JP2018157141A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波特性を劣化させることなく、絶縁強度を向上させる絶縁強度を向上させる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、基板10上に設けられた半導体層13と、半導体層13上に設けられたドレイン電極30及びソース電極40と、半導体層13上に設けられ、半導体層13に向かって側面と半導体層との角度が徐々に小さくなるゲート電極20と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置1は、基板10上に設けられた半導体層13と、半導体層13上に設けられたドレイン電極30及びソース電極40と、半導体層13上に設けられ、半導体層13に向かって側面と半導体層との角度が徐々に小さくなるゲート電極20と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
通信装置等に用いられる半導体装置(HEMT等)として、窒化ガリウム系半導体装置がある。窒化ガリウム系半導体装置は、半導体層と、半導体層上に設けられたゲート電極を含む各種電極及び絶縁体層と、を有している。窒化ガリウム系半導体装置は、Si系半導体装置やGaAs系半導体装置に比べて絶縁強度が高い。そのため、半導体装置の動作電圧を上げて出力電力密度を高くすることができる。
半導体装置の動作電圧を上げた場合、半導体層と接合するゲート電極の底面と側面の境界に形成されるエッジ付近の電界強度が高くなり、ゲート電極と半導体層の間で絶縁破壊が起こることがある。そこで、ゲート電極のエッジを面取りし、ゲート電極の側面と底面の間に新たな傾斜面を設ける。これにより、ゲート電極の底面と傾斜面によって形成されるエッジの角度が90度より大きくなり、エッジ付近の電界強度が低下する。その結果、ゲート電極と半導体層の間に生じる絶縁破壊が抑制され、半導体装置を長寿命化することができる。
電極の底面と傾斜面によって形成されるエッジ近傍への電界集中を抑制するためには、傾斜面と半導体層のなす角度をある程度小さくする必要がある。その一方で、傾斜面を設けると、ゲート電極の実効的なゲート長が長くなり、半導体装置の高周波特性が劣化する。
本発明は、上述の事情の下になされたものであり、半導体装置の高周波特性を劣化させることなく、絶縁強度を向上させることを課題とする。
本実施形態に係る半導体装置は、基板上に設けられた半導体層と、半導体層上に設けられたドレイン電極、及びソース電極と、半導体層上に設けられ、半導体層に向かって側面と半導体層との角度が徐々に小さくなるゲート電極と、を備える。
(本実施形態)
以下、本実施形態に係る半導体装置の一例について図面を参照して詳細に説明する。
以下、本実施形態に係る半導体装置の一例について図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係る半導体装置1の断面図である。本実施形態に係る半導体装置1は、基板10と、化合物半導体層13と、ゲート電極20と、ドレイン電極30と、ソース電極40と、表面保護層50と、を備える。
基板10は、例えば半絶縁性のSiC基板である。化合物半導体層13は、基板10の上面に形成され、GaN層11と、AlGaN層12とを有する。
GaN層11は、例えば有機金属化学気相蒸着法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)により、トリメチルガリウムガス、及びアンモニアガスの混合ガスを用いて基板10の上面に形成された電子走行層である。
AlGaN層12は、例えば有機金属化学気相蒸着法により、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムガス、トリメチルガリウムガス、及びアンモニアガスの混合ガスを用いてGaN層11の上面に形成された電子供給層である。
GaN層11とAlGaN層12とはそれぞれのバンドギャップが異なる。バンドギャップの異なる半導体層が接合すると、電子供給層となる電子親和力の小さな半導体層の電子が、電子走行層となる電子親和力の大きな半導体層に集まる。その結果、電子走行層側の接合面(ヘテロ界面)の近傍に電子が蓄積され、2次元電子ガスを形成する。
