JP2018117291A - 光検出回路、及び光検出装置 - Google Patents
光検出回路、及び光検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018117291A JP2018117291A JP2017007867A JP2017007867A JP2018117291A JP 2018117291 A JP2018117291 A JP 2018117291A JP 2017007867 A JP2017007867 A JP 2017007867A JP 2017007867 A JP2017007867 A JP 2017007867A JP 2018117291 A JP2018117291 A JP 2018117291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- photodetection
- transistor
- current output
- output transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 37
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 17
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
- H01L31/1136—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor being of the conductor-insulator-semiconductor type, e.g. metal-insulator-semiconductor field-effect transistor the device being a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J1/46—Electric circuits using a capacitor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/208—Circuits specially adapted for scintillation detectors, e.g. for the photo-multiplier section
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/247—Detector read-out circuitry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/4473—Phototransistor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/448—Array [CCD]
Abstract
Description
発明者は、上記従来の光検出回路、及び従来の光検出装置に関し、以下の問題が生じることを見出した。
図1は、実施の形態に係る光検出装置100の構成を示すブロック図である。
上述したように、光検出回路10は、検出準備期間に、電流出力トランジスタ22のゲートソース間電圧を、電流出力トランジスタ22の閾値電圧Vthとする閾値電圧補正を行う。このため、光検出ドライバ11の電圧検出部32が検出する電圧は、電流出力トランジスタ22の閾値電圧特性のばらつきが補正されたものとなる。
ここでは、実施の形態に係る光検出装置100から、その一部の機能が変更された変形例1に係る光検出装置について、図面を参照しながら説明する。
実施の形態に係る光検出装置100では、光検出期間において、電流出力トランジスタ22のゲート電位(すなわち、光検出トランジスタ21のソース電位)がVofsに達してしまうと、それ以上、光検出トランジスタ21にリーク電流が流れなくなってしまう。このため、電流出力トランジスタ22のゲートノードに蓄積できる電荷量が、電流出力トランジスタ22のゲート電位がVofsに達する時点で飽和してしまう。
ここでは、変形例1に係る光検出装置100Aから、その一部の機能が変更された変形例2に係る光検出装置について、図面を参照しながら説明する。
変形例1に係る光検出装置100Aでは、光検出期間の初期状態において、電流出力トランジスタ22のゲートソース間電圧はVthである。これに対して、変形例2に係る光検出装置100Bでは、光検出期間の初期状態において、電流出力トランジスタ22のゲートソース間電圧は、Vth+ΔV(ΔV>0)である。
ここでは、変形例2に係る光検出装置100Bから、その一部の機能が変更された変形例3に係る光検出装置について図面を参照しながら説明する。
信号入力制御部1300は、変形例2に係る信号入力制御部600に比べて、その回路規模が小さくなる。
21 光検出トランジスタ
22 電流出力トランジスタ
23 スイッチングトランジスタ
24 第1容量
25 電源線
26 光検出線
27 基準電位線
100、100A、100B、100C 光検出装置
110 光検出回路アレイ
800 第2容量
1300 信号入力制御部(基準電位線駆動回路)
Claims (8)
- 光検出トランジスタと、電流出力トランジスタと、スイッチングトランジスタと、第1容量とを備え、
前記光検出トランジスタのソースと、前記電流出力トランジスタのゲートと、前記第1容量の一端とが接続され、
前記電流出力トランジスタのソースと、前記スイッチングトランジスタのドレインと、前記第1容量の他端とが接続され、
前記光検出トランジスタは、ドレインが基準電位線に接続され、オフ状態において受光することで、内部光電効果によって生成される電荷をソースで集電し、
前記電流出力トランジスタは、ドレインが、第1電源電位と第2電源電位とを取り得る電源線に接続され、
前記スイッチングトランジスタは、ソースが光検出線に接続される
光検出回路。 - 前記第1電源電位は、前記電流出力トランジスタのソースの電位を、前記電流出力トランジスタのゲートの電位よりも、前記電流出力トランジスタの閾値電圧だけ低い電位にさせるための電位であり、
前記第2電源電位は、前記第1電源電位よりも低い電位であって、前記電流出力トランジスタのソースとドレインとを、略同電位にさせるための電位である
請求項1に記載の光検出回路。 - 前記光検出トランジスタがオフ状態である期間のうちの少なくとも一部の期間である光検出期間おいて、前記出力トランジスタのソースとドレインとが略同電位となる
請求項1又は2に記載の光検出回路。 - さらに、前記他端と固定電源とに接続される第2容量を備える
請求項1〜3のいずれか1項に記載の光検出回路。 - 前記基準電位線は、第1基準電位と第2基準電位とを取り得る
請求項1〜4のいずれか1項に記載の光検出回路。 - 前記第2基準電位は、前記第1基準電位よりも高い電位であって、前記光検出トランジスタがオン状態であって、前記出力トランジスタのゲートの電位が前記第1基準電位であって、前記出力トランジスタのソースの電位が前記第1基準電位より前記閾値電圧だけ低い第1電位である場合において、前記出力トランジスタのソースの電位を、前記第1電位よりも高くするために、前記出力ゲートの電位を前記第2基準電位にするための電位である
請求項5に記載の光検出回路。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の光検出回路が、N(Nは2以上の整数)行M(Mは2以上の整数)列の2次元アレイ状に配置された光検出回路アレイを備え、
一の行に属するM個の光検出回路は、接続される前記基準電位線が共通であり、
一の行に属するM個の光検出回路は、接続される前記電源線が共通であり、
一の列に属するN個の光検出回路は、接続される前記光検出線が共通である
光検出装置。 - さらに、2以上の行における前記基準電位線を共通のタイミングで駆動する基準電位線駆動回路を備える
請求項7に記載の光検出装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017007867A JP6767886B2 (ja) | 2017-01-19 | 2017-01-19 | 光検出回路、及び光検出装置 |
US15/868,577 US10622504B2 (en) | 2017-01-19 | 2018-01-11 | Photodetector circuit and photodetector device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017007867A JP6767886B2 (ja) | 2017-01-19 | 2017-01-19 | 光検出回路、及び光検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018117291A true JP2018117291A (ja) | 2018-07-26 |
