JP2018098827A - 電源装置、電源装置の制御回路及び電源装置の制御方法 - Google Patents

電源装置、電源装置の制御回路及び電源装置の制御方法 Download PDF

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Abstract

【課題】負荷に流れる出力電流値を効率よく計算する。【解決手段】制御回路16は、スイッチング素子11の第1の制御端子とスイッチング素子12の第2の制御端子とを制御するとともに、第1の制御端子を制御する第1の制御信号または第2の制御端子を制御する第2の制御信号の何れかに接続される時定数回路18の出力値と電流検出回路14が検出するインダクタンス素子13に流れる電流値のピーク値であるピーク電流値とに基づいて、負荷30に流れる出力電流値を算出する。【選択図】図1

Description

本発明は、電源装置、電源装置の制御回路及び電源装置の制御方法に関する。
従来、スイッチング電源回路をマイクロコントローラなどの制御回路を用いてデジタル制御することが行われている。デジタル制御を行うことにより、スイッチング素子のスイッチングのタイミングを精密に制御でき、かつ、様々な機能をソフトウェアで実装できるというメリットがある。
また、複数の電源回路を並列接続したマルチフェイズコンバータが提案されている。マルチフェイズコンバータは、複数の電源回路の間でスイッチングの位相をずらすことで、リップル電流を小さくでき、大電流化及び高効率化が可能となる。マルチフェイズコンバータでは、精密なタイミング制御を行うため、デジタル制御方式が多く用いられている。
デジタル制御方式を用いる電源装置において、制御回路は、負荷に流れる出力電流値を計算で求め、出力電圧値の制御や過電流の防止に利用する。出力電流値は、電源回路の出力端子とスイッチング素子との間に接続されているインダクタンス素子のピーク電流値を用いて算出できる。
特開2012−161146号公報 特開2004−282842号公報
Hassan Pooya Forghani-zadeh, "Current-Sensing Techniques for DC-DC Converters", Circuits and Systems, 2002. MWSCAS-2002. The 2002 45th Midwest Symposium on Raghavan Sampath, "Digital Peak Current Mode Control of Buck Converter Using MC56F8257 DSC", Freescale Semiconductor Application Note, Document Number:AN4716, Rev.1, 05/2013
しかしながら、ピーク電流値を用いて出力電流値を算出するための計算は複雑であり、制御回路の負荷が大きくなる問題がある。
1つの側面では、本発明は、制御回路の負荷を減らすために出力電流値を効率よく計算することができる電源装置、電源装置の制御回路及び電源装置の制御方法を提供することを目的とする。
1つの実施態様では、第1のスイッチング素子と、第2のスイッチング素子と、インダクタンス素子と、電流検出回路と、制御回路を有し、負荷に接続されうる電源装置が提供される。
第1のスイッチング素子は、入力端子から入力される電流をスイッチする。第2のスイッチング素子は、接地電位と第1のスイッチング素子の出力との間をスイッチする。インダクタンス素子は、出力端子と第1のスイッチング素子の出力との間を接続する。電流検出回路は、インダクタンス素子に流れる電流のピーク値であるピーク電流値を検出する。制御回路は、第1のスイッチング素子の第1の制御端子と第2のスイッチング素子の第2の制御端子とを制御する。また、制御回路は、第1の制御端子を制御する第1の制御信号または第2の制御端子を制御する第2の制御信号の何れかに接続される時定数回路の出力値と電流検出回路が検出するピーク電流値とに基づいて、負荷に流れる出力電流値を算出する。
また、1つの実施態様では、電源装置の制御回路が提供される。また、1つの実施態様では、電源装置の制御方法が提供される。
1つの側面では、本発明は、負荷に流れる出力電流値を効率よく計算できる。
第1の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。 CPUの機能の一例を示す機能ブロック図である。 PWM回路が出力する制御信号と時定数回路の出力値の一例を示す図である。 第1の実施の形態の電源装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。 第1の実施の形態の電源装置の動作の一例の流れを示すフローチャートである(その1)。 第1の実施の形態の電源装置の動作の一例の流れを示すフローチャートである(その2)。 第1の実施の形態の電源装置の動作の一例の流れを示すフローチャートである(その3)。 第2の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。 PWM回路が出力する制御信号と時定数回路の出力値の一例を示す図である。 第3の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。 第4の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。 第4の実施の形態の電源装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。 第5の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。 第6の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。 時定数回路の他の例を示す図である。
以下、発明を実施するための形態を、図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。
電源装置10は、電源20から供給される入力電圧の大きさを変換して、負荷抵抗30aをもつ負荷30に供給する。
電源装置10は、スイッチング素子11,12、インダクタンス素子13、電流検出回路14、キャパシタンス素子15、制御回路16、ゲートドライバ17、時定数回路18を有する。
