JP2018081959A - 半導体モジュール - Google Patents

半導体モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2018081959A
JP2018081959A JP2016221608A JP2016221608A JP2018081959A JP 2018081959 A JP2018081959 A JP 2018081959A JP 2016221608 A JP2016221608 A JP 2016221608A JP 2016221608 A JP2016221608 A JP 2016221608A JP 2018081959 A JP2018081959 A JP 2018081959A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor module
hole
circuit board
press
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016221608A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6866121B2 (ja
Inventor
翼 渡辺
Tasuku Watanabe
翼 渡辺
浩昭 星加
Hiroaki Hoshika
浩昭 星加
余語 孝之
Takayuki Yogo
孝之 余語
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority to JP2016221608A priority Critical patent/JP6866121B2/ja
Priority to PCT/JP2017/037469 priority patent/WO2018088141A1/ja
Priority to DE112017005171.1T priority patent/DE112017005171B4/de
Priority to US16/348,208 priority patent/US10644423B2/en
Publication of JP2018081959A publication Critical patent/JP2018081959A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6866121B2 publication Critical patent/JP6866121B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/105Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02Contact members
    • H01R13/04Pins or blades for co-operation with sockets
    • H01R13/05Resilient pins or blades
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/05Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects
    • G01F1/34Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using mechanical effects by measuring pressure or differential pressure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/57Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/58Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals terminals for insertion into holes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50Fixed connections
    • H01R12/51Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/58Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals terminals for insertion into holes
    • H01R12/585Terminals having a press fit or a compliant portion and a shank passing through a hole in the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02GINSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
    • H02G3/00Installations of electric cables or lines or protective tubing therefor in or on buildings, equivalent structures or vehicles
    • H02G3/02Details
    • H02G3/08Distribution boxes; Connection or junction boxes
    • H02G3/16Distribution boxes; Connection or junction boxes structurally associated with support for line-connecting terminals within the box
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/306Lead-in-hole components, e.g. affixing or retention before soldering, spacing means
    • H05K3/308Adaptations of leads
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6845Micromachined devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48101Connecting bonding areas at the same height, e.g. horizontal bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48105Connecting bonding areas at different heights
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/182Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
    • H05K1/183Components mounted in and supported by recessed areas of the printed circuit board
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10151Sensor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10295Metallic connector elements partly mounted in a hole of the PCB
    • H05K2201/10303Pin-in-hole mounted pins
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/1059Connections made by press-fit insertion
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/04Soldering or other types of metallurgic bonding
    • H05K2203/049Wire bonding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Connection Or Junction Boxes (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】プレスフィット端子を用いた半導体モジュールの信頼性の向上を図る。
【解決手段】半導体モジュールは、第1半導体チップ3と第2半導体チップ4が実装され、かつ内部に導体箔12が形成された第1貫通孔11を備えた回路基板1と、回路基板1の第1貫通孔11内の導体箔12と電気的に接続されたプレスフィット端子13と、回路基板1の表面1a側および裏面1b側に配置された第2樹脂23と、を含む。さらに、プレスフィット端子13は、第1貫通孔11内に圧入されて第1貫通孔11内の導体箔12と電気的に接続する圧接部を備えており、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、が第1貫通孔11内に充填された第2樹脂25を介して一体に形成されている。
【選択図】図13

