JP2018166158A - 基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、基板搬送装置における変位補償方法、当該方法を実施するプログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体 - Google Patents

基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、基板搬送装置における変位補償方法、当該方法を実施するプログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】従来のめっき装置の組み立ての際には、処理槽が理想の位置に配置されるように処理槽の位置を調整していた。この調整によりめっき装置の組み立てに手間を要し、組み立てに多くのコストが必要となっている。【解決手段】基板を保持するための基板ホルダと、基板ホルダを把持するホルダ把持機構と、基板ホルダを搬送する基板搬送部と、鉛直方向を軸としてホルダ把持機構を回転移動する回転機構と、基板搬送部による基板ホルダの搬送方向および鉛直方向によって規定される面に垂直な方向にホルダ把持機構を直動移動する直動機構と、を備える基板搬送装置を提供する。【選択図】図１

Description

本願は、基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、基板搬送装置における変位補償方法、当該方法を実施するプログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体に関する。
半導体製造装置の一つに、基板の表面に金属を配線するめっき装置がある。湿式めっきと呼ばれる手法では、めっき液に基板を浸漬させ、基板表面において電気的、化学的な反応を生じさせることで、めっき液中の金属を基板にめっきしている。通常のめっき装置には、複数の処理槽（プリウェット層、めっき槽、水洗層、乾燥槽など）が設けられている。また、基板の処理ラインとして複数の槽を直列に並べ、複数の基板を逐次的に処理することによって、めっき装置のスループットが向上し得る。
各処理槽の間で基板を搬送するために、複数の処理槽の近傍に搬送機を設けた基板処理装置が知られている（特許文献１）。特許文献１の搬送機は、直線状に設けられたガイドレールを備える。ガイドレールは、処理槽の並びとほぼ平行方向に沿って設けられている。
特開２０１６−１８８４７号公報
特許文献１は、処理槽が理想の位置に配置されている状況を想定している。しかし実際の装置の製造および組み立てにおいては、製造誤差および組み立て誤差が生じ得る。特にめっき装置が大型である場合、大型の部品を誤差なく製造することおよび誤差なく組み立てることは困難である。製造誤差および組み立て誤差によって、処理槽には、理想の位置または形状からの変位が存在し得る。
従来のめっき装置が基板を処理槽に収容する場合には、処理槽の変位が考慮されていなかった。そのため、処理槽の変位が存在する場合、めっき装置が処理槽の所定の位置に基板を収容することができない可能性がある。たとえば電解めっき工程においては、基板上の電流密度がめっきの品質に影響する。基板の収容位置が処理槽の所定の位置ではない状態で電解めっきを行うと、電流密度が所望の値から外れ得る。よって、処理槽の変位はめっきの品質を悪化させ得る。
従来のめっき装置の組み立ての際には、処理槽の変位または変位による影響を低減するため、処理槽の位置を調整していた。この調整によりめっき装置の組み立てに手間を要し、組み立てに多くのコストが必要となっている。
この課題はめっき装置に限ったものではない。この課題は、複数の槽または容器などを備え、それらの槽などに基板を収容する基板搬送装置が一般的に有する課題である。そこで本願は、上述の課題のうち少なくとも一部を解決する基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、基板搬送装置における変位補償方法、当該方法を実施するプログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体を提供することを目的とする。
本願は、一実施形態として、基板を保持するための基板ホルダと、基板ホルダを把持するホルダ把持機構と、基板ホルダを搬送する基板搬送部と、鉛直方向を軸としてホルダ把持機構を回転移動する回転機構と、基板搬送部による基板ホルダの搬送方向および鉛直方向によって規定される面に垂直な方向にホルダ把持機構を直動移動する直動機構と、を備える基板搬送装置を開示する。
第１実施形態にかかる電解めっき装置の斜視図である。 第１実施形態にかかる電解めっき装置の上面図である。 第１実施形態にかかる電解めっき装置のアーム付近の斜視図である。 第１実施形態にかかる電解めっき装置のアーム付近の上面図であり、回転機構によるホルダ把持機構の回転移動を示す図である。 第１実施形態にかかる電解めっき装置のアーム付近の左側面図であり、直動機構によるホルダ把持機構の直動移動を示す図である。 第１実施形態にかかる電解めっき装置の上面図であり、処理槽の変位を補償する様子を示す図である。 第１実施形態にかかる、処理槽の変位を補償する方法を示すフローチャートである。 第２実施形態にかかる、衝突検知機構を備える電解めっき装置のアーム付近の斜視図である。 第２実施形態にかかる、カメラを備える電解めっき装置のアーム付近の斜視図である。 第３実施形態にかかる電解めっき装置のアーム付近の斜視図である。 第３実施形態にかかる、基板ホルダの変位を補償する方法を示すフローチャートである。 第４実施形態にかかる電解めっき装置のアーム付近の斜視図である。 第５実施形態にかかる、処理槽の変位を補償する方法を示すフローチャートである。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態にかかる電解めっき装置１００の斜視図である。本実施形態では、電解めっき装置１００は湿式の電解めっき装置である。電解めっき装置１００は、乾式のめっき装置または無電解めっき装置でもよい。電解めっき装置１００は、複数の槽または容器などを備え、それらの槽などに基板を収容する基板搬送装置でもよい。また、本実施形態で用いる基板は円形である。ただし、任意の形状（角形など）の基板を使用することができる。
電解めっき装置１００は、水平ガイド１１１、水平搬送機構１１２、垂直ガイド１１３、垂直搬送機構１１４およびアーム１１５を有する基板搬送部１１０を備える。基板搬送部１１０は、基板１３１および／または基板ホルダ１３２を搬送するために設けられている。水平ガイド１１１は直線状に形成されている。以下では水平ガイド１１１の長手方向（図中Ｘ軸方向）を「基板の搬送方向」「基板ホルダの搬送方向」「電解めっき装置の搬送方向」または単に「搬送方向」などと呼ぶ。水平搬送機構１１２は水平ガイド１１１に設けられている。水平搬送機構１１２は、基板１３１を搬送方向に移動するための機構である。垂直ガイド１１３は水平搬送機構に設けられている。垂直ガイド１１３の長手方向は鉛直方向（図中Ｚ軸方向）である。垂直搬送機構１１４は垂直ガイド１１３に設けられている。垂直搬送機構１１４は、鉛直方向に基板１３１を移動するための機構である。アーム１１５は垂直搬送機構１１４に備えられている。アーム１１５の長手方向は、搬送方
向および鉛直方向によって規定される面に垂直な方向（図中Ｙ軸方向）である。ただし、基板搬送部１１０の構成は上述した例に限られるものではなく、部品を適宜追加、削除または変更することができる。たとえば垂直搬送機構１１４に代えて、アーム１１５から基板１３１（または基板を保持する部材）を受け取ることができるリフタを採用することができる。
基板１３１は基板ホルダ１３２によって保持され、基板ホルダ１３２はホルダ把持機構１３３に接続されて把持されている。ホルダ把持機構１３３は、後述する移動機構１２０を介して、アーム１１５の先端付近に備えられている。ホルダ把持機構１３３は、基板ホルダ１３２の把持を解除することが可能であるように構成されている。基板ホルダ１３２は複数の基板１３１を保持することが可能であってもよい。ホルダ把持機構１３３は複数の基板ホルダ１３２を把持することが可能であってもよい。
電解めっき装置１００はさらに、各構成要素を制御する制御ユニット１４０を備える。制御ユニット１４０は、制御装置１４１、記憶装置１４２、入力装置１４３および図示しない表示装置などを有することができる。
