JP2010067773A - 電気電子制御装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子回路基板の大型化による生産効率の低下が抑制でき、信頼性の高い電気電子制御装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板２に電子部品１ａ，１ｂを実装する工程と、配線基板２に実装された電子部品１ａ，１ｂを熱硬化性樹脂５で封止する工程と、配線基板２に、配線基板２上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子３を実装する工程と、配線基板２と前工程で樹脂封止された電子部品１ａ，１ｂとを熱可塑性樹脂７で一体的に封止する工程とを実施する。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂封止構造を有する電気電子制御装置及びその製造方法に関する。

自動車などに搭載される電気電子制御装置は、水や腐食性ガスの侵入を防止して配線基板及びその配線基板上に実装された電子部品等を保護する構成であることが求められる。

このような電気電子制御装置としては、例えば、電子回路基板と、その電子回路基板に実装された電子部品と、外部電子回路系と着脱自在に接続される接続用金属端子を有するコネクタとを樹脂により一体的に封止した構成のものが知られている（特許文献１等参照）。

特開２００４−１１１４３５号公報

電気電子制御装置の樹脂封止方法としては、例えば、トランスファモールド成形法がある。このトランスファモールド成形法で用いる熱硬化性樹脂（組成物）は、金型内への樹脂充填時の流動性、及び成形後の耐熱性が高く、信頼性が高い。また、熱硬化性樹脂を用いたトランスファモールド成形法は比較的長い成形時間を必要とするが、複数の電気電子制御装置を同時に成形するＭＡＰ（Mold Array Package）方式などを用いた場合には生産効率の向上を図ることができる。

しかしながら、近年、ＳｉＰ（System ｉn Package）、ＭＣＰ（Multi Chip Package）などの技術に代表されるように、１つのパッケージに複数の半導体チップを内蔵し、多段スタックパッケージ化する技術が用いられる機会が増えており、半導体パッケージ等の電子部品、及びこれらを搭載する電子回路基板が大型化の傾向にある。

このように、樹脂封止の対象である電子回路基板が大型化すると、封止に必要な樹脂量が多くなり、溶融した樹脂を金型内に押し出すトランスファ機構の大型化及び高推力化が必要となる。また、コネクタ等の部品を有する電気電子制御装置を成形する場合には金型形状が複雑となる。さらに、金型の大型化、及び複雑化により、金型全体への安定した熱供給が困難となる。したがって、トランスファモールド成形法によって複数の電気電子制御装置を同時に成形することが困難となり、生産効率が著しく低下してしまうという問題点があった。

電気電子制御装置の樹脂封止方法としては、その他に、熱可塑性樹脂（組成物）を用いた射出成形があり、トランスファモールド成形法と比較して短い時間で成形を行うことができる。しかしながら、成形圧力、及び樹脂温度が高く、電子部品の位置ずれ、或いは、ボンディング配線流れなどの恐れがあり、信頼性の面ではトランスファモールド成形法に及ばない。

本発明は上記に鑑みてなされたものであり、電子回路基板の大型化による生産効率の低下が抑制でき、信頼性の高い電気電子制御装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、配線基板に電子部品を実装する工程と、前記配線基板に実装された前記電子部品を樹脂で封止する第１の樹脂封止工程と、前記配線基板に、前記配線基板上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子を実装する工程と、前記配線基板と前記第１の樹脂封止工程で樹脂封止された前記電子部品とを樹脂で一体的に封止する第２の樹脂封止工程とを有するものとする。

本発明によれば、生産効率の低下を抑制しつつ、信頼性の高い電気電子制御装置を製造することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。

本発明の第１の実施の形態を図１及び図２を参照しつつ説明する。

図１は、第１の実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の工程を示す図である。

図１に示す工程において製造される電気電子制御装置は、例えば、車載用のエンジンコントロールユニット（ＥＣＵ）であり、電子部品１ａ，１ｂが実装された配線基板２と、配線基板２に実装された電子部品１ａ，１ｂを覆う樹脂５と、配線基板２に実装され、配線基板２上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子３と、樹脂５に覆われた電子部品１ａ，１ｂと配線基板２とを覆う樹脂７とを備えている（図１：（工程１−４）参照）。