Description

本発明は、プレスフィット端子が実装される回路基板を備えた半導体モジュールに関する。
プレスフィット端子(プレスフィットピンとも言う)が実装される基板を備えたモジュール構造として、特開2015−126614号公報(特許文献1)が知られている。この特許文献1には、コネクタハウジングの嵌合空間の奥部に、コネクタ端子(プレスフィット端子)の基端部に固着する奥壁部が、外装ケースの一部としてモールド樹脂により一体に形成された構造が開示されている。
また、特許第5117282号(特許文献2)には、配線基板上に設けられたスルーホールにプレスフィットピンが挿入され、電子装置内にあって配線基板から切り離されたモジュールが、プレスフィットピンを介して、配線基板と電気的に接続されている構造が開示されている。
特開2015−126614号公報 特許第5117282号
現在、自動車などの内燃機関にはセンサモジュールや、電子制御装置などの電子回路を含むモジュール(半導体モジュール)が搭載されている。これらのモジュールには半導体部品が搭載された回路基板が用いられ、その回路基板はハウジングの内部に収められており、外部との信号入出力には導体端子(例えば、プレスフィット端子)が用いられている。
例えば、プレスフィット端子を用いた接続では、弾性的に変形する弾性変形領域をプレスフィット端子に形成しておき、その弾性変形領域を、回路基板に形成された貫通穴に圧入して、電気的接続を図っている。そして、このプレスフィット端子を用いた接続において、プレスフィット端子の弾性変形領域を貫通穴に圧入する際には、プレスフィット端子の寸法よりも貫通穴の寸法の方が小さい領域を形成しておくことで、弾性変形領域が変形して、電気的な接続が行われる。
しかしながら、この寸法差が大きすぎると、回路基板への負荷が過大となり、圧入時や、その後の回路基板の経時劣化により基板が変形してしまう虞れがある。
本発明の目的は、プレスフィット端子を用いた半導体モジュールにおいて、回路基板の変形を抑制して半導体モジュールの信頼性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
本発明の前記の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される実施の形態のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
一実施の形態における半導体モジュールは、半導体部品と、上記半導体部品が実装された第1面と、上記第1面と反対側の第2面と、を有し、かつ内部に導体部が形成された第1貫通孔を備えた回路基板と、上記回路基板の上記第1貫通孔内に圧入された接続用導体部材と、上記回路基板の上記第1面側と上記第2面側とに配置された樹脂部と、を含む。さらに、上記接続用導体部材は、上記第1貫通孔内の上記導体部と電気的に接続する圧接部を備え、上記回路基板の上記第1面側の上記樹脂部と、上記第2面側の上記樹脂部と、が上記第1貫通孔内に充填された樹脂を介して一体に形成されている。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
プレスフィット端子が実装される回路基板を備えた半導体モジュールにおいて、回路基板の変形を抑制して半導体モジュールの信頼性の向上を図ることができる。
本発明の実施の形態1の回路モジュールの実装構造を示す平面図である。 図1に示すA―A線で切断した構造を示す断面図である。 図1に示す回路モジュールに実装されるプレスフィット端子の弾性変形部の構造を示す正面図である。 図1に示す回路モジュールに実装されるプレスフィット端子の露出部側の構造を示す平面図である。 図3に示すプレスフィット端子の圧入時の状態を図1のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続前の断面図である。 図3に示すプレスフィット端子の圧入時の状態を図1のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続後の断面図である。 本発明の実施の形態1のプレスフィット端子を実装した回路モジュールの構造を示す平面図である。 図7に示すA―A線で切断した構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態1の回路モジュールのハウジングを形成する金型構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態1の回路モジュールのプレスフィット接続部を樹脂で覆った構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態1の半導体モジュールにおいて図7のB−B線で切断した構造に相当する断面図である。 本発明の実施の形態1の半導体モジュールにおいて図7のC−C線で切断した構造に相当する断面図である。 本発明の実施の形態1の半導体モジュールの構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態2の回路モジュールのハウジングを形成する金型構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態2の半導体モジュールの構造を示す断面図である。 本発明の実施の形態3の回路モジュールの実装構造を示す平面図である。 本発明の実施の形態3のプレスフィット端子の圧入時の状態を図16のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続前の断面図である。 本発明の実施の形態3のプレスフィット端子の圧入時の状態を図16のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続後の断面図である。 本発明の実施の形態3の半導体モジュールにおいて図7のB−B線で切断した構造に相当する断面図である。 本発明の実施の形態3の半導体モジュールにおいて図7のC−C線で切断した構造に相当する断面図である。 本発明の実施の形態3の回路モジュールの他の実装構造を示す平面図である。 本発明の実施の形態4の回路モジュールの実装構造を示す平面図である。 図22に示すA―A線で切断した構造に相当する電子制御装置(半導体モジュール)の断面図である。 図23に示す電子制御装置を実装したユニットが搭載された自動車の構造を示す斜視図である。
(実施の形態1)
自動車などの内燃機関にはセンサモジュールなどの半導体モジュールや、電子制御装置などの電子回路を含む半導体モジュールが搭載されている。これらの半導体モジュールには半導体部品が搭載された回路基板が用いられている。また、上記回路基板はハウジング内部に収められており、外部との信号入出力には導体端子が用いられている。そして、上記導体端子として、プレスフィット端子(プレスフィットピンとも言う)が知られている。
また、プレスフィット端子によるプレスフィット接続は、弾性的に変形する弾性変形領域をプレスフィット端子に予め形成しておき、その弾性変形領域を、回路基板に形成した、内側に導体箔が形成された貫通穴に圧入して、電気的接続を図るものである。そして、プレスフィット接続では、ワイヤなどの中間部材を使用すること無く、回路基板とプレスフィット端子を接続させるため、部品数低減が可能となる。
