JP2018156910A - 点火プラグの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極の基部とチップとの接合の不具合の有無を適切に判断する。
【解決手段】
点火プラグは、基部と基部の特定の外面である特定面に接合されるとともに放電面を形成するチップとを含む電極を有する。基部と基部に接合されたチップとを含む電極のうち、基部の特定面の少なくとも一部とチップとを含む部分である対象部分の外面上の複数の点のそれぞれの相対的な位置を特定することによって、対象部分の立体形状を表す三次元の座標データを生成する。座標データを解析することによって、電極の対象部分が、意図しない部分である予め決められた非意図的部分を含むか否かを判断する。非意図的部分を含む電極を製造対象から除外し、非意図的部分を含まない電極を用いて、点火プラグを組み立てる。
【選択図】 図４

Description

本明細書は、チップを含む電極を備える点火プラグの製造方法に関する。

従来から、チップを含む電極を備える点火プラグが、利用されている。電極のチップは、チップを支持する部材である基部に、溶接などによって、接合される。溶接時には、スパッタとも呼ばれる金属片が接合部分に付着して突起状の部分を形成する場合がある。このような突起状の部分を、撮影画像を用いて検出する技術が提案されている。具体的には、接合ワーク部材を撮影手段により撮影して撮影画像を取得する。撮影画像における接合ワーク部材の外面の外形線と、基準の外形線と、を用いて、基準の外形線の周囲の非許容領域における接合ワーク部材の外形線の存在の有無を確認する。そして、非許容領域における接合ワーク部材の外形線の存在が確認された場合に、突起状の部分が存在すると判断する。

特開２００４−２１４２１８号公報

ところで、チップなどの溶接される部材の表面は、汚れが付着した部分や、傷が形成された部分や、酸化した部分などの、意図しない色の部分を含み得る。このような部分に起因して、撮影画像において誤った外形線が特定され、検出の精度が低下する場合があった。このような問題は、外形線を用いて突起状の部分を検出する場合に限らず、電極の接合の不具合の有無を判断する場合に共通する問題であった。

本明細書は、電極の基部とチップとの接合の不具合の有無を適切に判断できる技術を開示する。

本明細書は、例えば、以下の適用例を開示する。

［適用例１］
基部と前記基部の特定の外面である特定面に接合されるとともに放電面を形成するチップとを含む電極を有する点火プラグの製造方法であって、
基部と前記基部に接合されたチップとを含む電極のうち、前記基部の特定面の少なくとも一部と前記チップとを含む部分である対象部分の外面上の複数の点のそれぞれの相対的な位置を特定することによって、前記対象部分の立体形状を表す三次元の座標データを生成し、
前記座標データを解析することによって、前記電極の前記対象部分が、意図しない部分である予め決められた非意図的部分を含むか否かを判断し、
前記非意図的部分を含む前記電極を製造対象から除外し、
前記非意図的部分を含まない前記電極を用いて、点火プラグを組み立てる、
製造方法。

この構成によれば、電極の対象部分が意図しない部分である予め決められた非意図的部分を含むか否かの判断に、対象部分の立体形状を表す三次元の座標データが用いられるので、電極の基部とチップとの接合の不具合の有無を適切に判断できる。

［適用例２］
適用例１に記載の製造方法であって、
前記三次元の座標データを生成することは、前記基部の前記特定面を基準とする相対的な座標を表す第１種の三次元座標データと、前記チップの放電面を基準とする相対的な座標を表す第２種の三次元座標データと、の少なくとも一方を生成することを、含む、
製造方法。

この構成によれば、基部の特定面を基準とする第１種三次元座標データと、チップの放電面を基準とする第２種三次元座標データと、の少なくとも一方を用いることによって、解析を容易に行うことができるので、適切な判断が可能である。

［適用例３］
適用例１または２に記載の製造方法であって、
前記座標データの解析の結果において、
前記電極の前記対象部分が、前記基部の前記特定面に垂直な方向の位置が前記特定面を挟む両側のうちの前記基部側とは反対側にあり、かつ、前記特定面に平行な方向の位置が前記特定面の縁よりも外側にある部分である第１種非意図的部分を含む場合には、前記電極の前記対象部分が前記非意図的部分を含むと判断される、
製造方法。

この構成によれば、基部とチップとを接合する部分が基部の特定面の縁よりも外側にはみ出る場合に、電極の対象部分が非意図的部分を含むという適切な判断が可能である。

［適用例４］
請求項１から３のいずれかに記載の製造方法であって、
前記座標データの解析の結果において、
前記電極の前記対象部分が、前記基部の前記特定面に垂直な方向の位置が前記特定面を挟む両側のうちの前記基部側とは反対側にある部分である反対部分を含み、
前記反対部分が、前記特定面に平行な方向に局所的に突出する部分である第２種非意図的部分を含む場合に、前記電極の前記対象部分が前記非意図的部分を含むと判断する、
製造方法。

この構成によれば、基部とチップとを接合する部分が局所的に突出する部分を含む場合に、電極の対象部分が非意図的部分を含むという適切な判断が可能である。

［適用例５］
適用例１から４のいずれかに記載の製造方法であって、
前記座標データの解析の結果において、
前記電極の前記対象部分が、前記チップの放電面に垂直な方向の位置が前記放電面を挟む両側のうちの前記チップ側とは反対側にある部分である第３種非意図的部分を含む場合には、前記電極の前記対象部分が前記非意図的部分を含むと判断される、
製造方法。

この構成によれば、基部とチップとを接合する部分が放電面よりも飛び出す場合に、電極の対象部分が非意図的部分を含むという適切な判断が可能である。

なお、本明細書に開示の技術は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、基部と基部に接合されるチップとを含む電極の製造方法、その製造方法によって製造された電極、基部と基部に接合されるチップとを含む電極を備える点火プラグの製造方法、その製造方法によって製造された点火プラグ、電極の検査方法、電極を備える点火プラグの検査方法、等の形態で実現することができる。

一実施形態としての点火プラグ１００の断面図である。 点火プラグ１００の製造方法の例を示すフローチャートである。 本体部３７と第２チップ３９との説明図である。 接地電極を準備する方法の例を示すフローチャートである。 測定システム１０００の例を示す概略図である。 三次元の座標を表す座標系の説明図である。 第１種非意図的部分の説明図である。 第２種非意図的部分の説明図である。 第３種非意図的部分の説明図である。

Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．点火プラグ１００の構成：
図１は、一実施形態としての点火プラグ１００の断面図である。図中には、点火プラグ１００の中心軸ＣＬ（「軸線ＣＬ」とも呼ぶ）と、点火プラグ１００の中心軸ＣＬを含む平らな断面と、が示されている。以下、中心軸ＣＬに平行な方向を「軸線ＣＬの方向」、または、単に「軸線方向」または「前後方向」とも呼ぶ。軸線ＣＬを中心とする円の径方向を「径方向」とも呼ぶ。径方向は、軸線ＣＬに垂直な方向である。軸線ＣＬを中心とする円の円周方向を、「周方向」とも呼ぶ。中心軸ＣＬに平行な方向のうち、図１における下方向を先端方向Ｄｆ、または、前方向Ｄｆと呼び、上方向を後端方向Ｄｆｒ、または、後方向Ｄｆｒとも呼ぶ。先端方向Ｄｆは、後述する端子金具４０から中心電極２０に向かう方向である。また、図１における先端方向Ｄｆ側を点火プラグ１００の先端側と呼び、図１における後端方向Ｄｆｒ側を点火プラグ１００の後端側と呼ぶ。

点火プラグ１００は、軸線ＣＬに沿って延びる貫通孔１２（軸孔１２とも呼ぶ）を有する筒状の絶縁体１０と、貫通孔１２の先端側で保持される中心電極２０と、貫通孔１２の後端側で保持される端子金具４０と、貫通孔１２内で中心電極２０と端子金具４０との間に配置された抵抗体７３と、中心電極２０と抵抗体７３とに接触してこれらの部材２０、７３を電気的に接続する導電性の第１シール部７２と、抵抗体７３と端子金具４０とに接触してこれらの部材７３、４０を電気的に接続する導電性の第２シール部７４と、絶縁体１０の外周側に固定された筒状の主体金具５０と、一端が主体金具５０の先端面５５に接合されるとともに他端が中心電極２０とギャップｇを介して対向するように配置された接地電極３０と、を有している。

絶縁体１０の軸線方向の略中央には、外径が最も大きな大径部１４が形成されている。大径部１４より後端側には、後端側胴部１３が形成されている。大径部１４よりも先端側には、後端側胴部１３よりも外径の小さな先端側胴部１５が形成されている。先端側胴部１５よりもさらに先端側には、縮外径部１６と、脚部１９とが、先端側に向かってこの順に形成されている。縮外径部１６の外径は、前方向Ｄｆに向かって、徐々に小さくなっている。縮外径部１６の近傍（図１の例では、先端側胴部１５）には、前方向Ｄｆに向かって内径が徐々に小さくなる縮内径部１１が形成されている。絶縁体１０は、機械的強度と、熱的強度と、電気的強度とを考慮して形成されることが好ましく、例えば、アルミナを焼成して形成されている（他の絶縁材料も採用可能である）。

中心電極２０は、金属製の部材であり、絶縁体１０の貫通孔１２内の前方向Ｄｆ側の端部に配置されている。中心電極２０は、略円柱状の棒部２８と、棒部２８の先端に接合（例えば、レーザ溶接）された第１チップ２９と、を有している。棒部２８は、後方向Ｄｆｒ側の部分である頭部２４と、頭部２４の前方向Ｄｆ側に接続された軸部２７と、を有している。軸部２７は、軸線ＣＬに平行に前方向Ｄｆに向かって延びている。頭部２４のうちの前方向Ｄｆ側の部分は、軸部２７の外径よりも大きな外径を有する鍔部２３を形成している。鍔部２３の前方向Ｄｆ側の面は、絶縁体１０の縮内径部１１によって、支持されている。軸部２７は、鍔部２３の前方向Ｄｆ側に接続されている。第１チップ２９は、軸部２７の先端に接合されている。