スイッチング素子11は、電源装置10の入力端子INから入力される電流をスイッチする。スイッチング素子12は、接地電位とスイッチング素子11の出力との間をスイッチする。スイッチング素子11,12は、例えば、nチャネル型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などである。
スイッチング素子11,12は、それぞれ2つの端子と制御端子とを有する。スイッチング素子11,12がnチャネル型MOSFETの場合には、2つの端子はドレイン/ソース端子であり、制御端子はゲート端子である。
スイッチング素子11の一方の端子は入力端子INに接続され、他方の端子はスイッチング素子11の一方の端子及びインダクタンス素子13の一方の端子に接続されている。スイッチング素子12の他方の端子は接地されている。なお接地電位は、必ずしも0Vでなくてもよく、多少変動してもよい。スイッチング素子11,12の制御端子は、ゲートドライバ17に接続されている。なお、スイッチング素子11がオンのときは、スイッチング素子12はオフ、スイッチング素子11がオフのときは、スイッチング素子12はオンに制御される。
インダクタンス素子13は、電源装置の出力端子OUTとスイッチング素子11の出力との間を接続する。すなわち、インダクタンス素子13の一端は、スイッチング素子11の他方の端子(出力端子)に接続されており、インダクタンス素子13の他端は、出力端子OUTに接続されている。
電流検出回路14は、インダクタンス素子13に流れる電流のピーク値であるピーク電流値を検出する。
電流検出回路14は、キャパシタンス素子14a、抵抗素子14b,14c,14d,14e,14f,14g,14h、増幅器14i、バイアス電源14jを有する。キャパシタンス素子14aと抵抗素子14bは直列に接続されており、キャパシタンス素子14aと抵抗素子14bによる直列回路は、インダクタンス素子13に並列に接続されている。抵抗素子14cの一端は、出力端子OUTに接続されており、抵抗素子14cの他端は、増幅器14iの反転入力端子に接続されている。抵抗素子14dの一端は、キャパシタンス素子14aと抵抗素子14bの間に接続されており、抵抗素子14dの他端は、増幅器14iの非反転入力端子に接続されている。抵抗素子14eの一端はバイアス電源14jに接続されており、抵抗素子14eの他端は、増幅器14iの非反転入力端子に接続されている。抵抗素子14fの一端は、増幅器14iの非反転入力端子に接続されており、抵抗素子14fの他端は接地されている。抵抗素子14gの一端は、増幅器14iの反転入力端子に接続されており、抵抗素子14gの他端は接地されている。抵抗素子14hの一端は、増幅器14iの出力端子に接続されており、抵抗素子14hの他端は、増幅器14iの反転入力端子に接続されている。増幅器14iは、上記の接続により差動増幅器として機能する。バイアス電源14jは、増幅器14iに供給するバイアス電圧を生成する。
キャパシタンス素子15は、負荷30に供給する出力電圧を保持する。キャパシタンス素子15の一端は、出力端子OUTに接続されており、キャパシタンス素子15の他端は接地されている。
制御回路16は、スイッチング素子11,12のそれぞれの制御端子を制御する。また、制御回路16は、スイッチング素子12の制御端子を制御する制御信号に接続される時定数回路18の出力値と、電流検出回路14が検出するピーク電流値とに基づいて、負荷30に流れる出力電流値を算出する。
制御回路16は、CPU(Central Processing Unit)16a、メモリ16b、ADC(Analog to Digital Converter)16c,16d,16e,16f、PWM(Pulse Width Modulation)回路16gを有する。制御回路16は、例えば、MCU(Micro Control Unit)である。
CPU16aは、メモリ16bに記憶されているプログラムを実行し、時定数回路18の出力値と、ピーク電流値と、出力電圧値とを用いて、負荷30に流れる出力電流値を算出する。そして、CPU16aは、出力電圧値が目標値になるように、スイッチングパルスのデューティ比を決定してPWM回路16gに送信する。また、CPU16aは、出力電流値が過電流であるか否かを判定し、過電流である場合には、PWM回路16gに停止信号を送信する。
図2は、CPUの機能の一例を示す機能ブロック図である。
CPU16aは、電圧フィードバック制御部16a1と過電流保護制御部16a2の機能を実行する。
電圧フィードバック制御部16a1は、電源装置10の出力電圧値と目標値との差と、過電流保護制御部16a2の出力値に基づいて、スイッチングパルスのデューティ比を決定し出力する。
電圧フィードバック制御部16a1は、出力電圧値変換部16a11、減算部16a12,16a13、補償部16a14を有する。出力電圧値変換部16a11は、ADC16dが出力する、電源装置10の出力電圧値のAD変換結果を受け、CPU16aが計算で扱う出力電圧値に変換する。減算部16a12は、出力電圧値と目標値との差分を出力する。減算部16a13は、出力電圧値と目標値との差分から、過電流保護制御部16a2の出力値(後述する制御値)を差し引いた値を出力する。補償部16a14は、減算部16a13の出力値に基づいて、デューティ比を決定し出力する。
過電流保護制御部16a2は、電流検出回路14が検出するインダクタンス素子13に流れる電流のピーク電流値に基づいて、電源装置10の出力電流値を算出し、その出力電流値が過電流であるか否かを判定する。そして、過電流保護制御部16a2は、出力電流値が過電流である場合には、PWM回路16gを停止させる、または、出力電圧値の大きさを小さくするための制御値を出力する。
過電流保護制御部16a2は、出力電流値算出部16a21、過電流検出部16a22を有する。出力電流値算出部16a21は、ADC16cが出力する上記ピーク電流値のAD変換結果と、ADC16cが出力する出力電圧値のAD変換結果と、ADC16eが出力する時定数回路18の出力値のAD変換結果とに基づいて出力電流値を算出する。過電流検出部16a22は、出力電流値が過電流であるか否かを判定する。そして過電流検出部16a22は、出力電流値が過電流である場合には、PWM回路16gを停止させる、または、出力電圧値の大きさを小さくするための制御値を出力する。
図1の説明に戻る。
メモリ16bは、CPU16aが実行するプログラムや各種データを格納する。
ADC16c〜16fは、制御回路16の入力信号をデジタル信号に変換してCPU16aに供給する。図1の例では、ADC16cは、電流検出回路14が検出したアナログ値のピーク電流値をAD変換して出力する。また、ADC16dは、アナログ値の出力電圧値をAD変換して出力する。また、ADC16eは、アナログ値の時定数回路18の出力値をAD変換して出力する。なお、ADC16fは、なくてもよい。
PWM回路16gは、ゲート制御回路の一例であり、CPU16aから供給されるデューティ比に基づくスイッチ動作をスイッチング素子11,12に実行させるための、スイッチング素子11,12のそれぞれの制御信号(ゲート制御信号)を出力する。
ゲートドライバ17は、制御回路16が出力する各制御信号に基づいて、スイッチング素子11,12のそれぞれの制御端子に供給する制御電圧(例えば、nチャネル型MOSFETのゲート電圧)を出力する。
時定数回路18は、積分回路(またはローパスフィルタ)として機能し、スイッチング素子12を制御するための制御信号に対してフィルタリングした出力値を出力する。時定数回路18は、一端に上記制御信号を受ける抵抗素子18aと、抵抗素子18aの他端に一端を接続したキャパシタンス素子18bを有している。抵抗素子18aの他端はさらに制御回路16のADC16eに接続されており、キャパシタンス素子18bの他端は接地されている。
ところで、図2の出力電流値算出部16a21は、例えば、以下の式(1)に基づいて、出力電流値Ioutを算出する。
Iout=Ipeak−(1−Vo/E)・k・Vo (1)
式(1)において、Ipeakは、インダクタンス素子13に流れる電流のピーク値であるピーク電流値である。Voは出力電圧値、Eは入力電圧値である。また、k=(1/2)・(1/L)・(1/fsw)であり、Lはインダクタンス素子13のインダクタンス値、fswは、スイッチング周波数である。なお、kは、例えば、予めメモリ16bに記憶されている。
式(1)には、2回の乗算、1回の除算、2回の引き算が含まれる。
本実施の形態の電源装置10では、式(1)に含まれる(1−Vo/E)を、時定数回路18が生成する。
以下、時定数回路18により(1−Vo/E)が得られる理由を説明する。
図3は、PWM回路が出力する制御信号と時定数回路の出力値の一例を示す図である。縦軸は電圧Vを表し、横軸は時間tを表している。
図3には、PWM回路16gが出力するスイッチング素子12のための制御信号と、時定数回路18の出力値の例が示されている。図3において、Tswは、スイッチング周期である。また、Vrは、時定数回路18の出力値のリップル電圧である。
以下では、制御信号がH(High)レベル(例えば、1V)のとき、スイッチング素子12はオンし、制御信号がL(Low)レベル(例えば、0V)のとき、スイッチング素子12はオフするものとする。
スイッチング素子12のスイッチングパルス幅Ton1(スイッチング素子12がオンする時間)は、降圧型の電源装置10において以下の式(2)のように表せる。
Ton1=(1−D)・Tsw (2)
式(2)において、Dはスイッチングパルスのデューティ比である。Vo=D×Eであるため、D=Vo/Eである。したがって、式(2)は式(3)のように表せる。
Ton1=(1−Vo/E)・Tsw (3)
式(3)のようなスイッチングパルス幅Ton1をもつ制御信号が時定数回路18に入力されると、ローパスフィルタの機能により制御信号の直流成分(制御信号の平均値)に近い値が得られる。制御信号の平均値は、スイッチングパルス幅Ton1の期間の制御信号の積分値を、スイッチング周期Tswで割った値である。制御信号の振幅が1Vであるとすると、積分値は式(3)のTon1と等しいため、Ton1をスイッチング周期Tswで割ると、平均値は1−Vo/Eとなる。
すなわち、時定数回路18の出力値として1−Vo/Eに近い値が得られる。
図3の例では、時定数回路18の出力値にリップル電圧Vrが生じている。リップル電圧Vrが大きいほど、算出される出力電流値の変動が大きくなるため、出力電流値の変動を制御回路16における電流検出の分解能以下に抑えることが望ましい。そのため、リップル電圧Vrは以下の式(4)を満たすことが望ましい。
Vr<(Ireso/Imax)・Vfs (4)
式(4)において、Iresoは、制御回路16で認識できる電流値の最小分解能を示す。Imaxは、制御回路16で認識できる電流値の最大値を示す。IresoやImaxは、電源装置10の仕様に応じて決定される。
例えば、電源装置10が、過電流を定格電流より0.1Aオーバする範囲内に抑える仕様である場合、Iresoは、0.1Aよりも小さい値(例えば、0.01Aなど)に設定される。なお、この値は、制御回路16でA/D変換を行う際に通常決定するデータのLSB(Least Significant Bit)が示す値に相当する。
また、例えば、電源装置10が、最大100Aの電流値が流れる仕様の場合、Imaxは、余裕をもって100Aよりも大きい値(例えば、120Aなど)に設定される。なお、この値は、制御回路16でA/D変換を行う際に通常決定するデータのMSB(Most Significant Bit)が示す値に相当する。
また、式(4)においてVfsは、検出電圧のフルスケールである。
時定数回路18が、リップル電圧Vrを、式(4)を満たすように減衰させるための減衰量Gは、式(5)のように表せる。
G=20log10((Ireso/Imax)・Vfs)[dB] (5)
この減衰量Gを実現するカットオフ周波数fcは、式(6)のように表せる。
fc=fsw/(G/10-20)[Hz] (6)
この式(6)にしたがって、時定数回路18の抵抗素子18aの抵抗値とキャパシタンス素子18bのキャパシタンス値とが決定される。
例えば、Ireso=1A、Imax=100A、Vfs=1V、fsw=200kHzとする。この場合、式(5)より、G=20log10(1/100・1)=−40[dB]、式(6)より、fc=200×103/(−40/10-20)=2000[Hz]となる。例えば、キャパシタンス素子18bのキャパシタンス値Cfを3300pFとすると、抵抗素子18aの抵抗値Rfは、以下の式(7)のようになる。
Rf=1/2πfcCf=1/(2π×2000×3300×10-12)=24114[Ω] (7)
そのため、抵抗値Rfがおよそ24kΩの抵抗素子18aを用いればよい。
以上のような時定数回路18の出力値である(1−Vo/E)をα1とすると、式(1)は、式(8)のように表せる。
Iout=Ipeak−α1・k・Vo (8)
なお、PWM回路16gが出力する制御信号の振幅Aが1Vでない場合には、(1−Vo/E)に振幅Aを掛けた値が、時定数回路18から出力されるため、α1=A(1−Vo/E)となる。
