JP2018115637A - 内燃機関の燃料噴射制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パーシャルリフト噴射の噴射特性の学習精度が他の気筒の筒内噴射弁による燃料噴射によって低下することを抑制できるようにした内燃機関の燃料噴射制御装置を提供する。【解決手段】制御装置７０は、触媒４８の急速暖機処理時には、吸気行程において筒内噴射弁３０を用いたフルリフト噴射を実行した後、圧縮行程においてパーシャルリフト噴射を実行する。制御装置７０は、内燃機関１０の暖機後、制御量を制御するための要求噴射量を、学習のためのパーシャルリフト噴射量と、ポート噴射弁１６のためのポート噴射量とに分割し、パーシャルリフト噴射の終了に伴う筒内噴射弁３０の端子電位に基づき、筒内噴射弁３０のコイルに対する可動子の相対速度が低下することに起因した誘導起電力の時間変化の変曲点を検出する。【選択図】図１

Description

本発明は、磁性体からなる可動子にコイルへの通電処理による電磁力を作用させて開弁して且つ燃焼室に燃料を噴射する筒内噴射弁と、燃料を吸気通路に噴射するポート噴射弁と、を複数の気筒のそれぞれに備える内燃機関を制御対象とする内燃機関の燃料噴射制御装置に関する。

たとえば特許文献１には、ノズルニードルのリフト量が最大リフト量に到達しないように筒内噴射弁を開弁させるパーシャルリフト噴射について、筒内噴射弁の噴射特性を学習する燃料噴射制御装置が記載されている。この装置は、筒内噴射弁に通電する際にプラス側となるコイルの端子とは逆の端子であるマイナス側の端子の電位の検出値に基づき、筒内噴射弁の閉弁タイミングを検知することによって噴射特性を学習し、これに基づき、筒内噴射弁の操作信号を補正している。

特開２０１５−１９０３１８号公報

ただし、上記構成の場合、噴射特性の学習のためにマイナス側の端子の電位を検出する際に、他の気筒の燃料噴射がなされている場合には、マイナス側の端子の電位の検出値に他の気筒の燃料噴射に起因した電気的なノイズが重畳し、ひいては噴射特性の学習精度が低下するおそれがある。

本発明は、そうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、パーシャルリフト噴射の噴射特性の学習精度が他の気筒の筒内噴射弁による燃料噴射によって低下することを抑制することにある。

以下、上記課題を解決するための手段およびその作用効果について記載する。
１．内燃機関の燃料噴射制御装置は、磁性体からなる可動子にコイルへの通電処理による電磁力を作用させて開弁して且つ燃焼室に燃料を噴射する筒内噴射弁と、燃料を吸気通路に噴射するポート噴射弁と、を複数の気筒のそれぞれに備える内燃機関を制御対象とし、前記内燃機関の制御量の制御のための要求噴射量を、前記通電処理によって最大リフト量に到達しないようにしつつ前記筒内噴射弁を開弁させるパーシャルリフト噴射の噴射量であるパーシャルリフト噴射量と、前記ポート噴射弁による噴射量であるポート噴射量とに分割する学習用分割処理と、前記学習用分割処理に基づく前記パーシャルリフト噴射を終了させることによる前記筒内噴射弁の閉弁に伴って前記コイルに対する前記可動子の相対速度が低下することに起因した前記コイルの誘導起電力の時間変化の変曲点を、前記コイルの端子電位および前記コイルを流れる電流の少なくとも一方に基づき検出する変曲点検出処理と、前記変曲点の検出タイミングに基づき、前記パーシャルリフト噴射を実行するときの前記通電処理を補正する補正処理と、を実行する。

上記構成では、要求噴射量をポート噴射量とパーシャルリフト噴射量とに分割する。これにより、各気筒の筒内噴射弁から燃料が噴射される期間が短縮されることから、変曲点の検出対象となる気筒のパーシャルリフト噴射期間と、他の気筒の筒内噴射弁による燃料噴射期間とを十分に引き離すことができる。したがって、パーシャルリフト噴射の終了に伴う上記変曲点検出処理が、他の気筒の筒内噴射弁による燃料噴射に起因した電気的なノイズの影響を受けることを抑制できることから、パーシャルリフト噴射の噴射特性の学習精度が他の気筒の筒内噴射弁による燃料噴射によって低下することを抑制できる。

２．上記１記載の内燃機関の燃料噴射制御装置は、前記内燃機関の冷間始動時および前記内燃機関の触媒の暖機処理時のうちの少なくとも１つの処理において、前記要求噴射量を、前記通電処理によって最大リフト量に到達させつつ前記筒内噴射弁を開弁させるフルリフト噴射の噴射量であるフルリフト噴射量と、前記パーシャルリフト噴射量と、に分割する時分割処理と、前記時分割処理に基づく前記フルリフト噴射を実行した後、前記時分割処理に基づく前記パーシャルリフト噴射を実行するマルチ噴射処理と、を実行する。

冷間始動時や触媒の暖機処理時等、内燃機関の暖機が不十分な状態においてポート噴射弁によって燃料噴射を実行する場合、噴射された燃料がポートに付着し、燃焼室内の空燃比の制御性が低下しやすい。そこで上記構成では、冷間始動時や暖機処理時に、筒内噴射弁から燃料を噴射する。しかもこの際、フルリフト噴射の後にパーシャルリフト噴射を実行することにより、パーシャルリフト噴射によって噴射される燃料を点火時期において点火プラグ周りに漂わせることができる。しかし、その場合、まず第１に、フルリフト噴射によって励磁された磁束がパーシャルリフト噴射の際に残存することにより、変曲点検出処理が影響を受けるおそれがある。第２に、パーシャルリフト噴射による燃料の噴射期間が他の気筒の筒内噴射弁による燃料の噴射期間と重複しやすくなり、重複する場合には、他の気筒の筒内噴射弁による燃料の噴射に起因したノイズによって、変曲点検出処理の精度が低下するおそれがある。このように、冷間始動時や暖機処理時に実行されるパーシャルリフト噴射において変曲点検出処理を実行したのでは、変曲点の検出精度が低下するなどのおそれがある。したがって、学習用分割処理の利用価値が特に高い。

３．上記２記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、前記学習用分割処理は、前記時分割処理および前記マルチ噴射処理を用いる前記少なくとも１つの処理を実行する要求が生じないことを条件に実行される。

上記構成では、パーシャルリフト噴射の本来の用途である上記少なくとも１つの処理の実行要求が生じていないことを、学習用分割処理の実行条件とすることにより、上記少なくとも１つの処理を、学習用分割処理よりも優先して実行する。これにより、学習用分割処理によって上記少なくとも１つの処理が妨げられることを抑制できる。

４．上記１〜３のいずれか１つに記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、前記筒内噴射弁に供給する燃料の圧力の目標値を可変設定する可変設定処理と、前記筒内噴射弁が噴射する燃料を貯蔵する燃料タンク内の燃料を前記筒内噴射弁側に吐出する高圧燃料ポンプを操作して、前記筒内噴射弁に供給する燃料の圧力を前記可変設定処理による前記目標値に制御する燃圧制御処理と、前記筒内噴射弁に供給される燃料の圧力が高い場合に低い場合と比較して前記学習用分割処理による前記パーシャルリフト噴射の噴射量を多くする噴射量可変処理と、を実行する。