棒部２８は、外層２１と、外層２１の内周側に配置された芯部２２と、を有している。外層２１は、芯部２２よりも耐酸化性に優れる材料（例えば、ニッケルを主成分として含む合金）で形成されている。ここで、主成分は、含有率（重量パーセント（ｗｔ％））が最も高い成分を意味している。芯部２２は、外層２１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、純銅、銅を主成分として含む合金、等）で形成されている。第１チップ２９は、軸部２７よりも放電に対する耐久性に優れる材料（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属）を用いて形成されている。中心電極２０のうち第１チップ２９を含む先端側の一部分は、絶縁体１０の軸孔１２から前方向Ｄｆ側に露出している。なお、芯部２２は、省略されてもよい。また、第１チップ２９は、省略されてもよい。

端子金具４０は、軸線ＣＬに平行に延びる棒状の部材である。端子金具４０は、導電性材料を用いて形成されている（例えば、鉄を主成分として含む金属）。端子金具４０は、前方向Ｄｆに向かって順番で並ぶ、キャップ装着部４９と、鍔部４８と、軸部４１と、を有している。軸部４１は、絶縁体１０の軸孔１２の後方向Ｄｆｒ側の部分に挿入されている。キャップ装着部４９は、絶縁体１０の後端側で、軸孔１２の外に露出している。

絶縁体１０の軸孔１２内において、端子金具４０と中心電極２０との間には、電気的なノイズを抑制するための抵抗体７３が配置されている。抵抗体７３は、導電性材料（例えば、ガラスと炭素粒子とセラミック粒子との混合物）を用いて形成されている。抵抗体７３と中心電極２０との間には、第１シール部７２が配置され、抵抗体７３と端子金具４０との間には、第２シール部７４が配置されている。これらのシール部７２、７４は、導電性材料（例えば、金属粒子と抵抗体７３の材料に含まれるものと同じガラスとの混合物）を用いて形成されている。中心電極２０は、第１シール部７２、抵抗体７３、第２シール部７４によって、端子金具４０に電気的に接続されている。

主体金具５０は、軸線ＣＬに沿って延びる貫通孔５９を有する筒状の部材である。主体金具５０の貫通孔５９には、絶縁体１０が挿入され、主体金具５０は、絶縁体１０の外周に固定されている。主体金具５０は、導電材料（例えば、主成分である鉄を含む炭素鋼等の金属）を用いて形成されている。絶縁体１０の前方向Ｄｆ側の一部は、貫通孔５９の外に露出している。また、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の一部は、貫通孔５９の外に露出している。

主体金具５０は、工具係合部５１と、先端側胴部５２と、を有している。工具係合部５１は、点火プラグ用のレンチ（図示せず）が嵌合する部分である。先端側胴部５２は、主体金具５０の先端面５５を含む部分である。先端側胴部５２の外周面には、内燃機関（例えば、ガソリンエンジン）の取付孔に螺合するためのネジ部５７が形成されている。ネジ部５７は、軸線ＣＬの方向に延びる雄ねじが形成された部分である。

主体金具５０の工具係合部５１と先端側胴部５２との間の外周面には、径方向外側に張り出したフランジ状の中胴部５４が形成されている。中胴部５４の外径は、ネジ部５７の最大外径（すなわち、ネジ山の頂の外径）よりも、大きい。中胴部５４の前方向Ｄｆ側の面３００は、内燃機関のうちの取付孔を形成する部分である取り付け部（例えば、エンジンヘッド）とのシールを形成する座面である。

先端側胴部５２のネジ部５７と中胴部５４の座面３００との間には、環状のガスケット９０が配置されている。ガスケット９０は、点火プラグ１００が内燃機関に取り付けられた際に押し潰されて変形し、点火プラグ１００の中胴部５４の座面３００と、図示しない内燃機関の取り付け部（例えば、エンジンヘッド）と、の隙間を封止する。なお、ガスケット９０が省略されてもよい。この場合、中胴部５４の座面３００は、直接に内燃機関の取り付け部に接触することによって、座面３００と、内燃機関の取り付け部と、の隙間を封止する。

主体金具５０の先端側胴部５２には、先端側に向かって内径が徐々に小さくなる縮内径部５６が形成されている。主体金具５０の縮内径部５６と、絶縁体１０の縮外径部１６と、の間には、先端側パッキン８が挟まれている。本実施形態では、先端側パッキン８は、例えば、鉄製の板状リングである（他の材料（例えば、銅等の金属材料）も採用可能である）。

主体金具５０の工具係合部５１より後端側には、薄肉の部分であるカシメ部５３が形成されている（カシメ部５３は、主体金具５０の後端を形成する後端部である）。また、中胴部５４と工具係合部５１との間には、薄肉の部分である座屈部５８が形成されている。主体金具５０の工具係合部５１からカシメ部５３にかけての内周面と、絶縁体１０の後端側胴部１３の外周面との間には、円環状のリング部材６１、６２が挿入されている。さらにこれらのリング部材６１、６２の間には、タルク７０の粉末が充填されている。点火プラグ１００の製造工程において、カシメ部５３が内側に折り曲げられて加締められると、座屈部５８が圧縮力の付加に伴って外向きに変形（座屈）し、この結果、主体金具５０と絶縁体１０とが固定される。タルク７０は、この加締め工程の際に圧縮され、主体金具５０と絶縁体１０との間の気密性が高められる。また、パッキン８は、絶縁体１０の縮外径部１６と主体金具５０の縮内径部５６との間で押圧され、そして、主体金具５０と絶縁体１０との間をシールする。

接地電極３０は、金属製の部材であり、棒状の本体部３７と、本体部３７の先端部３４に取り付けられた第２チップ３９と、を有している。本体部３７の他方の端部３３（基端部３３とも呼ぶ）は、主体金具５０の先端面５５に接合されている（例えば、抵抗溶接）。本体部３７は、主体金具５０に接合された基端部３３から先端方向Ｄｆに向かって延び、中心軸ＣＬに向かって曲がって、先端部３４に至る。第２チップ３９は、先端部３４の後方向Ｄｆｒ側の部分に固定されている（例えば、抵抗溶接やレーザ溶接）。本体部３７は、チップ３９が接合される基部に対応する。接地電極３０の第２チップ３９と、中心電極２０の第１チップ２９とは、ギャップｇを形成している。すなわち、接地電極３０の第２チップ３９は、中心電極２０の第１チップ２９の前方向Ｄｆ側に配置されており、第１チップ２９とギャップｇを介して対向している。第２チップ３９は、本体部３７よりも放電に対する耐久性に優れる材料（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属）を用いて形成されている。なお、第２チップ３９は、省略されてもよい。

本体部３７は、外層３１と、外層３１の内周側に配置された内層３２と、を有している。外層３１は、内層３２よりも耐酸化性に優れる材料（例えば、ニッケルを主成分として含む合金）で形成されている。内層３２は、外層３１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、純銅、銅を主成分として含む合金、等）で形成されている。なお、内層３２は、省略されてもよい。

Ａ−２．製造方法：
図２は、点火プラグ１００の製造方法の例を示すフローチャートである。Ｓ１００では、棒状の接地電極３０が準備される。本実施形態では、曲げられていない棒状の本体部３７と、第２チップ３９とが、準備される。これらの部材を準備する方法としては、公知の種々の方法を採用可能である（詳細な説明を省略する）。そして、本体部３７の先端部３４に、第２チップ３９が、抵抗溶接によって、接合される。図３（Ａ）は、接合される前の本体部３７と第２チップ３９との斜視図を示し、図３（Ｂ）は、接合された後の本体部３７と第２チップ３９とを示している。図中の中心軸ＣＬと方向Ｄｆ、Ｄｆｒとは、完成した点火プラグ１００（図１）における本体部３７の先端部３４と第２チップ３９とから見た、中心軸ＣＬと方向Ｄｆ、Ｄｆｒを示している。以下、軸線ＣＬと方向Ｄｆ、Ｄｆｒとを用いて、位置関係を説明する。図示するように、第２チップ３９は、本体部３７の先端部３４の後方向Ｄｆｒ側の面Ｓ１に、接合される（以下、特定面Ｓ１とも呼ぶ）。第２チップ３９の後方向Ｄｆｒ側の面Ｓ２は、放電面である（以下、放電面Ｓ２とも呼ぶ）。また、図中には、特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３が示されている。縁Ｅ１は、特定面Ｓ１の先端を示す縁である。この縁Ｅ１は、特定面Ｓ１と、本体部３７の先端面３７ｅと、の接続部分を示している。縁Ｅ２、Ｅ３は、先端部３４が先端面３７ｅに向かって延びる方向Ｄ３７に垂直な方向の縁を示している（方向Ｄ３７を、延長方向Ｄ３７とも呼ぶ）。本実施形態では、延長方向Ｄ３７は、軸線ＣＬに垂直に、先端面３７ｅに向かう方向である。

図３（Ｃ）〜図３（Ｅ）は、先端部３４と第２チップ３９とを接合する様子の説明図である。各図には、前方向Ｄｆに垂直な方向を向いて見た、本体部３７と第２チップ３９との外観が示されている。まず、図３（Ｃ）に示すように、先端部３４の後方向Ｄｆｒ側の特定面Ｓ１上に、第２チップ３９が、載せ置かれる。そして、図３（Ｄ）に示すように、第１支持部４１０が、第２チップ３９の後方向Ｄｆｒ側の面に押し付けられ、第２支持部４２０が、先端部３４の前方向Ｄｆ側の面に押し付けられる。支持部４１０、４２０は、導電材料（例えば、ステンレス鋼）で形成されている。そして、支持部４１０、４２０の間に、抵抗溶接のための電圧が印加される。これにより、電流が、先端部３４と第２チップ３９とを流れる。この電流によって、先端部３４の後方向Ｄｆｒ側の特定面Ｓ１と、第２チップ３９の前方向Ｄｆ側の面と、の相互に接触する部分が溶融し、先端部３４と第２チップ３９とが接合される。