以下、第1の実施の形態の電源装置10の動作を説明する。
図4は、第1の実施の形態の電源装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。
図4には、PWM回路16gが出力するスイッチング素子11のための制御信号pwmH、PWM回路16gが出力するスイッチング素子12のための制御信号pwmL、インダクタンス素子13に流れる電流値ILの時間変化の一例が示されている。また、電流検出回路14の出力値Isense、ADC16cによる出力値IsenseのAD変換結果Iadの時間変化の一例が示されている。さらに、出力値Isense(電流値)のAD変換処理、出力電流値の計算処理、電圧値のAD変換処理、フィードバック処理、低優先度処理の動作タイミングの一例が示されている。
制御信号pwmHと制御信号pwmLは、位相が180°異なっている。電流値ILは、制御信号pwmHがHレベル(例えば、1V)に立ち上がると上昇し始め、制御信号pwmHがLレベル(例えば、0V)に立ち下がると下降し始める。電流値ILのあるタイミングでの値をioutとすると、そのタイミングでの電流検出回路14の出力値Isenseは、増幅率をaとするとiout×aである。
制御信号pwmHがHレベルに立ち上がると(タイミングt0)、ADC16dによる電圧値(電源装置10の出力電圧値)のAD変換処理が始まる。そのAD変換処理が終わると(タイミングt1)、図2に示した電圧フィードバック制御部16a1によるフィードバック処理(デューティ比の調整処理)が行われる。
制御信号pwmHがLレベルに立ち下がると(タイミングt2)、ADC16cによる電流値(ピーク電流値ipeak)のAD変換処理が開始する。そして、そのAD変換処理が終了したとき(タイミングt3)、出力電流値算出部16a21による出力電流値の計算処理が開始する。出力電流値の計算処理中、フィードバック処理は中断される。つまり、出力電流値の計算は、フィードバック処理よりも優先して行われる。
出力電流値の計算処理が終了したとき(タイミングt4)、フィードバック処理が再開される。フィードバック処理が終了したとき(タイミングt5)、制御回路16は、低優先度の処理(例えば、図示しない通信インタフェースを用いた通信処理など)を行う。以下同様の処理が行われる。
図5、図6、図7は、第1の実施の形態の電源装置の動作の一例の流れを示すフローチャートである。
図5に示すように、まず、CPU16aは、デューティ比などの初期化を行い(ステップS1)、その後、割り込みが発生しているか否かを判定する(ステップS2)。割り込みは、図4に示した電流値または電圧値のAD変換処理の終了によって発生する。
割り込みが発生している場合には、CPU16aは割り込み処理を行い(ステップS3)、その後ステップS2からの処理を繰り返す。割り込みが発生していない場合には、CPU16aは、低優先度処理(ステップS4)を行う。その後、CPU16aは異常が発生しているか否かを判定し(ステップS5)、異常が発生している場合には処理を終了し、異常が発生していない場合には、ステップS2からの処理を繰り返す。
図6に示すように、電圧値のAD変換処理が終了したことによる割り込みが発生したとき、CPU16aは、電圧制御(デューティ比の調整処理)や過電流制御(前回の出力電流値の算出結果に基づく停止信号の出力など)を行う(ステップS31,S32)。その後、CPU16aは、電圧制御や過電流制御の結果をPWM回路16gに反映し(ステップS33)、割り込み処理を終了する。
図7に示すように、電流値のAD変換処理が終了したことによる割り込みが発生したとき、CPU16aは、式(8)に基づいて、出力電流値を計算し(ステップS34)、割り込み処理を終了する。
以上のように、第1の実施の形態の電源装置10において、制御回路16は、時定数回路18の出力値であるα1を用いることで、式(1)の代わりに、式(8)を計算すればよいことになる。式(8)は、2回の乗算と、1回の減算を含み、式(1)と比べて、制御回路16における計算量を減らすことができる。このため、第1の実施の形態の電源装置10によれば、出力電流値を効率よく計算できる。
(第2の実施の形態)
図8は、第2の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。図8において、図1に示した電源装置10と同様の要素については同一符号が付されている。
第2の実施の形態の電源装置10aにおいて、時定数回路18は、スイッチング素子11を制御するための制御信号に対してフィルタリングした出力値を出力する。時定数回路18の抵抗素子18aの一端には、上記制御信号が供給される。
これにより、第2の実施の形態の電源装置10aでは、上記制御信号の振幅Aが1Vの場合、時定数回路18の出力値は、Vo/Eとなる。以下、時定数回路18によりVo/Eが得られる理由を説明する。
図9は、PWM回路が出力する制御信号と時定数回路の出力値の一例を示す図である。縦軸は電圧Vを表し、横軸は時間tを表している。
図9には、PWM回路16gが出力するスイッチング素子11のための制御信号と、時定数回路18の出力値の例が示されている。図9において、Tswは、スイッチング周期である。また、Vrは、時定数回路18の出力値のリップル電圧である。
以下では、制御信号がHレベル(例えば、1V)のとき、スイッチング素子11はオンし、制御信号がLレベル(例えば、0V)のとき、スイッチング素子11はオフするものとする。
スイッチング素子11のスイッチングパルス幅Ton2(スイッチング素子11がオンする時間)は、降圧型の電源装置10において以下の式(9)のように表せる。
Ton2=D・Tsw (9)
式(2)において、Dはデューティ比である。Vo=D×Eであるため、D=Vo/Eである。したがって、式(9)は式(10)のように表せる。
Ton2=(Vo/E)・Tsw (10)
式(10)のようなスイッチングパルス幅Ton2をもつ制御信号が時定数回路18に入力されると、ローパスフィルタの機能により制御信号の直流成分(制御信号の平均値)に近い値が得られる。制御信号の平均値は、スイッチングパルス幅Ton2の期間の制御信号の積分値を、スイッチング周期Tswで割った値である。制御信号の振幅を1Vとすると、積分値は式(10)のTon2と等しいため、Ton2をスイッチング周期Tswで割ると、平均値はVo/Eとなる。すなわち、時定数回路18の出力値としてVo/Eに近い値が得られる。
