JP2018157045A - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一実施の形態に係る発光装置(100)は、発光素子(10)と、前記発光素子(10)の上に設けられ、波長変換部材(21)と被膜(27)とを有する透光性部材(20)と、前記発光素子(10)の側面を被覆し、前記透光性部材(20)の上面を露出させて前記透光性部材(20)の側面を包囲する光反射性部材(30)と、を備え、前記被膜(27)は、前記透光性部材(20)の側面の最表面に設けられ、前記被膜(27)の主材は、前記波長変換部材(21)の主材より表面自由エネルギーが小さい。
【選択図】図1B
Description
図1Aは、実施の形態1に係る発光装置100の概略上面図である。図1Bは、図1Aに示す発光装置100のA−A断面における概略断面図である。
図2A,2Bは、実施の形態1に係る発光装置100の製造方法における第1工程を示す概略断面図である。図2C,2D,2Eは其々、実施の形態1に係る発光装置100の製造方法における第2工程、第3工程、第4工程を示す概略断面図である。
図3Aは、実施の形態2に係る発光装置200の概略上面図である。図3Bは、図3Aに示す発光装置200のB−B断面における概略断面図である。この発光装置200は、被膜27、及び配線基板40、接合部材50、保護素子70を備えておらず、電極80を備えている点、並びに波長変換部材23の形態において実施の形態1の発光装置100と異なり、これら以外については実施の形態1の発光装置100と実質的に同様であるので適宜説明を省略する。
発光素子は、半導体発光素子が好ましいが、有機EL素子でもよい。半導体発光素子としては、例えばLED(発光ダイオード)チップが挙げられる。半導体発光素子は、少なくとも発光素子構造を構成する半導体積層体を有し、さらに基板を有していてもよい。発光素子の上面視形状は、矩形状、特に正方形状若しくは一方向に長い長方形状であることが好ましい。発光素子若しくはその基板の側面は、上面に対して、垂直であってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。発光素子は、同一面側に正負(p,n)電極を有することが好ましい。発光素子がフリップチップ(フェイスダウン)実装タイプの場合、主発光面は電極形成面とは反対側の面である。1つの発光装置に搭載される発光素子の個数は1つでも複数でもよい。複数の発光素子は、直列又は並列に接続することができる。
基板は、半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板が簡便で好ましいが、結晶成長用基板から分離した半導体積層体に別途接合させる接合用基板であってもよい。基板が透光性を有することにより、フリップチップ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。基板としては、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガリウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、無機ガラスのうちの1つを用いることができる。なかでも、サファイアは、透光性に優れ、窒化物半導体の結晶成長用基板として比較的安価に入手しやすい点で好ましい。また、窒化ガリウムは、窒化物半導体の結晶成長用基板として好適であり、熱伝導性が比較的高い点で好ましい。基板の厚さは、適宜選択できるが、光の取り出し効率、機械的強度などの観点において、50μm以上500μm以下であることが好ましく、80μm以上300μm以下であることがより好ましい。
半導体積層体は、少なくともn型半導体層とp型半導体層を含み、活性層をその間に介することが好ましい。半導体材料としては、蛍光物質を励起しやすい短波長光を効率良く発光可能な窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式InxAlyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。このほか、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用いることもできる。発光素子の発光ピーク波長は、発光効率、並びに蛍光物質の励起及びその発光との混色関係などの観点において、青色域にあることが好ましく、450nm以上475nm以下の範囲がより好ましい。半導体積層体の厚さは、適宜選択できるが、発光効率、結晶性などの観点において、1μm以上10μm以下であることが好ましく、3μm以上10μm以下であることがより好ましい。
透光性部材は、光反射性部材と共に発光素子を外気及び外力などから保護しながら、発光素子の光を装置外部に透過させる機能を有する。透光性部材は、少なくとも波長変換部材を含む。透光性部材が被膜を含む場合、被膜は、波長変換部材との間に別の部材を介していてもよいが、波長変換部材と接していることが好ましい。
