JP2018101656A - プリント回路基板、光モジュール、及び光伝送装置 - Google Patents

Abstract

【課題】差動伝送線路へのコモンモード信号成分の伝送伝搬を選択的に阻害することが実現されるプリント回路基板、光モジュール、及び光伝送装置の提供。【解決手段】接地導体層と、第１の方向に延伸する１対のストリップ導体と、第２の方向に沿って１対のストリップ導体と立体的に交差する第１共振体導体と、第１共振体導体と接地導体層を接続する１対の第１バイアホールと、第１共振体導体を内部に含み、接地導体層と前記１対のストリップ導体の間に配置される誘電体層と、を備える、プリント回路基板であって、接地導体層と第１共振体導体と１対の第１バイアホールとにより、第１共振体構造が構成され、１対のストリップ導体と接地導体層との距離Ｈ１は、１対のストリップ導体と第１共振体導体との距離Ｈ２の２倍以上であり、第１共振体導体の線路長Ｌは、ビットレートに対応する周波数において０．４波長以上０．６波長以下である。【選択図】図２

Description

本発明は、プリント回路基板、光モジュール、及び光伝送装置に関し、特に、マイクロストリップ線路形式の差動伝送線路に伝搬する不要電磁波が抑制される、プリント回路基板に関する。

プリント回路基板において、シリアルデータ信号を伝送する差動伝送線路が形成されることがある。かかる差動伝送線路に高周波の不要なノイズが発生しうる。

このような高周波のノイズに対して、差動伝送線路を差動信号成分が伝導伝搬することに悪い影響を及ぼさない（差動信号品位を劣化させない）まま、コモンモード信号成分の伝導伝搬を選択的に阻害する手法が提案されている。特許文献１及び２に、矩形の導体膜をその中央に配置したバイアホールにより接地導体層に接続する共振体を構成し、その共振体を差動伝送線路の下部に配置することにより結合する構成が開示されている。特許文献３に、接地導体層に渦巻状の開口部（スロット）を複数設け、差動伝送線路の両側に配置して両者を線上の開口部で接続することによる共振体を構成し、その共振体を差動伝送線路に結合させる構成が開示されている。

国際公開第２０１１／００４４５３号 特開２０１２−２２７８８７号公報 米国特許出願公開第２０１１／０２９８５６３号明細書

所望の周波数領域において、差動伝送線路へ伝送されるコモンモード信号成分の伝導伝搬を選択的に阻害するのが望ましく、そのためには、差動伝送線路に共振体構造を結合させることが考えられる。ここで、共振体構造は、接地導体層と、共振体導体と、共振体導体と接地導体層とを接続する１対のバイアホールと、により構成される。しかしながら、共振体導体と１対のバイアホールは別々の工程で形成される。それゆえ、１対のバイアホールの共振体導体に対する位置ずれにより、阻害できるコモンモード信号成分の周波数領域が変動してしまう。周波数領域の変動により、所望の周波数領域においてコモンモード信号成分の伝導伝搬を選択的に阻害することが困難となれば、歩留り低下を招くこととなる。

本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、差動伝送線路へのコモンモード信号成分の伝送伝搬を選択的に阻害することが実現されるプリント回路基板、光モジュール、及び光伝送装置の提供を目的とする。

（１）上記課題を解決するために、本発明に係るプリント回路基板は、接地導体層と、前記接地導体層の積層方向の基板表面側に配置され、ともに第１の方向に沿って延伸する、１対のストリップ導体と、前記接地導体層と、前記１対のストリップ導体と、の間に配置され、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第１共振体導体と、前記第１共振体導体と、前記接地導体層と、をそれぞれ接続する１対の第１バイアホールと、前記第１共振体導体を内部に含むとともに、前記接地導体層と前記１対のストリップ導体と、の間に配置される、誘電体層と、を備える、プリント回路基板であって、前記接地導体層と、前記１対のストリップ導体と、前記誘電体層と、により、デジタル変調信号が伝送される、マイクロストリップ線路形式の差動伝送線路が構成され、前記接地導体層と、前記第１共振体導体と、前記１対の第１バイアホールと、により、第１共振体構造が構成され、前記１対のストリップ導体と前記接地導体層との積層方向に沿う距離Ｈ_１は、前記１対のストリップ導体と前記第１共振体導体との積層方向に沿う距離Ｈ_２の２倍以上であり、前記第１共振体導体は、前記１対の第１バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第１共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下である。

（２）上記（１）に記載のプリント回路基板であって、前記第１共振体導体は、前記１対の第１バイアホールそれぞれから、前記第２の方向に沿って、前記第１共振体導体の内側又は外側のいずれかへともに延伸してもよい。

（３）上記（１）に記載のプリント回路基板であって、前記第１共振体導体は、前記１対の第１バイアホールそれぞれから、前記第２の方向に沿って、前記第１共振体導体の内側又は外側のいずれかへともに延伸し、さらに、第１の方向のいずれか一方の向きへともに屈曲してもよい。

（４）上記（１）に記載のプリント回路基板であって、前記第１共振体導体は、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する部分より、前記第２の方向に沿って外側へ延伸し、前記第１の方向のいずれか一方の向きへ屈曲するとともにさらに前記第１の方向に沿って延伸し、前記第２の方向の外側へ屈曲するとともに前記第２の方向に沿って外側又は内側のいずれかへともに延伸して、前記１対の第１バイアホールと接続してもよい。

（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載のプリント回路基板であって、前記第１共振体導体は、平面視して、前記１対のストリップ導体に対して、実質的に線対称となる形状を有していてもよい。

（６）上記（１）乃至（５）のいずれかに記載のプリント回路基板であって、前記第１共振体導体と同一層上に配置され、前記第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第２共振体導体と、前記第２共振体導体と、前記接地導体と、をそれぞれ接続する１対の第２バイアホールと、をさらに備え、前記接地導体層と、前記第２共振体導体と、前記１対の第２バイアホールと、により、第２共振体構造が構成され、前記第２共振体導体は、前記１対の第２バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第２共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下であってもよい。

（７）上記（４）に記載のプリント回路基板であって、前記第１共振体導体と同一層上に配置され、前記第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第２共振体導体と、前記第２共振体導体と、前記接地導体と、をそれぞれ接続する１対の第２バイアホールと、をさらに備え、前記接地導体層と、前記第２共振体導体と、前記１対の第２バイアホールと、により、第２共振体構造が構成され、前記第２共振体導体は、前記１対の第２バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第２共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下であり、前記第２共振体導体は、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する部分より、前記第１共振体導体と互いに並行して前記第２の方向に沿って外側へ延伸し、前記第１の方向のいずれか他方の向きへ屈曲するとともにさらに前記第１の方向に沿って前記第１共振体導体から遠ざかるように延伸し、前記第２の方向の外側へ屈曲するとともに前記第２の方向に沿って外側又は内側のいずれかへともに延伸して、前記１対の第２バイアホールと接続してもよい。

（８）本発明に係るプリント回路基板は、接地導体層と、前記接地導体層の積層方向の基板表面側に配置され、ともに第１の方向に沿って延伸する、１対のストリップ導体と、前記１対のストリップ導体の積層方向の基板表面側に配置され、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第１共振体導体と、前記第１共振体導体と、前記接地導体層と、をそれぞれ接続する１対の第１バイアホールと、前記１対のストリップ導体を内部に含むとともに、前記接地導体層と前記第１共振体導体と、の間に配置される、誘電体層と、を備える、プリント回路基板であって、前記接地導体層と、前記１対のストリップ導体と、前記誘電体層と、により、デジタル変調信号が伝送される、マイクロストリップ線路形式の差動伝送線路が構成され、前記接地導体層と、前記第１共振体導体と、前記１対の第１バイアホールと、により、第１共振体構造が構成され、前記１対のストリップ導体と前記接地導体層との積層方向に沿う距離Ｈ_１は、前記１対のストリップ導体と前記第１共振体導体との積層方向に沿う距離Ｈ_２の２倍以上であり、前記第１共振体導体は、前記１対の第１バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第１共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下であってもよい。

（９）上記（１）乃至（８）のいずれかに記載のプリント回路基板であって、前記第１の方向と前記第２の方向のなす角は、８５°以上９０°以下であってもよい。

（１０）上記（１）乃至（９）のいずれかに記載のプリント回路基板であって、前記第１の方向と前記第２の方向とは、実質的に直交していてもよい。

（１１）本発明に係る光モジュールは、上記（１）乃至（１０）のいずれかに記載のプリント回路基板を、備える光モジュールであって、前記プリント回路基板は、前記デジタル変調信号を駆動する、ＩＣを、さらに備えていてもよい。