なお、リップル電圧Vrを抑制するための時定数回路18の抵抗素子18aの抵抗値やキャパシタンス素子18bのキャパシタンス値の設計方法については、第1の実施の形態の電源装置10について説明した設計方法と同じである。
以上のような時定数回路18の出力値である(Vo/E)をα2とすると、式(1)は、式(11)のように表せる。
Iout=Ipeak−(1−α2)・k・Vo (11)
なお、PWM回路16gが出力する制御信号の振幅Aが1Vでない場合には、(Vo/E)に振幅Aを掛けた値が、時定数回路18から出力されるため、α2=A(Vo/E)となる。
第2の実施の形態の電源装置10aについても、図4〜図7に示した第1の実施の形態の電源装置10の動作と同様の動作が行われる。
第2の実施の形態の電源装置10aにおいて、制御回路16は、時定数回路18の出力値であるα2を用いることで、式(1)の代わりに、式(11)を計算すればよいことになる。式(11)は、2回の乗算と、2回の減算を含み、式(1)と比べて、制御回路16における計算量を減らすことができる。このため、第2の実施の形態の電源装置10aによれば、出力電流値を効率よく計算できる。
(第3の実施の形態)
図10は、第3の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。図10において、図1に示した電源装置10と同様の要素については同一符号が付されている。
第3の実施の形態の電源装置10bは、負荷30に接続される分圧回路19を有している。分圧回路19は、直列に接続された抵抗素子19a,19bを有している。抵抗素子19aの一端は、出力端子OUTを介して負荷30に接続される。抵抗素子19aの他端は、抵抗素子19bの一端、及び制御回路16のADC16fに接続されている。抵抗素子19bの他端は接地されている。
このような分圧回路19は、出力電圧値Voを抵抗分圧した出力値を、ADC16fに供給する。抵抗素子19a,19bの抵抗値は、分圧回路19が、式(8)のk・Voを出力するように調整される。抵抗素子19aの抵抗値をRa、抵抗素子19bの抵抗値をRbとすると、以下の式(12)、式(13)の関係を満たすように、抵抗値Ra,Rbが決定される。
k=Ra/(Ra+Rb) (12)
Rb=Ra((1/k)−1) (13)
前述のように、k=(1/2)・(1/L)・(1/fsw)である。例えば、L=10μH、fsw=200kHzの場合、k=(1/2)・(1/(10×10-6))・(1/(200×103))=0.25となる。式(13)において、Ra=10kΩとすると、Rb=10×103×((1/0.25)−1)=30[kΩ]となる。
以上のような分圧回路19の出力値であるk・Voをβとすると、式(8)は、式(14)のように表せる。
Iout=Ipeak−α1・β (14)
第3の実施の形態の電源装置10bにおいても、図4〜図7に示した第1の実施の形態の電源装置10の動作と同様の動作が行われる。
第3の実施の形態の電源装置10bにおいて、制御回路16は、前述の時定数回路18の出力値であるα1に加えて、分圧回路19の出力値βを用いることで、式(1)の代わりに、式(14)を計算すればよいことになる。式(14)は、1回の乗算と、1回の減算を含み、制御回路16における計算量をさらに減らすことができる。このため、第3の実施の形態の電源装置10bによれば、出力電流値をさらに効率よく計算できる。
なお、上記のような分圧回路19は、第2の実施の形態の電源装置10aに設けられていてもよい。
(第4の実施の形態)
図11は、第4の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。
第4の実施の形態の電源装置50は、フェイズ数が2つのマルチフェイズ型の電源装置である。
電源装置50は、図1に示した第1の実施の形態の電源装置10のスイッチング素子11,12、インダクタンス素子13、電流検出回路14に対応する要素をそれぞれ2つずつ有している。すなわち、電源装置50は、スイッチング素子51a,52a、インダクタンス素子53a、電流検出回路54a、スイッチング素子51b,52b、インダクタンス素子53b、電流検出回路54bを有する。以下、スイッチング素子51a,52a、インダクタンス素子53a、電流検出回路54aを含む部分を電源回路50a、スイッチング素子51b,52b、インダクタンス素子53b、電流検出回路54bを含む部分を電源回路50bという。
電源回路50a,50bは、入力端子INと出力端子OUTとの間に、並列に接続されている。電源回路50a,50bのそれぞれの回路構成は、第1の実施の形態の電源装置10のスイッチング素子11,12、インダクタンス素子13、電流検出回路14による回路構成と同じである。
さらに、電源装置50は、キャパシタンス素子55、制御回路56、ゲートドライバ57、時定数回路58a,58bを有している。
キャパシタンス素子55は、負荷30に供給する出力電圧を保持する。キャパシタンス素子55の一端は、出力端子OUTに接続されており、キャパシタンス素子55の他端は接地されている。
制御回路56は、スイッチング素子51a,52a,51b,52bのそれぞれの制御端子を制御する。制御回路56は、図示を省略しているが、図1に示した制御回路16と同様の要素を有している。制御回路56は、図1の制御回路16と比べて入力が増えるが、各入力に対してAD変換を行うADCを有している。また、制御回路56は、時定数回路58a,58bの出力値と、電流検出回路54a,54bが検出したピーク電流値と、出力電圧値とを用いて、電源回路50a,50bのそれぞれの出力電流値を算出する。そして、制御回路56は、出力電圧値が目標値になるように、スイッチングパルスのデューティ比を決定する。制御回路56は、そのデューティ比に基づくスイッチ動作をスイッチング素子51a,52a,51b,52bに実行させるための、制御信号を出力する。また、制御回路56は、電源回路50a,50bのそれぞれの出力電流値が過電流であるか否かを判定し、過電流である場合には、例えば、スイッチング素子51a,52a,51b,52bのスイッチング動作を停止させる。
ゲートドライバ57は、制御回路56が出力するそれぞれの制御信号に基づいて、スイッチング素子51a,52a,51b,52bのそれぞれの制御端子に供給する制御電圧(例えば、nチャネル型MOSFETのゲート電圧)を出力する。
時定数回路58a,58bは、積分回路(またはローパスフィルタ)として機能し、スイッチング素子52a,52bを制御するための制御信号に対してフィルタリングした出力値を出力する。