図３（Ｅ）は、溶接後の外観を示している。図示するように、先端部３４と第２チップ３９との境界部分には、接合部２００が形成されている。図３（Ｂ）に示すように、接合部２００は、先端部３４の特定面Ｓ１と、第２チップ３９の外周面Ｓ３と、の境界部分に、全周に亘って、形成される。接合部２００は、先端部３４と第２チップ３９とを接合する部分である。接合部２００は、溶接時に先端部３４と第２チップ３９との溶融した部分が冷えて固まった部分である（溶融部２００とも呼ぶ）。接合部２００は、先端部３４の成分と第２チップ３９の成分とを含んでいる。換言すれば、接合部２００は、先端部３４の成分と第２チップ３９の成分との合金層である。また、接合部２００は、先端部３４と第２チップ３９とが一体化した部分である。

なお、接合部２００の形状は、複数の接地電極３０の間で、個々に異なり得る。図３（Ｂ）には、適切な形状の接合部２００が示されている。本実施形態では、適切な接合部２００は、先端部３４の特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３よりも内側、かつ、第２チップ３９の放電面Ｓ２よりも本体部３７側の範囲内に、形成される。そして、接合部２００の表面は、滑らかな曲面を形成する。しかし、同じ方法で本体部３７と第２チップ３９とを接合する場合であっても、接合部に、意図しない部分が形成される場合がある。例えば、接合部が、先端部３４の特定面Ｓ１に沿って拡がり、特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３よりも外側にはみ出る場合がある。また、スパッタが生じ、接合部に細長い棘のような突出部が形成される場合がある。また、接合部が、第２チップ３９の放電面Ｓ２よりも後方向Ｄｆｒ側まで拡がる場合がある。接合部に、このような意図しない部分が形成されると、不具合が生じ得る。例えば、放電面Ｓ２ではなく接合部で放電が生じ得る。また、点火プラグの運搬時に、接合部のうちの突出する部分が他の部材に接触して、接地電極が破損し得る。

そこで、本実施形態では、図２のＳ１００では、接合部の立体的な形状を特定し、接合部が意図しない部分を含むか否かを判断する。そして、接合部が意図しない部分を含まないと判断された場合に、接地電極を、点火プラグ１００の製造用の部材として採用する。接合部が意図しない部分を含むと判断された場合に、接地電極を、製造対象から除外する。これらの処理の詳細については、後述する。

図２のＳ１１０では、接地電極３０以外の他の部材が準備される。具体的には、主体金具５０と、絶縁体１０と、中心電極２０と、シール部７２、７４と抵抗体７３とのそれぞれの粉末材料と、端子金具４０と、を含む部材が準備される。これらの部材を準備する方法としては、公知の種々の方法を採用可能である（詳細な説明を省略する）。なお、接地電極の準備（Ｓ１００）と他の部材の準備（Ｓ１１０）とは、互いに独立に行われる。

Ｓ１２０では、準備された部材を用いて、点火プラグ１００が組み立てられる。例えば、先ず、絶縁体１０と中心電極２０と端子金具４０とを有する組立体が作成される。例えば、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の開口から中心電極２０が挿入される。中心電極２０は、絶縁体１０の縮内径部１１に支持されることにより、貫通孔１２内の所定位置に配置される。次に、第１シール部７２、抵抗体７３、第２シール部７４のそれぞれの材料粉末の投入と投入された粉末材料の成形とが、部材７２、７３、７４の順番に、行われる。粉末材料は、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の開口から貫通孔１２内に投入される。次に、絶縁体１０を、部材７２、７３、７４の材料粉末に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い所定温度まで加熱し、所定温度に加熱した状態で、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の開口から、端子金具４０の軸部４１を貫通孔１２に挿入する。この結果、部材７２、７３、７４の材料粉末が圧縮および焼結されて、部材７２、７３、７４が形成される。そして、端子金具４０が、絶縁体１０に固定される。また、主体金具５０には、接地電極３０が接合される（例えば、抵抗溶接）。

次に、主体金具５０に絶縁体１０を含む上記の組立体が固定される。具体的には、主体金具５０の貫通孔５９内に、先端側パッキン８と、組立体と、リング部材６２と、タルク７０と、リング部材６１とが配置され、そして、主体金具５０のカシメ部５３を内側に折り曲げるように加締めることによって、主体金具５０に絶縁体１０が固定される。そして、棒状の接地電極３０を曲げることによって、ギャップｇの距離が調整される。以上により、点火プラグ１００が完成する。

図４は、図２のＳ１００での接地電極を準備する方法の例を示すフローチャートである。Ｓ２００では、棒状の本体部３７と第２チップ３９とが準備され、Ｓ２１０では、本体部３７に第２チップ３９が接合される。これらのステップＳ２００、Ｓ２１０は、図３で説明した通りである。Ｓ２２０では、測距装置を用いて、接地電極３０のうちの第２チップ３９を含む対象部分の外面上の複数の点のそれぞれの相対的な位置を特定する。

図５は、測定システム１０００の例を示す概略図である。本実施形態では、測定システム１０００は、測距システム７００と、測距システム７００を制御する制御装置８００と、を含んでいる。測距システム７００は、測距装置７１０と、測距装置７１０を支持するとともに測距装置７１０を移動させることが可能な支持装置７２０と、を含んでいる。測距装置７１０は、測距装置７１０と測定対象との間の距離を測定する装置である。測距装置７１０の構成としては、任意の構成を採用可能である。本実施形態では、測距装置７１０は、レーザ距離計である。測距装置７１０は、予め決められた照射方向ＬＤに向かって、測定対象にレーザ光Ｌｚ１を照射し、測定対象からの反射光Ｌｚ２を受信する。そして、測距装置７１０は、レーザ光Ｌｚ１と反射光Ｌｚ２とを用いて（例えば、位相差を用いて）、測距装置７１０と測定対象との間の照射方向ＬＤの距離を特定する。距離の分解能は、例えば、２０μｍ以下である。また、本実施形態では、測距装置７１０は、走査方向ＳＤの位置が互いに異なる複数の測定位置のそれぞれと、測距装置７１０と、の間の照射方向ＬＤの距離を測定可能である（走査方向ＳＤは、予め決められており、照射方向ＬＤに垂直な方向である）。測距装置７１０は、例えば、測距装置７１０に含まれる光学システム（例えば、レンズなど）を動かすことによって、レーザ光Ｌｚ１の射出位置や照射方向を動かすことによって、走査方向ＳＤの測定位置を変更する。

本実施形態では、接地電極３０は、測距装置７１０から、照射方向ＬＤに向かって予め決められた距離だけ離れた位置に、配置される。そして、測距装置７１０に対する接地電極３０の向きは、第２チップ３９の放電面Ｓ２が測距装置７１０側を向くとともに、先端部３４の延長方向Ｄ３７が、予め決められた目標方向Ｄｔ３７とおおよそ同じとなるように、調整される。この状態では、照射方向ＬＤは、接地電極３０の特定面Ｓ１におおよそ垂直であり、また、放電面Ｓ２におおよそ垂直であり、そして、接地電極３０に対する前方向Ｄｆとおおよそ同じである。また、走査方向ＳＤは、延長方向Ｄ３７に、おおよそ垂直である。

支持装置７２０は、測距装置７１０を支持するアーム７２２と、アーム７２２を移動させる駆動源７２４（例えば、電気モータ）と、を含んでいる。支持装置７２０は、走査方向ＳＤに交差する方向である移動方向ＭＤの測距装置７１０の位置を、移動させることが可能である。本実施形態では、移動方向ＭＤは、走査方向ＳＤと照射方向ＬＤとに垂直な方向である。

図中の複数の点Ｍｐは、測距システム７００によって距離が測定される測定位置を示している（測定位置Ｍｐとも呼ぶ）。図示するように、複数の測定位置Ｍｐは、接地電極３０の対象部分３０ｔの後方向Ｄｆｒ側の面上に、分布している。対象部分３０ｔは、第２チップ３９と、特定面Ｓ１のうちの第２チップ３９を囲む一部分と、を含む部分である。このような対象部分３０ｔは、接合部２００と、縁Ｅ１と、縁Ｅ２の延長方向Ｄ３７側の一部と、縁Ｅ３の延長方向Ｄ３７側の一部と、を含んでいる。複数の測定位置Ｍｐは、対象部分３０ｔの後方向Ｄｆｒ側の面上に、おおよそ均等に分布するように、配置される。また、複数の測定位置Ｍｐは、接地電極３０の外側にも配置されている（この理由については、後述する）。本実施形態では、複数の測定位置Ｍｐは、格子状に、配置される。

制御装置８００は、例えば、パーソナルコンピュータである（例えば、デスクトップコンピュータ、タブレットコンピュータ）。制御装置８００は、プロセッサ８１０と、記憶装置８１５と、画像を表示する表示部８４０と、ユーザによる操作を受け入れる操作部８５０と、インタフェース８７０と、を有している。記憶装置８１５は、揮発性記憶装置８２０と、不揮発性記憶装置８３０と、を含んでいる。制御装置８００の各要素は、バスを介して互いに接続されている。

プロセッサ８１０は、データ処理を行う装置であり、例えば、ＣＰＵである。揮発性記憶装置８２０は、例えば、ＤＲＡＭであり、不揮発性記憶装置８３０は、例えば、フラッシュメモリである。不揮発性記憶装置８３０は、プログラム８３２を格納している。プロセッサ８１０は、プログラム８３２を実行することによって、測距システム７００を制御し、そして、接合部２００を検査する（詳細は後述）。プロセッサ８１０は、プログラム８３２の実行に利用される種々の中間データを、記憶装置８１５（例えば、揮発性記憶装置８２０、不揮発性記憶装置８３０のいずれか）に、一時的に格納する。

表示部８４０は、画像を表示する装置であり、例えば、液晶ディスプレイである。操作部８５０は、ユーザによる操作を受け取る装置であり、例えば、表示部８４０上に重ねて配置されたタッチパネルである。ユーザは、操作部８５０を操作することによって、種々の指示を制御装置８００に入力可能である。インタフェース８７０は、他の装置と通信するためのインタフェースである（例えば、ＵＳＢインタフェース）。測距システム７００（具体的には、測距装置７１０と支持装置７２０）は、このインタフェース８７０に接続されている。

