JP2018056177A

JP2018056177A - インダクタおよびインダクタの製造方法

Info

Publication number: JP2018056177A
Application number: JP2016187022A
Authority: JP
Inventors: 前川　慎志; Shinji Maekawa; 慎志前川; 倉持　悟; Satoru Kuramochi; 悟倉持
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2016-09-26
Filing date: 2016-09-26
Publication date: 2018-04-05

Abstract

【課題】高出力かつ小型のインダクタを提供する。
【解決手段】第１面および第１面に対向する第２面を有し、貫通孔を有する基板１１０と、基板の貫通孔に設けられた第１配線１３０と、基板の第１面および第１配線上の第１絶縁層１４０と、第１絶縁層上の磁性体１２０と、磁性体および第１絶縁層上の第２絶縁層１５０と、第２絶縁層上の第２配線１６０と、第１絶縁層および第２絶縁層に貫通して設けられ、第１配線および第２配線と接続される第３配線１８０と、を備える。また、第１配線および第２配線の少なくとも一方は、渦巻き状の形状を有し、第１配線および前記第２配線の少なくとも一方は、蛇状の形状を有する。
【選択図】図１

Description

本開示は、インダクタおよびインダクタの製造方法に関する。

インダクタは、スイッチング電源やＤＣ／ＤＣコンバータなど、エネルギーを変換する回路として、または信号のフィルタとして広く用いられている。最近では、スマートフォンなどの携帯型端末にも広く用いられており、小型化したインダクタに対するニーズが強い。例えば、特許文献１にはグリーンシートを用いた小型インダクタの製造方法、特許文献２にはシリコン基板を用いた小型インダクタの製造方法が開示されている。

特開２０１１−２４９８３６号公報特表２０１６−５０９３７３号公報

しかしながら、特許文献１に開示されている製造方法では、インダクタの巻き数を増やすために、積層された配線が必要であり、インダクタの小型化が難しい。また、特許文献２に開示されている製造方法では、配線幅が大きく、高出力のインダクタを製造するときに、インダクタが大きくなってしまう。

このような課題に鑑み、本開示の実施形態における目的は、高出力かつ小型のインダクタを提供することにある。

本開示の一実施形態によると、第１面、および第１面に対向する第２面を有し、貫通孔を有する基板と、基板の貫通孔に設けられた第１配線と、基板の第１面および第１配線上の第１絶縁層と、第１絶縁層上の磁性体と、磁性体および第１絶縁層上の第２絶縁層と、第２絶縁層上の第２配線と、第１絶縁層および第２絶縁層に貫通して設けられ、第１配線および第２配線と接続される第３配線と、を備えるインダクタが提供される。

上記インダクタにおいて、第１配線および第２配線の少なくとも一方は、渦巻き状の形状を有してもよい。

上記インダクタにおいて、第１配線および第２配線の少なくとも一方は、蛇状の形状を有してもよい。

上記インダクタにおいて、磁性体の周りに渦巻き状に配置された第１絶縁層上の第４配線と、第２絶縁層および第４配線と、第２配線との間に設けられた第３絶縁層と、を有し、第３配線は、さらに第３絶縁層を貫通してもよい。

本開示の一実施形態によると、第１面、および第１面に対向する第２面を有し、第１貫通孔を有する第１基板と、第１基板の第１貫通孔に設けられた第１配線と、第１基板の第１面および第１配線上の第１絶縁層と、第１絶縁層上の磁性体と、磁性体および第１絶縁層上の第２絶縁層と、第２絶縁層上の、第２貫通孔を有する第２基板と、第２基板の第２貫通孔に設けられた第２配線と、第１絶縁層および第２絶縁層に貫通して設けられ、第１配線および第２配線と接続される第３配線と、を備えるインダクタが提供される。

上記インダクタにおいて、磁性体の周りに、渦巻き状に配置された第１絶縁層上の第４配線と、第２絶縁層および第４配線と、第２配線との間に設けられた第３絶縁層と、を有し、第３配線は、さらに第３絶縁層を貫通してもよい。