（１２）上記（１１）に記載の光モジュールであって、前記プリント回路基板を覆って電磁的シールドを構成するとともに、前記プリント回路基板の一部を外部に露出するための開口部とを有する、金属筺体を、さらに備えていてもよい。

（１３）本発明に係る光伝送装置は、上記（１１）又は（１２）に記載の光モジュールが搭載されていてもよい。

（１４）本発明に係る光伝送装置は、上記（１）乃至（１０）のいずれかに記載のプリント回路基板を、備える光伝送装置であって、前記プリント回路基板は、前記デジタル変調信号を駆動する、ＩＣを、さらに備えていてもよい。

本発明により、差動伝送線路へのコモンモード信号成分の伝送伝搬を選択的に阻害することが実現されるプリント回路基板、光モジュール、及び光伝送装置が提供される。

本発明の第１の実施形態に係る光伝送装置及び光モジュールの構成を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態に係るプリント回路基板の一部の平面を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態の係るプリント回路基板の一部の断面を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態に係る差動伝送線路の特性を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る光モジュールの外部形状を示す概略斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る光モジュールの構造を示す概略斜視図である。 本発明の第２の実施形態に係るプリント回路基板の一部の平面を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態に係る差動伝送線路の特性を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係るプリント回路基板の一部の平面を示す模式図である。 本発明の第２の実施形態に係る差動伝送線路の特性を示す図である。 本発明の第３の実施形態に係るプリント回路基板の一部の平面を示す模式図である。 本発明の第３の実施形態に係る差動伝送線路の特性を示す図である。 本発明の第４の実施形態に係るプリント回路基板の一部の構造を示す模式図である。 本発明の第５の実施形態に係るプリント回路基板の一部の構造を示す模式図である。 本発明の第６の実施形態に係るプリント回路基板の一部の構造を示す模式図である。 本発明の第７の実施形態に係るプリント回路基板の一部の構造を示す模式図である。 本発明の第７の実施形態の係るプリント回路基板の一部の断面を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態の比較例に係るプリント回路基板の一部の平面を示す模式図である。 本発明の第１の実施形態の比較例に係る差動伝送線路の特性を示す図である。

以下に、図面に基づき、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、以下に示す図は、あくまで、実施形態の実施例を説明するものであって、図の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。

［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光伝送装置１及び光モジュール２の構成を示す模式図である。光伝送装置１は、プリント回路基板１１を備えている。また、光モジュール２は、プリント回路基板２１を備えている。当該実施形態に係るプリント回路基板は、これらプリント回路基板１１，２１のいずれか又は両方である。

光伝送装置１は、ＩＣ１２をさらに備える。光伝送装置１は、例えば、大容量のルータやスイッチである。光伝送装置１は、例えば交換機の機能を有しており、基地局などに配置される。光伝送装置１は、光モジュール２より受信用のデータ（受信用の電気信号）を取得し、ＩＣ１２などを用いて、どこへ何のデータを送信するかを判断し、送信用のデータ（送信用の電気信号）を生成し、プリント回路基板１１を介して、該当する光モジュール２へそのデータを伝達する。

光モジュール２は、送信機能及び受信機能を有するトランシーバであり、光ファイバ３Ａを介して受信する光信号を電気信号に変換するＲＯＳＡ２３Ａと、電気信号を光信号に変換して光ファイバ３Ｂへ送信するＴＯＳＡ２３Ｂと、を含んでいる。プリント回路基板２１と、ＲＯＳＡ２３Ａ及びＴＯＳＡ２３Ｂとは、それぞれフレキシブル基板２２Ａ，２２Ｂ（フレキシブルプリント基板，ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）を介して接続されている。ＲＯＳＡ２３Ａより電気信号がフレキシブル基板２２Ａを介してプリント回路基板２１へ伝送され、プリント回路基板２１より電気信号がフレキシブル基板２２Ｂを介してＴＯＳＡ２３Ｂへ伝送される。光モジュール２と光伝送装置１とは電気コネクタ５を介して接続される。ＲＯＳＡ２３ＡやＴＯＳＡ２３Ｂは、プリント回路基板２１に電気的に接続され、光信号又は電気信号のうち一方から他方へ変換する光素子である。

当該実施形態に係る伝送システムは、２個以上の光伝送装置１と２個以上の光モジュール２と、１個以上の光ファイバ３を含む。各光伝送装置１に、１個以上の光モジュール２が搭載される。２個の光伝送装置１にそれぞれ搭載される光モジュール２の間を、光ファイバ３が接続している。一方の光伝送装置１が生成した送信用のデータが、搭載される光モジュール２によって光信号に変換され、かかる光信号を光ファイバ３へ送信される。光ファイバ３上を伝送する光信号は、他方の光伝送装置１に搭載される光モジュール２によって受信され、光モジュール２が光信号を電気信号へ変換し、受信用のデータとして当該他方の光伝送装置１へ伝送する。

ここで、各光モジュール２が送受信する電気信号のビットレートは１００Ｇｂｉｔ／ｓ級のものであり、光モジュール２は、送信用に４チャンネル、受信用に４チャンネルの多チャンネル方式である。各々のチャネルを伝送する電気信号のビットレートは２５Ｇｂｉｔ／ｓ乃至２８Ｇｂｉｔ／ｓのいずれかであり、具体的には、各々のチャンネルを伝送する電気信号のビットレートは２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓである。差動伝送線路はビットレート２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓの電気的なシリアルデータ信号を伝搬させるためのものである。

図２は、当該実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の平面を示す模式図である。図３は、当該実施形態の係るプリント回路基板３１の一部の断面を示す模式図である。図２及び図３は、プリント回路基板３１の構造を理解するために、平面及び断面をそれぞれ模式的に示しており、実際の平面図及び断面図とは異なっている。プリント回路基板３１は、それぞれ誘電体層を介して複数の導体層が形成される多層構造のプリント配線基板であり、図２及び図３に、多層構造のうち、プリント回路基板３１のうち、差動伝送線路と共振体構造が形成される部分（上部のみ）が図示されている。図３は、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面を示している。

当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、高速デジタル信号用の差動伝送線路を複数備えており、プリント回路基板３１は複数のチャネルを有している。図２及び図３には、複数の差動伝送線路のうち、１つの差動伝送線路３２（１チャンネル）が示されている。ここで、差動伝送線路３２に伝送される電気信号のビットレートは２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓである。なお、ここで、プリント回路基板３１は、光モジュール２のプリント回路基板２１であるが、前述の通り、光伝送装置１のプリント回路基板１１であってもよい。

図２及び図３に示す通り、プリント回路基板３１は、誘電体層１００と、１対のストリップ導体１０１，１０２と、接地導体層１０３と、第１共振体導体１０４と、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂと、を備える。なお、図２に示す最上表面には、保護用誘電体膜１０７が全面に亘って配置されているが、プリント回路基板３１の多層構造の理解を容易にするために、保護用誘電体膜１０７は省略されている。また、同様に、誘電体層１００は図２には表示されていない。

誘電体層１００には、ガラス布基材とエポキシ樹脂からなる材料（ガラスエポキシ樹脂）が用いられる。例えば、誘電体層１００の比誘電率３．５とする。誘電体層１００は、第１共振体導体１０４を内部に含むとともに、１対のストリップ導体１０１，１０２と接地導体層１０３と、の間に配置される。

１対のストリップ導体層１０１，１０２は、接地導体層１０３の積層方向の基板表面側（図３に示す上側）に配置され、ともに第１の方向（図２に示す上下方向）に沿って延伸している。１対のストリップ導体層１０１，１０２はともに、プリント回路基板３１の多層構造の最上層の金属層上に形成される。１対のストリップ導体１０１，１０２は、厚さ３７μｍの銅箔である。１対のストリップ導体１０１，１０２の幅Ｗは、ともに０．１７ｍｍであり、１対のストリップ導体１０１，１０２の間隔Ｇは０．２０ｍｍである。ここで、間隔Ｇは、ストリップ導体１０１の内縁からストリップ導体１０２の内縁までの距離である。１対のストリップ導体１０１，１０２は、互いに間隔Ｇで離間しつつ、ともに幅Ｗで、互いに平行に第１の方向に直線形状に延伸しているのが望ましい。しかしながら、１対のストリップ導体１０１，１０２の形状は、プリント回路基板３１に実装される他の部品との関係により、屈曲する場合などが考えられる。その場合であっても、第１共振体導体１０４と立体的に交差する領域及びその近傍の領域において、平行な直線形状であればよい。なお、１対のストリップ導体１０１，１０２の平面形状は、パタンニングにより加工形成される。