図４のＳ２２０では、ユーザは、制御装置８００の操作部８５０を操作することにより、検査処理を開始する指示を、入力する。プロセッサ８１０は、指示に応じて、プログラム８３２に従って、検査処理を開始する。具体的には、Ｓ２２０では、プロセッサ８１０は、測距装置７１０を制御することによって、走査方向ＳＤの位置が互いに異なる複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの距離を測距装置７１０に測定させ、距離を表す距離情報を測距装置７１０から取得する。また、プロセッサ８１０は、支持装置７２０を制御することにより、移動方向ＭＤの測距装置７１０の位置を、移動させる。プロセッサ８１０は、距離の測定と、測距装置７１０の移動とを、交互に繰り返すことによって、複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの距離情報を取得する。測定位置Ｍｐの距離は、接地電極３０の対象部分３０ｔの外面上の位置に応じて、変化する。例えば、放電面Ｓ２は、特定面Ｓ１の測距装置７１０側に位置している。従って、放電面Ｓ２上の測定位置Ｍｐの距離は、特定面Ｓ１上の測定位置Ｍｐの距離よりも、短い。

プロセッサ８１０は、支持装置７２０を制御するので、支持装置７２０によって動かされる測距装置７１０の移動方向ＭＤの複数の位置のそれぞれを、特定できる。Ｓ２２０では、プロセッサ８１０は、測距装置７１０の移動方向ＭＤの位置と、測定位置Ｍｐの走査方向ＳＤの位置と、測定された距離と、の対応関係を表すジオメトリ情報を、取得する。１個の対応関係は、１個の測定位置Ｍｐを表している。ジオメトリ情報は、複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの対応関係を、表している。なお、レーザ光Ｌｚ１の照射方向ＬＤは、予め決められている。従って、ジオメトリ情報は、接地電極３０の対象部分３０ｔの後方向Ｄｆｒ側の外面上の複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの相対的な三次元の位置を表している。このように、プロセッサ８１０は、ジオメトリ情報を取得することによって、複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの相対的な三次元の位置を特定している、といえる。

なお、図５では、複数の測定位置Ｍｐが、簡略化して示されている。実際には、より高密度に配置された多数の測定位置Ｍｐのそれぞれの距離が、測定される。また、複数の測定位置Ｍｐは、特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３よりも外側まで、広く分布している。後述するように、接合部２００が、縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の外側まで延びる場合、その延びた部分上の測定位置Ｍｐの距離も、測定される。

対象部分３０ｔから外れた測定位置Ｍｐに関しては、測距装置７１０と接地電極３０との間の距離を大幅に超える距離が、測定される。従って、距離が予め決められた閾値を超える場合、その距離に対応する測定位置Ｍｐは、対象部分３０ｔから外れていると判断できる。距離の閾値は、対象部分３０ｔ上の測定位置Ｍｐの距離の測定され得る範囲よりも大きな値に、設定される。

図４のＳ２３０では、プロセッサ８１０は、Ｓ２２０で得られたジオメトリ情報を用いて、接地電極３０の対象部分３０ｔの立体形状を表す三次元の座標データ（単に、三次元データとも呼ぶ）を、生成する。三次元データは、Ｓ２２０で測定された複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの座標を表すデータである。以下、三次元の座標によって表される点を、座標点とも呼ぶ。

図６は、三次元の座標を表す座標系の説明図である。図６（Ａ）の第１座標系ＣＳ１では、原点Ｏａは、特定面Ｓ１上に配置されている。そして、互いに垂直な３個の座標軸Ｘａ、Ｙａ、Ｚａが、原点Ｏａから延びている。第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとは、特定面Ｓ１におおよそ平行な座標軸であり、第３軸Ｚａは、特定面Ｓ１におおよそ垂直な座標軸である。第１軸Ｘａの正の方向は、本体部３７の先端部３４の延長方向Ｄ３７とおおよそ同じである。第２軸Ｙａは、延長方向Ｄ３７におおよそ垂直である。第３軸Ｚａの正の方向は、後方向Ｄｆｒとおおよそ同じである。

第１座標系ＣＳ１で表される座標を用いる場合、第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとの座標を参照せずに、第３軸Ｚａの座標を参照することによって、座標点が、特定面Ｓ１よりも後方向Ｄｆｒ側であるか否かを、容易に特定できる。また、第３軸Ｚａの座標を参照せずに、第１軸Ｘａの座標と第２軸Ｙａの座標とを参照することによって、座標点の特定面Ｓ１に平行な方向の位置が、特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３よりも外側であるか否かを、容易に特定できる。

図６（Ｂ）の第２座標系ＣＳ２では、原点Ｏｂは、放電面Ｓ２上に配置されている。そして、互いに垂直な３個の座標軸Ｘｂ、Ｙｂ、Ｚｂが、原点Ｏｂから延びている。第１軸Ｘｂと第２軸Ｙｂとは、放電面Ｓ２におおよそ平行な座標軸であり、第３軸Ｚｂは、放電面Ｓ２におおよそ垂直な座標軸である。第１軸Ｘｂの正の方向は、本体部３７の先端部３４の延長方向Ｄ３７とおおよそ同じである。第２軸Ｙｂは、延長方向Ｄ３７におおよそ垂直である。第３軸Ｚｂの正の方向は、後方向Ｄｆｒとおおよそ同じである。第２座標系ＣＳ２で表される座標を用いる場合、第１軸Ｘｂと第２軸Ｙｂとの座標を参照せずに、第３軸Ｚｂの座標を参照することによって、座標点が、放電面Ｓ２よりも後方向Ｄｆｒ側であるか否かを、容易に特定できる。

以下、第１軸Ｘａの正の方向を、＋Ｘａ方向とも呼び、第１軸Ｘａの負の方向を、−Ｘａ方向とも呼ぶ。他の軸Ｙａ、Ｚａ、Ｘｂ、Ｙｂ、Ｚｂの正の方向と負の方向とについても、同様の標記を用いる。

図４のＳ２３０では、プロセッサ８１０は、第１座標系ＣＳ１で表される第１種三次元データと、第２座標系ＣＳ２で表される第２種三次元データと、の両方を生成する。このような三次元データは、ジオメトリ情報を解析することによって、生成される。プロセッサ８１０は、例えば、以下の手順に従って、三次元データを生成する。

プロセッサ８１０は、複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの座標を、ジオメトリ情報、すなわち、測定位置Ｍｐに対応付けられた測距装置７１０（図５）の移動方向ＭＤの位置と、測定位置Ｍｐの走査方向ＳＤの位置と、照射方向ＬＤの距離と、から、算出する。算出される座標は、予め決められた基準座標系で表されている（例えば、測距装置７１０の特定の位置を原点とする座標系）。次に、プロセッサ８１０は、複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの座標を、第１座標系ＣＳ１の座標に変換することによって、第１種三次元データを生成する。第１種三次元データは、特定面Ｓ１を基準とする相対的な座標を表すデータであり、対象部分３０ｔの後方向Ｄｆｒ側の面の立体形状を表している。また、プロセッサ８１０は、複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの座標を、第２座標系ＣＳ２の座標に変換することによって、第２種三次元データを生成する。第２種三次元データは、放電面Ｓ２を基準とする相対的な座標を表すデータであり、対象部分３０ｔの後方向Ｄｆｒ側の面の立体形状を表している。

基準座標系と第１座標系ＣＳ１との第１対応関係と、基準座標系と第２座標系ＣＳ２との第２対応関係と、を特定する方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、プロセッサ８１０は、以下の手順に従って、第１対応関係と第２対応関係とを特定する。

プロセッサ８１０は、複数の測定位置Ｍｐから、対象部分３０ｔ上の測定位置Ｍｐを、抽出する。例えば、プロセッサ８１０は、距離が予め決められた閾値以下である測定位置Ｍｐを、対象部分３０ｔ上の測定位置Ｍｐとして抽出する。以下、抽出された測定位置Ｍｐを、対象位置Ｍｐｔとも呼ぶ（図５）。また、抽出されなかった測定位置Ｍｐ（すなわち、対象部分３０ｔから外れた測定位置Ｍｐ）を、外位置Ｍｐｏとも呼ぶ。

プロセッサ８１０は、複数の対象位置Ｍｐｔから、特定面Ｓ１上の対象位置Ｍｐｔで構成される特定面グループと、放電面Ｓ２上の対象位置Ｍｐｔで構成される放電面グループと、抽出する。特定面グループの距離は、放電面グループの距離よりも、長い。また、特定面グループと放電面グループとの間の距離の差は、標準的な接地電極３０の特定面Ｓ１と放電面Ｓ２との間の距離である基準距離と、おおよそ同じである。このような特定面グループと放電面グループとを抽出する方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、プロセッサ８１０は、複数の対象位置Ｍｐｔの距離のヒストグラムを生成し、ヒストグラムの複数のピークを特定する。そして、プロセッサ８１０は、複数のピークから、距離差が基準距離である２つのピークを検索する。２つのピークの複数の候補が見つかる場合、対象位置Ｍｐｔの総数が最も多い２つのピークを採用する。プロセッサ８１０は、見つかった２つのピークのうち、距離が長いピークを構成する複数の対象位置Ｍｐｔのグループを、特定面グループとして採用し、距離が短いピークを構成する複数の対象位置Ｍｐｔのグループを、放電面グループとして採用する。

プロセッサ８１０は、特定面グループの複数の対象位置Ｍｐｔの座標を平面で近似することによって、特定面Ｓ１を表す近似平面を算出する。そして、プロセッサ８１０は、算出された近似平面上に原点Ｏａを配置する。プロセッサ８１０は、原点Ｏａを通り、近似平面に垂直な軸を、第３軸Ｚａとして採用する。また、プロセッサ８１０は、近似平面に平行、かつ、予め決められた目標方向Ｄｔ３７（図５）に最も近い方向を算出する。そして、プロセッサ８１０は、原点Ｏａを通り、算出された方向に平行な軸を、第１軸Ｘａとして採用する。また、プロセッサ８１０は、原点Ｏａを通り、第１軸Ｘａに垂直、かつ、第３軸Ｚａに垂直な軸を、第２軸Ｙａとして採用する。以上により、第１座標系ＣＳ１が決定される。そして、プロセッサ８１０は、決定された第１座標系ＣＳ１を用いて、基準座標系と第１座標系ＣＳ１との対応関係を、特定する。

