JP2018031705A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するために、本発明は、負荷電流を制御するメインスイッチング素子（Ｍｔｒ）と、メインスイッチング素子にカレントミラー接続されて負荷電流に相関するセンス電流が流れるセンススイッチング素子（Ｓｔｒ）と、を備え、
メインスイッチング素子は、出力端子として互いの間を電流が流れる第１端子（Ｔ１）および第２端子（Ｔ２）を有し、センススイッチング素子は、第１端子に接続される第３端子（Ｔ３）と、第３端子との間でセンス電流が流れる第４端子（Ｔ４）と、を有し、
第４端子に接続され、第４端子の電位を検出するためのセンス抵抗（２３）を備えた半導体装置であって、
さらに、第２端子および第４端子がそれぞれ入力端子に接続されるオペアンプ（ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ３，ＯＰ４）を備え、
オペアンプは、オペアンプの出力がオペアンプの入力端子にフィードバックするように構成されつつ、そのフィードバック経路にセンス抵抗を含むようにされ、
さらに、オペアンプには、第１端子よりも高い電圧（ＶＨ）が供給可能にされており、
第１端子の電位と第２端子の電位との大小関係、あるいは、第１端子の電位と第４端子の電位との大小関係に応じてセンス抵抗に流れるセンス電流の方向が切り替え可能にされ、
オペアンプは、第１オペアンプ（ＯＰ１）と第２オペアンプ（ＯＰ２）とを含み、
第１オペアンプは、第４端子が非反転入力端子に接続され、第２端子が反転入力端子に接続され、第１オペアンプの出力に応じて、非反転入力端子から第１端子よりも電位の低い基準電位に向かってセンス抵抗を介して電流が流れるようにされ、
第２オペアンプは、第１端子よりも高い電圧が供給されつつ第１オペアンプに並列に接続されるものであり、第２端子が非反転入力端子に接続され、第４端子が反転入力端子に接続され、第２オペアンプの出力に応じて、第１端子よりも電位の高い高電圧源から反転入力端子に向かってセンス抵抗を介して電流が流れるようにされ、
第１端子の電位が第２端子よりも高電位のとき、第１オペアンプが有効にされるとともに第２オペアンプが無効にされ、
第１端子の電位が第２端子よりも低電位のとき、第１オペアンプが無効にされるとともに第２オペアンプが有効にされる。

Claims (2)

1. 負荷電流を制御するメインスイッチング素子（Ｍｔｒ）と、前記メインスイッチング素子にカレントミラー接続されて前記負荷電流に相関するセンス電流が流れるセンススイッチング素子（Ｓｔｒ）と、を備え、
   前記メインスイッチング素子は、出力端子として互いの間を電流が流れる第１端子（Ｔ１）および第２端子（Ｔ２）を有し、
   前記センススイッチング素子は、前記第１端子に接続される第３端子（Ｔ３）と、前記第３端子との間で前記センス電流が流れる第４端子（Ｔ４）と、を有し、
   前記第４端子に接続され、前記第４端子の電位を検出するためのセンス抵抗（２３）を備えた半導体装置であって、
   さらに、前記第２端子および前記第４端子がそれぞれ入力端子に接続されるオペアンプ（ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ３，ＯＰ４）を備え、
   前記オペアンプは、前記オペアンプの出力が前記オペアンプの入力端子にフィードバックするように構成されつつ、そのフィードバック経路に前記センス抵抗を含むようにされ、
   さらに、前記オペアンプには、前記第１端子よりも高い電圧（ＶＨ）が供給可能にされており、
   前記第１端子の電位と前記第２端子の電位との大小関係、あるいは、前記第１端子の電位と前記第４端子の電位との大小関係に応じて前記センス抵抗に流れる前記センス電流の方向が切り替え可能にされ、
   前記オペアンプは、第１オペアンプ（ＯＰ１）と第２オペアンプ（ＯＰ２）とを含み、
   前記第１オペアンプは、前記第４端子が非反転入力端子に接続され、前記第２端子が反転入力端子に接続され、前記第１オペアンプの出力に応じて、非反転入力端子から前記第１端子よりも電位の低い基準電位に向かって前記センス抵抗を介して電流が流れるようにされ、
   前記第２オペアンプは、前記第１端子よりも高い電圧が供給されつつ前記第１オペアンプに並列に接続されるものであり、前記第２端子が非反転入力端子に接続され、前記第４端子が反転入力端子に接続され、前記第２オペアンプの出力に応じて、前記第１端子よりも電位の高い高電圧源から反転入力端子に向かって前記センス抵抗を介して電流が流れるようにされ、
   前記第１端子の電位が前記第２端子よりも高電位のとき、前記第１オペアンプが有効にされるとともに前記第２オペアンプが無効にされ、
   前記第１端子の電位が前記第２端子よりも低電位のとき、前記第１オペアンプが無効にされるとともに前記第２オペアンプが有効にされる半導体装置。
2. 負荷電流を制御するメインスイッチング素子（Ｍｔｒ）と、前記メインスイッチング素子にカレントミラー接続されて前記負荷電流に相関するセンス電流が流れるセンススイッチング素子（Ｓｔｒ）と、を備え、
   前記メインスイッチング素子は、出力端子として互いの間を電流が流れる第１端子（Ｔ１）および第２端子（Ｔ２）を有し、
   前記センススイッチング素子は、前記第１端子に接続される第３端子（Ｔ３）と、前記第３端子との間で前記センス電流が流れる第４端子（Ｔ４）と、を有し、
   前記第４端子に接続され、前記第４端子の電位を検出するためのセンス抵抗（２３）を備えた半導体装置であって、
   さらに、前記第２端子および前記第４端子がそれぞれ入力端子に接続されるオペアンプ（ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ３，ＯＰ４）を備え、
   前記オペアンプは、前記オペアンプの出力が前記オペアンプの入力端子にフィードバックするように構成されつつ、そのフィードバック経路に前記センス抵抗を含むようにされ、
   さらに、前記オペアンプには、前記第１端子よりも高い電圧（ＶＨ）が供給可能にされており、
   前記第１端子の電位と前記第２端子の電位との大小関係、あるいは、前記第１端子の電位と前記第４端子の電位との大小関係に応じて前記センス抵抗に流れる前記センス電流の方向が切り替え可能にされ、
   前記オペアンプ（ＯＰ３）の入力端子と、前記第２端子および前記第４端子と、の間に介在する第１スイッチ回路（３１）と、
   前記オペアンプの出力端子と、前記センス抵抗と、の間に介在する第２スイッチ回路（３２）と、を備え、
   前記第１スイッチ回路は、
   前記第２端子を、非反転入力端子および反転入力端子のいずれか一方に接続するとともに、前記第４端子を、前記第２端子が接続されない他方の入力端子に接続し、
   前記第２スイッチ回路は、
   前記第２端子が非反転入力端子に接続されるときには、前記オペアンプの出力に応じて、非反転入力端子から前記第１端子よりも電位の低い基準電位に向かって前記センス抵抗を介して電流が流れるようにするとともに、
   前記第２端子が反転入力端子に接続されるときには、前記オペアンプの出力に応じて、前記第１端子よりも電位の高い高電圧源から反転入力端子に向かって前記センス抵抗を介して電流が流れるようにする半導体装置。