燃料の圧力が高い場合には低い場合と比較して、通電処理の継続時間が同一であっても、噴射量が多くなる。このため、学習要求に応じたパーシャルリフト噴射の噴射量を同一とする場合には、圧力が高い場合に低い場合と比較して通電処理の継続時間が短くなる。通電処理の継続時間が過度に短い場合、変曲点検出処理による検出精度が低下することが発明者によって見出されている。一方、通電処理の継続時間が過度に長い場合、リフト量が意図せずして最大値に達するおそれがある。そこで上記構成では、燃料の圧力が高い場合に低い場合と比較して学習要求に応じたパーシャルリフト噴射の噴射量を多くすることにより、圧力の高低にかかわらず、学習にとって適切な通電処理を実行することができる。

５．上記１〜４のいずれか１つに記載の内燃機関の燃料噴射制御装置において、前記内燃機関の動作点に基づき、前記要求噴射量を、前記筒内噴射弁による噴射量と前記ポート噴射量とに分割する噴き分け処理を実行し、前記学習用分割処理を、前記噴き分け処理によって前記要求噴射量が全て前記ポート噴射量に割り振られる前記動作点において、前記噴き分け処理による前記要求噴射量の分割を無効とすることによって実行する。

上記構成では、要求噴射量が全てポート噴射量に割り振られる動作点において学習用分割処理を実行する。ここで、パーシャルリフト噴射の噴射量が要求噴射量に占める割合は低い傾向にあることから、上記構成によれば、学習用分割噴射によって、噴き分け処理によって定まる燃料噴射が変更されることを極力抑制することができる。

一実施形態にかかる燃料噴射制御装置および内燃機関を示す図。 同実施形態にかかる制御装置および筒内噴射弁を示す図。 同実施形態にかかる処理の一部を示すブロック図。 同実施形態にかかる噴き分け率を示す図。 同実施形態にかかる急速暖機処理時および冷間始動処理時の燃料噴射を示すタイムチャート。 同実施形態にかかるアクティブ学習条件の成立の有無を判定する処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかるアクティブ学習時の噴射量の設定処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかるパーシャルリフト噴射領域等を示す図。 同実施形態にかかるパーシャルリフト噴射の処理手順を示す流れ図。 同実施形態にかかるパーシャルリフト噴射を示すタイムチャート。

以下、内燃機関の燃料噴射制御装置にかかる一実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１に示すように、内燃機関１０は、４気筒の火花点火式内燃機関である。内燃機関１０の吸気通路１２には、その流路断面積を調整するスロットルバルブ１４が設けられており、スロットルバルブ１４の下流には、吸気通路１２に燃料を噴射するポート噴射弁１６が設けられている。吸気通路１２に吸入された空気とポート噴射弁１６から噴射された燃料とは、吸気バルブ１８の開弁に伴って、シリンダ２０およびピストン２２によって区画される燃焼室２４に流入する。燃焼室２４には、燃焼室２４に燃料を噴射する筒内噴射弁３０と、点火装置４０とが突出している。燃焼室２４内において、ポート噴射弁１６および筒内噴射弁３０の少なくとも一方から噴射された燃料と空気との混合気は、点火装置４０の火花放電によって燃焼に供され、燃焼エネルギはピストン２２を介してクランク軸４２の回転エネルギに変換される。燃焼に供された混合気は、排気バルブ４４の開弁に伴って排気として排気通路４６に排出される。排気通路４６には、触媒４８が設けられている。

ポート噴射弁１６は、低圧デリバリパイプ５０から供給される燃料を噴射する。低圧デリバリパイプ５０には、フィードポンプ５２によって燃料タンク５４内から吸入されて吐出された燃料が供給される。一方、筒内噴射弁３０は、高圧デリバリパイプ５６から供給される燃料を噴射する。高圧デリバリパイプ５６には、フィードポンプ５２から吐出された燃料が高圧燃料ポンプ５８によって加圧されて供給される。

内燃機関１０の排気通路４６と吸気通路１２とは、ＥＧＲ通路６０によって接続されており、ＥＧＲ通路６０は、ＥＧＲバルブ６２によって開閉される。また、燃料タンク５４には、燃料タンク５４内の燃料蒸気を捕集するキャニスタ６４が接続されており、キャニスタ６４は、パージバルブ６６を介して吸気通路１２のうちスロットルバルブ１４の下流側に接続されている。

制御装置７０は、内燃機関１０を制御対象とし、その制御量（トルク、排気成分等）を制御するために、スロットルバルブ１４や、ポート噴射弁１６、筒内噴射弁３０、点火装置４０、高圧燃料ポンプ５８、パージバルブ６６等の各種アクチュエータを操作する。制御装置７０は、制御量の制御に際し、クランク軸４２の回転角度を検出するクランク角センサ７２や、高圧デリバリパイプ５６内の圧力ＰＦを検出する圧力センサ７４、冷却水の温度（水温ＴＨＷ）を検出する水温センサ７６、吸入空気量Ｇａを検出するエアフローメータ７８、空燃比Ａ／Ｆを検出する空燃比センサ７９の出力信号を取り込む。

図２に、制御装置７０および筒内噴射弁３０の構成の一部を示す。
図２に示すように、筒内噴射弁３０は、中空構造のボディ３１内にノズルニードル３２が収容されている。ノズルニードル３２は、ノズルニードル３２と一体的に変位して且つ磁性体からなる可動子３５を介して、スプリング３３によって閉弁方向に弾性力を及ぼされている。ボディ３１内において、可動子３５よりも先端側には、空隙が設けられており、この空隙が、高圧デリバリパイプ５６から燃料が供給される燃料室３６となっている。また、筒内噴射弁３０は、コイル３４を備えている。そして、筒内噴射弁３０は、コイル３４による電磁力が可動子３５に作用しない場合には閉弁状態に維持され、コイル３４による電磁力が可動子３５に作用することにより開弁する。

制御装置７０は、バッテリ８１の電圧を昇圧する昇圧回路８０を備えている。昇圧回路８０による昇圧電圧は、スイッチング素子ＳＷ１を介してコイル３４の第１端子Ｔ１に印加される。第１端子Ｔ１には、ダイオードＤ１およびスイッチング素子ＳＷ２を介してバッテリ８１の電圧を印加可能となっている。また、第１端子Ｔ１には、ダイオードＤ２のカソードが接続されており、ダイオードＤ２のアノードは接地されている。

コイル３４の第２端子Ｔ２は、スイッチング素子ＳＷ３およびシャント抵抗Ｒを介して接地されている。シャント抵抗Ｒの電圧降下（電位Ｖ）は、Ａ／Ｄ変換器８２によってデジタルデータに変換される。また本実施形態では、各気筒のそれぞれのコイル３４の第２端子Ｔ２が互いに接続されて、それらの電位がＡ／Ｄ変換器８４によってデジタルデータに変換される。なお、各気筒のそれぞれのコイル３４の第２端子Ｔ２は、各別のダイオードＤ３のアノードに接続されており、ダイオードＤ３のカソードは、昇圧回路８０の出力端子に接続されている。