以下、本実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の各工程の詳細を順を追って説明する。

（工程１−１）
まず、配線基板２に電子部品１ａ，１ｂを実装する。

電子部品１ａ，１ｂは、Ｓｎ／Ｐｂ共晶はんだ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系鉛フリーはんだ等を用い、配線基板２を２００〜２６０℃のリフロー炉内を通過させることにより、配線基板２の両面、或いは片面に実装される。配線基板２に実装される電子部品としては、例えば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）、ＩＣ（Integrated Circuit）、ダイオード、クリスタル、セラミックコンデンサ、チップ抵抗などの電子部品１ａや、マイクロコンピュータなどの電子部品１ｂが用いられる。

配線基板２は、少なくとも１層以上（例えば４層）の配線層を有しており、その大きさは、例えば、１０３ｍｍ×９０ｍｍ×１．６ｍｍである。配線基板２としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、又はピスマレイミドトリアジン樹脂にガラス繊維や無機フィラ等を配合した樹脂プリント基板（ガラスエポキシ（ＦＲ４）基板など）、ポリイミド又は液晶ポリマーから成るフレキシブル基板、セラミック基板、或いは、金属基板などが用いられる。

（工程１−２）
次に、配線基板２に実装された電子部品１ａ，１ｂを樹脂５により封止する。

電子部品１ａ，１ｂを封止する際、配線基板２の一部を電子部品１ａ，１ｂとともに樹脂５により封止する。ただし、外部接続端子３を実装する部分を除く。

このように、配線基板２（一部を除く）と電子部品１ａ，１ｂを樹脂封止した構成をサブモジュール１１と呼ぶ。この（工程１−２）においては、トランスファモールド成形法により樹脂封止を行いサブモジュール１１を成形する。

ここで、本実施の形態のトランスファモールド成形法を図２を用いて説明する。図２は、（工程１−２）におけるトランスファモールド成形の様子を示す縦断面図である。

本実施の形態のトランスファモールド成形法においては、成形金型である上型８及、下型９、及びプランジャ１０等を用いて樹脂封止を行う。上型８及び下型９はサブモジュール１１の外形成形のために掘り込まれており、この上型８及び下型９により封止用樹脂の充填空間が画定される。上型８及び下型９は、複数（例えば２つ）の充填空間が成形されるように形成されており、これらの充填空間に配線基板２を配置し、封止用の樹脂を充填することにより樹脂封止を行う。

具体的には、まず、（工程１−１）で電子部品１ａ，１ｂを実装した複数（例えば２つ）の配線基板２を、予め定めた温度（例えば、１７５℃）にした成形金型８，９により画定される複数（例えば２つ）の充填空間にそれぞれ配置する。次に、プランジャ１０により熱硬化性樹脂（組成物）５を予め定めた成形圧力（例えば、３０ｋｇ／ｃｍ＾２）で成形金型内（充填空間）に注入充填し、１２０秒間の樹脂封止成形を行う。これにより、複数（例えば、２つ）のサブモジュール１１を成形する。

上記のトランスファモールド成形法において、成形金型８，９内に充填する熱硬化性樹脂５としては、例えば、線膨張係数が１６ｐｐｍ／℃、弾性率が１５ＧＰａ、ガラス転移温度が１２５℃の物性値を有するものを用いる。また、硬化後の熱硬化性樹脂５の物性値は、例えば、線膨張係数が５〜２５ｐｐｍ／℃、弾性率が８〜３０ＧＰａ、ガラス転移温度が８０〜２００℃である。このような熱硬化性樹脂５の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂５の材料としては、例えば、無機質フィラを含み４０度以下において固形であるエポキシ系複合材料（熱硬化性樹脂）が用いられる。このエポキシ系複合材料に添加する無機質フィラとしては、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、ボロンナイトライド、シリコンナイトライド、シリコンカーバイトなどの破砕状（角形状）、又は球状のフィラがある。エポキシ系複合材料には上記のフィラのうち、少なくとも１種類以上を添加して用いることができる。

トランスファモールド成形法は次のような特徴を有している。すなわち、トランスファモールド成形法に使用する熱硬化性樹脂の多くは、充填時の樹脂流動性が良く、部品などの変形が少ない。また、成形後の耐熱性、及び接着性が高く、熱膨張性、及び吸湿性が低い。また、成形に要する時間が長いが、ＭＡＰ（Multi Chip Package）方式などの方法を用いることにより、同時に複数の樹脂封止ができるため、生産性の向上、製造コストの低減を図ることができる。