波長変換部材は、透光性の主材を有し、さらにその主材中に蛍光物質を含有する。波長変換部材の上面視形状は、発光素子より大きい、発光素子の上面視形状と数学的相似の形状であることが、光度分布、色度分布などの点で好ましい。波長変換部材の上面及び/若しくは下面は、平面であれば生産性が良く、凹凸を有する面若しくは湾曲面であれば光の取り出し効率を高めることができる。波長変換部材は、その厚さ方向に、単層で構成されてもよいし、複数の層の積層体で構成されてもよい。波長変換部材が積層体で構成される場合、各層に異なる種類の主材を用いてもよいし、各層に異なる種類の蛍光物質を含有させてもよい。また、最外層が蛍光物質を含有しない層であることにより、外気などによる蛍光物質の劣化を抑制することができる。波長変換部材の厚さは、適宜選択できるが、光の取り出し効率、蛍光物質の含有量などの観点において、50μm以上500μm以下であることが好ましく、80μm以上300μm以下であることがより好ましい。波長変換部材の主材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、及びこれらの変性樹脂、並びに無機ガラスのうちの少なくとも1つを用いることができる。なかでも、波長変換部材は、シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂を主材とする層を含むことが好ましい。シリコーン樹脂及びその変性樹脂は、樹脂材料の中でも特に耐熱性及び耐光性に優れており、無機ガラスに比べて成形しやすい反面、熱膨張率が比較的大きいため、本実施の形態の構成が効果を奏しやすい。シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れる点で好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。なかでも、耐光性の高いジメチルシリコーン樹脂が好ましい。一方、フェニル基を含むことにより、耐熱性及びガスバリア性を強化できる。シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂中のケイ素原子に結合した全有機基のうちフェニル基の含有率は、10mol%以上70mol%以下であることが好ましく、20mol%以上60mol%以下であることがより好ましい。なお、本明細書における「変性樹脂」は、ハイブリッド樹脂を含むものとする。また、波長変換部材は、無機ガラスを主材とする層を含むことが好ましい。無機ガラスは、シリコーン樹脂よりも更に耐熱性及び耐光性に優れる反面、表面自由エネルギーが比較的大きいため、被膜による濡れ性の低減効果が大きく、本実施の形態の構成が効果を奏しやすい。
蛍光物質は、発光素子から出射される光(一次光)の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異なる波長の光(二次光)を発する。この波長変換機能によって、例えば白色光など、可視波長の一次光と二次光の混色光を発する発光装置とすることができる。なお、白色発光の発光装置の場合、発光色度範囲は、ANSI C78.377規格に準拠することが好ましい。波長変換部材中の蛍光物質の含有量は、所望する発光色度に応じて適宜選択できるが、例えば、40重量部以上250重量部以下であることが好ましく、70重量部以上150重量部以下であることがより好ましい。なお、「重量部」とは、主材の重量100gに対して配合される当該粒子の重量(g)を表すものである。緑色発光する蛍光物質の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点において、520nm以上560nm以下の範囲が好ましい。具体的には、緑色発光する蛍光物質としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばY3(Al,Ga)5O12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばLu3(Al,Ga)5O12:Ce)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(例えばTb3(Al,Ga)5O12:Ce)系蛍光体、シリケート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)2SiO4:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(例えばCa8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi6−zAlzOzN8−z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa2S4:Eu)などが挙げられる。黄色発光する蛍光物質としては、αサイアロン系蛍光体(例えばMz(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはLi、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほか、上記緑色発光する蛍光物質の中には黄色発光する蛍光物質もある。また例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換することにより、発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、これらの中には、橙色発光が可能な蛍光物質もある。赤色発光する蛍光物質の発光ピーク波長は、発光効率、他の光源の光との混色関係などの観点において、620nm以上670nm以下の範囲が好ましい。