なお、センサモジュールなどの半導体モジュールにおいては、流量、湿度、加速度などの物理量を検出するセンサチップが実装されているが、以下の実施の形態1では、プレスフィット接続として、自動車の内燃機関に搭載される吸入空気量センサ(流量センサ)を一例に挙げ、吸入空気量センサに組み込まれた回路基板の変形を抑制して吸入空気量センサの信頼性を高める技術について説明する。
吸入空気量センサ(半導体モジュール)とは、気体(空気)の流量を測定する流量センサであり、内燃機関に搭載されている電子制御燃料噴射装置による吸入空気量制御に利用するために設置されている。吸入空気量センサには薄肉のダイヤフラムを有するセンサチップが用いられており、センサチップでの計測データを、制御チップで収集・補正し、外部に出力する仕組みとなっている。
以下、図面を参照しながら本実施の形態1の半導体モジュールである吸入空気量センサについて説明する。
図1は本発明の実施の形態1の回路モジュールの実装構造を示す平面図、図2は図1に示すA―A線で切断した構造を示す断面図である。
図2に示す回路モジュールは、上記吸入空気量センサに組み込まれるものであり、例えば、ガラス繊維と樹脂とによって構成された基材からなる回路基板1上に、ダイヤフラム2を有し、かつ流量をセンスするセンサチップである第1半導体チップ3と、第1半導体チップ3を制御する制御回路を有する第2半導体チップ4とが搭載されている。なお、回路基板1と第1半導体チップ3は、第1接着剤5によって組み付けられ、回路基板1と第2半導体チップ4は、第2接着剤6によって組み付けられている。
回路基板1には、内部に内層導体配線8と、内層導体配線8の配線パッド9とが形成されており、第1半導体チップ3と第2半導体チップ4とは、ワイヤ7と内層導体配線8、および配線パッド9を介して電気的に接続されている。さらに、第2半導体チップ4はワイヤ7、配線パッド9および内層導体配線8を介して第1貫通孔11の導体箔12に電気的に接続されている。また、回路基板1の表面1a上には、ワイヤ7を保護するポッティング部10と、ワイヤ7および第2半導体チップ4を保護するポッティング部10と、が配置されている。なお、ポッティング部10を形成する樹脂は、後述する第1樹脂20とは異なる他の樹脂である。
また、回路基板1には、外部との電気的接続を確保するのに用いられる第1貫通孔11が形成されており、第1貫通孔11の内部面である内壁には内層導体配線8につながる導体箔(導体部)12が形成されている。
上述した回路基板1と第1半導体チップ3とを接着している第1接着剤5や、回路基板1と第2半導体チップ4とを接着している第2接着剤6、ワイヤ7を保護するポッティング部10を形成する樹脂(他の樹脂)としては、例えば、エポキシ樹脂やポリウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂、もしくはポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの熱可塑性樹脂を使用することができる。さらに、樹脂中にガラスやマイカなどの充填材を混入させた樹脂などを使用してもよい。
ここで、上記回路モジュールが組み込まれる本実施の形態1の吸入空気量センサの構造について説明する。後述する図13に示す本実施の形態1の吸入空気量センサ(半導体モジュール)は、第1半導体チップ3や第2半導体チップ4などの半導体部品を備えている。さらに、これら半導体部品が実装された表面(第1面)1aと、表面1aと反対側の裏面(第2面)1bと、を有し、かつ内部に導体箔(導体部)12が形成された第1貫通孔11を備えた回路基板1を備えている。また、吸入空気量センサは、回路基板1の第1貫通孔11内の導体箔12と電気的に接続された導体端子であるプレスフィット端子(接続用導体部材)13と、回路基板1の表面1a側と裏面1b側とに配置された樹脂部である第2樹脂23と、を備えている。
そして、プレスフィット端子(接続用導体部材)13は、第1貫通孔11内に挿入(圧入)されて第1貫通孔11内の導体箔12と電気的に接続する図3に示す弾性変形部(圧接部)14を備えている。つまり、プレスフィット端子13は、上記圧接部で弾性構造を備えており、この弾性変形部14の弾性構造により、第1貫通孔11の内壁を押圧して上記内壁に形成された導体箔(導体部)12と接触している(電気的導通を図っている)。
また、吸入空気量センサでは、回路基板1の表面1a側に配置された樹脂部である第2樹脂23と、裏面1b側に配置された樹脂部である第2樹脂23と、が第1貫通孔11内に充填された樹脂である第2樹脂25を介して一体に形成されている。すなわち、表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、第1貫通孔11内に充填された第2樹脂25と、が繋がった状態で一体に形成されている。
また、吸入空気量センサでは、回路モジュールのハウジングとして第1樹脂20が第2樹脂23を囲むように形成されている。言い換えると、ハウジングとして形成された第1樹脂20の内側の領域に第2樹脂23が形成されており、第1樹脂20の内側の領域において、表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、が第1貫通孔11内に充填された第2樹脂25を介して一体に形成されている。
また、ハウジングである第1樹脂20には、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23を覆う上カバー24と、回路基板1の裏面1b側の第2樹脂23を覆う下カバー22と、が接合されている。
なお、プレスフィット端子13の第1貫通孔11内に配置されている一方の端部と反対側の他方の端部は、第1樹脂20の外側に露出しており、プレスフィット端子13の外部に露出した部分は、吸入空気量センサの外部端子となっている。すなわち、プレスフィット端子13は、L字型に形成されており、一方の端部には、圧接部である弾性変形部14が形成されて回路基板1の第1貫通孔11内に挿入(圧入)されている。そして、弾性変形部14が延在する方向に対して略直角に折れ曲がって延在する他方の端部の露出部13aが、第1樹脂20の外側に外部端子として露出している。
次に、図1および図2に示す回路モジュールの実装構造を対象として、プレスフィット接続を用いて、回路モジュールとプレスフィット端子13とを電気的に接続する製造方法について説明する。
図3は図1に示す回路モジュールに実装されるプレスフィット端子の弾性変形部の構造を示す正面図、図4は図1に示す回路モジュールに実装されるプレスフィット端子の露出部側の構造を示す平面図である。さらに、図5は図3に示すプレスフィット端子の圧入時の状態を図1のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続前の断面図、図6は図3に示すプレスフィット端子の圧入時の状態を図1のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続後の断面図である。