制御装置７０は、さらに、マイクロコンピュータ（マイコン９０）を備えている。マイコン９０は、ＣＰＵ９２、ＲＯＭ９４、および、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ９６を備えている。制御装置７０による制御量の制御は、ＲＯＭ９４に記憶されたプログラムをＣＰＵ９２が実行することにより実現される。

図３に、ＲＯＭ９４に記憶されたプログラムをＣＰＵ９２が実行することにより実現される処理の一部を示す。
目標燃圧設定処理部Ｍ１０は、クランク角センサ７２の出力信号Ｓｃｒに基づき算出された回転速度ＮＥと、吸入空気量Ｇａとに基づき、高圧デリバリパイプ５６内の圧力の目標値ＰＦ＊を、燃焼室２４内の充填空気量が多い場合に少ない場合よりも高くなるように設定する。偏差算出処理部Ｍ１２は、目標値ＰＦ＊と圧力ＰＦとの差（偏差ΔＰＦ）を算出する。

目標空燃比設定処理部Ｍ１４は、目標空燃比Ａ／Ｆ＊を設定する。なお、目標空燃比Ａ／Ｆ＊は、たとえば理論空燃比とすればよい。偏差算出処理部Ｍ１６は、空燃比センサ７９によって検出される空燃比Ａ／Ｆと目標空燃比Ａ／Ｆ＊との差を算出する。空燃比フィードバック処理部Ｍ１８は、偏差算出処理部Ｍ１６の出力値に基づき、空燃比Ａ／Ｆを目標空燃比Ａ／Ｆ＊にフィードバック制御するための操作量であるフィードバック操作量ＫＡＦを算出して出力する。

要求噴射量算出処理部Ｍ２０は、回転速度ＮＥと吸入空気量Ｇａとに基づき、要求噴射量Ｑｄ０を算出する。要求噴射量Ｑｄ０は、燃焼室２４において燃焼に供される混合気の空燃比を目標空燃比Ａ／Ｆ＊とするための量に設定される。

乗算処理部Ｍ２２は、要求噴射量Ｑｄ０にフィードバック操作量ＫＡＦを乗算することによって要求噴射量Ｑｄを算出する。
ポンプ操作処理部Ｍ２４は、要求噴射量Ｑｄと偏差ΔＰＦとに基づき、高圧燃料ポンプ５８の操作信号ＭＳｓを生成して出力する。ここで、要求噴射量Ｑｄは、高圧燃料ポンプ５８から高圧デリバリパイプ５６に要求噴射量Ｑｄに等しい量の燃料が圧送されるようにするための操作量である開ループ操作量を算出するためのものであり、偏差ΔＰＦは、圧力ＰＦを目標値ＰＦ＊にフィードバック制御するための操作量であるフィードバック操作量を算出するためのものである。すなわち、操作信号ＭＳｓは、開ループ操作量とフィードバック操作量との双方に基づき生成される。

分割処理部Ｍ２６は、要求噴射量Ｑｄを、ポート噴射弁１６による噴射量であるポート噴射量Ｑｐ＊と、筒内噴射弁３０による噴射量である筒内噴射量Ｑｄ＊と、に分割する。ここでは、「０」以上であって「１」以下の噴き分け率Ｋｐｆｉを用いて、ポート噴射量Ｑｐ＊を「Ｋｐｆｉ×Ｑｄ」とし、筒内噴射量Ｑｄ＊を「Ｑｄ−Ｑｐ＊」とする。

図４に示すように、噴き分け率Ｋｐｆｉは、低回転低負荷領域で「１」とされ、高回転高負荷領域で「０」とされ、それ以外の領域で、「０」と「１」との間の値とされる。なお、図４では、回転速度ＮＥおよび負荷ＫＬにて内燃機関１０の動作点を定め、動作点に応じて噴き分け率Ｋｐｆｉを定義している。

図３に戻り、ポート側学習処理部Ｍ２８は、噴き分け率Ｋｐｆｉが「１」であるときのフィードバック操作量ＫＡＦに基づき、フィードバック操作量ＫＡＦの絶対値を小さくするようにポート噴射量Ｑｐ＊を補正する学習値ＬＰを学習する。

ポート側操作処理部Ｍ３０は、ポート噴射量Ｑｐ＊および学習値ＬＰに基づき、ポート噴射弁１６から噴射される燃料量がポート噴射量Ｑｐ＊となるように、ポート噴射弁１６を操作するための操作信号ＭＳｐを算出して出力する。

筒内側学習処理部Ｍ３２は、噴き分け率Ｋｐｆｉが「０」であるときのフィードバック操作量ＫＡＦに基づき、フィードバック操作量ＫＡＦの絶対値を小さくするように、筒内噴射量Ｑｄ＊を補正する学習値ＬＤを学習する。

筒内側操作処理部Ｍ３４は、筒内噴射量Ｑｄ＊、圧力ＰＦおよび学習値ＬＤに基づき、筒内噴射弁３０から噴射される燃料量が筒内噴射量Ｑｄ＊となるように、筒内噴射弁３０を操作するための操作信号ＭＳを算出して出力する。操作信号ＭＳは、スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ３等を操作するための信号である。

筒内側操作処理部Ｍ３４は、原則、ノズルニードル３２のリフト量が最大リフト量となる位置（図２に示した位置）に到達するいわゆるフルリフト噴射を実行する。ただし、本実施形態では、触媒４８の急速暖機処理時および冷間始動処理時には、フルリフト噴射に加えて、ノズルニードル３２のリフト量が最大リフト量に到達しないパーシャルリフト噴射を実行する。なお、急速暖機処理時および冷間始動処理時には、ＣＰＵ９２は、動作点に応じて図４に示したように噴き分け率Ｋｐｆｉを設定する処理を行わず、噴き分け率Ｋｐｆｉを「０」とする。なお、冷間始動処理は、水温ＴＨＷが規定温度（たとえば、８０°Ｃ）以下の温度であるときの始動処理である。

図５に、急速暖機処理時および冷間始動処理時における燃料噴射を示す。図５に示すように、急速暖機処理時および冷間始動処理時には、吸気行程においてフルリフト噴射（図中、「Ｆ／Ｌ」と表記）を実行した後、圧縮行程においてパーシャルリフト噴射（図中、「Ｐ／Ｌ」と表記）を２回実行する。ここで、吸気行程においてフルリフト噴射を実行するのは、混合気における空気と燃料との混ざり度合いを高めるためである。また、圧縮行程においてパーシャルリフト噴射を実行するのは、点火時期において点火装置４０のプラグ周りにパーシャルリフト噴射による燃料を漂わせるためである。

なお、フルリフト噴射の噴射量Ｑｆ＊と、パーシャルリフト噴射の１回目の噴射量Ｑｐｌ＊１および２回目の噴射量Ｑｐｌ＊２との合計は、要求噴射量Ｑｄとなっている。また、本実施形態では、急速暖機処理時には、圧縮上死点を過ぎた後に点火時期を設定することにより、燃焼による排気の熱量を増やし、触媒４８の暖機を促進する。

