JP2018026551A - トランジスタ、半導体装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
異なる電気特性を有するトランジスタを同一層上に設けることで、半導体装置の設計自由度を高めることができる。また、異なる電気特性を有するトランジスタを同一層上に設けることで、半導体装置の集積度を高めることができる。本実施の形態では、異なる電気特性を有するトランジスタを同一層上に設ける実施形態の一例を説明する。
図1(A)は、半導体装置1000を示す断面図である。半導体装置1000はトランジスタ100及びトランジスタ200を有する。トランジスタ100及びトランジスタ200は、異なる構成を有する。また、図1(A)では、基板400上に設けたトランジスタ100及びトランジスタ200の断面を示している。なお、図1(A)は、図2(A)にA1−A2の一点鎖線で示す部位と、図3(A)にB1−B2の一点鎖線で示す部位の断面図に相当する。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ100の構造について説明する。
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ100及びトランジスタ200を有する半導体装置1000に適用できる各構成要素について詳細に説明する。
基板400としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、又は導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの半導体基板、又は炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムなどからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。又は、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体又は半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体又は絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体又は絶縁体が設けられた基板などがある。又は、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
トランジスタを、水素などの不純物及び酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にすることができる。例えば、絶縁体401a、絶縁体401b、絶縁体408a、絶縁体408b、及び絶縁体415として、水素などの不純物及び酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。
導電体404a、導電体404b、導電体309a、導電体309b、導電体309c、導電体310a、導電体310b、導電体310c、導電体416a1、導電体416a2、導電体416b1、導電体416b2、導電体429a、導電体429b、導電体431a、導電体431b、導電体433a、導電体437a、導電体437b、導電体430a、導電体430b、導電体432a、導電体432b、導電体434a、導電体438a、及び導電体438bとしては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウムなどから選ばれた金属元素を1種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
酸化物406_1a、酸化物406_2a、酸化物406_3a、及び酸化物406_3bとしては、酸化物半導体を用いることが好ましい。ただし、シリコン(歪シリコン含む。)、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素、アルミニウムガリウムヒ素、インジウムリン、窒化ガリウム、又は有機半導体などを用いても構わない場合がある。
酸化物は、単結晶酸化物と、それ以外の非単結晶酸化物と、に分けられる。非単結晶酸化物としては、例えば、CAAC−OS(c−axis aligned crystalline oxide semiconductor)、多結晶酸化物、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)、及び非晶質酸化物などがある。
次に、図14(A)、図14(B)、及び図14(C)を用いて、本発明に係る酸化物が有するインジウム、元素M、及び亜鉛の原子数比の好ましい範囲について説明する。なお、図14(A)、図14(B)、及び図14(C)には、酸素の原子数比については記載しない。また、酸化物が有するインジウム、元素M、及び亜鉛の原子数比のそれぞれの項を[In]、[M]、及び[Zn]とする。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud−Aligned Composite)−OSの構成について説明する。
続いて、上記酸化物をトランジスタに用いる場合について説明する。
ここで、酸化物中における各不純物の影響について説明する。