図3に示すように、プレスフィット端子13には弾性変形部14が形成されている。本実施の形態1の弾性変形部14は、プレスフィット端子13の並列方向(Y方向)に弾性変形する機構を有している。また、プレスフィット端子13は、弾性変形部14が設けられた端部と反対側の端部に、図4に示すように外部端子となる露出部13aを有している。
そして、図5および図6に示すように、プレスフィット端子13の弾性変形部14は第1貫通孔11に圧入される際に、変形する構造になっている。この時、弾性変形部14から回路基板1のY軸方向(板幅方向)に負荷が伝達され、これにより、特に隣り合う第1貫通孔11の間の領域である孔間部15が、図6に示すようにZ軸方向(板厚方向)に変形しやすい。すなわち、孔間部15では、両側の第1貫通孔11からプレスフィット端子13の弾性変形部14により荷重が付与されるため、変形が起こり易い。
ここで、図7は本発明の実施の形態1のプレスフィット端子を実装した回路モジュールの構造を示す平面図、図8は図7に示すA―A線で切断した構造を示す断面図である。
図7および図8に示すように、回路モジュールの回路基板1には一列に並んで複数の第1貫通孔11が設けられており、各第1貫通孔11にはプレスフィット端子13の図5に示す弾性変形部14が挿入(圧入)された状態となっている。なお、プレスフィット端子13として、例えば、銅、鉄、鉛などの金属や、樹脂やセラミックスなどに導電性微粒子が混入され、かつ全体が導電性を有する材料、あるいは、絶縁性部材の表面に金、ニッケル、亜鉛などの導電性金属がめっきされた部材を使用することができる。
次に、図9は本発明の実施の形態1の回路モジュールのハウジングを形成する金型構造を示す断面図、図10は本発明の実施の形態1の回路モジュールのプレスフィット接続部を樹脂で覆った構造を示す断面図、図11は本発明の実施の形態1の半導体モジュールにおいて図7のB−B線で切断した構造に相当する断面図である。また、図12は本発明の実施の形態1の半導体モジュールにおいて図7のC−C線で切断した構造に相当する断面図、図13は本発明の実施の形態1の半導体モジュールの構造を示す断面図である。
図9に示すように、回路モジュールのケースとなるハウジングを、モールド金型40を用いて樹脂モールディングによって形成する。まず、上金型16と下金型17とからなるモールド金型40の金型面に、プレスフィット端子13などを実装した回路モジュールを配置し、上金型16と下金型17とによって金型のクランプ部19で回路モジュールを押さえて空洞部18を形成して、この空洞部18に、図10に示すように第1樹脂20を充填する。すなわち、上記ハウジングを形成する樹脂モールディングは、インサート成形である。この樹脂モールディングにより、第1樹脂20によってケースとなるハウジングが形成される。
樹脂モールディングによってハウジングを形成した後、図10に示すように、プレスフィット接続部を含む図9に示す空洞部21に第2樹脂(樹脂部)23を注入するために、まず下カバー22を第1樹脂20に接合する。そして、接合後、第2樹脂23を空洞部21に注入し、これにより、空洞部21に第2樹脂23を充填する。この時、空洞部21に第2樹脂23が充填されることで、図9に示す回路基板1の複数の第1貫通孔11のそれぞれの内部には、図10に示すように第2樹脂25が充填される。
第2樹脂23の充填により、図11および図12に示すように、第2樹脂23は、回路基板1の表面(第1面、主面)1a上と、表面1aと反対側の裏面(第2面)1b上にそれぞれ形成され、さらに、第1貫通孔11内に埋め込まれた第2樹脂25によって表面1a側の第2樹脂23と裏面1b側の第2樹脂23とが、直線的に接続されている。
言い換えると、第1貫通孔11内に充填された第2樹脂25は、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と裏面1b側の第2樹脂23とを結ぶ直線L上に配置されている。すなわち、図12に示すように、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、を結ぶ第1貫通孔11内の第2樹脂25は、屈曲することなく直線的に延在する柱状の形態となっている。
これにより、第1貫通孔11内の第2樹脂25による梁構造の剛性を高めることができる。
第2樹脂23を充填した後、図13に示すように上カバー24を第1樹脂20に接合し、回路モジュールからの検出信号をプレスフィット端子13の露出部13aによって外部に出力することが可能な半導体モジュール(吸入空気量センサ、センサモジュール)が完成する。
なお、図13に示す本実施の形態1の半導体モジュールにおいては、回路基板1の表面1a側と裏面1b側とに、第1樹脂20からなり、かつ樹脂モールディングからなるハウジングが形成されている。そして、回路基板1の表面1a側の上記ハウジングの内側の領域に形成された第2樹脂(樹脂部)23と、裏面1b側の上記ハウジングの内側の領域に形成された第2樹脂(樹脂部)23と、が第1樹脂20とは異なり、かつ第1貫通孔11内に充填された第2樹脂25を介して一体に形成されている。
そして、半導体モジュール(吸入空気量センサ、センサモジュール)の第1樹脂20や第2樹脂23(第2樹脂25)には、例えば、絶縁性のセラミックスやガラスを充填したエポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいはポリカーボネートやポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂を使用することができる。
なお、第1樹脂20は、ケースであるハウジングを形成する樹脂であるため、硬度を大きくした方が好ましい。すなわち、第1樹脂20の硬度は、第2樹脂23(第2樹脂25)の硬度より大きい方が好ましく、これにより、ハウジングの剛性を確保することができる。ただし、第1樹脂20の硬度が大きいと、樹脂モールディングの際にプレスフィット端子13が変形する虞れもある。その場合には、ハウジング用に硬度が小さい第2樹脂23を使用してもよく、硬度が小さい第2樹脂23を用いて樹脂モールディングを行ってハウジングを形成することで、プレスフィット端子13の樹脂モールディング時の変形を抑制することができる。
つまり、第1樹脂20と第2樹脂23(第2樹脂25)は、同じ樹脂であってもよいし、もしくは異なる樹脂であってもよい。
ここで、本願発明者が検討したプレスフィット接続での問題点と、本実施の形態1の特徴について説明する。
プレスフィット接続では、電気的接続を維持するために貫通穴の寸法よりも大きな寸法のプレスフィットを圧入する必要がある。この時に両者の寸法差が大きいほど接続の維持信頼性が向上するが、同時に弾性力による回路基板への負荷が増加し、基板割れが発生する恐れがある。
本願発明者が検討したプレスフィット接続では、プレスフィット端子を挿入する貫通孔内に樹脂が充填されていないため、特に図6における孔間部15の負荷の過大に起因するZ軸方向(基板厚さ方向)の基板変形を抑制しきれず、その結果、基板割れが発生する虞れがある。
そこで、本実施の形態1の図13に示す半導体モジュール(吸入空気量センサ、センサモジュール)では、図11および図12に示すように、複数の第1貫通孔11のそれぞれの内部に第2樹脂25が充填されている。