図１に戻る。

（工程１−３）
次に、（工程１−２）で成形したサブモジュール１１の配線基板２に、配線基板２上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子３を実装する。

外部接続端子３は、例えば、熱硬化性樹脂（組成物）から成るコネクタハウジング４を有しており、外部接続端子３とコネクタハウジング４でコネクタ６を構成している。外部接続端子３の材料としては、例えば、錫、金、ニッケル、或いは、亜鉛等でめっきが施された銅、鉄、或いはそれらの合金が用いられる。外部接続端子３は、はんだ付け、或いは、プレスフィット等の方法で配線基板２（サブモジュール１１）に実装される。

（工程１−４）
次に、サブモジュール１１と外部接続端子３とを樹脂７で一体的に封止する。

これにより、配線基板２と（工程１−２）で樹脂封止された電子部品１ａ，１ｂとが一体的に樹脂封止され、本実施の形態に係わる電気電子制御装置が得られる。この（工程１−４）においては、熱可塑性樹脂（組成物）７による射出成形によりサブモジュール１１と外部接続端子３（コネクタ６）との樹脂封止を行う。熱可塑性樹脂７としては、ガラス繊維強化ポリブチレンテレフタレート原料樹脂を用い、シリンダー温度２２５℃、金型温度８０℃の条件で樹脂成形を行う。

なお、熱可塑性樹脂７は、上記ガラス繊維強化ポリブチレンテレフタレート原料樹脂に限られず、射出形成可能でかつ成形性が良好であればよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン系樹脂、ポリスチレン、ハイインパクトポリスチレン、ＡＡＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂、ＡＥＳ樹脂、スチレン−無水マレイン酸共重合体などのスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル、ポリオキシメチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエステル系液晶ポリマーなどのエンジニアプラスチック、或いは、これらを混合したものを用いることができる。また、これらの材料には、ガラス繊維などの充填剤、添加剤が配合されていても良い。

次に、上記のように構成した本実施の形態の効果を比較例と比較しつつ説明する。まず、比較例の電気電子制御装置の製造方法の工程を図５を参照しつつ、順を追って説明する。

（工程４−１）
まず、配線基板２に電子部品１ａ，１ｂを実装する。

（工程４−２）
次に、配線基板２に外部接続端子３を実装する。

（工程４−３）
次に、配線基板２、電子部品１ａ，１ｂ、及び外部接続端子３を熱硬化性樹脂５を用いたトランスファモールド成形法により樹脂封止する。これにより、従来技術における電気電子制御装置が得られる。

このようなトランスファモールド成形法においては、成形に要する時間が長いが、ＭＡＰ方式などの方法を用いて、同時に複数の樹脂封止を行うことにより生産性を高めている。しかしながら、半導体パッケージ等の電子部品、及びこれらを搭載する電子回路基板が大型化すると、封止に必要な樹脂量が多くなり、溶融した樹脂を金型内に押し出すトランスファ機構の大型化及び高推力化が必要となる。また、コネクタ等の部品を有する電気電子制御装置を成形する場合には金型形状が複雑となる。さらに、金型の大型化、及び複雑化により、金型全体への安定した熱供給が困難となる。したがって、トランスファモールド成形法によって複数の電気電子制御装置を同時に成形することが困難となり、生産効率が著しく低下してしまう。

電気電子制御装置の樹脂封止方法としては、熱可塑性樹脂を用いた射出成形法があり、トランスファモールド成形法と比較して短い時間で成形を行うことができる。しかしながら、成形圧力、及び樹脂温度が高く、電子部品の位置ずれ、或いは、ボンディング配線流れなどの恐れがあり、信頼性の面ではトランスファモールド成形法に及ばない。

これに対し、本実施の形態における電気電子制御装置の製造方法においては、熱硬化性樹脂によるトランスファモールド成形法により電子部品及びその周辺を樹脂封止するようにし、封止範囲を制限したので、電気電子制御装置の基板が大型化しても、トランスファモールド成形法によって複数の基板を同時に成形することができ、さらにその後の工程で、熱可塑性樹脂による射出成形法により電気電子制御装置を樹脂封止するので、熱可塑性樹脂の温度が高いことによる電子部品の位置ずれ、或いは、ボンディング配線流れなどが抑制される。したがって、電子回路基板の大型化による生産効率の低下を抑制しつつ、信頼性の高い電気電子制御装置を製造することができる。

