JP2018150598A - めっき方法およびめっき装置 - Google Patents
めっき方法およびめっき装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018150598A JP2018150598A JP2017049044A JP2017049044A JP2018150598A JP 2018150598 A JP2018150598 A JP 2018150598A JP 2017049044 A JP2017049044 A JP 2017049044A JP 2017049044 A JP2017049044 A JP 2017049044A JP 2018150598 A JP2018150598 A JP 2018150598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- solution
- tank
- tanks
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 664
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 275
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 95
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 286
- 239000003761 preservation solution Substances 0.000 abstract description 24
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 3
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 halogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O LMPMFQXUJXPWSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
- C25D21/14—Controlled addition of electrolyte components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/50—Controlling or regulating the coating processes
- C23C2/52—Controlling or regulating the coating processes with means for measuring or sensing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
- C23C18/1632—Features specific for the apparatus, e.g. layout of cells and of its equipment, multiple cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/003—Apparatus
- C23C2/0034—Details related to elements immersed in bath
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/34—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the shape of the material to be treated
- C23C2/36—Elongated material
- C23C2/40—Plates; Strips
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【解決手段】めっき方法は、トランスポータ40で複数の基板を複数のめっき槽25にそれぞれ搬送し、複数の基板を複数のめっき槽25内のめっき液に浸漬させて複数の基板をめっきし、トランスポータ40または後処理槽に故障が発生したことを検出し、複数のめっき槽25内のめっき液を保存液で置換して複数の基板を保存液中に浸漬させる。
【選択図】図6
Description
本発明の好ましい態様は、前記複数のめっき槽は、複数のめっきセルと複数のオーバーフロー槽を備えており、前記めっき液の置換後、前記保存液を前記複数のめっきセルから溢流させて前記複数のオーバーフロー槽に流入させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数のめっき槽内のめっき液を、めっき液リザーバに移送する工程をさらに含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数のめっき槽から前記保存液を排出し、前記めっき液リザーバから前記複数のめっき槽にめっき液を供給する工程をさらに含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記保存液は、純水、または脱気された純水であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記めっき槽は、めっきセルとオーバーフロー槽を備えており、前記めっき液の置換後、前記保存液を前記めっきセルから溢流させて前記オーバーフロー槽に流入させることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記めっき槽内のめっき液を、めっき液リザーバに移送する工程をさらに含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記めっき槽から前記保存液を排出し、前記めっき液リザーバから前記めっき槽にめっき液を供給する工程をさらに含むことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記保存液は、純水、または脱気された純水であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の保存液供給ラインは前記複数のめっきセルにそれぞれ接続されており、前記複数のドレインラインは、前記複数のめっきセルおよび前記複数のオーバーフロー槽に接続されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の保存液供給ラインにそれぞれ取り付けられた複数の保存液供給弁と、前記複数のドレインラインにそれぞれ取り付けられた複数のドレイン弁と、前記複数の保存液供給弁および前記複数のドレイン弁を操作する動作制御部をさらに備えたことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数のめっき液供給ラインおよび前記複数のめっき液排出ラインに接続されためっき液リザーバをさらに備えたことを特徴とする。
