JP2018152391A

JP2018152391A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2018152391A
Application number: JP2017045604A
Authority: JP
Inventors: 成亘小松; Shigenobu Komatsu; 洋小貫; Hiroshi Konuki; 準二小野塚; Junji Onozuka
Original assignee: Hitachi Automotive Systems Ltd
Current assignee: Hitachi Astemo Ltd
Priority date: 2017-03-10
Filing date: 2017-03-10
Publication date: 2018-09-27
Anticipated expiration: 2037-03-10
Also published as: JP6681357B2

Abstract

【課題】サージによる半導体装置の故障を検知しシステム全体の信頼性を高めるとともに、サージによる不良が発生した場合の故障原因の解析を容易にする【解決手段】ある規定値以上のサージが印加されたことを検出するサージ検知回路と、検知結果を不揮発な方法で記録する記録回路と、検知結果を外部に出力する出力回路を半導体装置に持たせる【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置に係り、特にサージ電圧の検出及び制御に関する。

自動車に搭載される半導体装置には、家電などの民生品に搭載される半導体装置に比べて大きいサージが印加される。その一方で低い故障率が要求される。

サージによる破壊確率を減らすために自動車に搭載される半導体装置には、サージ耐性を高める工夫がなされている。例えば、特許文献1では、保護したい装置以外にサージで発生する電流が流れやすいパスを設計することで、装置のサージ耐性を高めている。

特開２００７−３０３９７８号公報

しかしながら、サージは自動車の外部要因によって発生する可能性もあるため完全な予測が難しく、耐性を高めたとしてもサージ量が完全に予測はできないことから、サージによる破壊をゼロにすることは難しいという課題がある。また、破壊箇所の特定が難しく、信号が出力されなくなるなどの完全な故障であれば外部から検知できるが、半導体装置を構成する素子の特性が変化するような半故障の場合検出が難しいという問題がある。この半故障についてはセンサのようにアナログ素子を構成する半導体素子の特性がセンサの検出値に大きな影響を及ぼし、システム全体の制御に大きな影響を及ぼす場合には特に重要な問題となる。さらに、市場でサージによる不良が発生した場合に、サージによる故障かどうかの原因の特定が難しいという課題がある。

本発明は、半故障を含めて半導体装置の破壊が引き起こされるようなサージが印加されたことを検知しシステムの上位制御装置に通知することで、システム全体で安全性を確保する制御を行う。また、サージ検知の結果を不揮発かつ記録箇所以外にサージによる故障があった場合でも確認可能な記録方法を搭載する。

本発明によれば、サージに対して高い安全性を有する自動車制御システムを提供することができる。また、市場で故障が発生した場合に、サージが故障原因かどうかの解析を容易にすることができる。

本発明の半導体装置を含めたシステムブロック図第１実施例の回路概略図第１実施例の設定電圧概略図第１実施例のサージ検知記憶回路概略図第１実施例の出力回路概略図第1実施例のサージ印加時の波形図第２実施例の回路概略図第２実施例の出力回路概略図第３実施例の回路概略図第４実施例の回路概略図第４実施例のサージ検知回路概略図

本発明では、ある大きさ以上のサージが印加されたことを検知する検知回路と、検知結果を記録する記録回路と、検知回路の検知結果を外部に伝える出力回路を有する半導体装置によって、サージに対する安全性の向上と故障解析の容易性の向上を実現する。以下、本発明の実施例について図を用いて詳細に説明する。

[第１実施例]
本発明の第１実施例について、図１〜図６を用いて説明する。

図１に、本発明を用いた半導体装置の一構成例を示す。ECU(エレクトロニックコントロールユニット)１とブレーキ圧センサ２とブレーキ制御装置３から構成されるブレーキ制御システムを例として示している。ブレーキ圧センサ２はECU1と電源配線４、センサ出力配線５、グラウンド配線６で接続されており、電源配線４とグラウンド配線６から供給される電力で動作し、ブレーキキャリパに供給される油圧をセンシングし、センサ出力配線５の信号を通じて油圧をECU1に伝える。ECU１はブレーキ圧センサ２から送られる油圧情報を元にブレーキ制御装置３を、制御信号配線７を通じて送る制御信号によって制御する。