これにより、プレスフィット接続で、回路基板1における隣り合う第1貫通孔11の間の領域である孔間部15が変形してしまう場合でも、各第1貫通孔11内に充填された第2樹脂25によって、板厚方向の回路基板1の拘束力を増加させることができ、その結果、回路基板1の孔間部15における変形を低減することが可能になる。特に図12に示すように、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と裏面1b側の第2樹脂23とを第1貫通孔11内の第2樹脂25によって直線的に繋ぐと拘束力が働きやすく、望ましい。
以上のように、本実施の形態1の半導体モジュール(吸入空気量センサ、センサモジュール)では、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、が第1貫通孔11内に充填された第2樹脂25によって一体となって繋がっている。したがって、第1貫通孔11内の第2樹脂25が柱となり、回路基板1における孔間部15をその上下に配置された第2樹脂23によって押さえ付けることができ、孔間部15における上下からの拘束力を高めることができる。
これにより、回路基板1の孔間部15における基板の剥離などの破損を抑制することができるとともに、孔間部15における回路基板1の変形を抑制することができる。
その結果、プレスフィット端子13が実装された回路基板1を備える半導体モジュール(吸入空気量センサ、センサモジュール)において、半導体モジュールの信頼性の向上を図ることができる。
なお、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、が第1貫通孔11内の第2樹脂25によって直線的に繋がっていることにより、第2樹脂25による梁構造の剛性をさらに高めることができる。
これにより、回路基板1の孔間部15における基板変形をさらに抑制することができ、上記半導体モジュールの信頼性をさらに向上させることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態2では、実施の形態1の半導体モジュール(吸入空気量センサ、センサモジュール)において、プレスフィット端子13の接続領域を、ハウジングの形成時に同時に覆った場合について説明する。
図14は本発明の実施の形態2の回路モジュールのハウジングを形成する金型構造を示す断面図、図15は本発明の実施の形態2の半導体モジュールの構造を示す断面図である。
図14に示すように、本実施の形態2の回路モジュールでは、ハウジングを形成するモールド金型40において、図15の第1樹脂20を充填する空洞部18が、プレスフィット接続部を含んだ箇所まで拡大されている。したがって、図15に示すように、第1樹脂20によってハウジングを形成すると同時に、プレスフィット端子13の接続部近傍も第1樹脂20で覆い、第1貫通孔11内に第1樹脂26が充填されている。
すなわち、本実施の形態2では、樹脂モールディングによって第1樹脂20でハウジングを形成する際に、同時に第1樹脂26を第1貫通孔11に充填する。したがって、本実施の形態2の半導体モジュール(吸入空気量センサ、センサモジュール)の構造は、回路基板1の表面1a側と裏面1b側とに、第1樹脂20からなり、かつ樹脂モールディングからなるハウジングが形成され、さらに第1貫通孔11内に第1樹脂26が充填されている。そして、回路基板1の表面1a側の第1樹脂20と、裏面1b側の第1樹脂20と、が第1貫通孔11内に充填された第1樹脂26を介して一体に形成されている。
また、表面1a側の第1樹脂20には上カバー24が接合され、一方、裏面1b側の第1樹脂20には下カバー22が接合されており、ポッティング部10によって覆われた第2半導体チップ4の領域が上カバー24によって覆われている。なお、半導体部品である第2半導体チップ4を覆うポッティング部10を形成する樹脂は、ハウジング用の第1樹脂20とは異なる流動性の高いポッティング用の他の樹脂を用いることが好ましい。ただし、第1樹脂20(第1樹脂26)とポッティング部10を形成する樹脂は、同じ樹脂であってもよい。
本実施の形態2の半導体モジュールによれば、実施の形態1の半導体モジュールで用いた第2樹脂23(第2樹脂25)を用いる必要が無くなり、部品数の低減化を図ることができるとともに、工程の簡略化を図ることができる。さらに、半導体モジュールのコストの低減化を図ることができる。
(実施の形態3)
図16は本発明の実施の形態3の回路モジュールの実装構造を示す平面図、図17は本発明の実施の形態3のプレスフィット端子の圧入時の状態を図16のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続前の断面図、図18は本発明の実施の形態3のプレスフィット端子の圧入時の状態を図16のB−B線の位置で切断して示すプレスフィット端子接続後の断面図である。また、図19は本発明の実施の形態3の半導体モジュールにおいて図7のB−B線で切断した構造に相当する断面図、図20は本発明の実施の形態3の半導体モジュールにおいて図7のC−C線で切断した構造に相当する断面図、図21は本発明の実施の形態3の回路モジュールの他の実装構造を示す平面図である。
本実施の形態3の実施の形態1、2と異なる点は、図16に示すように、複数の第1貫通孔11の配列方向に沿って第1貫通孔11の両側に第2貫通孔27が形成されている点である。詳細に説明すると、複数の第1貫通孔11それぞれの周囲に複数の第2貫通孔27が形成され、複数の第2貫通孔27のうちの一部が、平面視で、複数の第1貫通孔11の配列方向に沿って第1貫通孔11の両側に、かつ第1貫通孔11とともに一列に直線上に並んで配置されている。
なお、隣り合う第1貫通孔11の間の領域である孔間部15は、特に図17に示すプレスフィット端子13の弾性変形部14からの荷重を受けて変形し易いため、図16に示すように、少なくともこの孔間部15に、第2貫通孔27が形成されていることが好ましい。
そして、図17に示す第1貫通孔11のそれぞれに、図18に示すようにプレスフィット端子13を挿入(圧入)すると、少なくとも孔間部15もしくは第1貫通孔11の両側に第2貫通孔27が形成されているため、プレスフィット端子13の弾性変形部14から受けるY軸方向の荷重を第2貫通孔27で吸収することができる。これにより、孔間部15におけるY軸方向(基板厚さ方向)の変形を抑制することができる。
以上のように第2貫通孔27は、図6に示すような孔間部15での基板変形に対して、Y軸方向の変形を吸収することでZ軸方向の変形を抑制する効果を生み出している。しかしながら、このままで製品として使用すると、プレスフィット端子13の弾性変形部14の弾性回復力によりY軸方向の変形吸収が過度に進み、弾性変形部(圧接部)14の第1貫通孔11の内壁に形成された導体箔12に対する押圧力が弱まり、プレスフィット端子13の電気的な接続が維持できない虞れがある。
そこで、本実施の形態3の半導体モジュールでは、図19および図20に示すように、実施の形態1と同様に第1貫通孔11内に第2樹脂25が充填されるとともに、図19に示すように第2貫通孔27内に第2樹脂28が形成されている。
