JP2018032840A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 239000010408 film Substances 0.000 description 163
- 101150113476 OLE1 gene Proteins 0.000 description 32
- 101100188627 Zea mays OLE16 gene Proteins 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 101500023488 Lithobates catesbeianus GnRH-associated peptide 1 Proteins 0.000 description 5
- 101500022510 Lithobates catesbeianus GnRH-associated peptide 2 Proteins 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100033865 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100524516 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFA2 gene Proteins 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
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Abstract
【課題】有機膜層の剥離を防止して、駆動不良を防止することができる表示装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係る表示装置は、表示部と前記表示部の他の非表示部を含むプラスチック基板と、前記非表示部の一側に配置され、軟性回路基板が付着されるデータパッド部と、を含み、前記表示部は、前記表示部上に位置し、少なくとも有機膜層を含む有機発光ダイオードが各々備えられた複数のサブピクセルを含み、前記有機膜層は前記表示部の一側から他側まで連続してなり、かつ互いに離隔した複数の行に配列され、前記複数の行は前記データパッド部と並んでいる。
【選択図】図８
【解決手段】
本発明に係る表示装置は、表示部と前記表示部の他の非表示部を含むプラスチック基板と、前記非表示部の一側に配置され、軟性回路基板が付着されるデータパッド部と、を含み、前記表示部は、前記表示部上に位置し、少なくとも有機膜層を含む有機発光ダイオードが各々備えられた複数のサブピクセルを含み、前記有機膜層は前記表示部の一側から他側まで連続してなり、かつ互いに離隔した複数の行に配列され、前記複数の行は前記データパッド部と並んでいる。
【選択図】図８
Description
本発明は、表示装置に関し、より詳しくは、駆動不良を防止することができる表示装置に関する。
情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加している。表示装置分野は体積の大きい陰極線管（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）に代える、薄くて軽く、大面積が可能な平板表示装置（Flat Panel Display Device：ＦＰＤ）に急速に変化してきた。平板表示装置には、液晶表示装置（Liquid Crystal Display Device：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display Device：ＯＬＥＤ）、そして電気泳動表示装置（Electrophoretic Display Device：ＥＤ）などがある。
そのうち、有機発光表示装置は、自ら発光する自発光素子であって、応答速度が早く、発光効率、輝度、及び視野角が大きいという長所がある。特に、有機発光表示装置は、柔軟な（flexible）プラスチック基板の上にも形成できるだけでなく、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel）や無機電界発光（ＥＬ）ディスプレイに比べて低い電圧で駆動が可能で、電力消耗が比較的少なく、色感が優れるという長所がある。
柔軟なプラスチック基板に製造された有機発光表示装置は、ガラス基板上にポリイミドをコーティングした後、薄膜トランジスタ、有機膜層を含む有機発光ダイオードなどの素子が製造され、パッド部にチップオンフィルム（Chip on Film：ＣＯＦ）のような軟性回路基板が付着される。そして、ガラス基板を分離する工程を遂行して柔軟なポリイミド基板を備える有機発光表示装置が製造される。
図１は有機膜層の蒸着工程を示す図であり、図２は基板に加えられるストレスを示す図である。
有機発光ダイオードの有機膜層は、有機発光表示装置の画像を表示する表示部の全体に形成される。このために、図１に示すように、基板ＳＵＢの表示部Ａ／Ａの全体をオープンするオープンマスクＯＭを用いて有機物ソースＳＯＵを蒸着することによって有機膜層ＥＭＬが形成される。しかしながら、図２に示すように、柔軟な基板ＳＵＢを曲げるか、またはぐるぐると巻くようになれば、基板ＳＵＢの上部にストレスが加えられ、下部にもストレスが加えられる。基板ＳＵＢの上部に形成された有機膜層ＥＭＬは接着力が弱いために、ストレスにより一部で剥離が発生する。したがって、有機発光表示装置の駆動不良が発生する問題がある。
本発明は、有機膜層を複数に分離させてストレスを緩和させることができる表示装置を提供する。
また、本発明は、有機膜層の剥離を防止して、駆動不良を防止することができる表示装置を提供する。
本発明に係る表示装置は、表示部と前記表示部の他の非表示部を含むプラスチック基板と、前記非表示部の一側に配置され、軟性回路基板が付着されるデータパッド部と、を含み、前記表示部は、前記表示部上に位置し、少なくとも有機膜層を含む有機発光ダイオードが各々備えられた複数のサブピクセルを含み、前記有機膜層は前記表示部の一側から他側まで連続してなり、かつ互いに離隔した複数の行に配列され、前記複数の行は前記データパッド部と並んでいる。
前記複数のサブピクセルは各々発光部及び駆動部を含み、前記有機膜層は前記発光部の全体に重畳する。
