JP2018035015A - 超電導バルク接合体および超電導バルク接合体の製造方法 - Google Patents
超電導バルク接合体および超電導バルク接合体の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
(1)結晶方位の揃った第1の酸化物超電導体からなる複数の接合本体と、隣り合う前記接合本体同士の間に設けられ、第2の酸化物超電導体からなる接合層と、を備え、前記接合層を挟んで隣り合う前記接合本体の互いの結晶方位のずれが15°以内であり、前記接合層の結晶方位と、隣り合う前記接合本体との結晶方位のずれが15°以内であり、前記接合層は、前記接合本体よりも溶融温度が低く、前記接合本体および前記接合層は、それぞれ金属銀換算で30質量%以下の銀を含有することを特徴とする超電導バルク接合体。
(2)前記第1の酸化物超電導体および前記第2の酸化物超電導体は、RE1Ba2Cu3Oy(REはY及び希土類元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、yは酸素量で、6.8≦y≦7.1)中にRE2BaCuO5が分散した酸化物超電導体であることを特徴とする(1)に記載の超電導バルク接合体。
(3)前記接合本体および前記接合層に含有される前記銀の含有量が、金属銀換算で2質量%以上30質量%以下であることを特徴とする(1)または(2)に記載の超電導バルク接合体。
(4)結晶方位の揃った第1の酸化物超電導体からなる複数の接合本体を、隣り合う前記接合本体の互いの結晶方位のずれが15°以内になるように配列し、隣り合う前記接合本体同士の間に第2の酸化物超電導体からなる接合層を前記接合本体に接触させて配置し、前記接合本体の溶融温度よりは低く、かつ、前記接合層の溶融温度よりは高い温度に前記接合本体および前記接合層を加熱して、前記接合層を溶融し、その後、少なくとも前記接合層が結晶化する温度まで徐冷し、隣り合う前記接合本体同士を、前記接合層を介して接合する、超電導バルク接合体の製造方法であって、前記接合本体および前記接合層は、それぞれ金属銀換算で30質量%以下の銀を含有することを特徴とする超電導バルク接合体の製造方法。
(5)前記第1の酸化物超電導体および前記第2の酸化物超電導体は、RE1Ba2Cu3Oy(REはY及び希土類元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、yは酸素量で、6.8≦y≦7.1)中にRE2BaCuO5が分散した酸化物超電導体であることを特徴とする(4)に記載の超電導バルク接合体の製造方法。
(6)前記接合本体および前記接合層に含有される前記銀の含有量が、金属銀換算で2質量%以上30質量%以下であることを特徴とする(4)または(5)に記載の超電導バルク接合体の製造方法。
本発明の実施形態に係る超電導バルク接合体1は、図1Aおよび図1Bに示した態様に限られない。以下、本発明の実施形態に係る超電導バルク接合体1の他の態様について説明する。
本実施例では、図5A〜Cに示す超電導バルク接合体の例について説明する。図5Aは接合本体2と接合層3とに相当する試料を接合させて得られる超電導バルク接合体9の一例を示し、図5Bは超電導バルク接合体9から試験片1を切り出す際の例を示し、図5Cは切り出された試験片1の一例を示す。市販されている純度99.9質量%のガドリニウム(Gd)、バリウム(Ba)、銅(Cu)のそれぞれの酸化物の粉末を、Gd:Ba:Cu=1.6:2.3:3.3のモル比で秤量し、それに酸化セリウムを1質量%及び酸化銀を銀換算で10質量%加えた。この秤量粉を2時間かけて十分混練してから、大気中にて1173Kで8時間仮焼した。
本実施例では、実施例1と同様に図5A〜Cに示す超電導バルク接合体の例について説明する。ただし、実施例1とは異なり、本実施例では、接合本体2と接合層3の両方共に添加される酸化銀の添加量を変化させた複数の試験片を用意した。具体的には、本実施例では、酸化銀の添加量が銀換算で2質量%、5質量%、20質量%、30質量%、35質量%の場合について、実施例1と同様にして、図5Cに示すような、接合層を中央部になるように25mm×2.8mm×2.1mmの試験片を4本製作した。
2 接合本体
3 接合層
Claims (6)
- 結晶方位の揃った第1の酸化物超電導体からなる複数の接合本体と、
隣り合う前記接合本体同士の間に設けられ、第2の酸化物超電導体からなる接合層と、
を備え、
前記接合層を挟んで隣り合う前記接合本体の互いの結晶方位のずれが15°以内であり、
前記接合層の結晶方位と、隣り合う前記接合本体との結晶方位のずれがいずれも15°以内であり、
前記接合層は、前記接合本体よりも溶融温度が低く、
前記接合本体および前記接合層は、それぞれ金属銀換算で30質量%以下の銀を含有することを特徴とする超電導バルク接合体。 - 前記第1の酸化物超電導体および前記第2の酸化物超電導体は、RE1Ba2Cu3Oy(REはY及び希土類元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、yは酸素量で、6.8≦y≦7.1)中にRE2BaCuO5が分散した酸化物超電導体であることを特徴とする請求項1に記載の超電導バルク接合体。
- 前記接合本体および前記接合層に含有される前記銀の含有量が、金属銀換算で2質量%以上30質量%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の超電導バルク接合体。
- 結晶方位の揃った第1の酸化物超電導体からなる複数の接合本体を、隣り合う前記接合本体の互いの結晶方位のずれが15°以内になるように配置し、
隣り合う前記接合本体同士の間に第2の酸化物超電導体からなる接合層を前記接合本体同士に接触させて配置し、
前記接合本体の溶融温度よりは低く、かつ、前記接合層の溶融温度よりは高い温度に前記接合本体および前記接合層を加熱して前記接合層を溶融し、その後、少なくとも前記接合層が結晶化する温度まで徐冷し、前記接合層を介して隣り合う前記接合本体同士を接合する、超電導バルク接合体の製造方法であって、
前記接合本体および前記接合層は、それぞれ金属銀換算で30質量%以下の銀を含有することを特徴とする超電導バルク接合体の製造方法。 - 前記第1の酸化物超電導体および前記第2の酸化物超電導体は、RE1Ba2Cu3Oy(REはY及び希土類元素からなる群から選ばれる1種又は2種以上の元素であり、yは酸素量で、6.8≦y≦7.1)中にRE2BaCuO5が分散した酸化物超電導体であることを特徴とする請求項4に記載の超電導バルク接合体の製造方法。
- 前記接合本体および前記接合層に含有される前記銀の含有量が、金属銀換算で2質量%以上30質量%以下であることを特徴とする請求項4または5に記載の超電導バルク接合体の製造方法。
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