 11b and 11c are not overlapped with each other in the perspective of the main surface, short-circuiting between the side conductors 12 provided on the respective stepped portions 11b is suppressed. Thus, the connection of the lead terminals can be made good, and the wiring substrate 1 having excellent reliability can be obtained.

第４の実施形態の配線基体１は、上述の実施形態の配線基体１と同様の製造方法を用いて製作することができる。   The wiring substrate 1 of the fourth embodiment can be manufactured using the same manufacturing method as the wiring substrate 1 of the above-described embodiment.

第４の実施形態における配線基体１は、上述の実施形態と同様に、小型の撮像装置において好適に使用することができる。   The wiring substrate 1 in the fourth embodiment can be suitably used in a small imaging device, as in the above-described embodiment.

（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態による撮像装置について、図17〜図20を参照しつつ説明する。 (Fifth embodiment)
Next, an imaging device according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の第５の実施形態における撮像装置において、上述の実施形態の撮像装置と異なる点は、側面導体12が切欠き部11ｅ内に設けられている点である。   The imaging apparatus according to the fifth embodiment of the present invention differs from the imaging apparatus according to the above-described embodiment in that the side conductor 12 is provided in the notch 11e.

第５の実施形態の配線基体１において、図17〜図20に示す例において、絶縁基体11は、２層の絶縁層11ａにより設けられており、側面導体12は、絶縁基体11の上面側から２番目の絶縁層11ａに設けられている。   In the wiring substrate 1 of the fifth embodiment, in the example shown in FIGS. 17 to 20, the insulating substrate 11 is provided by two insulating layers 11 a, and the side conductor 12 extends from the upper surface side of the insulating substrate 11. It is provided on the second insulating layer 11a.

なお、図17（ｂ）および図19（ａ）に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、平面透視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。また、図20に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、側面視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。   In the example shown in FIG. 17B and FIG. 19A, the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlaps the insulating film 13 in a plan view with a broken line. Show. In the example shown in FIG. 20, a side where the main surface and side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a side view is indicated by a broken line.

第５の実施形態における配線基体１は、第１の実施形態の配線基体１と同様に、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体12における絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の主面側の縁部に設けられるのを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、側面導体12が絶縁基体11から剥がれるのを抑制することができる。   The wiring substrate 1 in the fifth embodiment is similar to the wiring substrate 1 in the first embodiment, even when the side conductors 12 and the external lead terminals are bonded with a bonding material, and stress is applied to the external lead terminals. It is possible to suppress the bonding material from being provided at the edge of the side conductor 12 where the main surface and the side surface of the insulating base 11 are formed and the main surface side edge of the insulating base 11, and the side conductor 12 and the external lead Even if the terminal is bonded with a bonding material and stress is applied to the external lead terminal, it is difficult for the stress to be directly applied to the end of the side conductor 12 via the bonding material, and the insulating film 13 becomes the end of the side conductor 12 And the side conductor 12 can be prevented from peeling off from the insulating base 11.

この場合、絶縁膜13の被覆部13ａは、切欠き部11ｅの内面に導出される側面導体12の端部を覆っておけばよく、絶縁基体11の側面より、被覆部13ａが突出しないので、配線基体１および撮像装置の小型化を図ることができる。   In this case, the covering portion 13a of the insulating film 13 only needs to cover the end portion of the side conductor 12 led to the inner surface of the notch portion 11e, and the covering portion 13a does not protrude from the side surface of the insulating base 11. The wiring substrate 1 and the imaging device can be reduced in size.

なお、図17に示す例において、１つの切欠き部11ｅ内に１つの側面導体12が設けられているが、図21に示す例のように、１つの切欠き部11ｅ内に複数の側面導体12が設けられても構わない。   In the example shown in FIG. 17, one side conductor 12 is provided in one notch 11e, but a plurality of side conductors are provided in one notch 11e as in the example shown in FIG. 12 may be provided.