電解めっき装置１００はさらに処理槽を備える。本実施形態の電解めっき装置１００は複数の処理槽１５０を備えるが、処理槽は１槽でもよい。図１の例では、水平ガイド１１１の側部かつアーム１１５の下部に、水平ガイド１１１の長手方向に沿って複数の処理槽１５０が設けられている（アーム１１５は複数の処理槽１５０の上部に位置する）。ただし処理槽の位置は例示であり、処理槽は水平ガイド１１１およびアーム１１５に対して任意の位置関係にあってよい。複数の処理槽１５０のそれぞれの形状は、少なくともその上部に開口を有する直方体状である。ただし、処理槽の形状は例示である。複数の処理槽１５０のそれぞれは、基板１３１および基板ホルダ１３２を収容して、基板１３１を処理するための種々の槽（プリウェット槽、めっき槽、水洗槽、乾燥槽など）であってよい。たとえばめっき槽の内部にはめっき液が供給されている。めっき槽では、めっき液中の金属を基板１３１にめっきすることができる。たとえば水洗槽の内部には純水が供給されている。水洗槽では、めっき後の基板１３１を純水で洗浄することができる。電解めっき装置１００には任意の槽数の処理槽を設置することが可能である。一例として、電解めっき装置１００は２〜１０槽の処理槽を備えることができる。大型の電解めっき装置では、３０槽以上の処理槽が設けられる場合もある。
図１の電解めっき装置１００は、基板１３１の表面に垂直な方向が搬送方向と一致するように（簡単に言えば、基板を縦に吊り下げて）基板１３１を保持している。これに代え、基板１３１の表面に垂直な方向が鉛直方向と一致するように（簡単に言えば、基板を水平に保って）基板１３１を保持する電解めっき装置を用いてもよい。その場合、たとえば円柱状やボウル状の処理槽を用いてもよい。
電解めっき装置１００は、（１）水平搬送機構１１２によるＸ軸方向への基板１３１の移動と、（２）垂直搬送機構１１４によるＺ軸方向への基板１３１の移動と、を組み合わせることで、基板１３１を複数の処理槽１５０の間で搬送している。ある処理槽に収容されている基板１３１および基板ホルダ１３２を搬送して他の処理槽へ収容する場合の、電解めっき装置１００の動作を説明する。
制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、基板の搬送中に部品同士の干渉が起こらない位置にアーム１１５が到達するまでアーム１１５を鉛直上向きまたは下向きに移動する。
次に、制御装置１４１は、水平搬送機構１１２を制御して、搬送すべき基板１３１および基板ホルダ１３２が収容された処理槽の上部にホルダ把持機構１３３を位置させる。
次に、制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、ホルダ把持機構１３３が基板ホルダ１３２を把持可能である位置に到達するまでアーム１１５を鉛直下向きに移動する。
次に、制御装置１４１は、ホルダ把持機構１３３を制御して、ホルダ把持機構１３３によって基板ホルダ１３２を把持する。
次に、制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、基板の搬送中に部品同士の干渉が起こらない位置にアーム１１５が到達するまでアーム１１５を鉛直上向きに移動する。
次に、制御装置１４１は、水平搬送機構１１２を制御して、搬送先である処理槽の上部にホルダ把持機構１３３を移動する。
次に、制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、アーム１１５を鉛直下向きに移動する。アーム１１５の降下により、基板１３１および基板ホルダ１３２が搬送先である処理槽に収容される。
最後に、制御装置１４１は、ホルダ把持機構１３３を制御して、ホルダ把持機構１３３による基板ホルダ１３２の把持を解除する。
近年の基板の大型化およびめっき工程の複雑化に伴って、電解めっき装置１００は大型化する傾向にある。大型のめっき装置における処理槽の大きさは、一例として、高さ１メートル、幅１メートル、奥行き３０センチメートル程度になる場合がある。このような大きさの処理槽を誤差なく製造することおよび誤差なく組み立てることは困難である。製造誤差および組み立て誤差を原因として、各処理槽には、理想の位置または形状からの変位が存在し得る。
本明細書では、処理槽の実際の位置と理想の位置の間の変位、および、処理槽の実際の形状と理想の形状の間の変位を「処理槽の変位」と総称する。処理槽の変位には、製造誤差による変位、組み立て誤差による変位、変形による変位などを含み、変位の生じた原因を問わない。処理槽の変位には、任意の方向を軸とした回転量で表現することができる変位、および、任意の方向への直動量で表現することができる変位を含む。特に、処理槽の変位には、角変位と直線変位とを含む。本明細書における「角変位」とは、Ｚ軸方向を軸とした回転量で表現することができる変位である。本明細書における「直線変位」とは、Ｙ軸方向への直動量で表現することができる変位である。
図２は、本実施形態にかかる電解めっき装置１００の上面図である。図２では、理想の位置または形状からの変位を有する処理槽が図示されている。処理槽の理想の位置または形状１５０ｂ’〜１５０ｆ‘は、図２中において点線で示されている。説明の便宜のため、図２では各処理槽の変位量が強調されている。
図２の例では、第１の処理槽１５０ａは理想の位置に配置され、理想の形状に形成されている。第２の処理槽１５０ｂは、理想の位置１５０ｂ’から傾いて配置されている。すなわち、上面から見たときの第２の処理槽１５０ｂの長辺は、水平ガイド１１１の長手方向と直交していない。第３の処理槽１５０ｃは上面から見て平行四辺形状に形成されており、理想の形状１５０ｃ’のような矩形には形成されていない。第４の処理槽１５０ｄは理想の位置１５０ｄ’より水平ガイド１１１に近い位置に配置されている。第５の処理槽１５０ｅは理想の位置１５０ｅ’より水平ガイド１１１から遠い位置に配置されている。第６の処理槽１５０ｆは理想の位置１５０ｆ’から傾いて配置されており、かつ水平ガイド１１１に近い位置に配置されている。すなわち図２の例では、第２、第３および第６の処理槽が角変位を有し、第４、第５および第６の処理槽が直線変位を有する。
従来の装置が基板を処理槽に収容する場合には、処理槽の変位が考慮されていなかった。そのため、第２〜第６の処理槽１５０ｂ〜１５０ｆのように、処理槽の変位が存在する
場合、めっき装置が処理槽の所定の位置に基板１３１を収容することができない可能性がある。
電解めっき工程においては、基板１３１上の電流密度がめっきの品質に影響する。基板１３１の収容位置が処理槽の所定の位置ではない状態で電解めっきを行うと、電流密度が所望の値から外れ、めっきの品質を悪化させ得る。めっき装置が許容できる処理槽１５０の変位量の一例は、図中のＸＹ平面内において１ミリメートル程度となり得る。よって、従来の電解めっき装置１００の組み立ての際には、各処理槽の変位または変位による影響を低減するため、各処理槽の位置を調整していた。
製造誤差および組み立て誤差のみではなく、処理槽内の液体が処理槽の変位をもたらす場合もある。一例として、高さ１メートル、幅１メートル、奥行き３０センチメートルの大きさの処理槽の中に水が完全に充填された場合、水の質量は１槽あたり約３００キログラム（０．３立方メートル×１０００キログラム／立方メートル）となる。
処理槽内の液体の質量による重さは、各処理槽および／または他の部品（装置の筐体など）を変形させ得る。各処理槽および／または他の部品の変形は、各処理槽の変位をもたらし得る。そのため、液体による処理槽および／または他の部品の変形を考慮したうえで、処理槽の位置を調整することが好ましい。しかし、液体を供給するための配管を接続したのちに処理槽の位置を調整することは困難である場合がある。その場合、処理槽および／または他の部品の実際の変形量を測定しながら、処理槽の位置を調整することもまた困難である。よって、実際の変形量に基づかずに、事前に算出した変形量に基づいて処理槽を位置調整する場合がある。しかし、処理槽および／または他の部品の変形量を高精度に算出することは困難であり、かつ非常に手間とコストを要し得る。
大型の電解めっき装置１００は多くの処理槽を有する場合がある。処理槽数が増えるほど、処理槽の位置調整の手間が増大する。大型の電解めっき装置１００は、輸送のために複数のユニットに分割されている場合がある。分割した複数のユニットは装置の納入先で結合される。ユニットの分割および結合によっても処理槽の変位が生じ得る。処理槽の位置を調整するための人員および設備を納入先に派遣することは困難であり、かつ非常に手間とコストを要し得る。
以上のように、電解めっき装置をはじめとした従来の基板搬送装置においては、処理槽の位置調整により装置の組み立てが長時間化しており、組み立てに多くのコストが必要となっている。