また、トランスファモールド成形法による樹脂封止の後に外部接続端子を実装するので、トランスファモールド成形に用いる金型の形状に外部接続端子の形状を考慮する必用がなく、金型の形状をより簡素化することができる。

本発明の第２の実施の形態を図３を参照しつつ説明する。

第１の実施の形態では、外部接続端子３は、コネクタハウジング４を有しており、外部接続端子３とコネクタハウジング４でコネクタ６を構成したが、第２の実施の形態では、コネクタハウジング４を有しない外部接続端子３を用い、射出成形による樹脂封止時にコネクタハウジングを一体形成し、コネクタ６０を形成する。

図３は、本発明の第２の実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の工程を示す図である。図中、図１に示した部材と同等のものには同じ符号を付し、説明を省略する。

図３に示す工程において製造される電気電子制御装置は、第１の実施の形態と同様に、電子部品１ａ，１ｂが実装された配線基板２と、配線基板２に実装された電子部品１ａ，１ｂを覆う樹脂５と、配線基板２に実装され、配線基板２上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子３と、樹脂５に覆われた電子部品１ａ，１ｂと配線基板２とを覆う樹脂７とを備えている（図３：（工程２−４）参照）。

以下、本実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の工程の詳細を順を追って説明する。

（工程２−１）
まず、配線基板２に電子部品１ａ，１ｂを実装する。電子部品１ａ，１ｂは、Ｓｎ／Ｐｂ共晶はんだ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系鉛フリーはんだ等を用い、配線基板２を２００〜２６０℃のリフロー炉内を通過させることにより、配線基板２の両面、或いは片面に実装される。

（工程２−２）
次に、配線基板２に実装された電子部品１ａ，１ｂを熱硬化性樹脂５を用いたトランスファモールド成形法により樹脂封止する。

電子部品１ａ，１ｂを封止する際、配線基板２の一部を電子部品１ａ，１ｂとともに熱硬化性樹脂５により封止する。ただし、外部接続端子３を実装する部分を除く。これにより、サブモジュール１１が形成される。

（工程２−３）
次に、（工程２−２）で成形したサブモジュール１１に、配線基板上２の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子３を実装する。外部接続端子３は、はんだ付け、或いは、プレスフィット等の方法で配線基板２（サブモジュール１１）に実装される。

（工程２−４）
次に、（工程２−３）で得られたサブモジュール１１と外部接続端子３とを熱可塑性樹脂７を用いた射出形成により一体的に樹脂封止する。また、この樹脂封止と同時に、外部接続端子３のコネクタハウジングを熱可塑性樹脂７により一体形成し、外部接続端子３と熱可塑性樹脂７の一部によりコネクタ６０を構成する。これにより、配線基板２と（工程２−２）で樹脂封止された電子部品１ａ，１ｂとが一体的に樹脂封止され、本実施の形態に係わる電気電子制御装置が得られる。

本実施の形態の電気電子制御装置のその他の構成、及びその他の製造の工程は第１の実施の形態と同様である。

以上のように構成した本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、サブモジュール１１（配線基板２と電子部品１ａ，１ｂ）と外部接続端子３とを熱可塑性樹脂７により樹脂封止する工程において外部接続端子３のコネクタハウジングを一体的に構成するようにしたので、コネクタハウジング４を事前に形成する必要がなく、電気電子制御基板の製造効率を向上することができる。

本発明の第３の実施の形態を図４を参照しつつ説明する。

第１の実施の形態では、１つのサブモジュール１１を樹脂封止して電気電子制御装置を製造したが、第３の実施の形態では、２つ（２種類）のサブモジュール１３ａ，１３ｂを樹脂封止して１つの電気電子制御装置を製造する。

図４は、本発明の第３の実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の各工程を示す図である。図中、図１と同等の部材には同じ符号を付し、説明を省略する。

本実施の形態に係わる電気電子制御装置は、電子部品１ａ，１ｂが実装された配線基板２と、電子部品１ａ及び高発熱部品１ｃが実装された金属基板１２と、配線基板２に実装された電子部品１ａ，１ｂと金属基板１２に実装された電子部品１ａ，１ｃとをそれぞれ覆う熱硬化性樹脂５と、配線基板２に実装され、配線基板２上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子３と、
配線基板２と金属基板１２を電気的に接続するボンディングワイヤ１４と、熱硬化性樹脂５に覆われた電子部品１ａ，１ｂ、配線基板２、高発熱部品１ｃ、及び金属基板１２を一体的に覆う熱可塑性樹脂７とを備えている（図４：工程３−４参照）。