図２にブレーキ圧センサ２の構成を示す。ブレーキ圧センサ２は、圧力に応じて出力する電気信号が変化するセンサエレメント１０と、センサエレメント１０の出力信号を処理する処理回路１１と、サージ電圧を検知し記録するサージ検知記録回路１２と、外部にセンサ値を出力するセンサ出力回路１３と、内部電源配線１５と、内部センサ出力配線１６と、内部グラウンド配線１７への電源配線４やセンサ出力配線５やグラウンド配線６を通じて外部から印可されるサージの伝搬を低減する保護回路１４を備える。

サージ検知記憶回路１７は、外部からサージが印加されることで内部電源配線１５と内部グラウンド配線１７間の電圧がサージ検知記憶回路１７の検知電圧を超えると、検知電圧を超えるサージが内部電源配線１５と内部グラウンド配線１７の間に印加されたことを、電源が切れても消えない不揮発な方法で記録し、制御信号配線１８を通じて出力回路１３の出力を外部から異常が発生したと判断できる状態に制御する。

図３にサージ検知記憶回路１７のサージ検知電圧の設定範囲を示す。サージは保護回路１４で低減されるので、外部端子に印加されるサージとサージ検知記憶回路１７に印加されるサージは異なる。図３はサージ検知記憶回路１７のサージ検知電圧を保護回路１４の低減量を考慮して、外部端子における電圧に置き換えた値を示している。耐サージ規格電圧は顧客から提示される規格値であり、この規格値以下のサージ電圧が印加されても故障が発生せずに、サージ印加後も正常動作を行うことが要求される。よって、センサ出力を異常状態に制御するわけにはいかないので、サージ検知電圧は、耐サージ規格電圧より高い必要がある。また、サージ破壊耐圧は、ブレーキ圧センサ２が半故障も含め故障が発生するサージ電圧である。サージ検知電圧が、このサージ破壊耐圧よりも高いと、故障の検出漏れが発生してしまうので、サージ検知電圧は、サージ破壊耐圧より低い必要がある。

図４にサージ検知記録回路１２の構成を示す。サージ検知記憶回路１２は、カソードが内部電源配線１５に接続され、アノードが信号配線３１２に接続されたダイオード３０１と、内部電源配線１５と信号配線３１２間に接続された抵抗３０２と、信号配線３１２と内部グラウンド配線１７間に接続された抵抗３０３と、内部センサ出力配線１６にカソードが接続され、アノードが信号配線３１３に接続されたダイオード３０４と、内部電源配線１５と信号配線３１３間に接続された抵抗３０５と、信号配線３１３と内部グラウンド配線１７間に接続された抵抗３０６と、内部電源配線１５と制御信号配線１８間に接続された抵抗３０７と、ゲート電極が信号配線３１２に、ドレイン電極が制御信号配線１８に、ソース及び基板電極が抵抗３０９の一方の端子に接続されたN型トランジスタ３０８と、トランジスタ３０８のソースと内部グランド配線１７間に接続された抵抗３０９と、ゲート電極が信号配線３１３に、ドレイン電極が制御信号配線１８に、ソース及び基板電極が抵抗３１１の一方の端子に接続されたN型トランジスタ３１０、を備える。

図５に出力回路１３の構成を示す。

出力回路１３は、サージ検知記録回路１２からの制御信号配線１８が入力端子に接続され出力が信号配線４１３に接続されたインバータ回路４０１と、処理回路１１の出力信号配線１９が反転入力に接続され、非反転入力が信号配線４１６に接続され、出力が信号配線４１４に接続されたオペアンプ４０２と、ソース電極が信号配線４１４に、ドレイン電極が信号配線４１５に、ゲート電極が信号配線４１３に接続されたP型トランジスタ４０４と、ドレイン電極が信号配線４１４に、ソース電極が信号配線４１５に、ゲート電極が信号配線１８に接続されたN型トランジスタ４０３と、ソース電極が内部電源配線１５に、ドレイン電極が信号配線４１５に、ゲート電極が信号配線１８に接続されたP型トランジスタ４０５と、ソース電極が内部電源配線１５に、ドレイン電極が内部センサ出力配線１６に、ゲート電極が信号配線４１５に接続されたP型トランジスタ４０６と、ソース電極が内部グラウンド配線１７に、ドレイン電極が内部センサ出力配線１６に、ゲート電極が信号配線４１５に接続されたN型トランジスタ４０７と、一方の端子が内部センサ出力配線１６に、もう一方の端子が信号配線４１６に接続された抵抗４０８と、一方の端子が内部グラウンド配線１７に、もう一方の端子が信号配線４１６に接続された抵抗４０９と、を備える。P型トランジスタ４０４、４０５、４０６の基板電極は全て内部電源配線１５に接続されている。N型トランジスタ４０３、４０７の基板電極は全て内部グラウンド配線１７に接続されている。P型トランジスタ４０３のドレイン電極とソース電極は信号配線４１４と４１５の電位の大小によってその定義が入れ替わる。N型トランジスタ４０４のドレイン電極とソース電極は信号配線４１４と４１５の電位の大小によってその定義が入れ替わる。