前記有機膜層の複数の行の間に前記有機膜層の複数の行が離隔した離隔領域が位置する。
前記離隔領域は、前記駆動部と重畳し、かつ前記発光部と重畳しない。
記離隔領域は前記有機膜層の複数の行の長軸方向と垂直な方向に少なくとも１つ以上位置する。
前記有機膜層の複数の行のうち、隣接した２つの間に位置する少なくとも１つの有機膜パターンをさらに含み、前記有機膜パターンは前記有機膜層の複数の行と並んで配置される。
前記有機膜パターンは隣接した前記有機膜層の複数の行と離隔した。
前記表示装置は、前記データパッド部の長軸方向と垂直な方向に曲がる。
前記有機膜層の複数の行の長軸方向は前記データパッド部の長軸方向と並んでいる。
前記有機膜層の行は前記有機膜層の行の長軸方向と垂直な方向に配置された前記少なくとも１つ以上のサブピクセルを周期で離隔した。
前記有機発光ダイオードは白色を発光する。
本発明に係る表示装置は、表示部と前記表示部の他の非表示部を含むプラスチック基板と、前記非表示部の一側に配置され、軟性回路基板が付着されるデータパッド部と、を含み、前記表示部は、前記表示部上に位置し、少なくとも有機膜層を含む有機発光ダイオードが各々備えられた複数のサブピクセルを含み、前記有機膜層は前記表示部の一側から他側まで連続してなり、かつ互いに離隔した複数の行に配列され、前記複数の行は前記データパッド部と並んでおり、前記有機発光ダイオードは白色を発光する。
前記表示部に位置して前記有機発光ダイオードで発光された白色を他の色に変換するカラーフィルタをさらに含む。
前述したように、本発明に係る有機発光表示装置は、データパッド部の長軸方向と並んでいる複数の行で有機膜層を形成することによって、曲がる方向に作用するストレスにより有機膜層が剥離されることが防止できる利点がある。また、本発明は有機膜層の複数の行が離隔することによって、第２電極とバンク層を接触させて第２電極の接着力を向上させることができる。したがって、本発明の有機発光表示装置は駆動不良が防止できる利点がある。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。明細書の全体に亘って同一な参照番号は実質的に同一な構成要素を意味する。以下の説明において、本発明と関連した公知技術または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明で使われる構成要素の名称は明細書作成の容易性を考慮して選択されたものであって、実際の製品の部品名称とは相異することがある。
本発明に係る表示装置は、柔軟なプラスチック基板上に表示素子が形成されたプラスチック表示装置である。プラスチック表示装置の例に、有機発光表示装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置などが使用であるが、本発明では有機発光表示装置を例として説明する。有機発光表示装置は、アノードである第１電極とカソードである第２電極との間に有機物からなる有機膜層を含む。したがって、第１電極から供給を受ける正孔と第２電極から供給を受ける電子が有機膜層内で結合して正孔−電子対である励起子（exciton）を形成し、励起子が底状態に戻りながら発生するエネルギーにより発光する自発光表示装置である。しかしながら、本発明に従う有機発光表示装置は、プラスチック基板の他にガラス基板に形成されることもできる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
図３は有機発光表示装置の概略的なブロック図であり、図４はサブピクセルの回路構成を示す第１例示図であり、図５はサブピクセルの回路構成を示す第２例示図である。
図３を参照すると、有機発光表示装置は、映像処理部１０、タイミング制御部２０、データ駆動部３０、ゲート駆動部４０、及び表示パネル５０を含む。
映像処理部１０は外部から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）と共にデータイネーブル信号（ＤＥ）などを出力する。映像処理部１０は、データイネーブル信号（ＤＥ）の他にも垂直同期信号、水平同期信号、及びクロック信号のうち、１つ以上を出力することができるが、この信号は説明の便宜上、省略図示する。映像処理部１０は、システム回路基板にＩＣ（Integrated Circuit）形態に形成される。
タイミング制御部２０は、映像処理部１０からデータイネーブル信号（ＤＥ）または垂直同期信号、水平同期信号、及びクロック信号などを含む駆動信号と共に、データ信号（ＤＡＴＡ）の供給を受ける。
タイミング制御部２０は、駆動信号に基づいてゲート駆動部４０の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）及びデータ駆動部３０の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）を出力する。タイミング制御部２０は制御回路基板にＩＣ形態に形成される。
データ駆動部３０は、タイミング制御部２０から供給されたデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）に応答してタイミング制御部２０から供給されるデータ信号（ＤＡＴＡ）をサンプリングし、ラッチしてガンマ基準電圧に変換して出力する。データ駆動部３０は、データラインＤＬ１〜ＤＬｎを通じてデータ信号（ＤＡＴＡ）を出力する。データ駆動部３０は、基板上にＩＣ形態に付着される。
ゲート駆動部４０は、タイミング制御部２０から供給されたゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）に応答して、ゲート電圧のレベルをシフトさせながらゲート信号を出力する。ゲート駆動部４０は、ゲートラインＧＬ１〜ＧＬｍを通じてゲート信号を出力する。ゲート駆動部４０は、ゲート回路基板にＩＣ形態に形成されるか、または表示パネル５０にゲートインパネル（Gate In Panel）方式により形成される。
表示パネル５０は、データ駆動部３０及びゲート駆動部４０から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）及びゲート信号に対応して映像を表示する。表示パネル５０は、映像を表示するサブピクセルＳＰを含む。