第５の実施形態の配線基体１は、上述の実施形態の配線基体１と同様の製造方法を用いて製作することができる。   The wiring substrate 1 of the fifth embodiment can be manufactured using the same manufacturing method as the wiring substrate 1 of the above-described embodiment.

第５の実施形態における配線基体１は、上述の実施形態と同様に、小型の撮像装置において好適に使用することができる。   The wiring substrate 1 in the fifth embodiment can be suitably used in a small imaging device, as in the above-described embodiment.

（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態による撮像装置について、図22〜図25を参照しつつ説明する。 (Sixth embodiment)
Next, an imaging device according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本発明の第６の実施形態における撮像装置において、上述の実施形態の撮像装置と異なる点は、絶縁基体11に貫通孔11ｆが設けられている点である。   The imaging apparatus according to the sixth embodiment of the present invention is different from the imaging apparatus of the above-described embodiment in that a through hole 11f is provided in the insulating base 11.

第６の実施形態の配線基体１において、図17〜図20に示す例において、絶縁基体11は、３層の絶縁層11ａにより設けられており、側面導体12は、絶縁基体11の上面側から２番目の絶縁層11ａに設けられている。   In the wiring substrate 1 of the sixth embodiment, in the example shown in FIGS. 17 to 20, the insulating substrate 11 is provided by three insulating layers 11 a, and the side conductor 12 extends from the upper surface side of the insulating substrate 11. It is provided on the second insulating layer 11a.

なお、図22（ｂ）および図24（ａ）に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、平面透視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。また、図16に示す例において、絶縁基体11の主面と側面とが成す辺および側面導体12が、側面視において、絶縁膜13と重なる領域を破線にて示している。   In the example shown in FIGS. 22 (b) and 24 (a), the side formed by the main surface and the side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlaps the insulating film 13 in a plan view with a broken line. Show. Further, in the example shown in FIG. 16, a side where the main surface and side surface of the insulating base 11 and the side conductor 12 overlap with the insulating film 13 in a side view is indicated by a broken line.

第６の実施形態における配線基体１は、第１の実施形態の配線基体１と同様に、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材が側面導体12における絶縁基体11の主面と側面とが成す辺の縁部および絶縁基体11の主面側の縁部に設けられるのを抑制することができ、側面導体12と外部リード端子とを接合材により接合し、外部リード端子に応力が加わったとしても、接合材を介して側面導体12の端部に直接応力が加わりにくいものとなり、絶縁膜13が側面導体12の端部を保持するとともに、側面導体12が絶縁基体11から剥がれることを抑制することができる。   The wiring substrate 1 in the sixth embodiment is similar to the wiring substrate 1 in the first embodiment, even when the side conductors 12 and the external lead terminals are bonded with a bonding material, and stress is applied to the external lead terminals. It is possible to suppress the bonding material from being provided at the edge of the side conductor 12 where the main surface and the side surface of the insulating base 11 are formed and the main surface side edge of the insulating base 11, and the side conductor 12 and the external lead Even if the terminal is bonded with a bonding material and stress is applied to the external lead terminal, it is difficult for the stress to be directly applied to the end of the side conductor 12 via the bonding material, and the insulating film 13 becomes the end of the side conductor 12 And the side conductor 12 can be prevented from peeling off from the insulating base 11.

第６の実施形態の配線基体１は、上述の実施形態の配線基体１と同様の製造方法を用いて製作することができる。   The wiring substrate 1 of the sixth embodiment can be manufactured using the same manufacturing method as the wiring substrate 1 of the above-described embodiment.

第６の実施形態における配線基体１は、上述の実施形態と同様に、小型の撮像装置において好適に使用することができる。   The wiring substrate 1 in the sixth embodiment can be suitably used in a small imaging device, as in the above-described embodiment.

本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、絶縁基体11は、平面視において、側面または角部に切欠き部や面取り部を有している矩形状であっても構わない。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the insulating base 11 may have a rectangular shape having a notch or a chamfered portion on a side surface or a corner when seen in a plan view.