JP6767886B2 JP6767886B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=62841136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017007867A Active JP6767886B2 (ja) | 2017-01-19 | 2017-01-19 | 光検出回路、及び光検出装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10622504B2 (ja) |
JP (1) | JP6767886B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112363148A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-12 | 广东博智林机器人有限公司 | 光电检测电路及光电探测器 |
WO2021090852A1 (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317910A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-11-16 | Nec Corp | イメージセンサ |
JP2011141417A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Sony Corp | 表示装置、光検出方法、電子機器 |
JP2016208515A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法および電子機器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006520490A (ja) * | 2003-03-12 | 2006-09-07 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | エージングに対抗するためにタイミングに有効な光フィードバックを有する発光アクティブマトリクス表示装置 |
US8004477B2 (en) * | 2005-11-14 | 2011-08-23 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method thereof |
WO2007091191A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Large area thin film circuits |
JP4762030B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-08-31 | 三洋電機株式会社 | 光検出装置 |
JP2010286814A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-12-24 | Sony Corp | 表示装置、光検出方法、電子機器 |
-
2017
- 2017-01-19 JP JP2017007867A patent/JP6767886B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-11 US US15/868,577 patent/US10622504B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317910A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-11-16 | Nec Corp | イメージセンサ |
JP2011141417A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Sony Corp | 表示装置、光検出方法、電子機器 |
JP2016208515A (ja) * | 2015-04-22 | 2016-12-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法および電子機器 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021090852A1 (ja) * | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
JP7344762B2 (ja) | 2019-11-05 | 2023-09-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
US11837014B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-12-05 | Japan Display Inc. | Detection device |
CN112363148A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-12 | 广东博智林机器人有限公司 | 光电检测电路及光电探测器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6767886B2 (ja) | 2020-10-14 |
US10622504B2 (en) | 2020-04-14 |
US20180204971A1 (en) | 2018-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102276536B1 (ko) | 발광 소자 구동 회로, 표시 장치, 및, a/d 변환 회로 | |
JP4308170B2 (ja) | イメージセンサ | |
KR950034814A (ko) | 고체촬상장치 | |
TW201601540A (zh) | 固態影像擷取裝置,用於一固態影像擷取裝置之信號處理方法及電子裝置 | |
US20120119787A1 (en) | Imaging device | |
US20200335545A1 (en) | Image sensor and control method of image sensor, and image capturing apparatus | |
JP4252078B2 (ja) | 光検出装置 | |
WO2020066327A1 (ja) | 撮像素子及び光検出素子 | |
JP2010056965A (ja) | 固体撮像装置 | |
US20200029048A1 (en) | Optical detection pixel unit, optical detection circuit, optical detection method and display device | |
JP6767886B2 (ja) | 光検出回路、及び光検出装置 | |
KR100873279B1 (ko) | 이미징 디바이스의 자동 이득 제어를 제공하는 시스템 및방법 | |
JP6137997B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPWO2007066762A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP6305818B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6737192B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
US9412784B1 (en) | Pre-flash time adjusting circuit and image sensor using the same | |
JP4205717B2 (ja) | 光センサ回路およびイメージセンサ | |
US11785353B1 (en) | Image sensor chip and sensing method thereof | |
JP2007096913A (ja) | 撮像デバイス回路、固体撮像装置、撮像デバイス回路の感度調整方法 | |
JP7096390B2 (ja) | リニアイメージセンサ | |
JP4797600B2 (ja) | 固体撮像素子の出力バッファ回路およびこれを用いた固体撮像装置 | |
JP4420402B2 (ja) | 光センサ回路およびイメージセンサ | |
JP4008434B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2011033663A1 (ja) | 赤外線撮像素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200512 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200619 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200918 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6767886 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |