JP4420402B2 - 光センサ回路およびイメージセンサ - Google Patents
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Description
第1に本発明によれば、光電変換素子に入射光が照射された時にMOS型トランジスタQ1の動作に基づき入射光の強度に応じて第1静電容量要素に電荷を蓄電し、次に電荷転送用MOS型トランジスタQ4の動作に基づき第1静電容量要素から第2静電容量要素へ電荷を転送する光センサ回路で、電荷転送時に第2静電容量要素の電荷蓄積用の電位を第1静電容量要素の電位よりも高くなるように設定したため、第1静電容量要素に溜まった電荷を第2静電容量要素へ効率よく転送でき、第1静電容量要素に溜まった電荷を有効に活用でき、サンプル・ホールド時に電荷集積用コンデンサで信号電荷の集積を高め、光センサ回路のセンサ感度を高くすることができる。さらに、露光動作後に電荷転送用MOS型トランジスタのゲート電圧をオン状態にする所定時間が100μ秒を超えないように制御したため、第1静電容量要素から第2静電容量要素への電荷移動後に、光入射により発生した電荷に基づき第1静電容量要素と第2静電容量要素との電位低下が防止でき、結果的に、センサ出力特性の立ち上がりを抑制することができる。これにより特に高照度照射高を受光するときの光センサ回路のダイナミックレンジを広くとることができる。
第2に本発明によれば、入射光の照度に応じて線形出力特性と対数出力特性を有する光センサ回路で、線形出力特性領域と対数出力特性領域の間の変化点を制御することができ、変化点の電位の各光センサ回路毎のばらつきを安定的になくし、低照度等でS/N比が高く、高感度で、さらに残像を少なくすることができる。
ここで、VC1:フォトダイオードPDの端子電圧
Vg1L:MOS型トランジスタQ1のゲート電圧
Vth1:MOS型トランジスタQ1のしきい値電圧
13 電圧コントローラ
14 タイミング信号発生部
15 制御手段
20 光センサ回路
30 光センサ回路
PD フォトダイオード
C1 コンデンサ
C2 コンデンサ
Q1 変換用MOS型トランジスタ
Q2 増幅用MOS型トランジスタ
Q3 出力選択用MOS型トランジスタ
Q4 電荷移動用MOS型トランジスタ
Claims (5)
- 光信号を電流信号に変換する光電変換素子と、
前記光電変換素子から出力される前記電流信号を弱反転状態で対数特性を有する電圧信号に変換するための第1MOS型トランジスタと、
前記光電変換素子の電圧検出端子に接続された第1静電容量素子と、
前記電圧信号を保持する第2静電容量要素と、
前記第1静電容量素子と前記第2静電容量素子の間の電荷の移動を制御するための第2MOS型トランジスタと、
前記第1MOS型トランジスタと前記第2MOS型トランジスタのゲート電圧とドレイン電圧を供給する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
前記第1MOS型トランジスタの前記ドレイン電圧を第1の所定時間(t1〜t3)だけ高い電圧値(VdH)に設定すると共に、前記第1MOS型トランジスタのゲート電圧を前記第1の所定時間(t1〜t3)だけ、前記第2MOS型トランジスタのゲート電圧を前記第1の所定時間より短い第2の所定時間(t1〜t2)だけ、それぞれ高い電圧値(Vg1H,Vg2H)に設定し、光信号として集積するための第2静電容量要素の充電または放電を制御して一定の電位に設定し、その後、
前記第2MOS型トランジスタを低い電圧(Vg2L)に設定して前記第2静電容量素子をオープン状態にした後、前記第1MOS型トランジスタのドレイン電圧を低い電圧(VdL)に設定すると共に、前記第1MOS型トランジスタのゲート電圧を中間電位(Vg1M)に設定し、これにより、前記第1静電容量素子の電荷を放電させ、その後、
前記第1MOS型トランジスタのドレイン電圧を高い電圧(VdH)に設定し、その後第3の所定時間が経過した後に、前記第1MOS型トランジスタのゲート電圧を低い電圧(Vg1L)に設定し、かつ前記のVdHとVg1Mについて「Vg1M−VdH<Vth1、かつ、Vg1M−VdL>Vth1、ここでVth1は第1MOS型トランジスタのしきい値電圧」の関係を満たすように設定し、その後、
一定の露光時間経過後に第2MOS型トランジスタのゲート電圧を第4の所定時間だけ所定の電圧(Vg2M)に設定し、かつ前記のVg1MとVg2Mについて「Vg1M<Vg2M<Vg1M+Vth2、ここでVth2は第2MOS型トランジスタのしきい値電圧」の関係を満たすように設定し、かつ前記第4の所定時間が100μ秒を超えないように設定し、これにより前記第1静電容量素子の電荷を第2静電容量素子に転送し、その後、
前記第2MOS型トランジスタをオフして前記第2静電容量素子をオープン状態にした上で前記第2静電容量素子の端子電圧をセンサ出力信号とする、
ように電圧制御を行うことを特徴とする光センサ回路。 - 前記制御手段は、前記第1MOS型トランジスタの前記ゲート中間電位(Vg1M)と低い設定電位(Vg1L)を任意の電圧に切り換えることを特徴とする請求項1記載の光センサ回路。
- 前記第2MOS型トランジスタの端子電圧を増幅するための第3MOS型トランジスタを備えることを特徴とする請求項1または2記載の光センサ回路。
- 前記第3MOS型トランジスタから出力される電圧信号を選択的に出力させるための第4MOS型トランジスタを備えることを特徴とする請求項3記載の光センサ回路。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載された光センサ回路を1画素として撮像領域が形成されることを特徴とするイメージセンサ。
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