時定数回路58aは、一端にスイッチング素子52aを制御するための制御信号を受ける抵抗素子58a1と、抵抗素子58a1の他端に一端を接続したキャパシタンス素子58a2を有している。抵抗素子58a1の他端はさらに制御回路56に接続されており、キャパシタンス素子58a2の他端は接地されている。
時定数回路58bは、一端にスイッチング素子52bを制御するための制御信号を受ける抵抗素子58b1と、抵抗素子58b1の他端に一端を接続したキャパシタンス素子58b2を有している。抵抗素子58b1の他端はさらに制御回路56に接続されており、キャパシタンス素子58b2の他端は接地されている。
以下、第4の実施の形態の電源装置50の動作を説明する。
図12は、第4の実施の形態の電源装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。
図12には、制御回路56が出力するスイッチング素子51aのための制御信号pwmH1、制御回路56が出力するスイッチング素子51bのための制御信号pwmH2の時間変化の一例が示されている。また、電流検出回路54aが検出したピーク電流値のAD変換処理、電流検出回路54bが検出したピーク電流値のAD変換処理、出力電流値の計算処理、電圧値のAD変換処理、フィードバック処理、低優先度処理の動作タイミングの一例が示されている。
制御信号pwmH1と制御信号pwmH2は、位相が90°異なっている。なお、スイッチング素子52a,52bのための制御信号については図示が省略されている。スイッチング素子52aのための制御信号は、制御信号pwmH1に対して、位相が180°異なっている信号である。また、スイッチング素子52bのための制御信号は、制御信号pwmH2に対して、位相が180°異なっている信号である。
制御信号pwmH1がHレベルに立ち上がると(タイミングt10)、制御回路56による電圧値(電源装置50の出力電圧値)のAD変換処理が始まる。そのAD変換処理が終わると(タイミングt11)、制御回路56によるフィードバック処理(デューティ比の調整処理)が行われる。なお、制御回路56は、第1の実施の形態の電源装置10の制御回路16と同様に、図2に示したような各機能を実行するが、電源回路50a,50bのそれぞれについてデューティ比の調整を行う。
制御信号pwmH2がLレベルに立ち下がると(タイミングt12)、電流検出回路54bが検出した電流値(ピーク電流値)の制御回路56によるAD変換処理が開始する。そのAD変換処理が終了したとき(タイミングt13)、制御回路56による電源回路50bの出力電流値の計算処理が開始する。出力電流値の計算処理中、フィードバック処理は中断される。つまり、出力電流値の計算は、フィードバック処理よりも優先して行われる。
出力電流値の計算処理が終了したとき(タイミングt14)、フィードバック処理が再開される。フィードバック処理が終了したとき(タイミングt15)、制御回路56は、低優先度の処理(例えば、図示しない通信インタフェースを用いた通信処理など)を行う。
制御信号pwmH1がLレベルに立ち下がると(タイミングt16)、電流検出回路54aが検出した電流値(ピーク電流値)の制御回路56によるAD変換処理が開始する。そのAD変換処理が終了したとき(タイミングt17)、制御回路56による電源回路50aの出力電流値の計算処理が開始する。
制御信号pwmH1が再びHレベルに立ち上がると(タイミングt18)、制御回路56による電圧値(電源装置50の出力電圧値)のAD変換処理が始まる。以下同様の処理が行われる。
なお、第4の実施の形態の電源装置50の全体の動作の流れは、図5〜図7に示した第1の実施の形態の電源装置10の動作の流れと同様である。
第4の実施の形態の電源装置50では、第1の実施の形態の電源装置10と同様の効果が得られる。
なお、上記の電源装置50は、フェイズ数を2としたが、フェイズ数が3以上であってもよい。また、上記の電源装置50は、第1の実施の形態の電源装置10をマルチフェイズ型にした例であるが、第2または第3の実施の形態の電源装置10a,10bについても同様にマルチフェイズ型にすることができる。
マルチフェイズ型の電源装置では、フェイズ数が増えるほど計算量が増加するが、上記のような時定数回路や、分圧回路の出力値を用いて出力電流値を計算することで、計算量の増加を抑えることができる。
例えば、減算を行うクロックサイクル数が2、除算及び乗算を行うクロックサイクルが4であるMCU(例えば、40MIPS(Million Instructions Per Second)のMCU)を用いた場合、出力電流値の計算におけるクロックサイクル数は、以下のようになる。
上記のMCUが式(1)を用いて4フェイズの電源装置の出力電流値を計算する場合に用いるクロックサイクル数は、(2×2+4×2+4×1)×4=64となる。
一方、上記のMCUが式(8)を用いて4フェイズの電源装置の出力電流値を計算する場合に用いるクロックサイクル数は、(2×1+4×2)×4=40となる。
また、上記のMCUが式(14)を用いて4フェイズの電源装置の出力電流値を計算する場合に用いるクロックサイクル数は、(2×1+4×1)×4=24となる。
40MIPSのMCUの場合、電源装置のスイッチング周波数を200kHzとすると、1スイッチング周期当たりのMCUのクロックサイクル数は、40M/200k=200である。したがって、MCUが出力電流値を計算する際の負荷は、式(1)を用いた場合、64/200=0.32、式(8)を用いた場合、40/200=0.2、式(14)を用いた場合、24/200=0.12となる。このように、式(8)または式(14)を用いて出力電流値を計算する際の負荷は、式(1)を用いて出力電流値を計算するよりも小さくなる。このため、MCUの消費電力の削減も可能となり、さらには、安価なMCUを用いることもできる。
(第5の実施の形態)
なお、上記では、制御回路16,56の外に、時定数回路18,58a,58bや分圧回路19を設けた例を説明したが、制御回路16,56に、時定数回路18,58a,58bや分圧回路19が内蔵されていてもよい。
図13は、第5の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。図13において、図8に示した電源装置10bと同様の要素については同一符号が付されている。