プロセッサ８１０は、基準座標系と第２座標系ＣＳ２との対応関係も、同様に、特定する。放電面Ｓ２を表す近似平面が、放電面グループの複数の対象位置Ｍｐｔの座標を平面で近似することによって、算出される。算出された近似平面上に、原点Ｏｂが配置される。原点Ｏｂを通り、近似平面に垂直な軸が、第３軸Ｚｂとして採用される。近似平面に平行、かつ、予め決められた目標方向Ｄｔ３７（図５）に最も近い方向が算出され、原点Ｏａを通り、算出された方向に平行な軸が、第１軸Ｘｂとして採用される。原点Ｏｂを通り、第１軸Ｘｂに垂直、かつ、第３軸Ｚｂに垂直な軸が、第２軸Ｙｂとして採用される。以上により、第２座標系ＣＳ２が決定される。そして、プロセッサ８１０は、決定された第２座標系ＣＳ２を用いて、基準座標系と第１座標系ＣＳ１との対応関係を、特定する。

図４のＳ２４０では、プロセッサ８１０は、第１種三次元データを解析することによって、第１種非意図的部分を検索する。図７は、第１種非意図的部分の説明図である。図７（Ａ）は、前方向Ｄｆ（すなわち、−Ｚａ方向）を向いて見た接地電極３０ａを示し、図７（Ｂ）は、延長方向Ｄ３７に反対の方向（すなわち、−Ｘａ方向）を向いて見た接地電極３０ａを示している。図中の方向Ｘａ、Ｙａ、Ｚａは、それぞれ、原点Ｏａ位置とは無関係に、座標軸Ｘａ、Ｙａ、Ｚａの正の方向を示している。以下、図７の接地電極３０ａを参照して、説明する。

図中の接地電極３０ａでは、接合部２００ａは、特定面Ｓ１の縁Ｅ３を超えて、外側まで延びている。このように特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３よりも外側まで延びる意図しない接合部は、種々の要因によって、形成され得る。接合部２００ａのうちの意図しない突出する部分は、点火プラグの運搬時に他の部材（例えば、他の点火プラグ）と接触し得、その様な接触によって、接地電極３０ａが破損し得る（例えば、第２チップ３９が本体部３７から外れ得る）。このような接合部は、特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３よりも外側、かつ、特定面Ｓ１よりも第２チップ３９側の部分である第１種非意図的部分を含む。図７の例では、ハッチングで示された部分Ｐ１が、第１種非意図的部分である。

プロセッサ８１０は、第１種三次元データを解析することにより、特定面Ｓ１を表す近似平面上における、特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３をそれぞれ近似する線を特定する。縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３を近似する線の算出方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、プロセッサ８１０は、特定面Ｓ１を表すグループの複数の対象位置Ｍｐｔ（図５）が分布する領域のうち、＋Ｘａ方向側の端を形成する複数の対象位置Ｍｐｔを抽出する。端を形成する対象位置Ｍｐｔを抽出する方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、＋Ｘａ側の隣の測定位置Ｍｐが外位置Ｍｐｏであるような対象位置Ｍｐｔを、＋Ｘａ方向側の端を形成する対象位置Ｍｐｔとして抽出してよい。抽出される複数の対象位置Ｍｐｔは、縁Ｅ１に沿って並ぶ複数の対象位置Ｍｐｔである。

プロセッサ８１０は、抽出された複数の対象位置Ｍｐｔを表す複数の座標点（ここでは、第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとの二次元座標で表される座標点）を近似する線を、算出する。近似線としては、縁Ｅ１の形状に適した線が利用される。縁Ｅ１が直線状である場合、近似直線が、算出される。縁Ｅ１が曲線状である場合、近似曲線（例えば、スプライン関数で表される曲線）が、算出される。縁Ｅ２を近似する線と、縁Ｅ３を近似する線とについても、同様に、算出される。

プロセッサ８１０は、対象部分３０ｔを表す複数の対象位置Ｍｐｔから、以下の条件１Ａ、１Ｂを満たす対象位置Ｍｐｔを、検索する。
＜条件１Ａ＞第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとの二次元の座標が、縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の近似線で囲まれる領域の外の座標である。
＜条件１Ｂ＞第３軸Ｚａの座標が、特定面Ｓ１（具体的には、特定面Ｓ１の近似平面）よりも第２チップ３９側の座標である。
これらの条件１Ａ、１Ｂを満たす対象位置Ｍｐｔは、図７の部分Ｐ１のような第１種非意図的部分上の測定位置Ｍｐを表している。

図４のＳ２５０では、プロセッサ８１０は、条件１Ａ、１Ｂを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかったか否かを判断する。条件１Ａ、１Ｂを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかることは、図７（Ａ）、図７（Ｂ）の接地電極３０ａの対象部分３０ａｔのように、接地電極の対象部分が第１種非意図的部分を含むことを意味している。条件１Ａ、１Ｂを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかった場合、すなわち、対象部分が第１種非意図的部分を含むと判断される場合（Ｓ２５０：Ｙｅｓ）、接地電極は、不採用であり、製造対象から除外される（Ｓ２９８）。Ｓ２９８では、プロセッサ８１０は、判断結果を表す結果情報を、結果情報を受け付ける装置に、出力する。例えば、プロセッサ８１０は、結果情報を表示部８４０に出力し、表示部８４０に判断結果を表示させる。ユーザは、表示部８４０を観察することによって、判断結果を特定できる。また、プロセッサ８１０は、結果情報を記憶装置（例えば、不揮発性記憶装置８３０）に出力してもよい（すなわち、結果情報を記憶装置に格納してもよい）。ユーザは、記憶装置の結果情報を参照することによって、判断結果を特定できる。そして、図４の処理が終了する。

条件１Ａ、１Ｂを満たす対象位置Ｍｐｔが見つからない場合（Ｓ２５０：Ｎｏ）、Ｓ２６０で、プロセッサ８１０は、第１種三次元データを解析することによって、第２種非意図的部分を検索する。図８は、第２種非意図的部分の説明図である。図８（Ａ）は、前方向Ｄｆ（すなわち、−Ｚａ方向）を向いて見た接地電極３０ｂを示し、図８（Ｂ）は、延長方向Ｄ３７に反対の方向（すなわち、−Ｘａ方向）を向いて見た接地電極３０ｂを示している。図中の方向Ｘａ、Ｙａ、Ｚａは、それぞれ、原点Ｏａ位置とは無関係に、座標軸Ｘａ、Ｙａ、Ｚａの正の方向を示している。以下、図８の接地電極３０ｂを参照して、説明する。

図中の接地電極３０ｂでは、接合部２００ｂは、棘のように突出する部分Ｐ２を含んでいる。このように局所的に突出する意図しない突出部分Ｐ２は、種々の要因によって、形成され得る。例えば、スパッタが生じる場合に、突出部分Ｐ２も形成される。このような突出部分Ｐ２は、図７の第１種非意図的部分Ｐ１と同様に、点火プラグの運搬時に不具合を引き起こし得る。また、細く尖った突出部分Ｐ２は、放電面Ｓ２の代わりに、放電の起点となり得る。

このような突出部分（すなわち、第２種非意図的部分）を検出する方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、プロセッサ８１０は、対象部分３０ｂｔのうちの特定面Ｓ１よりも第２チップ３９側の複数の対象位置Ｍｐｔが分布する領域の輪郭を利用して、第２種非意図的部分を検出する。

図８（Ｃ）は、接合部２００ｂ上の複数の対象位置Ｍｐｔの説明図である。図中には、第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとで表される二次元平面上での複数の対象位置Ｍｐｔの配置例が示されている。図中には、突出部分Ｐ２を含む一部分が示されている。白丸で示される対象位置Ｍｐｔは、複数の対象位置Ｍｐｔが分布する領域の輪郭を形成する対象位置Ｍｐｔであり、接合部２００ｂの輪郭を表している（輪郭位置Ｍｐｅとも呼ぶ）。太線で示される近似曲線ＡＯは、複数の輪郭位置Ｍｐｅの配置を近似する曲線である（近似輪郭線ＡＯとも呼ぶ）。適切な接合部の輪郭は、緩やかな曲線を描くので、接合部の輪郭を近似する近似輪郭線ＡＯとしては、曲率半径が過度に小さくならないように、構成されている。例えば、近似輪郭線ＡＯは、円、楕円、次数の小さい多項式などで、表される。このような近似輪郭線ＡＯは、突出部分Ｐ２のように細い突出部の輪郭位置Ｍｐｅをなぞらずに、接合部２００ｂの複数の輪郭位置Ｍｐｅのうち突出部分Ｐ２以外の部分の複数の輪郭位置Ｍｐｅを滑らかになぞるように、算出される。なお、本実施形態では、近似輪郭線ＡＯとしては、接合部の輪郭を全周に亘ってなぞるループ状の線が、算出される。ただし、接続部のうちの突出部分Ｐ２のような突出部分を含む一部分のみの輪郭を表す近似輪郭線が、算出されてもよい。

図中の対象位置Ｍｐｈｘは、突出部分Ｐ２上の測定位置Ｍｐである。距離ｄｍは、対象位置Ｍｐｈｘと近似輪郭線ＡＯとの間の最短距離である。突出部分Ｐ２は、近似輪郭線ＡＯの外側に向かって突出しているので、距離ｄｍは、大きくなる。このように、近似輪郭線ＡＯの外側において、近似輪郭線ＡＯから遠い位置に接合部２００ｂ上の対象位置Ｍｐｔが検出される場合、検出される対象位置Ｍｐｔは、細い突出部分（例えば、図８（Ｃ）の突出部分Ｐ２）を表していると推定される。プロセッサ８１０は、このように近似輪郭線ＡＯの外側において近似輪郭線ＡＯから遠い対象位置Ｍｐｔが検出される場合に、接合部が第２種非意図的部分を含むと判断する。