図1は、めっき装置の一実施形態を模式的に示す平面図である。図1に示すように、めっき装置1は、ウェーハ等の基板を収納したカセットを搭載する3台のロードポート2と、めっき装置1の各機器の動作を制御する動作制御部3と、めっき装置1の各機器の故障を検出する故障検出器7を備えている。さらに、めっき装置1は、処理前の基板のオリエンテーションフラットまたはノッチの位置を所定の方向に合わせるアライナ4と、処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピン・リンス・ドライヤ(SRD)6と、基板を基板ホルダに搭載するフィキシングステーション8と、基板を搬送する搬送ロボット10とを備えている。搬送ロボット10は、ロードポート2、アライナ4、スピン・リンス・ドライヤ6、およびフィキシングステーション8の間で基板を搬送することが可能に構成されている。
(i)ハンド
図2に示すハンド45の開位置および閉位置は、ハンドセンサ(図示せず)によって検出される。これらのハンドセンサは、ハンド45が所定の開位置に到達したとき、およびハンド45が所定の閉位置に到達したとき、ハンド検出信号を故障検出器7に送信する。故障検出器7は、設定時間内にハンド検出信号を受け取らなかった場合は、トランスポータ40の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
(ii)サーボモータ
アーム43を上下動させるサーボモータに過負荷が掛かった場合、またはアーム43を水平に移動させるサーボモータに過負荷が掛かった場合は、過負荷信号がサーボモータのドライバから故障検出器7に送信される。故障検出器7は、過負荷信号を受け取ると、トランスポータ40の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
(iii)アーム43の絶対位置消失
上記サーボモータがアーム43の絶対位置を消失すると、位置消失信号がサーボモータのドライバから故障検出器7に送信される。故障検出器7は、位置消失信号を受け取ると、トランスポータ40の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
めっき処理中に攪拌パドル65の揺動により基板ホルダ11が揺れないように、基板ホルダ11はめっきセル31にクランプ機構(図示せず)によって固定される。めっき処理後にクランプ機構がアンクランプ位置に移動し、基板ホルダ11を解放する。クランプ機構がアンクランプ位置に移動したとき、クランプ機構はアンクランプ信号を故障検出器7に送信する。故障検出器7は、設定時間内にアンクランプ信号を受け取らなかった場合は、めっき槽25のクランプ機構の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
(i)めっき電圧
めっき槽25でのめっき処理中にめっき電源68は基板およびアノード63にめっき電圧を印加する。このめっき電圧が上限値を超えたことをめっき電源68が検出すると、めっき電源68は電圧エラー信号を故障検出器7に送信する。故障検出器7は、電圧エラー信号を受け取ると、めっき槽25のめっき電源68の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
(ii)通信
めっき処理を開始するときに、通信コマンドに対する応答信号を所定時間内に故障検出器7がめっき電源68から受け取らなかった場合は、故障検出器7は、めっき槽25のめっき電源68の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
(i)第2リンス槽28内の液面レベル
第2リンス槽28は、その内部にリンス液(例えば純水)を注入し、めっきされた基板をリンス液中に浸漬させることで基板をリンスするように構成されている。第2リンス槽28は、液面を検出する上限レベルセンサ、高レベルセンサ、低レベルセンサの3つのレベルセンサ(図示せず)を備えている。上限レベルセンサ、高レベルセンサ、および低レベルセンサは、液面を検出すると、上限レベル検出信号、高レベル検出信号、および低レベル検出信号をそれぞれ発する。
故障検出器7は、上限レベル検出信号を受け取ると、第2リンス槽28の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
(ii)レベルセンサ
高レベルセンサから高レベル検出信号を受け取ったにもかかわらず、低レベルセンサから低レベル検出信号を受け取っていない場合は、故障検出器7は第2リンス槽28の故障、すなわち低レベルセンサの故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
(iii)リンス液の圧力
リンス液を第2リンス槽28に供給するためのリンス液供給ラインには圧力センサ(図示せず)が接続されている。この圧力センサはリンス液供給ライン内のリンス液の圧力を測定するように構成されている。リンス液の圧力が下限値未満であると、圧力センサは下限検出信号を故障検出器7に送信する。故障検出器7は、下限検出信号を受け取ると、第2リンス槽28の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
基板に吹き付ける気体(例えば窒素ガス)の圧力は、圧力センサによって測定される。気体の圧力が下限値未満であると、圧力センサは下限検出信号を故障検出器7に送信する。故障検出器7は、下限検出信号を受け取ると、ブロー槽29の故障を示すアラーム信号を動作制御部3に送信する。
2 ロードポート
3 動作制御部
4 アライナ
6 スピン・リンス・ドライヤ(SRD)
7 故障検出器
8 フィキシングステーション
10 搬送ロボット
11 基板ホルダ
14 ストッカ
17 前水洗槽(プリウェット槽)
18 プリソーク槽
21 第1リンス槽
25 めっき槽
28 第2リンス槽
29 ブロー槽
31 めっきセル
32 オーバーフロー槽
34 パドル駆動ユニット
40 トランスポータ
41 移動機構
42 リフタ
43 アーム
45 ハンド
51 第1保持部材
52 第2保持部材
52a 第1シール突起
52b 第2シール突起
55 電気接点
60 めっき液供給装置
62 アノードホルダー
63 不溶解アノード
65 攪拌パドル
68 めっき電源
70 めっき液リザーバ
71 フィーダー
74 メイン供給ライン
74a めっき液供給ライン
76 メイン排出ライン
76a めっき液排出ライン
80 ポンプ
81 温度調整器
82 純水供給ライン
85 保存液供給ライン
87 バイパスライン
89 ドレインライン
91 フラッシングライン
93 リンス液供給ライン
V1 めっき液供給弁
V2 めっき液排出弁
V3 保存液供給弁
V4 バイパス弁
V5 ドレイン弁
V6 フラッシング弁
V7 リンス液供給弁
Claims (19)
- トランスポータで複数の基板を複数のめっき槽にそれぞれ搬送し、
前記複数の基板を前記複数のめっき槽内のめっき液に浸漬させて該複数の基板をめっきし、
前記トランスポータまたは後処理槽に故障が発生したことを検出し、
前記複数のめっき槽内のめっき液を保存液で置換して前記複数の基板を保存液中に浸漬させることを特徴とするめっき方法。 - 前記複数のめっき槽ごとに予め設定されためっき時間が経過した順に前記複数のめっき槽内のめっき液を保存液で置換して前記複数の基板を保存液中に浸漬させることを特徴とする請求項1に記載のめっき方法。
- 前記複数のめっき槽は、複数のめっきセルと複数のオーバーフロー槽を備えており、
前記めっき液の置換後、前記保存液を前記複数のめっきセルから溢流させて前記複数のオーバーフロー槽に流入させることを特徴とする請求項1または2に記載のめっき方法。 - 前記複数のめっき槽内のめっき液を、めっき液リザーバに移送する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のめっき方法。
- 前記複数のめっき槽から前記保存液を排出し、
前記めっき液リザーバから前記複数のめっき槽にめっき液を供給する工程をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のめっき方法。 - 前記保存液は、純水、または脱気された純水であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のめっき方法。
- トランスポータで複数の基板を複数のめっき槽にそれぞれ搬送し、
前記複数の基板を前記複数のめっき槽内のめっき液に浸漬させて該複数の基板をめっきし、
前記複数の基板のめっき中に前記複数のめっき槽のうちのいずれかに故障が発生したことを検出し、
前記故障が発生しためっき槽内のめっき液を保存液で置換して基板を保存液中に浸漬させることを特徴とするめっき方法。 - 前記故障が発生しためっき槽内のめっき液を保存液で置換して基板を保存液中に浸漬させる一方で、他のめっき槽では基板のめっきを継続することを特徴とする請求項7に記載のめっき方法。
- 前記めっき槽は、めっきセルとオーバーフロー槽を備えており、
前記めっき液の置換後、前記保存液を前記めっきセルから溢流させて前記オーバーフロー槽に流入させることを特徴とする請求項7または8に記載のめっき方法。 - 前記めっき槽内のめっき液を、めっき液リザーバに移送する工程をさらに含むことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか一項に記載のめっき方法。
- 前記めっき槽から前記保存液を排出し、
前記めっき液リザーバから前記めっき槽にめっき液を供給する工程をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のめっき方法。 - 前記保存液は、純水、または脱気された純水であることを特徴とする請求項7乃至11のいずれか一項に記載のめっき方法。
- めっき装置の動作を制御するためのプログラムがコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記めっき装置に指令して請求項1乃至12のいずれか一項に記載のめっき方法を実行させるプログラムが記録された記録媒体。
- 複数のめっきセルおよび複数のオーバーフロー槽を有する複数のめっき槽と、
複数の基板を前記複数のめっき槽に搬送するトランスポータと、
前記複数のめっき槽でめっきされた前記複数の基板を後処理する後処理槽と、
前記複数のめっき槽、前記トランスポータ、および前記後処理槽の故障を検出する故障検出器と、
前記複数のめっき槽にそれぞれ接続された複数のめっき液供給ラインと、
前記複数のめっき槽にそれぞれ接続された複数のめっき液排出ラインと、
前記複数のめっき槽にそれぞれ接続された複数の保存液供給ラインを備えたことを特徴とするめっき装置。 - 前記複数のめっき槽にそれぞれ接続された複数のドレインラインをさらに備えたことを特徴とする請求項14に記載のめっき装置。
- 前記複数の保存液供給ラインは前記複数のめっきセルにそれぞれ接続されており、
前記複数のドレインラインは、前記複数のめっきセルおよび前記複数のオーバーフロー槽に接続されていることを特徴とする請求項15に記載のめっき装置。 - 前記複数の保存液供給ラインにそれぞれ取り付けられた複数の保存液供給弁と、
前記複数のドレインラインにそれぞれ取り付けられた複数のドレイン弁と、
前記複数の保存液供給弁および前記複数のドレイン弁を操作する動作制御部をさらに備えたことを特徴とする請求項15または16に記載のめっき装置。 - 前記複数のめっき液供給ラインおよび前記複数のめっき液排出ラインに接続されためっき液リザーバをさらに備えたことを特徴とする請求項14に記載のめっき装置。
- 請求項14に記載のめっき装置と、
前記めっき装置の動作データから特徴量データを抽出するエッジサーバと、
前記特徴量データに基づいて前記めっき装置の故障を予測するコンピュータとを備えたことを特徴とするシステム。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017049044A JP6878056B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | めっき方法 |
KR1020180027278A KR102455459B1 (ko) | 2017-03-14 | 2018-03-08 | 도금 방법 |
US15/915,939 US10648099B2 (en) | 2017-03-14 | 2018-03-08 | Plating method and plating apparatus |
TW107107798A TWI760449B (zh) | 2017-03-14 | 2018-03-08 | 鍍覆方法及鍍覆裝置 |
CN201810204615.4A CN108570704A (zh) | 2017-03-14 | 2018-03-13 | 镀覆方法、记录介质、镀覆装置以及镀覆系统 |
US16/842,423 US11286577B2 (en) | 2017-03-14 | 2020-04-07 | Plating method and plating apparatus |
JP2021075593A JP7059424B2 (ja) | 2017-03-14 | 2021-04-28 | めっき装置 |
US17/674,276 US20220170175A1 (en) | 2017-03-14 | 2022-02-17 | Plating method and plating apparatus |
