JP2018160626A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018160626A5
JP2018160626A5 JP2017058156A JP2017058156A JP2018160626A5 JP 2018160626 A5 JP2018160626 A5 JP 2018160626A5 JP 2017058156 A JP2017058156 A JP 2017058156A JP 2017058156 A JP2017058156 A JP 2017058156A JP 2018160626 A5 JP2018160626 A5 JP 2018160626A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
terminal
anode
breakdown voltage
cathode connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017058156A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6685962B2 (ja
JP2018160626A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2017058156A priority Critical patent/JP6685962B2/ja
Priority claimed from JP2017058156A external-priority patent/JP6685962B2/ja
Priority to US15/688,529 priority patent/US10032762B1/en
Publication of JP2018160626A publication Critical patent/JP2018160626A/ja
Publication of JP2018160626A5 publication Critical patent/JP2018160626A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6685962B2 publication Critical patent/JP6685962B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

実施形態に係る半導体装置は、カソードが第１端子に接続された第１ダイオードと、カソードが第２端子に接続された第２ダイオードと、カソードが前記第１端子に接続され、アノードが前記第２ダイオードのアノードに接続され、降伏電圧が前記第１ダイオードの降伏電圧よりも低い第３ダイオードと、カソードが前記第２端子に接続され、アノードが前記第１ダイオードのアノードに接続され、降伏電圧が前記第２ダイオードの降伏電圧よりも低い第４ダイオードと、を備える。

Claims (1)

  1. カソードが第１端子に接続された第１ダイオードと、
    カソードが第２端子に接続された第２ダイオードと、
    カソードが前記第１端子に接続され、アノードが前記第２ダイオードのアノードに接続され、降伏電圧が前記第１ダイオードの降伏電圧よりも低い第３ダイオードと、
    カソードが前記第２端子に接続され、アノードが前記第１ダイオードのアノードに接続され、降伏電圧が前記第２ダイオードの降伏電圧よりも低い第４ダイオードと、
    を備えた半導体装置。
JP2017058156A 2017-03-23 2017-03-23 半導体装置 Expired - Fee Related JP6685962B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017058156A JP6685962B2 (ja) 2017-03-23 2017-03-23 半導体装置
US15/688,529 US10032762B1 (en) 2017-03-23 2017-08-28 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017058156A JP6685962B2 (ja) 2017-03-23 2017-03-23 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018160626A JP2018160626A (ja) 2018-10-11
JP2018160626A5 true JP2018160626A5 (ja) 2019-01-17
JP6685962B2 JP6685962B2 (ja) 2020-04-22

Family

ID=62874451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017058156A Expired - Fee Related JP6685962B2 (ja) 2017-03-23 2017-03-23 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10032762B1 (ja)
JP (1) JP6685962B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3544056A1 (fr) * 2018-03-21 2019-09-25 STMicroelectronics S.r.l. Circuit de protection esd et son procédé de fabrication
US11784220B2 (en) 2020-12-25 2023-10-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2677821B1 (fr) * 1991-06-11 1993-10-08 Sgs Thomson Microelectronics Sa Composant de protection bidirectionnel.
JPH10294475A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Toshiba Corp 半導体装置とその製造方法
JP4597284B2 (ja) * 1999-04-12 2010-12-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7989923B2 (en) * 2008-12-23 2011-08-02 Amazing Microelectronic Corp. Bi-directional transient voltage suppression device and forming method thereof
JP2012146717A (ja) 2011-01-07 2012-08-02 Toshiba Corp Ｅｓｄ保護回路
JP2012182381A (ja) 2011-03-02 2012-09-20 Panasonic Corp 半導体装置
JP2014067986A (ja) 2012-09-10 2014-04-17 Toshiba Corp 半導体装置
JP6048218B2 (ja) * 2013-02-28 2016-12-21 株式会社村田製作所 Ｅｓｄ保護デバイス
JP2015012184A (ja) 2013-06-28 2015-01-19 株式会社東芝 半導体素子
JP2015126149A (ja) 2013-12-27 2015-07-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 低容量半導体装置およびその製造方法
JP2015179776A (ja) 2014-03-19 2015-10-08 株式会社東芝 半導体装置
JP2016046383A (ja) 2014-08-22 2016-04-04 株式会社東芝 半導体装置
JP6266485B2 (ja) * 2014-09-26 2018-01-24 株式会社東芝 半導体装置
JP2016171233A (ja) * 2015-03-13 2016-09-23 株式会社東芝 半導体装置
CN104851919B (zh) * 2015-04-10 2017-12-19 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 双向穿通半导体器件及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013137830A5 (ja)
EP2782134A3 (en) Semiconductor device
JP2014512765A5 (ja)
JP2014199406A5 (ja)
EP3007347A3 (en) Rectifying devices and rectifier arrangements
JP2014131022A5 (ja)
PE20151262A1 (es) Botella con cuerpo aislante
JP2015188079A5 (ja)
EP2849230A3 (en) Semiconductor device
JP2015177135A5 (ja)
EP2811518A3 (en) Semiconductor device
EP2988339A3 (en) Light emitting device
JP2016058594A5 (ja)
JP2016027626A5 (ja) 半導体装置
JP2015079947A5 (ja) 半導体装置
WO2015123250A3 (en) Stacked metal oxide semiconductor (mos) and metal oxide metal (mom) capacitor architecture
SG10201803188TA (en) Semiconductor packages
JP2017041878A5 (ja) 撮像装置及び電子機器
SG11202000144YA (en) Semiconductor device
EP2999000A3 (en) Semiconductor device
JP2016082238A5 (ja) 半導体装置
EP2752880A3 (en) Graphene electronic devices and methods of manufacturing the same
JP2015079955A5 (ja) 発光装置
JP2017146968A5 (ja) 半導体装置、電子機器、半導体ウェハ
JP2018160626A5 (ja)