具体的には、プロセッサ８１０は、複数の対象位置Ｍｐｔから、第３軸Ｚａの座標が特定面Ｓ１（具体的には、特定面Ｓ１の近似平面）よりも第２チップ３９側の座標である対象位置Ｍｐｔを、抽出する。抽出される複数の対象位置Ｍｐｔは、特定面Ｓ１上の対象位置Ｍｐｔを含まずに、特定面Ｓ１よりも高い部分（すなわち、接合部と第２チップ）の外面上の対象位置Ｍｐｔを含む（高対象位置Ｍｐｈとも呼ぶ）。プロセッサ８１０は、抽出された複数の高対象位置Ｍｐｈから、複数の高対象位置Ｍｐｈの第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとの２次元座標（すなわち、特定面Ｓ１に平行な方向の座標）が分布する領域の輪郭を形成する輪郭位置Ｍｐｅを特定する。

輪郭位置Ｍｐｅを特定する方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、注目している高対象位置Ｍｐｈを囲む８個の測定位置Ｍｐのうちの高対象位置Ｍｐｈとは異なる測定位置Ｍｐの総数を数える（外総数と呼ぶ）。高対象位置Ｍｐｈとは異なる測定位置Ｍｐは、例えば、特定面Ｓ１上の測定位置Ｍｐ、または、対象部分３０ｂｔから外れた測定位置Ｍｐである。外総数が多いことは、注目している高対象位置Ｍｐｈが、複数の高対象位置Ｍｐｈの分布する領域の外の領域に接していることを、示している。従って、外総数が予め決められた閾値Ｎ以上である場合に、注目している高対象位置Ｍｐｈが、輪郭位置Ｍｐｅであると判断できる。閾値Ｎは、１以上、７以下の整数である。図８（Ｃ）の例では、閾値Ｎは、３である。

プロセッサ８１０は、特定された複数の輪郭位置Ｍｐｅを近似する近似輪郭線ＡＯを算出する。近似輪郭線ＡＯは、突出部分Ｐ２のように局所的に突出する部分の輪郭位置Ｍｐｅをなぞらずに、適切な接合部の緩やかに湾曲する輪郭をなぞることができるように、構成されている。例えば、円、楕円、次数の小さい多項式などで、複数の輪郭位置Ｍｐｅが近似される。

プロセッサ８１０は、算出された近似輪郭線ＡＯの外側の高対象位置Ｍｐｈと近似輪郭線ＡＯとの間の最短距離を、高対象位置Ｍｐｈ毎に算出する。そして、プロセッサ８１０は、算出された最短距離が予め決められた距離閾値Ｄｔ以上である高対象位置Ｍｐｈを、検索する。すなわち、プロセッサ８１０は、以下の条件２Ａ、２Ｂ、２Ｃを満たす対象位置Ｍｐｔを、検索する。
＜条件２Ａ＞第３軸Ｚａの座標が、特定面Ｓ１（具体的には、特定面Ｓ１の近似平面）よりも第２チップ３９側の座標である。
＜条件２Ｂ＞第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとの二次元の座標が、近似輪郭線ＡＯの外の座標である。
＜条件２Ｃ＞最短距離が距離閾値Ｄｔ以上である。
ここで、距離閾値Ｄｔは、接合部の形状が適切である場合に近似輪郭線ＡＯの外側において検出される高対象位置Ｍｐｈの最短距離の取り得る値よりも、十分に大きな値に設定される。これらの条件２Ａ、２Ｂ、２Ｃを満たす対象位置Ｍｐｔは、図８の突出部分Ｐ２のような局所的に突出する部分（すなわち、第２種非意図的部分）上の測定位置Ｍｐを表している。

図４のＳ２７０では、プロセッサ８１０は、条件２Ａ−２Ｃを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかったか否かを判断する。条件２Ａ−２Ｃを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかることは、図８（Ａ）、図８（Ｂ）の接地電極３０ｂの対象部分３０ｂｔのように、接地電極の対象部分が第２種非意図的部分を含むことを意味している。条件２Ａ−２Ｃを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかった場合、すなわち、対象部分が第２種非意図的部分を含むと判断される場合（Ｓ２７０：Ｙｅｓ）、接地電極は、不採用であり、製造対象から除外される（Ｓ２９８）。そして、図４の処理が終了する。

条件２Ａ−２Ｃを満たす対象位置Ｍｐｔが見つからない場合（Ｓ２７０：Ｎｏ）、Ｓ２８０で、プロセッサ８１０は、第２種三次元データを解析することによって、第３種非意図的部分を検索する。図９は、第３種非意図的部分の説明図である。図９（Ａ）は、前方向Ｄｆ（すなわち、−Ｚｂ方向）を向いて見た接地電極３０ｃを示し、図９（Ｂ）は、延長方向Ｄ３７に反対の方向（すなわち、−Ｘｂ方向）を向いて見た接地電極３０ｃを示している。図中の方向Ｘｂ、Ｙｂ、Ｚｂは、それぞれ、原点Ｏｂ位置とは無関係に、座標軸Ｘｂ、Ｙｂ、Ｚｂの正の方向を示している。以下、図９の接地電極３０ｃを参照して、説明する。

図中の接地電極３０ｃでは、接合部２００ｃは、放電面Ｓ２よりも後方向Ｄｆｒ側まで延びる部分Ｐ３を含んでいる。このように放電面Ｓ２よりも後方向Ｄｆｒ側まで延びる意図しない接合部は、種々の要因によって、形成され得る。接合部２００ｃのうちの意図しない突出する部分は、放電面Ｓ２の代わりに、放電の起点となり得る。このような接合部は、放電面Ｓ２を挟む両側のうち第２チップ３９側とは反対側にある部分である第３種非意図的部分を含む。図９の例では、ハッチングで示された部分Ｐ３が、第３種非意図的部分である。

プロセッサ８１０は、第２種三次元データを解析することにより、接地電極３０ｃの対象部分３０ｃｔを表す複数の対象位置Ｍｐｔを特定する。そして、プロセッサ８１０は、複数の対象位置Ｍｐｔから、以下の条件３Ａを満たす対象位置Ｍｐｔを、検索する。
＜条件３Ａ＞第３軸Ｚｂの座標が、放電面Ｓ２（具体的には、放電面Ｓ２の近似平面）の第２チップ３９側とは反対側の座標である。
この条件３Ａを満たす対象位置Ｍｐｔは、図９の部分Ｐ３のような第３種非意図的部分上の対象位置Ｍｐｔを表している。

図４のＳ２９０では、プロセッサ８１０は、条件３Ａを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかったか否かを判断する。条件３Ａを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかることは、図９（Ａ）、図９（Ｂ）の接地電極３０ｃの対象部分３０ｃｔのように、接地電極の対象部分が第３種非意図的部分を含むことを意味している。条件３Ａを満たす対象位置Ｍｐｔが見つかった場合、すなわち、対象部分が第３種非意図的部分を含むと判断される場合（Ｓ２９０：Ｙｅｓ）、接地電極は、不採用であり、製造対象から除外される（Ｓ２９８）。そして、図４の処理が終了する。

接地電極の対象部分が、第１種非意図的部分と第２種非意図的部分と第３種非意図的部分とのいずれも含まないと判断される場合（Ｓ２５０：Ｎｏ、Ｓ２７０：Ｎｏ、Ｓ２９０：Ｎｏ）、接地電極は、製造対象として採用される（Ｓ２９４）。Ｓ２９４では、Ｓ２９８と同様に、プロセッサ８１０は、判断結果を表す結果情報を、結果情報を受け付ける装置に、出力する。そして、図４の処理が終了する。図２の処理では、製造対象として採用される接地電極を用いて、点火プラグ１００が製造される。

以上のように、図４のＳ２２０では、プロセッサ８１０（図５）は、本体部３７と、本体部３７の特定面Ｓ１に接合された第２チップ３９と、を含む接地電極３０のうち、本体部３７の特定面Ｓ１の一部と第２チップ３９とを含む対象部分３０ｔの外面上の複数の測定位置Ｍｐのそれぞれの相対的位置を特定する。Ｓ２３０では、プロセッサ８１０は、対象部分の立体形状を表す三次元の座標データを生成する。Ｓ２４０−Ｓ２５０、Ｓ２６０−Ｓ２７０、Ｓ２８０−Ｓ２９０のそれぞれでは、プロセッサ８１０は、座標データを解析することによって、対象部分が非意図的部分を含むか否かを判断する。Ｓ２９８では、非意図的部分を含む接地電極が、製造対象から除外される。Ｓ２９４では、非意図的部分を含まないと判断された接地電極３０が、製造対象の部材として採用され、点火プラグ１００が組み立てられる（図２）。このように、接地電極の対象部分が非意図的部分を含むか否かの判断に、三次元の座標データが用いられるので、接地電極の汚れなどの影響を緩和でき、接地電極の本体部とチップ３９との接合の不具合の有無を適切に判断できる。

また、図４のＳ２３０と図６（Ａ）、図６（Ｂ）とで説明したように、三次元の座標データを生成することは、第１座標系ＣＳ１での座標（すなわち、本体部３７の特定面Ｓ１を基準とする相対的な座標）を表す第１種三次元座標データと、第２座標系ＣＳ２での座標（すなわち、第２チップ３９の放電面Ｓ２を基準とする相対的な座標）を表す第２種三次元座標データと、を生成することを含む。図４のＳ２４０、Ｓ２６０で説明したように、第１種三次元座標データを用いる場合、特定面Ｓ１を基準とする解析を容易に行うことができる。例えば、対象位置Ｍｐｔが特定面Ｓ１よりもチップ３９側にあるか否かを、第３軸Ｚａの座標のみを用いて、判断できる。また、対象位置Ｍｐｔが、縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の外にあるか否かを、第１軸Ｘａと第２軸Ｙａとの２個の座標のみを用いて、判断できる。また、図４のＳ２８０で説明したように、第２種三次元座標データを用いる場合、放電面Ｓ２を基準とする解析を容易に行うことができる。例えば、対象位置Ｍｐｔが放電面Ｓ２のチップ３９側とは反対側にあるか否かを、第３軸Ｚｂの座標のみを用いて、判断できる。このように、第１種三次元座標データと第２種三次元座標データとを用いることによって、解析を容易に行うことができる