その結果、本実施の形態3の半導体モジュールでは、回路基板1の表面1a側の第2樹脂(樹脂部)23と、裏面1b側の第2樹脂(樹脂部)23と、が複数の第2貫通孔27のそれぞれの内部に充填された第2樹脂28を介して一体に形成されている。なお、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、は第1貫通孔11内の第2樹脂25とも一体で繋がっており、すなわち、本実施の形態3の半導体モジュールでは、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、が第1貫通孔11内の第2樹脂25および第2貫通孔27内の第2樹脂28を介して一体で繋がっている。
これにより、回路基板1のZ軸方向の変形を、実施の形態1および2の半導体モジュールと同様なメカニズム、すなわち、第1貫通孔11内に第2樹脂25が充填されていることで、孔間部15の拘束力を高めることができ、かつ図17に示すプレスフィット端子13の弾性変形部14から受けるY軸方向の荷重を第2貫通孔27で吸収して孔間部15における基板変形を抑制することができる。さらに、図19に示すように第2貫通孔27に第2樹脂28が充填されていることにより、Y軸方向の変形吸収が過度に進むのを抑制することができ、その結果、プレスフィット端子13の電気的な接続の維持を確保することができる。
以上のことから、本実施の形態3の半導体モジュールの信頼性の向上を図ることができる。
なお、第2貫通孔27は、図21の回路モジュールの他の実装構造に示すように、平面視の孔の形状を楕円形などの長孔としてもよい。すなわち、複数設けられた第2貫通孔27のうちの何れかは、平面視の孔の形状において、複数の第2貫通孔27の配列方向(Y軸方向)の長さより、上記配列方向(Y軸方向)に交差する方向(X方向)の長さが長く形成された楕円などを含む長孔形状であってもよい。
この長孔の第2貫通孔27は、特に基板変形が大きいと推測される、隣り合う第1貫通孔11の間の領域である孔間部29に設けることが好ましい。第2貫通孔27の平面視の形状を、第2貫通孔27の配列方向(Y軸方向)の長さより、上記配列方向に交差する方向(X方向)の長さが長く形成された形状とすることにより、プレスフィット端子13の弾性変形部14から受けるY軸方向の荷重を、長孔における長手方向の開口面積が広い部分で吸収することができる。これにより、第2貫通孔27がより変形し易く、孔間部29における基板変形をより抑制することができる。
また、第2貫通孔27を長孔とすることにより、第1貫通孔11と第1貫通孔11との間の領域(孔間部29)などの面積が小さい領域であっても、第2貫通孔27を形成することができる。
(実施の形態4)
図22は本発明の実施の形態4の回路モジュールの実装構造を示す平面図、図23は図22に示すA―A線で切断した構造に相当する電子制御装置(半導体モジュール)の断面図、図24は図23に示す電子制御装置を実装したユニットが搭載された自動車の構造を示す斜視図である。
本実施の形態4では、半導体モジュールが、自動車に搭載される電子制御装置の場合を例に挙げて説明する。電子制御装置には制御用チップのみが複数搭載されており、センサなどの外部機器から得た情報を集約して演算を行い、アクチュエータなどの外部機器への入力信号を出力する仕組みとなっている。
図23に示す半導体モジュールの組み立てでは、実施の形態1で説明した手順と同様の手順により、上下金型を用いて回路モジュール(図22に示す回路基板1の第1貫通孔11にプレスフィット端子13が挿入(圧入)されたモジュール)をクランプして、第1樹脂20を充填してハウジングを形成する。これにより、プレスフィット端子13の露出部13aが第1樹脂20から露出した状態となる。そして、第1樹脂20からなるハウジングに下カバー22を接合した後、第1樹脂20と下カバー22によって囲まれた領域に第2樹脂23を注入する。これにより、回路基板1の第1貫通孔11内にも第2樹脂25が充填される。第2樹脂23の注入を完了した後、最後に上カバー24を第1樹脂20に接合し、図23に示す電子制御装置(半導体モジュール)が完成する。
上記電子制御装置では、図22に示すように、半導体部品として第1半導体チップ3、第2半導体チップ4、第3半導体チップ30、第4半導体チップ31および第5半導体チップ32などの複数の素子がワイヤ7を介して配線パッド9に電気的に接続されている。したがって、実施の形態1で用いたポッティング部10は形成することなく、第2樹脂23によって上記各半導体チップやワイヤ7などを纏めて覆う構造となっている。
また、図24に示す自動車50は、図23に示す半導体モジュールが搭載されたものであり、車体51と、タイヤ52と、図23に示す半導体モジュールが実装された実装ユニット33と、を備えている。実装ユニット33は、例えば、エンジン制御ユニットなどであり、その場合、実装ユニット33はエンジンの近傍に設けられているため、高温環境下での使用となり、実装ユニット33に実装される図23に示す半導体モジュールにおいても高い信頼性が要求される。
そこで、図23に示す本実施の形態4の半導体モジュールにおいても、回路基板1の表面1a側の第2樹脂23と、裏面1b側の第2樹脂23と、が第1貫通孔11内の第2樹脂25を介して一体で繋がっているため、板厚方向の回路基板1の拘束力を増加させることができ、これにより、回路基板1の孔間部15における変形を低減することが可能になる。その結果、本実施の形態4の半導体モジュールの信頼性の向上を図ることができる。さらに、自動車50の信頼性も高めることができる。
なお、図23に示す本実施の形態4の半導体モジュールにおいても、図16に示すような第2貫通孔27を少なくとも孔間部15に形成することにより、プレスフィット端子13の弾性変形部14(図17参照)から受けるY軸方向の荷重を第2貫通孔27で吸収して孔間部15における基板変形を抑制することができる。
これにより、本実施の形態4の半導体モジュールの信頼性の向上をさらに図ることができ、自動車50の信頼性もさらに高めることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることが可能である。なお、図面に記載した各部材や相対的なサイズは、本発明を分かりやすく説明するため簡素化・理想化しており、実装上はより複雑な形状となる。
上記実施の形態1〜4では、半導体モジュールが吸入空気量センサや電子制御装置の場合を一例として取り上げ、これら吸入空気量センサや電子制御装置において、プレスフィット接続を適用した半導体モジュールの例を示したが、本発明はこれだけに限定されるものではなく、回路基板にプレスフィット接続を適用した任意のモジュールにも適用することができる。
1 回路基板
1a 表面(第1面)
1b 裏面(第2面)
3 第1半導体チップ(半導体部品)
4 第2半導体チップ(半導体部品)
10 ポッティング部(他の樹脂)
11 第1貫通孔
12 導体箔(導体部)
13 プレスフィット端子(接続用導体部材)
14 弾性変形部(圧接部)
20 第1樹脂
23 第2樹脂(樹脂部)
25 第2樹脂
26 第1樹脂
27 第2貫通孔
28 第2樹脂
40 モールド金型
50 自動車

