JP2018110113A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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-
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- C23C18/206—Use of metal other than noble metals and tin, e.g. activation, sensitisation with metals
-
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- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
Abstract
【解決手段】対象物表面上の官能基の性質を効果的に改質することができる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。この装置は、チャンバと、平面プラズマ発生電極と、試料懸架保持システムと、光学観測システムとを含む。チャンバは内側処理チャンバを規定し、チャンバの最上部は窓を有する。平面プラズマ発生電極は、内側処理チャンバ内に配置されて平面プラズマを発生する。試料懸架保持システムは、内側処理チャンバ内に、平面プラズマ発生電極に対向して配置されて、試料を懸架して保持する。光学観測システムは、内側処理チャンバ内に、試料懸架保持システムに隣接して配置されて、平面プラズマの有効影響領域の厚さの範囲を、チャンバの窓を通して測定する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態によるプラズマ処理装置の概略図である。図1を参照すれば、第1実施形態のプラズマ処理装置100が、チャンバ102と、平面プラズマ発生電極104と、試料懸架保持システム106と、光学観測システム108とを含む。チャンバ102は内側処理チャンバ110を規定し、チャンバ102の最上部は窓112を有する。平面プラズマ発生電極104は内側処理チャンバ110内に配置されて平面プラズマの有効影響領域を生成し、平面プラズマ発生電極104は図に示すように絶縁基板115内に埋め込むことができ、あるいは絶縁基板115上に形成して絶縁基板115の表面よりも高くすることができる。処理全体を実行するために、平面プラズマ発生電極104は、試料116と同じサイズに、またはより大きく作製することができる。その代わりに、平面プラズマ発生電極104を、試料116よりも小さい種々の幾何学的形状に作製して、試料116の特定連続領域のみに対して処理を実行することができる。試料懸架保持システム106は、内側処理チャンバ110内に、平面プラズマ発生電極104に対向して配置されて、試料116を懸架して保持する。光学観測システム108は、(図1に示すように)内側処理チャンバ110内に、試料懸架保持システム106に隣接して配置されて、平面プラズマの有効影響領域114の範囲(即ち、有効影響領域114の厚さH1の範囲)を、チャンバ102の窓112を通して厚さ方向(z方向)に測定する。光学観測システム108は、平面プラズマ発生電極104の上方の約20mmの範囲内を移動することができ、垂直距離をリセットして測定する(あるいは表示して記録する)機能を有する。光学観測システム108と試料懸架保持システム106とはリンクすることができ、あるいは光学観測システム108は試料懸架保持システム106から切り離すことができる。例えば、光学観測システム108は、観測レンズ118、及び観測レンズ118に接続された調整可能な懸架部材120を有することができ;試料懸架保持システム106は、クランプ部材122、及びクランプ部材122に接続された他の調整可能な懸架部材124を有することができる。従って、調整可能な懸架部材120または124を(手動で、あるいは電気的に)個別に制御することによって、光学観測システム108と試料懸架保持システム106とをリンクしないことができ;調整可能な懸架部材120及び124を同時に制御することによって、光学観測システム108と試料懸架保持システム106とをリンクさせることができる。リンクしない際には、光学観測システム108を用いて平面プラズマの有効影響領域114の厚さH1の範囲の上限及び下限を測定し、観測による瞬時の確認のために用いることはできない。一方、リンクする際には、光学観測システム108は、処理プロセス中に、試料が平面プラズマの有効影響領域114の厚さH1の上限と下限との間に配置されているか否かを、観測によって瞬時に確認することができる。さらに、光学観測システム108を、チャンバ102の外側に窓112に対向して配置された(電荷結合素子(CCD:charge-coupled device)のような)デジタル写真撮影装置、及び窓内に配置された、光信号を外部の分析装置(図示せず)に送信するための光ファイバ・センサ128と共に用いることができる。
図1のような装置を使用し、プラズマ発生の方法は共平面の櫛型電極の誘電体バリア放電による励起であり、試料は75μm〜100μmの厚さを有するポリイミド(PI:polyimide)であった。まず、単純な油除去処理を処理前の試料に対して実行し:即ち、エタノール・アルコール中で超音波振動を5分間実行し、次に60℃のオーブン内で乾燥を実行した。
緩衝ガス:アルゴン(Ar);
圧力:約0.5torr(0.066661kPa)〜10torr(1.33322kPa);
ガス流量:約10sccm〜50sccm;
電界強度:12kV/cm;
試料は電極から約2mm;
プラズマ処理の時間:0秒〜300秒。
実験例1と同じ処理方法及びチェック方法を用いたが、プラズマ処理の時間は120秒に固定し、変化を与えた電界を代わりに用いた。純水の接触角及び濡れ張力の測定結果を、それぞれ図11A及び図11Bに示す。
実験例2と同じ処理方法及びチェック方法を用いたが、電極からの試料の距離を1mmに変更した。接触角及び濡れ張力の測定結果を、それぞれ図12A及び図12Bに示す。
実験例2と同じ処理方法及びチェック方法を用いたが、電極からの試料の距離は0.1mm〜0.2mmに変更した。
試料を普通のガラスに変更し、実験例2〜3の処理方法を用いて、約4度〜5度の純水の接触角が得られた。即ち、不活性ガスのプラズマを用いることによって対象物の表面の官能基を除去する方法は、酸素または水蒸気を吸収した非常に多数のダングリングボンドを試料の表面上に残すことができ、従って、処理表面は、大気環境に戻すと酸素または水蒸気を吸収することができる。換言すれば、こうした表面改質は、化学反応が関与しないので物理的吸収によって実現することができ、従って、この方法は、室温では反応しない大部分の対象物の表面に適しているはずである。
剥離紙を切って平行なトレンチ(溝)を形成し、次にこの剥離紙をPI試料の表面に接着した。実験例2の処理方法後に、試料を即座にスズ−パラジウム・コロイド溶液中に置いて15分間浸漬し、これにより触媒金属粒子を親水性部分に吸収させることができた。PI試料を洗浄して乾燥させた後に、PI試料を無電解の銅メッキ溶液中に5分間浸漬させた。剥離紙によって覆われた部分がより疎水性であったので、スズ−パラジウム・コロイドは全く吸収されることができず、銅の堆積は結局発生せず;一方、トレンチからのプラズマに晒された部分は銅の相当量の堆積があったことを、観測によって確認することができる。
無機塩を含有する銀(Ag)を、エタノールの溶液中に、前駆体(先駆体)として0.05M(モル)の濃度で用いた。視覚的観測時に、未処理のPI試料の表面上では濡れが発生せず、クランピング(集塊)及び凝集の現象が発生し、スピンコーティング後に接着は発生しなかった。
102 チャンバ
102a 空気入口
102b 排気口
104 平面プラズマ発生電極
106 試料懸架保持システム
108 光学観測システム
110 内側処理チャンバ
112 窓
114、900a、900b、900c 有効影響領域
115 絶縁基板
116、800 試料
116a 所定箇所
118 観測レンズ
120、124 調整可能な懸架部材
122、206 クランプ部材
126 デジタル写真撮影装置
128 光ファイバ・センサ
400 外部分析装置
402 ガス供給装置
404 圧力制御装置
500 パターンマスク
600、602、604、606、608、700 ステップ
800a、800b、800c 表面
H1 平面プラズマの有効影響領域の厚さ
H2 試料と平面プラズマ発生電極との間の距離
P 平面プラズマ発生電極間の間隔
t 誘電体材料の厚さ
W 平面プラズマ発生電極の各線の線幅
Claims (26)
- 内側処理チャンバを規定するチャンバであって、該チャンバの最上部が窓を有するチャンバと、
前記内側処理チャンバ内に配置されて平面プラズマを発生する平面プラズマ発生電極と、
前記内側処理チャンバ内に、前記平面プラズマ発生電極に対向して配置されて、試料を懸架して保持する試料懸架保持システムと、
前記内側処理チャンバ内に、前記試料懸架保持システムに隣接して配置された光学観測システムであって、前記平面プラズマの有効影響領域の厚さの範囲を、前記チャンバの前記窓を通して測定するための光学観測システムと
を具えているプラズマ処理装置。 - 前記光学観測システムと前記試料懸架保持システムとがリンクされている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記光学観測システムが前記試料懸架保持システムから切り離されている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記光学観測システムが、
透明基板と、該透明基板の表面上に配置された蛍光コーティングと、該透明基板と該蛍光コーティングとの間のシェルタ・コーティングとを具えた観測レンズと、
前記観測レンズに接続された調整可能な懸架部材であって、前記内側処理チャンバ内で前記観測レンズを懸架して前記観測レンズの高さを調整するための調整可能な懸架部材と
を具えている、請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 前記光学観測システムが、
前記チャンバの外側に、前記窓に対向して配置されたデジタル写真撮影装置と、
前記窓内に配置された光ファイバ・センサであって、光信号を外部分析装置に送信するための光ファイバ・センサと
をさらに具えている、請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 前記外部分析装置が、前記デジタル写真撮影装置の精度を確認しチェックするための分光光度計または輝度計を具えている、請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記内側処理チャンバにガスを供給するためのガス供給装置をさらに具え、前記ガスの流量が0.5sccm〜200sccmである、請求項1〜6のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記内側処理チャンバ内の圧力を制御するための圧力制御装置をさらに具え、前記圧力が0.1torr〜500torrである、請求項1〜7のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記平面プラズマ発生電極が、櫛型電極、正方形ループ、円形ループ、U字形の線、または蛇行線を具えている、請求項1〜8のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記試料の表面に近接したパターンマスクであって、前記試料の所定箇所に対して処理を実行するためのパターンマスクをさらに具えている、請求項1〜9のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- プラズマ処理チャンバ内に平面プラズマを発生するステップと、
前記平面プラズマの有効影響領域を観測して、前記平面プラズマの前記有効影響領域の位置及び厚さの範囲を得るステップと、
前記試料の位置を前記有効影響領域内に調整するステップと、
前記試料に対してプラズマ処理を実行するステップと
を含む、プラズマ処理方法。 - 前記試料の位置を調整する前に、前記平面プラズマの前記有効影響領域の厚さ及び位置を調整するステップをさらに含む、請求項11に記載のプラズマ処理方法。
- 前記平面プラズマの前記有効影響領域の厚さの範囲を観測するステップが、光学観測システムを用いて観測するステップを含み、前記光学観測システムは観測レンズを具え、該観測レンズは、透明基板と、該透明基板の表面上に配置された蛍光コーティングと、該透明基板と該蛍光コーティングとの間のシェルタ・コーティングとを具えている、請求項11または12に記載のプラズマ処理方法。
- 前記平面プラズマの厚さの範囲を観測するステップが、前記観測レンズの位置を調整して、前記蛍光コーティング及び前記透明基板の明るさの変化を観測するステップを含む、請求項13に記載のプラズマ処理方法。
- 前記蛍光コーティング及び前記透明基板の明るさの変化を観測するステップが、視覚的観測、またはデジタル写真撮影装置を使用することを含む、請求項14に記載のプラズマ処理方法。
- 外部分析装置を用いて前記写真撮影装置の精度を確認しチェックするステップをさらに含む、請求項15に記載のプラズマ処理方法。
- 前記試料が3Dの表面を有し、圧力を調整することによって前記平面プラズマの前記有効影響領域を変化させて、前記3Dの表面の異なる領域を処理する、請求項11〜16のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記平面プラズマを発生させた後に、前記平面プラズマの前記有効影響領域を拡大または縮小させるステップをさらに含む、請求項11〜17のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記圧力が0.1torr〜500torrである、請求項18に記載のプラズマ処理方法。
- 前記平面プラズマを発生させている間に流れるガスが、反応性ガスまたは不活性ガスを含む、請求項11〜19のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記不活性ガスが、ヘリウム、ネオン、窒素、またはその組合せを含み、前記反応性ガスが、酸素、アンモニア、水素、またはその組合せを含む、請求項20に記載のプラズマ処理方法。
- 前記ガスの流量が0.5sccm〜200sccmである、請求項20または21に記載のプラズマ処理方法。
- 前記平面プラズマの前記有効影響領域の厚さの範囲が0.1mm〜20.0mmである、請求項11〜22のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記平面プラズマを発生させるための電界が2kV/cm〜30kV/cmである、請求項11〜23のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマ処理を実行する前に、前記平面プラズマの電界を調整して、前記試料の表面の親水性及び疎水性を変化させるステップをさらに含む、請求項11〜24のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
- 前記試料の表面上にパターンマスクを配置して、前記試料の所定箇所に対して前記プラズマ処理を実行するステップをさらに含む、請求項11〜25のいずれかに記載のプラズマ処理方法。
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