図６の波形図を用いて、電源配線４に外部からサージが印加された時の動作を説明する。波形図の横軸は時間、縦軸は各配線の電位である。ブレーキ圧センサ２の電源電圧は５Vと仮定している。電源配線４に通常時の電源電圧5Vが供給されている場合と、サージ規格電圧を超えるがサージ検知電圧を超えない大きさのサージが印加された場合と、サージ検知電圧を超えるサージが印加された場合についてそれぞれ説明する。

まずサージが印加されていない通常時の動作について説明する。電源配線４には電源電圧５Vが供給されており、内部電源配線１５にも電源配線４から保護回路を通じて５Vが供給されている。サージ検知記録回路１２内部のダイオード３０１は逆バイアスの状態であり、ブレイクダウン電圧が５Vより高いので、ダイオード３０１には電流が流れず、信号配線３１２の電圧は、抵抗３０２と抵抗３０３の抵抗比で決まる。抵抗３０３の抵抗値が抵抗３０２より十分低いので、信号配線３１２の電圧はほぼ０Vとなる。ダイオード３０２もブレイクダウン電圧は５Vより高く、抵抗３０６の抵抗が抵抗３０５より十分低いので、信号配線３１３の電圧もほぼ０Vとなる。信号配線３１２と３１３の電圧がほぼ０Vなので、N型トランジスタ３０８と３１０はオフ状態となり、信号配線１８の電圧は抵抗３０７によってプルアップされることで、ほぼ５Vとなる。信号配線１８の電圧がほぼ５Vなので、インバータ４０１の出力信号である信号配線４１３の電圧は０Vとなる。信号配線１８の電圧がほぼ５Vなので、N型トランジスタ４０３はオン状態になる。また、信号配線４１３がほぼ０VなのでP型トランジスタ４０４はオン状態となり、信号配線４１４と４１５は電気的に低抵抗で接続され、P型トランジスタ４０５はオフ状態であるため、信号配線４１５の電圧は信号配線４１４の電圧と等しくなる。信号配線４１４と４１５が接続されることで、P型トランジスタ４０６とN型トランジスタ４０７、抵抗４０８と４０９を通じてオペアンプ４０２は負帰還のフィードバックループを形成し、信号配線１９の電圧と抵抗４０８と４０９の抵抗比で決まる電圧がセンサ出力配線１6に出力される。

次にサージ規格電圧を超えるが、サージ検知電圧を超えないサージが電源配線４に印加された時の動作を説明する。耐サージ規格電圧を超えても、サージ検知記録回路１２のサージ検知電圧を超えないため、サージ検知記憶回路は動作せず、通常動作と同じ動作を行う。

次に、サージ検知電圧を超えるサージが印加された時の動作を説明する。

電源配線4にサージ検知電圧を超えるサージが印加されると、内部電源配線１５にはダイオード３０１のブレイクダウン電圧を超える電圧が印加される。ダイオード３０１がブレイクダウンすることで、抵抗３０３には電流が流れる。さらに、内部電源配線１５の電圧は抵抗３０３の許容電力を超える値まで上昇するため、抵抗３０３は断線する。抵抗３０３が断線することで信号配線３１２の電圧はプルアップ抵抗３０２によって、電源電圧の5Vになる。

信号配線３１２が電源電圧の5Vに上昇することで、N型トランジスタ３０８はオン状態となる。プルアップ抵抗３０７の抵抗値に対してN型トランジスタ３０８のオン抵抗は十分小さいように設計されているので、信号配線１８の電圧を0V付近まで引き下げる。

信号配線１８の電圧が0V付近になるとN型トランジスタ４０３とP型トランジスタ４０４はオフ状態になり信号配線４１５はオペアンプ４０２の出力配線４１４から切り離され、P型トランジスタ４０５がオン状態になるため、信号配線４１５は電源電圧５Vに固定される。

