JP2018106023A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018106023A5 JP2018106023A5 JP2016252703A JP2016252703A JP2018106023A5 JP 2018106023 A5 JP2018106023 A5 JP 2018106023A5 JP 2016252703 A JP2016252703 A JP 2016252703A JP 2016252703 A JP2016252703 A JP 2016252703A JP 2018106023 A5 JP2018106023 A5 JP 2018106023A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- functional layer
- chromium
- film
- shift mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 49
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 46
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016252703A JP6812236B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| TW106140657A TWI698702B (zh) | 2016-12-27 | 2017-11-23 | 相移光罩基底及使用其之相移光罩之製造方法、與顯示裝置之製造方法 |
| KR1020170164146A KR102271751B1 (ko) | 2016-12-27 | 2017-12-01 | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 이것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN201711295074.2A CN108241251B (zh) | 2016-12-27 | 2017-12-08 | 相移掩模坯料、相移掩模制造方法及显示装置制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016252703A JP6812236B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018106023A JP2018106023A (ja) | 2018-07-05 |
| JP2018106023A5 true JP2018106023A5 (enExample) | 2019-10-24 |
| JP6812236B2 JP6812236B2 (ja) | 2021-01-13 |
Family
ID=62701037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016252703A Active JP6812236B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6812236B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102271751B1 (enExample) |
| CN (1) | CN108241251B (enExample) |
| TW (1) | TWI698702B (enExample) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7115281B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2022-08-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| JP7044095B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2022-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP7303077B2 (ja) * | 2019-09-10 | 2023-07-04 | アルバック成膜株式会社 | マスクブランクスの製造方法及びフォトマスクの製造方法、マスクブランクス及びフォトマスク |
| KR102598440B1 (ko) * | 2019-12-20 | 2023-11-07 | 주식회사 에스앤에스텍 | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
| CN112259557B (zh) * | 2020-10-15 | 2022-12-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102475672B1 (ko) * | 2021-11-03 | 2022-12-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3262302B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2002-03-04 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトフォトマスク、位相シフトフォトマスク用ブランクス及びそれらの製造方法 |
| KR100295385B1 (ko) * | 1993-04-09 | 2001-09-17 | 기타지마 요시토시 | 하프톤위상쉬프트포토마스크,하프톤위상쉬프트포토마스크용블랭크스및이들의제조방법 |
| US5604060A (en) * | 1993-08-31 | 1997-02-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Halftone phase shift photomask comprising a single layer of halftone light blocking and phase shifting |
| US5415953A (en) * | 1994-02-14 | 1995-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photomask blanks comprising transmissive embedded phase shifter |
| JP2983020B1 (ja) * | 1998-12-18 | 1999-11-29 | ホーヤ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| KR100725214B1 (ko) * | 1999-12-15 | 2007-06-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 하프톤 위상 시프트 포토 마스크용 블랭크, 및 하프톤위상 시프트 포토 마스크 |
| TWI480675B (zh) * | 2004-03-31 | 2015-04-11 | Shinetsu Chemical Co | 半色調相移空白光罩，半色調相移光罩，以及圖案轉移方法 |
| JPWO2009123166A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2011-07-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
| JP2010008532A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーンフォトマスク及びそれを用いて製造したカラーフィルタ基板 |
| KR20110059510A (ko) * | 2009-11-27 | 2011-06-02 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
| JP5270647B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2013-08-21 | 信越化学工業株式会社 | スパッタリング成膜用珪素ターゲットおよび珪素含有薄膜の成膜方法 |
| KR101282040B1 (ko) * | 2012-07-26 | 2013-07-04 | 주식회사 에스앤에스텍 | 플랫 패널 디스플레이용 위상반전 블랭크 마스크 및 포토 마스크 |
| KR101760337B1 (ko) * | 2013-04-17 | 2017-07-21 | 알박 세이마쿠 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 위상 시프트 마스크 |
| JP6266322B2 (ja) * | 2013-11-22 | 2018-01-24 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| JP6229466B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-11-15 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| JP6722421B2 (ja) * | 2014-04-04 | 2020-07-15 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP6661262B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2020-03-11 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法 |
| JP6594742B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2019-10-23 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク及びそれを用いたフォトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| KR102069960B1 (ko) * | 2015-03-27 | 2020-01-23 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
-
2016
- 2016-12-27 JP JP2016252703A patent/JP6812236B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-23 TW TW106140657A patent/TWI698702B/zh active
- 2017-12-01 KR KR1020170164146A patent/KR102271751B1/ko active Active
- 2017-12-08 CN CN201711295074.2A patent/CN108241251B/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2018106023A5 (enExample) | ||
| KR101207724B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 이의 제조방법 | |
| KR102211544B1 (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| KR101584383B1 (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 | |
| US9207529B2 (en) | Reflective mask blank for EUV lithography, and process for its production | |
| JP4525893B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法 | |
| JP6153894B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6876737B2 (ja) | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
| JP6104852B2 (ja) | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6812236B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
| JP2015092281A5 (enExample) | ||
| KR101935448B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 블랭크 및 이것을 사용한 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP7095157B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクおよびこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
| US20090042110A1 (en) | Reflection type photomask blank, manufacturing method thereof, reflection type photomask, and manufacturing method of semiconductor device | |
| CN107203091A (zh) | 相移底板掩模和光掩模 | |
| CN108319103A (zh) | 相移掩模坯料及使用其的相移掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法 | |
| JP2018116266A (ja) | 表示装置製造用の位相シフトマスクブランク、表示装置製造用の位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
| JP6313678B2 (ja) | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2017151480A (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP5934434B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、及び位相シフトマスクの製造装置 | |
| JP6295352B2 (ja) | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6557381B1 (ja) | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク | |
| TWI809232B (zh) | 遮罩基底、相移遮罩、相移遮罩之製造方法及半導體元件之製造方法 | |
| JP6999460B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク中間体及びこれらを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法 | |
| KR20170073232A (ko) | 다계조 포토마스크 |