具体的には、赤色発光する蛍光物質としては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)、BSESN系蛍光体(例えば(Ba,Sr,Ca)2Si5N8:Eu)などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物系蛍光体(一般式(I)A2[M1−aMnaF6]で表される蛍光体である(但し、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(例えばK2SiF6:Mn)がある。蛍光物質は、以上の具体例のうちの1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、蛍光物質は、緑色光乃至黄色発光する蛍光体と、赤色発光する蛍光体と、により構成されてもよい。このような構成により、色再現性又は演色性に優れる発光が可能となる。しかし、その反面、蛍光物質の使用量が多くなり、それに伴って発熱が増大するため、本実施の形態の発光装置の構成が効果を奏しやすくなる。また、特に、赤色発光する蛍光体は、マンガン賦活フッ化物系蛍光体であることが好ましい。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、赤色域においてスペクトル半値幅の狭い発光が可能であるが、発光効率が比較的低いので使用量が多くなりやすく、それに伴って発熱が増大しやすいため、本実施の形態の発光装置の構成が更に効果を奏しやすくなる。
被膜は、少なくとも以下のような表面自由エネルギーが比較的小さい主材を含み、更に結着剤(バインダ)などを含んでいてもよい。被膜の主材の表面自由エネルギーは、30mN/m以下であることが好ましく、20mN/m以下であることがより好ましく、10mN/m以下であることがよりいっそう好ましい。被膜の主材の表面自由エネルギーの下限値は、例えば7mN/mである。また、純水の接触角で言えば、90°以上であることが好ましく、100°以上であることがより好ましく、110°以上であることがよりいっそう好ましい。被膜の主材としては、濡れ性低減の観点において、シリコーン系材料が好ましく、フッ素系材料がより好ましい。シリコーン系材料としては、ジメチルシリコーン、メチルハイドロジェンシリコーン、若しくはこれらの変性樹脂が挙げられる。フッ素系材料としては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重体(PFA)などが挙げられる。
光反射性部材は、光取り出し効率の観点において、白色であることが好ましい。よって、光反射性部材は、主材中に白色顔料を含有してなることが好ましい。光反射性部材の主材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、及びこれらの変性樹脂、並びに無機ガラスのうちの少なくとも1つを用いることができる。なかでも、シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れる点で好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。なかでも、耐光性の高いジメチルシリコーン樹脂が好ましい。一方、フェニル基を含むことにより、耐熱性及びガスバリア性を強化できる。シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂中のケイ素原子に結合した全有機基のうちフェニル基の含有率は、10mol%以上70mol%以下であることが好ましく、20mol%以上60mol%以下であることがより好ましい。白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、酸化チタンが光反射性に優れ比較的安価に入手しやすい点で好ましい。光反射性部材中の白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び主材が液状である時の粘度などの観点において、20重量部以上300重量部以下であることが好ましく、30重量部以上200重量部以下であることがより好ましい。
配線基板は、少なくとも、配線と、その配線を保持する基体と、により構成される。このほか、配線基板は、ソルダーレジスト又はカバーレイなどの絶縁保護膜を含んでいてもよい。配線は、基体の少なくとも上面に形成され、基体の内部及び/若しくは側面及び/若しくは下面にも形成されていてもよい。また、配線は、発光素子が実装される素子接続端子部、外部回路と接続される外部接続端子部、及びこれら端子部間を接続するリード配線部などを有することが好ましい。配線は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、配線の表層には、接合部材の濡れ性及び/若しくは光反射性などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設けられていてもよい。基体は、リジッド基板であれば、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、無機ガラス、金属、紙などを用いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。金属としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、若しくはこれらの合金などが挙げられる。基体は、可撓性基板であれば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどを用いて構成することができる。