2次元電子ガスは、半導体中で、電子が平面状に分布している状態を示す。平面状に分布した電子は、垂直方向への移動が困難であるため、電子の移動する方向が水平方向に限られる。そのため、2次元電子ガスの電子は、高い移動度を示す。
GaN層11は、AlGaN層12の電子親和力よりも大きな電子親和力を有する。そのため、GaN層11が電子走行層側となる。
図1に示されるように、ゲート電極20、ドレイン電極30、及びソース電極40は、AlGaN層12の上面に設けられている。
ゲート電極20は、AlGaN層12上の中央部に設けられている。ゲート電極20は、AlGaN層12とショットキー接触(接合)している。ショットキー接触では、電子がゲート電極20からAlGaN層12へと流れるときと、電子がAlGaN層12からゲート電極20へと流れるときの抵抗が異なる。ゲート電極20の形状や、形成方法については後述する。
ドレイン電極30は、AlGaN層12の上面の外端部の一方に設けられている。ドレイン電極30は、AlGaN層12に、例えば、チタンとアルミニウムを蒸着して形成する。
ドレイン電極30は、AlGaN層12とオーミック接触している。オーミック接触では、電子がドレイン電極30からAlGaN層12へと流れるときと、電子がAlGaN層12からドレイン電極30へと流れるときの抵抗が同じである。
ソース電極40は、ゲート電極20をソース電極40とドレイン電極30とで挟むようにAlGaN層12の上面の外端部に設けられている。ソース電極40は、AlGaN層12に、例えば、チタンとアルミニウムを蒸着して形成する。ソース電極40は、AlGaN層12とオーミック接触している。
ゲート電極20とドレイン電極30、及びゲート電極20とソース電極40は、相互に離間して配置されている。
半導体装置1の動作時において、電子は、ソース電極40からAlGaN層下に形成された2次元電子ガス層をとおってドレイン電極30へと移動する。
ソース電極40とゲート電極20との間、及びゲート電極20とドレイン電極30との間から露出するAlGaN層12の上面には、絶縁体層としてSiN層である表面保護層50が形成されている。表面保護層50は、ダングリングボンドを終端し、さらに水分等からAlGaN層12の表面を保護する。
図2は、ゲート電極20の側面の近傍を示す図である。図2に示されるように、表面保護層50は、エッチングレートの異なる第1の絶縁体層51と、第2の絶縁体層52と、第3の絶縁体層53とを有する。
第1の絶縁体層51は、AlGaN層12の上面に形成される、所定のエッチングレートを有するSiN層である。
第2の絶縁体層52は、第1の絶縁体層51の上面に形成される、第1の絶縁体層51よりも大きなエッチングレートを有するSiN層である。
第3の絶縁体層53は、第2の絶縁体層52の上面に形成される、第2の絶縁体層52よりも大きなエッチングレートを有するSiN層である。
ゲート電極20は、ゲート電極20の上半分に形成された傘部21と、ゲート電極20の上半分に形成された脚部22とを有する。傘部21は、断面が略台形となる形状を有する。
脚部22は、第1の傾斜部22aと、第2の傾斜部22bと、第3の傾斜部22cとを有する。
第1の傾斜部22aは、脚部22の下端部に形成され、AlGaN層12と接合する。
第1の傾斜部22aの両側面は、それぞれAlGaN層12に対して傾斜した傾斜面である。第1の傾斜部22aは、脚部22の下端に向かうほど細くなるテーパ状に形成されている。第1の傾斜部22aの傾斜面がAlGaN層12の上面に平行な面となす角度θ1は、90度よりも小さい。
第2の傾斜部22bは、第1の傾斜部22aの上に形成され、第2の傾斜部22bの下端は、第1の傾斜部22aの上端と連続している。
第2の傾斜部22bの両側面は、それぞれAlGaN層12に対して傾斜した傾斜面である。第2の傾斜部22bは、脚部22の下端に向かうほど細くなるテーパ状に形成されている。第2の傾斜部22bの傾斜面がAlGaN層12の上面に平行な面となす角度θ2は、第1の傾斜部22aの角度θ1よりも大きい。
第3の傾斜部22cは、第2の傾斜部22bの上に形成され、第3の傾斜部22cの下端は、第2の傾斜部22bの上端と連続している。
第3の傾斜部22cの両側面は、それぞれAlGaN層12に対して傾斜した傾斜面である。第3の傾斜部22cは、脚部22の下端に向かうほど細くなるテーパ状に形成されている。第3の傾斜部22cの傾斜面がAlGaN層12の上面に平行な面となす角度θ3は、第2の傾斜部22bの角度θ2よりも大きい。