以下、図４を参照しつつ本実施の形態の製造方法における各工程を順を追って説明する。

（工程３−１）
まず、配線基板２に電子部品１ａ，１ｂを実装する。電子部品１ａ，１ｂは、Ｓｎ／Ｐｂ共晶はんだ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ系鉛フリーはんだ等を用い、配線基板２を２００〜２６０℃のリフロー炉内を通過させることにより、配線基板２の両面、或いは片面に実装される。

電子部品１ｃは、例えば、パワー半導体などのパワー変換回路からなる高発熱部品である。

金属基板１２は、例えば、Ａｌ（アルミ）を主成分とする金属基板上にエポキシ樹脂で絶縁加工し、その上に銅箔などで回路配線を形成したものである。

（工程３−２）
次に、配線基板２に実装された電子部品１ａ，１ｂを熱硬化性樹脂５を用いたトランスファモールド成形法により樹脂封止する。電子部品１ａ，１ｂを封止する際、配線基板２の一部を電子部品１ａ，１ｂとともに熱硬化性樹脂５により封止する。ただし、外部接続端子３を実装する部分及びボンディングワイヤ１４を接合する部分（接合部）を除く。これにより、サブモジュール１３ａが形成される。

同様に、金属基板１２に実装された電子部品１ａ，１ｃを熱硬化性樹脂５を用いたトランスファモールド成形法により樹脂封止する。ただし、ボンディングワイヤ１４を接合する部分を除く。これにより、サブモジュール１３ｂが形成される。

この（工程３−２）において、トランスファモールド成形用の金型は、同時に複数（例えば４つ）のサブモジュール１３ａを成形できるように形成されており、１回の樹脂封止で複数（例えば４つ）のサブモジュール１３ａが得られる。サブモジュール１３ｂの成形についても同様である。なお、配線基板２と金属基板１２の基板サイズ（形状）が同じであれば、サブモジュール１３ａの成形時とサブモジュール１３ｂの成形時で同じ成形金型を用いることもできる。

（工程３−３）
次に、（工程３−２）で成形したサブモジュール１３ａに、配線基板上２の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子３を実装する。

なお、外部接続端子３のコネクタハウジング４は、後の（工程３−５）において熱可塑性樹脂７により一体形成する構成としても良い。

（工程３−４）
次に、２つのサブモジュール１３ａ，１３ｂを電気的に接続するため、サブモジュール１３ａの接合部（パッド部）とサブモジュール１３ｂの接合部（ボンディング面）をＡｌ（アルミ）などのボンディングワイヤ１４を用いたワイヤボンディングにより接合する。

（工程３−５）
次に、（工程３−４）で得られたサブモジュール１３ａとサブモジュール１３ｂとを熱可塑性樹脂７を用いた射出形成により一体的に樹脂封止する。

これにより、配線基板２、電子部品１ａ，１ｂ，１ｃ、金属基板１２、及び外部接続端子３が一体的に樹脂封止され、本実施の形態に係わる電気電子制御装置が得られる。

本実施の形態の電気電子制御装置のその他の構成、及びその他の製造の工程は第１の実施の形態と同様である。

以上のように構成した本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、高発熱部品をその他の部品を実装する配線基板とは別に放熱性の良い金属基板に実装しながら、配線基板と金属基板を一体的に封止して電気電子制御装置を成形したので、高発熱部品（発熱系の電子回路）により発生する熱がその他の部品（制御系の電子回路）に影響することを抑制することができる。

なお、本実施の形態の外部接続端子３のコネクタハウジング４は、第２の実施の形態の（工程２−４）と同様に、（工程３−５）において熱可塑性樹脂７により一体形成する構成としても良い。

また、本発明の第１〜第３の実施の形態においては、熱硬化性樹脂５を用いたトランスファモールド成形により樹脂封止を行ったが、これに限られず、例えば熱硬化性樹脂５を用いた圧縮成形により樹脂封止を行っても良い。