接地導体層１０３は、厚さ１８μｍの銅箔であり、プリント回路基板３１の多層構造のうち、表面側から数えて第３番目の金属層である。図３に示す通り、１対のストリップ導体１０１，１０２と接地導体層１０３との距離Ｈ_１は１６６μｍである。ここで、１対のストリップ導体１０１，１０２と接地導体層１０３との距離Ｈ_１は、１対のストリップ導体１０１，１０２の下表面と、接地導体層１０３の上表面と、の間の距離である。誘電体層１００と、１対のストリップ導体１０１，１０２と、接地導体層１０３と、により、デジタル変調信号が伝送される、マイクロストリップ線路形式の差動伝送線路３２が構成される。差動伝送線路３２の差動モードにおける特性インピーダンスを１００Ωとすることができる。接地導体層１０３は、プリント回路基板３１の全面に亘って配置されるのが望ましいが、１対のストリップ導体１０１，１０２及び第１共振体導体１０４の下方となる領域を含むとともに第２の方向の両側へ広がる形状であればよい。第２の方向は、第１の方向に交差する方向である。

第１共振体導体１０４は、１対のストリップ導体１０１，１０２と接地導体層１０３と、の間に配置される。第１共振体導体１０４は、厚さ３６μｍの銅箔であり、プリント回路基板３１の多層構造のうち、表面側から数えて第２番目の金属層である。図３に示す通り、１対のストリップ導体１０１，１０２と第１共振体導体１０４との距離Ｈ_２は６５μｍである。ここで、１対のストリップ導体１０１，１０２と第１共振体導体１０４との距離Ｈ_２は、１対のストリップ導体１０１，１０２の下表面と、第１共振体導体１０４の上表面と、の間の距離である。距離Ｈ_１は距離Ｈ_２の２倍以上となるのが望ましく、当該実施形態に係るプリント回路基板３１では、かかる条件を満たしている。

第１共振体導体１０４は、第２の方向に沿って、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する。第１の方向と第２の方向のなす角は、８５°以上９０°以下が望ましく、第１の方向と第２の方向とは、実質的に直交している（なす角が９０°である）のがさらに望ましい。当該実施形態において、第１の方向（図２の上下方向）と第２の方向（図２の左右方向）とは、直交している。第１共振体導体１０４は、その両端にそれぞれ円形状（直径０．４５ｍｍ）のランド部１１０ａ，１１０ｂ（ビアランド）を備えている。

１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ（円形状）は、その円形状の中心が、理想的には、ランド部１１０ａ，１１０ｂの円形状の中心を貫くように、それぞれ配置される。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂはそれぞれ、直径０．２０ｍｍの円柱形状のスルーホールであり、スルーホールの内壁には金属が配置される。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの中心間距離Ｄは２．０ｍｍである。誘電体層１００にドリル工程により、プリント回路基板３１の平面方向と垂直に、１対のストリップ導体１０１，１０２（最上層の金属層）から接地導体層１０３（第３番目の金属層）に至るように、円形状の穴（スルーホール）を穿ち、その穴の内壁（内側の側面）に銅メッキを施すことにより、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂは形成される。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂは、第１共振体導体１０４（の両端のランド部１１０ａ，１１０ｂ）と、接地導体層１０３と、をそれぞれ接続する。接地導体層１０３と、第１共振体導体１０４と、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂと、により、第１共振体構造が構成される。

保護用誘電体膜１０７は、図２及び図３に示す通り、プリント回路基板３１の最上層であり、１対のストリップ導体１０１，１０２及び誘電体層１００を覆って配置されている。保護用誘電体膜１０７は、ソルダレジストと呼ばれるハンダ付着防止用の誘電体膜であり、厚さは４０μｍ程度である。なお、特に必要がなければ、保護用誘電体膜１０７は配置しなくてもよい。

当該実施形態に係るプリント回路基板３１の第１の特徴は、第１共振体導体１０４の形状にある。そして、第２の特徴は、距離Ｈ_１が距離Ｈ_２の２倍以上であることである。以下、第１共振体導体１０４の形状について説明する。なお、第１共振体導体１０４の平面形状は、パタンニングにより加工形成される。

第１共振体導体１０４は、両端にあるランド部１１０ａ，１１０ｂ（の中心）それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へ、直線形状で延伸している。すなわち、第１共振体導体１０４は、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ（の中心）それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へ延伸している。ここで、「第１共振体導体１０４の内側へ延伸する」とは、第１共振体導体１０４が立体的に交差する１対のストリップ導体１０１，１０２に対して、両側から近づく向きへ延伸することを言う。「第１共振体導体１０４の外側へ延伸する」とは、第１共振体導体１０４が立体的に交差する１対のストリップ導体１０１，１０２に対して、両側から遠ざかる向きへ延伸することを言う。実際には、第１共振体導体１０４の平面形状と、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂとは、別々の工程で形成されるので、ランド部１１０ａ，１１０ｂ（の中心）と１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ（の中心）とは、それぞれ位置ずれが発生する。ここで位置ずれ量は０．１２５ｍｍである。ランド部１１０ａ，１１０ｂの直径０．４５ｍｍは、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの直径０．２０ｍｍ及び位置ずれ量０．１２５ｍｍに対して対応できる値となっている。また、第１共振体導体１０４のうち、（屈曲している部分を除いて）、直線形状で延伸する部分の幅Ｗ_１は、０．２０ｍｍである。

ここで、ランド部１１０ａ，１１０ｂそれぞれから、又は、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂそれぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４が延伸しているとは、製造上の位置ずれの誤差を許容しており、ランド部１１０ａ，１１０ｂの中心より、第１共振体導体１０４の直線形状の部分の中心が、厳密に延伸していなくてもよく、また、直線形状の延伸方向は、第２の方向に沿っていればよく、厳密に第２の方向と平行でなくてもよい。本明細書において、「第１の方向（又は、第２の方向）に沿う」との表記については、同様とする。

当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、その両端（ランド部１１０ａ，１１０ｂ）から、又は、第１の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂそれぞれから、第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へともに延伸し、さらに、第１の方向のいずれか一方の向き（図２の下向き）へともに屈曲するのが望ましい。さらに、第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へともに延伸し、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分へともに至るのが望ましい。すなわち、第１共振体導体１０４は、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分より、第２の方向に沿って外側へ延伸し、第１の方向のいずれか一方の向き（図２の上向き）へ屈曲するとともにさらに第１の方向に沿って延伸し、第２の方向の外側へ屈曲するとともに第２の方向に沿って外側へ延伸して、１対の第１バイアホールと接続する、のが望ましい。

当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、その両端に配置されるランド部１１０ａ，１１０ｂより第２の方向に沿って内側へ延伸する形状となっている。第１共振体導体１０４がかかる形状となっていることにより、ランド部１１０ａ，１１０ｂと１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂとの位置ずれに起因する特性の劣化を抑制することができている。この効果の詳細については後述する。また、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、第１の方向に沿って延伸する１対のストリップ導体１０１，１０２と、第２の方向に沿って、立体的に交差するとともに、立体的に交差する部分より第２の方向に沿ってそれぞれ延伸し、ともに屈曲と延伸を繰り返して、その両端に配置されるランド部１１０ａ，１１０ｂに接続する形状を有している。当該実施形態に係る第１共振体導体１０４がかかる形状を有することにより、１対の第１バイアホールの一方のバイアホール（例えば、バイアホール１０５ａ）の中心位置から他方のバイアホール（例えば、バイアホール１０５ｂ）の中心位置までの、第１共振体導体１０４の線路長Ｌは３．４ｍｍである。ここで、線路長Ｌは、第１共振体導体が延伸する直線形状の中心線の長さであり、屈曲する部分においては、両側にそれぞれ伸びる直線形状の中心線に基づいて計算すればよい。図２に示す通り、第１共振体導体１０４の第１の方向に延びる直線形状部分の中心線の長さＬ_１は０．７ｍｍである。すなわち、中心線で考えれば、第１の方向に沿って０．７ｍｍという小さな領域に、３．４ｍｍという長い線路長を有する第１共振体導体１０４を配置することができている。また、第１の方向に沿う０．７ｍｍの直線形状部分を両側にそれぞれ１本ずつ（都合２本）設けることができており、かかる２本の直線形状部分が迂回経路となり、第２の方向に沿う直線形状部分を短くすることができている。