信号配線４１５が電源電圧５Vになるため、P型トランジスタ４０６はオフ状態に、N型トランジスタ４０７はオン状態となり、内部センサ出力配線１６及びセンサ出力配線５の電圧は0Vに固定される。

通常動作時はセンサ出力配線16が0Vにならないように設計することで、センサ出力が0Vになった場合は異常があったとECU１が検知することができる。

さらに抵抗３０３が断線するため、不良品の解析も抵抗３０３の状態を外観で検査することでサージが原因かどうか特定することができる。配線の除去などの加工を行わなくても外観観察可能なように、抵抗３０３の上部には配線や素子を置かないようにレイアウトを行う。

また、サージ破壊耐圧を超えた場合でも、センサ出力配線５を駆動するP型トランジスタ４０６、N型トランジスタ４０７が破壊されて正常動作がしなくなるか、電源配線４、内部電源配線１５、グラウンド配線６、内部グラウンド配線１７、センサ出力配線５、内部センサ出力配線１６が断線するか、サージ検知記録回路１２の構成素子プルアップ抵抗３０２及びN型トランジスタ３０８が破壊されない限りは、センサ出力配線５は０Vに固定される。さらに、電源配線やセンサ出力配線、グラウンド配線の断線は一般的な断線検知機能で別途検知することが可能である。

また、センサ出力配線５を駆動するP型トランジスタ４０６、N型トランジスタ４０７が破壊した場合には、特定の信号パタンを出力する診断機能を搭載しておくことで別途検知することが可能である。

また、サージ検知記録回路１２の構成素子については、抵抗３０３が断線しているため抵抗３０２には電流パスがなく他の回路を構成する素子に比べて破壊耐圧は非常に高い、またN型トランジスタ３０８も保護抵抗３０９及びプルアップ抵抗３０７によって電流及び各端子間の電圧変動を抑制することで他の構成素子より破壊耐圧を十分に高めることができる。

例えば配線の断線電圧よりもサージ検知記録回路１２の破壊耐圧を高くすることで、サージ検知記録回路が破壊して検知ができなくなる状況は回避できる。

センサ出力配線５にサージ検知電圧を超えるサージが印加された場合は、内部センサ出力配線１６の電圧は内部ダイオード３０４がブレイクダウンし、さらに抵抗３０６に許容電力を超える値まで上昇する。抵抗３０６は断線し、信号配線３１３の電圧はプルアップ抵抗３０５によって電源電圧５Vになり、N型トランジスタ３１０はオン状態になるため、信号配線１８は０V付近になる。その後の動作は電源配線４にサージ検知電圧を超えるサージが印加された場合と同じである。

電源配線４とセンサ出力配線５のサージ検知電圧は異なる電圧値でも構わない。サージ検知電圧は、ダイオード３１０、３０４のブレイクダウン電圧と、抵抗３０３及び３０５の許容電力を変更することで調整が可能である。抵抗３０３及び３０５の許容電力は抵抗を構成する素子や抵抗値、抵抗の面積を変更することで変更可能である。ダイオードのブレイクダウン電圧はダイオードを構成する素子の変更やダイオードを複数直列に接続することで変更が可能である。電源配線４及びセンサ出力配線５にグラウンド電圧に対して負の電圧のサージが印加された場合は、ダイオード３０１の順方向電流特性と抵抗３０３の許容電離力、ダイオード３０４の順方向電流特性と抵抗３０６の許容電力で負側のサージ検知電圧が決定される。

また、抵抗３０６の許容電力を調整することで、逆接状態が発生したことを検知することも可能である。逆接状態とは、電源配線４にグラウンド電圧が、グラウンド配線６に電源電圧が印加された状態のことである。逆接状態になると半導体装置では、寄生ダイオードが順方向にバイアスされることで大電流が流れ破壊に至る可能がある。逆接状態になると、ダイオード３０１は順方向にバイアスされるので、抵抗３０３には電流が流れる。この電流で断線する程度に抵抗３０３の許容電力を調整しておけば、逆接状態が発生したことを判別することができる。

上述のとおり、本実施例では、サージ検知記憶回路１２により、耐サージ規格電圧を超えるサージ電圧が印加された場合を認識、記憶することが出来る。

[第２実施例]
図７に第２の実施例を示す。第１実施例との違いはセンサ出力がアナログ出力ではなくデジタル出力になっている点である。サージ検知回路１２の出力信号配線１８は処理回路７０２に入力され、処理回路７０２は、信号配線１８のハイもしくはロウの状態に応じてデジタル信号の診断用のデータ内容を変更し、出力回路７０３に送るデータパタンを変更する。図８に出力回路７０３の構成を示す。オペアンプがなく、処理回路の出力信号配線１９の信号をバッファしてセンサ出力配線５に出力する。

［第３実施例］
図９に第３の実施例を示す。第２実施例に対してサージ検知記録回路１２とサージ検知電圧が異なるサージ検知記録回路902を持つことで、印加されたサージの大きさを判別することができる。処理９０３はサージ検知回路１２と９０２からの信号に応じて異なるデータパタンを出力回路７０３に信号配線１９を通じて出力する。本実施例ではサージ検知記録回路は２つだが、サージ検知電圧が異なる検知回路を増やすことで、より細かくサージの大きさを判別することが可能になる。

［第４実施例］
図１０に第４の実施例を示す。第２実施例とサージ検知回路の構成が異なる。また、簡単のためセンサ出力のサージ検知がない場合を示す。

サージ検知回路1002の構成を図１１に示す。ダイオード１１０１はダイオード３０１と同じダイオード、抵抗１１０３は抵抗３０３と同じダイオード、抵抗１１０２は抵抗３０２と同じ抵抗であり、P型トランジスタ１１０５はソースと基板電極を内部電源配線１５に、ドレイン電極をダイオード１１０１のカソード及び抵抗１１０２の一方の端子に、ゲート電極を信号配線１００４に接続されている。

電源配線４にサージ検知電圧を超えるサージが印加されると、第１実施例と同様にダイオード３０１がブレイクダウンし抵抗３０３に許容電力を超える電圧が印加されることで、抵抗３０３は断線し、信号配線３１２の電圧は抵抗３０２によって電源電圧にプルアップされる。

一方で、ダイオード１１０１のブレイクダウン電圧はダイオード３０１と同じであり、抵抗１１０３の許容電力も抵抗３０３と同じであるが、P型トランジスタ１１０５がオフ状態のため抵抗３０３が断線しても、抵抗１１０３は断線しない。しかし、一度サージ検知電圧を超えるサージが印加され、抵抗３０３が断線すると信号配線３１２の電圧は電源電圧になりN型トランジスタ３０８がオン状態となるため信号配線１００４の電圧は０Vに下がる。

信号配線１００４の電圧が０Vに下がるとP型トランジスタ１１０５はオン状態となる。P型トランジスタ１１０５がオン状態となっているため、再度サージ検知電圧を超えるサージが電源配線４に印加されると、ダイオード１１０１はブレイクダウンし、抵抗１１０３には許容電力を超える電圧が印加されるため抵抗１１０３は断線する。抵抗１１０３が断線すると、信号配線１１０４は抵抗１１０２によって電源電圧にプルアップされN型トランジスタ１１０７はオン状態になり、信号配線１００５の電圧は０Vに低下する。

このように本実施例では、サージ検知電圧を超えるサージの印加回数によって信号配線１００４と１００５の状態が変化する。一度だけサージ検知電圧を超えるサージが印加された場合は、信号配線１００４の電圧は０V、信号配線１００５の電圧は電源電圧となる。次に再度サージ検知電圧を超えるサージが印加された場合は、信号配線１００４の電圧は０V、信号配線１００５の電圧も０Vとなる。信号配線１００４と信号配線１００５の状態に応じて処理回路１００３は出力回路７０３に送る信号パタンを変更することで、外部ECUは圧力センサ１００１にサージ検知電圧を超えるサージが１度印加されたのか、２度印加されたのかを知ることができる。

また、同じように信号配線１００５の状態によってサージが印加されるかどうかを制御される素子を追加すればカウント数を増やすことができる。これにより電圧レベルだけでなく、サージの印加回数によっても異常かどうかの判定を行うことができる。

