JP2018152582A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018152582A5
JP2018152582A5 JP2018090077A JP2018090077A JP2018152582A5 JP 2018152582 A5 JP2018152582 A5 JP 2018152582A5 JP 2018090077 A JP2018090077 A JP 2018090077A JP 2018090077 A JP2018090077 A JP 2018090077A JP 2018152582 A5 JP2018152582 A5 JP 2018152582A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
modification
laser beam
laser
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018090077A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6748144B2 (ja
JP2018152582A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102014018841.8A external-priority patent/DE102014018841A1/de
Priority claimed from DE102014018720.9A external-priority patent/DE102014018720A1/de
Priority claimed from DE102015000449.2A external-priority patent/DE102015000449A1/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2018152582A publication Critical patent/JP2018152582A/ja
Publication of JP2018152582A5 publication Critical patent/JP2018152582A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6748144B2 publication Critical patent/JP6748144B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2018090077A 2014-11-27 2018-05-08 物質変化による固体分離 Active JP6748144B2 (ja)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014017583.9 2014-11-27
DE102014017583 2014-11-27
DE102014017582 2014-11-27
DE102014017582.0 2014-11-27
DE102014018841.8A DE102014018841A1 (de) 2014-11-27 2014-12-17 Laserbasiertes Trennverfahren
DE102014018720.9A DE102014018720A1 (de) 2014-11-27 2014-12-17 Festkörpertrennverfahren mit laserbasierter Vorschädigung
DE102014018841.8 2014-12-17
DE102015000449.2 2015-01-15
DE102015000449.2A DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2015-01-15 Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
DE102014018720.9 2017-12-17

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016570350A Division JP6396505B2 (ja) 2014-11-27 2015-11-27 物質変化による固体分離

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018152582A JP2018152582A (ja) 2018-09-27
JP2018152582A5 true JP2018152582A5 (enExample) 2018-11-22
JP6748144B2 JP6748144B2 (ja) 2020-08-26

Family

ID=56075088

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016570350A Active JP6396505B2 (ja) 2014-11-27 2015-11-27 物質変化による固体分離
JP2018090077A Active JP6748144B2 (ja) 2014-11-27 2018-05-08 物質変化による固体分離

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016570350A Active JP6396505B2 (ja) 2014-11-27 2015-11-27 物質変化による固体分離

Country Status (8)