接合部材は、導電性を有し、発光素子を配線基板に接合することができる。具体的には、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか1つを用いることができる。
導光部材は、透光性を有し、発光素子の光を透光性部材に導光するほか、発光素子と透光性部材を接着させることができる。導光部材の外面すなわち光反射性部材との界面は、光の取り出し効率の観点において、発光素子の側面及び透光性部材の下面に対して傾斜又は湾曲していることが好ましい。導光部材の主材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、及びこれらの変性樹脂、並びに無機ガラスのうちの少なくとも1つを用いることができる。なかでも、シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れる点で好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。なかでも、耐光性の高いジメチルシリコーン樹脂が好ましい。なお、導光部材は、熱伝導率、熱膨張率などの調整のため、主材中に各種のフィラーを含有してもよい。
保護素子は、静電気及び/若しくは高電圧サージから発光素子を保護することができ、発光装置の信頼性を高めることができる。具体的には、ツェナーダイオードなどを用いることができる。
電極は、発光素子の正負電極そのものでもよいし、発光素子の正負電極に接続して別途設けられてもよい。別途設けられる電極としては、バンプ、ピラー、リード電極(個片化されたリードフレーム)などが挙げられる。電極は、金属又は合金の小片で構成することができる。具体的には、金、銀、銅、鉄、錫、白金、亜鉛、ロジウム、チタン、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、タングステン、クロム、モリブデン及びこれらの合金のうちの少なくとも1つを用いることができる。なかでも、銅は、熱伝導性に優れ、比較的安価であるため、銅又は銅合金が特に好ましい。また、金は、また化学的に安定であり表面酸化が少なく接合しやすい性質を有するため、金又は金合金も好ましい。電極は、半田接合性の観点において、表面に金又は銀の被膜を有してもよい。
実施例1の発光装置は、図1A,1Bに示す例の発光装置100の構造を有する、幅1.45mm、奥行き1.8mm、厚さ0.79mmの直方体状の上面発光・表面実装型LED装置である。配線基板40は、幅1.45mm、奥行き1.8mm、厚さ0.4mmであって、窒化アルミニウムの基体と、チタン−タングステン/銅/ニッケル/金の上面配線及び下面配線とを有している。この上面配線と下面配線は、タングステンで満たされた貫通ビアによって接続されている。発光素子10は、配線基板40の上面配線に、厚さ0.01mmの金バンプの接合部材50を介して、フリップチップ実装されている。発光素子10は、発光ピーク波長452nmで青色発光可能な、幅1mm、奥行き1mm、厚さ0.14mmの上面視正方形状のLEDチップである。発光素子10は、サファイアの基板11と、その基板11の下面側に形成された窒化物半導体の半導体積層体15とを有している。透光性部材20は、発光素子10の上面側に導光部材60を介して接続している。透光性部材20は、波長変換部材21と被膜27により構成されている。波長変換部材21は、幅1.15mm、奥行き1.15mmの上面視正方形状の小片であって、ホウ珪酸ガラスを主材とする透明な厚さ0.14mmの上層と、ジメチルシリコーン樹脂を主材とし蛍光物質25としてYAG系蛍光体とSCASN系蛍光体を含有する厚さ0.07mmの下層とにより構成されている。波長変換部材21の上面は、凹凸を有している。被膜27は、透光性部材20の上面から側面の上端部(上面と側面がなす角部)を経て側面の下方側まで設けられている。より詳細には、被膜27の上層の側面の被覆面積率は90%以上であり、下層の側面の被覆面積率は10%以下である。被膜27は、PTFEを主材とする厚さ0.01mmの薄膜である。被膜27には上面視不定形状の孔Hが散在している。透光性部材20の側面の上端部に設けられた被膜27と光反射性部材30の間において、空隙Gを生じているところがある。導光部材60は、発光素子10の側面と透光性部材20の下面を被覆している。導光部材60の外面は、発光素子10の側面及び透光性部材20の下面に対して傾斜乃至湾曲している。発光素子10の上面と透光性部材20の下面の間の導光部材60の厚さは、0.02mmである。導光部材60は、透明なジメチルシリコーン樹脂の硬化物である。光反射性部材30は、配線基板40上に設けられ、発光素子10の側方及び透光性部材20の側方を包囲している。光反射性部材30は、発光素子10の側方においては導光部材60の外面を被覆し、発光素子10の下方においては発光素子10の下面の正負電極を除く領域を被覆している。なお、導光部材60が発光素子10の側面の一部(特に、下端部)を被覆していなければ、光反射性部材30がその発光素子10の側面の一部(特に、下端部)を被覆している。光反射性部材30の上端部は、透光性部材20の側面の近傍にあり、且つ透光性部材20の上面と略同じ高さにある。光反射性部材30は、透光性部材20の上面を、被覆しておらず、装置外部に露出させている。光反射性部材30は、30重量部の酸化チタンの白色顔料を含有するジメチルシリコーン樹脂(主材)の硬化物である。なお、保護素子70は、幅0.41mm、奥行き0.33mm、厚さ0.14mmのツェナーダイオードである。保護素子70は、発光素子10に隣接して、配線基板40の上面配線に金バンプを介してフリップチップ実装されている。保護素子70は、光反射性部材30に埋められて、装置外部に露出されていない。