図４を参照すると、１つのサブピクセルは、スイッチングトランジスタＳＷ、駆動トランジスタＤＲ、補償回路ＣＣ、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動トランジスタＤＲにより形成された駆動電流によって光を発光するように動作する。
スイッチングトランジスタＳＷは、ゲートラインＧＬ１を通じて供給されたゲート信号に応答して第１データラインＤＬ１を通じて供給されるデータ信号がキャパシタＣｓｔにデータ電圧で格納されるようにスイッチング動作する。駆動トランジスタＤＲは、キャパシタＣｓｔに格納されたデータ電圧によって高電位電源ラインＶＤＤと低電位電源ラインＧＮＤとの間に駆動電流が流れるように動作する。補償回路ＣＣは、駆動トランジスタＤＲのしきい電圧などを補償するための回路である。また、スイッチングトランジスタＳＷや駆動トランジスタＤＲに連結されたキャパシタは補償回路ＣＣの内部に位置することができる。
補償回路ＣＣは、１つ以上の薄膜トランジスタとキャパシタとから構成される。補償回路ＣＣの構成は補償方法によって非常に多様であるところ、これに対する具体的な例示及び説明は省略する。
また、図５に示すように、補償回路ＣＣが含まれた場合、サブピクセルには補償薄膜トランジスタを駆動すると共に、特定信号や電源を供給するための信号ラインと電源ラインなどがさらに含まれる。ゲートラインＧＬ１は、スイッチングトランジスタＳＷにゲート信号を供給する第１−１ゲートラインＧＬ１ａと、サブピクセルに含まれた補償薄膜トランジスタを駆動するための第１−２ゲートラインＧＬ１ｂを含むことができる。そして、追加された電源ラインはサブピクセルの特定ノードを特定電圧に初期化するための初期化電源ラインＩＮＩＴとして定義できる。しかしながら、これは１つの例示であり、これに限定されるものではない。
一方、図４及び図５では１つのサブピクセルに補償回路ＣＣが含まれたことを一例にした。しかしながら、補償の主体がデータ駆動部３０などのようにサブピクセルの外部に位置する場合、補償回路ＣＣは省略されることもできる。即ち、１つのサブピクセルは、基本的に、スイッチングトランジスタＳＷ、駆動トランジスタＤＲ、キャパシタ、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む２Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造で構成されるが、補償回路ＣＣが追加された場合、３Ｔ１Ｃ、４Ｔ２Ｃ、５Ｔ２Ｃ、６Ｔ２Ｃ、７Ｔ２Ｃなどに多様に構成されることもできる。
また、図４及び図５では補償回路ＣＣがスイッチングトランジスタＳＷと駆動トランジスタＤＲとの間に位置するものとして図示したが、駆動トランジスタＤＲと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間にさらに位置することもできる。補償回路ＣＣの位置及び構造は図４及び図５に限定されるものではない。
＜第１実施形態＞
図６は本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置を示す平面図であり、図７は有機発光表示装置のサブピクセルを示す断面図である。
図６を参照すると、有機発光表示装置は、プラスチック基板ＰＩ、表示部Ａ／Ａ、及び表示部Ａ／Ａの他の非表示部Ｎ／Ａを含み、非表示部Ｎ／Ａに位置したゲートパッド部ＧＰ及びデータパッド部ＤＰを含む。表示部Ａ／Ａは複数のサブピクセルＳＰが配置されて、Ｒ、Ｇ、Ｂ、またはＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗを発光してフルカラーを具現する。ゲートパッド部ＧＰは表示部Ａ／Ａの一側、例えば、右側または左側の非表示部Ｎ／Ａに配置されて表示部Ａ／Ａから延びるゲート信号ライン（図示せず）が複数の薄膜トランジスタに連結されるＧＩＰ駆動部でありうる。しかしながら、ゲートパッド部ＧＰは本発明の一例であり、後述するデータパッド部と同様に、軟性回路基板が付着されることもできる。データパッド部ＤＰは表示部Ａ／Ａの一側、例えば、下側の非表示部Ｎ／Ａに配置されて表示部Ａ／Ａから延びる複数の信号ラインＳＬが配置される。複数の信号ラインＳＬはデータライン及び電源ラインであって、センシングラインがさらに含まれることもできる。複数の信号ラインＳＬは、データパッド部ＤＰに付着されたチップオンフィルムのような軟性回路基板ＦＰＣを通じてデータ信号及び電源が印加される。
以下、本発明の図７を参照して、有機発光表示装置のサブピクセルＳＰの断面構造を説明する。
図７を参照すると、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は、プラスチック基板ＰＩ上に第１バッファ層ＢＵＦ１が位置する。プラスチック基板ＰＩは、例えば、ポリイミド（Polyimide）基板でありうる。したがって、本発明のプラスチック基板ＰＩは柔軟な（flexible）特性を有する。第１バッファ層ＢＵＦ１は、プラスチック基板ＰＩから流出するアルカリイオンなどの不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスタを保護する役割をする。第１バッファ層ＢＵＦ１は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。
第１バッファ層ＢＵＦ１上にシールド層ＬＳが位置する。シールド層ＬＳはポリイミド基板を使用することによって発生できるパネル駆動電流が減少することを防止する役割をする。シールド層ＬＳ上に第２バッファ層ＢＵＦ２が位置する。第２バッファ層ＢＵＦ２はシールド層ＬＳから流出するアルカリイオンなどの不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスタを保護する役割をする。第２バッファ層ＢＵＦ２はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。
第２バッファ層ＢＵＦ２上に半導体層ＡＣＴが位置する。半導体層ＡＣＴはシリコン半導体や酸化物半導体からなることができる。シリコン半導体は、非晶質シリコンまたは結晶化された多結晶シリコンを含むことができる。ここで、多結晶シリコンは移動度が高く（１００μｍ／Ｖｓ以上）、エネルギー消費電力が低く、信頼性が優れて、駆動素子用ゲートドライバ及び／又はマルチプレクサＭＵＸに適用するか、または画素内の駆動ＴＦＴに適用することができる。一方、酸化物半導体はオフ−電流が低いので、オン（On）時間が短く、オフ（Off）時間を長く維持するスイッチングＴＦＴに適している。また、オフ電流が小さいので、画素の電圧維持期間が長くて低速駆動及び／又は低消費電力を要求する表示装置に適している。また、半導体層ＡＣＴはｐ型またはｎ型の不純物を含むドレイン領域及びソース領域を含み、これらの間にチャンネルを含む。