そこで本実施形態にかかる電解めっき装置１００は、それぞれの処理槽の変位を補償するための構成を備える。図３は、本実施形態にかかる電解めっき装置１００の、アーム１１５付近の斜視図である。本実施形態にかかる電解めっき装置１００は、アーム１１５の先端付近に移動機構１２０を備える。移動機構１２０は、ホルダ把持機構１３３を移動するための基板搬送部１１０とは独立した機構である。移動機構１２０は、回転機構１２１および直動機構１２２を含む。
回転機構１２１は、鉛直方向（Ｚ軸方向）を軸としてホルダ把持機構１３３を回転移動する機構である。図４は、本実施形態にかかる電解めっき装置１００の、アーム１１５付近の上面図である。図４では、回転機構１２１によるホルダ把持機構１３３の回転移動が図示されている（図４中の矢印の方向に回転移動する）。図４に図示されているとおり、回転機構１２１は、上面から見て時計回りの回転移動および反時計回りの回転移動の双方が可能である。
直動機構１２２は、アーム１１５の長手方向（Ｙ軸方向）に沿ってホルダ把持機構１３３を直動移動する機構である。図５は、本実施形態にかかる電解めっき装置１００の左側面図である（図１〜図４で示したＹ軸の正方向を、電解めっき装置１００の正面とする）。図５では、直動機構１２２によるホルダ把持機構１３３の直動移動が図示されている（図５中の矢印の方向に直動移動する）。図５に図示されているとおり、直動機構１２２は、水平ガイド１１１から遠ざかる直動移動および水平ガイド１１１に近づく直動移動の双方が可能である。
ホルダ把持機構１３３は基板ホルダ１３２を把持することができ、基板ホルダ１３２は基板１３１を保持することができる。よって、基板１３１が保持され、基板ホルダ１３２が把持されている場合は、回転機構１２１によりホルダ把持機構１３３が回転移動することにより、基板１３１および基板ホルダ１３２も回転移動する。同様に、直動機構１２２によりホルダ把持機構１３３が直動移動することにより、基板１３１および基板ホルダ１３２も直動移動する。
この例では、回転機構１２１は直動機構１２２を介してアーム１１５に設けられている。さらにこの例では、ホルダ把持機構１３３は回転機構１２１を介してアーム１１５に設けられている。ただしこれらの要素の位置関係は例示であり、これらの要素はアーム１１５に対して任意の位置関係にあってよい。電解めっき装置１００は、移動機構１２０として、回転機構１２１または直動機構１２２のどちらかのみを備えてもよい。回転機構１２１はロータリエンコーダ３２１を備えてよい。直動機構１２２はリニアエンコーダ３２２を備えてよい。制御装置１４１がエンコーダを用いてクローズドループ方式で各機構を制御することで、各機構の動作を精密に制御することができる。
図６は、本実施形態にかかる電解めっき装置１００の上面図であり、電解めっき装置１００が処理槽の変位を補償する様子が示されている。図６では、第６の処理槽１５０ｆに基板１３１および基板ホルダ１３２を収容する場合を図示している。電解めっき装置１００は、（１）水平搬送機構１１２によるＸ軸方向への基板１３１の移動と、（２）垂直搬送機構１１４によるＺ軸方向への基板１３１の移動と、（３）回転機構１２１によるＺ軸方向を中心としたホルダ把持機構１３３の回転移動と、（４）直動機構１２２によるＹ軸方向へのホルダ把持機構１３３の直動移動と、を組み合わせることで、基板１３１を複数の処理槽の間で搬送し、かつそれぞれの処理槽の変位を補償している。制御装置１４１は、処理槽に関する変位補償値に基づいて、回転機構１２１および直動機構１２２を制御する。
本明細書における「処理槽の変位の補償」とは、何らかの手段によって、変位を有する処理槽における基板の収容位置を所定の位置に近づけること、すなわち処理槽の変位を打ち消すことをいう。ただし、処理槽の変位を完全に打ち消すことには限らない。本実施形態にかかる電解めっき装置１００は、移動機構１２０を作動することで処理槽の変位を補償する。
本明細書における「処理槽に関する変位補償値」とは、処理槽の変位を補償するためのホルダ把持機構１３３の移動量である。ここで「ホルダ把持機構の移動量」には、任意の方向を中心としたホルダ把持機構１３３の回転量、および、任意の方向へのホルダ把持機構の直動量を含む。第ｎの処理槽に関する変位補償値には、角変位補償値θｎと直線変位補償値Ｙｎを含む。
本明細書における「角変位補償値θｎ」とは、第ｎの処理槽の角変位を補償するための、回転機構１２１によるホルダ把持機構１３３の回転量である。角変位補償値θｎと第ｎの処理槽の角変位は一致していることが好ましい。以下では、処理槽の角変位がゼロのと
きの角変位補償値θｎをゼロとする。
本明細書における「直線変位補償値Ｙｎ」とは、第ｎの処理槽の直線変位を補償するための、直動機構１２２によるホルダ把持機構１３３の直動量である。直線変位補償値Ｙｎと第ｎの処理槽の直線変位は一致していることが好ましい。以下では、処理槽の直線変位がゼロのときの直線変位補償値Ｙｎをゼロとする。
図６の例では、第１の処理槽１５０ａの変位はない。よって、第１の処理槽１５０ａに関する角変位補償値θ１および直線変位補償値Ｙ１はともにゼロである。第１の処理槽１５０ａに基板１３１および基板ホルダ１３２を収容する場合、制御装置１４１は、回転機構１２１および直動機構１２２を制御して、ホルダ把持機構１３３の回転量および直動量をゼロにする。その後、制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、基板１３１および基板ホルダ１３２を第１の処理槽１５０ａに収容する。
第２の処理槽１５０ｂは角変位を有するため、第２の処理槽１５０ｂに関する角変位補償値θ２はゼロでない特定の値となる。第２の処理槽１５０ｂに基板１３１および基板ホルダ１３２を収容する場合、制御装置１４１は、回転機構１２１を制御してホルダ把持機構１３３をθ２だけ回転移動する。この際、直動機構１２２によるホルダ把持機構１３３の直動量はゼロである。その後、制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、基板１３１および基板ホルダ１３２を第２の処理槽１５０ｂに収容する。第３の処理槽１５０ｃに関しても、第２の処理槽１５０ｂと同様である。
第４の処理槽１５０ｄは直線変位を有するため、第４の処理槽１５０ｄに関する直線変位補償値Ｙ４はゼロでない特定の値となる。第４の処理槽１５０ｄに基板１３１および基板ホルダ１３２を収容する場合、制御装置１４１は、直動機構１２２を制御してホルダ把持機構１３３をＹ４だけ直動移動する。この際、回転機構１２１によるホルダ把持機構１３３の回転量はゼロである。その後、制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、第４の処理槽１５０ｄに基板１３１および基板ホルダ１３２を収容する。第５の処理槽１５０ｅに関しても、第４の処理槽１５０ｄと同様である。
第６の処理槽１５０ｆは角変位および直線変位をともに有するため、第６の処理槽１５０ｆに関する角変位補償値θ６および直線変位補償値Ｙ６はゼロでない特定の値となる。第６の処理槽１５０ｆに基板１３１および基板ホルダ１３２を収容する場合、制御装置１４１は、回転機構１２１を制御して、ホルダ把持機構１３３をθ６だけ回転移動する。さらに制御装置１４１は、直動機構１２２を制御して、ホルダ把持機構１３３をＹ６だけ直動移動する。その後、制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４を制御して、第６の処理槽１５０ｆに基板１３１および基板ホルダ１３２を収容する。
上記の制御を行う基板搬送装置もしくは基板搬送装置の制御装置または上記の変位補償方法によれば、処理槽に変位が生じていても、その変位を補償することが可能となる。換言すれば、装置の組み立ての際に処理槽の位置調整が不要となり、装置の組み立ての手間とコストを削減することが可能となる。ただし、装置の組み立ての際に処理槽の位置を調整したうえで上記の制御を行ってもよい。上記の制御は処理槽に配管を据え付けたのちでも可能である。よって、処理槽内の液体による各部品の実際の変形量を考慮して処理槽の変位を補償することも可能となる。
本実施形態の回転機構１２１によるホルダ把持機構１３３の回転移動の中心軸は、ホルダ把持機構１３３の少なくとも一部を通過する。ホルダ把持機構１３３の中心は、ホルダ把持機構１３３の回転移動の中心軸上にあることが好ましい。これにより、回転軸と基板の中心との距離が近くなり、ホルダ把持機構１３３を精度よく制御することができる。ま