上記インダクタにおいて、第２基板は、磁性体の形状を反映するように凹部を有してもよい。

上記インダクタにおいて、第１基板は、磁性体の形状を反映するように凹部を有してもよい。

本開示の一実施形態によると、第１面、および第１面に対向する第２面を有する基板に貫通孔を形成し、基板の貫通孔に第１配線を形成し、基板の第１面および第１配線上に第１絶縁層を形成し、第１絶縁層上に磁性体を形成し、磁性体および第１絶縁層上に第２絶縁層を形成し、第１配線に重畳するように第１絶縁層および第２絶縁層を貫通する開孔部を形成し、開孔部に第２配線を形成し、第２配線および第２絶縁層上に、第３配線を形成することを含む、インダクタの製造方法が提供される。

上記インダクタの製造方法において、磁性体は、スパッタリング法により形成されてもよい。

上記インダクタの製造方法において、磁性体は、蒸着法により形成されてもよい。

上記インダクタの製造方法において、磁性体は、ゾルゲル法により形成されてもよい。

上記インダクタの製造方法において、磁性体は、印刷法により形成されてもよい。

上記インダクタの製造方法において、第１配線は、めっき法により形成されてもよい。

上記インダクタの製造方法において、貫通孔は、渦巻き形状を有するように形成されてもよい。

上記インダクタの製造方法において、貫通孔は、蛇状の形状を有するように形成されてもよい。

本開示の一実施形態によると、高出力かつ小型のインダクタを提供することができる。

本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタの製造方法を説明する断面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタの製造方法を説明する断面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタの製造方法を説明する断面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタの製造方法を説明する断面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタの製造方法を説明する断面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを含んだ半導体装置を説明する断面図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを含んだ半導体装置を含む電気機器を説明する斜視図である。本開示の一実施形態に係るインダクタを説明する断面図および上面図である。

以下、本開示の各実施形態に係るインダクタおよびインダクタの製造方法等について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。

＜第１実施形態＞
（１−１．インダクタの構成）
図１（Ａ）にインダクタ１００の断面図、および図１（Ｂ）にインダクタ１００の断面図を示す。図１（Ａ）に示すように、インダクタ１００は、基板１１０と、磁性体１２０と、配線１３０と、絶縁層１４０と、絶縁層１５０と、配線１６０と、配線１８０と、を備える。基板１１０は、第１面（上面）および第１面に対向する第２面（下面）を有し、貫通孔（後述する貫通孔１１７）を有する。配線１３０は、基板１１０の貫通孔１１７に設けられる。絶縁層１４０は、基板１１０および配線１３０上に設けられる。磁性体１２０は、絶縁層１４０上に設けられる。絶縁層１５０は、磁性体１２０および絶縁層１４０上に設けられる。配線１６０は、絶縁層１５０上に設けられる。配線１８０は、絶縁層１４０および絶縁層１５０に貫通して設けられ、配線１３０および配線１６０と接続される。

図１（Ｂ）に示すように、インダクタ１００において、配線１３０は、渦巻き状の形状を有し、配線１６０は蛇状の形状を有する。なお、配線１３０および配線１６０の少なくとも一方が、渦巻き状の形状を有してもよいし、蛇状の形状を有してもよい。

基板１１０には、高抵抗な材料が用いられる。例えば、基板１１０には、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、サファイア基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、ジルコニア（ＺｒＯ₂）基板、アクリルまたはポリカーボネートなどを含む樹脂基板、またはこれらの基板が積層されたものが用いられる。基板１１０の板厚は、２００μｍ以上４００μｍ未満としてもよい。

磁性体１２０には、磁性を有する材料が用いられる。例えば、磁性体１２０として鉄（Ｆｅ）を用いてもよい。また、磁性体１２０は、複数有してもよい。

配線１３０には、例えば銅（Ｃｕ）を含む材料を用いてもよい。配線１３０の線幅は、１０μｍ以上、１００μｍ未満としてもよい。

絶縁層１４０には、有機樹脂が用いられる。例えば、絶縁層１４０にはポリイミド、アクリル、エポキシ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの有機樹脂を用いてもよい。また、絶縁層１４０には、有機樹脂の他、シリカを含む有機無機ハイブリッド樹脂を用いてもよいし、プラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン、窒化シリコン等の無機膜を用いてもよい。また、絶縁層１５０も絶縁層１４０と同様の材料が用いられてもよい。