半導体層ＡＣＴ上にゲート絶縁膜ＧＩが位置する。ゲート絶縁膜ＧＩは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。ゲート絶縁膜ＧＩ上に前記半導体層ＡＣＴの一定領域、即ち不純物が注入された場合のチャンネルと対応する位置にゲート電極ＧＡが位置する。ゲート電極ＧＡは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ、またはこれらの合金で形成される。また、ゲート電極ＧＡは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ、またはこれらの合金からなる多重層でありうる。例えば、ゲート電極ＧＡはモリブデン／アルミニウム−ネオジム、またはモリブデン／アルミニウムの２重層でありうる。
ゲート電極ＧＡ上にゲート電極ＧＡを絶縁させる層間絶縁膜ＩＬＤが位置する。層間絶縁膜ＩＬＤは、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。層間絶縁膜ＩＬＤ及びゲート絶縁膜ＧＩの一部領域に半導体層ＡＣＴの一部を露出させるコンタクトホールＣＨが位置する。
層間絶縁膜ＩＬＤ上にドレイン電極ＤＥとソース電極ＳＥが位置する。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＡＣＴのドレイン領域を露出するコンタクトホールＣＨを通じて半導体層ＡＣＴに連結され、ソース電極ＳＥは半導体層ＡＣＴのソース領域を露出するコンタクトホールＣＨを通じて半導体層ＡＣＴに連結される。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは単一層または多重層からなることができ、前記ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが単一層の場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つ、またはこれらの合金からなることができる。また、前記ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが多重層の場合には、モリブデン／アルミニウム−ネオジムの２重層、チタニウム／アルミニウム／チタニウム、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、またはモリブデン／アルミニウム−ネオジム／モリブデンの３重層からなることができる。
したがって、半導体層ＡＣＴ、ゲート電極ＧＡ、ドレイン電極ＤＥ、及びソース電極ＳＥを含む薄膜トランジスタＴＦＴが構成される。
薄膜トランジスタＴＦＴを含むプラスチック基板ＰＩ上にパッシベーション膜ＰＡＳが位置する。パッシベーション膜ＰＡＳは下部の素子を保護する絶縁膜であって、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。パッシベーション膜ＰＡＳ上にカラーフィルタＣＦが位置する。カラーフィルタＣＦは，有機発光ダイオードＯＬＥＤで発光する白色の光を赤色、緑色、または青色に変換する役割をする。カラーフィルタＣＦ上にオーバーコート層ＯＣが位置する。オーバーコート層ＯＣは下部構造の段差を緩和させるための平坦化膜であって、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、アクリレート（acrylate）などの有機物からなる。オーバーコート層ＯＣは、前記有機物を液状形態にコーティングした後、硬化させるＳＯＧ（spin on glass）のような方法により形成できる。
オーバーコート層ＯＣの一部領域にはドレイン電極ＤＥを露出させるビヤホ―ルＶＩＡが位置する。オーバーコート層ＯＣ上に有機発光ダイオードＯＬＥＤが位置する。より詳しくは、オーバーコート層ＯＣ上に第１電極ＡＮＯが位置する。第１電極ＡＮＯは画素電極として作用し、ビヤホ―ルＶＩＡを通じて薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＥに連結される。第１電極ＡＮＯはアノードで、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、またはＺｎＯ（Zinc Oxide）などの透明導電物質からなることができる。第１電極ＡＮＯが反射電極の場合、第１電極ＡＮＯは反射層をさらに含む。反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、またはこれらの合金からなることができ、好ましくは、ＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）からなることができる。
第１電極ＡＮＯを含むプラスチック基板ＰＩ上に画素を区画するバンク層ＢＮＫが位置する。バンク層ＢＮＫは、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、アクリレート（acrylate）などの有機物からなる。バンク層ＢＮＫには第１電極ＡＮＯを露出させる画素定義部ＯＰが位置する。プラスチック基板ＰＩの前面には第１電極ＡＮＯにコンタクトする有機膜層ＥＭＬが位置する。有機膜層ＥＭＬは電子と正孔とが結合して発光する層であって、有機膜層ＥＭＬと第１電極ＡＮＯとの間に正孔注入層または正孔輸送層を含むことができ、有機膜層ＥＭＬ上に電子輸送層または電子注入層を含むことができる。
有機膜層ＥＭＬ上に第２電極ＣＡＴが位置する。第２電極ＣＡＴは表示領域部Ａ／Ａの前面に位置し、カソード電極に仕事関数の低いマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなることができる。第２電極ＣＡＴが透過電極の場合、光が透過できる程度に薄い厚さでなされ、反射電極の場合、光が反射できる程度に厚い厚さでなされる。