また、図４のＳ２４０、Ｓ２５０、図７で説明したように、座標データの解析の結果において、接地電極３０ａの対象部分３０ａｔが、本体部３７の特定面Ｓ１に垂直な方向の位置（ここでは、第３軸Ｚａの座標）が特定面Ｓ１を挟む両側のうちの本体部３７側とは反対側（すなわち、チップ３９側）にあり、かつ、特定面Ｓ１に平行な方向の位置が特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３よりも外側にある部分である第１種非意図的部分Ｐ１を含む場合には、接地電極３０ａの対象部分３０ａｔが非意図的部分を含むと判断される。従って、接合部２００ａが本体部３７の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の外側にはみ出る場合に、接地電極３０ａの対象部分３０ａｔが非意図的部分を含むという適切な判断が可能である。

また、図４のＳ２６０、Ｓ２７０、図８で説明したように、座標データの解析の結果において、接地電極３０ｂの対象部分３０ｂｔは、本体部３７の特定面Ｓ１に垂直な方向の位置（ここでは、第３軸Ｚａの座標）が特定面Ｓ１を挟む両側のうちの本体部３７側とは反対側（すなわち、チップ３９側）にある部分である反対部分（具体的には、接合部２００ｂとチップ３９とを含む部分）を含む。図８（Ｃ）で説明したように、反対部分は、複数の高対象位置Ｍｐｈによって、表される。そして、近似輪郭線ＡＯの外側において、近似輪郭線ＡＯまでの最短距離が距離閾値Ｄｔ以上である高対象位置Ｍｐｈが検出される場合、すなわち、反対部分が、特定面Ｓ１に平行な方向に局所的に突出する部分である第２種非意図的部分Ｐ２を含む場合に、接地電極３０ｂの対象部分３０ｂｔが非意図的部分Ｐ２を含むと判断される。従って、接合部２００ｂが局所的に突出する部分Ｐ２を含む場合に、接地電極３０ｂの対象部分３０ｂｔが非意図的部分を含むという適切な判断が可能である。

また、図４のＳ２８０、Ｓ２９０、図９で説明したように、座標データの解析の結果において、接地電極３０ｃの対象部分３０ｃｔが、チップ３９の放電面Ｓ２に垂直な方向の位置（ここでは、第３軸Ｚｂの座標）が放電面Ｓ２を挟む両側のうちのチップ３９側とは反対側にある部分である第３種非意図的部分Ｐ３を含む場合には、接地電極３０ｃの対象部分３０ｃｔが非意図的部分Ｐ３を含むと判断される。従って、接合部２００ｃが放電面Ｓ２よりも後方向Ｄｆｒ側に飛び出す場合に、接地電極３０ｃの対象部分３０ｃｔが非意図的部分を含むという適切な判断が可能である。

Ｂ．変形例：
（１）接地電極３０（図５）のうちの三次元座標データによって表される対象部分としては、本体部３７の特定面Ｓ１の少なくとも一部とチップ３９とを含む種々の部分を採用可能である。例えば、対象部分から、特定面Ｓ１のうちのチップ３９が接合された部分の近傍の３個の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３から任意に選択された１以上の縁が省略されてもよい。ただし、図８の第１種非意図的部分Ｐ１のように、特定面Ｓ１の縁よりも外側に配置される第１種非意図的部分を検索するためには、対象部分は、特定面Ｓ１の縁の少なくとも一部を含むことが好ましい。

（２）接地電極３０の本体部３７とチップ３９との接合部２００が意図しない部分である予め決められた非意図的部分を含むか否かを判断する方法は、上記実施形態の方法に代えて、他の種々の方法であってよい。例えば、図４のＳ２４０、Ｓ２６０の処理において、特定面Ｓ１を表す近似平面は、特定面グループの複数の対象位置Ｍｐｔの全てに代えて、特定面グループの複数の対象位置Ｍｐｔの少なくとも１つの対象位置Ｍｐｔを用いて、算出されてよい。例えば、特定面グループの複数の対象位置Ｍｐｔのうちの最も距離の短い対象位置Ｍｐｔ（すなわち、測距装置７１０に最も近い対象位置Ｍｐｔ）を含み、照射方向ＬＤに垂直な平面を、特定面Ｓ１を近似する平面として採用してもよい。図４のＳ２８０の処理で用いられる、放電面Ｓ２を表す近似平面も、同様に、種々の方法で算出されてよい。

また、図４のＳ２４０の処理において、特定面Ｓ１の縁Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３を表す線は、特定面グループの複数の対象位置Ｍｐｔのうち端を形成する複数の対象位置Ｍｐｔの座標点を近似する方法に代えて、他の方法によって特定されてもよい。例えば、プロセッサ８１０は、デジタルカメラを用いて特定面Ｓ１を撮影することによって得られる撮影画像を解析することによって、特定面Ｓ１の縁を特定し、撮影画像の解析結果と第１種三次元座標データとを組み合わせることによって、第１種三次元座標データを表す第１座標系ＣＳ１における縁を決定してもよい。

（３）図４のＳ２６０の処理において、局所的に突出する第２種非意図的部分Ｐ２を検出する方法としては、図８（Ｃ）で説明した方法に代えて、他の種々の方法を採用可能である。例えば、輪郭位置Ｍｐｅの密度を用いて第２種非意図的部分を検出してもよい。図８（Ｃ）には、予め決められた同じ形状と同じ大きさの２つの領域Ａｊ１、Ａｊ２が示されている（図８（Ｃ）の例では、領域Ａｊ１、Ａｊ２は、正方形の領域である）。第１領域Ａｊ１は、突出部分Ｐ２と重なる位置に配置され、第２領域Ａｊ２は、接合部２００ｂの輪郭のうち突出部分Ｐ２とは異なる部分と重なる位置に配置されている。これらの領域Ａｊ１、Ａｊ２は、検出対象の細長い突出部分の幅よりも大きく、かつ、接合部２００ｂよりも十分に小さい領域である。

第１領域Ａｊ１は、突出部分Ｐ２の先端部と重なっている。一般的に、突出部分の先端部は細いので、先端部の周囲は、高対象位置Ｍｐｈとは異なる測定位置Ｍｐに囲まれている。従って、先端部を構成する複数の高対象位置Ｍｐｈは、輪郭位置Ｍｐｅとして特定されやすい。この結果、領域Ａｊ１内の輪郭位置Ｍｐｅの総数は、多くなる。

一方、第２領域Ａｊ２は、接合部２００ｂの突出部分Ｐ２とは異なる部分の輪郭と重なっている。突出部分とは異なる部分の輪郭は、緩やかな曲線で表されるので、第２領域Ａｊ２内では、１本の線に重なる高対象位置Ｍｐｈのみが、輪郭位置Ｍｐｅとして特定され得る。この結果、領域Ａｊ２内の輪郭位置Ｍｐｅの総数は、少なくなる。

このように、第１領域Ａｊ１内の輪郭位置Ｍｐｅの総数は、第２領域Ａｊ２内の輪郭位置Ｍｐｅの総数と比べて、多い。すなわち、接合部２００ｂのうちの局所的に突出する部分Ｐ２では、接合部２００ｂの他の部分と比べて、輪郭位置Ｍｐｅの密度が大きくなる。従って、輪郭位置Ｍｐｅの密度が予め決められた密度閾値以上である部分を、第２種非意図的部分として検出してよい。この方法では、近似輪郭線ＡＯを用いずに、第２種非意図的部分を検出できる。なお、輪郭位置Ｍｐｅの密度は、予め決められた形状と大きさの領域を用いて算出される密度であり、局所的な密度である。また、密度閾値は、接合部の形状が適切である場合に検出され得る輪郭位置Ｍｐｅの密度よりも、十分に大きな値に設定される。

一般的には、以下のような種々の方法を採用可能である。すなわち、特定面Ｓ１に垂直な方向の位置が特定面Ｓ１よりもチップ３９側（すなわち、基部である本体部３７とは反対側）である複数の高対象位置Ｍｐｈを特定する。特定された複数の高対象位置Ｍｐｈの特定面Ｓ１に平行な方向の位置が分布する領域の輪郭を表す輪郭位置Ｍｐｅを特定する。特定された輪郭位置Ｍｐｅを解析することによって、高対象位置Ｍｐｈの分布する領域が、特定面Ｓ１に平行な方向に局所的に突出する部分を含むか否かを判断する。高対象位置Ｍｐｈの分布領域が突出する部分を含む場合、電極の対象部分は第２種非意図的部分を含む、と判断できる。

（４）電極の対象部分に含まれるか否かが判断される非意図的部分としては、図７、図８、図９で説明した３種類の非意図的部分に代えて、種々の非意図的部分を採用してよい。例えば、上記３種類の非意図的部分のうち、予め任意に選択された１種または２種の非意図的部分の判断が、省略されてもよい。すなわち、図４の「Ｓ２４０−Ｓ２５０」と「Ｓ２６０−Ｓ２７０」と「Ｓ２８０−Ｓ２９０」とのうちの１つまたは２つが、省略されてもよい。また、上記３種類の非意図的部分とは異なる別の種類の非意図的部分が、電極の対象部分に含まれるか否かが判断されてもよい。なお、図７−図９の３種類の非意図的部分は、いずれも、不具合を引き起こし得る。従って、これら３種類の非意図的部分のうちの少なくとも１種類の非意図的部分が、電極の対象部分に含まれるか否かの判断の対象であることが、好ましい。