本実施形態では、急速暖機処理時および冷間始動処理時以外にも、パーシャルリフト噴射に関する筒内噴射弁３０の噴射特性を学習するために、パーシャルリフト噴射を実行する。ここで、噴射特性の学習を実行するときには、図４に示した噴き分け率Ｋｐｆｉの設定を無効とすることにより、通常時とは相違する燃料噴射によって学習（以下、アクティブ学習）を行う。詳しくは、筒内噴射弁３０によるパーシャルリフト噴射を実行し、要求噴射量Ｑｄのうちのパーシャルリフト噴射によっては噴射できなかった量の燃料を、ポート噴射弁１６によって噴射する。以下、これにつき詳述する。

図６に、本実施形態にかかるパーシャルリフト噴射の上記アクティブ学習の条件の成立の有無の判定処理の手順を示す。図６に示す処理は、ＲＯＭ９４に記憶されたプログラムをＣＰＵ９２が、たとえば所定周期で繰り返し実行することにより実現される。なお、以下では、先頭に「Ｓ」を付与した数字によって、ステップ番号を表現する。

図６に示す一連の処理において、ＣＰＵ９２は、アクティブ学習を実行することが可能な複数の条件のそれぞれが成立しているか否かを判定する。すなわち、ＣＰＵ９２は、まず、図４に示した動作点に応じて定まる噴き分け率Ｋｐｆｉが「１」であるか否かを判定する（Ｓ１０）。そして、ＣＰＵ９２は、「１」であると判定する場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、始動後、所定時間が経過したか否かを判定する（Ｓ１２）。この処理は、内燃機関１０の運転状態が安定していることをアクティブ学習の実行条件に含めるためのものである。ＣＰＵ９２は、所定時間が経過したと判定する場合（Ｓ１２：ＹＥＳ）、ポート側学習処理部Ｍ２８による学習（図中、Ａ／Ｆ学習）が完了しているか否かを判定する（Ｓ１４）。この処理は、アクティブ学習がなされるときにポート噴射弁１６を利用することに鑑み、アクティブ学習中の空燃比の制御性を高く維持することを狙ったものである。ＣＰＵ９２は、ポート側学習処理部Ｍ２８による学習が完了していると判定する場合（Ｓ１４：ＹＥＳ）、筒内側学習処理部Ｍ３２による学習（図中、Ａ／Ｆ学習）が完了しているか否かを判定する（Ｓ１６）。

ＣＰＵ９２は、筒内側学習処理部Ｍ３２による学習が完了していると判定する場合（Ｓ１６：ＹＥＳ）、水温ＴＨＷが所定温度Ｔｔｈ以上であるか否かを判定する（Ｓ１８）。この処理は、内燃機関１０がある程度暖機されていることをアクティブ学習の実行条件に含めるためのものである。ＣＰＵ９２は、所定温度Ｔｔｈ以上であると判定する場合（Ｓ１８：ＹＥＳ）、圧力ＰＦが、学習用下限値ＰＦｔｈＬ以上であって且つ学習用上限値ＰＦｔｈＨ以下であるか否かを判定する（Ｓ２０）。この処理は、急速暖機処理および冷間始動処理が実行されるときの圧力ＰＦに近い圧力であることを、アクティブ学習の実行条件に含めるためのものである。学習用下限値ＰＦｔｈＬは、急速暖機処理時および冷間始動処理時の目標値ＰＦ＊の最低値であり、学習用上限値ＰＦｔｈＨは、急速暖機処理時および冷間始動処理時の目標値ＰＦ＊の最高値である。

ＣＰＵ９２は、学習用下限値ＰＦｔｈＬ以上であって且つ学習用上限値ＰＦｔｈＨ以下であると判定する場合（Ｓ２０）、ＥＧＲバルブ６２が全閉状態となっているＥＧＲ制御の停止時であるか否かを判定する（Ｓ２２）。この処理は、ＥＧＲ制御に起因して燃焼が不安定となる懸念があるときをアクティブ学習の実行条件から外すためのものである。ＣＰＵ９２は、停止時であると判定する場合（Ｓ２２：ＹＥＳ）、パージ濃度が規定値以下であるか否かを判定する（Ｓ２４）。具体的には、ＣＰＵ９２は、パージ濃度を、フィードバック操作量ＫＡＦに基づき把握する。ただし、パージバルブ６６が閉弁状態である場合には、パージ濃度をゼロと推定する。Ｓ２４の処理は、アクティブ学習を実行することによって燃焼が悪化することを抑制することを狙ったものである。

ＣＰＵ９２は、規定値以下であると判定する場合（Ｓ２４：ＹＥＳ）、フューエルカット処理が実行されていないか否かを判定する（Ｓ２６）。そしてＣＰＵ９２は、実行されていないと判定する場合（Ｓ２６：ＹＥＳ）、バッテリ８１の端子電圧が安定しているか否かを判定する（Ｓ２８）。この処理は、端子電圧が不安定である場合、意図したパーシャルリフト噴射処理が実行できない懸念があることに鑑み、そうした状況でアクティブ学習を実行しないことを狙ったものである。

ＣＰＵ９２は、バッテリ８１の電圧が安定であると判定する場合（Ｓ２８：ＹＥＳ）、アクティブ学習条件が成立したと判定する（Ｓ３０）。これに対し、ＣＰＵ９２は、Ｓ１０〜Ｓ２８の処理において否定判定する場合には、アクティブ学習条件が不成立であると判定する（Ｓ３２）。ＣＰＵ９２は、Ｓ３０，Ｓ３２の処理が完了する場合、図６に示す一連の処理を一旦終了する。

図７に、アクティブ学習のための噴射量の設定処理の手順を示す。図７に示す処理は、ＲＯＭ９４に記憶されたプログラムをＣＰＵ９２がたとえば所定周期で繰り返し実行することにより実現される。

図７に示す一連の処理において、ＣＰＵ９２は、まず、アクティブ学習条件が成立するか否かを判定する（Ｓ４０）。ＣＰＵ９２は、アクティブ学習条件が成立すると判定する場合（Ｓ４０：ＹＥＳ）、圧力ＰＦに基づき、パーシャルリフト噴射による最小の噴射量であるパーシャルリフト最小噴射量ＱｐｌＭＩＮを算出する（Ｓ４２）。パーシャルリフト最小噴射量ＱｐｌＭＩＮは、噴射量ばらつきが許容範囲内となる下限の噴射量として定義される。

図８に、筒内噴射弁３０のコイル３４に対する通電時間（図中、「ＩＮＪ通電時間」と表記）と、通電時間に対する基準となる噴射量と、基準となる噴射量に対する実際の噴射量のばらつきとの関係を示す。

図８に示すように、コイル３４に対する通電時間が短い領域では、噴射量ばらつきが大きくなっている。このため、パーシャルリフト最小噴射量ＱｐｌＭＩＮは、噴射量のばらつきが、ばらつきの上限を定めるばらつき許容値となる値に設定される。ここで、コイル３４に対する通電時間が同一であっても、圧力ＰＦが高い場合には低い場合よりも噴射量が多くなることに起因して、パーシャルリフト最小噴射量ＱｐｌＭＩＮは、圧力ＰＦが高い場合には低い場合よりも多い量となる。