一方、本発明の有機発光表示装置は複数の行に配列されて互いに離隔した有機膜層を含む。
図８は本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の平面を示す図であり、図９は図８の一部を拡大した図であり、図１０は図９の切取り線Ｉ−Ｉ’により切り取った断面図であり、図１１は本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置が曲がることを示す図であり、図１２は本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の平面を示す図であり、図１３は本発明の第１実施形態に係る有機膜層を製造するためのマスクを示す図である。
図８を参照すると、有機発光表示装置は、表示部Ａ／Ａ及び非表示部Ｎ／Ａを含むプラスチック基板ＰＩと、表示部Ａ／Ａに配列され、各々発光部ＬＥＰを含む複数のサブピクセル（図示せず）と、非表示部Ｎ／Ａの一側に軟性回路基板ＦＰＣが付着されたデータパッド部ＤＰを含む。表示部Ａ／Ａは複数のサブピクセル（図示せず）の発光部ＬＥＰが配置され、かつ複数のサブピクセルの発光部ＬＥＰと重畳する有機膜層ＯＬＥが配置される。有機膜層ＯＬＥは互いに離隔した複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎからなり、複数の発光部ＬＥＰと重畳する。この際、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎは表示部Ａ／Ａの一側から他側まで連続して延びてなされる。有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの長軸方向（ｘ軸）はデータパッド部ＤＰの長軸方向（ｘ軸）と並んで配置される。有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎは一定の距離だけ離隔して、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間に離隔領域ＧＡＰが形成される。有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎが一側から他側まで連続して延びてなされることによって、前記離隔領域ＧＡＰも表示部Ａ／Ａの一側から他側まで連続して延びてなされる。
より詳しくは、図９を参照すると、プラスチック基板ＰＩの表示部Ａ／Ａに複数のサブピクセルＳＰが配置される。複数のサブピクセルＳＰは、白色（Ｗ）、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）、及び赤色（Ｒ）の光を放出することができる。複数のサブピクセルＳＰはｘ軸方向に配置された複数の行ＳＰ１〜ＳＰｎに配列される。また、複数のサブピクセルＳＰは、各々光を発光する発光部ＬＥＰと、サブピクセルＳＰを駆動するためのトランジスタとキャパシタなどが備えられた駆動部ＤＲＰを含む。
本発明の有機膜層ＯＬＥは互いに離隔した複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎからなり、複数の発光部ＬＥＰと重畳する。有機膜層ＯＬＥの第１行ＯＬＥ１は、複数のサブピクセルＳＰの第１行ＳＰ１の発光部ＬＥＰと重畳し、有機膜層ＯＬＥの第２行ＯＬＥ２は複数のサブピクセルＳＰの第２行ＳＰ２の発光部ＬＥＰと重畳し、有機膜層ＯＬＥの第ｎ行ＯＬＥｎは複数のサブピクセルＳＰの第ｎ行ＳＰｎの発光部ＬＥＰと重畳して配置される。
有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎは一定の距離だけ離隔して、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間に離隔領域ＧＡＰが形成される。離隔領域ＧＡＰは互いに隣接したサブピクセルＳＰで各々の発光部ＬＥＰの間の長さだけ最大になされることができる。仮に、離隔領域ＧＡＰが発光部ＬＥＰの一部に重畳すれば、重畳した領域は光が発光できなくなる。したがって、離隔領域ＧＡＰはサブピクセルＳＰの発光部ＬＥＰとは重畳しないように離隔することが好ましく、サブピクセルＳＰの駆動部ＤＲＰに重畳することが好ましい。離隔領域ＧＡＰの長軸方向（ｘ軸）は有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの長軸方向（ｘ軸）と並んで配置される。
図９を参照して、有機膜層ＯＬＥの第１行ＯＬＥ１と第２行ＯＬＥ２、そして離隔領域ＧＡＰの断面構造を説明する。以下、前述した図６と重複する説明は省略する。
複数のサブピクセルのうち、第１行ＳＰ１と第２行ＳＰ２に該当するサブピクセルは、各々発光部ＬＥＰ及び駆動部ＤＲＰを含む。第１行ＳＰ１のサブピクセル上に有機膜層の第１行ＯＬＥ１が位置し、第２行ＳＰ２のサブピクセル上に有機膜層の第２行ＯＬＥ２が位置する。バンク層ＢＮＫは、第１行ＳＰ１と第２行ＳＰ２に該当するサブピクセルの各発光部ＬＥＰを区画して、バンク層ＢＮＫは発光部ＬＥＰを除外した残りの領域に位置する。有機膜層の第１行ＯＬＥ１と第２行ＯＬＥ２は、バンク層ＢＮＫ上で一定の距離だけ離隔して離隔領域ＧＡＰを形成する。バンク層ＢＮＫが発光部ＬＥＰを除外した残りの領域に位置しており、切取り線により切断された面に第１行ＳＰ１のサブピクセルの駆動部ＤＲＰが位置するので、バンク層ＢＮＫは駆動部ＤＲＰ上に位置することができる。したがって、有機膜層ＯＬＥの第１行ＯＬＥ１と第２行ＯＬＥ２が離隔した離隔領域ＧＡＰは、駆動部ＤＲＰと重畳するように位置するようになる。
また、離隔領域ＧＡＰには上部の第２電極ＣＡＴが覆われるようになって、第２電極ＣＡＴがバンク層ＢＮＫと接触するようになる。したがって、接着力の低い有機膜層ＯＬＥより接着力に優れるバンク層ＢＮＫに第２電極ＣＡＴを一部接着させて第２電極ＣＡＴの接着力が向上できる。
前述した本発明は、データパッド部の長軸方向と並んでいる複数の行で有機膜層を形成することを開示した。図１１を参照すると、本発明の有機発光表示装置は柔軟なプラスチック基板ＰＩに形成されて一方向に曲がることができ、有機発光表示装置が曲がる方向はデータパッド部の長軸方向（ｘ軸）と垂直な方向（ｙ軸）である。また、有機発光表示装置が曲がる方向は有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの長軸方向（ｘ軸）と垂直な方向（ｙ軸）でありうる。図２で説明したように、有機発光表示装置が曲がれば有機膜層にストレスが加えられる。しかしながら、本発明は有機発光表示装置が曲がる方向と垂直な方向に有機膜層を複数の行に形成することによって、有機膜層の複数の行に加えられるストレスを格段に減らすことができる。