Claims (14)

  1. 半導体部品と、
    前記半導体部品が実装された第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、を有し、かつ内部に導体部が形成された第1貫通孔を備えた回路基板と、
    前記回路基板の前記第1貫通孔内に圧入された接続用導体部材と、
    前記回路基板の前記第1面側と前記第2面側とに配置された樹脂部と、
    を含み、
    前記接続用導体部材は、前記第1貫通孔内の前記導体部と電気的に接続する圧接部を備え、
    前記回路基板の前記第1面側の前記樹脂部と、前記第2面側の前記樹脂部と、が前記第1貫通孔内に充填された樹脂を介して一体に形成されている、半導体モジュール。
  2. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記回路基板には、前記第1貫通孔とは異なる第2貫通孔が前記第1貫通孔の周囲に複数形成され、
    前記回路基板の前記第1面側の前記樹脂部と、前記第2面側の前記樹脂部と、が前記複数の第2貫通孔のそれぞれの内部に充填された樹脂を介して一体に形成されている、半導体モジュール。
  3. 請求項2に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記回路基板に前記第1貫通孔が複数形成され、
    前記複数の第1貫通孔のそれぞれに前記接続用導体部材が圧入され、
    隣り合う2つの前記第1貫通孔の間に前記複数の第2貫通孔のうちの何れかが形成されている、半導体モジュール。
  4. 請求項3に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記複数の第1貫通孔と前記複数の第2貫通孔のうちの何れかとが、平面視で直線上に並んで配置されている、半導体モジュール。
  5. 請求項3に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記複数の第2貫通孔のうちの何れかは、平面視の孔の形状において、前記複数の第2貫通孔の配列方向の長さより、前記配列方向に交差する方向の長さが長い、半導体モジュール。
  6. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記第1貫通孔内に充填された前記樹脂は、前記回路基板の前記第1面側の前記樹脂部と前記第2面側の前記樹脂部とを結ぶ直線上に配置されている、半導体モジュール。
  7. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記回路基板の前記第1面側と前記第2面側とに、第1樹脂からなり、かつ樹脂モールディングによって形成されたハウジングを備え、
    前記第1貫通孔内に前記第1樹脂が充填され、
    前記回路基板の前記第1面側の前記第1樹脂と、前記第2面側の前記第1樹脂と、が前記第1貫通孔内に充填された前記第1樹脂を介して一体に形成されている、半導体モジュール。
  8. 請求項7に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記半導体部品は、前記第1樹脂とは異なる他の樹脂で覆われている、半導体モジュール。
  9. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記回路基板の前記第1面側と前記第2面側とに、第1樹脂からなり、かつ樹脂モールディングによって形成されたハウジングを備え、
    前記回路基板の前記第1面側の前記ハウジングの内側の領域に形成された前記樹脂部と、前記第2面側の前記ハウジングの内側の領域に形成された前記樹脂部と、が前記第1樹脂とは異なり、かつ前記第1貫通孔内に充填された第2樹脂を介して一体に形成されている、半導体モジュール。
  10. 請求項9に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記第1樹脂の硬度は、前記第2樹脂の硬度より大きい、半導体モジュール。
  11. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記接続用導体部材は、前記圧接部で弾性構造を備えており、
    前記弾性構造により、前記第1貫通孔の内壁を押圧して前記内壁に形成された前記導体部と接触している、半導体モジュール。
  12. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記半導体モジュールは、物理量を検出するセンサである、半導体モジュール。
  13. 請求項12に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記半導体モジュールは、流量センサである、半導体モジュール。
  14. 請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記半導体モジュールは、自動車に搭載された電子制御装置である、半導体モジュール。
JP2016221608A 2016-11-14 2016-11-14 半導体モジュール Active JP6866121B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016221608A JP6866121B2 (ja) 2016-11-14 2016-11-14 半導体モジュール
PCT/JP2017/037469 WO2018088141A1 (ja) 2016-11-14 2017-10-17 半導体モジュール
DE112017005171.1T DE112017005171B4 (de) 2016-11-14 2017-10-17 Halbleitermodul
US16/348,208 US10644423B2 (en) 2016-11-14 2017-10-17 Semiconductor module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016221608A JP6866121B2 (ja) 2016-11-14 2016-11-14 半導体モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018081959A true JP2018081959A (ja) 2018-05-24
JP6866121B2 JP6866121B2 (ja) 2021-04-28