図７に戻り、ＣＰＵ９２は、圧力ＰＦに基づき、パーシャルリフト最大噴射量ＱｐｌＭＡＸを算出する（Ｓ４４）。パーシャルリフト最大噴射量ＱｐｌＭＡＸは、コイル３４に対する通電時間が同一であっても圧力ＰＦが高い場合には低い場合よりも噴射量が多くなることに起因して、圧力ＰＦが高い場合には低い場合よりも多い量となる。ちなみに、図８に示すように、パーシャルリフト最大噴射量ＱｐｌＭＡＸと、フルリフト噴射の最小の噴射量であるフルリフト最小噴射量ＱｆＭＩＮとの間には、バウンス領域が存在する。バウンス領域は、コイル３４の通電処理が、ノズルニードル３２が開弁方向に変位することによって最大リフト量となるタイミングから規定時間未満に終了する噴射量の領域である。ノズルニードル３２が最大リフト量となると、可動子３５がボディ３１に接触し、跳ね返る現象が生じる。このため、最大リフト量となるタイミング以降であって、同タイミングに近いタイミングにおいて通電処理を終了する場合には、噴射量のばらつきが大きくなり、噴射量の制御精度が許容範囲から外れるおそれがある。このため、本実施形態では、ノズルニードル３２が開弁方向に変位することによって最大リフト量となるタイミングから規定時間未満に終了する噴射量の領域をバウンス領域とし、急速暖機処理時にはバウンス領域を回避して燃料噴射を実行する。

図７に戻り、ＣＰＵ９２は、学習のためのパーシャリフト噴射の噴射量であるパーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬを次の式（ｃ１）にて算出する（Ｓ４６）。
ＱｐｌＬ＝（ＱｐｌＭＡＸ−ＱｐｌＭＩＮ）×α＋ＱｐｌＭＩＮ …（ｃ１）
上記の式（ｃ１）において、係数αは、ゼロより大きく「１」よりも小さい値である。本実施形態では、係数αを「１／２」程度の値に設定する。これは、第１に、パーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬが過度に小さい場合、学習精度が低下する傾向があるためである。ただし、パーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬをあまり大きくすると、筒内噴射弁３０の公差および経年変化等に起因して、学習用のパーシャルリフト噴射処理時に、実際にはノズルニードル３２が最大リフト量となることが懸念される。そのため、本実施形態では、パーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬを、パーシャルリフト最大噴射量ＱｐｌＭＡＸとパーシャルリフト最小噴射量ＱｐｌＭＩＮとの間の量であって、且つ、それらパーシャルリフト最大噴射量ＱｐｌＭＡＸとパーシャルリフト最小噴射量ＱｐｌＭＩＮとの双方から所定量以上離れた量とする。

ＣＰＵ９２は、筒内噴射量Ｑｄ＊に、パーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬを代入し（Ｓ４８）、要求噴射量Ｑｄからパーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬを減算した値を、ポート噴射量Ｑｐ＊に代入する（Ｓ５０）。

ＣＰＵ９２は、Ｓ５０の処理が完了する場合や、Ｓ４０の処理において否定判定する場合には、図７に示す一連の処理を一旦終了する。
図９に、パーシャルリフト噴射処理およびそれに続く学習処理の手順を示す。図９に示す処理は、パーシャルリフト噴射の実行要求が生じる都度、ＲＯＭ９４に記憶されたプログラムをＣＰＵ９２が実行することにより実現される。この処理は、急速暖機処理時および冷間始動処理時のものと共通である。

図９に示す一連の処理において、ＣＰＵ９２は、まず筒内噴射量Ｑｄ＊を取得する（Ｓ６０）。そして、ＣＰＵ９２は、不揮発性メモリ９６に記憶された後述の学習結果に関するデータに基づき算出される補正量ＱＬを筒内噴射量Ｑｄ＊に加算することによって、筒内噴射量Ｑｄ＊を補正する（Ｓ６２）。そしてＣＰＵ９２は、パーシャルリフト噴射処理によるコイル３４の通電時間ＴＱｄを算出する（Ｓ６４）。そして、ＣＰＵ９２は、噴射開始時期となるまで待機する（Ｓ６６：ＮＯ）。そして、ＣＰＵ９２は、噴射開始時期となると判定する場合（Ｓ６６：ＹＥＳ）、コイル３４への通電処理を開始することによりパーシャルリフト噴射処理を開始する（Ｓ６８）。

図１０に、パーシャルリフト噴射処理によるスイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ３の操作を、コイル３４に流れる電流Ｉおよびコイル３４の電圧Ｖｃとともに示す。なお、図１０では、コイル３４の電圧Ｖｃを、第２端子Ｔ２の電位に対して第１端子Ｔ１の電位が高い場合に正としている。

図１０に示すように、パーシャルリフト噴射の開始時期となる時刻ｔ１において、ＣＰＵ９２は、スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ３をオン操作する。これにより、昇圧回路８０、スイッチング素子ＳＷ１、コイル３４、スイッチング素子ＳＷ３およびシャント抵抗Ｒによるループ回路を電流Ｉが流れる。ＣＰＵ９２は、電位Ｖに基づき電流Ｉの大きさを把握し、電流Ｉがピーク指令値Ｉｐｅａｋ＊に達する時刻ｔ２において、スイッチング素子ＳＷ１をオフ状態に切り替える。これにより、ダイオードＤ２、コイル３４、スイッチング素子ＳＷ３およびシャント抵抗Ｒによって形成されるループ経路を介してコイル３４に電流Ｉが流れ、この電流Ｉは、シャント抵抗Ｒの電圧降下に比例する速度で減少する。そして、ＣＰＵ９２は、電流Ｉが保持電流Ｉｋ未満となると、スイッチング素子ＳＷ２をオン状態とすることにより、電流Ｉを保持電流Ｉｋに制御する。

図９に戻り、ＣＰＵ９２は、通電時間ＴＱｄが経過するまで上記保持電流Ｉｋの制御を継続し（Ｓ７０：ＮＯ）、通電時間ＴＱｄが経過すると（Ｓ７０：ＹＥＳ）、スイッチング素子ＳＷ１〜ＳＷ３をオフ操作する（Ｓ７２）。

これにより、コイル３４に、電流Ｉを流し続けようとする誘導起電力が生じることから、第２端子Ｔ２側の電位が上昇し、ダイオードＤ２からコイル３４に流入した電流は、ダイオードＤ３を介して昇圧回路８０に流入する。この際、コイル３４に流れる電流Ｉの減少速度は、昇圧回路８０の電圧によって制御されることとなる。そして、ＣＰＵ９２は、減衰促進時間ＴＤが経過するまで待機する（Ｓ７４：ＮＯ）。

ＣＰＵ９２は、減衰促進時間ＴＤが経過すると（Ｓ７４：ＹＥＳ）、パーシャルリフト噴射処理が学習のためになされたか否かを、換言すれば学習時であるか否かを判定する（Ｓ７６）。そして、ＣＰＵ９２は、学習時であると判定する場合（Ｓ７６：ＹＥＳ）、スイッチング素子ＳＷ３をオン操作する（Ｓ７８）。これにより、コイル３４を流れる電流Ｉの減少速度は、シャント抵抗Ｒの電圧降下の大きさ（絶対値）によって制御される。なお、図１０に示すように、スイッチング素子ＳＷ３をオフ操作する時刻ｔ３以降、コイル３４の電圧Ｖｃは負となっている。これは、コイル３４の誘導起電力が第２端子Ｔ２側を正とするものとなるためである。