Country Link
US (3) US11407066B2 (enExample)
EP (6) EP4122633B1 (enExample)
JP (2) JP6396505B2 (enExample)
KR (6) KR102753492B1 (enExample)
CN (3) CN108838562B (enExample)
MY (2) MY174094A (enExample)
SG (1) SG11201704275UA (enExample)
WO (1) WO2016083610A2 (enExample)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015000449A1 (de) 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
CN107000125B (zh) 2014-11-27 2022-08-12 西尔特克特拉有限责任公司 基于激光器的分离方法
CN108838562B (zh) * 2014-11-27 2021-08-17 西尔特克特拉有限责任公司 借助于材料转化的固体分开
JP6698468B2 (ja) * 2016-08-10 2020-05-27 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
DE102017010284A1 (de) * 2017-11-07 2019-05-09 Siltectra Gmbh Verfahren zum Dünnen von mit Bauteilen versehenen Festkörperschichten
DE102017007585A1 (de) 2017-08-11 2019-02-14 Siltectra Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Beaufschlagen von Spannungserzeugungsschichten mit Druck zum verbesserten Führen eines Abtrennrisses
KR20200008566A (ko) * 2017-04-20 2020-01-28 실텍트라 게엠베하 구성요소가 제공되는 솔리드 스테이트 층의 두께를 감소시키는 방법
DE102017003830A1 (de) 2017-04-20 2018-10-25 Siltectra Gmbh Verfahren zur Waferherstellung mit definiert ausgerichteten Modifikationslinien
JP6923877B2 (ja) * 2017-04-26 2021-08-25 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
DE102017007586A1 (de) 2017-08-11 2019-02-14 Siltectra Gmbh Fertigungsanlage zum Abtrennen von Wafern von Spendersubstraten
JP7267923B2 (ja) * 2017-09-04 2023-05-02 リンテック株式会社 薄型化板状部材の製造方法、及び薄型化板状部材の製造装置
JP6943388B2 (ja) * 2017-10-06 2021-09-29 国立大学法人埼玉大学 基板製造方法
CN107731887B (zh) * 2017-11-22 2020-05-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板的制备方法
DE102018001327A1 (de) * 2018-02-20 2019-08-22 Siltectra Gmbh Verfahren zum Erzeugen von kurzen unterkritischen Rissen in Festkörpern
JP7256604B2 (ja) * 2018-03-16 2023-04-12 株式会社ディスコ 非破壊検出方法
US10940611B2 (en) 2018-07-26 2021-03-09 Halo Industries, Inc. Incident radiation induced subsurface damage for controlled crack propagation in material cleavage
US11309191B2 (en) 2018-08-07 2022-04-19 Siltectra Gmbh Method for modifying substrates based on crystal lattice dislocation density
JP7327920B2 (ja) * 2018-09-28 2023-08-16 株式会社ディスコ ダイヤモンド基板生成方法
JP7411566B2 (ja) 2018-10-30 2024-01-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US11897056B2 (en) 2018-10-30 2024-02-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device and laser processing method
JP7285067B2 (ja) 2018-10-30 2023-06-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP7246919B2 (ja) * 2018-12-21 2023-03-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置
US10562130B1 (en) * 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
DE102019201438B4 (de) 2019-02-05 2024-05-02 Disco Corporation Verfahren zum Herstellen eines Substrats und System zum Herstellen eines Substrats
US12525453B2 (en) * 2019-04-19 2026-01-13 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
DE102019111985A1 (de) * 2019-05-08 2020-11-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zum herstellen von siliziumcarbid-vorrichtungen und wafer-verbund, der mit laser modifizierte zonen in einem handhabungssubstrat enthält
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
SE1950611A1 (en) 2019-05-23 2020-09-29 Ascatron Ab Crystal efficient SiC device wafer production
EP4012077A4 (en) 2019-08-06 2023-09-20 Kwansei Gakuin Educational Foundation Sic substrate production method
DE102019121827A1 (de) * 2019-08-13 2021-02-18 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Laserätzen mit variierender Ätzselektivität
DE102019122614B4 (de) 2019-08-22 2025-05-15 Infineon Technologies Ag Ausgangssubstrat, wafer-verbund und verfahren zum herstellen von kristallinen substraten und halbleitervorrichtungen
JP7620217B2 (ja) 2019-09-27 2025-01-23 学校法人関西学院 ＳｉＣ半導体装置の製造方法及びＳｉＣ半導体装置
JP7678246B2 (ja) 2019-09-27 2025-05-16 学校法人関西学院 半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造装置
DE102020115878A1 (de) * 2020-06-16 2021-12-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren und System zum Laserschweißen eines Halbleitermaterials
EP3984687A1 (de) * 2020-10-16 2022-04-20 Bystronic Laser AG Strahlbearbeitungskopf und verfahren zur strahlbearbeitung
JP7734363B2 (ja) * 2021-07-02 2025-09-05 国立大学法人埼玉大学 ダイヤモンド基板製造方法
JP7706126B2 (ja) * 2021-10-07 2025-07-11 株式会社デンソー ウエハの製造方法
JP7741000B2 (ja) * 2022-01-25 2025-09-17 株式会社ディスコ 単結晶シリコン基板の製造方法
CN114453770A (zh) * 2022-03-10 2022-05-10 浙江大学杭州国际科创中心 一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片的方法
JP7814245B2 (ja) * 2022-05-27 2026-02-16 株式会社ディスコ 単結晶シリコン基板の製造方法
JP7667213B2 (ja) * 2022-08-23 2025-04-22 環球晶圓股▲ふん▼有限公司 非晶質相改質装置及び単結晶材料の加工方法
DE102023200049A1 (de) 2023-01-03 2024-07-04 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Herstellungsverfahren mit temporärem Schutz von Mikrostrukturen
WO2025258933A1 (ko) * 2024-06-12 2025-12-18 주식회사 아이엠티 휨에 강한 반도체 웨이퍼 및 그 제조 방법
US20260021609A1 (en) 2024-07-19 2026-01-22 Wolfspeed, Inc. Boules with boule-handling carrier processing methods

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
JPH06124913A (ja) 1992-06-26 1994-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー処理方法
JPH0929472A (ja) * 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
US6676878B2 (en) * 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
US7176108B2 (en) * 2002-11-07 2007-02-13 Soitec Silicon On Insulator Method of detaching a thin film at moderate temperature after co-implantation
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US7052978B2 (en) 2003-08-28 2006-05-30 Intel Corporation Arrangements incorporating laser-induced cleaving
US20060240275A1 (en) 2005-04-25 2006-10-26 Gadkaree Kishor P Flexible display substrates
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
US8835802B2 (en) * 2006-01-24 2014-09-16 Stephen C. Baer Cleaving wafers from silicon crystals
US20070298529A1 (en) * 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
US20080070340A1 (en) 2006-09-14 2008-03-20 Nicholas Francis Borrelli Image sensor using thin-film SOI
US7727790B2 (en) * 2007-01-30 2010-06-01 Goldeneye, Inc. Method for fabricating light emitting diodes
EP2218098B1 (en) 2007-11-02 2018-08-15 President and Fellows of Harvard College Production of free-standing solid state layers by thermal processing of substrates with a polymer
CN101740331B (zh) 2008-11-07 2012-01-25 东莞市中镓半导体科技有限公司 利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法
KR20100070159A (ko) 2008-12-17 2010-06-25 삼성전자주식회사 웨이퍼 가공방법
RU2011130872A (ru) * 2008-12-23 2013-01-27 Зилтектра Гмбх Способ получения тонких отдельных слоев твердотельных материалов со структурированными поверхностями
US8432021B2 (en) 2009-05-26 2013-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of SOI substrate
WO2011071889A1 (en) * 2009-12-07 2011-06-16 J.P. Sercel Associates, Inc. Laser lift off systems and methods
JP5614738B2 (ja) * 2010-01-26 2014-10-29 国立大学法人埼玉大学 基板加工方法
JP5479924B2 (ja) 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR20110114972A (ko) * 2010-04-14 2011-10-20 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 기판의 가공 방법
JP5775266B2 (ja) 2010-05-18 2015-09-09 株式会社 オプト・システム ウェハ状基板の分割方法
DE102010030358B4 (de) 2010-06-22 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Abtrennen einer Substratscheibe
JP6121901B2 (ja) * 2010-07-12 2017-04-26 ロフィン−シナー テクノロジーズ インコーポレーテッド レーザーフィラメント形成による材料加工方法
JP2012096274A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Disco Corp レーザー加工装置
RU2459691C2 (ru) 2010-11-29 2012-08-27 Юрий Георгиевич Шретер Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты)
JP5480169B2 (ja) 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR20130103623A (ko) 2011-02-10 2013-09-23 신에츠 폴리머 가부시키가이샤 단결정 기판의 제조 방법 및 내부 개질층 형성 단결정 부재의 제조 방법
JP6004339B2 (ja) 2011-02-10 2016-10-05 信越ポリマー株式会社 内部応力層形成単結晶部材および単結晶基板製造方法
JP5950269B2 (ja) * 2011-02-10 2016-07-13 国立大学法人埼玉大学 基板加工方法及び基板
CN103380482B (zh) * 2011-02-10 2016-05-25 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
RU2469433C1 (ru) 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
JP2013046924A (ja) 2011-07-27 2013-03-07 Toshiba Mach Co Ltd レーザダイシング方法
JP5917862B2 (ja) * 2011-08-30 2016-05-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5899513B2 (ja) 2012-01-12 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板製造方法、および改質層形成装置
JP5843393B2 (ja) * 2012-02-01 2016-01-13 信越ポリマー株式会社 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法
JP5995045B2 (ja) 2012-02-06 2016-09-21 信越ポリマー株式会社 基板加工方法及び基板加工装置
US9214353B2 (en) 2012-02-26 2015-12-15 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
CN102664221B (zh) 2012-05-18 2015-05-27 杭州士兰明芯科技有限公司 Led衬底的剥离方法
CN202655797U (zh) * 2012-05-18 2013-01-09 杭州士兰明芯科技有限公司 激光剥离led衬底的系统
EP2754524B1 (de) * 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
US10041187B2 (en) * 2013-01-16 2018-08-07 QMAT, Inc. Techniques for forming optoelectronic devices
WO2014156688A1 (ja) 2013-03-27 2014-10-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
DE102013007672A1 (de) * 2013-05-03 2014-11-06 Siltectra Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle
CN103380842B (zh) 2013-08-09 2015-03-18 山西省农业科学院经济作物研究所 利用绿豆全株粉制备保健早茶的方法
JP6531885B2 (ja) 2013-10-07 2019-06-19 信越ポリマー株式会社 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
DE102014013107A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Neuartiges Waferherstellungsverfahren
DE102015000449A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Siltectra Gmbh Festkörperteilung mittels Stoffumwandlung
CN108838562B (zh) 2014-11-27 2021-08-17 西尔特克特拉有限责任公司 借助于材料转化的固体分开
CN107000125B (zh) * 2014-11-27 2022-08-12 西尔特克特拉有限责任公司 基于激光器的分离方法
US11309191B2 (en) * 2018-08-07 2022-04-19 Siltectra Gmbh Method for modifying substrates based on crystal lattice dislocation density

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018152582A5 (enExample)
KR102605322B1 (ko) 투명한 취성 파단 물질에 분리 라인을 도입하기 위한 방법 및 장치, 및 이러한 방법에 의해 제조가능하고 분리 라인을 갖는 부재
CN105682848B (zh) 用于处理激光透明的衬底以便随后分离所述衬底的方法
JP6588911B2 (ja) ガラスの３ｄ形成
US11253955B2 (en) Multi-segment focusing lens and the laser processing for wafer dicing or cutting
TWI650231B (zh) 雷射切割複合玻璃製品及切割方法
US9850159B2 (en) High speed laser processing of transparent materials
US12076808B2 (en) Using lasers to reduce reflection of transparent solids, coatings and devices employing transparent solids
US20190062196A1 (en) Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using an afocal beam adjustment assembly
KR20190070340A (ko) 유리 기판에서 홀 및 슬롯의 생성
KR20180061331A (ko) 투명한 재료의 레이저 가공 방법 및 장치
JP2015511571A5 (enExample)
TW201700249A (zh) 晶圓的生成方法
JP2017501884A (ja) サファイア基体をレーザによってレーザ切断する方法、および一続きの欠陥を有するエッジを有するサファイアを含む物品
WO2016059449A1 (en) Method of laser processing for substrate cleaving or dicing through forming "spike-like" shaped damage structures
JP2018507154A (ja) マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
Bhuyan et al. Laser micro-and nanostructuring using femtosecond Bessel beams
TW201635363A (zh) 晶圓的生成方法
TW201639017A (zh) 晶圓的生成方法
KR20170028426A (ko) 2차원의 결정질 기판, 특히 반도체 기판의 레이저 기반 가공을 위한 방법 및 장치
Kaakkunen et al. Water-assisted femtosecond laser pulse ablation of high aspect ratio holes
JP6943388B2 (ja) 基板製造方法
KR101232008B1 (ko) 깊이에 따른 개질면의 특성 조합을 통한 절단 장치
KR20110132004A (ko) 펨토초 펄스 레이저 응용 ｐｚｔ 소자를 이용한 가공면 절단 방법
CN105234556A (zh) 激光加工装置