第１共振体導体１０４は、比誘電率ε_ｒが３．５の誘電体層１００の内部に配置されており、誘電体層１００中の真空中に対する波長短縮率（１／√ε_ｒ）は０．５３５である。ビットレートに対応する周波数２５．７８ＧＨｚにおける第１共振体導体１０４の一波長λ_ｇは６．２２ｍｍと算出される。よって、第１共振体導体１０４の線路長Ｌである３．４ｍｍは、波長λ_ｇに換算すれば、０．５５λ_ｇとなる。第１共振体導体１０４の線路長Ｌは、第１共振体導体１０４の形状を変化させる場合、第１共振体導体１０４と接地導体層１０３との距離を変化させる場合、誘電体層１００の材料を変化させる場合には、それに応じて適当な値を選択すればよい。適当となる値は、例えば、電磁界解析ツールにより求めることができ、デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において０．４波長以上０．６波長以下の長さとなるのが望ましい。ここで、ビットレートは２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓであり、ビットレートに対応する周波数とは２５．７８ＧＨｚである。すなわち、デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数とは、ビットレート（単位ｂｉｔ／ｓ）の数値をそのままにして、単位をＨｚに変化させたものである。

第１共振体導体１０４は、平面視して、１対のストリップ導体１０１，１０２に対して、実質的に線対称となる形状を有しているのが望ましい。ここで、「１対のストリップ導体１０１，１０２に対して線対称である」とは、１対のストリップ導体１０１，１０２の中心線（ストリップ導体１０１の中心線と、ストリップ導体１０２の中心線と、の中心線）に対して線対称であることを言う。差動伝送線路に伝送する差動信号成分が伝導伝搬することに及ぼされる影響を低減するのが望ましく、そのためには、共振体構造が１対のストリップ導体１０１，１０２に対して対称的であるのが望ましい。

図４は、当該実施形態に係る差動伝送線路３２の特性を示す図である。図４に、差動伝送線路３２における差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１，Ｓｄｄ２２）、及びコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）の周波数依存性を示すグラフが示されている。第１共振体導体１０４（第１共振体構造）が１対のストリップ導体１０１，１０２（差動伝送線路３２）と立体的に交差しているので、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１，Ｓｄｄ２２）において劣化（増加）が生じているが、周波数０〜３０ＧＨｚの範囲において−２０ｄＢ以下の値となっており、比較的良好な値を保っている。これは、第１共振体導体１０４は、幅Ｗ_１が０．２０ｍｍである細い直線形状を有しており、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する面積（対向する面積、平面視して重畳する面積）を低減させていることによるものと考えられる。

また、差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）も良好な特性を示している。一方、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）は、周波数２６．３ＧＨｚを中心とした減衰領域が生じており、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を１０ｄＢ程度阻害できている。

図１８は、当該実施形態の比較例に係るプリント回路基板３３１の一部の平面を示す模式図である。図１９は、当該比較例に係る差動伝送線路３２の特性を示す図であり、位置ずれΔｙが＋０．１２５ｍｍ、０、及び−０．１２５ｍｍである場合のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）がそれぞれ示されている。当該比較例に係るプリント回路基板３３１は、第１共振体導体３０４の形状が、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４の形状と異なっている以外は、同じ構造を有している。当該比較例に係る第１共振体導体３０４は、両端に配置されるランド部３１０ａ，３１０ｂより、第１の方向のいずれかの向き（図１２に示す下向き）に沿ってともに延伸し、第２の方向に沿って、第１共振体導体３０４の内側へともに延伸し、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分へともに至っている。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの中心間距離Ｄを１．４ｍｍとし、バイアホール１０５ａの中心位置からバイアホール１０５ｂの中心位置までの、第１共振体導体３０４の線路長Ｌを３．２ｍｍとしている。第１共振体導体３０４がかかる形状を有することにより、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂそれぞれの中心位置が、ランド部３１０ａ，３１０ｂそれぞれの中心位置に配置される場合、差動伝送線路３３２の特性は、図４に示す差動伝送線路３２と同様の特性が得られる。

次に、当該実施形態に係る差動伝送線路３２と、当該比較例に係る差動伝送線路３２との、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの第１共振体導体１０４（又は３０４）に対する位置ずれによる、特性の影響について検討する。前述の通り、位置ずれ量は０．１２５ｍｍである、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂは、第１共振体導体１０４（又は３０４）に対して、第１の方向及び第２の方向それぞれに対して、最大±０．１２５ｍｍ変動し得る。前述の通り、第１共振体導体１０４（又は３０４）と１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂとは、それぞれ別の工程で形成されるので、第１共振体導体１０４（又は３０４）と１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂとの相対的な位置は変動するものの、第１共振体導体１０４の平面形状はパタンニングにより形成されるので、第１共振体導体１０４（又は３０４）のランド部１１０ａ，１１０ｂ（又は、３１０ａ，３１０ｂ）同士の相対的な位置の変動は非常に小さい。同様に、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂは共通のドリル工程により形成されるので、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの相対的な位置（中心間距離Ｄ）の変動は非常に小さい。

第１に、当該比較例に対して、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ（それぞれの中心位置）が、第１の方向（図１８に示す上下方向）に沿って、ランド部３１０ａ，３１０ｂ（それぞれの中心位置）に対する位置ずれΔｙについて考察する。位置ずれΔｙ＝０は、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂそれぞれの中心位置が、ランド部３１０ａ，３１０ｂそれぞれの中心位置に一致する場合であり、位置ずれΔ＝＋０．１２５ｍｍは、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂそれぞれの中心位置が、ランド部３１０ａ，３１０ｂそれぞれの中心位置より、図１８に示す上向きに位置ずれしている場合であり、位置ずれΔ＝−０．１２５ｍｍは、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂそれぞれの中心位置が、ランド部３１０ａ，３１０ｂそれぞれの中心位置より、図１８に示す下向きに位置ずれしている場合である。当該比較例に係る第１共振体導体３０４は、第１の方向に沿う位置ずれΔｙにより、線路長Ｌが変動する。Δｙ＝＋０．１２５ｍｍのときの線路長Ｌは、Δｙ＝０のときの線路長Ｌより０．２５ｍｍ長くなり、Δｙ＝−０．１２５ｍｍのときの線路長Ｌは、Δｙ＝０のときの線路長Ｌより０．２５ｍｍ短くなり、位置ずれΔｙにより、第１共振体３０４の線路長Ｌは大きく変動することとなる。すなわち、当該比較例に係る差動伝送線路３３２は、第１共振体導体３０４と１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂとの第１の方向に沿う位置ずれの影響を大きく受けることとなる。図１９に示す通り、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）における減衰領域の中心周波数が上下に３．６ＧＨｚと大きく変動している。よって、当該比較例１に係る差動伝送線路３３２では、製造ばらつきに起因して、第１共振体構造により、デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数（２５．７８ＧＨｚ）のコモンモード信号成分の伝導伝搬を阻害するのが困難であることがわかる。

これに対して、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、両端にあるランド部１１０ａ，１１０ｂ（の中心）それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へ、直線形状で延伸している。それゆえ、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ（それぞれの中心位置）が、第１の方向（図２に示す上下方向）に沿って、ランド部１１０ａ，１１０ｂ（それぞれの中心位置）に対する位置ずれΔｙが発生する場合であっても、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４の線路長Ｌの変動は抑制され、位置ずれΔｙに起因する当該実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）における減衰領域の中心周波数の変動は、当該比較例に係る差動伝送線路３３２の変動と比べて、非常に小さい。

第２に、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ（それぞれの中心位置）が、第２の方向（図２に示す左右方向）に沿って、ランド部１１０ａ，１１０ｂ（それぞれの中心位置）に対する位置ずれΔｘが発生する場合について、考察する。位置ずれが第２の方向のいずれの向きに発生する場合であっても、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４の線路長Ｌの変動は非常に小さい。バイアホール１０５ａがランド部１１０ａに対して、例えば、図２に示す右向きに位置ずれする場合、バイアホール１０５ａ側の第１の方向に沿う中心線の長さは位置ずれ量に応じて減少するが、バイアホール１０５ｂ側の第１の方向に沿う中心線の長さは位置ずれ量に応じて増加し、線路長Ｌの変動は非常に小さくなる。よって、当該実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）における減衰領域の中心周波数の変動は、非常に小さい。なお、当該比較例に係る１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂが第２の方向に沿って（図１８に示す左右方向）、第１共振体導体３０４に対して位置ずれΔｙが発生する場合は、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４の第１の方向に沿う位置ずれΔｘと同様に、当該比較例に係る第１共振体導体３０４の線路長Ｌの変動は小さい。