第5の実施の形態の電源装置10cにおいて制御回路60は、時定数回路18と分圧回路19を内蔵しており、第3の実施の形態の電源装置10bと同様の効果を有する。さらに、第5の実施の形態の電源装置10cでは、制御回路60の外部の回路を削減することができる。なお、第1、第2、または第4の実施の形態の電源装置10,10a,50においても、制御回路16,56が、時定数回路18,58a,58bを内蔵してもよい。
(第6の実施の形態)
なお、第4の実施の形態では、マルチフェイズ型の電源装置50について説明したが、複数の負荷を動作させる複数の電源回路のそれぞれの出力電流値を、上記のような時定数回路や分圧回路の出力値を用いて制御回路が計算するようにしてもよい。
図14は、第6の実施の形態の電源装置の一例を示す図である。
第6の実施の形態の電源装置70は、電源80aから供給される入力電圧の大きさを変換して、負荷90aに供給する電源回路70aと、電源80bから供給される入力電圧の大きさを変換して、負荷90bに供給する電源回路70bを有する。
電源回路70aは、スイッチング素子71a,72a、インダクタンス素子73a、電流検出回路74a、キャパシタンス素子75aを有する。電源回路70bは、スイッチング素子71b,72b、インダクタンス素子73b、電流検出回路74b、キャパシタンス素子75bを有する。
電源回路70a,70bのそれぞれにおける2つのスイッチング素子71a,72a、スイッチング素子71b,72bは、例えば、第1の実施の形態の電源装置10のスイッチング素子11,12に対応している。電源回路70a,70bのそれぞれにおけるインダクタンス素子73a,73bは、例えば、第1の実施の形態の電源装置10のインダクタンス素子13に対応している。電源回路70a,70bのそれぞれにおけるキャパシタンス素子75a,75bは、例えば、第1の実施の形態の電源装置10のキャパシタンス素子15に対応している。
さらに、電源装置70は、制御回路76、ゲートドライバ77a,77b、時定数回路78a,78bを有する。
制御回路76は、CPU76a、ADC76b,76c,76d,76e,76f,76g、PWM回路76hを有する。なお、制御回路76は、メモリを有するが図14では図示が省略されている。
CPU76aは、ADC76bでAD変換されたインダクタンス素子73aのピーク電流値と、ADC76cでAD変換された電源回路70aの出力電圧値と、ADC76dでAD変換された時定数回路78aの出力値を受ける。なお、時定数回路78aは、スイッチング素子72aを制御するための制御信号に対してフィルタリングした出力値を出力する。CPU76aは、受信した各値に基づいて、式(8)を用いて電源回路70aの出力電流値を算出する。また、CPU76aは、出力電圧値と出力電流値に基づいて、図2に示したような機能を実行してスイッチング素子71a,72aのスイッチ動作のデューティ比をPWM回路76hに送る。また、CPU76aは、出力電流値が過電流である場合には、例えば、PWM回路76hへ、スイッチング素子71a,72aのスイッチング動作を停止させるための停止信号を送る。
また、CPU76aは、ADC76eでAD変換されたインダクタンス素子73bのピーク電流値と、ADC76fでAD変換された電源回路70bの出力電圧値と、ADC76gでAD変換された時定数回路78bの出力値を受ける。なお、時定数回路78bは、スイッチング素子72bを制御するための制御信号に対してフィルタリングした出力値を出力する。CPU76aは、受信した各値に基づいて、式(8)を用いて電源回路70bの出力電流値を算出する。また、CPU76aは、出力電圧値と出力電流値に基づいて、図2に示したような機能を実行してスイッチング素子71b,72bのスイッチ動作のデューティ比をPWM回路76hに送る。
また、CPU76aは、出力電流値が過電流である場合には、例えば、PWM回路76hへ、スイッチング素子71b,72bのスイッチング動作を停止させるための停止信号を送る。
PWM回路76hは、デューティ比に基づいて、スイッチング素子71a,72a,71b,72bを制御するための制御信号を出力する。
ゲートドライバ77aは、スイッチング素子71a,72aを制御するための制御信号を受け、その制御信号に基づいてスイッチング素子71a,72aのそれぞれの制御端子に供給する制御電圧(例えば、nチャネル型MOSFETのゲート電圧)を出力する。
ゲートドライバ77bは、スイッチング素子71b,72bを制御するための制御信号を受け、その制御信号に基づいてスイッチング素子71b,72bのそれぞれの制御端子に供給する制御電圧(例えば、nチャネル型MOSFETのゲート電圧)を出力する。
以上のような第6の実施の形態の電源装置70では、第1の実施の形態の電源装置10と同様の効果が得られる。
なお、上記の例では2つの電源回路70a,70bが設けられている例を示したが、3つ以上の電源回路が設けられていてもよい。電源回路の数が増えるほど、制御回路76における計算量が増加するが、上記のような時定数回路の出力値を用いて出力電流値を計算することで、計算量の増加を抑えることができる。
なお、上記の説明では時定数回路78a,78bは、スイッチング素子72a,72bを制御するための制御信号に対してフィルタリングした出力値を出力するものとしたが、これに限定されない。時定数回路78a,78bは、スイッチング素子71a,71bを制御するための制御信号に対してフィルタリングした出力値を出力するものであってもよい。また、時定数回路78a,78bは、第5の実施の形態の電源装置10cのように、制御回路76内に設けられていてもよい。また、電源装置70は、電源回路70a,70bのそれぞれの出力電圧値Voを分圧してk・Voを出力する分圧回路を有していてもよく、制御回路76は、式(14)を用いて、電源回路70a,70bのそれぞれの出力電流値を算出してもよい。
以上、実施の形態に基づき、本発明の電源装置、電源装置の制御回路及び電源装置の制御方法の一観点について説明してきたが、これらは一例にすぎず、上記の記載に限定されるものではない。
例えば、時定数回路は、キャパシタンス素子と抵抗素子とを含むものに限定されず、以下のようなものであってもよい。
図15は、時定数回路の他の例を示す図である。
図15に示す時定数回路100は、インダクタンス素子101と抵抗素子102を有する。インダクタンス素子101の一端は、例えば、図1に示したPWM回路16gに接続されており、インダクタンス素子101の他端は、抵抗素子102の一端及び図1に示したADC16eに接続されている。抵抗素子102の他端は、接地されている。