図９に戻り、ＣＰＵ９２は、シャント抵抗Ｒの電圧降下の変化速度（電位Ｖの絶対値の変化速度）の変曲点が生じることを監視する（Ｓ８０）。これは、筒内噴射弁３０の閉弁タイミングを検出する処理である。すなわち、筒内噴射弁３０が閉弁する前には、可動子３５は閉弁方向に変位しているものの、筒内噴射弁３０が閉弁すると、可動子３５の変位速度が急激に低下する。このため、コイル３４に対する可動子３５の相対速度は、筒内噴射弁３０の閉弁によって急速に低下し、これにより誘導起電力に変化が生じる。この誘導起電力の変化は、電位Ｖの変化の変曲点となって現れる。図１０には、時刻ｔ４に変曲点が生じることにより、電位Ｖの変化速度（電流Ｉの変化速度）に変曲点が検出されることを示した。変曲点の検出処理は、たとえば、電位Ｖを第１のローパスフィルタによってフィルタ処理した第１フィルタ値から、電位Ｖを第１のローパスフィルタよりもカットオフ周波数が低い第２のローパスフィルタによってフィルタ処理した第２フィルタ値を減算した値が閾値に達するタイミングを変曲点の検出タイミングとする処理とすればよい。

ＣＰＵ９２は、変曲点を検知すると（Ｓ８０：ＹＥＳ）、変曲点の検知タイミングを不揮発性メモリ９６に記憶し（Ｓ８２）、電流Ｉが十分に減衰するのを待ってスイッチング素子ＳＷ３をオフ操作する（Ｓ８４）。なお、ＣＰＵ９２は、Ｓ８４の処理が完了する場合や、Ｓ７６において否定判定する場合には、図９に示す一連の処理を一旦終了する。

ＣＰＵ９２は、Ｓ８０における変曲点の検出タイミングに基づき、上記補正量ＱＬを算出する。すなわち、ＣＰＵ９２は、Ｓ６４の処理による通電時間ＴＱｄに応じて基準閉弁タイミングを設定し、この基準閉弁タイミングよりも検出タイミングが遅いことを条件に、補正量ＱＬを負の値とする一方、早いことを条件に、補正量ＱＬを正の値とする。これにより、ＣＰＵ９２は、Ｓ６２の処理において、検出タイミングが遅い場合に早い場合よりもパーシャルリフト噴射時の筒内噴射量Ｑｄ＊を減少させるように補正することとなり、ひいては、通電時間ＴＱｄを短くするように補正することとなる。

ここで、本実施形態の作用を説明する。
ＣＰＵ９２は、アクティブ学習条件が成立する場合、要求噴射量Ｑｄをポート噴射量Ｑｐ＊とパーシャルリフト噴射のための筒内噴射量Ｑｄ＊とに分割する。これにより、各気筒の筒内噴射弁３０による燃料の噴射期間を短くすることができることから、変曲点の検出対象となる気筒のパーシャルリフト噴射期間と、他の気筒の筒内噴射弁３０による燃料噴射期間とを十分に引き離すことができる。したがって、パーシャルリフト噴射の終了に伴う上記変曲点を検出する処理が、他の気筒の筒内噴射弁３０による燃料噴射に起因した電気的なノイズの影響を受けることを抑制できることから、パーシャルリフト噴射の噴射特性の学習精度が他の気筒の筒内噴射弁３０による燃料噴射によって低下することを抑制できる。

以上説明した本実施形態によれば、さらに以下に記載する効果が得られる。
（１）内燃機関１０の冷間始動時および触媒４８の急速暖機処理時において、要求噴射量Ｑｄを、フルリフト噴射量と、パーシャルリフト噴射量とに分割し、フルリフト噴射の後にパーシャルリフト噴射を実行した。これにより、内燃機関１０の暖機が不十分であることに起因してポート噴射弁１６から噴射された燃料がポートに付着し、燃焼室２４内の空燃比の制御性が低下することを回避することができる。また、パーシャルリフト噴射によって噴射された燃料を点火時期において点火プラグ周りに漂わせることができる。しかし、急速暖機処理時や冷間始動処理時には、まず第１に、フルリフト噴射によって励磁された磁束がパーシャルリフト噴射の際に残存することにより、変曲点検出処理が影響を受けるおそれがある。第２に、パーシャルリフト噴射による燃料の噴射期間が他の気筒の筒内噴射弁３０による燃料の噴射期間と重複しやすくなり、重複する場合には、他の気筒の筒内噴射弁による燃料の噴射に起因したノイズによって、変曲点検出処理の精度が低下するおそれがある。このように、冷間始動処理時や急速暖機処理時に実行されるパーシャルリフト噴射において変曲点検出処理を実行したのでは、変曲点の検出精度が低下するなどのおそれがある。したがって、アクティブ学習の利用価値が特に高い。

（２）冷間始動処理および急速暖機処理のいずれの実行要求も生じていないときにアクティブ学習を実行した。これにより、アクティブ学習によって冷間始動処理および急速暖機処理が妨げられることを回避できる。

（３）アクティブ学習によるパーシャルリフト噴射の噴射量を、圧力ＰＦが高い場合に低い場合と比較して多くした。これにより、圧力ＰＦの高低にかかわらず、学習にとって適切な通電処理を実行することができる。

（４）噴き分け率Ｋｐｆｉが「１」であるときにアクティブ学習を実行した。これにより、アクティブ学習に基づく燃料噴射制御が、図４に示す動作点毎の噴き分け処理によって定まる燃料噴射からずれることを抑制することができる。

（５）アクティブ学習時に、要求噴射量Ｑｄを、ポート噴射量と、１回のパーシャルリフト噴射量とに分割した。これにより、ポート噴射量を極力多くすることができる。
＜対応関係＞
上記実施形態における事項と、上記「課題を解決するための手段」の欄に記載した事項との対応関係は、次の通りである。以下では、「課題を解決するための手段」の欄に記載した解決手段の番号毎に、対応関係を示している。

［１］学習用分割処理は、Ｓ４８，Ｓ５０の処理に対応し、変曲点検出処理は、Ｓ８０の処理に対応する。変曲点検出処理がコイルの端子電位を用いていることは、電位Ｖに基づき変曲点を検出していることに対応し、また、この電位Ｖは、シャント抵抗Ｒの抵抗値によってコイル３４を流れる電流と１対１に対応することから、コイル３４を流れる電流に基づき変曲点を検出することにも対応する。補正処理は、Ｓ６２の処理に対応し、燃料噴射制御装置は、制御装置７０に対応する。［２］時分割処理およびマルチ噴射処理は、図５に示す処理に対応する。［３］Ｓ１０の処理によって規定される条件をアクティブ学習条件としていることに対応する。［４］可変設定処理は、目標燃圧設定処理部Ｍ１０の処理に対応し、燃圧制御処理は、偏差算出処理部Ｍ１２およびポンプ操作処理部Ｍ２４の処理に対応し、噴射量可変処理は、Ｓ４２，Ｓ４４，Ｓ４６の処理に対応する。［５］噴き分け処理は、図４に規定する噴き分け率Ｋｐｆｉを設定する処理に対応し、学習用分割処理の実行条件は、Ｓ１０の処理によって規定される条件に対応する。