また、配線１６０および配線１８０には、配線１３０と同様の材料を用いることができる。なお、配線１６０および配線１８０の少なくとも一方の線幅は、５μｍ以上１００μｍ未満であってもよい。

（１−２．インダクタの製造方法）
次に、図１に示したインダクタ１００の製造方法を図２乃至図６を用いて説明する。

図２（Ａ）に示すように、第１面、および第１面に対向する第２面を有する基板１１０を用いる。例えば、基板１１０には、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、サファイア基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、ジルコニア（ＺｒＯ₂）基板、アクリルまたはポリカーボネートなどを含む樹脂基板、またはこれらの基板が積層されたものが用いられる。

次に、図２（Ｂ）に示すように、基板１１０に貫通孔１１７を形成する。貫通孔１１７は、例えば、基板１１０に対してレーザー照射法（レーザーアブレーション法と呼ぶことができる）を用いることにより形成できる。レーザーには、エキシマレーザー、ネオジウム：ヤグレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧ）レーザー、フェムト秒レーザー等が用いられる。エキシマレーザーを用いる場合、主に紫外領域の光が照射される。例えば、エキシマレーザーにおいて塩化キセノンを用いる場合、波長が３０８ｎｍの光が照射される。また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーを用いる場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、または波長が３５５ｎｍの第３高調波等が照射される。なお、レーザーによる照射径は、１０μｍ以上１００μｍ未満としてもよい。上述した貫通孔１１７の形成方法は、例えば、ガラス基板に対して行う場合、ＴＧＶ（ＴｈｒｏｕｇｈＧｌａｓｓＶｉａ）法とも呼ぶことができる。貫通孔の幅は、１０μｍ以上１００μｍ未満の範囲で適宜変えることができる。なお、貫通孔１１７は、渦巻き状形状を有するように形成されてもよいし、蛇状の形状を有するように形成されてもよい。

なお、貫通孔１１７の形成は、レーザー照射法に限定されず、反応性イオンエッチング法、深堀り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法を用いてもよいし、レーザー照射法とウェットエッチング法を組み合わせて用いてもよい。ウェットエッチング法のためのエッチング液としては、フッ化水素（ＨＦ）、硫酸（Ｈ₂ＳＯ₄）、硝酸（ＨＮＯ₃）、塩酸（ＨＣｌ）のいずれか、またはこれらのうちの混合物を用いることができる。レーザー照射法とウェットエッチング法を組み合わせた場合、具体的には、まずレーザー照射によって基板１１０の貫通孔１１７が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１１０をフッ化水素（ＨＦ）などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１１０に貫通孔１１７を形成することができる。

次に、図３（Ａ）に示すように、貫通孔１１７に配線１３０を形成する。配線１３０には、銅（Ｃｕ）の他、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）などが用いられる。配線１３０は、例えば、めっき法により形成される。例えば、銅（Ｃｕ）を用いて、配線１３０が形成される場合、基板１１０の第１面（上面）、第１面に対向する第２面（下面）、および貫通孔１１７にスパッタリング法により銅（Ｃｕ）の薄膜が形成される。次に、上記銅（Ｃｕ）薄膜をシード層として、電解めっき法により貫通孔１１７に銅（Ｃｕ）がめっきされる。このとき、配線１３０は充填めっきされてもよい。最後に、基板１１０の第１面（上面）および対向する第２面（下面）に形成された銅（Ｃｕ）膜が化学機械研磨（ＣＭＰ：ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌＰｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により除去されることにより、配線１３０が形成される。

次に、図３（Ｂ）に示すように、基板１１０の第１面および配線１３０上に絶縁層１４０を形成する。絶縁層１４０は、印刷法、塗布法、またはディッピング法を用いて形成される。絶縁層１４０には、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）などの有機樹脂を用いてもよい。また、絶縁層１４０には、有機樹脂の他、シリカを含む有機無機ハイブリッド樹脂を用いてもよいし、プラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン、窒化シリコン等の無機膜を用いてもよい。

次に、図４（Ａ）示すように、絶縁層１４０上に、磁性体１２０を形成する。このとき、磁性体１２０としては、磁性を有する導電体として、鉄（Ｆｅ）の他、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、フェライトを含んでもよい。磁性体１２０は、単体でもよいし、合金でもよい。また、磁性体１２０にホウ素を含んでもよい。磁性体１２０は、スパッタリング法、蒸着法、ゾルゲル法または印刷法により形成されてもよい。

次に、図４（Ｂ）に示すように、磁性体１２０および絶縁層１４０上に、絶縁層１５０を形成する。絶縁層１５０は、絶縁層１４０と同様の方法により形成されてもよい。

次に、図５（Ａ）に示すように、配線１３０と重畳するように絶縁層１４０および絶縁層１５０を貫通する開孔部１４５を形成する。開孔部１４５は、絶縁層１５０上にレジストマスクを形成後、エッチングすることにより形成されてもよい。また、絶縁層１４０および絶縁層１５０が、感光材を含む場合、露光および現像処理により、開孔部１４５が形成されてもよい。

次に、図５（Ｂ）に示すように、配線１３０と接続するように、開孔部１４５に配線１８０を形成する。配線１８０は、めっき法、スパッタリング法、またはＣＶＤ法により形成される。例えば、配線１８０に銅（Ｃｕ）を用いる場合、スパッタリング法により銅（Ｃｕ）シード膜が形成され、さらにめっき法により配線１８０が充填されてもよい。めっき法により配線１８０が形成された後は、ＣＭＰ法により余分な銅（Ｃｕ）は除去される。

次に、図６に示すように、配線１８０および絶縁層１５０上に、配線１６０を形成する。配線１６０は、めっき法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、または印刷法により形成されてもよい。例えば、配線１６０に銅（Ｃｕ）を用いる場合、配線１６０は印刷法により形成されてもよい。

なお、配線１６０は、配線１８０と一括で形成されてもよい。その場合、配線１６０は、例えばスパッタリング法により銅（Ｃｕ）シード膜が形成され、さらにめっき法により銅（Ｃｕ）膜が厚く形成される。また、配線１６０は、リソグラフィ法により所定の形状に加工される。

上記製造方法により、インダクタ１００は製造される。なお、配線１３０の線幅は、レーザー照射時のレーザーのスポット径、照射回数、照射時間、またはエッチングの処理条件（例えばエッチング液の種類、濃度、時間、混合比率など）を制御することで小さくすることができ、配線１３０によって構成されるコイルの巻き数も増やすことができる。また、磁性体１２０は、薄膜として形成されるため、インダクタの磁気コアとしての機能を有しつつ、小型化が可能となる。また、配線１６０は、リソグラフィ法により加工されることにより、細い配線が容易に形成される。これらにより、インダクタのインダクタンスを向上させつつ、インダクタの小型化が可能となる。インダクタンスの向上は、インダクタのＱ値を高めることにつながり、高出力かつ小型のインダクタを提供することが可能となる。

なお、磁性体１２０は、一つではなく複数設けられてもよい。磁性体１２０が複数設けられる場合、磁性体１２０が一つ設けられる場合に比べて、コイルの断面積を変えることなく、磁性体１２０形成時の材料使用量が抑えられる。また、基板１１０は、他の基板を用いる場合に比べて、高抵抗材料であり、安価である。これにより、インダクタの製造コストを抑えることができる。

また、図７（Ａ）に示すインダクタ１０１は、さらに配線１８３、絶縁層１５３を有する。配線１８３は、絶縁層１４０上に、磁性体１２０の周りに渦巻き状に配置されてもよい。絶縁層１５３は、絶縁層１５０および配線１８３と、配線１６０との間に設けられてもよい。また、配線１８０は、さらに絶縁層１５３に貫通してもよい。配線１３０と、配線１６０とは、配線１８０を介して接続されてもよい。