当該実施形態に係る差動伝送線路３２では、差動信号成分の伝導伝搬の劣化を抑制しつつ、差動伝送線路３２へのコモンモード信号成分の伝導伝搬を選択的に阻害することができている。すなわち、実質的に、差動伝送線路へのコモンモード信号成分の伝導伝搬のみを選択的に阻害することができている。また、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４及び１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂを形成する上で、新たに追加する工程は必要なく、製造コストの増加が抑制される。さらに、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４の形状が屈曲していることにより、第１共振体導体１０４が配置される領域を縮小することができ、高密度に配置することができている。

なお、当該実施形態に係る誘電体層１００は、ガラス布基材とエポキシ樹脂からなる材料（ガラスエポキシ樹脂）を用いて形成するとしたが、この材料に限定されることはなく、液晶ポリマ（ＬＣＰ；Liquid Crystal Polymer）やフッ素系樹脂（ＰＴＦＥ；Polytetrafluoroethylene）であってもよい。

光ファイバ伝送用の光モジュール（光送受信機、光トランシーバモジュール）は、近年のブロードバンドネットワークの普及と共に高速化、小型化、及び低コスト化が図られ、高速化に関しては、現在ではビットレートが１００Ｇｂｉｔ／ｓのものが広く用いられている。小型化及び低コスト化に関しては、ＣＦＰ ＭＳＡ（Multi Source Agreement）規格からＣＦＰ２、ＣＦＰ４、ＱＳＦＰ２８（各ＭＳＡ規格）へと、筺体（ケース）体積の縮小化・部品数の削減化が進んでいる。

また、光モジュールが搭載される光伝送装置（ネットワーク装置）には、その装置が発生する不要電磁波の強度を法規に定められた限度値以下に抑えることが求められている。例えば、米国では、「FCC Part 15 Subpart B」規格に定められる限度値５３．９ｄＢ（μＶ／ｍ）（Class B規格で、距離が３ｍ、周波数範囲が１ＧＨｚ〜４０ＧＨｚである場合）以下に不要電磁波の強度を低減させる必要がある。光モジュールでは、内蔵するＩＣのスイッチングノイズ等に起因して、高周波数における不要電磁波を発生する場合が多い。よって、これら不要電磁波の装置外部への放射を低減する設計技術が、光伝送装置及び光モジュールの双方において重要である。

光モジュールにおいては、不要電磁波の主要な励振源は、電気的なシリアルデータ信号（変調信号）を増幅し出力する（ＣＤＲ、Ｄｒｉｖｅｒ、ＴＩＡ等の）ＩＣである。クロック信号とは異なり、理想的なシリアルデータ信号は繰り返しの信号パタンを含まないため、周波数スペクトル上では大きなピーク強度を持たない。しかしながら、実際のＩＣ内部の差動増幅回路においては、トランジスタの非線形性に起因してスイッチングノイズが発生する。それゆえ、出力信号のコモンモード成分の周波数スペクトルを観測した場合に、ビットレートに対応する周波数に大きなピークが生じる。このコモンモード信号成分は、プリント回路基板上の差動伝送線路を伝導伝搬する間に、その一部が放射損失として空間に伝搬する。これに伴い、ビットレート１００Ｇｂｉｔ／ｓの送信側・受信側がともに４チャンネルの光モジュールにおいては、ビットレートが２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓの電気的なシリアルデータ信号を用いるため、そのビットレートに対応する周波数２５．７８ＧＨｚの不要電磁波を発生してしまう。従来の光モジュールでは、その外殻にある金属筺体
（金属ケース）の間隙をより小さくすることにより、電磁波の空間伝搬をより遮蔽し、さらに、金属筺体の内部に電波吸収材料を配置することにより、電磁波の空間伝搬を減衰させて、光送受信機からの不要電磁波の漏れを抑制していた。

近年では、光伝送装置の大容量化が進み、それに伴い、光伝送装置に、消費電力（発熱量）の大きなＬＳＩ（ＦＰＧＡ）が搭載されている。光伝送装置においては、送風冷却を強化するために多数の送風穴を配置し、装置のシールド効果が低くなる傾向にある。また、光伝送装置には、１００Ｇｂｉｔ／ｓ級の光モジュールが複数搭載されている。主要なＭＳＡ規格である、例えばＱＳＦＰ２８に準ずる光モジュールでは、プリント回路基板の一端上に外部接続用端子が配置されており、当該外部接続用端子が、金属筺体の外部において、光伝送装置に搭載されるコネクタと、接続される。この構成によれば、金属筺体の外部に引き出した差動伝送線路やコネクタより放射される不要電磁波が主原因となり、光伝送装置の不要電磁波が十分に抑制できないという課題があった。

ＱＳＦＰ２８に準ずる光モジュールにおいて、基板幅が１６ｍｍ程度の小型のプリント回路基板上に、送信回路用に４対の差動伝送線路を、受信回路用に４対の差動伝送線路を、それぞれ配置する必要がある。従来における共振体構造のサイズ（長さや幅）が所望の共振周波数を得るには比較的大きな面積を要し、従来における共振体構造を、ＱＳＦＰ２８に準ずる光モジュールのプリント回路基板上に配置するのは困難であるとの知見を発明者らは得ている。これに対して、当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、かかる課題を解決するのに適した構造を有している。

図５は、当該実施形態に係る光モジュール２の外部形状を示す概略斜視図である。図６は、当該実施形態に係る光モジュール２の構造を示す概略斜視図である。図６は、光モジュール２が光伝送装置１に搭載される状態を示している。当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、ここではプリント回路基板２１である。

当該実施形態に係る光モジュール２は、ＱＳＦＰ（ＭＳＡ規格）に準拠する光モジュールである。図５に示す通り、光モジュール２は、上部ケース２００と、下部ケース２０１と、ラッチ２０２と、カードエッジコネクタ２１０と、を含んでいる。上部ケース２００及び下部ケース２０１の材料に、亜鉛やアルミニウムなどの金属を用いており、上部ケース２００と下部ケース２０１とを含んで、金属筺体が構成される。上部ケース２００及び下部ケース２０１は、カードエッジコネクタ２１０を通すための開口部以外の部分において、間隙がないように互いに密着させて、プリント回路基板２１を覆って、電磁的シールドを構成している。すなわち、金属筺体（上部ケース２００及び下部ケース２０１）は金属筐体内部におけるプリント回路基板２１からの輻射に対して電磁的シールドとして機能する。金属筺体は開口部を有しているが、電磁的シールドとしては十分機能する。一方、金属筐体には、光モジュールから光伝送装置への出力信号に含まれる不要ノイズ成分が伝導伝搬することを妨げる機能は無く、開口部を介して金属筐体外部に引き出された差動伝送線路およびコネクタ部位まで伝導伝搬された不要ノイズ成分に起因した、不要電磁波が輻射し得る。カードエッジコネクタ２１０はプリント回路基板２１の端部であり、コネクタ接続用の複数の接点端子が１列に並んで配置されている。カードエッジコネクタ２１０は、上部ケース２００及び下部ケース２０１の後方（図５の右側）の開口部（スロット開口部）より外部に露出しており、活線挿抜の機能を担っている。なお、開口部はプリント回路基板２１の一部を外部へ露出するために設けられる。

図６は、光モジュール２が光伝送装置１に搭載される状態を示しており、さらに、光モジュール２の内部の構造を示すために、上部ケース２００及び下部ケース２０１の一部が表示されていない。図６に、光伝送装置１内部のプリント回路基板１１の一部及びフロントパネル２０４と、が示されている。さらに、プリント回路基板１１は、ＱＳＦＰ２８（ＭＳＡ規格）に準拠するコネクタ２０８をさらに含んでおり、コネクタ２０８はプリント回路基板１１上に搭載されている。光モジュール２の上部ケース２００及び下部ケース２０１の内部には、ＲＯＳＡ２３Ａ（光受信サブアセンブリ）、ＴＯＳＡ２３Ｂ（光送信サブアセンブリ：図示せず）、及びフレキシブル基板２２Ａ，２２Ｂ（２２Ｂは図示せず）が搭載されている。プリント回路基板２１は、複数のＩＣを含んでいる。例えば、プリント回路基板２１上には、受信側のＣＤＲ−ＩＣ２０７（Clock Data Recovery IC）が搭載されており、ＣＤＲ−ＩＣ２０７は、４チャンネルの差動デジタル変調信号をビットレート２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓで出力する。この出力信号は、プリント回路基板２１上に配置される４対の差動伝送線路３２（図示せず）、カードエッジコネクタ２１０、及びコネクタ２０８を介して、光伝送装置１内部のプリント回路基板１１に伝導伝搬する。プリント回路基板２１に配置される４対の差動伝送線路３２それぞれに、図２に示す第１共振体構造が配置される。

ＣＤＲ−ＩＣ２０７の出力スペクトルを測定すると，ビットレートに対応する周波数２５．７８ＧＨｚに、本来は不要なクロックノイズ成分がピーク単一のピークとして観測される。しかしながら、４対の差動伝送線路３２のそれぞれに、図２に示す第１共振体構造が配置されることにより、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を、光モジュール２の上部ケース２００及び下部ケース２０１の内部において阻害することができている。それゆえ、カードエッジコネクタ２１０、コネクタ２０８、及び光伝送装置１のプリント回路基板１１において、コモンモード信号成分に起因する不要電磁波の輻射を低減することができている。このメカニズムと同様に、光伝送装置１のプリント回路基板１１上に配置される差動伝送線路に、図２に示す第１共振体構造が配置されることにより、光伝送装置１内部への不要電磁波の輻射、及び光伝送装置１の冷却送風用の通気孔などを介して光伝送装置１の外部への不要電磁波の輻射を低減することができる。

なお、図５及び図６に示すプリント回路基板２１では、受信用のＣＤＲ−ＩＣ２０７はプリント回路基板２１上に配置されているが、これに限定されることはなく、ＲＯＳＡ２３Ａの内部に実装されていてもよい。この場合、ＣＤＲ−ＩＣ２０７をプリント回路基板２１上に配置することが不要となるために、４対の差動伝送線路それぞれに対して、図２に示す第１共振体導体１０４をプリント回路基板２１上に配置するための面積をより広く配分することができ、プリント回路基板２１の回路設計の自由度が向上する。

［第２の実施形態］
図７は、本発明の第２の実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の平面を示す模式図である。図８は、当該実施形態に係る差動伝送線路３２の特性を示す図である。図８に、当該実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と、比較のために、本発明の第１の実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と、が示されている。当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、第１共振体導体１０４に加えて、第２共振体導体１１４、及び第２のバイアホール１１５ａ，１１５ｂをさらに備える点において、第１の実施形態と異なっているが、それ以外については第１の実施形態と同じ構造をしている。

第２共振体導体１１４は、第１共振体導体１０４と同一層上（第２番目の金属層）に配置され、その両端にそれぞれ円形状のランド部１２０ａ，１２０ｂを備えている。第２共振体導体１１４は、第１の方向（図７の上下方向）に沿って、第１共振体導体１０４と並んで配置され、第２共振体導体１１４の平面形状は、図７に示す直線Ｘに対して、第１共振体導体１０４の平面形状と、実質的に線対称となっている。第２共振体導体１１４は、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分より、第１共振体導体１０４と互いに並行して第２の方向に沿って外側へ延伸し、第１の方向のいずれか他方の向き（図２の下向き）へ屈曲するとともにさらに第１の方向に沿って第１共振体導体１０４から遠ざかるように延伸し、第２の方向の外側へ屈曲するとともに第２の方向に沿って外側へ延伸して、１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂと接続している。第１共振体導体１０４と同様に、１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂ（円形状）は、その円形状の中心が、理想的には、ランド部１２０ａ，１２０ｂの円形状の中心を貫くように、それぞれ配置される。１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂは、第２共振体導体１１４（の両端のランド部１２０ａ，１２０ｂ）と、接地導体層１０３と、をそれぞれ接続する。接地導体層１０３と、第２共振体導体１１４と、１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂと、により、第２共振体構造が構成される。

ここでは、当該実施形態に係るプリント回路基板３２において、第１の方向に沿って並ぶ、１対の第１バイアホールのうちの一方の第１バイアホール（バイアホール１０５ａ）と、１対の第２バイアホールのうちの一方の第２バイアホール（バイアホール１１５ａ）と、の中心間距離（Via Pitch）を変化させることにより、コモンモード通過特性における減衰特性を調整することができる。ここでは、中心間距離（Via Pitch）を２．２ｍｍとしている。しかしながら、この値に限定されることはなく、コモンモード通過特性における減衰特性に応じて、適当な値とすればよい。

当該実施形態に係るプリント回路基板３２には、第１共振体導体１０４と第２共振体導体１１４とが配置されるので、２つの共振体導体を配置するために、より広い領域を必要とする。しかしながら、図８に示す通り、当該実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）は、周波数２６．３ＧＨｚを中心とする減衰領域が生じており、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を２０ｄＢ程度阻害することができている。本発明の第１の実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と比較して、当該実施形態に係るコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）は、より大きな減衰を実現しているとともに、コモンモード信号成分の伝導伝搬を阻害できる周波数範囲をより広くすることができている。

図９は、本発明の当該実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の平面を示す模式図である。図１０は、当該実施形態に係る差動伝送線路３２の特性を示す図である。図９は、図７に示すプリント回路基板３１において、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ及び１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂが、第１の方向のいずれか一方（図９に示す下向き）へ、ランド部１１０ａ，１１０ｂ及びランド部１２０ａ，１２０ｂに対して、位置ずれΔｙが発生する場合を示している。ここで、位置ずれΔｙは、−０．１２５ｍｍである。図１０に、図９に示す差動伝送線路３２（Δｙ＝０）のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と、比較のために、図７に示す差動伝送線路３２（Δｙ＝±０．１２５ｍｍ）のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と、が示されている。第１共振体導体１０４の平面形状と第２共振体導体１１４の平面形状とは、直線Ｘに対して線対称であるために、第１の方向のいずれの向きに（図９に示す上向き又は下向き）位置ずれが発生しても、その絶対値が同一であれば、得られるコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）は、実質的に同一である。図１０に示す通り、位置ずれΔｙが発生する（Δｙ＝±０．１２５ｍｍ）場合であっても、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）における減衰領域の中心周波数が０．５ＧＨｚ程度低い周波数へ変動するものの、周波数２５．７８ＧＨｚにおいてコモンモード信号成分の伝導伝搬を２０ｄＢ程度阻害することができている。

［第３の実施形態］
図１１は、本発明の第３の実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の平面を示す模式図である。図１２は、当該実施形態に係る差動伝送線路３２の特性を示す図である。図１２に、当該実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と、比較のために、本発明の第１の実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と、が示されている。当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、第２共振体導体１１４の形状が第２の実施形態と異なっているが、それ以外については第２の実施形態と同じ構造をしている。

第２の実施形態において、第２共振体導体１１４の平面形状は、図７に示す直線Ｘに対して、第１共振体導体１０４の平面形状と、実質的に線対称となっているのに対して、当該実施形態において、第２共振体導体１１４の平面形状は、第１共振体導体１０４の平面形状を第１の方向のいずれか一方（図１１の下向き）へ並進移動させたものと実質的に意一致する。第２共振体導体１１４は、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分より、第１共振体導体１０４と互いに並行して第２の方向に沿って外側へ延伸し、第１の方向のいずれか一方の向き（図２の下向き）へ屈曲するとともにさらに第１の方向に沿って第１共振体導体１０４と同じ向きに延伸し、第２の方向の外側へ屈曲するとともに第２の方向に沿って外側へ延伸して、１対の第２バイアホールと接続している。第２の実施形態と同様に、１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂ（円形状）は、その円形状の中心が、理想的には、ランド部１２０ａ，１２０ｂの円形状の中心を貫くように、それぞれ配置される。１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂは、第２共振体導体１１４（の両端のランド部１２０ａ，１２０ｂ）と、接地導体層１０３と、をそれぞれ接続する。接地導体層１０３と、第２共振体導体１１４と、１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂと、により、第２共振体構造が構成される。