た、本実施形態の回転機構１２１は、基板搬送部１１０とは独立して、アーム１１５を回転移動および直動移動することなくホルダ把持機構１３３を回転移動することができる。本実施形態の直動機構１２２は、基板搬送部１１０とは独立して、アーム１１５を回転移動および直動移動することなくホルダ把持機構１３３を直動移動することができる。換言すれば、処理槽の変位の補償は、基板の搬送から独立して実行することができる。これにより、基板を搬送方向および鉛直方向に移動することなく、各処理槽の変位を補償することができる。この記載は例示した構成以外の構成を排斥するものではない。
図７は、処理槽の変位を補償する方法を示すフローチャートである。ここでは、第１の処理槽１５０ａに収容されている基板１３１および基板ホルダ１３２を第２の処理槽１５０ｂへ搬送し、そこからさらに第ｎの処理槽まで繰り返し搬送する場合を例に説明する。説明の簡略化のため、制御の開始時は、ホルダ把持機構１３３が搬送すべき基板１３１および基板ホルダ１３２が収容された処理槽の上部に位置している状態とする。制御の開始に先立ち、処理槽の角変位の補償の要否、処理槽の直線変位の補償の要否、各処理槽での処理時間Ｔｎおよびｎの最大値ｎｍａｘは入力装置１４３によって入力され、記憶装置１４２に記憶されている。各処理槽に関する角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎは事前に測定されて、記憶装置１４２に記憶されているものとする。
ステップ７０１：制御装置１４１は、制御の開始時におけるｎを１と設定する。
ステップ７０２：制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４およびホルダ把持機構１３３を制御して、第ｎの処理槽に収容されている基板ホルダ１３２を把持する。ループの１週目においては、第１の処理槽１５０ａに収容されている基板ホルダ１３２が対象となる。
ステップ７０３：制御装置１４１は、ｎに１を足した数値を新たなｎとする。
ステップ７０４：制御装置１４１は、水平搬送機構１１２および垂直搬送機構１１４を制御して、基板１３１および基板ホルダ１３２を第ｎの処理槽の上部へ搬送する。ループの１週目においては、第２の処理槽１５０ｂが対象となる。
ステップ７０５：制御装置１４１は、記憶装置１４２に記憶された、処理槽の角変位の補償の要否を読み込む。角変位の補償が必要であればステップ７０６へ進み、角変位の補償が不要であればステップ７０８へ進む。
ステップ７０６：制御装置１４１は、記憶装置１４２に記憶された角変位補償値θｎを読み込む。ループの１週目においては、角変位補償値θ２が読み込まれる。
ステップ７０７：制御装置１４１は、角変位補償値θｎに基づいて回転機構１２１を制御し、ホルダ把持機構１３３を回転移動する。
ステップ７０８：制御装置１４１は、記憶装置１４２に記憶された、処理槽の直線変位の補償の要否を読み込む。直線変位の補償が必要であればステップ７０９へ進み、直線変位の補償が不要であればステップ７１１へ進む。
ステップ７０９：制御装置１４１は、記憶装置１４２に記憶された直線変位補償値Ｙｎを読み込む。ループの１週目においては、直線変位補償値Ｙ２が読み込まれる。
ステップ７１０：制御装置１４１は、直線変位補償値Ｙｎに基づいて直動機構１２２を制御し、ホルダ把持機構１３３を直動移動する。
ステップ７１１：制御装置１４１は、垂直搬送機構１１４およびホルダ把持機構１３３を制御し、第ｎの処理槽に基板１３１および基板ホルダ１３２を収容し、ホルダ把持機構１３３による基板ホルダ１３２の把持を解除し、処理時間Ｔｎのあいだ待機する。搬送すべき基板が２枚以上存在する場合、制御装置１４１は、Ｔｎの間に他の基板の搬送を制御してもよい。
ステップ７１２：制御装置１４１は、記憶装置１４２からｎｍａｘを読み込み、現在のｎがｎｍａｘ未満かどうか判定する。現在のｎがｎｍａｘ未満の場合はステップ７０２に戻り、現在のｎがｎｍａｘ未満ではない場合（すなわち、ｎ＝ｎｍａｘとなった場合）は制御を終了する。
以上のフローチャートは一例であり、ステップの変更・追加・削除等が可能である。たとえば上記のフローチャートでは、制御装置１４１は、回転機構１２１および直動機構１２２を別々のステップで制御するものとした。制御装置１４１は、角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎの双方を読み込んだのち、回転機構１２１と直動機構１２２を同時に制御してもよい。制御装置１４１は、水平搬送機構１１２と同時に（たとえばステップ７０３とステップ７０４の間に）回転機構１２１および／または直動機構１２２を制御してもよい。たとえば電解めっき装置１００が回転機構１２１または直動機構１２２のどちらかを有さない場合は、対応するステップを削除してもよい。たとえば回転機構１２１がロータリエンコーダを備える場合または直動機構１２２がリニアエンコーダを備える場合は、クローズドループ制御を実施するためのステップを加えてもよい。たとえばステップ７０６および７０９において、ユーザが手動で角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎを入力してもよい。角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎは、少なくとも一つの処理槽に関して記憶されていればよい。角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎのどちらかのみが記憶されていてもよい。変位補償値が記憶されていない処理槽に関する変位補償値をゼロとみなしてもよい。その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での変更が可能である。
上記の制御を行う基板搬送装置もしくは基板搬送装置の制御装置または上記の制御方法によれば、いったん処理槽に関する角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎを測定し記憶すれば、電解めっき装置１００の運転中に処理槽の変位を自動で補償することができる。
また、上記の制御方法はプログラムによって実施されてよい。当該プログラムは、コンピュータ（たとえば制御装置１４１）可読な非一過性の記録媒体に記録されてよい。非一過性の記録媒体は、たとえば記憶装置１４２であってよい。非一過性の記録媒体は、たとえばＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどであってもよい。
＜第２実施形態＞
前述の実施形態で説明したフローチャートを実行するためには、事前に処理槽に関する変位補償値を測定し記憶する必要がある。ユーザがこれらの補償値を手動で測定してもよいが、処理槽の槽数が増加するにつれ測定の手間も増加する。そこで本実施形態では、処理槽に関する変位補償値を自動で取得する基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、方法、プログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体について説明する。
図８は、本実施形態にかかる電解めっき装置１００の、アーム１１５付近の斜視図である。図８に示す電解めっき装置１００は、これまで説明した構成に加えて衝突検知機構８００を備える。
衝突検知機構８００は、基板ホルダ１３２と処理槽の衝突を検知する任意の機構である。ただし、基板ホルダ１３２が処理槽に収容されない構成である場合（例として、基板ホルダ１３２が基板１３１の上端のみを保持している構成）は、基板１３１を処理槽の衝突を検知してもよい。この場合、基板１３１はダミーの基板であってよい。図８の例における衝突検知機構８００は、回転機構１２１および直動機構１２２の負荷の変化から、基板ホルダ１３２と処理槽の衝突を検知する機構である。衝突検知機構８００として、通電センサ、静電容量センサ、加速度センサ、マイクロスイッチなどの種々の機構を採用することが可能である。
制御装置１４１は、基板ホルダ１３２を所定の処理槽に収容した状態で回転機構１２１を制御し、衝突検知機構８００により基板ホルダ１３２と処理槽の衝突が検知されるまで、ホルダ把持機構１３３を一方向に回転移動する。衝突が検知された場合、制御装置１４
１は、回転機構１２１によるホルダ把持機構１３３の回転移動を停止する。制御装置１４１は、衝突が検知されるまでのホルダ把持機構１３３の回転量を記憶装置１４２に記憶する。制御装置１４１は、記憶された回転量に基づいて、この処理槽に関する角変位補償値θｎを算出する。ホルダ把持機構１３３を他方向に回転移動した場合に基板ホルダ１３２と処理槽が衝突するまでの回転量をさらに用い、それぞれの衝突時の回転量の平均値からθｎを算出してもよい。