また、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すインダクタ１０２のように、基板１１０の第２面（下面）上に配線が設けられてもよい。インダクタ１０２は、インダクタ１０１の構成に加えて、絶縁層１５５、絶縁層１５７、配線１６２、端子１６４、配線１８５、配線１７０、配線１７２、端子１７４、配線１９０、絶縁層２００、絶縁層２０２、および絶縁層２０４を有する。配線１６０は、絶縁層１５５の開孔部に設けられる。配線１６２は、絶縁層１５７の開孔部に設けられる。配線１６０と、端子１６４とは、配線１６２を介して接続される。配線１７０は、絶縁層２０２の開孔部に設けられる。配線１７２は、絶縁層２０４の開孔部に設けられる。配線１７０と、端子１７４とは、配線１７２を介して接続される。配線１８５は、絶縁層１４０、絶縁層１５０、絶縁層１５３、絶縁層１５５、および絶縁層１５７を貫通して設けられた貫通孔に設けられる。配線１９０は、絶縁層２００の開孔部に設けられる。配線１７０は、配線１９０、配線１３０、配線１８５を介して端子１６４と接続される。

なお、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、配線１６０および配線１７０は、蛇状の形状を有してもよいし、配線１６０および配線１７０の少なくとも一方が、蛇状の形状を有してもよいし、渦巻き状の形状を有してもよい。

＜第２実施形態＞
（２−１．基板を２枚有するインダクタの構成）
以下に、基板を２枚有するインダクタの構成について説明する。なお、第１実施形態で説明した構造、材料、方法は、同様の説明をする際に適宜援用される。

図９（Ａ）、（Ｂ）に示すインダクタ１１００は、基板１１０と、基板１１１と、配線１３０と、配線１３１と、絶縁層１４０と、絶縁層１５０と、配線１８０と、を備える。基板１１０は、第１面（上面）、および第１面に対向する第２面（下面）を有し、貫通孔１１７を有する。配線１３０は、貫通孔１１７に設けられる。絶縁層１４０は、基板１１０の第１面および配線１３０上に設けられる。磁性体１２０は、絶縁層１４０上に設けられる。絶縁層１５０は、磁性体１２０および絶縁層１４０上に設けられる。基板１１１は、貫通孔１１８を有し、絶縁層１５０上に設けられる。配線１３１は、貫通孔１１８に設けられる。配線１８０は、絶縁層１４０および絶縁層１５０を貫通して設けられる。配線１８０は、配線１３０および配線１３１と接続される。また、絶縁層１５０と、基板１１１とは、樹脂を介して接合されてもよいし、圧接されてもよいし、熱により接合されてもよい。基板１１１には、基板１１０と同様の材料を用いてもよい。また、配線１３１には、配線１３０と同様の材料を用いてもよい。

なお、図９（Ａ）、（Ｂ）において、配線１３０は、渦巻き形状を有し、配線１３１は、蛇状の形状を有するが、配線１３０および配線１３１の少なくとも一方が、渦巻き状の形状を有してもよいし、蛇状の形状を有してもよい。

図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すインダクタ１１０１は、インダクタ１１００の構成に加えて、配線１８３と、絶縁層１５３と、をさらに有する。配線１８３は、絶縁層１４０上に、磁性体１２０の周りに渦巻き状に配置されてもよい。絶縁層１５３は、絶縁層１５０および配線１８３と、基板１１１および配線１３１との間に設けられてもよい。また、配線１８０は、さらに絶縁層１５３を貫通してもよい。配線１３０と、配線１３１とは、配線１８０を介して接続されてもよい。

また、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すインダクタ１１０２のように、基板１１１は、磁性体１２０の形状を反映するように凹部を有してもよい。インダクタ１１０２において、配線１３０は渦巻き状の形状を有し、配線１３１は蛇状の形状を有する。配線１３０と、配線１３１とは、配線１８０を介して接続されてもよい。なお、配線１３０および配線１３１の少なくとも一方が、渦巻き状の形状を有してもよいし、蛇状の形状を有してもよい。

また、図１２（Ａ）、（Ｂ）示すインダクタ１１０３では、配線１７０が基板１１０の第２面（下面）上に設けられ、配線１３１および配線１７０は、蛇状の形状を有する。配線１３１と、配線１７０とは、配線１３０および配線１８０を介して接続されてもよい。

また、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すインダクタ１１０４では、基板１１０に磁性体１２０の形状を反映するように凹部が設けられる。磁性体１２０は、絶縁層１４０上に、凹部に充填されるように設けられる。配線１３０は、蛇状の形状を有し、配線１３１は、渦巻き状の形状を有する。配線１３０と、配線１３０とは、配線１８０を介して接続されてもよい。