このような時定数回路100はローパスフィルタとして機能し、PWM回路16gが出力する制御信号をフィルタリングして、図1などに示した時定数回路18と同様の出力値を出力することができる。
10 電源装置
11,12 スイッチング素子
13 インダクタンス素子
14 電流検出回路
14a,15,18b キャパシタンス素子
14b,14c,14d,14e,14f,14g,14h,18a 抵抗素子
14i 増幅器
14j バイアス電源
16 制御回路
16a CPU
16b メモリ
16c,16d,16e,16f ADC
16g PWM回路
17 ゲートドライバ
18 時定数回路
20 電源
30 負荷
30a 負荷抵抗

Claims (6)

  1. 負荷に接続されうる電源装置において、
    入力端子から入力される電流をスイッチする第1のスイッチング素子と、
    接地電位と前記第1のスイッチング素子の出力との間をスイッチする第2のスイッチング素子と、
    出力端子と前記第1のスイッチング素子の出力との間を接続するインダクタンス素子と、
    前記インダクタンス素子に流れる電流のピーク値であるピーク電流値を検出する電流検出回路と、
    前記第1のスイッチング素子の第1の制御端子と前記第2のスイッチング素子の第2の制御端子とを制御するとともに、前記第1の制御端子を制御する第1の制御信号または前記第2の制御端子を制御する第2の制御信号の何れかに接続される時定数回路の出力値と前記電流検出回路が検出するピーク電流値とに基づいて、前記負荷に流れる出力電流値を算出する制御回路と、
    を有する電源装置。
  2. 前記制御回路は、
    前記時定数回路の前記出力値と、前記電流検出回路が検出する前記ピーク電流値と、前記負荷に接続される分圧回路の出力値とに基づいて、前記負荷に流れる前記出力電流値を算出する請求項1に記載の電源装置。
  3. 前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子と前記インダクタンス素子と前記電流検出回路とを含む第1の電源回路と、
    前記入力端子から入力される前記電流をスイッチする第3のスイッチング素子と、前記接地電位と前記第3のスイッチング素子の出力との間をスイッチする第4のスイッチング素子と、前記出力端子と前記第3のスイッチング素子の出力との間を接続する他のインダクタンス素子と、前記他のインダクタンス素子に流れる電流のピーク値である他のピーク電流値を検出する他の電流検出回路と、を含み、前記入力端子と前記出力端子の間に前記第1の電源回路と並列に接続された第2の電源回路と、
    を有し、
    前記制御回路は、前記第1の制御端子と前記第2の制御端子とを制御し、前記時定数回路の前記出力値と前記ピーク電流値とに基づいて前記第1の電源回路の出力電流値を算出するとともに、前記第3のスイッチング素子の第3の制御端子と前記第4のスイッチング素子の第4の制御端子とを制御し、前記第3の制御端子を制御する第3の制御信号または前記第4の制御端子を制御する第4の制御信号の何れかに接続される他の時定数回路の出力値と前記他の電流検出回路が検出する前記他のピーク電流値とに基づいて、前記第2の電源回路の出力電流値を算出する請求項1または2に記載の電源装置。
  4. 前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子と前記インダクタンス素子と前記電流検出回路とを含む第1の電源回路と、
    他の入力端子から入力される他の電流をスイッチする第3のスイッチング素子と、前記接地電位と前記第3のスイッチング素子の出力との間をスイッチする第4のスイッチング素子と、他の負荷に接続される他の出力端子と前記第3のスイッチング素子の出力との間を接続する他のインダクタンス素子と、前記他のインダクタンス素子に流れる電流のピーク値である他のピーク電流値を検出する他の電流検出回路と、を含む第2の電源回路と、
    を有し、
    前記制御回路は、前記第1の制御端子と前記第2の制御端子とを制御し、前記時定数回路の前記出力値と前記ピーク電流値とに基づいて前記第1の電源回路の出力電流値を算出するとともに、前記第3のスイッチング素子の第3の制御端子と前記第4のスイッチング素子の第4の制御端子とを制御し、前記第3の制御端子を制御する第3の制御信号または前記第4の制御端子を制御する第4の制御信号の何れかに接続される他の時定数回路の出力値と前記他の電流検出回路が検出する前記他のピーク電流値とに基づいて、前記第2の電源回路の出力電流値を算出する請求項1または2に記載の電源装置。
  5. 入力端子から入力される電流をスイッチする第1のスイッチング素子と、接地電位と前記第1のスイッチング素子の出力との間をスイッチする第2のスイッチング素子と、出力端子と前記第1のスイッチング素子の出力との間を接続するインダクタンス素子と、前記インダクタンス素子に流れる電流のピーク値であるピーク電流値を検出する電流検出回路とを有し、負荷に接続されうる電源装置の制御回路において、
    前記第1のスイッチング素子の第1の制御端子と前記第2のスイッチング素子の第2の制御端子とを制御するゲート制御回路と、
    前記第1の制御端子を制御する第1の制御信号または前記第2の制御端子を制御する第2の制御信号の何れかに接続される時定数回路と、
    前記時定数回路の出力値と前記電流検出回路が検出する前記ピーク電流値とに基づいて、前記負荷に流れる出力電流値を算出する算出部と、
    を有する電源装置の制御回路。
  6. 負荷に接続されうる電源装置の制御方法において、
    前記電源装置が有する第1のスイッチング素子が、入力端子から入力される電流をスイッチし、
    前記電源装置が有する第2のスイッチング素子が、接地電位と前記第1のスイッチング素子の出力との間をスイッチし、
    前記電源装置が有する電流検出回路が、出力端子と前記第1のスイッチング素子の出力との間を接続するインダクタンス素子に流れる電流のピーク値であるピーク電流値を検出し、
    前記電源装置が有する制御回路が、前記第1のスイッチング素子の第1の制御端子と前記第2のスイッチング素子の第2の制御端子とを制御するとともに、前記第1の制御端子を制御する第1の制御信号または前記第2の制御端子を制御する第2の制御信号の何れかに接続される時定数回路の出力値と前記電流検出回路が検出するピーク電流値とに基づいて、前記負荷に流れる出力電流値を算出する、
    電源装置の制御方法。
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