図１３を参照すると、前述した本発明の有機膜層は、複数のスリットＳＬがフレームＦＲに形成されたマスクＯＰとして形成できる。複数のスリットＳＬは有機膜層の複数の行に対応し、複数のスリットＳＬが離隔した離隔領域ＳＬＧは有機膜層の複数の行の間隔に対応する。したがって、有機膜材料のうちの一部は複数のスリットＳＬの間の離隔領域ＳＬＧにより遮断されてプラスチック基板上に蒸着されず、他の一部は複数のスリットＳＬを通じてプラスチック基板上に蒸着されて複数の行からなる有機膜層を形成する。
前述した実施形態において、有機膜層の行は有機膜層の行の長軸方向と垂直な方向に配置された１つのサブピクセルを周期にして離隔したものを例に挙げた。即ち、サブピクセルの１つの行毎に有機膜層の１つの行が１：１に対応することと説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、図１２に示すように、有機膜層の行は有機膜層の行の長軸方向と垂直な方向に配置された２つのサブピクセルを周期にして離隔されることもできる。また、図示してはいないが、有機膜層の行は有機膜層の行の長軸方向と垂直な方向に配置された３個以上のサブピクセルを周期にして離隔することもできる。
＜第２実施形態＞
図１４は本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置を示す図であり、図１５は図１４の切取り線ＩＩ−ＩＩ’により切り取った断面図である。以下、前述した第１実施形態と同一な構成に対して同一な図面符号を付けて、その説明を省略または簡単にする。
図１４を参照すると、プラスチック基板ＰＩの表示部Ａ／Ａに複数のサブピクセルＳＰが配置される。複数のサブピクセルＳＰはｘ軸方向に配置された複数の行ＳＰ１〜ＳＰｎに配列される。有機膜層ＯＬＥは互いに離隔した複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎからなり、複数の発光部ＬＥＰと重畳する。有機膜層ＯＬＥの第１行ＯＬＥ１は複数のサブピクセルＳＰの第１行ＳＰ１の発光部ＬＥＰと重畳し、有機膜層ＯＬＥの第２行ＯＬＥ２は複数のサブピクセルＳＰの第２行ＳＰ２の発光部ＬＥＰと重畳し、有機膜層ＯＬＥの第ｎ行ＯＬＥｎは複数のサブピクセルＳＰの第ｎ行ＳＰｎの発光部ＬＥＰと重畳して配置される。
本発明の第２実施形態では有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間に位置する有機膜パターンＯＬＰをさらに含む。より詳しくは、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎが互いに離隔し、複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎは離隔領域ＧＡＰだけ互いに離隔して配置される。この際、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間の離隔領域ＧＡＰの内に有機膜パターンＯＬＰが位置する。有機膜パターンＯＬＰは上部に位置する第２電極の有効接触面積を向上させる役割をする。また、有機膜パターンＯＬＰは有機膜層ＯＬＥと同一な材料で同一なマスクを用いて形成されるものであって、発光しないダミーパターンの役割をする。したがって、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間に位置した有機膜パターンＯＬＰはサブピクセルＳＰの発光部ＬＥＰとは重畳しないように離隔することが好ましく、サブピクセルＳＰの駆動部ＤＲＰに重畳することが好ましい。
有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間に位置した有機膜パターンＯＬＰは、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの長軸方向（ｘ軸）と並んで配置される。また、有機膜パターンＯＬＰは有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎのように表示部の一側から他側まで連続して延びてなされることができる。一方、有機膜パターンＯＬＰはドット（dot）のように不連続的になされることもできる。また、本実施形態における有機膜パターンＯＬＰは有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間に１つずつ位置するものとして図示及び説明したが、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの長軸方向（ｘ軸）と垂直な方向に２つ以上配置されることもできる。
有機膜パターンＯＬＰによって、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの間の離隔領域ＧＡＰは、有機膜層ＯＬＥの第１行ＯＬＥ１と有機膜パターンＯＬＰとの間の第１離隔領域ＧＡＰ１と、有機膜層ＯＬＥの第２行ＯＬＥ２と有機膜パターンＯＬＰとの間の第２離隔領域ＧＡＰ２を含む。図面では第１離隔領域ＧＡＰ１と第２離隔領域ＧＡＰ２が同一なものとして図示したが、これに限定されるものではなく、互いに異なっても関係ない。有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎと有機膜パターンＯＬＰが離隔した第１及び第２離隔領域ＧＡＰ１、ＧＡＰ２の長軸方向（ｘ軸）は、有機膜層ＯＬＥの複数の行ＯＬＥ１〜ＯＬＥｎの長軸方向（ｘ軸）と並んで配置される。
図１５を参照すると、第１行ＳＰ１のサブピクセル上に有機膜層の第１行ＯＬＥ１が位置し、第２行ＳＰ２のサブピクセル上に有機膜層の第２行ＯＬＥ２が位置する。バンク層ＢＮＫは第１行ＳＰ１と第２行ＳＰ２に該当するサブピクセルの各発光部ＬＥＰを区画して、バンク層ＢＮＫは発光部ＬＥＰを除外した残りの領域に位置する。有機膜層の第１行ＯＬＥ１と第２行ＯＬＥ２はバンク層ＢＮＫ上で離隔領域ＧＡＰだけ互いに離隔し、離隔領域ＧＡＰに有機膜パターンＯＬＰが位置する。バンク層ＢＮＫが駆動部ＤＲＰ上に位置するので、有機膜パターンＯＬＰは駆動部ＤＲＰと重畳するように位置する。