脚部22は、下端に向かうほど段階的にテーパ角度が大きくなるテーパ形状に形成される。テーパ角度とは、円錐の軸線を含む断面の向かい合う2つの母線の間の角度である。本実施例においては、テーパ角度は、脚部22の断面の両側面の間の角度である。テーパ角度は、脚部22の側面がAlGaN層12となす角度が小さくなるほど、大きくなる。
一般に、脚部22の底面と側面により形成されるエッジを面取りし、脚部22の底面と側面の間に傾斜面を設けることで、脚部22の底面と側面の境界付近への電界集中を緩和させることができる。
本実施形態に係る半導体装置1では、AlGaN層12と接合する第1の傾斜部22aの角度θ1が90度より小さいため、脚部22の底面と側面の境界付近への電界集中を緩和させることができる。
このため、本実施形態に係る半導体装置1は、絶縁強度を向上させることができる。
ゲート電極20に電圧を印加すると、ゲート電極20とAlGaN層12の接合面の下方の2次元電子ガスの電子濃度が変化する。
半導体装置1のゲート長は、ゲート電極20とAlGaN層12の接合面の幅である。半導体装置1は、ゲート長が長くなると、電子の移動距離が長くなり、高周波特性が劣化する。
しかしながら、脚部22の傾斜面がAlGaN層12となす角度が小さい場合、AlGaN層12と脚部22の傾斜面の間の距離が短くなる。そのため、ゲート電極20に電圧を印加すると、AlGaN層12と脚部22の接合面近傍の面の下方でも、2次元電子ガスの電子濃度が変化する。すなわち、ゲート電極20とAlGaN層12の接合面の幅よりも、実効的なゲート長は長くなる。
本実施形態に係る半導体装置1では、第2の傾斜部22bの角度θ2及び第3の傾斜部22cの角度θ3が、第1の傾斜部22aの角度θ1よりも大きい。そのため、脚部22の両側端に向かうほど、脚部22の傾斜面とAlGaN層12との間の距離が長くなる。
その結果、AlGaN層12と脚部22の接合面近傍の面の下方の2次元電子ガスの電子濃度の変化が抑制される。このため、半導体装置1では、実効的なゲート長の増加が抑制される。
したがって、本実施形態に係る半導体装置1では、高周波特性の劣化が抑制される。
したがって、本実施形態に係る半導体装置1では、高周波特性の劣化が抑制される。
本実施形態に係る半導体装置1のゲート電極20の製造方法について以下に説明する。
図3乃至8はAlGaN層12の上面に表面保護層50を形成する工程を示す図である。図3に示されるように、AlGaN層12の上面には、ドレイン電極30とソース電極40が設けられている。表面保護層50は、ドレイン電極30とソース電極40の間から露出するAlGaN層12の上面に形成される。
表面保護層50の形成には、プラズマCVD(Plasma−enhanced Chemical Vapor Deposition)法を用いる。シランガス(SiH4)とアンモニアガス(NH3)を原料ガスとした、SiイオンやNイオンのAlGaN層12の上面への蒸着により、SiN層である表面保護層50を形成する。
SiイオンやNイオンのAlGaN層12の上面への蒸着は、3回に分けて行う。蒸着に用いられるシランガスとアンモニアガスの流量比は、毎回異なる。SiN層のエッチングレートはシランガスとアンモニアガスの流量比により異なるため、表面保護層50は、エッチングレートの異なる3つのSiN層を有する。
図4に示されるように、最初の蒸着により、ドレイン電極30とソース電極40の間から露出するAlGaN層12の上面にSiN層である第1の絶縁体層51が形成され、AlGaN層12の上面を被覆する。
第1の絶縁体層51を形成する際には、第1の絶縁体層51の屈折率が1.8未満になるように、アンモニアの流量を調整する。一般に、屈折率の大きなSiN層は、大きなエッチングレートを有する。
図5に示されるように、2回目の蒸着により、第1の絶縁体層51の上面に、SiN層である第2の絶縁体層52が形成される。第2の絶縁体層52を形成する際には、第2の絶縁体層52の屈折率が1.8以上2.0未満になるように、アンモニアの流量を調整する。
図6に示されるように、3回目の蒸着により、第2の絶縁体層52の上面に、SiN層である第3の絶縁体層53が形成される。第3の絶縁体層53を形成する際には、第3の絶縁体層53の屈折率が2.0以上になるように、アンモニアの流量を調整する。
表面保護層50を形成した後、表面保護層50に開口部50aを形成する。図7乃至9は、表面保護層50に開口部50aを形成する工程を示す図である。図9に示されるように、開口部50aの側面は、第1の側面51aと、第2の側面52aと、第3の側面53aとで構成される。
図7に示されるように、開口54aを有するレジスト層54を形成する。
図8に示されるように、上面にレジスト層54を形成した表面保護層50をフッ酸によりウェットエッチングする。
表面保護層50の上層に形成された第3の絶縁体層53は、レジスト層54に形成された開口54aから露出している。表面保護層50をフッ酸によりウェットエッチングする工程において、第3の絶縁体層53は、最初にエッチングされ、開口が形成される。
第3の絶縁体層53は、開口54aから露出する面から下方に向かってエッチングされるとともに、サイドエッチングされる。そのため、第3の絶縁体層53に形成される開口は、第3の絶縁体層53の上面に近いほど開口径が大きなテーパ形状となる。
その結果、第3の絶縁体層53には、AlGaN層12の上面に平行な面に対して傾斜した第3の側面53aを有する開口が形成される。第3の側面53aとAlGaN層12の上面に平行な面のなす角度は、角度θ3である。
次に、エッチングにより第3の絶縁体層53に形成された開口から、第2の絶縁体層52が露出する。露出した第2の絶縁体層52もまたエッチングされる。そして、エッチングにより第3の絶縁体層53の開口が大きくなるとともに、第2の絶縁体層52の露出する面は大きくなり、さらにエッチングされる。
その結果、第2の絶縁体層52には、AlGaN層12の上面に平行な面に対して傾斜した第2の側面52aを有する開口が形成される。第2の側面52aとAlGaN層12の上面に平行な面のなす角度は、角度θ2である
第2の絶縁体層52に形成される開口の上端の開口径は、第3の絶縁体層53に形成された開口の下端の開口径と同一となる。そのため、第2の絶縁体層52に形成される開口の上端の開口径の大きくなる速度は、第3の絶縁体層53に形成された開口の下端の開口径の大きくなる速度と同一である。
一方、第2の絶縁体層52のエッチングレートは第3の絶縁体層53のエッチングレートよりも小さいため、第2の絶縁体層52のAlGaN層12に向かってエッチングされる速度は、第3の絶縁体層53のAlGaN層12に向かってエッチングされる速度よりも遅い。そのため、第2の側面52aの角度θ2は、第3の側面53aの角度θ3よりも小さい。
最後に、エッチングにより第2の絶縁体層52に形成された開口から、第1の絶縁体層51が露出する。露出した第1の絶縁体層51もまたエッチングされる。そして、エッチングにより第2の絶縁体層52の開口が大きくなるとともに、第1の絶縁体層51の露出する面は大きくなり、さらにエッチングされる。
その結果、第1の絶縁体層51には、AlGaN層12の上面に平行な面に対して傾斜した第1の側面51aを有する開口が形成される。第1の側面51aがAlGaN層12の上面に平行な面となす角度は、角度θ1である
第1の絶縁体層51に形成される開口の上端の開口径は、第2の絶縁体層52に形成された開口の下端の開口径と同一となる。そのため、第1の絶縁体層51に形成される開口の上端の開口径の大きくなる速度は、第2の絶縁体層52に形成された開口の下端の開口径の大きくなる速度と同一である。
一方、第1の絶縁体層51のエッチングレートは第2の絶縁体層52のエッチングレートよりも小さいため、第1の絶縁体層51のAlGaN層12に向かってエッチングされる速度は、第2の絶縁体層52のAlGaN層12に向かってエッチングされる速度よりも遅い。そのため、第1の側面51aの角度θ1は、第2の側面52aの角度θ2よりも小さい。
以上のように、第3の側面53aの角度θ3は、第2の側面52aの角度θ2よりも大きくなる。そして、第2の側面52aの角度θ2は、第1の側面51aの角度θ1よりも大きくなる。
開口部50aの側面は、第1の側面51a、第2の側面52a、及び第3の側面53aの順番で、下から順に形成される。そのため、開口部50aは、表面保護層50の下面に向かうほど段階的にテーパ角度が大きくなるテーパ形状の開口となる。
図9に示されるように、表面保護層50に開口部50aを形成した後、レジスト層54を除去する。図10に示されるように、レジスト層54を除去した後、開口部50aに、例えば、ニッケルと金を蒸着し、ゲート電極20を形成する。脚部22の側面は、開口部50aの側面に沿って形成される。
図2に戻って示されるように、第1の傾斜部22aの側面は、第1の側面51aに沿って形成される。そのため、第1の傾斜部22aの側面がAlGaN層12の上面に平行な面となす角度は、第1の側面51aの角度θ1と同一となる。
第1の傾斜部22aと同様に、第2の傾斜部22bの側面は、第2の側面52aに沿って形成される。そのため、第2の傾斜部22bの側面がAlGaN層12の上面に平行な面となす角度は、第2の側面52aの角度θ2と同一となる。
さらに、第3の傾斜部22cの側面もまた、第3の側面53aに沿って形成される。そのため、第3の傾斜部22cの側面がAlGaN層12の上面に平行な面となす角度は、第3の側面53aの角度θ3と同一となる。
その結果、脚部22は、下端に向かうほど段階的にテーパ角度が大きくなるテーパ形状に形成される。
このように、第1の傾斜部22aの角度θ1は、第1の絶縁体層51のエッチングレートによって決まる。同様に、第2の傾斜部22bの角度θ2は、第2の絶縁体層52のエッチングレートによって決まり、第3の傾斜部22cの角度θ3もまた、第3の絶縁体層53のエッチングレートによって決まる。
したがって、第1の絶縁体層51、第2の絶縁体層52、及び第3の絶縁体層53のエッチングレートを選択することで、脚部22の形状を決定することができる。
以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置1では、エッチングレートの異なる複数のSiN層を重ねることで、エッチングにより表面保護層50に形成される開口部50aの形状を任意に制御しすることができる。そして、開口部50aの形状を制御することで、脚部22の形状を任意に制御することができる。
脚部22を下端に向かうほど段階的にテーパ角度が大きくなる側面を有するように形成することで、半導体装置1の高周波特性を劣化させることなく、絶縁強度を向上させることができる。高周波特性を劣化させることなく絶縁強度を向上させた本実施形態に係る半導体装置は、絶縁破壊の起こりやすい高温動作時においても高い信頼性を有する。
(変形例)
次に、本実施形態の変形例に係る半導体装置2について説明する。半導体装置2は、半導体装置1と比べて、表面保護層の形成方法やゲート電極の形状が異なる。
次に、本実施形態の変形例に係る半導体装置2について説明する。半導体装置2は、半導体装置1と比べて、表面保護層の形成方法やゲート電極の形状が異なる。
図11は、半導体装置1の変形例を示す図である。図11に示されるように、半導体装置2は、AlGaN層12と、ゲート電極60と、ドレイン電極30と、ソース電極40と、表面保護層70と、を備える。
表面保護層70の形成には、プラズマCVD法を用いる。シランガスとアンモニアガスを原料ガスとした、SiイオンやNイオンのAlGaN層12の上面への蒸着により、SiN層である表面保護層70を形成する。
SiイオンやNイオンをAlGaN層12の上面に蒸着するとき、徐々にシランガスとアンモニアガスの流量比を変える。SiN層のエッチングレートは、シランガスとアンモニアガスの流量比により異なる。
シランガスとアンモニアガスの流量比を、表面保護層70のエッチングレートがAlGaN層12に向かって徐々に小さくなるように調整する。そのため、表面保護層70は、AlGaN層12に向かってエッチングレートが徐々に小さくなる。表面保護層70は、1度の蒸着で形成される。
表面保護層70の上面に、開口を有するレジスト層を形成し、表面保護層70をフッ酸によりウェットエッチングする。図11に示されるように、表面保護層70に設けられた開口の側面は半球状である。
レジスト層を除去した後、表面保護層70に設けられた開口に、例えばニッケルと金を蒸着し、ゲート電極60を形成する。ゲート電極60は、ゲート電極60の上半分に形成された傘部61と、ゲート電極20の上半分に形成された脚部62とを有する。
脚部62の側面は、表面保護層70に設けられた開口の側面に沿って形成される。その結果、脚部62は、半球状に形成される。
表面保護層70は、1度の蒸着により形成することができる。また、脚部62を半球状に形成することで、半導体装置2の高周波特性を劣化させることなく、絶縁強度を向上させることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。
本実施形態では、上記実施形態に係る半導体装置は、窒化ガリウム系半導体装置である。これに限らず、例えば、Si系半導体装置やGaAs系半導体装置であってもよい。
本実施形態では、表面保護層50はSiN層であって、第1の絶縁体層51、第2の絶縁体層52、第3の絶縁体層53の屈折率は、それぞれ1.8未満、1.8以上2.0未満、2.0以上である。これに限らず、表面保護層は、絶縁体層であって、第1の絶縁体層のエッチングレートよりも第2の絶縁体層のエッチングレートが大きく、第2の絶縁体層のエッチングレートよりも第3の絶縁体層のエッチングレートが大きければよい。
本実施形態では、脚部22が、第1の傾斜部22aと、第2の傾斜部22bと、第3の傾斜部22cの3つの傾斜部とで形成されている。これに限らず、脚部22は、4つ以上の傾斜部で形成されていてもよい。
本実施形態では、SiN層のエッチングレートを大きくするために、アンモニアガスの流量を調整させる。これに限らず、SiN層のエッチングレートを大きくするために、シランガスの流量を調整してもよい。また、SiN層のエッチングレートを大きくするために、プラズマCVD法を用いる際のプラズマの電力を調整してもよい。
本実施形態では、脚部22の両側面が傾斜している。これに限らず、電界はゲート電極20のドレイン電極30側に集中するため、第1の傾斜部22a、第2の傾斜部22b、及び第3の傾斜部22cは、ドレイン電極30側にのみ勾配を有する形状であってもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。本実施形態およびその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1,2 半導体装置
10 基板
11 GaN層
12 AlGaN層
13 化合物半導体層
20,60 ゲート電極
21,61 傘部
22,62 脚部
22a 第1の傾斜部
22b 第2の傾斜部
22c 第3の傾斜部
30 ドレイン電極
40 ソース電極
50,70 表面保護層
50a 開口部
51 第1の絶縁体層
51a 第1の側面
52 第2の絶縁体層
52a 第2の側面
53 第3の絶縁体層
53a 第3の側面
54 レジスト層
54a 開口
10 基板
11 GaN層
12 AlGaN層
13 化合物半導体層
20,60 ゲート電極
21,61 傘部
22,62 脚部
22a 第1の傾斜部
22b 第2の傾斜部
22c 第3の傾斜部
30 ドレイン電極
40 ソース電極
50,70 表面保護層
50a 開口部
51 第1の絶縁体層
51a 第1の側面
52 第2の絶縁体層
52a 第2の側面
53 第3の絶縁体層
53a 第3の側面
54 レジスト層
54a 開口
Claims (5)
- 基板上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたドレイン電極、及びソース電極と、
前記半導体層上に設けられ、前記半導体層に向かって側面と前記半導体層との角度が徐々に小さくなるゲート電極と、
を備える半導体装置。 - 前記ソース電極と前記ゲート電極との間、及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間から露出する前記半導体層上に、エッチングレートが異なる複数の絶縁体層が、エッチングレートが小さい順に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の絶縁体層は、少なくとも3層の絶縁体層であり、
前記半導体層に向かって側面と前記半導体層との角度が徐々に小さくなる開口部を有し、
前記ゲート電極が、前記開口部に設けられている請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ソース電極と前記ゲート電極との間、及び前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間から露出する前記半導体層上に設けられた絶縁体層が、
前記半導体層に向かってエッチングレートが徐々に小さくなるように形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
半導体層上に、エッチングレートが異なる少なくとも3つの絶縁体層を、エッチングレートが小さい順に、前記半導体層に蒸着する工程と、
前記絶縁体層に、前記半導体層に向かって側面と前記半導体層との角度が徐々に小さくなる開口部を形成する工程と、
前記開口部にゲート電極を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
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