以下では、ホルダ把持機構１３３の回転について、装置を上部から見た場合の反時計回りの回転を正の方向、時計回りの回転を負の方向として説明する。たとえば、回転量がゼロの状態から、ホルダ把持機構１３３を＋５度回転移動した場合に衝突が検知されたとする。さらに、回転量をゼロに戻したのち、ホルダ把持機構１３３を−１度回転移動した場合に衝突が検知されたとする。その場合、制御装置１４１はその処理槽に関するθｎを＋２度（｛５＋（−１）｝／２＝２）であると算出し、記憶装置１４２に記憶する。
直線変位補償値Ｙｎに関しても、角変位補償値θｎの測定手法と同様の手法で測定することができる。以下では、ホルダ把持機構１３３の直動について、水平ガイド１１１から遠ざかる方向を正の方向、水平ガイド１１１に近づく方向を負の方向として説明する。たとえば、直動量がゼロの状態から、ホルダ把持機構１３３を＋３．０センチメートル直動移動した場合に衝突が検知されたとする。さらに、直動量をゼロに戻したのち、ホルダ把持機構１３３を−２．０センチメートル直動移動した場合に衝突が検知されたとする。その場合、制御装置１４１はその処理槽に関するＹｎを＋０．５センチメートルであると算出し、記憶装置１４２に記憶する。
図９は、衝突検知機構８００に代えてカメラ９００を備える電解めっき装置１００の、アーム１１５付近の斜視図である。カメラ９００は、基板１３１と処理槽１５０を撮影することができる位置に備えられていることが好ましい。図９の例では、カメラ９００はアーム１１５に備えられている。電解めっき装置１００はカメラ９００を複数備えてもよいし、カメラ９００の撮影方向を変更できる構成を備えてもよい。
制御装置１４１は、カメラ９００により取得された画像を処理することで、基板１３１と所定の処理槽の位置関係を求める。制御装置１４１は、基板１３１と処理槽の位置関係から、その処理槽に関する変位補償値（たとえば角変位補償値θｎまたは直線変位補償値Ｙｎの双方またはどちらか一方）を算出する。カメラ９００に代えて、光学測位計などによって基板１３１と処理槽の位置関係を求めてもよい。
上記の制御を行う基板搬送装置もしくは基板搬送装置の制御装置または上記の方法によれば、処理槽１５０のそれぞれについての変位補償値を自動で取得することができる。
また、上記の方法はプログラムによって実施されてよい。当該プログラムは、コンピュータ（たとえば制御装置１４１）可読な非一過性の記録媒体に記録されてよい。非一過性の記録媒体は、たとえば記憶装置１４２であってよい。非一過性の記録媒体は、たとえばＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどであってもよい。
＜第３実施形態＞
電解めっき装置の基板ホルダの製造および組み立てにおいては、製造誤差および組み立て誤差が生じ得る。製造誤差および組み立て誤差を原因として、基板ホルダ実際の形状と理想の形状の間には変位が存在し得る。基板ホルダの変位が存在する場合、基板搬送装置が処理槽の所定の位置に基板を収容することができない可能性がある。その結果、たとえば装置が電解めっき装置である場合は、電流密度が所望の値から外れ、めっきの品質を悪化させ得る。電解めっき装置が複数の基板ホルダを有する場合は、使用する基板ホルダに
よってめっきの品質が変化し得る。そこで本実施形態では、基板ホルダの変位を補償する基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、変位補償方法、当該方法を実施するプログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体について説明する。
本明細書における「基板ホルダの変位」とは、基板ホルダ１３２の実際の形状と理想の形状の間の変位であって、電解めっき装置１００が処理槽の所定の位置に基板１３１を収容することができない要因となるものを指す。基板ホルダの変位には、製造誤差による変位、組み立て誤差による変位、変形による変位などを含み、変位の生じた原因を問わない。基板ホルダの変位には、任意の方向を軸とした回転量で表現することができる変位、および、任意の方向への直動量で表現することができる変位を含む。特に、基板ホルダ１３２の変位には、角変位と直線変位とを含む。
本明細書における「基板ホルダの変位の補償」とは、何らかの手段によって、基板ホルダ１３２の変位を打ち消すことをいう。ただし、基板ホルダ１３２の変位を完全に打ち消すことに限らない。本実施形態にかかる電解めっき装置１００は、移動機構１２０を作動することで基板ホルダ１３２の変位を補償する。
本明細書における「基板ホルダに関する変位補償値」とは、基板ホルダ１３２の変位を補償するためのホルダ把持機構１３３の移動量である。第ｋの基板ホルダに関する変位補償値には、角変位補償値θ’ｋと直線変位補償値Ｙ’ｋを含む。
本明細書における「角変位補償値θ’ｋ」とは、第ｋの基板ホルダの角変位を補償するための、回転機構１２１によるホルダ把持機構１３３の回転量である。角変位補償値θ’ｋと第ｋの基板ホルダの角変位は一致していることが好ましい。以下では、基板ホルダの角変位がゼロのときの角変位補償値θ’ｋをゼロとする。
本明細書における「直線変位補償値Ｙ’ｋ」とは、第ｋの基板ホルダの直線変位を補償するための、直動機構１２２によるホルダ把持機構１３３の直動量である。直線変位補償値Ｙ’ｋと第ｋの基板ホルダの直線変位は一致していることが好ましい。以下では、基板ホルダの直線変位がゼロのときの直線変位補償値Ｙ’ｋをゼロとする。
図１０は、本実施形態にかかる電解めっき装置１００の、アーム１１５付近の斜視図である。基板ホルダ１３２は、ひとつまたは複数備えられている。基板ホルダ１３２は、図示しないストッカに保管されていてもよく、複数の処理槽１５０のいずれかに収容されていてもよい。図１０では、基板ホルダ１３２のほか、基板１３１’を保持している基板ホルダ１３２’および基板を保持していない基板ホルダ１３２’’が示されている。基板ホルダ１３２にはＩＤタグ１００１が取り付けられている。ＩＤタグ１００１として、一次元バーコード、二次元バーコード、ＲＦＩＤタグなどを採用可能である。ＩＤタグ１００１には、基板ホルダ１３２を特定するためのＩＤ番号が格納されている。基板ホルダ１３２が複数存在する場合、複数の基板ホルダ１３２のすべてにＩＤタグが備えられていることが好ましい。ただし、複数の基板ホルダ１３２の少なくとも一つにＩＤタグが備えられていれば、以下に説明する制御を実施することができる。複数の基板ホルダ１３２は、それぞれ別の処理槽に収容されているか、図示しないホルダストッカに保管されていてよい。
電解めっき装置１００は、ＩＤタグ１００１の情報を読み取るためのＩＤ読取装置１００２を備える。ＩＤタグ１００１の情報を読み取ることが可能である限り、ＩＤ読取装置１００２は任意の位置に配置することができる。本実施形態のＩＤ読取装置１００２はホルダ把持機構１３３に備えられている。
図１１は、基板ホルダ１３２の変位を補償する方法を示すフローチャートである。ここでは、図７に示したフローチャートのステップ７１０と７１１の間に図１１のフローチャートが実施されるものとして説明する。制御の開始に先立ち、基板ホルダ１３２の角変位の補償の要否および基板ホルダ１３２の直線変位の補償の要否は入力装置１４３を介して入力され、記憶装置１４２に記憶されている。各基板ホルダに関する角変位補償値θ’ｋおよび直線変位補償値Ｙ’ｋは、事前に測定されて記憶装置１４２に記憶されているものとする。
ステップ１１０１：制御装置１４１は、ＩＤタグ１００１を読み取るようＩＤ読取装置１００２を制御し、ホルダ把持機構１３３が現在把持している基板ホルダ１３２のＩＤ番号を特定する。
ステップ１１０２：制御装置１４１は、記憶装置１４２に記憶された基板ホルダ１３２の角変位の補償の要否を読み込む。角変位の補償が必要であればステップ１１０３へ進み、角変位の補償が不要であればステップ１１０５へ進む。
ステップ１１０３：制御装置１４１は、ＩＤ番号を特定した基板ホルダ１３２に関する角変位補償値θ’ｋを記憶装置１４２から読み込む。
ステップ１１０４：制御装置１４１は、角変位補償値θ’ｋに基づいて回転機構１２１を制御し、ホルダ把持機構１３３を回転移動する。
ステップ１１０５：制御装置１４１は、記憶装置１４２に記憶された基板ホルダ１３２の直線変位の補償の要否を読み込む。直線変位の補償が必要であればステップ１１０６へ進み、直線変位の補償が不要であれば処理を終了する（ステップ７１１に進む）。
ステップ１１０６：制御装置１４１は、ＩＤ番号を特定した基板ホルダ１３２に関する直線変位補償値Ｙ’ｋを記憶装置１４２から読み込む。
ステップ１１０７：制御装置１４１は、直線変位補償値Ｙ’ｋに基づいて直動機構１２２を制御し、ホルダ把持機構１３３を直動移動する。その後に制御装置１４１は、処理を終了する（ステップ７１１に進む）。