以上に示した構造を有する場合、配線の線幅を適宜小さくすることが可能であり、配線（コイル）の巻き数も増やすことができ、インダクタの高出力化が可能である。また、基板が凹部を有することで、磁性体が基板におよそ充填された形状となり、磁性体の厚さに相当する分のインダクタの小型化が可能である。

＜第３実施形態＞
本実施形態では、第１実施形態、第２実施形態で説明したインダクタを含んだ半導体装置について説明する。

図１４は、半導体装置５００の断面図である。図１４において、半導体装置５００は、インダクタ６００およびトランジスタを含むチップ化された半導体回路基板６１０と、配線基板７００と、パッケージ基板８００とを有する。半導体回路基板６１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ：ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）としての機能、および記憶装置としての機能を有する。配線基板７００は、インターポーザとしての機能を有する。インダクタ６００および半導体回路基板６１０と、配線基板７００とは、金バンプ６５０などを用いて接続される。また、インダクタ６００と、半導体回路基板６１０との間はモールド樹脂によって封止されていてもよい。また、配線基板７００と、パッケージ基板８００とは、錫、銀などを含むはんだバンプ７５０などを用いて接続される。また、配線基板７００と、パッケージ基板８００との間隙は、アンダーフィル樹脂が充填されることにより封止されてもよい。半導体装置５００において、インダクタ６００は、電圧安定用途に用いられてもよいし、ノイズ消去用途に用いられてもよいし、信号フィルタに用いられてもよい。

＜第４実施形態＞
本実施形態では、第３実施形態において説明した半導体装置５００を電気機器に適用した例について説明する。

図１５は、電気機器を説明する図である。インダクタ６００を含んだ半導体装置５００は、例えば、携帯端末（携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等）、家庭用電気機器（電子レンジ、エアコン、洗濯機、冷蔵庫）、自動車等、様々な電気機器に搭載される。図１５（Ａ）はスマートフォン４０００であり、筐体４００１、表示部４００３、マイク４００５、スピーカー４００７、ボタン４００９、カメラ４０１１等を有する。図１５（Ｂ）は携帯用ゲーム機５０００であり、筐体５００１、表示部５００３、表示部５００５、ボタン５００７、ボタン５００９、ボタン５０１０、スピーカー５０１１、マイク５０１３、カメラ５０１５等を有する。図１５（Ｃ）は、ノート型パーソナルコンピュータ６０００であり、筐体６００１、表示部６００３、キーボード６００５、タッチパッド６００７、ボタン６００９、カメラ６０１１等を有する。

これらの電気機器において、インダクタ６００を含んだ半導体装置５００は、電圧を安定化させる電源回路部、アプリケーションプログラムを実行して各種機能を実現するＣＰＵ等で構成される制御部などの機能を有することができる。

＜変形例＞
なお、本開示の一実施形態では、貫通孔１１７に配線１３０が設けられる例を述べたが、図１６に示すように、貫通孔１１７は、必ずしも貫通しない孔でもよい。

１００・・・インダクタ、１０１・・・インダクタ、１０２・・・インダクタ、１０３・・・インダクタ、１１０・・・基板、１１１・・・基板、１１７・・・貫通孔、１１８・・・貫通孔、１２０・・・磁性体、１３０・・・配線、１４０・・・絶縁層、１４５・・・開孔部、１５０・・・絶縁層、１５３・・・絶縁層、１５５・・・絶縁層、１５７・・・絶縁層、１６０・・・配線、１６２・・・配線、１６４・・・端子、１７０・・・配線、１７２・・・配線、１７４・・・端子、１８０・・・配線、１８３・・・配線、１９０・・・配線、２００・・・絶縁層、２０２・・・絶縁層、２０４・・・絶縁層、６００・・・インダクタ、６１０・・・電源ＩＣ、６５０・・・金バンプ、７００・・・配線基板、７５０・・・はんだバンプ、８００・・・パッケージ基板、１１００・・・インダクタ、１１０１・・・インダクタ、１１０２・・・インダクタ、１１０３・・・インダクタ、１１０４・・・インダクタ、４０００・・・スマートフォン、４００１・・・筐体、４００３・・・表示部、４００５・・・マイク、４００７・・・スピーカー、４００９・・・ボタン、４０１１・・・カメラ、５０００・・・携帯用ゲーム機、５００１・・・筐体、５００３・・・表示部、５００５・・・表示部、５００７・・・ボタン、５００９・・・ボタン、５０１０・・・ボタン、５０１１・・・スピーカー、５０１３・・・マイク、５０１５・・・カメラ、６０００・・・ノート型パーソナルコンピュータ、６００１・・・筐体、６００３・・・表示部、６００５・・・キーボード、６００７・・・タッチパッド、６００９・・・ボタン、６１１１・・・カメラ