＜その他の実施形態＞
なお、上記実施形態の各事項の少なくとも１つを、以下のように変更してもよい。
「補正処理について」
上記実施形態では、いくつの検出タイミングに基づき補正量を算出するかについて特に明記しなかったが、たとえば単一の検出タイミングに基づき補正量を算出してもよく、またたとえば、検出タイミングの時系列データに基づく指数移動平均処理値に基づき補正量を算出してもよい。

上記実施形態では、検出タイミングに基づき、パーシャルリフト噴射時の筒内噴射量Ｑｄ＊を補正したが、これに限らず、通電時間ＴＱｄを補正してもよい。また、たとえば上記ピーク指令値Ｉｐｅａｋ＊を補正してもよい。

上記実施形態では、検出タイミングの基準値を、パーシャルリフト噴射時の筒内噴射量Ｑｄ＊に応じて定めたがこれに限らない。たとえば、全ての気筒の検出タイミングの平均値であってもよい。この場合、全ての気筒の閉弁タイミング同士の差を低減するように、噴射量の指令値や通電時間を補正すればよい。なおこの場合、筒内噴射弁３０から噴射される燃料量の絶対値が適切な値に補正されるとは限らないが、空燃比フィードバック制御の操作量に基づき、パーシャルリフト噴射の噴射量の指令値や通電時間を更に補正することで、噴射量の絶対値を適切な値に近づけることができる。ちなみに、この場合、学習処理に先立って、フルリフト噴射による学習処理については完了させておく。

「通常時のパーシャルリフト噴射処理時のノイズによる電気的な干渉について」
各気筒のコイル３４の誘導起電力の時間変化の変曲点を検出するための配線が互いに導通状態となっている構成としては、図２に例示するものに限らない。

上記実施形態では、各気筒のコイル３４の第２端子Ｔ２同士が接続され、それら接続された第２端子Ｔ２の電位が、Ａ／Ｄ変換器８４を介してＣＰＵ９２によって検知されることに起因したノイズの影響を回避するためにアクティブ学習用のパーシャルリフト噴射を実行したが、これに限らない。たとえば、各気筒に対応するダイオードＤ３のアノードとＡ／Ｄ変換器８４との間にセレクタを備えてもよい。この場合であっても、１つの気筒においてパーシャルリフト噴射を実行しているときに、別の気筒におけるフルリフト噴射に起因する電気的なノイズがセレクタを介してＡ／Ｄ変換器８４の入力に影響を及ぼすことを回避するために、アクティブ学習用のパーシャルリフト噴射を実行することは有効である。

またたとえば各気筒のコイル３４の第２端子Ｔ２と制御装置７０との間の配線のうちのパーシャルリフト噴射を実行している筒内噴射弁３０に接続された配線に、フルリフト噴射をしている筒内噴射弁３０に接続された配線からのノイズが重畳することなどを回避するために、アクティブ学習用のパーシャルリフト噴射を実行してもよい。

「誘導起電力の時間変化の変曲点の検出手法について」
（ａ）ハード構成について
コイル３４に対する可動子３５の相対速度の減少に起因した誘導起電力の時間変化の変曲点の検出手法としては、上記実施形態において例示したものに限らない。たとえば、コイル３４の第２端子Ｔ２に、検出用ダイオードのアノードを接続し、検出用ダイオードのカソードをコンデンサの一方の端子に接続し、コンデンサの他方の端子を接地した回路を用いてもよい。すなわち、この場合、通電処理の停止に伴って、ダイオードＤ２、コイル３４、検出用ダイオード、およびコンデンサによって形成されるループ経路を電流が流れつつ、コイル３４の電流が減少する。これにより、コイル３４に対する可動子３５の相対速度が低下することに起因したコイル３４の誘導起電力の時間変化の変曲点を電位Ｖに基づき検出することができる。なお、筒内噴射弁３０の閉弁後、コイル３４の次回の通電処理時までにコンデンサの電荷を抜いておくこととする。

上記誘導起電力の時間変化の変曲点の検出手法としては、コイル３４の第２端子Ｔ２側の電位の検出に基づくものに限らない。コイル３４の第１端子Ｔ１側の電位の検出に基づくものは、たとえば次の回路を用いることで実現可能である。すなわち、通電処理の停止に伴って第２端子Ｔ２をバッテリ８１の正極に接続するとともに、第１端子Ｔ１を抵抗体を介して接地する回路である。これによれば、第１端子Ｔ１側の電位の変化の変曲点によって、上記誘導起電力の時間変化の変曲点を検出することができる。

第１端子Ｔ１側または第２端子Ｔ２側に電気的に接続される部材を用いて誘導起電力の時間変化の変曲点を検出するものに限らず、たとえばコイル３４等に接触することなくコイル３４を流れる電流を検出するカレントトランスを利用してもよい。この場合、電流の波形の変化に基づき、誘導起電力の時間変化の変曲点を検出すればよい。
（ｂ）具体的な処理について
上記実施形態では、第１フィルタ値から第２フィルタ値を減算した値が閾値に達するタイミングを変曲点の検出タイミングとしたが、これに限らない。たとえば、電位の２階微分値が最大となるタイミングを変曲点の検出タイミングとして検出するものであってもよい。

「アクティブ学習時のパーシャルリフト噴射の噴射量について」
パーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬとしては、Ｓ４６の処理によって算出されるものに限らない。たとえば、目標値ＰＦ＊の取りうる範囲が狭い場合等であれば、固定値としてもよい。

「パーシャルリフト噴射について」
上記実施形態では、急速暖機処理や冷間始動処理において、フルリフト噴射処理の後にパーシャルリフト噴射処理を２回実行したが、これに限らず、たとえば１回実行してもよい。

急速暖機処理および冷間始動処理の双方にパーシャルリフト噴射を利用することは必須ではなく、それらのいずれか一方であってもよい。さらに、急速暖機処理や冷間始動処理のためにパーシャルリフト噴射を実行することも必須ではない。たとえば、始動後の低負荷または中負荷運転時において、リーン燃焼制御を実行することにより、パーシャルリフト噴射を実行してもよい。この場合であっても、点火時期において点火装置４０のプラグ周りに燃料噴霧を漂わせるために、フルリフト噴射の後、点火時期に近いタイミングでパーシャルリフト噴射を実行すればよい。

アクティブ学習時のパーシャルリフト噴射としては、１回に限らず、２回以上であってもよい。ただしその場合、１回目の噴射の終了に伴って変曲点を検出し、変曲点の検出を完了したことを条件に２回目の噴射のための通電処理を実行することが望ましい。

「噴き分け処理について」
内燃機関１０の動作点に応じた噴き分け率Ｋｐｆｉの設定処理としては、図４に例示したものに限らない。たとえば、低回転低負荷の領域において、噴き分け率Ｋｐｆｉを「０」としてもよい。またたとえば、噴き分け率Ｋｐｆｉが「１」と「０」との２値のみ取りうる設定であってもよい。また、動作点としては、回転速度ＮＥおよび負荷ＫＬに応じて設定されるものに限らない。たとえば負荷ＫＬを参照することなく回転速度ＮＥに応じて設定されるであってもよく、またたとえば回転速度ＮＥを参照することなく負荷ＫＬに応じて設定されるものであってもよい。

「アクティブ学習について」
Ｓ１０の処理を、噴き分け率Ｋｐｆｉが「１」であるか否かを判定する処理に代えて、ポート噴射弁１６から燃料を噴射するモードであるか否かを判定する処理としてもよい。

図６の処理によって定まる全ての条件をアクティブ学習条件とすることは必須ではない。たとえば、Ｓ１６の処理を除いてもよい。
なお、アクティブ学習を実行すること自体必須ではない。たとえば、「パーシャルリフト噴射について」の欄に記載したように、リーン燃焼制御を実行するものにおいて、要求噴射量Ｑｄからパーシャルリフト学習噴射量ＱｐｌＬを減算した量を、ポート噴射量とすることとし、リーン燃焼制御が実行されていることを学習の実行条件としてもよい。

「燃圧制御処理について」
圧力ＰＦを目標値ＰＦ＊にフィードバック制御するために高圧燃料ポンプ５８を操作するものに限らず、たとえば、要求噴射量Ｑｄに基づく開ループ制御のみによって高圧燃料ポンプ５８を操作するものであってもよい。

「燃料噴射制御装置について」
ＣＰＵ９２とＲＯＭ９４とを備えて、ソフトウェア処理を実行するものに限らない。たとえば、上記実施形態においてソフトウェア処理されたものの少なくとも一部を、ハードウェア処理する専用のハードウェア回路（たとえばＡＳＩＣ等）を備えてもよい。すなわち、燃料噴射制御装置は、以下の（ａ）〜（ｃ）のいずれかの構成であればよい。（ａ）上記処理の全てを、プログラムに従って実行する処理装置と、プログラムを記憶するＲＯＭ等のプログラム格納装置とを備える。（ｂ）上記処理の一部をプログラムに従って実行する処理装置およびプログラム格納装置と、残りの処理を実行する専用のハードウェア回路とを備える。（ｃ）上記処理の全てを実行する専用のハードウェア回路を備える。ここで、処理装置およびプログラム格納装置を備えたソフトウェア処理回路や、専用のハードウェア回路は複数であってもよい。すなわち、上記処理は、１または複数のソフトウェア処理回路および１または複数の専用のハードウェア回路の少なくとも一方を備えた処理回路によって実行されればよい。

「そのほか」
内燃機関としては、４気筒のものに限らず、たとえば６気筒のものや８気筒のものなど、５気筒以上であってもよく、また２または３気筒であってもよい。

１０…内燃機関、１２…吸気通路、１４…スロットルバルブ、１６…ポート噴射弁、１８…吸気バルブ、２０…シリンダ、２２…ピストン、２４…燃焼室、３０…筒内噴射弁、３１…ボディ、３２…ノズルニードル、３３…スプリング、３４…コイル、３５…可動子、３６…燃料室、４０…点火装置、４２…クランク軸、４４…排気バルブ、４６…排気通路、４８…触媒、５０…低圧デリバリパイプ、５２…フィードポンプ、５４…燃料タンク、５６…高圧デリバリパイプ、５８…高圧燃料ポンプ、６０…ＥＧＲ通路、６２…ＥＧＲバルブ、６４…キャニスタ、６６…パージバルブ、７０…制御装置、７２…クランク角センサ、７４…圧力センサ、７６…水温センサ、７８…エアフローメータ、７９…空燃比センサ、８０…昇圧回路、８１…バッテリ、８２，８４…Ａ／Ｄ変換器、９０…マイコン、９２…ＣＰＵ、９４…ＲＯＭ、９６…不揮発性メモリ。

Claims (5)

1. 磁性体からなる可動子にコイルへの通電処理による電磁力を作用させて開弁して且つ燃焼室に燃料を噴射する筒内噴射弁と、燃料を吸気通路に噴射するポート噴射弁と、を複数の気筒のそれぞれに備える内燃機関を制御対象とし、
   前記内燃機関の制御量の制御のための要求噴射量を、前記通電処理によって最大リフト量に到達しないようにしつつ前記筒内噴射弁を開弁させるパーシャルリフト噴射の噴射量であるパーシャルリフト噴射量と、前記ポート噴射弁による噴射量であるポート噴射量とに分割する学習用分割処理と、
   前記学習用分割処理に基づく前記パーシャルリフト噴射を終了させることによる前記筒内噴射弁の閉弁に伴って前記コイルに対する前記可動子の相対速度が低下することに起因した前記コイルの誘導起電力の時間変化の変曲点を、前記コイルの端子電位および前記コイルを流れる電流の少なくとも一方に基づき検出する変曲点検出処理と、
   前記変曲点の検出タイミングに基づき、前記パーシャルリフト噴射を実行するときの前記通電処理を補正する補正処理と、を実行する内燃機関の燃料噴射制御装置。
2. 前記内燃機関の冷間始動時および前記内燃機関の触媒の暖機処理時のうちの少なくとも１つの処理において、
   前記要求噴射量を、前記通電処理によって最大リフト量に到達させつつ前記筒内噴射弁を開弁させるフルリフト噴射の噴射量であるフルリフト噴射量と、前記パーシャルリフト噴射量と、に分割する時分割処理と、
   前記時分割処理に基づく前記フルリフト噴射を実行した後、前記時分割処理に基づく前記パーシャルリフト噴射を実行するマルチ噴射処理と、を実行する請求項１記載の内燃機関の燃料噴射制御装置。
3. 前記学習用分割処理は、前記時分割処理および前記マルチ噴射処理を用いる前記少なくとも１つの処理を実行する要求が生じないことを条件に実行される請求項２記載の内燃機関の燃料噴射制御装置。
4. 前記筒内噴射弁に供給する燃料の圧力の目標値を可変設定する可変設定処理と、
   前記筒内噴射弁が噴射する燃料を貯蔵する燃料タンク内の燃料を前記筒内噴射弁側に吐出する高圧燃料ポンプを操作して、前記筒内噴射弁に供給する燃料の圧力を前記可変設定処理による前記目標値に制御する燃圧制御処理と、
   前記筒内噴射弁に供給される燃料の圧力が高い場合に低い場合と比較して前記学習用分割処理による前記パーシャルリフト噴射の噴射量を多くする噴射量可変処理と、を実行する請求項１〜３のいずれか１項に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置。
5. 前記内燃機関の動作点に基づき、前記要求噴射量を、前記筒内噴射弁による噴射量と前記ポート噴射量とに分割する噴き分け処理を実行し、
   前記学習用分割処理を、前記噴き分け処理によって前記要求噴射量が全て前記ポート噴射量に割り振られる前記動作点において、前記噴き分け処理による前記要求噴射量の分割を無効とすることによって実行する請求項１〜４のいずれか１項に記載の内燃機関の燃料噴射制御装置。

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