上述した各実施例では、電圧を例に示したが、当然ながら電流を検知する構成としても良い。

１・・・ECU（エレクトロニックコントロールユニット）
２・・・ブレーキ圧センサ
３・・・ブレーキ制御装置
４・・・電源配線
５・・・ブレーキ圧センサ出力信号配線
６・・・グラウンド配線
７・・・ブレーキ制御装置の制御信号配線
１０・・・センサエレメント
１１・・・信号処理回路
１２・・・サージ検知記憶回路
１３・・・出力回路
１４・・・保護回路
１５・・・内部電源配線
１６・・・内部センサ出力配線
１７・・・内部グラウンド配線
１８、１９・・・信号配線
１９・・・オペアンプ
３０１、３０４・・・ダイオード
３０２、３０３、３０５、３０６、３０７、３０９、３１１・・・抵抗
３０８、３１０・・・N型トランジスタ
３１２、３１３・・・信号配線
４０１・・・インバータ回路
４０２・・・オペアンプ回路
４０３、４０６・・・P型トランジスタ
４０３、４０７・・・N型トランジスタ
４０８、４０９・・・抵抗
４１３、４１４、４１５、４１６・・・信号配線
７０１・・・ブレーキ圧センサ
７０２・・・信号処理回路
７０３・・・出力回路
８０１、８０３・・・P型トランジスタ
８０２、８０４・・・N型トランジスタ
９０１・・・ブレーキ圧センサ
９０２・・・サージ検知記録回路
９０３・・・信号処理回路
９０４・・・信号配線
１００１・・・ブレーキ圧センサ
１００２・・・サージ検知記録回路
１００３・・・信号処理回路
１００４、１００５・・・信号配線
１１０１・・・ダイオード
１１０２、１１０３、１１０６、１１０８・・・抵抗
１１０５・・・P型トランジスタ
１１０７・・・N型トランジスタ

Claims

外部と接続する端子と、
前記端子を介して供給される電圧或いは電流により駆動する駆動回路と、
前記端子と前記駆動回路との電気的経路の間に設けられる保護回路と、を備え、
該保護回路及び前記駆動回路は、前記端子から規定値以下の電圧或いは電流が印加されても通常動作をすることを保障されており、また前記規定値よりも大きい電圧或いは電流が印加されても破壊されない耐性値を有し、
前記端子に所定値以上の電圧或いは電流が印加されたことを検出する検出回路を有し、該所定値は、前記規定値より大きく前記耐性値よりも小さい半導体装置。
前記外部と接続する端子に信号を出力する出力回路を有し、
前記検出回路は前記所定値以上の電圧或いは電流が前記端子に印加されたことを検出すると、状態が変化する制御信号を前記出力回路に出力し、
前記出力回路は、前記制御信号に基づき前記端子に出力する信号が変化する請求項１に記載の半導体装置。
前記検出回路は、前記所定値以上の電圧または電流が前記端子に印加されたことを検出したことを、外部から電源が供給されなくなっても記録が消えない不揮発な方法記録する請求項１に記載の半導体装置
前記検出回路は、記録の内容が外観からわかる方法である請求項３に記載の半導体装置。
前記検出回路は、前記所定値以上の電圧でブレイクダウンするダイオードと、前記ダイオードのアノード側に接続され、前記ダイオードがブレイクダウンすると断線する抵抗と、を備える請求項１または２に記載の半導体装置。
センサの信号を処理する信号処理回路と、
前記信号処理回路の出力信号に対応した信号を前記外部端子に出力する出力回路と、を有し、
前記検出回路は、前記所定値以上の電圧または電流が前記端子に印加されたことを検出すると、状態が変化する制御信号を前記信号処理回路に出力し、
前記信号処理回路は、前記制御信号に基づき前記出力回路への入力信号を変化させることを特徴とする半導体装置。
前記検出回路を複数有し、
各検出回路が検出する前記所定値の値がそれぞれで異なることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の半導体装置。
前記検出回路は、
前記所定値でブレイクダウンする第一のダイオードと、
前記第一のダイオードのアノード側で接続される第一の抵抗と、
前記第一のダイオードと前記第一の抵抗の間にゲートが接続される第一のＮ型トランジスタと、
前記所定値でブレイクダウンする第二のダイオードと、
前記第二のダイオードのアノード側で接続される第二の抵抗と、
前記第二のダイオードと前記第二の抵抗の間にゲートが接続される第二のＮ型トランジスタと、
前記第二のダイオードのカソード側にドレインが接続され、前記第一のＮ型トランジスタのドレインとソースが接続されるＰ型トランジスタと、を備える請求項１に記載の半導体装置。
前記第一の抵抗が断線した場合、前記第一のＮ型トランジスタがオン状態となり、前記Ｐ型トランジスタがＯＦＦ状態からＯＮ状態となる請求項８に記載の半導体装置。