（５）三次元座標データとしては、図６（Ａ）に示す特定面Ｓ１を基準とする第１座標系ＣＳ１で表される第１種三次元座標データと、図６（Ｂ）に示す放電面Ｓ２を基準とする第２座標系ＣＳ２で表される第２種三次元座標データと、のいずれか一方のみが、生成されてもよい。また、第１座標系ＣＳ１と第２座標系ＣＳ２との何れとも異なる座標系で表される三次元座標データが生成されてもよい（例えば、予め決められた座標系）。いずれの場合も、プロセッサ８１０は、非意図的部分が電極の対象部分に含まれるか否かの判断を、三次元座標データを解析し、上述した判断方法と同様の方法で、行うことができる。

なお、特定面Ｓ１を基準とする相対的な座標を表す座標系としては、１本の座標軸が特定面Ｓ１に垂直であるような、種々の座標系を採用可能である。例えば、互いに直交する３本の座標軸のうち、１本の座標軸が特定面Ｓ１に垂直であり、２本の座標軸が特定面Ｓ１に平行であってよい。ここで、原点は、特定面Ｓ１から離れた位置に配置されてもよい。また、特定面Ｓ１に平行な方向の位置が、極座標系で表されてもよい。同様に、放電面Ｓ２を基準とする相対的な座標を表す座標系としては、１本の座標軸が放電面Ｓ２に垂直であるような、種々の座標系を採用可能である。例えば、互いに直交する３本の座標軸のうち、１本の座標軸が放電面Ｓ２に垂直であり、２本の座標軸が放電面Ｓ２に平行であってよい。ここで、原点は、放電面Ｓ２から離れた位置に配置されてもよい。また、放電面Ｓ２に平行な方向の位置が、極座標系で表されてもよい。

なお、測距装置７１０（図５）に対する接地電極３０の向きが、特定面Ｓ１が照射方向ＬＤ（ひいては、測距装置７１０によって測定される距離の方向）におおよそ垂直となるように、調整される場合、測距装置７１０によって測定される距離を、そのまま、特定面Ｓ１に垂直な方向の座標として用いてもよい。放電面Ｓ２に垂直な方向の座標についても、同様である。

（６）電極の対象部分の外面上の複数の点のそれぞれの相対的な位置を特定するために利用される測定装置は、図５で説明した測距装置７１０に代えて、対象部分上の複数の点の立体的な位置関係を測定可能な任意の装置であってよい。例えば、タッチプローブを電極の対象部分の複数の点のそれぞれに接触させることによって、複数の点の立体的な位置関係を測定する装置を用いてもよい。ただし、立体的な位置関係の高精度の測定を行うためには、非接触の三次元座標測定装置を用いることが好ましい。

（７）本体部３７とチップ３９とを接合する方法は、抵抗溶接に代えて、他の種々の方法であってよい。例えば、レーザ溶接によって、本体部３７に第２チップ３９が接合されてもよい。いずれの場合も、本体部３７とチップ３９とを接合する接合部が、非意図的部分を含むか否かの判断結果を利用して、接地電極３０を準備することが好ましい。

（８）非意図的部分を含むか否かの判断結果を利用して準備される電極は、接地電極３０に代えて、中心電極２０であってもよい。この場合、棒部２８と第１チップ２９との接合部分が、非意図的部分を含むか否かの判断結果を利用して、中心電極２０を準備することが好ましい。

（９）点火プラグの構成としては、上記各実施形態の構成に代えて、他の種々の構成を採用可能である。例えば、先端側パッキン８（図１）が省略されてもよい。この場合、主体金具の縮内径部５６は、直接的に、絶縁体の縮外径部１６を、支持する。また、中心電極の先端部の先端面（例えば、図１の第１チップ２９の前方向Ｄｆ側の面）に代えて、中心電極の先端部の側面（軸線ＣＬに垂直な方向側の面）と、接地電極とが、放電用のギャップを形成してもよい。放電用のギャップの総数が２以上であってもよい。抵抗体７３が省略されてもよい。絶縁体の貫通孔内の中心電極と端子金具との間に、磁性体が配置されてもよい。

（１０）図５の制御装置８００は、パーソナルコンピュータとは異なる種類の装置であってもよい。例えば、制御装置８００は、測距装置７１０に組み込まれていてもよい。また、ネットワークを介して互いに通信可能な複数の装置（例えば、コンピュータ）が、制御装置によるデータ処理の機能を一部ずつ分担して、全体として、制御装置の機能を提供してもよい（これらの装置を備えるシステムが制御装置に対応する）。

上記各実施形態において、ハードウェアによって実現されていた構成の一部をソフトウェアに置き換えるようにしてもよく、逆に、ソフトウェアによって実現されていた構成の一部あるいは全部をハードウェアに置き換えるようにしてもよい。例えば、図４のＳ２３０の機能を、専用のハードウェア回路によって実現してもよい。

また、本発明の機能の一部または全部がコンピュータプログラムで実現される場合には、そのプログラムは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体（例えば、一時的ではない記録媒体）に格納された形で提供することができる。プログラムは、提供時と同一または異なる記録媒体（コンピュータ読み取り可能な記録媒体）に格納された状態で、使用され得る。「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」は、メモリーカードやＣＤ−ＲＯＭのような携帯型の記録媒体に限らず、各種ＲＯＭ等のコンピュータ内の内部記憶装置や、ハードディスクドライブ等のコンピュータに接続されている外部記憶装置も含み得る。

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。

８…先端側パッキン、１０…絶縁体、１１…縮内径部、１２…貫通孔（軸孔）、１３…後端側胴部、１４…大径部、１５…先端側胴部、１６…縮外径部、１９…脚部、２０…中心電極、２１…外層、２２…芯部、２３…鍔部、２４…頭部、２７…軸部、２８…棒部、２９…第１チップ、３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ…接地電極、３０ｔ、３０ａｔ、３０ｂｔ、３０ｃｔ…対象部分、３１…外層、３２…内層、３３…基端部、３４…先端部、３７…本体部、３７ｅ…先端面、３９…第２チップ、４０…端子金具、４１…軸部、４８…鍔部、４９…キャップ装着部、５０…主体金具、５１…工具係合部、５２…先端側胴部、５３…カシメ部、５４…中胴部、５５…先端面、５６…縮内径部、５７…ネジ部、５８…座屈部、５９…貫通孔、６１、６２…リング部材、７０…タルク、７２…第１シール部、７３…抵抗体、７４…第２シール部、９０…ガスケット、１００…点火プラグ、２００、２００ａ、２００ｂ、２００ｃ…接合部（溶融部）、３００…座面、４１０…第１支持部、４２０…第２支持部、７００…測距システム、７１０…測距装置、７２０…支持装置、７２２…アーム、７２４…駆動源、８００…制御装置、８１０…プロセッサ、８１５…記憶装置、８２０…揮発性記憶装置、８３０…不揮発性記憶装置、８３２…プログラム、８４０…表示部、８５０…操作部、８７０…インタフェース、１０００…測定システム、ｇ…ギャップ、Ｄｆ…先端方向（前方向）、Ｄｆｒ…後端方向（後方向）、Ｄｔ３７…目標方向、Ｐ１…第１種非意図的部分、Ｐ２…第２種非意図的部分（突出部分）、Ｐ３…第３種非意図的部分、Ｓ１…特定面、Ｓ２…放電面、Ｓ３…外周面、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３…縁、ＳＤ…走査方向、ＭＤ…移動方向、ＬＤ…照射方向、ＣＬ…中心軸（軸線）、ＡＯ…近似輪郭線（近似曲線）、Ｏａ、Ｏｂ…原点、Ｘａ、Ｘｂ…第１軸、Ｙａ、Ｙｂ…第２軸、Ｚａ、Ｚｂ…第３軸、Ｍｐ…測定位置（点）、Ｍｐｔ…対象位置、Ｍｐｏ…外位置、Ｍｐｅ…輪郭位置、Ｄ３７…延長方向、ＣＳ１…第１座標系、ＣＳ２…第２座標系、Ｌｚ１…レーザ光、Ｌｚ２…反射光

Claims (5)

1. 基部と前記基部の特定の外面である特定面に接合されるとともに放電面を形成するチップとを含む電極を有する点火プラグの製造方法であって、
   基部と前記基部に接合されたチップとを含む電極のうち、前記基部の特定面の少なくとも一部と前記チップとを含む部分である対象部分の外面上の複数の点のそれぞれの相対的な位置を特定することによって、前記対象部分の立体形状を表す三次元の座標データを生成し、
   前記座標データを解析することによって、前記電極の前記対象部分が、意図しない部分である予め決められた非意図的部分を含むか否かを判断し、
   前記非意図的部分を含む前記電極を製造対象から除外し、
   前記非意図的部分を含まない前記電極を用いて、点火プラグを組み立てる、
   製造方法。
2. 請求項１に記載の製造方法であって、
   前記三次元の座標データを生成することは、前記基部の前記特定面を基準とする相対的な座標を表す第１種の三次元座標データと、前記チップの放電面を基準とする相対的な座標を表す第２種の三次元座標データと、の少なくとも一方を生成することを、含む、
   製造方法。
3. 請求項１または２に記載の製造方法であって、
   前記座標データの解析の結果において、
   前記電極の前記対象部分が、前記基部の前記特定面に垂直な方向の位置が前記特定面を挟む両側のうちの前記基部側とは反対側にあり、かつ、前記特定面に平行な方向の位置が前記特定面の縁よりも外側にある部分である第１種非意図的部分を含む場合には、前記電極の前記対象部分が前記非意図的部分を含むと判断される、
   製造方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記座標データの解析の結果において、
   前記電極の前記対象部分が、前記基部の前記特定面に垂直な方向の位置が前記特定面を挟む両側のうちの前記基部側とは反対側にある部分である反対部分を含み、
   前記反対部分が、前記特定面に平行な方向に局所的に突出する部分である第２種非意図的部分を含む場合に、前記電極の前記対象部分が前記非意図的部分を含むと判断する、
   製造方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の製造方法であって、
   前記座標データの解析の結果において、
   前記電極の前記対象部分が、前記チップの放電面に垂直な方向の位置が前記放電面を挟む両側のうちの前記チップ側とは反対側にある部分である第３種非意図的部分を含む場合には、前記電極の前記対象部分が前記非意図的部分を含むと判断される、
   製造方法。

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