さらに、熱可塑性樹脂７を用いた射出成形により樹脂封止を行ったが、これに限られず、例えば熱可塑性樹脂７を用いた樹脂ポッティング成形により樹脂封止を行っても良い。

また、熱可塑性樹脂７を用いたが、これに限られず、たとえば紫外線硬化性樹脂を用いても良い。この紫外線硬化性樹脂としては、例えば、変性アクリレートを主成分とする樹脂を使用し、紫外線照射装置（図示せず）を用いて、１０〜６０秒の紫外線照射を行い、紫外線硬化性樹脂を硬化させることにより樹脂封止を行う。

第１の実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の工程を示す図である。 本実施の形態におけるトランスファモールド成形の様子を示す縦断面図である。 第２の実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の工程を示す図である。 第３の実施の形態における電気電子制御装置の製造方法の工程を示す図である。 比較例の電気電子制御装置の製造方法の工程を示す図である。

符号の説明

１ａ，１ｂ，１ｃ 電子部品
２ 配線基板
３ 外部接続端子
４ コネクタハウジング
５ 熱硬化性樹脂
６ コネクタ
７ 熱可塑性樹脂
８ 上型
９ 下型
１０ プランジャ
１１，１３ａ，１３ｂ サブモジュール
１２ 金属基板
１４ ボンディングワイヤ

Claims (10)

1. 配線基板に電子部品を実装する工程と、
   前記配線基板に実装された前記電子部品を樹脂で封止する第１の樹脂封止工程と、
   前記配線基板に、前記配線基板上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子を実装する工程と、
   前記配線基板と前記第１の樹脂封止工程で樹脂封止された前記電子部品とを樹脂で一体的に封止する第２の樹脂封止工程と
   を有することを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
2. 複数の配線基板のそれぞれに電子部品を実装する工程と、
   前記複数の配線基板のそれぞれに実装された前記電子部品を樹脂で封止する第１の樹脂封止工程と、
   前記複数の配線基板の少なくとも１つに、前記配線基板上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子を実装する工程と、
   前記複数の配線基板を電気的に接続する工程と、
   前記複数配線基板と前記第１の樹脂封止工程で樹脂封止された前記電子部品とを樹脂で一体的に封止する第２の樹脂封止工程と
   を有することを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
3. 請求項１又は２記載の電気電子制御装置の製造方法において、
   前記第１の樹脂封止工程における樹脂封止は、熱硬化性樹脂組成物によるトランスファモールド成形、或いは、圧縮成形であり、
   前記第２の樹脂封止工程における樹脂封止は、熱可塑性樹脂組成物による射出成形、或いはポッティング成形であることを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
4. 請求項１又は２記載の電気電子制御装置の製造方法において、
   前記第１の樹脂封止工程における樹脂封止は、熱硬化性樹脂組成物によるトランスファモールド成形、或いは、圧縮成形であり、
   前記第２の樹脂封止工程における樹脂封止は、紫外線硬化性樹脂組成物による射出成形、或いはポッティング成形であることを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
5. 請求項１〜４記載の電気電子制御装置の製造方法において、
   前記外部接続端子は、熱可塑性樹脂組成物により予め成形されたコネクタハウジングを有することを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
6. 請求項１〜４記載の電気電子制御装置の製造方法において、
   前記第２の樹脂封止工程において、前記外部接続端子のコネクタハウジングを一体的に成形することを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
7. 請求項１〜６記載の電気電子制御装置の製造方法において、
   前記配線基板の材料は、ガラスエポキシ、ポリイミド、セラミック、金属のいずれかであることを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
8. 請求項１〜７記載の電気電子制御装置の製造方法において、
   前記配線基板の少なくとも１つは、両面に前記電子部品が実装されていることを特徴とする電気電子制御装置の製造方法。
9. 電子部品が実装された配線基板と、
   前記配線基板に実装され、前記配線基板上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子と、
   前記配線基板に実装された前記電子部品を覆う第１の樹脂層と、
   前記第１の樹脂層に覆われた前記電子部品と前記配線基板とを覆う第２の樹脂層と
   を備えたことを特徴とする電気電子制御装置。
10. 電子部品が実装された複数の配線基板と、
    前記複数の配線基板の少なくとも１つに実装され、前記配線基板上の電子回路と外部電子回路系とを電気的に接続する外部接続端子と、
    前記複数の配線基板を電気的に接続する配線と、
    前記複数の配線基板のそれぞれに実装された前記電子部品を覆う第１の樹脂層と、
    前記第１の樹脂層に覆われた前記電子部品と前記複数の配線基板と前記配線とを覆う第２の樹脂層と
    を備えたことを特徴とする電気電子制御装置。

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