また、第３の実施形態および第４の実施形態の配線基体１において、段差部11ｂ、11ｃ、11ｄを備えているが、他の実施形態の配線基体１においても、段差部を有するものであっても構わない。   Further, although the wiring base 1 of the third embodiment and the fourth embodiment includes the stepped portions 11b, 11c, and 11d, the wiring base 1 of the other embodiments also has a stepped portion. It doesn't matter.

上述の実施形態において、側面導体12は、絶縁基体11の相対する２つ側面に設けているが、３つ乃至４つの側面のそれぞれに側面導体12が設けていても構わない。   In the above-described embodiment, the side conductors 12 are provided on the two opposite side faces of the insulating base 11, but the side conductors 12 may be provided on each of the three to four side faces.

上述の実施形態において、絶縁基体11は、２層〜４層の絶縁層11ａにより構成している例を示しているが、絶縁基体11は、５層以上の絶縁層11ａにより構成していても構わない
。 In the above-described embodiment, the example in which the insulating base 11 is constituted by two to four insulating layers 11a is shown, but the insulating base 11 may be constituted by five or more insulating layers 11a. I do not care.

また、配線基体１は、多数個取り配線基体の形態で製作されていてもよい。   The wiring substrate 1 may be manufactured in the form of a multi-cavity wiring substrate.

１・・・・配線基体
11・・・・絶縁基体
11ａ・・・絶縁層
11ｂ・・・段差部
11ｃ・・・切欠き部
11ｄ・・・貫通孔
12・・・・側面導体
13・・・・絶縁膜
13ａ・・・被覆部
13ｂ・・・延出部
14・・・・配線導体
２・・・・撮像素子
３・・・・接続部材
1 ... Wiring substrate
11 ... Insulating substrate
11a ... Insulating layer
11b ... Step part
11c ... Notch
11d ... through hole
12 ... Side conductor
13 ... Insulating film
13a ... coating part
13b ... Extension part
14 ... Wiring conductor 2 ... Image sensor 3 ... Connection member

Claims (6)

主面および側面を有する絶縁基体と、
前記側面に設けられ、前記主面に延ばされた側面導体と、
該側面導体の一部を覆うように設けられた絶縁膜とを有しており、
該絶縁膜は、前記主面から前記側面の前記主面側にかけて、前記主面と前記側面とが成す辺に沿って、前記側面導体および前記辺を覆うように設けられていることを特徴とする配線基体。 An insulating substrate having a main surface and side surfaces;
A side conductor provided on the side surface and extending to the main surface;
An insulating film provided so as to cover a part of the side conductor,
The insulating film is provided from the main surface to the main surface side of the side surface so as to cover the side conductor and the side along a side formed by the main surface and the side surface. Wiring substrate. 前記絶縁基体は階段状の段差部を有しており、
前記側面導体および前記絶縁膜が前記段差部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基体。 The insulating substrate has a stepped stepped portion;
The wiring substrate according to claim 1, wherein the side conductor and the insulating film are provided in the stepped portion. 前記主面透視において、前記側面導体が相対するように設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基体。   The wiring substrate according to claim 1 or 2, wherein the side conductors are provided so as to face each other in the main surface perspective. 前記主面透視において、前記側面導体が互いに重ならないように設けられていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の配線基体。   The wiring substrate according to claim 2 or 3, wherein the side conductors are provided so as not to overlap each other in the main surface perspective. 前記絶縁膜は、前記絶縁基体の内部に延出した延出部を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の配線基体。   The wiring substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the insulating film has an extending portion extending inside the insulating substrate. 請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の配線基体と、
該配線基体に接続された撮像素子とを有していることを特徴とする撮像装置。 The wiring substrate according to any one of claims 1 to 5,
An image pickup apparatus comprising: an image pickup device connected to the wiring substrate.
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