有機膜層の第１行ＯＬＥ１と有機膜パターンＯＬＰは第１離隔領域ＧＡＰ１だけ離隔し、有機膜層の第２行ＯＬＥ２と有機膜パターンＯＬＰは第２離隔領域ＧＡＰ２だけ離隔する。有機膜層ＯＬＥの第１行ＯＬＥ１と第２行ＯＬＥ２が離隔しながら形成された第１及び第２離隔領域ＧＡＰ１、ＧＡＰ２には上部の第２電極ＣＡＴが覆われるようになって、第２電極ＣＡＴがバンク層ＢＮＫと一部接触しながら有機膜パターンＯＬＰと接触するようになる。したがって、接着力に優れるバンク層ＢＮＫに第２電極ＣＡＴを一部接着させ、有機膜パターンＯＬＰの側面と上面に第２電極ＣＡＴを接着させて有効接着面積を増加させることによって、第２電極ＣＡＴの接着力が向上できる。
前述したように、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、データパッド部の長軸方向と並んでいる複数の行で有機膜層を形成することによって、曲がる方向に作用するストレスにより有機膜層が剥離されることを防止することができる利点がある。また、本発明は有機膜層の複数の行が離隔することによって、第２電極とバンク層を接触させて第２電極の接着力を向上させることができる。したがって、本発明の有機発光表示装置は駆動不良を防止することができる利点がある。
以下、本発明の比較例及び実施形態に係る有機膜層の特性に対して実験したデータを説明する。
＜比較例＞
２０μｍの厚さでＰＩ基板上にＴＦＴアレイを形成し、１μｍの厚さで有機膜層と第２電極を形成し、２０μｍの厚さでエンカプセレーションして有機発光表示装置を設計した。
＜実施形態１＞
前述した比較例と同一な工程条件下に、有機膜層を複数のパターンに形成したもののみを異にして有機発光表示装置を設計した。
前述した比較例及び実施形態１に係る有機発光表示装置を制限要素分析（ＦＥＭ）シミュレーションを通じて一定曲率で有機発光表示装置を曲がってストレスを測定した。比較例及び実施形態１の有機発光表示装置の構造、センター領域のストレス値、及びＦＥＭシミュレーションイメージを図１６に示す。
図１６を参照すると、単一パターン構造の有機膜層が形成された比較例は有機膜層の全領域で強いストレスが示され、センター領域のストレス値が７．７Ｍｐａとして示された。一方、複数のパターン構造の有機膜層が形成された実施形態１は有機膜層の全領域で顕著に低いストレスが示され、センター領域のストレス値が０．３〜１．１Ｍｐａとして示された。
この結果を通じて、有機膜層が単一パターン構造より複数のパターン構造からなることによって、曲がりに伴うストレスを格段に減らすことができるということが分かる。したがって、本発明は複数の行で有機膜層を形成して曲がり伴うストレスを格段に減らすことができることを確認することができた。
＜実施形態２＞
前述した図９の有機発光表示装置を製造した。この際、有機膜層の行が離隔した距離を２０μｍにして１０個のサブピクセルから１００個のサブピクセルに周期を増やしながら有機膜層の接着力の増加率を測定して図１７に示した。この際、接着力の増加率は有機膜層が１つのパターンからなる構造（比較例の構造）に対比した増加率である。
図１７を参照すると、有機膜層の行が１０個のサブピクセルから１００個のサブピクセルに周期が増えるほど有機膜層の接着力の増加率が比例的に向上することと示された。特に、１００個のサブピクセルを周期で有機膜層の行が形成された場合、接着力の増加率が５７．３％として示された。
この結果を通じて、有機膜層を複数の離隔した行で形成することによって、有機膜層の接着力が格段に向上できることを確認することができた。
前述したように、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、データパッド部の長軸方向と並んでいる複数の行で有機膜層を形成することによって、曲がる方向に作用するストレスにより有機膜層が剥離されることが防止できる利点がある。また、本発明は有機膜層の複数の行が離隔することによって、第２電極とバンク層を接触させて第２電極の接着力を向上させることができる。したがって、本発明の有機発光表示装置は駆動不良が防止できる利点がある。
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、以上に例示していない多様な変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、実施形態に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができる。そして、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
本特許出願は、２０１６年８月２６日付けで韓国に出願した特許出願番号第１０−２０１６−０１０９１３３号に対して優先権を主張し、その全ての内容は参考文献として本特許出願に併合される。
Claims (13)
- 表示部と前記表示部の他の非表示部を含むプラスチック基板と、
前記非表示部の一側に配置され、軟性回路基板が付着されるデータパッド部と、を含み、
前記表示部は、前記表示部上に位置し、少なくとも有機膜層を含む有機発光ダイオードが各々備えられた複数のサブピクセルを含み、
前記有機膜層は、前記表示部の一側から他側まで連続してなり、かつ互いに離隔した複数の行に配列され、前記複数の行は前記データパッド部と並んでいる、表示装置。 - 前記複数のサブピクセルは各々発光部及び駆動部を含み、
前記有機膜層は前記発光部の全体に重畳する、請求項１に記載の表示装置。 - 前記有機膜層の複数の行の間に前記有機膜層の複数の行が離隔した離隔領域が位置する、請求項２に記載の表示装置。
- 前記離隔領域は、前記駆動部と重畳し、かつ前記発光部と重畳しない、請求項３に記載の表示装置。
- 前記離隔領域は、前記有機膜層の複数の行の長軸方向と垂直な方向に少なくとも１つ以上位置する、請求項４に記載の表示装置。
- 前記有機膜層の複数の行のうち、隣接した２つの間に位置する少なくとも１つの有機膜パターンをさらに含み、
前記有機膜パターンは、前記有機膜層の複数の行と並んで配置される、請求項１に記載の表示装置。 - 前記有機膜パターンは隣接した前記有機膜層の複数の行と離隔した、請求項６に記載の表示装置。