第２の実施形態と同様に、当該実施形態に係るプリント回路基板３２において、第１の方向に沿って並ぶ、１対の第１バイアホールのうちの一方の第１バイアホール（バイアホール１０５ａ）と、１対の第２バイアホールのうちの一方の第２バイアホール（バイアホール１１５ａ）と、の中心間距離（Via Pitch）を変化させることにより、コモンモード通過特性における減衰特性を調整することができる。ここでは、中心間距離（Via Pitch）を１．２ｍｍとしている。しかしながら、この値に限定されることはなく、コモンモード通過特性における減衰特性に応じて、適当な値とすればよい。

当該実施形態に係るプリント回路基板３２には、第１共振体導体１０４と第２共振体導体１１４とが配置されるので、２つの共振体導体を配置するために、より広い領域を必要とする。しかしながら、図１２に示す通り、当該実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）は、周波数２６．３ＧＨｚを中心とする減衰領域が生じており、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を２０ｄＢ程度阻害することができている。本発明の第１の実施形態に係る差動伝送線路３２のコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）と比較して、当該実施形態に係るコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）は、より大きな減衰を実現しているとともに、コモンモード信号成分の伝導伝搬を阻害できる周波数範囲をより広くすることができている。

［第４の実施形態］
図１３は、本発明の第４の実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の平面を示す模式図である。当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、第１共振体導体１０４の形状が第１の実施形態と異なっているが、それ以外については第１の実施形態と同じ構造をしている。第１の実施形態に係る第１共振体導体１０４は、両端にあるランド部１１０ａ，１１０ｂ（の中心）それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へ、直線形状で延伸しているのに対して、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、両端にあるランド部１１０ａ，１１０ｂ（の中心）それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の外側へ、直線形状で延伸している。すなわち、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂ（の中心）それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の外側へ延伸している。

第１共振体導体１０４の両端よりそれぞれ延伸する向きを、第１延伸向きと、第２延伸向きと、するならば、第１乃至第３の実施形態（及び第５乃至第７の実施形態）において、第１延伸向きと第２延伸向きは、一直線上を互いに向き合っており、第１延伸向きと第２延伸向きとがなす角は１８０°となっている。第４の実施形態において、第１延伸向きと第２延伸向きは、一直線上を互いに離れようとしており、第１延伸向きと第２延伸向きとがなす角は１８０°となっている。第１延伸向きと第２延伸向きとは、第２の方向に沿って、互いに向き合うか（内側へ向く）、互いに遠ざかるか（外側へ向く）、いずれであってもよく、いずれの場合も、第２の方向に沿う位置ずれΔｘに対して、線路長Ｌの変動を低減することができている。

当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、その両端（ランド部１１０ａ，１１０ｂ）から、又は、第１の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂそれぞれから、第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の外側へともに延伸し、さらに、第１の方向のいずれか一方の向き（図１３の下向き）へともに屈曲するのが望ましい。さらに、第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へともに延伸し、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分へともに至るのが望ましい。すなわち、第１共振体導体１０４は、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分より、第２の方向に沿って外側へ延伸し、第１の方向のいずれか一方の向き（図２の上向き）へ屈曲するとともにさらに第１の方向に沿って延伸し、第２の方向のうち内側へ屈曲するとともに第２の方向に沿ってうち内側へ延伸して、１対の第１バイアホールと接続する、のが望ましい。

１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの中心間距離Ｄを１．１ｍｍとし、第１共振体導体１０４の幅Ｗ_１を０．２０ｍｍとする。第１共振体導体１０４は、延伸する直線形状の部分と、屈曲する部分とを有するが、インピーダンス整合のために、屈曲する部分の角は切り落とされた形状となっている。なお、中心線の長さＬ_１は０．４５ｍｍである。当該実施形態に係るプリント回路基板３１であっても、第１の実施形態と同様の効果を奏している。

［第５の実施形態］
図１４は、本発明の第５の実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の構造を示す模式図（斜視図）である。当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、第１共振体導体１０４の形状が第１の実施形態と異なっているが、それ以外については第１の実施形態と同じ構造をしている。

第１の実施形態に係る第１共振体導体１０４は、屈曲する部分を有しているのに対して、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、両端にあるランド部１１０ａ，１１０ｂ（の中心）それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へ、直線形状で延伸し、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分へともに至っている。すなわち、第１共振体導体１０４は、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分より、第２の方向に沿って外側へ延伸し、１対の第１バイアホールと接続する、のが望ましい。

当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は、両側のランド部１１０ａ，１１０ｂを除いて、直線形状に延伸している。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂとの中心間距離Ｄは３．０５ｍｍとする。第１共振体導体１０４の幅Ｗ_１は０．１９ｍｍとしている。第１共振体導体１０４を直線形状とすることにより、中心間距離Ｄは長くなるが、非常に簡素な構成で共振体構造を実現することができている。

［第６の実施形態］
図１５は、本発明の第６の実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の構造を示す模式図（斜視図）である。当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、第１共振体導体１０４の形状及び第２共振体導体１１４の形状が第２及び第３の実施形態と異なっているが、それ以外については第２及び第３の実施形態と同じ構造をしている。

第２及び第３の実施形態に係る第１共振体導体１０４及び第２共振体導体１１４はそれぞれ、屈曲する部分を有しているのに対して、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４及び第２共振体導体１１４はそれぞれ、両端にあるランド部それぞれから、ともに第２の方向に沿って、第１共振体導体１０４の内側へ、直線形状で延伸し、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分へともに至っている。すなわち、第１共振体導体１０４及び第２共振体導体１１４は、１対のストリップ導体１０１，１０２と立体的に交差する部分より、第２の方向に沿って外側へ延伸し、１対の第１バイアホール及び１対の第２バイアホールとそれぞれ接続する、のが望ましい。

当該実施形態に係る第１共振体導体１０４及び第２共振体導体１１４は、両側のランド部を除いて、直線形状に延伸している。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂとの中心間距離Ｄ、及び１対の第２バイアホール１１５ａ，１１５ｂの中心間距離Ｄは、ともに３．０５ｍｍとする。第１共振体導体１０４の幅Ｗ_１は０．１９ｍｍとしている。第１共振体導体１０４及び第２共振体導体１１４を直線形状とすることにより、中心間距離Ｄは長くなるが、非常に簡素な構成で共振体構造を実現することができている。

［第７の実施形態］
図１６は、本発明の第７の実施形態に係るプリント回路基板３１の一部の構造を示す模式図（斜視図）である。図１７は、当該実施形態の係るプリント回路基板３１の一部の断面を示す模式図である。当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、第１共振体導体１０４及び１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの構造が第５の実施形態と異なっているが、それ以外については、第５の実施形態と同じ構造をしている。

当該実施形態に係る第１共振体導体１０４の平面形状は、第５の実施形態に係る第１共振体導体１０４の平面形状と一致しているが、図１７に示す通り、プリント回路基板３１の多層構造において、当該実施形態に係る第１共振体導体１０４は最上層の金属層に配置され、当該実施形態に係る１対のストリップ導体１０１，１０２は第２番目の金属層に配置されている。すなわち、第１共振体導体１０４は、接地導体層１０３の積層方向の基板表面側に配置され、１対のストリップ導体１０１，１０２は、第１共振体導体１０４と接地導体層１０３と、の間に配置される。第１共振体導体１０４は、１対のストリップ導体１０１，１０２の積層方向の基板表面側に配置される。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂは、第１共振体導体１０４（の両端のランド部１１０ａ，１１０ｂ）と、接地導体層１０３と、をそれぞれ接続する。

ここで、１対のストリップ導体１０１，１０２と接地導体層１０３との距離Ｈ_１は１３８μｍであり、１対のストリップ導体１０１，１０２と第１共振体導体１０４との距離Ｈ_２は６５μｍである。前述の通り、距離Ｈ_１は距離Ｈ_２の２倍以上となるのが望ましく、当該実施形態に係るプリント回路基板３１では、かかる条件を満たしている。１対のストリップ導体１０１，１０２の幅Ｗは、ともに０．２０ｍｍであり、１対のストリップ導体１０１，１０２の間隔Ｇは０．２０ｍｍである。１対の第１バイアホール１０５ａ，１０５ｂの中心間距離Ｄは３．０５ｍｍであり、第１共振体導体１０４の幅Ｗ_１は０．１９ｍｍである。