以上のフローチャートは一例であり、ステップの変更・追加・削除等が可能である。たとえば上記のフローチャートは、ステップ７０３と７０４の間で実施されてもよい。上記のフローチャートは、ステップ７１１において基板ホルダ１３２の把持を解除する前に実施されてもよい。θ’ｋおよびＹ’ｋはＩＤタグ１００１に記録されていてもよい。たとえば電解めっき装置１００が回転機構１２１または直動機構１２２を有さない場合は、対応するステップを削除してもよい。ユーザの目視によりＩＤタグ１００１を読み取ることで、基板ホルダ１３２のＩＤ番号を特定してもよい。上記のフローチャートでは、ステップ７０６でθｎに基づいてホルダ把持機構１３３を回転移動したのち、ステップ１１０３でθ’ｋに基づいてホルダ把持機構１３３を回転移動する（処理中に回転機構１２１が２回動作する）例を示した。これに代え、たとえばθｎとθ’ｋを加減算した値に基づいて基板を回転移動する（処理中に回転機構１２１が１回のみ動作する）手法を採用することもできる。ステップ１１０３およびステップ１１０６において、ユーザが手動で角変位補償値θ’ｋおよび直線変位補償値Ｙ’ｋを入力してもよい。角変位補償値θ’ｋおよび直線変位補償値Ｙ’ｋは、少なくとも一つの基板ホルダに関して記憶されていればよい。角変位補償値θ’ｋおよび直線変位補償値Ｙ’ｋのどちらかのみが記憶されていてもよい。ステップ１１０１において、基板ホルダ１３２のＩＤタグ１００１を読み込むことができなかった場合（基板ホルダ１３２にＩＤタグ１００１が付されていなかった場合など）、制御装置１４１は、その基板ホルダ１３２のＩＤ番号を「ＩＤ番号なし」として特定してもよい。「ＩＤ番号なし」であるか、または変位補償値が記憶されていない基板ホルダ１３２に関する変位補償値はゼロとみなして制御してもよい。
基板搬送装置は、処理槽の変位および基板ホルダの変位のいずれかのみを補償してもよいし、その双方を補償してもよい。処理槽の変位と基板ホルダの変位の双方を補償する場
合は、どちらか一方のみを補償する場合よりも高い精度で、処理槽の所定の位置に基板を収容することができるであろう。
角変位補償値θ’ｋおよび直線変位補償値Ｙ’ｋはホルダごとに手動で測定してもよく、第２実施形態で説明した方法を基板ホルダ１３２に対して適用することなどにより自動で取得してもよい。
上記の制御を行う基板搬送装置もしくは基板搬送装置の制御装置または上記の変位補償方法によれば、基板ホルダの変位を補償することができ、基板を処理槽の理想の位置（に近い位置）に収容することができる。その結果、たとえば装置が電解めっき装置である場合は、使用する基板ホルダによるめっきの品質のばらつきを抑制することが可能となる。
また、上記の変位補償方法はプログラムによって実施されてよい。当該プログラムは、コンピュータ（たとえば制御装置１４１）可読な非一過性の記録媒体に記録されてよい。非一過性の記録媒体は、たとえば記憶装置１４２であってよい。非一過性の記録媒体は、たとえばＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどであってもよい。
＜第４実施形態＞
本実施形態では、これまでの実施形態に加え、移動機構としてさらに第１の基板傾斜機構および／または第２の基板傾斜機構を備える基板搬送装置を説明する。
図１２は、本実施形態にかかるアーム１１５付近の斜視図である。本実施形態にかかる電解めっき装置１００は、移動機構１２０としてさらに第１の傾斜機構１２０１および第２の傾斜機構１２０２を備えている。第１の傾斜機構１２０１および第２の傾斜機構１２０２は、回転機構１２１とホルダ把持機構１３３の間に設けられている。第１の傾斜機構１２０１は、水平ガイド１１１の長手方向（Ｘ軸方向）を軸としてホルダ把持機構１３３を傾斜移動する機構である。第２の傾斜機構１２０２は、アーム１１５の長手方向（Ｙ軸方向）を軸としてホルダ把持機構１３３を傾斜移動する機構である。電解めっき装置１００は、第１の傾斜機構１２０１および第２の傾斜機構１２０２のいずれかのみを備えてもよい。本実施形態にかかる制御装置１４１は、第１の傾斜機構１２０１および／または第２の傾斜機構１２０２を、回転機構１２１および直動機構１２２と同様の手法で制御する。電解めっき装置１００は、さらに衝突検知機構８００および／またはカメラ９００を備えてもよい。
上記の制御を行う基板搬送装置もしくは基板搬送装置の制御装置または上記の変位補償方法によれば、処理槽がＸ軸またはＹ軸を中心に傾いている場合であっても処理槽の変位を補償することができる。また上記の基板搬送装置、制御装置または変位補償方法によれば、基板ホルダがＸ軸またはＹ軸を中心に傾いて基板を保持している場合であっても、基板ホルダの変位を補償することができる。
本実施形態の第１の傾斜機構１２０１および第２の傾斜機構１２０２は、複数の処理槽１５０の上部に位置する。これにより、各処理槽および基板ホルダの変位を精度よく補償することができる。また、本実施形態の第１の傾斜機構１２０１および第２の傾斜機構１２０２は、基板搬送部１１０とは独立してホルダ把持機構１３３を傾斜移動することができる。これにより、基板を搬送方向および鉛直方向に移動することなく、各処理槽および基板ホルダの変位を補償することができる。ただし上記の記載は、例示した構成以外の構成を排斥するものではない。
また、上記の変位補償方法はプログラムによって実施されてよい。当該プログラムは、コンピュータ（たとえば制御装置１４１）可読な非一過性の記録媒体に記録されてよい。
非一過性の記録媒体は、たとえば記憶装置１４２であってよい。非一過性の記録媒体は、たとえばＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどであってもよい。
＜第５実施形態＞
第１実施形態では、各処理槽に関する角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎが事前に測定されて、記憶装置１４２に記憶されているものとして説明した。第５実施形態では、これらの補償値を事前に測定する必要がない基板搬送装置、基板搬送装置の制御装置、方法、プログラムおよび当該プログラムが記録された記録媒体について説明する。本実施形態の電解めっき装置１００は、第２実施形態で述べた衝突検知機構８００、カメラ９００または光学測位計などを備え、基板の搬送の際に、変位補償値を自動で取得する。
図１３は、本実施形態における処理槽の変位を補償する方法を示すフローチャートである。ここでは、電解めっき装置１００が光学測位計を備える場合について説明する。制御条件は、各処理槽に関する角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎが事前に測定されていない点を除き、図７のフローチャートで示した場合と同等である。
ステップ１３０１〜ステップ１３０４：これらのステップは、ステップ７０１〜ステップ７０４と同等である。
ステップ１３０５：制御装置１４１は、光学測位計による測位を実施し、基板１３１と第ｎの処理槽の位置関係を求める。
ステップ１３０６：このステップは、ステップ７０５と同等である。
ステップ１３０７：制御装置１４１は、ステップ１３０５で求めた基板１３１と第ｎの処理槽の位置関係から、角変位補償値θｎを算出する。
ステップ１３０８〜ステップ１３０９：これらのステップは、ステップ７０７〜７０８と同等である。
ステップ１３１０：制御装置１４１は、ステップ１３０５で求めた基板１３１と第ｎの処理槽の位置関係から、直線変位補償値Ｙｎを算出する。
ステップ１３１１〜ステップ１３１３：これらのステップは、ステップ７１０〜７１２と同等である。
以上のフローチャートは一例であり、ステップの変更・追加・削除等が可能である。制御装置１４１は、ステップ１３０５で測位を行った直後に変位補償値を算出してもよい。制御装置１４１は、算出した変位補償値を記憶装置１４２に記憶し、次回以降の搬送において記憶された変位補償値を用いてもよい。制御装置１４１は、搬送のたびに変位補償値を算出してもよい。この場合、変位補償値の経時変化に対応できるという効果がある。電解めっき装置１００が光学測位計ではなく衝突検知機構８００またはカメラ９００を備える場合は、それらを用いて変位補償値を算出してよい。処理槽に関する変位補償値ではなく、ホルダに関する変位補償値について図１３のフローチャートを適用してもよい。
また、上記の制御方法はプログラムによって実施されてよい。当該プログラムは、コンピュータ（たとえば制御装置１４１）可読な非一過性の記録媒体に記録されてよい。非一過性の記録媒体は、たとえば記憶装置１４２であってよい。非一過性の記録媒体は、たとえばＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどであってもよい。