Family

ID=62110697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016221608A Active JP6866121B2 (ja) 2016-11-14 2016-11-14 半導体モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10644423B2 (ja)
JP (1) JP6866121B2 (ja)
DE (1) DE112017005171B4 (ja)
WO (1) WO2018088141A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7501145B2 (ja) 2020-06-23 2024-06-18 富士電機株式会社 半導体モジュール及びその製造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6866121B2 (ja) * 2016-11-14 2021-04-28 日立Astemo株式会社 半導体モジュール
US20230268682A1 (en) * 2022-02-23 2023-08-24 TE Connectivity Services Gmbh Metal polymer composite films as contact finish for low normal load sockets

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7294007B1 (en) * 2006-09-20 2007-11-13 Delphi Technologies, Inc. Electronics enclosure and method of fabricating an electronics enclosure
JP2009289447A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Hitachi Ltd 配線基板及びこれを備えた電子装置
JP2010067773A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Hitachi Ltd 電気電子制御装置及びその製造方法
WO2016017299A1 (ja) * 2014-07-30 2016-02-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 回路基板の実装構造、それを用いたセンサ

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5117282A (ja) 1974-08-02 1976-02-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Taiyakaryupuresusochi
US5117282A (en) * 1990-10-29 1992-05-26 Harris Corporation Stacked configuration for integrated circuit devices
JP3884354B2 (ja) 2002-09-13 2007-02-21 株式会社日立製作所 コネクタと電子部品の一体モールド構造を有する電気・電子モジュール
JP3780243B2 (ja) * 2002-09-17 2006-05-31 株式会社日立製作所 流量検出装置および電子装置
JP2009206195A (ja) 2008-02-26 2009-09-10 Hitachi Ltd 配線基板
KR101449271B1 (ko) 2013-04-19 2014-10-08 현대오트론 주식회사 오버몰딩을 이용한 차량의 전자 제어 장치 및 그 제조 방법
JP6251565B2 (ja) 2013-12-26 2017-12-20 矢崎総業株式会社 電子回路ユニット及びその製造方法
JP6221932B2 (ja) * 2014-05-16 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US10217684B2 (en) * 2015-09-30 2019-02-26 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Resin molding and sensor device
JP6866121B2 (ja) * 2016-11-14 2021-04-28 日立Astemo株式会社 半導体モジュール
JP2019052339A (ja) * 2017-09-13 2019-04-04 東京エレクトロン株式会社 排気管のクリーニング方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7294007B1 (en) * 2006-09-20 2007-11-13 Delphi Technologies, Inc. Electronics enclosure and method of fabricating an electronics enclosure
JP2009289447A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Hitachi Ltd 配線基板及びこれを備えた電子装置
JP2010067773A (ja) * 2008-09-10 2010-03-25 Hitachi Ltd 電気電子制御装置及びその製造方法
WO2016017299A1 (ja) * 2014-07-30 2016-02-04 日立オートモティブシステムズ株式会社 回路基板の実装構造、それを用いたセンサ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7501145B2 (ja) 2020-06-23 2024-06-18 富士電機株式会社 半導体モジュール及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE112017005171B4 (de) 2024-05-23
JP6866121B2 (ja) 2021-04-28
WO2018088141A1 (ja) 2018-05-17
DE112017005171T5 (de) 2019-08-01
US20190267736A1 (en) 2019-08-29
US10644423B2 (en) 2020-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4607995B2 (ja) 電力用半導体装置
JP4478007B2 (ja) 電子回路装置及びその製造方法
US7578681B2 (en) Electronic device including printed circuit board and electronic element mounted on the printed circuit board
US8279612B2 (en) Electronic circuit device
US9257372B2 (en) Surface mount package for a semiconductor integrated device, related assembly and manufacturing process
US8530759B2 (en) Electronic apparatus
JP6442527B2 (ja) 電子制御装置
KR20070104194A (ko) 센서 장치
WO2018088141A1 (ja) 半導体モジュール
CN107818955B (zh) 半导体模块及半导体模块的制造方法
US10653020B2 (en) Electronic module and method for producing an electronic module
CN107006126A (zh) 利用按压接触三明治模块技术的特别是用于机动车传动装置控制设备的电子装置模块
JP2019016453A (ja) 回路装置
JP2010071724A (ja) 樹脂モールド半導体センサ及び製造方法
CN110036538B (zh) 用于机动车的变速器控制机构和用于制造插头壳体的方法
US11175166B2 (en) Flow meter
JP5990418B2 (ja) 車載用電子制御装置およびその製造方法
JP5703912B2 (ja) 電子部品装置
JP6063777B2 (ja) センサ装置
JP6802289B2 (ja) 圧力検出装置
JP6292868B2 (ja) 一括成形モジュール
JP5039740B2 (ja) 変速制御装置及び機電一体型電子制御装置
JP2013513523A (ja) 自動車に用いられる制御装置および自動車に用いられる制御装置を組み立てるための対応した方法
CN112788846A (zh) 电子模块和用于制造电子模块的方法
JP2014229450A (ja) ピン、コネクタ、回路基板ユニット、および回路基板装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200626

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20201117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210216

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20210216

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20210224

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20210302

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210323

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210407

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6866121

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250