KR1020220130412A KR102508032B1 (ko) | 2017-03-14 | 2022-10-12 | 도금 장치 및 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017049044A JP6878056B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | めっき方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021075593A Division JP7059424B2 (ja) | 2017-03-14 | 2021-04-28 | めっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018150598A true JP2018150598A (ja) | 2018-09-27 |
JP6878056B2 JP6878056B2 (ja) | 2021-05-26 |
Family
ID=63521107
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017049044A Active JP6878056B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | めっき方法 |
JP2021075593A Active JP7059424B2 (ja) | 2017-03-14 | 2021-04-28 | めっき装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021075593A Active JP7059424B2 (ja) | 2017-03-14 | 2021-04-28 | めっき装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10648099B2 (ja) |
JP (2) | JP6878056B2 (ja) |
KR (2) | KR102455459B1 (ja) |
CN (1) | CN108570704A (ja) |
TW (1) | TWI760449B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3761348B1 (en) * | 2019-07-05 | 2024-03-27 | Atotech Deutschland GmbH & Co. KG | System for conveying a substrate between processing stations of a processing apparatus, processing apparatus and methods of handling a substrate |
US11542626B2 (en) * | 2020-10-08 | 2023-01-03 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for enclosed electroplating chambers |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03240977A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Sony Corp | 薬液処理装置 |
JP2007314880A (ja) * | 2002-11-15 | 2007-12-06 | Ebara Corp | めっき処理ユニット |
JP2011146448A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Ebara Corp | スケジューラ、基板処理装置、及び基板処理装置の運転方法 |
JP2016089253A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき装置の運転方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3240977B2 (ja) | 1997-10-17 | 2001-12-25 | ダイキン工業株式会社 | 空気調和機 |
DE60036582T2 (de) * | 1999-08-06 | 2008-06-26 | Puricore International Ltd. | Elektrochemische Behandlung einer wässrigen Lösung |
JP4328436B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2009-09-09 | 三菱電機株式会社 | 脱脂洗浄方法及び洗浄装置 |
US7033465B1 (en) * | 2001-11-30 | 2006-04-25 | Novellus Systems, Inc. | Clamshell apparatus with crystal shielding and in-situ rinse-dry |
MXPA05009294A (es) * | 2003-03-04 | 2005-10-05 | Valspar Sourcing Inc | Sistema de manejo de electrorrevestimiento. |
US20050016201A1 (en) * | 2003-07-22 | 2005-01-27 | Ivanov Igor C. | Multi-staged heating system for fabricating microelectronic devices |
JP2006028596A (ja) * | 2004-07-16 | 2006-02-02 | Tdk Corp | めっき方法およびめっき装置 |
JP4195713B2 (ja) | 2006-05-22 | 2008-12-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | メッキ装置 |
JP5511190B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の運転方法 |
JP5795965B2 (ja) * | 2011-05-30 | 2015-10-14 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
US9809898B2 (en) * | 2013-06-26 | 2017-11-07 | Lam Research Corporation | Electroplating and post-electrofill systems with integrated process edge imaging and metrology systems |