以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、複数の水平ガイドを備える装置（たとえば２本の水平ガイドを対向するように備え、それぞれのガイドによって２レーンで基板を搬送可能な装置）にも適用することが可能である。本発明は、１本の水平ガイドに複数の水平搬送機構を備える装置にも適用することが可能である。
以上のように、本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
本願は、一実施形態として、基板を保持するための基板ホルダと、基板ホルダを把持するホルダ把持機構と、基板ホルダを搬送する基板搬送部と、鉛直方向を軸としてホルダ把持機構を回転移動する回転機構と、基板搬送部による基板ホルダの搬送方向および鉛直方向によって規定される面に垂直な方向にホルダ把持機構を直動移動する直動機構と、を備える基板搬送装置を開示する。
この基板搬送装置は、回転機構および直動機構を備えることで、ホルダ把持機構を回転移動および直動移動することができ、処理槽の変位および／または基板ホルダの変位を補償することができるという効果を一例として奏する。この装置は、処理槽の変位を補償することで、装置の組み立ての手間とコストを削減することができるという効果を一例として奏する。この装置は、基板ホルダの変位を補償することで、基板を処理槽の理想の位置（に近い位置）に収容することができるという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、基板搬送装置の制御装置であって、基板搬送装置は、基板を保持するための一つまたは複数の基板ホルダと、一つまたは複数の基板ホルダのうちの一つを把持するホルダ把持機構と、基板を処理するための一つまたは複数の処理槽と、ホルダ把持機構を移動するための移動機構と、を備え、制御装置は、所定の基板ホルダに関する変位補償値に基づいて、所定の基板ホルダの変位を補償するよう移動機構を制御する、基板搬送装置の制御装置を開示する。
さらに本願は、一実施形態として、基板搬送装置の制御装置であって、基板搬送装置は、一つまたは複数の基板ホルダの少なくとも一つに関する変位補償値を記憶する記憶装置と、ＩＤ読取装置と、を備え、一つまたは複数の基板ホルダの少なくとも一つは、ＩＤタグを備え、制御装置は、ＩＤ読取装置により所定の基板ホルダのＩＤタグの情報を読み取ることで、所定の基板ホルダのＩＤ番号を特定し、ＩＤ番号に基づいて、所定の基板ホルダに関する変位補償値を記憶装置から読み込む、基板搬送装置の制御装置を開示する。
これらの制御装置は、所定の構成を備える基板搬送装置において、処理槽の変位を補償する制御または基板ホルダの変位を補償する制御を可能にするという効果を一例として奏する。
さらに本願は、一実施形態として、処理槽に基板を収容するための基板搬送装置における変位補償方法であって、ホルダ把持機構を移動するための移動機構を作動して、所定の処理槽の変位を補償するステップを含む、変位補償方法、当該方法を実施する基板搬送装置のためのプログラムおよび当該プログラムが記録された非一過性の記録媒体を開示する。
さらに本願は、一実施形態として、変位補償方法であって、所定の処理槽の変位を補償するステップは、所定の処理槽に関する変位補償値に基づいて移動機構を制御するステップを含む、変位補償方法を開示する。
これらの方法、プログラムおよび記録媒体は、変位補償値に基づき処理槽の変位を補償することで、装置の組み立ての手間とコストを削減することができるという効果を一例と
して奏する。
さらに本願は、一実施形態として、処理槽に基板を収容するための基板搬送装置における変位補償方法であって、基板搬送装置は、基板を保持するための一つまたは複数の基板ホルダと、一つまたは複数の基板ホルダのうちの一つを把持するホルダ把持機構と、を備え、変位補償方法は、ホルダ把持機構を移動するための移動機構を作動して、所定の基板ホルダの変位を補償するステップを含む、変位補償方法、当該方法を実施する基板搬送装置のためのプログラムおよび当該プログラムが記録された非一過性の記録媒体を開示する。
これらの方法、プログラムおよび記録媒体は、基板ホルダの変位を補償することができるという効果を一例として奏する。これらの方法、プログラムおよび記録媒体は、基板ホルダの変位を補償することで、基板を処理槽の理想の位置（に近い位置）に収容することができるという効果を一例として奏する。
１００…電解めっき装置
１１０…基板搬送部
１１１…水平ガイド
１１２…水平搬送機構
１１３…垂直ガイド
１１４…垂直搬送機構
１１５…アーム
１２０…移動機構
１２１…回転機構
１２２…直動機構
１３１、１３１’…基板
１３２、１３２’、１３２’’…基板ホルダ
１３３…ホルダ把持機構
１４０…制御ユニット
１４１…制御装置
１４２…記憶装置
１４３…入力装置
１５０…複数の処理槽
１５０ａ〜ｆ…第１〜第６の処理槽
３２１…ロータリエンコーダ
３２２…リニアエンコーダ
８００…衝突検知機構
９００…カメラ
１００１…ＩＤタグ
１００２…ＩＤ読取装置
１２０１…第１の傾斜機構
１２０２…第２の傾斜機構

Claims (16)

  1. 基板を保持するための基板ホルダと、
    前記基板ホルダを把持するホルダ把持機構と、
    前記基板ホルダを搬送する基板搬送部と、
    鉛直方向を軸として前記ホルダ把持機構を回転移動する回転機構と、
    前記基板搬送部による前記基板ホルダの搬送方向および鉛直方向によって規定される面に垂直な方向に前記ホルダ把持機構を直動移動する直動機構と、
    を備える基板搬送装置。
  2. 請求項１に記載の基板搬送装置であって、
    前記基板搬送装置はさらに、
    前記基板を処理するための一つまたは複数の処理槽と、
    制御装置と、
    前記一つまたは複数の処理槽の少なくとも一つに関する角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎを記憶する記憶装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記記憶装置に記憶された所定の処理槽に関する角変位補償値θｎおよび直線変位補償値Ｙｎに基づいて、前記所定の処理槽の変位を補償するよう、前記回転機構および前記直動機構を制御する、
    基板搬送装置。
  3. 請求項１に記載の基板搬送装置であって、前記回転機構による前記ホルダ把持機構の回転移動の中心軸は、前記ホルダ把持機構の少なくとも一部を通過する、基板搬送装置。
  4. 請求項１に記載の基板搬送装置であって、
    前記基板搬送装置はさらに、
    一つまたは複数の基板ホルダと、
    制御装置と、
    前記一つまたは複数の基板ホルダの少なくとも一つに関する角変位補償値θ’ｋおよび直線変位補償値Ｙ’ｋを記憶する記憶装置と、を備え、
    前記制御装置は、前記記憶装置に記憶された所定の基板ホルダに関する角変位補償値θ’ｋおよび直線変位補償値Ｙ’ｋに基づいて、前記所定の基板ホルダの変位を補償するよう前記回転機構および前記直動機構を制御する、
    基板搬送装置。
  5. 請求項１に記載の基板搬送装置であって、
    前記基板搬送装置はさらに、前記基板ホルダの搬送方向を軸として前記ホルダ把持機構を傾斜移動する第１の傾斜機構を備える、基板搬送装置。
  6. 請求項１に記載の基板搬送装置であって、
    前記基板搬送装置はさらに、前記基板ホルダの搬送方向および鉛直方向によって規定される面に垂直な方向を軸として前記ホルダ把持機構を傾斜移動する第２の傾斜機構を備える、基板搬送装置。
  7. 基板搬送装置の制御装置であって、
    前記基板搬送装置は、
    基板を保持するための基板ホルダと、
    前記基板ホルダを把持するホルダ把持機構と、
    前記基板を処理するための一つまたは複数の処理槽と、
    前記ホルダ把持機構を移動するための移動機構と、を備え、
    前記制御装置は、所定の処理槽に関する変位補償値に基づいて、前記所定の処理槽の変位を補償するよう前記移動機構を制御する、
    基板搬送装置の制御装置。
  8. 基板搬送装置の制御装置であって、
    前記基板搬送装置は、
    基板を保持するための一つまたは複数の基板ホルダと、
    前記一つまたは複数の基板ホルダのうちの一つを把持するホルダ把持機構と、
    前記基板を処理するための一つまたは複数の処理槽と、
    前記ホルダ把持機構を移動するための移動機構と、を備え、