続いて、当該酸化物を2層構造、又は3層構造とした場合について述べる。酸化物S1、酸化物S2、及び酸化物S3の積層構造、及び積層構造に接する絶縁体のバンド図と、酸化物S2及び酸化物S3の積層構造、及び積層構造に接する絶縁体のバンド図と、酸化物S1及び酸化物S2の積層構造、及び積層構造に接する絶縁体のバンド図と、について、図15を用いて説明する。
ここでは、図2及び図3と異なる構成のトランジスタ100A及びトランジスタ200Aについて説明する。
ここでは、図2及び図3と異なる構成のトランジスタ100B及びトランジスタ200Bについて説明する。
ここでは、図2及び図3と異なる構成のトランジスタ100C及びトランジスタ200Cについて説明する。
ここでは、図3と異なる構成のトランジスタ200Dについて説明する。
ここでは、図5と異なる構成のトランジスタ200Eについて説明する。
ここでは、図7と異なる構成のトランジスタ200Fについて説明する。
ここでは、図9と異なる構成のトランジスタ200Gについて説明する。
<半導体装置1000の作製方法>
以下では、本発明に係る図2のトランジスタ100及び図3のトランジスタ200を含む半導体装置1000の作製方法を、図16乃至図23を用いて説明する。図16乃至図23において、各図の(A)は、図2(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図である。また、各図の(B)は、図2(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。また、各図の(C)は、図3(A)に示す一点鎖線B1−B2に対応する断面図である。また、各図の(D)は、図3(A)に示す一点鎖線B3−B4に対応する断面図である。
<半導体装置の構成>
本実施の形態では、本明細書等に開示したトランジスタを用いた半導体装置の一例について説明する。
図25(A)に示す回路は、トランジスタ262のソース又はドレインの一方を、トランジスタ263のゲート及び容量素子258の一方の電極に接続した記憶素子251aの構成例を示している。また、図25(B)に示す回路は、トランジスタ262のソース又はドレインの一方を、容量素子258の一方の電極に接続した記憶素子261aの構成例を示している。
記憶素子251aの、情報の書き込み動作及び保持動作について説明する。まず、配線255の電位を、トランジスタ262がオン状態となる電位にする。これにより、配線254の電位がノード257に与えられる。すなわち、ノード257に所定の電荷が与えられる(書き込み動作)。ここでは、異なる二つの電位レベルを与える電荷(以下、「Lowレベル電荷」、「Highレベル電荷」ともいう。)のどちらかが与えられるものとする。その後、配線255の電位を、トランジスタ262がオフ状態となる電位とすることで、ノード257に電荷が保持される(保持動作)。
次に、情報の読み出し動作について説明する。配線252に、配線253の電位と異なる所定の電位(定電位)を与えた状態で、配線256に読み出し電位VRを与えると、ノード257に保持されている情報を読み出すことができる。
記憶素子261aの、情報の読み出し動作について説明する。配線255にトランジスタ262がオン状態になる電位が与えられると、浮遊状態である配線254と容量素子258とが導通し、配線254と容量素子258の間で電荷が再分配される。その結果、配線254の電位が変化する。配線254の電位の変化量は、ノード257の電位(又はノード257に蓄積された電荷)によって、異なる値をとる。
上記の記憶素子を用いた記憶装置の一例を、図26(A)及び図26(B)の回路図に示す。図26(A)に示す記憶装置300は、記憶回路350と電圧保持回路320を有する。図26(B)に示す記憶装置300aは、記憶回路350aと電圧保持回路320を有する。記憶回路350及び記憶回路350aは、複数の記憶素子を有する。図26(A)及び図26(B)では、3つの記憶素子261b(記憶素子261b_1乃至記憶素子261b_3)を有する場合を例示している。
<電子機器>
本発明の一態様に係る半導体装置は、様々な電子機器に用いることができる。図28に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いた電子機器の具体例を示す。
I2 絶縁体
S1 酸化物
S2 酸化物
S3 酸化物
100 トランジスタ
100A トランジスタ
100B トランジスタ
100C トランジスタ
101 基板
102 絶縁体
103 絶縁体
104 絶縁体
106 絶縁体
107 絶縁体
108 絶縁体
109 絶縁体
110 絶縁体
114 絶縁体
115 絶縁体
116 絶縁体
200 トランジスタ
200A トランジスタ
200B トランジスタ
200C トランジスタ
200D トランジスタ
200E トランジスタ
200F トランジスタ
200G トランジスタ
240 容量素子
241 導電体
242 絶縁体
243 導電体
244 導電体
245 導電体
251a 記憶素子
251b 記憶素子
252 配線
253 配線
254 配線
254_1 配線
254_2 配線
254_3 配線
255 配線
255_1 配線
255_2 配線
255_3 配線
256 配線
257 ノード
258 容量素子
259 配線
261a 記憶素子
261b 記憶素子
261b_1 記憶素子
261b_2 記憶素子
261b_3 記憶素子
262 トランジスタ
263 トランジスタ
264 配線
264_1 配線
264_2 配線
264_3 配線
281 トランジスタ
283 チャネル形成領域
284 低濃度p型不純物領域
285 高濃度p型不純物領域
286 絶縁体
287 導電体
288 側壁
300 記憶装置
300a 記憶装置
301 絶縁体
302 絶縁体
303 絶縁体
309a 導電体
309b 導電体
309c 導電体
310a 導電体
310b 導電体
310c 導電体
311a 導電体
311b 導電体
311c 導電体
320 電圧保持回路
321 端子
322 配線
323 トランジスタ
324 容量素子
350 記憶回路
350a 記憶回路
400 基板
401a 絶縁体
401b 絶縁体
402 絶縁体
404a 導電体
404b 導電体
406_1 酸化物
406_1a 酸化物
406_1b 酸化物
406_1c 酸化物
406_2 酸化物
406_2a 酸化物
406_2b 酸化物
406_2c 酸化物
406_3 酸化物
406_3a 酸化物
406_3b 酸化物
406W1 領域
406W2 領域
408a 絶縁体
408b 絶縁体
410 絶縁体
411 導電体
411a 導電体
411a1 導電体
411a2 導電体
411b 導電体
411b1 導電体
411b2 導電体
412 絶縁体
412a 絶縁体
412b 絶縁体
415 絶縁体
416 導電体
416a 導電体
416a1 導電体
416a2 導電体
416b1 導電体
416b2 導電体
417 バリア膜
417a バリア膜
417a1 バリア膜
417a2 バリア膜
417b バリア膜
417b1 バリア膜
417b2 バリア膜
418 絶縁体
421 レジスト
422 絶縁体
424 絶縁体
429a 導電体
429b 導電体
430a 導電体
430b 導電体
431a 導電体
431b 導電体
432a 導電体
432b 導電体
433a 導電体
434a 導電体
437a 導電体
437b 導電体
438a 導電体
438b 導電体
501 基板
503 絶縁体
504 絶縁体
505 絶縁体
514 素子分離層
516a 導電体
516b 導電体
517 バリア膜
521 導電体
522 導電体
523 導電体
524 導電体
525 導電体
526 導電体
527 導電体
528 導電体
529 導電体
530 半導体装置
531 絶縁体
532 絶縁体
533 絶縁体
534 絶縁体
535 絶縁体
536 絶縁体
537 絶縁体
538 絶縁体
539 絶縁体
604 導電体
610 導電体
710 導電体
1000 半導体装置
2900 携帯型ゲーム機
2901 筐体
2902 筐体
2903 表示部
2904 表示部
2905 マイクロホン
2906 スピーカ
2907 操作スイッチ
2908 スタイラス
2910 情報端末
2911 筐体
2912 表示部
2913 カメラ
2914 スピーカ部
2915 操作スイッチ
2916 外部接続部
2917 マイク
2920 ノート型パーソナルコンピュータ
2921 筐体
2922 表示部
2923 キーボード
2924 ポインティングデバイス
2940 ビデオカメラ
2941 筐体
2942 筐体
2943 表示部
2944 操作スイッチ
2945 レンズ
2946 接続部
2950 情報端末
2951 筐体
2952 表示部
2960 情報端末
2961 筐体
2962 表示部
2963 バンド
2964 バックル
2965 操作スイッチ
2966 入出力端子
2967 アイコン
2980 自動車
2981 車体
2982 車輪
2983 ダッシュボード
2984 ライト
Claims (24)
- 第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁体と、
前記第1のゲート絶縁体上の第1の酸化物及び第2の酸化物と、
前記第1の酸化物上の第1の導電体と、
前記第2の酸化物上の第2の導電体と、
前記第1のゲート絶縁体と、前記第1の酸化物及び前記第1の導電体と、前記第2の酸化物及び前記第2の導電体と、を覆うような第3の酸化物と、
前記第3の酸化物上の第2のゲート絶縁体と、
前記第2のゲート絶縁体上の第2のゲート電極と、を有し、
前記第2のゲート電極の端部は、チャネル長方向において、前記第1の導電体の端部と前記第2の導電体の端部の間に位置することを特徴とするトランジスタ。 - 第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁体と、
前記第1のゲート絶縁体上の第1の酸化物及び第2の酸化物と、
前記第1の酸化物上の第1の導電体と、
前記第2の酸化物上の第2の導電体と、
前記第1のゲート絶縁体と、前記第1の酸化物及び前記第1の導電体と、前記第2の酸化物及び前記第2の導電体と、を覆うような第3の酸化物と、
前記第3の酸化物上の第2のゲート絶縁体と、
前記第2のゲート絶縁体上の第2のゲート電極と、を有し、
前記第2のゲート電極は、前記第1の導電体と重なる領域を有さず、
前記第2のゲート電極は、前記第2の導電体と重なる領域を有することを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ。 - 前記第1の導電体及び前記第2の導電体それぞれの一方の端部において、前記第1の導電体及び前記第2の導電体の側面と、前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物の側面とは面一ではなく、
前記第1の導電体と、前記第2の導電体と、の間の長さの方が、前記第1の酸化物と、前記第2の酸化物と、の間の長さよりも長く、
前記第1の導電体及び前記第2の導電体それぞれの他方の端部において、前記第1の導電体及び前記第2の導電体の側面は、前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物の側面と面一であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のトランジスタ。 - 前記第3の酸化物は、チャネル形成領域として機能し、
前記第1の導電体は、ソース電極として機能し、
前記第2の導電体は、ドレイン電極として機能することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載のトランジスタ。 - 前記第1乃至第3の酸化物は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載のトランジスタ。
- 前記第1のゲート電極と、前記第2の導電体と、が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載のトランジスタ。
- 前記第1のゲート電極と、前記第2の導電体と、前記第2のゲート電極と、が電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載のトランジスタ。
- 前記第3の酸化物の、前記第2のゲート電極と重ならない前記第1の導電体側の領域は、
前記第3の酸化物の、前記第2のゲート電極と重なる領域よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載のトランジスタ。 - 第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有する半導体装置であって、
前記第1のトランジスタは、
第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁体と、
前記第1のゲート絶縁体上の第1の酸化物及び第2の酸化物と、
前記第1の酸化物上の第1の導電体と、
前記第2の酸化物上の第2の導電体と、
前記第1のゲート絶縁体と、前記第1の酸化物及び前記第1の導電体と、前記第2の酸化物及び前記第2の導電体と、を覆うような第3の酸化物と、
前記第3の酸化物上の第2のゲート絶縁体と、
前記第2のゲート絶縁体上の第2のゲート電極と、を有し、
前記第2のゲート電極は、前記第1の導電体と重なる領域を有さず、
前記第2のゲート電極は、前記第2の導電体と重なる領域を有し、
前記第2のトランジスタは、
第3のゲート電極と、
前記第3のゲート電極上の第3のゲート絶縁体と、
前記第3のゲート絶縁体上の第4の酸化物と、
前記第4の酸化物上の第3の導電体及び第4の導電体と、
前記第4の酸化物と、前記第3の導電体及び前記第4の導電体と、を覆うような第5の酸化物と、
前記第5の酸化物上の第4のゲート絶縁体と、
前記第4のゲート絶縁体上の第4のゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の導電体及び前記第2の導電体それぞれの一方の端部において、前記第1の導電体及び前記第2の導電体の側面と、前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物の側面とは面一ではなく、
前記第1の導電体と、前記第2の導電体と、の間の長さの方が、前記第1の酸化物と、前記第2の酸化物と、の間の長さよりも長く、
前記第1の導電体及び前記第2の導電体それぞれの他方の端部において、前記第1の導電体及び前記第2の導電体の側面は、前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物の側面と面一であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 前記第1乃至第5の酸化物は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第1のゲート電極と、前記第2の導電体と、が電気的に接続されていることを特徴とする請求項9乃至請求項11のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第1のゲート電極と、前記第2の導電体と、前記第2のゲート電極と、が電気的に接続されていることを特徴とする請求項9乃至請求項12のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第3の酸化物の、前記第2のゲート電極と重ならない前記第1の導電体側の領域は、
前記第3の酸化物の、前記第2のゲート電極と重なる領域よりも大きいことを特徴とする請求項9乃至請求項13のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物と前記第4の酸化物は、同じ組成を有し、
前記第3の酸化物と前記第5の酸化物は、同じ組成を有することを特徴とする請求項9乃至請求項14のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記第3の酸化物は、前記第1のトランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第1の導電体は、前記第1のトランジスタのソース電極として機能し、
前記第2の導電体は、前記第1のトランジスタのドレイン電極として機能し、
前記第4の酸化物は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第3の導電体は、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能し、
前記第4の導電体は、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能することを特徴とする請求項9乃至請求項15のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記第1のトランジスタの閾値電圧は、前記第2のトランジスタの閾値電圧よりも大きいことを特徴とする請求項9乃至請求項16のいずれか一に記載の半導体装置。
- 第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有する半導体装置であって、
前記第1のトランジスタは、
第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁体と、
前記第1のゲート絶縁体上の第1の酸化物及び第2の酸化物と、
前記第1の酸化物上の第1の導電体と、
前記第2の酸化物上の第2の導電体と、
前記第1のゲート絶縁体と、前記第1の酸化物及び前記第1の導電体と、前記第2の酸化物及び前記第2の導電体と、を覆うような第3の酸化物と、
前記第3の酸化物上の第2のゲート絶縁体と、を有し、
前記第2のトランジスタは、
第2のゲート電極と、
前記第2のゲート電極上の第3のゲート絶縁体と、
前記第3のゲート絶縁体上の第4の酸化物と、
前記第4の酸化物上の第3の導電体及び第4の導電体と、
前記第4の酸化物と、前記第3の導電体及び前記第4の導電体と、を覆うような第5の酸化物と、
前記第5の酸化物上の第4のゲート絶縁体と、
前記第4のゲート絶縁体上の第3のゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の導電体及び前記第2の導電体それぞれの一方の端部において、前記第1の導電体及び前記第2の導電体の側面と、前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物の側面とは面一ではなく、
前記第1の導電体と、前記第2の導電体と、の間の長さの方が、前記第1の酸化物と、前記第2の酸化物と、の間の長さよりも長く、
前記第1の導電体及び前記第2の導電体それぞれの他方の端部において、前記第1の導電体及び前記第2の導電体の側面は、前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物の側面と面一であることを特徴とする請求項18に記載の半導体装置。 - 前記第1乃至第5の酸化物は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項18又は請求項19に記載の半導体装置。
- 前記第1のゲート電極と、前記第2の導電体と、が電気的に接続されていることを特徴とする請求項18乃至請求項20のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第1の酸化物及び前記第2の酸化物と前記第4の酸化物は、同じ組成を有し、
前記第3の酸化物と前記第5の酸化物は、同じ組成を有することを特徴とする請求項18乃至請求項21のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記第3の酸化物は、前記第1のトランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第1の導電体は、前記第1のトランジスタのソース電極として機能し、
前記第2の導電体は、前記第1のトランジスタのドレイン電極として機能し、
前記第4の酸化物は、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第3の導電体は、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方として機能し、
前記第4の導電体は、前記第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方として機能することを特徴とする請求項18乃至請求項22のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記第1のトランジスタの閾値電圧は、前記第2のトランジスタの閾値電圧よりも大きいことを特徴とする請求項18乃至請求項23のいずれか一に記載の半導体装置。
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