当該実施形態に係るプリント回路基板３１では、第１共振体導体１０４が配置される層が、第１乃至第６の実施形態に係るプリント回路基板３１と異なっているが、当該実施形態に係るプリント回路基板３１は、第１の実施形態と同様の効果を奏している。第１共振体導体１０４及び第２共振体導体１１４が、１対のストリップ導体１０１，１０２のさらに上方に配置される構成は、当該実施形態に限定されることはなく、第２乃至第６の実施形態にそれぞれ適用してもよい。

以上、本発明の実施形態に係るプリント回路基板、光モジュール、及び光伝送装置について説明した。本発明は上記実施形態に限定されることはなく、共振体構造とマイクロストリップ線路形式の差動伝送線路とを有するプリント回路基板に広く適用することが出来る。本発明に係るプリント回路基板は、光伝送装置や光モジュールに備えられるプリント回路基板としたが、他の装置に備えられるプリント回路基板であってもよい。また、本発明の実施形態に係るプリント回路基板は、各チャネルを通じて伝送されるデジタル電気信号のビットレートが２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓとなる場合について説明したが、かかるビットレートに限定されることはなく、さらに高いビットレートに対して好適である。

１ 光伝送装置、２ 光モジュール、３，３Ａ，３Ｂ 光ファイバ、１１，２１，３１，３３１ プリント回路基板、１２ ＩＣ、２２Ａ，２２Ｂ フレキシブル基板、２３Ａ ＲＯＳＡ、２３Ｂ ＴＯＳＡ、３２ 差動伝送線路、１００ 誘電体層、１０１，１０２ ストリップ導体、１０３ 接地導体層、１０４，３０４ 第１共振体導体、１０５ａ，１０５ａ 第１バイアホール、１０７ 保護用誘電体膜、１１０ａ，１１０ｂ，１２０ａ，１２０ｂ，３１０ａ，３１０ｂ ランド部、１１４ 第２共振体導体、１１５ａ，１１５ｂ 第２バイアホール、２００ 上部ケース、２０１ 下部ケース、２０２ ラッチ、２０４ フロントパネル、２０７ ＣＤＲ−ＩＣ、２０８ コネクタ、２１０ カードエッジコネクタ。

Claims (14)

1. 接地導体層と、
   前記接地導体層の積層方向の基板表面側に配置され、ともに第１の方向に沿って延伸する、１対のストリップ導体と、
   前記接地導体層と、前記１対のストリップ導体と、の間に配置され、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第１共振体導体と、
   前記第１共振体導体と、前記接地導体層と、をそれぞれ接続する１対の第１バイアホールと、
   前記第１共振体導体を内部に含むとともに、前記接地導体層と前記１対のストリップ導体と、の間に配置される、誘電体層と、
   を備える、プリント回路基板であって、
   前記接地導体層と、前記１対のストリップ導体と、前記誘電体層と、により、デジタル変調信号が伝送される、マイクロストリップ線路形式の差動伝送線路が構成され、
   前記接地導体層と、前記第１共振体導体と、前記１対の第１バイアホールと、により、第１共振体構造が構成され、
   前記１対のストリップ導体と前記接地導体層との積層方向に沿う距離Ｈ_１は、前記１対のストリップ導体と前記第１共振体導体との積層方向に沿う距離Ｈ_２の２倍以上であり、
   前記第１共振体導体は、
   前記１対の第１バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第１共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下である、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
2. 請求項１に記載のプリント回路基板であって、
   前記第１共振体導体は、前記１対の第１バイアホールそれぞれから、前記第２の方向に沿って、前記第１共振体導体の内側又は外側のいずれかへともに延伸する、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
3. 請求項１に記載のプリント回路基板であって、
   前記第１共振体導体は、前記１対の第１バイアホールそれぞれから、前記第２の方向に沿って、前記第１共振体導体の内側又は外側のいずれかへともに延伸し、さらに、第１の方向のいずれか一方の向きへともに屈曲する、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
4. 請求項１に記載のプリント回路基板であって、
   前記第１共振体導体は、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する部分より、前記第２の方向に沿って外側へ延伸し、前記第１の方向のいずれか一方の向きへ屈曲するとともにさらに前記第１の方向に沿って延伸し、前記第２の方向の外側へ屈曲するとともに前記第２の方向に沿って外側又は内側のいずれかへともに延伸して、前記１対の第１バイアホールと接続する、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載のプリント回路基板であって、
   前記第１共振体導体は、平面視して、前記１対のストリップ導体に対して、実質的に線対称となる形状を有する、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載のプリント回路基板であって、
   前記第１共振体導体と同一層上に配置され、前記第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第２共振体導体と、
   前記第２共振体導体と、前記接地導体と、をそれぞれ接続する１対の第２バイアホールと、
   をさらに備え、
   前記接地導体層と、前記第２共振体導体と、前記１対の第２バイアホールと、により、第２共振体構造が構成され、
   前記第２共振体導体は、
   前記１対の第２バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第２共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下である、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
7. 請求項４に記載のプリント回路基板であって、
   前記第１共振体導体と同一層上に配置され、前記第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第２共振体導体と、
   前記第２共振体導体と、前記接地導体と、をそれぞれ接続する１対の第２バイアホールと、
   をさらに備え、
   前記接地導体層と、前記第２共振体導体と、前記１対の第２バイアホールと、により、第２共振体構造が構成され、
   前記第２共振体導体は、
   前記１対の第２バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第２共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下であり、
   前記第２共振体導体は、
   前記１対のストリップ導体と立体的に交差する部分より、前記第１共振体導体と互いに並行して前記第２の方向に沿って外側へ延伸し、前記第１の方向のいずれか他方の向きへ屈曲するとともにさらに前記第１の方向に沿って前記第１共振体導体から遠ざかるように延伸し、前記第２の方向の外側へ屈曲するとともに前記第２の方向に沿って外側又は内側のいずれかへともに延伸して、前記１対の第２バイアホールと接続する、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
8. 接地導体層と、
   前記接地導体層の積層方向の基板表面側に配置され、ともに第１の方向に沿って延伸する、１対のストリップ導体と、
   前記１対のストリップ導体の積層方向の基板表面側に配置され、前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って、前記１対のストリップ導体と立体的に交差する、第１共振体導体と、
   前記第１共振体導体と、前記接地導体層と、をそれぞれ接続する１対の第１バイアホールと、
   前記１対のストリップ導体を内部に含むとともに、前記接地導体層と前記第１共振体導体と、の間に配置される、誘電体層と、
   を備える、プリント回路基板であって、
   前記接地導体層と、前記１対のストリップ導体と、前記誘電体層と、により、デジタル変調信号が伝送される、マイクロストリップ線路形式の差動伝送線路が構成され、
   前記接地導体層と、前記第１共振体導体と、前記１対の第１バイアホールと、により、第１共振体構造が構成され、
   前記１対のストリップ導体と前記接地導体層との積層方向に沿う距離Ｈ_１は、前記１対のストリップ導体と前記第１共振体導体との積層方向に沿う距離Ｈ_２の２倍以上であり、
   前記第１共振体導体は、
   前記１対の第１バイアホールの一方のバイアホールの中心位置から他方のバイアホールの中心位置までの、前記第１共振体導体の線路長Ｌは、伝送される前記デジタル変調信号のビットレートに対応する周波数において、０．４波長以上０．６波長以下である、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載のプリント回路基板であって、
   前記第１の方向と前記第２の方向のなす角は、８５°以上９０°以下である、
   ことを特徴とする、プリント回路基板。
10. 請求項１乃至９のいずれかに記載のプリント回路基板であって、
    前記第１の方向と前記第２の方向とは、実質的に直交する、
    ことを特徴とする、プリント回路基板。
11. 請求項１乃至１０のいずれかに記載のプリント回路基板を、備える光モジュールであって、
    前記プリント回路基板は、前記デジタル変調信号を駆動する、ＩＣを、さらに備える、
    ことを特徴とする、光モジュール。
12. 請求項１１に記載の光モジュールであって、
    前記プリント回路基板を覆って電磁的シールドを構成するとともに、前記プリント回路基板の一部を外部に露出するための開口部とを有する、金属筺体を、
    さらに備える、光モジュール。
13. 請求項１１又は１２に記載の光モジュールが搭載される、光伝送装置。
14. 請求項１乃至１０のいずれかに記載のプリント回路基板を、備える光伝送装置であって、
    前記プリント回路基板は、前記デジタル変調信号を駆動する、ＩＣを、さらに備える、
    ことを特徴とする、光伝送装置。
    
    

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