    前記制御装置は、前記所定の基板ホルダに関する変位補償値に基づいて、前記所定の基板ホルダの変位を補償するよう前記移動機構を制御する、
    基板搬送装置の制御装置。
  9. 処理槽に基板を収容するための基板搬送装置に、所定の処理槽の変位を補償するステップを実施させる、基板搬送装置のためのプログラムであって、
    前記所定の処理槽の変位を補償するステップは、ホルダ把持機構を移動するための移動機構を作動することで行われる、
    基板搬送装置のためのプログラム。
  10. 請求項９に記載の基板搬送装置のためのプログラムであって、
    前記所定の処理槽の変位を補償するステップは、前記所定の処理槽に関する変位補償値に基づいて前記移動機構を制御するステップを含む、基板搬送装置のためのプログラム。
  11. 請求項９又は１０に記載のプログラムが記録された、非一過性の記録媒体。
  12. 処理槽に基板を収容するための基板搬送装置における変位補償方法を実施する、基板搬送装置のためのプログラムであって、
    前記基板搬送装置は、
    基板を保持するための一つまたは複数の基板ホルダと、
    前記一つまたは複数の基板ホルダのうちの一つを把持するホルダ把持機構と、を備え、
    前記変位補償方法は、ホルダ把持機構を移動するための移動機構を作動して、所定の基板ホルダの変位を補償するステップを含む、
    基板搬送装置のためのプログラム。
  13. 請求項１２に記載の基板搬送装置のためのプログラムであって、
    前記一つまたは複数の基板ホルダの少なくとも一つは、ＩＤタグを備え、
    前記変位補償方法は、
    前記所定の基板ホルダの前記ＩＤタグの情報を読み取ることで、前記所定の基板ホルダのＩＤ番号を特定するステップと、
    前記ＩＤ番号に基づいて、前記所定の基板ホルダに関する変位補償値を読み込むステップと、を含み、
    前記所定の基板ホルダの変位を補償するステップは、前記所定の基板ホルダに関する変位補償値に基づいて、前記移動機構を制御するステップを含む、
    基板搬送装置のためのプログラム。
  14. 請求項１２又は１３に記載のプログラムが記録された、非一過性の記録媒体。
  15. 処理槽に基板を収容するための基板搬送装置における変位補償方法であって、
    ホルダ把持機構を移動するための移動機構を作動して、所定の処理槽の変位を補償するステップを含む、変位補償方法。
  16. 処理槽に基板を収容するための基板搬送装置における変位補償方法であって、
    前記基板搬送装置は、
    基板を保持するための一つまたは複数の基板ホルダと、
    前記一つまたは複数の基板ホルダのうちの一つを把持するホルダ把持機構と、を備え、
    前記変位補償方法は、ホルダ把持機構を移動するための移動機構を作動して、所定の基板ホルダの変位を補償するステップを含む、
    変位補償方法。
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KR1020180026810A KR102416180B1 (ko) 2017-03-28 2018-03-07 기판 반송 장치, 기판 반송 장치의 제어 장치, 기판 반송 장치에 있어서의 변위 보상 방법, 당해 방법을 실시하는 프로그램 및 당해 프로그램이 기록된 기록 매체
US15/933,280 US10557211B2 (en) 2017-03-28 2018-03-22 Substrate transporting apparatus, control apparatus for substrate transporting apparatus, displacement compensation method for substrate transporting apparatus, program for implementing method and recording medium that records program

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7539935B2 (ja) 2019-06-26 2024-08-26 アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー ウント コ カーゲー 処理ステーションに物体を移動させるためのデバイスおよび方法、ならびに運搬システムおよび処理装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110534472B (zh) * 2019-09-06 2021-05-25 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆传输机械手及其晶圆翻转方法
US10774439B2 (en) * 2018-11-14 2020-09-15 The Boeing Company Methods of monitoring a plating bath
CN111233313B (zh) * 2018-11-29 2022-11-01 塔工程有限公司 基板切割装置
CN110965112B (zh) * 2019-12-19 2022-02-11 漳州市福美鑫新材料科技有限公司 一种用于自动电镀设备的电镀时间调节装置
JP7421340B2 (ja) * 2020-01-06 2024-01-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置、および基板処理方法
CN112259493A (zh) * 2020-10-19 2021-01-22 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺
EP4290564A1 (de) * 2022-06-07 2023-12-13 Siltronic AG Greifer zum transportieren einer stehend angeordneten halbleiterscheibe und verfahren zum reinigen der halbleiterscheibe
CN115592689A (zh) * 2022-12-16 2023-01-13 西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）（Cn） 一种应用于矩形排列的物料自动拾取装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10194450A (ja) * 1997-01-06 1998-07-28 Nikon Corp 基板搬送方法及び基板搬送装置
JP2007165821A (ja) * 2005-11-15 2007-06-28 Nsk Ltd 搬送装置及び露光装置
US20120305193A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Arthur Keigler Parallel single substrate processing agitation module
TWI653701B (zh) * 2014-06-09 2019-03-11 日商荏原製作所股份有限公司 Substrate attaching and detaching portion for substrate holder, wet substrate processing device including the substrate attaching and detaching portion, substrate processing device, and substrate transfer method
JP6346509B2 (ja) 2014-07-07 2018-06-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板搬送方法
JP6304084B2 (ja) * 2015-03-16 2018-04-04 株式会社ダイフク 物品搬送設備及び検査用治具

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7539935B2 (ja) 2019-06-26 2024-08-26 アトテック ドイチェランド ゲーエムベーハー ウント コ カーゲー 処理ステーションに物体を移動させるためのデバイスおよび方法、ならびに運搬システムおよび処理装置

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