US9481940B2 (en) * | 2014-06-26 | 2016-11-01 | International Business Machines Corporation | Electrodeposition system and method incorporating an anode having a back side capacitive element |
-
2017
- 2017-03-14 JP JP2017049044A patent/JP6878056B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-08 TW TW107107798A patent/TWI760449B/zh active
- 2018-03-08 KR KR1020180027278A patent/KR102455459B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-08 US US15/915,939 patent/US10648099B2/en active Active
- 2018-03-13 CN CN201810204615.4A patent/CN108570704A/zh active Pending
-
2020
- 2020-04-07 US US16/842,423 patent/US11286577B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-28 JP JP2021075593A patent/JP7059424B2/ja active Active
-
2022
- 2022-02-17 US US17/674,276 patent/US20220170175A1/en active Pending
- 2022-10-12 KR KR1020220130412A patent/KR102508032B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03240977A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-28 | Sony Corp | 薬液処理装置 |
JP2007314880A (ja) * | 2002-11-15 | 2007-12-06 | Ebara Corp | めっき処理ユニット |
JP2011146448A (ja) * | 2010-01-12 | 2011-07-28 | Ebara Corp | スケジューラ、基板処理装置、及び基板処理装置の運転方法 |
JP2016089253A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき装置の運転方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021107585A (ja) | 2021-07-29 |
KR102508032B1 (ko) | 2023-03-10 |
US20180266009A1 (en) | 2018-09-20 |
JP6878056B2 (ja) | 2021-05-26 |
TW201838074A (zh) | 2018-10-16 |
CN108570704A (zh) | 2018-09-25 |
US11286577B2 (en) | 2022-03-29 |
US10648099B2 (en) | 2020-05-12 |
US20220170175A1 (en) | 2022-06-02 |
JP7059424B2 (ja) | 2022-04-25 |
US20200232115A1 (en) | 2020-07-23 |
KR20220146370A (ko) | 2022-11-01 |
TWI760449B (zh) | 2022-04-11 |
KR102455459B1 (ko) | 2022-10-18 |
KR20180105073A (ko) | 2018-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102508032B1 (ko) | 도금 장치 및 시스템 | |
KR102605237B1 (ko) | 반도체 제조 장치, 반도체 제조 장치의 고장 예지 방법 및 기억 매체 | |
US10508359B2 (en) | TSV bath evaluation using field versus feature contrast | |
US20090301395A1 (en) | Plating apparatus and plating method | |
KR102493634B1 (ko) | 도금 방법 및 도금 장치 | |
JP7398292B2 (ja) | めっき方法 | |
US10358738B2 (en) | Gap fill process stability monitoring of an electroplating process using a potential-controlled exit step | |
JP7373615B2 (ja) | 基板ホルダ、めっき装置、めっき方法、及び記憶媒体 | |
KR20190126179A (ko) | 전기도금 동안 시드 층들 상의 표면 옥사이드 모니터링 | |
JP2016089253A (ja) | 無電解めっき装置の運転方法 | |
TWI790526B (zh) | 基板固持器、鍍覆裝置、鍍覆方法、及記憶媒體 | |
TWI822514B (zh) | 基板固持器、鍍覆裝置、鍍覆方法、及記憶媒體 | |
JP5766587B2 (ja) | 無電解めっき装置 | |
JP2023069447A (ja) | めっき装置及びめっき方法 | |
KR20240028974A (ko) | 기판 상태 측정 장치, 도금 장치, 및 기판 상태 측정 방법 | |
TW202407166A (zh) | 基板固持器、鍍覆裝置、及鍍覆方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200630 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201020 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201217 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210428 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6878056 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |