JP2018010856A - 画素形成用組成物、硬化膜および硬化膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】塗布性に優れ、低屈折率でアウトガスの少ない硬化膜を形成でき、かつ、信頼性に優れる表示装置を形成することができる画素形成用組成物を提供すること。【解決手段】−ＣＦ2Ｒ（Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ1（Ｒ1は水素原子またはアルキル基））で表される基を含む構成単位（ａ１）と、酸性基を含む構成単位（ａ２）とを有する重合体（Ａ）および溶剤を含み、前記重合体（Ａ）１００質量％中の前記構成単位（ａ１）の含量が３１〜９５質量％である、画素形成用組成物。【選択図】なし

Description

本発明は、画素形成用組成物、硬化膜および硬化膜の製造方法に関する。

表示装置は、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ）素子やカラーフィルター等により画素を形成し、各画素の状態を変化させることで、数字、文字、図形、映像などを表示する電子装置である。

例えば、有機ＥＬ素子では、バンクと呼ばれる隔壁を形成し、そこに有機層を形成したり、カラーフィルターでは、隔壁を形成し、そこに各着色部分を形成する。
このような隔壁は、画素形成材料として、一般的に感放射線性材料を用いて形成されている（例えば、特許文献１および２）。

特開２０１１−１０７４７６号公報 特開２００５−６０５１５号公報

しかしながら、従来の画素形成材料は、所望形状の硬化膜を容易に形成できるだけの塗布性が十分ではなく、また、該材料を用いた場合には、低屈折率の硬化膜を形成できない場合があり、さらに、得られる表示装置の信頼性が十分ではない場合があった。

本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、塗布性に優れ、低屈折率でアウトガスの少ない硬化膜を形成でき、かつ、信頼性に優れる表示装置を形成することができる画素形成用組成物を提供することを課題とする。

本発明者らは前記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成により前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。本発明の構成例は、以下の通りである。

［１］ −ＣＦ₂Ｒ（Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基））で表される基を含む構成単位（ａ１）と、酸性基を含む構成単位（ａ２）とを有する重合体（Ａ）および溶剤を含み、
前記重合体（Ａ）１００質量％中の前記構成単位（ａ１）の含量が３１〜９５質量％である、
画素形成用組成物。

［２］ 前記重合体（Ａ）がさらに架橋性基を有する、［１］に記載の画素形成用組成物。

［３］ 前記構成単位（ａ１）が下記式（１）で表される基を含む、［１］または［２］に記載の画素形成用組成物。

（式（１）中、Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基）であり、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に、水素原子またはフッ素原子であり、Ａはエステル結合またはエーテル結合であり、ｎは１〜１０の整数である。＊は結合部位を表す。）

［４］ 前記架橋性基が、エチレン性不飽和基、含酸素飽和ヘテロ環基、ヒドロキシ基、活性水素を有するアミノ基、アミド結合、有機基で置換されていてもよいアルコキシシラン基、保護基で保護されたこれらの基、および、ブロックイソシアネート基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である、［２］または［３］に記載の画素形成用組成物。

［５］ 前記酸性基が、カルボキシル基、フェノール性水酸基、シラノール基、スルホン酸基および保護基で保護されたこれらの基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である、［１］〜［４］のいずれかに記載の画素形成用組成物。

［６］ 画素形成用組成物中の全固形分１００質量％に対し、前記重合体（Ａ）を２０〜８５質量％含有する、［１］〜［５］のいずれかに記載の画素形成用組成物。

［７］ さらに、前記重合体（Ａ）以外の、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物を含む、［１］〜［６］のいずれかに記載の画素形成用組成物。

［８］ 隔壁形成用である、［１］〜［７］のいずれかに記載の画素形成用組成物。

［９］ ［１］〜［８］のいずれかに記載の画素形成用組成物を用いて形成された、硬化膜。
［１０］ ［１］〜［８］のいずれかに記載の画素形成用組成物から塗膜を形成し、該塗膜に放射線を照射する工程を含む、硬化膜の製造方法。

本発明の画素形成用組成物は塗布性に優れ、該組成物によれば、低屈折率でアウトガスが少なく、撥液性の硬化膜を形成でき、かつ、信頼性に優れる表示装置を形成することができる。
また、本発明の画素形成用組成物は優れた塗布性を有し、低屈折率でアウトガスが少なく、撥液性の硬化膜を形成でき、さらに、高信頼性の表示装置を低コストで形成できるという効果をバランスよく有する。
なお、本発明において、表示装置の信頼性とは、例えば、形成した表示装置が所定の表示性を示し、所定の状態を維持することをいい、有機ＥＬ素子の場合には、具体的には、下記実施例における点灯評価、点灯ムラおよびアウトガスで評価できる。

図１は、本発明の画素形成用組成物から形成された硬化膜（隔壁）を含む装置の一例を示す概略断面模式図である。なお、図１は、図２（Ａ）のＡ−Ａ断面図の一部でもある。 図２（Ａ）は、実施例で形成した隔壁の概略平面図であり、図２（Ｂ）は、比較用有機ＥＬ素子における隔壁の概略平面図である。

〔画素形成用組成物〕
本発明に係る画素形成用組成物（以下「本組成物」ともいう。）は、−ＣＦ₂Ｒ（Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基））で表される基を含む構成単位（ａ１）を重合体１００質量％に対して３１〜９５質量％と、酸性基を含む構成単位（ａ２）とを有する重合体（Ａ）および溶剤を含む。
このような本組成物は、該重合体（Ａ）を含むため、優れた塗布性を有し、低屈折率でアウトガスが少なく、撥液性の硬化膜を形成でき、さらに、高信頼性の表示装置を低コストで形成できるという効果をバランスよく有する。
また、本組成物は、放射線感度が高く、所望形状の硬化膜を容易に形成することができる。

本組成物は、前記重合体（Ａ）および溶剤（Ｄ）を含めば特に制限されないが、感光剤（Ｂ）を含むことが好ましく、さらにエチレン性不飽和二重結合を有する重合体（Ａ）以外の化合物（Ｃ）を含むことが好ましい。
また、本組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分を含んでもよい。
なお、本組成物は、ポジ型であってもよく、ネガ型であってもよい。

［重合体（Ａ）］
前記重合体（Ａ）は、−ＣＦ₂Ｒ（Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基））で表される基を含む構成単位（ａ１）と、酸性基を含む構成単位（ａ２）とを有する。
重合体（Ａ）は、１種単独で用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

重合体（Ａ）は、前記構成単位（ａ１）と（ａ２）とを有する重合体（Ａ１）（但し、架橋性基を有さない重合体である。）であってもよく、前記構成単位（ａ１）と（ａ２）とを有し、さらに架橋性基を有する重合体（Ａ２）であってもよい。
優れた塗布性を有する組成物を容易に得ることができ、低屈折率で特にアウトガスの少ない硬化膜を形成でき、さらに、高信頼性であって、光の取り出し効率に優れる表示装置を低コストで形成できるという効果をバランスよく有する等の点から、重合体（Ａ）は、前記重合体（Ａ２）であることが好ましい。

重合体（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した値において、好ましくは２，０００〜５００，０００、より好ましくは３，０００〜１００，０００、さらに好ましくは４，０００〜５０，０００である。
Ｍｗが前記範囲にあると、溶剤や現像液に対する溶解性に優れる重合体を得ることができ、十分な機械的特性を有する硬化膜を得ることができる。
Ｍｗは具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。

重合体（Ａ）は、現像性に優れる重合体となり、本組成物から、所望の形状（パターン）の硬化膜を容易に形成することができる等の点から、アルカリ可溶性の重合体であることが好ましい。
なお、「アルカリ可溶性」とは、アルカリ溶液、例えば、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に溶解または膨潤可能であることを意味する。

重合体（Ａ）の含有量は、塗布性および放射線感度に優れる組成物が得られ、強度に優れ、低屈折率でアウトガスの少ない硬化膜を容易に形成でき、さらに、高信頼性の表示装置を低コストで形成できる等の点から、本組成物中の全固形分１００質量％に対し、好ましくは２０〜８５質量％、より好ましくは３０〜８０質量％、さらに好ましくは４０〜７５質量％である。

《構成単位（ａ１）》
構成単位（ａ１）は、−ＣＦ₂Ｒ（Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基））で表される基を含む構成単位である。
重合体（Ａ）が構成単位（ａ１）を含むことで、特に、低屈折率で撥液性の硬化膜を容易に形成でき、高信頼性の表示装置を容易に形成することができる。
重合体（Ａ）には、１種の構成単位（ａ１）が含まれていてもよく、２種以上の構成単位（ａ１）が含まれていてもよい。

前記−ＣＦ₂Ｒで表される基は、低屈折率で撥液性の硬化膜をより容易に形成でき、高信頼性の表示装置をより容易に形成することができる等の点から、下記式（１）で表される基であることが好ましい。

（式（１）中、Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基）であり、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に、水素原子またはフッ素原子であり、Ａはエステル結合またはエーテル結合であり、ｎは１〜１０の整数である。＊は結合部位を表す。）

前記ＲおよびＲ¹におけるアルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましい。
前記Ｒとしては、重合体（Ａ）の製造容易性、低屈折率の硬化膜をより容易に形成できる等の点から、水素原子が好ましい。

前記Ｒ²およびＲ³としては、少なくとも１つがフッ素原子であることが好ましい。

前記ｎとしては、塗布性に優れる組成物が得られること、低屈折率の硬化膜を容易に形成できること、および、光の取り出し効率に優れる表示装置を容易に形成できることにバランスよく優れる等の点から、好ましくは３〜８であり、より好ましくは４〜７であり、さらに好ましくは４〜６である。

前記式（１）で表される基としては、好ましくは、下記式（２）または（３）で表される基が挙げられる。

（式（２）および（３）中、ＡおよびＲはそれぞれ独立に、前記式（１）と同義であり、式（２）中、ｘは０〜２の整数であり、ｙは１〜８の整数であり、式（３）中、ｚは１〜５の整数である。）

重合体（Ａ）を合成する際に、例えば、−ＣＦ₂Ｒで表される基を有するモノマー（ａ−１）を用いることで、構成単位（ａ１）を有する重合体を容易に得ることができる。
モノマー（ａ−１）としては、特に制限されないが、例えば、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチル（メタ）アクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニル（メタ）アクリレートが挙げられる。
モノマー（ａ−１）は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

重合体（Ａ）における構成単位（ａ１）の割合は、重合体（Ａ）１００質量％に対して、３１〜９５質量％である。構成単位（ａ１）の割合がこの範囲にあると、本組成物は、優れた塗布性を有し、低屈折率でアウトガスが少なく、撥液性の硬化膜を形成でき、さらに、高信頼性の表示装置を低コストで形成できるという効果をバランスよく有する。
重合体（Ａ）における構成単位（ａ１）の割合は、好ましくは４０〜９０質量％、より好ましくは５０〜９０質量％、さらに好ましくは６０〜８５質量％である。構成単位（ａ１）の割合がこの範囲にあると、前記効果に加え、さらに、現像性に優れる硬化膜を形成することができる。

《構成単位（ａ２）》
構成単位（ａ２）は、酸性基を含む構成単位である。
重合体（Ａ）が構成単位（ａ２）を含むことで、現像性、特に、アルカリ溶液を用いた現像性に優れる重合体となるため、本組成物から、所望のパターンを容易に形成することができる。
重合体（Ａ）には、１種の構成単位（ａ２）が含まれていてもよく、２種以上の構成単位（ａ２）が含まれていてもよい。

前記酸性基としては、特に制限されないが、本組成物の保存下で、下記架橋性基と反応しない基であることが好ましく、アルカリ溶液、特に、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液への溶解性等の点から、カルボキシル基、フェノール性水酸基、シラノール基、スルホン酸基および保護基で保護されたこれらの基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基であることが好ましく、カルボキシル基、フェノール性水酸基、シラノール基およびスルホン酸基がより好ましい。

重合体（Ａ）を合成する際に、酸性基、好ましくはカルボキシル基、フェノール性水酸基、シラノール基、スルホン酸基または保護基で保護されたこれらの基を有するモノマー（ａ−２）を用いることで、構成単位（ａ２）を有する重合体を容易に得ることができる。
モノマー（ａ−２）は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

カルボキシル基を有するモノマー（ａ−２）としては、特に制限されないが、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸などのモノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸などのジカルボン酸；２−マレイノロイルオキシエチルメタクリレート、２−サクシノロイルオキシエチルメタクリレート、２−ヘキサヒドロフタロイルオキシエチルメタクリレートなどのカルボキシル基およびエステル結合を有するメタクリル酸誘導体が挙げられる。これらの中では、（メタ）アクリル酸、２−ヘキサヒドロフタロイルオキシエチルメタクリレートが好ましい。

フェノール性水酸基を有するモノマー（ａ−２）としては、特に制限されないが、例えば、３−ヒドロキシスチレン、４−ヒドロキシスチレン、ビニル−４−ヒドロキシベンゾエート、３−イソプロペニルフェノール、４−イソプロペニルフェノール等のフェノール性水酸基を有するビニル系モノマーが挙げられる。これらの中では４−イソプロペニルフェノールが好ましい。

スルホン酸基を有するモノマー（ａ−２）としては、特に制限されないが、例えば、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、４−スチレンスルホン酸、メタリルスルホン酸、２−（メタクリロイルオキシ）エタンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸が挙げられる。

保護基で保護された基を有するモノマー（ａ−２）としては、前記モノマー（ａ−２）に、従来公知の方法で保護基を結合させたモノマー等が挙げられる。
該保護基としては、従来公知の保護基が挙げられ、特に制限されないが、
カルボキシル基の保護基としては、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基またはベンジル基などのエステル形成基等が挙げられ、
フェノール性水酸基の保護基としては、メチル基、ベンジル基またはｔ−ブチル基などのエーテル形性基、メトキシメチル基などのアセタール形性基、アセチル基またはベンゾイル基などのアシル基、トリメチルシリル基またはｔ−ブチルジメチルシリル基などのシリルエーテル形性基等が挙げられる。

また、保護基で保護されたシラノール基を有するモノマー（ａ−２）としては、特に制限されないが、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジプロポキシシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジプロポキシシラン等のアルコキシシリル基含有ビニル系モノマーの加水分解物が挙げられる。

重合体（Ａ）における構成単位（ａ２）の割合は、重合体（Ａ）１００質量％に対して、好ましくは５〜６９質量％、より好ましくは１０〜６０質量％、さらに好ましくは１０〜４０質量％である。構成単位（ａ２）の割合がこの範囲にあると、本組成物は、優れた塗布性を有し、現像性に優れる低屈折率でアウトガスの少ない硬化膜を形成でき、さらに、高信頼性の表示装置を低コストで形成できるという効果をバランスよく有する。

《重合体（Ａ１）の合成方法》
重合体（Ａ１）は、前記モノマー（ａ−１）および（ａ−２）を用いて重合することで容易に得ることができる。また、重合体（Ａ１）の合成の際には、前記モノマー（ａ−１）および（ａ−２）以外のモノマー（ａ−３）を用いてもよい。
なお、重合体（Ａ１）は、前記モノマー（ａ−１）および任意でモノマー（ａ−３）を用いて重合体を合成した後、得られた重合体が酸性基を有するように、従来公知の方法で酸性基を導入してもよい。

前記モノマー（ａ−３）としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリル酸アルコキシエステル；シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸の脂環式基含有エステル；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸のアリール基含有エステル；トリフルオロメチルメチル（メタ）アクリレート、２−トリフルオロメチルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロエチルエチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロエチル−２−パーフルオロブチルエチル（メタ）アクリレート、パーフルオロエチル（メタ）アクリレート、パーフルオロメチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロメチル−２−パーフルオロエチルメチル（メタ）アクリレート、２−パーフルオロヘキシルエチル（メタ）アクリレート、ヘキサフルオロシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ヘキサフルオロイソボルニル（メタ）アクリレート、ヘキサフルオロベンジル（メタ）アクリレート等のフッ素原子含有（メタ）アクリレート；４−（１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ヒドロキシプロパン−２−イル）スチレン等のフッ素アルコール基含有化合物；スチレン、α−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレンなどのビニル基含有芳香族化合物類；１，３−ブタジエン、イソプレン、１，４−ジメチルブタジエンなどの共役ジオレフィン類；アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのニトリル基含有重合性化合物；Ｎ−フェニルマレイミドなどのイミド基含有重合性化合物が挙げられる。
モノマー（ａ−３）は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

重合体（Ａ）におけるモノマー（ａ−３）由来の構成単位の割合は、重合体（Ａ）１００質量％に対して、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下である。

前記モノマー（ａ−１）〜（ａ−３）の使用量は、該モノマー由来の構成単位の割合が前記範囲となるような量であることが好ましい。

重合体（Ａ１）は、例えば、前記モノマーのラジカル重合で合成することができる。ラジカル重合における重合触媒としては通常のラジカル重合開始剤が使用でき、例えば、２，２'−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物；過酸化水素が挙げられる。過酸化物をラジカル重合開始剤として使用する場合、過酸化物と還元剤とを組み合せてレドックス型の開始剤としてもよい。

《重合体（Ａ２）》
重合体（Ａ２）は、前記構成単位（ａ１）と（ａ２）とを有し、さらに架橋性基を有すれば特に制限されず、前記モノマー（ａ−１）および（ａ−２）、必要により前記モノマー（ａ−３）と、下記モノマー（ａ−４）とを用いることで得ることができる。
重合体（Ａ）が架橋性基を有することで、特に、アウトガスの少ない硬化膜を容易に形成でき、高信頼性の表示装置を容易に形成することができる。

重合体（Ａ）は、１種の架橋性基を有していてもよく、２種以上の架橋性基を有していてもよい。モノマー（ａ−４）は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

前記架橋性基としては、本組成物の保存下で、前記構成単位（ａ１）や（ａ２）と反応しない架橋性の基であることが好ましく、エチレン性不飽和基、含酸素飽和ヘテロ環基、ヒドロキシ基、活性水素を有するアミノ基、アミド結合、有機基で置換されていてもよいアルコキシシラン基、保護基で保護されたこれらの基、および、ブロックイソシアネート基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基であることが好ましく、含酸素飽和ヘテロ環基がより好ましい。

前記保護基としては、従来公知の保護基が挙げられ、具体的には、
ヒドロキシ基の保護基としては、前記フェノール性水酸基の保護基と同様の保護基が挙げられ、
アミノ基の保護基としては、ｔ−ブトキシカルボニル基またはベンジルオキシカルボニル基などのカルバメート形成基、ｐ−トルエンスルホニル基または２−ニトロベンゼンスルホニル基などのスルホンアミド形成基等が挙げられる。

含酸素飽和ヘテロ環基としては、環を構成する原子数が３〜７個の環状エーテル基が好ましく、具体的には、オキシラニル基、オキセタニル基、３，４−エポキシシクロヘキシル基、テトラヒドロフラニル基等を挙げることができる。中でも、反応性の観点から、オキシラニル基、オキセタニル基、３，４−エポキシシクロヘキシル基が好ましい。

モノマー（ａ−４）としては特に制限されず、分子内に架橋性基および重合性基、好ましくは（メタ）アクリロイルオキシ基をそれぞれ１つ以上有する化合物であることが望ましい。

含酸素飽和ヘテロ環基を有するモノマー（ａ−４）としては、好ましくは、下記式（１０）で表される化合物が挙げられる。

前記Ｒ⁴は水素原子またはメチル基である。

前記Ｒ⁵は、単結合、−（Ｃ₂Ｈ₄Ｏ）_q−（Ｃ₃Ｈ₆Ｏ）_r−（Ｃ₄Ｈ₈Ｏ）_s−で表される基または炭素数１〜１２の炭化水素基である。
該ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０〜９の整数を示す。但し、ｑ、ｒおよびｓが同時に０になることはない。
前記−Ｃ₂Ｈ₄Ｏ−基、−Ｃ₃Ｈ₆Ｏ−基および−Ｃ₄Ｈ₈Ｏ−基は、任意の順序で結合していてもよい。
なお、前記−Ｃ₂Ｈ₄Ｏ−基は、エチレンオキシ基およびエタン−１，１−ジイルオキシ基を包含する連結基を意味し、−Ｃ₃Ｈ₆Ｏ−基は、プロパン−１，１−ジイルオキシ基、プロパン−１，２−ジイルオキシ基、プロパン−１，３−ジイルオキシ基、プロパン−２，２−ジイルオキシ基を包含する連結基を意味し、−Ｃ₄Ｈ₈Ｏ−はブタン−１，２−ジイルオキシ基、ブタン−１，３−ジイルオキシ基、ブタン−１，４−ジイルオキシ基、ブタン−２，２−ジイルオキシ基、ブタン−２，３−ジイルオキシ基等を包含する連結基を意味する。

前記Ｒ⁶は、下記群（１１）で表される何れかの基である。

（Ｒ⁷は、炭素数１〜６のアルキル基であり、炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。）

モノマー（ａ−４）としては、具体的には、アクリル酸２−（２−ビニロキシエトキシ）エチル、メタクリル酸２−（２−ビニロキシエトキシ）エチル等のエチレン性不飽和基含有（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、３−メチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロイルオキシメチルオキセタン、３−メチル−３−（メタ）アクリロイルオキシエチルオキセタン、３−エチル−３−（メタ）アクリロイルオキシエチルオキセタン等の含酸素飽和ヘテロ環基含有（メタ）アクリレート；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２，２−ジヒドロキシメチルブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリレート；アクリル酸ジメチルアミノエチル等の活性水素基を有するアミノ基含有（メタ）アクリレート；（メタ）アクリルアミド等のアミド結合含有（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸２−（Ｏ−［１'−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ）エチル、２−［（３，５−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ］エチルメタクリレート等のブロックイソシアネート基含有（メタ）アクリレートが挙げられる。

重合体（Ａ２）におけるモノマー（ａ−４）由来の構成単位の割合は、光の取り出し効率に優れる表示装置を容易に得ることができる等の点から、重合体（Ａ）１００質量％に対して、好ましくは５〜５０質量％、より好ましくは５〜２０質量％である。

重合体（Ａ２）は、前記モノマー（ａ−１）、（ａ−２）および（ａ−４）を、必要によりさらに前記モノマー（ａ−３）と共に用い、ラジカル重合等の重合をすることで得ることができる。前記モノマー（ａ−３）を用いない場合について具体的に例示すると、前記モノマー（ａ−１）、（ａ−２）および（ａ−４）を同時に反応させてもよいし、前記モノマー（ａ−１）および（ａ−２）を反応させて重合体（Ａ１）を得た後、該重合体（Ａ１）と前記モノマー（ａ−４）とを反応させてもよい。

特に、架橋性基としてエチレン性不飽和基を有する重合体（Ａ２）は、予めラジカル重合等の重合方法によって、カルボキシ基、エポキシ基、ヒドロキシ基、活性水素を有するアミノ基、フェノール性水酸基、（ブロック）イソシアネート基等の官能基を有する重合体（Ａ'）を合成し、該重合体と、該重合体に含まれる官能基と反応する基およびエチレン性不飽和基を有する化合物とを反応させることで得ることが好ましい。

前記モノマー（ａ−１）〜（ａ−４）の使用量は、該モノマー由来の構成単位の割合が前記範囲となるような量であることが好ましい。

前記重合体（Ａ２）を合成する方法としては、特に制限されず、従来公知の方法を用いればよい。

例えば、前記重合体（Ａ'）とモノマー（ａ−４）との反応においては、反応促進の目的で触媒を用いてもよい。該触媒としては、特に制限されないが、例えば、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等のアミン類；テトラメチルアンモニウムクロライド等の第４級アンモニウム化合物；トリフェニルホスフィン；これらの混合物が挙げられる。
該触媒の使用量は、重合体（Ａ'）１００質量部に対して、好ましくは０．１〜２．０質量部である。

また、前記重合体（Ａ'）とモノマー（ａ−４）との反応においては、重合禁止剤を用いることが好ましい。該重合禁止剤としては、特に制限されないが、例えば、パラメトキシフェノール、ハイドロキノン、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルが挙げられる。
該重合禁止剤の使用量は、その種類および反応条件によって適宜決定すればよいが、重合体（Ａ'）１００質量部に対して、好ましくは０．１〜２．０質量部である。

前記重合体（Ａ'）とモノマー（ａ−４）との反応は、反応速度の向上を目的として加熱することが好ましい。加熱温度は化合物（ａ−４）の種類等に応じて適宜設定すればよいが、通常６０〜１５０℃の範囲である。

［感光剤（Ｂ）］
前記感光剤（Ｂ）としては、例えば、光酸発生剤、光ラジカル重合開始剤が挙げられる。本組成物は、感光剤（Ｂ）を含有することで、感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な放射線感度を有することができる。
感光剤（Ｂ）は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

本組成物における感光剤（Ｂ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常５〜１００質量部であり、好ましくは５〜６５質量部、より好ましくは１０〜６０質量部である。
感光剤（Ｂ）の含有量を前記範囲とすることで、現像液、特にアルカリ溶液等に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差を大きくし、パターニング性能を向上させることができる。

《光酸発生剤》
光酸発生剤は、放射線の照射を含む処理によって酸を発生する化合物である。
光酸発生剤としては、例えば、キノンジアジド化合物、オキシムスルホネート化合物、オニウム塩、Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物が挙げられる。これらの化合物を用いることで、ポジ型の感放射線特性を発揮する組成物を得ることができる。これらの中でも、キノンジアジド化合物が好ましい。

《光ラジカル重合開始剤》
感光剤（Ｂ）として光ラジカル重合開始剤を用い、例えば、前記化合物（Ｃ）を用いることで、ネガ型の感放射線特性を発揮する組成物を得ることができる。

光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビイミダゾール化合物、トリアジン化合物、ベンゾフェノン化合物、アシルフォスフィンオキサイド化合物、オキシムエステル化合物、アルキルフェノン化合物が挙げられる。これらの中でも、オキシムエステル化合物およびアルキルフェノン化合物が好ましい。

オキシムエステル化合物としては、例えば、１，２−オクタンジオン−１−［４−（フェニルチオ）−２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）が挙げられる。

アルキルフェノン化合物としては、例えば、ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノンが挙げられる。

［化合物（Ｃ）］
化合物（Ｃ）は、重合体（Ａ）以外の化合物であり、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物である。化合物（Ｃ）としては、強度、耐熱性および絶縁性に優れる硬化膜を得ることができる等の点から、１分子中に２個以上のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物が好ましい。
化合物（Ｃ）は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

化合物（Ｃ）としては、例えば、多官能（メタ）アクリレートが挙げられ、具体的には、ビスフェノールＡアルキレンオキシドジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦアルキレンオキシドジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エチレンオキシド付加ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、プロピレンオキシド付加ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ε−カプロラクトン付加ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、特開２０１１−１８０４７８号公報および特開２０１３−７６８２１号公報に記載された化合物が挙げられる。

本組成物における化合物（Ｃ）の含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、通常１〜２１０質量部であり、好ましくは５〜１６０質量部、より好ましくは１０〜１５０質量部、特に好ましくは３０〜１５０質量部である。化合物（Ｃ）の含有量が前記範囲にあると、耐熱性により優れる硬化膜が得られる。

［溶剤（Ｄ）］
本組成物は、溶剤（Ｄ）を含む。溶剤（Ｄ）を含むことで、本組成物の塗布性が向上する。
溶剤（Ｄ）は、１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

溶剤（Ｄ）としては、例えば、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールジアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、トリエチレングリコールジアルキルエーテル、ヒドロキシ基含有ケトン、環状エーテル、環状エステルが挙げられる。

本組成物における溶剤（Ｄ）の含有量は、本組成物の固形分濃度が通常５〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％、より好ましくは１５〜４０質量％となる量である。ここで固形分とは、溶剤（Ｄ）以外の全成分をいう。

［その他の任意成分］
本組成物は、前記（Ａ）および（Ｄ）成分ならびに必要に応じて用いられる（Ｂ）〜（Ｃ）成分以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、前記（Ａ）〜（Ｄ）成分以外の、密着助剤（Ｅ）、界面活性剤（Ｆ）、無機フィラー（Ｇ）、遮光剤（Ｈ）等のその他の任意成分を含有してもよい。
その他の任意成分は、それぞれ１種単独で用いても、２種以上を用いてもよい。

《密着助剤（Ｅ）》
密着助剤（Ｅ）を用いることで、本組成物から得られる硬化膜と該硬化膜と接触する基板等の被着体との接着性を向上させることができる。密着助剤（Ｅ）は、特に無機物の被着体と前記硬化膜との接着性を向上させるために有用である。
密着助剤（Ｅ）としては、例えば、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられ、具体的には、特開２０１２−２５６０２３号公報、特開２０１３−２４２５１１号公報および特開２０１４−０８０５７８号公報に記載された化合物を挙げることができる。

密着助剤（Ｅ）を用いる場合の本組成物中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは０．０１〜２０質量部である。密着助剤（Ｅ）の含有量を前記範囲とすることで、被着体との密着性により優れる硬化膜を得ることができる。

《界面活性剤（Ｆ）》
界面活性剤（Ｆ）を用いることで、本組成物の塗膜形成性を高めることができる。本組成物が界面活性剤（Ｆ）を含有することで、得られる塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果、得られる硬化膜の膜厚均一性をより向上できる。
界面活性剤（Ｆ）としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤が挙げられ、具体的には、特開２００３−０１５２７８号公報および特開２０１３−２３１８６９号公報に記載された化合物を挙げることができる。

界面活性剤（Ｆ）を用いる場合の本組成物中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは２０質量部以下、より好ましくは０．０１〜１５質量部、さらに好ましくは０．０５〜１０質量部である。界面活性剤（Ｆ）の含有量を前記範囲とすることで、形成される塗膜の膜厚均一性をより向上することができる。

《無機フィラー（Ｇ）》
無機フィラー（Ｇ）を用いることで、例えば、本組成物から得られる硬化膜の屈折率を調整することができる。
前記硬化膜の低屈折率化の際に好ましい無機フィラーとしては、例えば中空の無機粒子が挙げられ、具体的には中空シリカ粒子が挙げられる。中空シリカ粒子の屈折率は、通常１．２０〜１．４５、好ましくは１．２５〜１．４０である。
本組成物は、前記特定の重合体（Ａ）を用いるため、このような中空の無機粒子を用いなくても、低屈折率の硬化膜を得ることができる。このため、低コストの点からは、該中空の無機粒子を用いないことが好ましいが、より低屈折率の硬化膜を得ることができる等の点から、該中空の無機粒子を用いてもよい。

無機フィラー（Ｇ）を用いる場合の本組成物中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１５０質量部以下、より好ましくは１４０質量部以下、さらに好ましくは１００質量部以下である。

《遮光剤（Ｈ）》
遮光剤（Ｈ）を用いることで、例えば、本組成物から得られる硬化膜の遮光性を調整することができ、これにより、該硬化膜を含む表示装置の発光ムラをより低減することができる。
好ましい遮光剤としては、例えば、顔料または染料、具体的には黒色の顔料または染料が挙げられる。顔料または染料としては、具体的には、特開２０１１−７０１５６号公報、特開２０１２−２３７９５２号公報、国際公開第２０１２／１３３３８２号公報、特開２０１３−２１０５７８号公報、特開２０１０−２４４０２７号公報、特開２０１０−２５４９６４号公報、特開２０１１−５９６７３号公報、特開２０１１−１１８３６５号公報、特許第５２６５８４４号公報に記載の顔料または染料等が挙げられる。

遮光剤（Ｈ）を用いる場合の本組成物中におけるその含有量は、重合体（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１００質量部以下、より好ましくは１〜８０質量部、さらに好ましくは５〜５０質量部である。

〔硬化膜〕
本発明に係る硬化膜は、前記本組成物を用いて形成される。
本組成物は、塗布性に優れるため、表面平滑性および膜厚均一性に優れる硬化膜を得ることができる。また、前記硬化膜として、所望形状（例：微細かつ精巧なパターン）の硬化膜が必要な場合には、本組成物は、感放射線性に優れ、かつ、現像性に優れる構成にすることも容易であるため、このような所望形状の硬化膜を容易に形成することができる。

また、本組成物は前記重合体（Ａ）を含むため、該組成物を用いることで、撥液性の硬化膜を得ることができる。
従来の有機ＥＬ素子における発光材料層は蒸着で形成されており、該蒸着工程が有機ＥＬ素子の生産効率を向上できない原因となっている。このため、発光材料層の形成方法を蒸着からインクジェット塗布などの塗布方法等に変更することが考えられている。このように発光材料層を塗布方法等により形成する場合であって、撥液性隔壁を用いる場合には、塗布に用いられる発光材料含有組成物の隔壁への付着を抑制することができる。
従って、前記硬化膜を撥液性隔壁として用いれば、発光材料層等を塗布方法等により形成することができ、このような方法を用いても、塗布に用いられる発光材料含有組成物の隔壁への付着を抑制することができるため、各ピクセルを構成する発光材料が混ざりにくく、所定の表示性を示す表示装置を容易に得ることができる。

前記硬化膜の２５℃における波長５８９ｎｍでの屈折率は、好ましくは１．４０〜１．５５であり、より好ましくは１．４０〜１．５２、特に好ましくは１．４０〜１．５０である。
屈折率が前記範囲にあると、発光ムラが起こり難く、光の取り出し効率の高い表示装置を容易に得ることができ、消費電力の少ない表示装置を容易に得ることができる。
屈折率は具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。

前記硬化膜の２５℃における水接触角は、好ましくは８５°〜１２０°であり、より好ましくは９０°〜１１５°、特に好ましくは９０°〜１１０°である。
水接触角は具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
硬化膜の水接触角が前記範囲にあると、該硬化膜は、撥液性硬化膜として、特に、撥液性隔壁として好適に使用することができる。

前記硬化膜の膜厚は、所望の用途に応じて適宜選択すればよく、特に限定されないが、成膜やパターニングの容易性を考えると、好ましくは１．０〜１０．０μｍ、より好ましくは１．０〜８．０μｍ、さらに好ましくは１．０〜６．０μｍである。

［硬化膜の製造方法］
前記硬化膜は、本組成物から塗膜を形成し、該塗膜に放射線を照射する工程を含む方法で製造することができ、好ましくは、本組成物を、硬化膜を形成したい箇所に塗布し、必要によりプリベークすることで塗膜を形成し、該塗膜に放射線を照射し、必要によりポストベークする工程を含む方法で製造することができる。
例えば、前記保護基で保護された基やブロックイソシアネート基を有する重合体を用いる場合、保護基（ブロック基）を脱保護する工程、例えば加熱工程を含むことが好ましい。

前記硬化膜を形成したい箇所としては、例えば、樹脂基板、ガラス基板、シリコンウエハ、製造途中の有機ＥＬ素子において、例えばＴＦＴやその配線が形成されたＴＦＴ基板が挙げられる。
ＴＦＴ基板は、例えば、支持基板と、第１電極に対応して支持基板に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、ＴＦＴを被覆する平坦化層とを有する。例えば、第１電極は、前記平坦化層上に形成されており、前記平坦化層を貫通するスルーホールに形成された配線を介して、前記ＴＦＴと接続される。

本組成物を塗布する方法としては、特に制限されないが、例えば、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法が挙げられる。これらの中でも、スピンコート法およびスリットダイ塗布法が好ましい。

前記プリベークの条件としては、本組成物の組成等によっても異なるが、例えば、加熱温度を６０〜１３０℃とし、加熱時間を３０秒間〜１５分間程度とする条件が挙げられる。加熱処理には、例えば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を使用することができる。

前記放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線が挙げられる。可視光線としては、例えば、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）が挙げられる。紫外線としては、例えば、ｉ線（波長３６５ｎｍ）が挙げられる。遠紫外線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザによるレーザ光が挙げられる。Ｘ線としては、例えば、シンクロトロン放射線が挙げられる。荷電粒子線としては、例えば、電子線が挙げられる。これらの放射線の中でも、可視光線および紫外線が好ましく、可視光線および紫外線の中でもｇ線および／またはｉ線を含む放射線が特に好ましい。

ｉ線を含む放射線を用いる場合、露光量は、好ましくは６０００ｍＪ／ｃｍ²以下、より好ましくは２０〜２０００ｍＪ／ｃｍ²である。

前記ポストベークの条件としては、特に限定されないが、例えば、加熱温度を１３０℃を超えて３００℃以下とし、加熱時間を５分間〜９０分間程度とする条件が挙げられる。前記ポストベークとしては、２回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。加熱処理には、例えば、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を使用することができる。

［硬化膜の用途］
前記硬化膜は、前記効果を有するため、表示装置に好適に用いることができ、より具体的には隔壁に好適に用いることができる。
このため、本組成物は、好ましくは表示装置形成用組成物であり、より好ましくは隔壁形成用組成物である。
表示装置としては、例えば、自発光型ディスプレイ、特に有機ＥＬディスプレイが挙げられる。

前記硬化膜を含む表示装置としては、具体的には、基板と、前記基板上に形成された複数の画素とを有し、各画素は第１隔壁により区画されており、さらに各画素は第２隔壁により複数のサブ画素に区画されている装置が挙げられる。
そして、この装置における第１隔壁および第２隔壁が前記硬化膜であり、本組成物を用いて形成されるパターン化膜であることが好ましい。

このような装置の一部の概略断面模式図を図１に示す。
図１では、基板１００上に、複数の第１電極１１０と、複数の第１隔壁１２０とが形成されている。第１隔壁１２０は第１電極１１０の端部（周縁部）を覆い、それぞれ第１電極１１０を部分的に露出させるように形成されている。第１隔壁１２０により、複数の画素が区画されており、さらに、各画素は、第２隔壁１２１によりサブ画素に区画されている。

前記第１隔壁および第２隔壁は、一体化して形成されることが好ましい。すなわち、第１隔壁および第２隔壁は、同一の材料から形成された隔壁であることが好ましく、同一の工程で同時に形成された隔壁であることがより好ましい。例えば、本組成物を用いて塗膜を形成し、この塗膜に対して所定のパターンマスクを介して露光現像する工程を含む方法により、好ましくは、前記硬化膜の製造方法と同様の方法で塗膜を形成した後、所定のパターンマスクを介して前記と同様の方法で放射線を照射し、次いで現像し、必要により前記と同様の方法でポストベークする工程を含む方法により、同一の材料からなる第１隔壁および第２隔壁を形成することができる。

前記現像に用いられる現像液としては、アルカリ水溶液が好ましい。アルカリ水溶液に含まれるアルカリ性化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の特開２０１２−０８８４５９号公報の段落［０２４０］に記載された化合物が挙げられる。アルカリ水溶液におけるアルカリ性化合物の濃度としては、適当な現像性を得る等の点から、０．１〜５．０質量％が好ましい。

現像方法としては、例えば、液盛り法（パドル法）、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法が挙げられる。現像時間は、本組成物の組成によって異なるが、通常１０〜１８０秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を３０〜９０秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾することによって、所望のパターンを形成することができる。

なお、現像した後ポストベークする前に、パターンに対してリンス処理や分解処理を行ってもよい。リンス処理では、溶剤（Ｄ）として挙げた溶剤を用い、塗膜を洗浄することが好ましい。分解処理では、高圧水銀灯等による放射線を全面に照射（後露光）することで、パターン中に残存した感光剤（Ｂ）を分解することができる。この後露光における露光量は、好ましくは１０００〜５０００ｍＪ／ｃｍ²程度である。

このようにして得られた第１隔壁および第２隔壁の断面形状は、図１に示すような順テーパー状であることが好ましい。なお、順テーパー状とは、第１隔壁１２０や第２隔壁１２１において図１に示す角度θが９０°未満であることを意味する。以下、この角度θを「テーパー角度」ともいう。
テーパー角度θは、好ましくは８０°以下、より好ましくは４０〜８０°、さらに好ましくは６０〜８０°である。
テーパー角度は、具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
テーパー角度は、例えば、露光量、現像時間、ポストベーク温度、ポストベーク時間、現像後の後露光等により調整することができる。

第１隔壁および第２隔壁の断面形状が順テーパー状であると、隔壁形成後に発光層や第２電極等を形成する場合でも、境界部分においてこれらの膜が滑らかに形成され、段差に起因する膜厚ムラなどを低減させることができ、安定な特性を有する表示装置を得ることができる。

前記表示装置としては、具体的には、ＴＦＴ基板上に設けられ、かつ、ＴＦＴと接続された第１電極と、前記ＴＦＴ基板の面上を複数の領域に区画する第１隔壁および第２電極と、前記隔壁により区画された領域（凹部）において第１電極上に形成された有機発光層と、有機発光層上に設けられた第２電極とを含む有機ＥＬ素子を有する、有機ＥＬ装置であることが好ましい。

以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。

［ＧＰＣ分析］
下記合成例で得られた重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により、以下の条件で測定した。
・標準物質：ポリスチレン
・装置 ：東ソー（株）製、商品名：ＨＬＣ−８０２０
・カラム ：東ソー（株）製ガードカラムＨ_XL−Ｈ、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ７０００Ｈ_XL、ＴＳＫ ｇｅｌ ＧＭＨ_XL ２本、ＴＳＫ ｇｅｌ Ｇ２０００Ｈ_XLを順次連結したもの
・溶媒 ：テトラヒドロフラン
・サンプル濃度：０．７質量％
・注入量 ：７０μＬ
・流速 ：１ｍＬ／ｍｉｎ

＜重合体（Ａ）の合成＞
［合成例Ａ１］重合体（Ａ−１）の合成
フラスコ内を窒素置換した後、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）８ｇを溶解したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液２５０．０ｇを仕込んだ。引き続きメタクリル酸３０ｇおよび１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレート７０ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持した後、１００℃で１時間加熱して重合を終結させた。その後、得られた溶液を多量のメタノールに滴下し反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、テトラヒドロフラン２００ｇに再溶解させ、多量のメタノールで再度凝固させることで、凝固物を１０８ｇ得た。

得られた凝固物１０８ｇと、グリシジルメタクリレート７．２ｇと、トリフェニルホスフィン０．４８ｇと、パラメトキシフェノール０．４８ｇと、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２５０ｇとを仕込み、１２０℃で８時間加熱撹拌することで、重合体（Ａ−１）を得た。
得られた重合体（Ａ−１）のＭｗは９，６００であった。

［合成例２］重合体（Ａ−２）の合成
メタクリル酸を６０ｇ、１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートを４０ｇ用いたこと以外は合成例１と同様にして重合体（Ａ−２）を合成した。
得られた重合体（Ａ−２）のＭｗは９，９００であった。

［合成例３］重合体（Ａ−３）の合成
メタクリル酸を１０ｇ、１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートを９０ｇ用いたこと以外は合成例１と同様にして重合体（Ａ−３）を合成した。
得られた重合体（Ａ−３）のＭｗは９，４００であった。

［合成例４］重合体（Ａ−４）の合成
１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートの代わりに１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルアクリレート（ダイキン工業（株）製）を用いたこと以外は合成例１と同様にして重合体（Ａ−４）を合成した。
得られた重合体（Ａ−４）のＭｗは９，４００であった。

［合成例５］重合体（Ａ−５）の合成
１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートの代わりに１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルアクリレート（ダイキン工業（株）製）を用いたこと以外は合成例１と同様にして重合体（Ａ−５）を合成した。
得られた重合体（Ａ−５）のＭｗは９，９００であった。

［合成例６］重合体（Ａ−６）の合成
合成例１と同様の方法で得られた凝固物を重合体（Ａ−６）とした。
得られた重合体（Ａ−６）のＭｗは９，０００であった。

［合成例７］重合体（Ａ−７）の合成
フラスコ内を窒素置換した後、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）８ｇを溶解したプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液２５０．０ｇを仕込んだ。引き続きメタクリル酸２０ｇ、グリシジルメタクリレート２０ｇおよび１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレート６０ｇを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。溶液の温度を７０℃に上昇させ、この温度を５時間保持した。その後、得られた溶液を多量のメタノールに滴下し反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、テトラヒドロフラン２００ｇに再溶解させ、多量のメタノールで再度凝固させることで、重合体（Ａ−７）を得た。
得られた重合体（Ａ−７）のＭｗは８，８００であった。

［合成例８］重合体（Ａ−８）の合成
グリシジルメタクリレートを用いず、１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートを８０ｇ用いたこと以外は合成例７と同様にして重合体（Ａ−８）を合成した。
得られた重合体（Ａ−８）のＭｗは８，９００であった。

［合成例９］重合体（Ａ−９）の合成
１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートの代わりに１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルアクリレート（ダイキン工業（株）製）を用いたこと以外は合成例７と同様にして重合体（Ａ−９）を合成した。
得られた重合体（Ａ−９）のＭｗは９，０００であった。

［合成例１０］重合体（Ａ−１０）の合成
１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートの代わりに２−（パーフルオロブチル）エチルメタクリレートを用いたこと以外は合成例６と同様にして重合体（Ａ−１０）を合成した。
得られた重合体（Ａ−１０）のＭｗは９，８００であった。

［合成例１１］重合体（Ａ−１１）の合成
１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートの代わりにメタクリル酸ベンジルを用いたこと以外は合成例６と同様にして重合体（Ａ−１１）を合成した。
得られた重合体（Ａ−１１）のＭｗは１０，５００であった。

［合成例１２］重合体（Ａ−１２）の合成
メタクリル酸を８０ｇ、１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートを２０ｇ用いたこと以外は合成例６と同様にして重合体（Ａ−１２）を合成した。
得られた重合体（Ａ−１２）のＭｗは９，８００であった。

［合成例１３］重合体（Ａ−１３）の合成
グリシジルメタクリレートの代わりにメタクリル酸ベンジルを６０ｇ、１Ｈ,１Ｈ,５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタクリレートを２０ｇ用いたこと以外は合成例７と同様にして重合体（Ａ−１３）を合成した。
得られた重合体（Ａ−１３）のＭｗは８，８００であった。

［実施例１］
重合体（Ａ−１）５５質量部、感光剤として２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン（ＢＡＳＦ社製の「ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３７９ＥＧ」、以下「感光剤−１」ともいう。）１０質量部、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物（Ｃ）として東亞合成（株）製の「Ｍ−４０５」３０質量部、密着助剤としてＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製の「ＫＢＭ−５７３」）４質量部、および界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤（東レダウコーニング（株）製の「ＳＨ８４００」）１質量部を混合し、固形分濃度が３０質量％となるように、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合溶剤（質量比３０：２０：５０）を添加し、撹拌した後、口径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過して、画素形成用組成物を調製した。

［実施例２〜７、実施例１１〜１２および比較例１〜３］
重合体（Ａ−１）の代わりに、表２に示す重合体（Ａ−１）〜（Ａ−７）、重合体（Ａ−１０）〜（Ａ−１２）を用いたこと以外は実施例１と同様にして画素形成用組成物を調製した。

［実施例８］
重合体（Ａ−７）８５質量部、感光剤として４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（４８質量％）と６−ジアゾ−５，６−ジヒドロ−５−オキソナフタレン−１−スルホン酸（５２質量％）とのエステル（以下「感光剤−２」ともいう。）１０質量部、密着助剤としてＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（「ＫＢＭ−５７３」）４質量部、および界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤（「ＳＨ８４００」）１質量部を混合し、固形分濃度が３０質量％となるように、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合溶剤（質量比３０：２０：５０）を添加し、撹拌した後、口径０．２μｍのメンブランフィルタで濾過して、画素形成用組成物を調製した。

［実施例９〜１０および比較例４］
重合体（Ａ−７）の代わりに、それぞれ重合体（Ａ−８）〜（Ａ−９）または重合体（Ａ−１３）を用いたこと以外は実施例８と同様にして画素形成用組成物を調製した。

［スリット塗布性］
スリット間隙が５０μｍ、塗布有効幅が２００ｍｍのスリットヘッドを備えたスリット塗布装置を用いて、乾燥後の膜厚が４．０μｍになるようにスリットと基板間との間隙を調節して、５０ｍｍ／秒の塗布スピードで各実施例・比較例で得られた画素形成用組成物を、幅３００ｍｍ、長さ３００ｍｍ、厚み０．７ｍｍの矩形状ガラス基板上に塗布し、長さ２５０ｍｍの塗布面を得た。塗布後、ホットプレート上で９０℃にて２分間プリベークし、次いで、塗布面を目視にて観察してスジ状のムラの本数をカウントし、下記基準で評価した。結果を表２に示す。
・ＡＡ：塗布面にスジ状のムラが全くない。
・ＢＢ：スジ状のムラが１〜５本見られる。
・ＣＣ：スジ状のムラが６本以上見られる。

《隔壁の形成方法》
クリーントラック（東京エレクトロン（株）製：Ｍａｒｋ ＶＺ）を用いて、シリコン基板上に各実施例・比較例で得られた画素形成用組成物を塗布した後、ホットプレート上で９０℃にて２分間プリベークして、厚さ５μｍの塗膜を形成した。得られる隔膜の平面図が図２（Ａ）のような形状となるように、直径５μｍの円板状のパターンマスクを複数枚、得られた塗膜上に配置し、露光機（（株）ニコン製のｉ線ステッパー「ＮＳＲ−２００５ｉ１０Ｄ」）を用いて、波長３６５ｎｍにおける露光量１５０ｍＪ／ｃｍ²で露光した。その後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて２５℃にて１２０秒間液盛り法で現像し、超純水で１分間流水洗浄を行い、乾燥させて、シリコン基板上に隔壁を形成した。この塗膜をホットプレート上で２３０℃にて４５分間ポストベークして、厚さ４μｍの隔壁を形成した。

［現像性］
前記《隔壁の形成方法》において、現像後の未露光部が完全に溶解したか否かを目視で確認した。
評価基準は、開口部が直径５μｍのパターンを形成し、かつ、隔壁の剥がれまたは現像残渣なく隔壁が形成された場合を「良好」とし、現像残渣がある場合、開口部が直径５μｍのパターンを形成できない場合、または、隔壁の剥がれが発生した場合を「不良」とした。

［テーパー角度］
前記《隔壁の形成方法》において、得られた隔壁の基板面からの立ち上がり角度（テーパー角度）をＳＥＭ（（株）日立ハイテクノロジーズ製の「ＳＵ３５００」）で観察した。

［屈折率］
前記《隔壁の形成方法》において、パターンマスクを用いず、現像を行わないこと以外は同様の方法により、シリコン基板上に厚さ４μｍの隔壁（硬化膜）を形成した。得られた硬化膜について、ＪＩＳ Ｋ７１０５に従い、（株）アタゴ製アッベ屈折計を用いて、２５℃における波長５８９ｎｍでの屈折率を測定した。

［水接触角］
前記《隔壁の形成方法》において、パターンマスクを用いず、現像を行わないこと以外は同様の方法により、シリコン基板上に厚さ４μｍの隔壁（硬化膜）を形成した。続いて、協和界面科学（株）製接触角計ＤＭｏ−７０１を用いて、得られた硬化膜の表面に１．５μＬの超純水（２５℃）を滴下し、液適法により２５℃における水接触角を測定した。

［アウトガス］
前記《隔壁の形成方法》において、パターンマスクを用いず、現像を行わないこと以外は同様の方法により、シリコン基板上に厚さ４μｍの隔壁（硬化膜）を形成した。続いて、シリコン基板を１×５ｃｍの大きさにカットした後、日本分析工業（株）製ＪＴＤ−５０５と（株）島津製作所製ＧＣ−ＱＰ−２０１０とからなるＰ＆Ｔ−ＧＣＭＳ装置を用いて、２３０℃で１５分間ベークを行い、クロマトグラムを得た。硬化膜を用いて測定したクロマトグラムのＣ１８のピーク面積と、別途同装置を用いて測定した標準試料Ｃ１８のクロマトグラムのピーク面積を用いて、下記式よりアウトガス量を算出した。なお、下記標準試料の導入量とは、標準試料Ｃ１８のクロマトグラムを得る際に前記装置に導入した該標準試料の導入量のことである。
アウトガス量（μｇ）＝（硬化膜のクロマトグラムのピーク面積／標準試料のピーク面積）×標準試料の導入量（μｇ）
評価基準は、前記アウトガス量が１０μｇ未満である場合をＡＡ、１０〜５０μｇである場合をＢＢ、５０μｇを超える場合をＣＣとした。

《素子特性評価》
ガラス基板（コーニング社製の「コーニング７０５９」）を用い、このガラス基板上にＩＴＯをスパッタし、続いて感光性レジスト（「ＮＮ７００」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンマスクを介して露光した。露光後現像し、加熱硬化させて、所定のレジストパターンを形成した。続いてエッチング液を用いて、ＩＴＯ膜をエッチングして、アレイ状のＩＴＯ膜のパターン（ＩＴＯ透明電極）を形成した後、レジストパターンを剥離液で除去した。

ＩＴＯ透明電極が形成されたガラス基板上に、感光性レジスト（「ＮＮ７００」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で膜厚が５μｍとなるように塗布した後、ホットプレート上で９０℃にて２分間プリベークして、塗膜を形成した。次いで、この塗膜を所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、クリーンオーブン中で２３０℃にて３０分間ポストベークした。このようにして、ＩＴＯ透明電極の一部のみが露出したコンタクトホールを有する平坦化層を、ガラス基板上に形成した。ポストベーク後の平坦化層の膜厚は４μｍであった。以上のようにして平坦化層が形成されたガラス基板を複数用意し、以下の工程で用いた。

Ａｌターゲットを用いてＤＣスパッタ法により、平坦化層を形成したガラス基板の平坦化層上に膜厚１００ｎｍのＡｌ膜を形成した。続いて感光性レジスト（「ＮＮ７００」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンマスクを介して露光した。露光後現像し、加熱硬化させて、所定のレジストパターンを形成した。続いて混酸のエッチング液を用いてＡｌ膜をエッチングして、所定のＡｌ膜のパターンを形成した後、レジストパターンを剥離液で除去した。その後、ガラス基板をスパッタ装置に移送して、ＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法により、Ａｌパターン上に膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。続いて感光性レジスト（「ＮＮ７００」、ＪＳＲ（株）製）をスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンマスクを介して露光した。露光後、現像し、加熱硬化させて、所定のレジストパターンを形成した。続いてエッチング液を用いてＩＴＯ膜をエッチングして、Ａｌ膜上にＡｌ膜と同様のＩＴＯ膜のパターンを形成した後、レジストパターンを剥離液で除去した。このようにしてＡｌ膜とＩＴＯ膜とからなる陽極を有する陽極基板を形成した。

シリコン基板の代わりに、得られた陽極基板を用い、該陽極基板の陽極上に、前記《隔壁の形成方法》と同様の方法によって、各実施例・比較例で得られた画素形成用組成物を用いて、基板上の領域を（メイン）画素ごとに区画する第１隔壁、および各画素における陽極上の領域をサブ画素ごとに区画する第２隔壁を形成した（図２（Ａ）参照）。得られた第１および第２隔壁の膜厚は４μｍであった。

続いて、陽極および隔壁が形成された基板に対して、真空蒸着法により有機ＥＬ素子を形成した。有機ＥＬ素子は以下の手順により作成した。
陽極および隔壁が形成された基板を超音波洗浄し、続いて洗浄後の基板をＮ₂雰囲気中に移送し、２００℃で３時間乾燥した。次いで、乾燥後の基板を酸素プラズマ処理装置へ移し、真空排気し、基板付近に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を印加し、酸素プラズマ洗浄処理を行った。この時の酸素圧力を０．６Ｐａ、処理時間を４０秒とした。

洗浄処理後の基板を真空成膜室へ移動し、成膜室を１Ｅ−４Ｐａまで排気した後、該基板上に、所定パターンの蒸着マスクを用いて、正孔注入性を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）の層を抵抗加熱蒸着法により成膜速度０．００４〜０．００５ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜し、膜厚１ｎｍの正孔注入層を形成した。

抵抗加熱蒸着法により正孔注入層を形成した際と同様の排気条件となるよう排気した後、正孔注入層上に、所定パターンの蒸着マスクを用いて、正孔輸送性を有する４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）の層を、成膜速度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの正孔輸送層を形成した。

抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層を形成した際と同様の排気条件となるよう排気した後、正孔輸送層上に、所定パターンの蒸着マスクを用いて、緑色の発光材料としてアルキレート錯体であるＡｌｑ３の層を、成膜速度０．５ｎｍ／ｓｅｃ以下の条件で成膜し、膜厚３５ｎｍの発光層を形成した。

抵抗加熱蒸着法により正孔注入層を形成した際と同様の排気条件となるよう排気した後、発光層上に、フッ化リチウムの層を、成膜速度０．００４ｎｍ／ｓｅｃ以下の条件で成膜し、膜厚０．８ｎｍの電子注入層を形成した。

続いて、別の成膜室（スパッタ室）に電子注入層を形成した基板を移送し、電子注入層上に、ＩＴＯターゲットを用いてＲＦスパッタリング法により、膜厚１３０ｎｍの陰極を形成した。

グローブボックスに、陰極を形成した基板を移送し、Ｎ₂リークして、吸湿材を貼り付けておいた封止ガラス基板を、ＵＶ硬化型のアクリル系接着剤を用いて、吸湿材が陰極側となるように前記基板と接着させ、該基板を封止した。
以上のようにして、評価用有機ＥＬ素子を得た。

［点灯評価］
評価用有機ＥＬ素子の１つのメイン画素（第１隔壁で囲まれた部分＝１６個のサブ画素を有する部分）を点灯させ、点灯状態を評価した。評価結果を表２に示す。評価は、全てのサブ画素で点灯が観測された場合をＡＡ、いずれかのサブ画素で点灯が観測されなかった場合をＢＢ、全てのサブ画素で点灯が観測されなかった場合をＣＣとした。

［発光ムラ評価］
評価用有機ＥＬ素子の１つのメイン画素を点灯させ、その際の輝度を評価した。その際の各発光ピクセル（サブ画素）の輝度を測定し、全ての発光ピクセルの輝度がその中央値に対して±５％未満の範囲にある場合をＡＡとし、発光ピクセルの輝度の最大値または最小値が中央値に対して、±５％以上±１０％未満の範囲にある場合をＢＢ、±１０％以上の範囲にある場合をＣＣとした。

輝度測定は（株）トプコンテクノハウス製の輝度計ＳＲ−３ＡＲを用いて暗室中で行い、輝度測定領域が１６個のサブ画素（第２隔壁で囲まれた部分）を含む１つのメイン画素全体（第１隔壁で囲まれた部分）を含むように、輝度測定領域を設定した。

［光取り出し評価］
評価用有機ＥＬ素子の１つのメイン画素を点灯させ、その際の輝度を前記［発光ムラ評価］と同様に測定し、以下の基準にて評価した。

まず、図２（Ｂ）に示すような、前記評価用有機ＥＬ素子における、１つのメイン画素中に含まれる１６個のサブ画素の合計面積と同程度の面積を有するメイン画素のみの、比較用有機ＥＬ素子を、前記評価用有機ＥＬ素子を作成した方法と同様の方法で作成し、該素子を用いて輝度を測定した。

評価用有機ＥＬ素子の１６個のサブ画素の平均輝度が比較用有機ＥＬ素子の輝度に対して、１０５％を超えている場合をＡＡ、１００％以上１０５％以下の場合をＢＢ、１００％未満の場合をＣＣとした。

１００…基板、１１０…第１電極、１２０…第１隔壁、１２１…第２隔壁、ＰＣ…画素、ＳＰＣ…サブ画素（開口部）

Claims (10)

1. −ＣＦ₂Ｒ（Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基））で表される基を含む構成単位（ａ１）と、酸性基を含む構成単位（ａ２）とを有する重合体（Ａ）および溶剤を含み、
   前記重合体（Ａ）１００質量％中の前記構成単位（ａ１）の含量が３１〜９５質量％である、
   画素形成用組成物。
2. 前記重合体（Ａ）がさらに架橋性基を有する、請求項１に記載の画素形成用組成物。
3. 前記構成単位（ａ１）が下記式（１）で表される基を含む、請求項１または２に記載の画素形成用組成物。
   

   

   （式（１）中、Ｒは水素原子、アルキル基または−ＯＲ¹（Ｒ¹は水素原子またはアルキル基）であり、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に、水素原子またはフッ素原子であり、Ａはエステル結合またはエーテル結合であり、ｎは１〜１０の整数である。＊は結合部位を表す。）
4. 前記架橋性基が、エチレン性不飽和基、含酸素飽和ヘテロ環基、ヒドロキシ基、活性水素を有するアミノ基、アミド結合、有機基で置換されていてもよいアルコキシシラン基、保護基で保護されたこれらの基、および、ブロックイソシアネート基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である、請求項２または３に記載の画素形成用組成物。
5. 前記酸性基が、カルボキシル基、フェノール性水酸基、シラノール基、スルホン酸基および保護基で保護されたこれらの基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の画素形成用組成物。
6. 画素形成用組成物中の全固形分１００質量％に対し、前記重合体（Ａ）を２０〜８５質量％含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の画素形成用組成物。
7. さらに、前記重合体（Ａ）以外の、エチレン性不飽和二重結合を有する化合物を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の画素形成用組成物。
8. 隔壁形成用である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の画素形成用組成物。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の画素形成用組成物を用いて形成された、硬化膜。
10. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の画素形成用組成物から塗膜を形成し、該塗膜に放射線を照射する工程を含む、硬化膜の製造方法。

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