Claims

第１面、および前記第１面に対向する第２面を有し、貫通孔を有する基板と、
前記基板の前記貫通孔に設けられた第１配線と、
前記基板の前記第１面および前記第１配線上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の磁性体と、
前記磁性体および前記第１絶縁層上の第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上の第２配線と、
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に貫通して設けられ、前記第１配線および前記第２配線と接続される第３配線と、を備える、
インダクタ。
前記第１配線および前記第２配線の少なくとも一方は、渦巻き状の形状を有する、
請求項１記載のインダクタ。
前記第１配線および前記第２配線の少なくとも一方は、蛇状の形状を有する、
請求項１に記載のインダクタ。
前記磁性体の周りに渦巻き状に配置された前記第１絶縁層上の第４配線と、
前記第２絶縁層および前記第４配線と、前記第２配線との間に設けられた第３絶縁層と、
を有し、
前記第３配線は、さらに前記第３絶縁層を貫通する、
請求項１乃至３のいずれか一つに記載のインダクタ。
第１面、および前記第１面に対向する第２面を有し、第１貫通孔を有する第１基板と、
前記第１基板の前記第１貫通孔に設けられた第１配線と、
前記第１基板の前記第１面および前記第１配線上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上の磁性体と、
前記磁性体および前記第１絶縁層上の第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上の、第２貫通孔を有する第２基板と、
前記第２基板の前記第２貫通孔に設けられた第２配線と、
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に貫通して設けられ、前記第１配線および前記第２配線と接続される第３配線と、を備える、
インダクタ。
前記第１配線および前記第２配線の少なくとも一方は、渦巻き状の形状を有する、
請求項５記載のインダクタ。
前記第１配線および前記第２配線の少なくとも一方は、蛇状の形状を有する、
請求項５に記載のインダクタ。
前記磁性体の周りに、渦巻き状に配置された前記第１絶縁層上の第４配線と、
前記第２絶縁層および前記第４配線と、前記第２配線との間に設けられた第３絶縁層と、を有し、
前記第３配線は、さらに前記第３絶縁層を貫通する、
請求項５乃至７のいずれか一つに記載のインダクタ。
前記第２基板は、前記磁性体の形状を反映するように凹部を有する、
請求項５乃至８のいずれか一つに記載のインダクタ。
前記第１基板は、前記磁性体の形状を反映するように凹部を有する、
請求項５乃至８のいずれか一つに記載のインダクタ。
第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する基板に貫通孔を形成し、
前記基板の前記貫通孔に第１配線を形成し、
前記基板の前記第１面および前記第１配線上に第１絶縁層を形成し、
前記第１絶縁層上に磁性体を形成し、
前記磁性体および前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成し、
前記第１配線に重畳するように前記第１絶縁層および前記第２絶縁層に貫通する開孔部を形成し、
前記開孔部に第２配線を形成し、
前記第２配線および前記第２絶縁層上に、第３配線を形成することを含む、
インダクタの製造方法。
前記磁性体は、スパッタリング法により形成される、
請求項１１に記載のインダクタの製造方法。
前記磁性体は、蒸着法により形成される、
請求項１１に記載のインダクタの製造方法。
前記磁性体は、ゾルゲル法により形成される、
請求項１１に記載のインダクタの製造方法。
前記磁性体は、印刷法により形成される、
請求項１１に記載のインダクタの製造方法。
前記第１配線は、めっき法により形成される
請求項１１乃至１５のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。
前記貫通孔は、
渦巻き形状を有するように形成されることを含む、
請求項１１乃至１６のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。
前記貫通孔は、
蛇状の形状を有するように形成されることを含む、
請求項１１乃至１６のいずれか一つに記載のインダクタの製造方法。