- 前記表示装置は、前記データパッド部の長軸方向と垂直の方向に曲がる、請求項１に記載の表示装置。
- 前記有機膜層の複数の行の長軸方向は前記データパッド部の長軸方向と並んでいる、請求項１に記載の表示装置。
- 前記有機膜層の行は前記有機膜層の行の長軸方向と垂直な方向に配置された前記少なくとも１つ以上のサブピクセルを周期で離隔した、請求項１に記載の表示装置。
- 前記有機発光ダイオードは白色を発光する、請求項１に記載の表示装置。
- 表示部と前記表示部の他の非表示部を含むプラスチック基板と、
前記非表示部の一側に配置され、軟性回路基板が付着されるデータパッド部と、を含み、
前記表示部は、前記表示部上に位置し、少なくとも有機膜層を含む有機発光ダイオードが各々備えられた複数のサブピクセルを含み、
前記有機膜層は、前記表示部の一側から他側まで連続してなり、かつ互いに離隔した複数の行に配列され、前記複数の行は前記データパッド部と並んでおり、
前記有機発光ダイオードは白色を発光する、表示装置。 - 前記表示部に位置して前記有機発光ダイオードで発光された白色を他の色に変換するカラーフィルタをさらに含む、請求項１２に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2016-0109133 | 2016-08-26 | ||
| KR1020160109133A KR101857868B1 (ko) | 2016-08-26 | 2016-08-26 | 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018032840A true JP2018032840A (ja) | 2018-03-01 |
| JP6461896B2 JP6461896B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=61166992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016251389A Active JP6461896B2 (ja) | 2016-08-26 | 2016-12-26 | 表示装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10403684B2 (ja) |
| JP (1) | JP6461896B2 (ja) |
| KR (1) | KR101857868B1 (ja) |
| CN (1) | CN107785392B (ja) |
| DE (1) | DE102016125867B4 (ja) |
| TW (1) | TWI660499B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101857868B1 (ko) * | 2016-08-26 | 2018-06-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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-
2016
- 2016-08-26 KR KR1020160109133A patent/KR101857868B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-26 JP JP2016251389A patent/JP6461896B2/ja active Active
- 2016-12-28 CN CN201611237560.4A patent/CN107785392B/zh active Active
- 2016-12-28 TW TW105143680A patent/TWI660499B/zh active
- 2016-12-29 DE DE102016125867.9A patent/DE102016125867B4/de active Active
- 2016-12-29 US US15/394,124 patent/US10403684B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-22 US US16/518,404 patent/US11437439B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107785392A (zh) | 2018-03-09 |
| US10403684B2 (en) | 2019-09-03 |
| DE102016125867A1 (de) | 2018-03-01 |
| TWI660499B (zh) | 2019-05-21 |
| US11437439B2 (en) | 2022-09-06 |
| KR20180024095A (ko) | 2018-03-08 |
| US20180061906A1 (en) | 2018-03-01 |
| JP6461896B2 (ja) | 2019-01-30 |
| CN107785392B (zh) | 2022-05-31 |
| TW201807816A (zh) | 2018-03-01 |
| US20190341432A1 (en) | 2019-11-07 |
| KR101857868B1 (ko) | 2018-06-21 |
| DE102016125867B4 (de) | 2024-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180409 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180628 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180702 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180704 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180705 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181226 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |