JP2018010941A5 - - Google Patents

Description

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板の上でインプリント材を型（モールド）で成形し、インプリント材のパターンを基板の上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術と呼ばれる。インプリント技術によれば、基板の上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板の上のインプリント領域にインプリント材を塗布する。次に、インプリント材に型を押し付けて、型のパターン領域の凹部にインプリト材を充填させる。次に、インプリント材に紫外線を照射することによってインプリント材を硬化させることによって凹部に対応するパターンを形成する。次に、硬化したインプリント材から型を引き離すことにより、基板の上に、インプリント材のパターンが残る。

本発明の１つの側面は、型を用いて基板の上のインプリント材を成形するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記基板を保持し移動する基板ステージと、前記型を保持する型保持部と、前記型保持部の周辺に配置された周辺部材と、を備え、前記周辺部材の側面に、前記基板ステージが面しうる空間にガスを吹き出す吹き出し部が設けられている。

Claims (12)

1. 型を用いて基板の上のインプリント材を成形するインプリント装置であって、
   前記基板を保持し移動する基板ステージと、
   前記型を保持する型保持部と、
   前記型保持部の周辺に配置された周辺部材と、を備え、
   前記周辺部材の側面に、前記基板ステージが面しうる空間にガスを吹き出す吹き出し部が設けられている、
   ことを特徴とするインプリント装置。
2. 前記周辺部材は、前記基板ステージに対向する部分を含む下面と、前記型保持部の側の第１側面と、前記第１側面とは異なる第２側面とを有し、
   前記第２側面には、前記ガスを吹き出す吹き出し部が設けられている、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記型の側面に力を加えることによって前記型を変形させる型変形機構を更に備え、前記型変形機構は、前記型が配置される領域と前記第１側面との間に配置されている、
   ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記型保持部は、前記型の上面を吸着する吸着部を有する第１部分と、前記型の側面に対向する第２部分とを含み、前記周辺部材は、前記第１側面と前記型が配置される領域との間に前記第２部分が配置されるように構成されている、
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント装置。
5. 前記周辺部材の前記下面と前記基板ステージの上面との距離が１０ｍｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記吹き出し部は、前記第２側面に設けられた吹き出し口と、前記周辺部材の内部を通って前記吹き出し口に接続された流路とを含む、
   ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記吹き出し部は、前記第２側面に取り付けられた吹き出し口を含む、
   ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記吹き出し部は、前記第２側面が面している前記空間にガスを吹き出す、
   ことを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記型と前記基板との間の処理空間に第１ガスを供給する第１ガス供給部と、前記処理空間を取り囲む周辺空間に第２ガスを供給する第２ガス供給部とを更に備える、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 前記吹き出し部は、水平にガスを吹き出す、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
11. 前記吹き出し部は、斜め下方に向けてガスを吹き出す、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置によって基板の上にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
    を含み、前記加工が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。