11 基板
15 半導体積層体
20,22 透光性部材
21,23 波長変換部材
25 蛍光物質
27 被膜
30,32 光反射性部材
40 配線基板
50 接合部材
60 導光部材
70 保護素子
80 電極
100,200 発光装置
150 発光装置の複合体
279 被膜の主材を含む液状材料
309 光反射性部材の液状材料
350 光反射性部材の複合体
450 配線基板の複合体
609 導光部材の液状材料
G 空隙
H 孔
Claims (20)
- 発光素子と、
前記発光素子の上に設けられ、波長変換部材と被膜とを有する透光性部材と、
前記発光素子の側面を被覆し、前記透光性部材の上面を露出させて前記透光性部材の側面を包囲する光反射性部材と、を備え、
前記被膜は、前記透光性部材の側面の最表面に設けられ、
前記被膜の主材は、前記波長変換部材の主材より表面自由エネルギーが小さい発光装置。 - 前記被膜は、前記透光性部材の側面のうち少なくとも上端部に設けられている請求項1に記載の発光装置。
- 前記被膜の表面積は、前記透光性部材の側面の下半分より上半分のほうが大きい請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、蛍光物質を含有する下層と、蛍光物質を含有しない上層と、により構成されており、
前記上層の側面における前記被膜が設けられていない部分に対する前記被膜が設けられている部分の比率は、前記下層の側面におけるそれより大きい請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。 - 前記被膜と前記光反射性部材の間に空隙が設けられている請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記空隙は、前記透光性部材の側面の上端部に設けられた前記被膜と前記光反射性部材の間に設けられている請求項5に記載の発光装置。
- 前記被膜は、前記透光性部材の上面にも設けられている請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記被膜は、複数の孔を有する請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 発光素子と、
前記発光素子の上に設けられた、波長変換部材を有する透光性部材と、
前記発光素子の側面を被覆し、前記透光性部材の側面を包囲する光反射性部材と、を備え、
前記光反射性部材の上端部は、前記透光性部材の上面と略同じ高さにあって、空隙によって前記透光性部材の側面から隔たっている発光装置。 - 前記透光性部材は、被膜を更に有し、
前記被膜は、前記透光性部材の側面の最表面に設けられ、
前記被膜の主材は、前記波長変換部材の主材より表面自由エネルギーが小さい請求項9に記載の発光装置。 - 前記光反射性部材は、前記透光性部材の側面の下端部を被覆している請求項1から10のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記被膜の主材は、前記光反射性部材の主材より表面自由エネルギーが小さい、請求項1、請求項1を引用する請求項2から8及び11、請求項10、並びに請求項10を引用する請求項11のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記被膜の主材の表面自由エネルギーは、30mN/m以下である、請求項1、請求項1を引用する請求項2から8、11及び12、請求項10、並びに請求項10を引用する請求項11及び12のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記被膜の主材は、フッ素系材料である、請求項1、請求項1を引用する請求項2から8、11、12及び13、請求項10、並びに請求項10を引用する請求項11、12及び13のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記光反射性部材の主材は、シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂である請求項1から14のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、シリコーン樹脂若しくはその変性樹脂を主材とする層を含む請求項1から15のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は、無機ガラスを主材とする層を含む請求項1から16のいずれか一項に記載の発光装置。
- 波長変換部材と被膜とを有する透光性部材を準備する工程と、
発光素子の上に前記透光性部材を配置する工程と、
前記発光素子の側面及び前記透光性部材の側面を包囲且つ被覆するように光反射性部材を形成する工程と、を備え、
前記被膜は、前記透光性部材の側面の最表面に設けられ、
前記被膜の主材は、前記波長変換部材の主材より表面自由エネルギーが小さい発光装置の製造方法。 - 前記被膜は、噴霧法を用いて形成される請求項18に記載の発光装置の製造方法。
- 前記被膜は、浸漬法を用いて形成される請求項18に記載の発光装置の製造方法。
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